JP3752773B2 - 固体撮像装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像素子とその製造方法に関し、特に固体撮像素子の感度の改善とそのための製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
MOSトランジスタやCCD(Chage Coupled Device)を用いた固体撮像素子が撮像用の装置に広く用いられるようになっている。これは光電変換によって蓄積された電荷を利用し、電荷をアレイ状に転送して平面のイメージを出力するものである。最近では、カラーで1/4型で38万画素のものが製品化されているなど、小型、小撮像面積で、多画素のものへと改良が進んできている。
【0003】
ところで、撮像装置が小型で画素数が増えれば増えるほど、単位画素当たりの受光面積が小さくなるので、雑音に強い撮像が正しく行われるためには単位光電変換素子の感度が高いものが要求されることになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上述のごとく、固体撮像素子には、より小型軽量であることが要求されている。このためには受光部面積が小さくなっても感度が落ちないように、さらに感度の向上が望まれている。
【0005】
本発明は、このような問題を解決して、比較的簡単な方法によって、その受光感度を向上したMOSトランジスタを用いた固体撮像素子を実現し、さらに、そのような固体撮像装置を製造する方法を、従来からある手法を用いて、比較的簡単な方法で実現することを課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、光電変換機能と信号電荷読み出し機能を有するMOSトランジスタからなる単位撮像素子を複数マトリクス状に平面上に配列し、光電変換機能によってこの単位撮像素子に蓄積された電荷に対応する信号電荷を信号電荷読み出し機能によって順次読み出す固体撮像装置において、前記MOSトランジスタのゲート下に、ソース近傍が他部より深くなるようなポテンシャル分布を有し、このMOSトランジスタのゲート下に蓄積される光電変換により発生した電荷をソース側に寄せて蓄積させることを特徴とする。
【0007】
また、本発明は、光電変換機能と信号電荷読み出し機能を有するMOSトランジスタからなる単位撮像素子を複数マトリクス状に平面上に配列し、光電変換機能によってこの単位撮像素子に蓄積された電荷に対応する信号電荷を信号電荷読み出し機能によって順次読み出す固体撮像装置の製造方法において、前記MOSトランジスタのゲートの長さ方向に形状の異なる複数のマスクを用いて複数回の不純物打ち込みを行って、ソース近傍のゲート下の不純物濃度を他の部分のゲート下の不純物濃度よりも高くすることを特徴とする。
【0008】
あるいは、本発明は、この固体撮像装置の製造方法において、前記MOSトランジスタのソースのみが開口したマスクを用いて不純物打ち込みを行い、この不純物打ち込み終了後に熱処理により不純物の拡散を行って、ソース近傍のゲート下の不純物濃度を他の部分のゲート下の不純物濃度よりも高くすることを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかる固体撮像装置を添付図面を参照にして詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施の形態の固体撮像装置の個々の固体撮像素子の基本的な構成を示す部分的な平面図と断面図である。
図1において、1はソース(Source)、2はゲート(Gate)、3はドレイン(Drain )、4はセンサー(Sensor)、5はN−プラグ(N-Plug)、6はソース領域に打たれたセンサーと同一極性のポテンシャルなどの調整用の領域、7は蓄積された信号電荷を掃き出す機能を有するOFB(Over Flow Barrier )、8は半導体基板である。
【0010】
また、図2に図1の実施の形態のMOSトランジスタを用いた固体撮像装置の基本回路図を示す。
図2において21は垂直シフトレジスタ、22は水平シフトレジスタ、23は垂直信号線、24は映像信号出力線、25は単位固体撮像素子であるMOSトランジスタ、26は受光部である。
【0011】
まず、この固体撮像装置の動作を図2に沿って説明する。
この固体撮像装置に信号光が入力されると、この固体撮像装置の単位固体撮像素子であるMOSトランジスタ25の光電変換機能が働いて、そのゲートの下のに光の強さに応じた電荷が蓄積される。図2では光ダイオードのシンボルで示しているが、これがMOSトランジスタ25のゲート下の光電変換機能を有したセンサー部分にあたる。
【0012】
このように、光電変換による電荷がゲート下に蓄積され終わると、垂直シフトレジスタ21と水平シフトレジスタ22に、それぞれYクロック、Hクロックを加え、これによって両レジスタに発生するパルスでMOSトランジスタ25のスイッチマトリクスを順次操作し、光電変換で蓄積された電荷にたいしてソースフォロワ動作を行った時のソース電位の変調量を順番に信号として映像信号出力線24に読み出して行く。これによって光電変換された電荷に対応した映像信号を固体撮像素子から出力することができる。
図2では、ソースからの出力の取り出し形式をソースフォロワの形式にしているが、抵抗の代わりにコンデンサを備えた容量負荷型の動作形式にしてもさしつかえない。
【0013】
このような固体撮像装置の受光部の単位となるMOSトランジスタは、本実施の形態では、図1(a)に示すように格子上に配列されて受光部26を形成している。
このMOSトランジスタはそのゲート2の下で光電変換し、この部分に蓄積された電荷によって、容量負荷動作またはソースフォロワ動作を行った時のソース電位の変調を信号として読み出す。このような動作原理の基では、ゲート2下で光電変換された時の電荷の大きさが同じであっても、電荷が蓄積される蓄積位置がソース電極1に近ければ近い程、また表面チャネルに近ければ近いほど、ソース電位に対する影響が大きくなってくる。
【0014】
図1(b)は図1(a)のMOSトランジスタ部分の直線A−Bでの断面図である。この図で示されるように、センサー4内の不純物濃度はソース1の近傍で高くなっている。
このように、ゲート2の下の不純物濃度をソース1の近傍で高くすることによって、後に図3および図4で説明するように、センサー4のポテンシャルをソース1側で深くすることができ、この結果、電荷の蓄積位置がソース電極1に近付いて行く。
【0015】
このように本実施の形態では、増幅型撮像素子のセンサー4部分でゲート2の長さ方向にゲート2の下の不純物濃度を変化させ、電荷の蓄積位置をソース1側に近寄せるようにしている。
【0016】
このようにして不純物濃度をソース1側で高くした本実施の形態の場合の断面ポテンシャルプロファィルのシミュレーション結果を図3に示す。さらに比較のために、従来の場合の断面ポテンシャルプロファィルのシミュレーション結果を図4に示す。
このポテンシャルプロファィルを比較してみると、ポテンシャルの最深部20が図3では、図4の従来の場合よりも右側に、すなわちソース1側よりに移動していることがわかる。このように最深部20がソース1側に移動しているということはセンサー4のポテンシャルがソース1側でより低くなったことを意味している。
【0017】
この図3のシミュレーション結果に示すように、ゲート2の長さ方向(図1(a)の直線A−B方向)についてゲート2の下の不純物濃度を変化させ、ソース1側で不純物濃度を高くするようにすると、センサー4部分のポテンシャルプロファィルを、その最深部20がソース1よりになるように変化させることができる。ポテンシャルの最深部20がソース1に近付けば、センサー4のポテンシャルはソース1側で低くなることになり、ゲート2の下の全体で光電変換した電荷は、このポテンシャルの低いソース1側に集まってくる。
これによって、ゲート2の下の全体の電荷量が同一であっても、電荷がソース1に与える影響がより大きくなり、したがって電荷に伴うソース電位の変調度が大きくなってきて、このため、同じ光量によって出力が大きくとれるという高感度化の効果が得られる。
【0018】
次に、このような不純物濃度の分布の構成を実現する製造方法の一実施の形態を、図5および図6に示す。
図5(a)のように表面にSi表面酸化膜9を構成し、OFB7が設けられた半導体基板8に対して、まず図5(c)のような第1のレジストマスク10を用いて、図5(b)のように第1回目のセンサーイオンインプランテーション(Ion Implantation)を行い、不純物を打ち込む。この第1のレジストマスク10は、センサー4の領域のうち、特にソース1の近傍の部分だけを開口したマスクである。
【0019】
次に、第1回目のセンサーイオンインプランテーションを行った基板8に対して、図6(b)のような第2のレジストマスク11を用いて、図6(a)のように第2回目のセンサーイオンインプランテーションを行って、さらに不純物を打ち込む。この第2のレジストマスク11の開口部分は、第1のレジストマスク10とソース1側の部分で開口のエッジが一致し、ドレイン3側ではさらに広く開口されたものである。
さらに、この後、レジストマスクなしで図6(c)のように第3回目のセンサーイオンインプランテーションを行って必要な不純物濃度を達成する。
この結果、図6(d)に示すように、図1(a)に示したような構成が実現される。
【0020】
このように、複数の開口部分の異なるレジストマスクを用いてイオンインプランテーションを繰り返し、その繰り返しの回数をソース1の近傍で他の部分よりも多くすることによって、センサー4部分の不純物濃度をソース1の近傍で他の部分よりも高く形成することができる。
このように複数枚のマスクを用いてイオンインプランテーションを繰り返すことによって、比較的簡単な従来からある手法を使って、センサー領域の不純物濃度をソース1側の部分で高くし、ソース1近傍の部分でのポテンシャルを低くすることができる。
【0021】
イオンインプランテーションの技術は、近年非常に進歩した技術であり、常に状況をモニタしながらイオンの数を把握しながら、また、打ち込みの深さやプロファイルを制御しながら精密な不純物導入が可能になっている。また、レジストや他の膜をマスクとした場合の選択性も優れている。
したがって、このような手法を用いることによって、ゲート2の下の部分全体で光電変換によって発生した電荷を、このポテンシャルが一番低いソース1側の部分に集めることができ、このように電荷がソース1側の周辺に集まれば、蓄積電荷のソース電位に及ぼす影響を高くすることができるので、比較的簡単な従来からの手法で高感度の固体撮像装置を実現することができる。
【0022】
図7は、不純物濃度の分布の構成を実現する製造方法の他の実施の形態を示したものである。
この方法では、図7(a)のように表面にSi表面酸化膜9を構成し、OFB7が設けられた半導体基板8に対して、まず図7(c)のようなソース1の部分だけを開口したレジストマスク12を用いて、図7(b)のようにセンサーイオンインプランテーションを行い、不純物を打ち込む。
その後、熱拡散の手法を用いて、図7(b)でイオンインプランテーションによって打ち込んだ不純物をセンサー領域に拡散させる。
この結果、図7(d)に示すように、図1(a)に示したようなMOSトランジスタの構成が実現される。
【0023】
このようにすると、図5および図6の実施の形態の場合と同様に、比較的簡単に、従来からの手法によって、センサー領域の不純物濃度をソース1側の部分で高く、ポテンシャルを低くすることができる。したがって、ゲート2の下の部分の全体で光電変換によって発生した電荷を、このポテンシャルが低いソース1側の部分に集めることができて、蓄積電荷がソース電位に及ぼす影響を高くすることができるので、比較的簡単な従来からの手法で高感度の撮像素子を実現することができる。また、イオンインプランテーション後の熱処理工程は、結晶構造の再生に必要な工程であるので、処理時間は長くなるものの工程を特に増やす必要なく全処理が実現できるので、効率的である。
【0024】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、光電変換機能と信号電荷読み出し機能を有するMOSトランジスタからなる単位撮像素子を複数マトリクス状に平面上に配列し、光電変換機能によってこの単位撮像素子に蓄積された電荷に対応する信号電荷を信号電荷読み出し機能によって、容量負荷動作またはソースフォロワ動作で、このMOSトランジスタソースから順次読み出す固体撮像装置において、このMOSトランジスタのゲート下の不純物濃度を不均一にし、ソース側でより高くする。
これによって、電荷の蓄積位置をよりソース側に寄せるようにすることができ、ゲートの下の部分全体で光電変換によって発生した電荷を、このポテンシャルが低いソース側の部分に集めることができる。この結果、蓄積電荷がソース電位に及ぼす影響を高くして、高感度の撮像素子を実現することができる。
【0025】
また、このような固体撮像装置を製造する方法として、本発明では、単位撮像素子を構成するMOSトランジスタのゲートの長さ方向に形状(例えば開口の形状)の異なる複数のマスクを用いて複数回のセンサーイオンインプランテーションを行い、MOSトランジスタの、ソース近傍のゲート下の不純物濃度を、他の部分のゲート下の不純物濃度よりも高くする。
これにより、従来から確立されている手法を用いて、比較的簡単な方法で、MOSトランジスタのゲート下の不純物濃度をソース側でより高くすることができる。
【0026】
さらに、MOSトランジスタのソースのみが開口したマスクを用いて不純物打ち込みを行い、続いて、この不純物打ち込み終了後に熱処理により不純物の拡散を行って、ソース近傍のゲート下の不純物濃度を他の部分のゲート下の不純物濃度よりも高くする。
これにより、従来から確立されている手法を用いて、比較的簡単な方法で、MOSトランジスタのゲート下のポテンシャル分布を、ソース側でより深くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態の固体撮像装置の固体撮像素子の構成を示す平面図および断面図。
【図2】図1に示す固体撮像装置の基本回路図。
【図3】本実施の形態の固体撮像素子の断面ポテンシャルプロファィルのシミュレーション結果。
【図4】従来の固体撮像素子の断面ポテンシャルプロファィルのシミュレーション結果。
【図5】本発明の固体撮像装置の製造方法の一実施の形態を示す説明図。
【図6】本発明の固体撮像装置の製造方法の一実施の形態を示す説明図(続き)。
【図7】本発明の固体撮像装置の製造方法の他の実施の形態を示す説明図。
【符号の説明】
1……ソース、2……ゲート、3……ドレイン、4……センサー、5……N−プラグ、6……ポテンシャル調整用の領域、7……OFB、8……基板、9……Si表面酸化膜、10、11、12……レジストマスク、20……ポテンシャルの最深部、21……垂直シフトレジスタ、22……水平シフトレジスタ、23……垂直信号線、24……映像信号出力線、25……MOSトランジスタ、26……受光部。
Claims (3)
- 光電変換機能と信号電荷読み出し機能を有するMOSトランジスタからなる単位撮像素子を複数マトリクス状に平面上に配列し、光電変換機能によってこの単位撮像素子に蓄積された電荷に対応する信号電荷を信号電荷読み出し機能によって順次読み出す固体撮像装置において、
前記MOSトランジスタのゲート下に、ソース近傍が他部より深くなるようなポテンシャル分布を有し、
このMOSトランジスタのゲート下に蓄積される光電変換により発生した電荷をソース側に寄せて蓄積させる
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 光電変換機能と信号電荷読み出し機能を有するMOSトランジスタからなる単位撮像素子を複数マトリクス状に平面上に配列し、光電変換機能によってこの単位撮像素子に蓄積された電荷に対応する信号電荷を信号電荷読み出し機能によって順次読み出す固体撮像装置の製造方法において、
前記MOSトランジスタのゲートの長さ方向に形状の異なる複数のマスクを用いて複数回の不純物打ち込みを行い、ソース近傍のゲート下の不純物濃度を、他の部分のゲート下の不純物濃度よりも高くする
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 光電変換機能と信号電荷読み出し機能を有するMOSトランジスタからなる単位撮像素子を複数マトリクス状に平面上に配列し、光電変換機能によってこの単位撮像素子に蓄積された電荷に対応する信号電荷を信号電荷読み出し機能によって順次読み出す固体撮像素子の製造方法において、
前記MOSトランジスタのソースのみが開口したマスクを用いて不純物打ち込みを行い、この不純物打ち込み終了後に熱処理により不純物の拡散を行って、ソース近傍のゲート下の不純物濃度を他の部分のゲート下の不純物濃度よりも高くする
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
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