JP2002231924A - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 隣接するフォトセンサ部の間の信号電荷の移
動を制限し、混色やスミア等を防止する。 【解決手段】 半導体基板１１０の中層に各フォトセン
サ部１２０の下層領域を包囲する環状の層内絶縁膜１０
０を設けることにより、オーバーフローバリア１８０の
位置を各フォトセンサ部１２０の下層領域では深く、そ
の周囲の領域では浅く形成した。このオーバーフローバ
リア１８０の浅くなった領域が横方向バリア１８０Ｂと
して機能し、例えばフォトセンサ部１２０に斜めに入射
した光は、横方向バリア１８０Ｂを下層方向に超えた位
置で光電変換されることになり、半導体基板１１０のさ
らに下層に掃き出される。これにより、隣接画素への電
荷の移動を防止する。また、各フォトセンサ部１２０の
下層領域では、深いオーバーフローバリア１８０で十分
な感度を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトセンサ部の
下層にオーバーフローバリアを設けた固体撮像素子及び
その製造方法に関し、特に感度向上のためにオーバーフ
ローバリアを基板方向に深い位置に形成した固体撮像素
子やフォトセンサ部の単位長を縮小した固体撮像素子に
適用して有効なものに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、例えば図８に示すような構造
の固体撮像素子が知られている。この固体撮像素子は、
半導体基板（Ｎ型シリコン基板）１０に光電変換を行な
うフォトセンサ部２０と、このフォトセンサ部２０に蓄
積された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送レジス
タ部３０を設けたものである。フォトセンサ部２０は、
受光面となる表面Ｐ＋層２２の下層に光電変換部となる
Ｎ＋層２４を設けたものであり、半導体基板１０に縦横
のマトリクス状に多数配列され、それぞれ撮像画素を構
成している。また、垂直転送レジスタ部３０は、上層の
Ｎ型ウエル層３２と下層のＰ型ウエル層３４で電荷転送
部を構成したものである。なお、フォトセンサ部２０と
垂直転送レジスタ部３０との間には、フォトセンサ部２
０に蓄積された信号電荷を垂直転送レジスタ部３０の各
転送ゲートに読み出すための不図示の読み出しゲート部
が設けられている。

【０００３】また、この垂直転送レジスタ部３０によっ
て転送された信号電荷は、さらに不図示の水平転送レジ
スタ部によって水平方向に転送され、不図示の電荷検出
部を介して撮像信号に変換されて出力される。また、各
フォトセンサ部２０の間には、各フォトセンサ部２０を
水平転送方向に分離して信号電荷の漏洩を防止するＰ型
層よりなるチャネルストップ領域４０が設けられてい
る。また、半導体基板１０上には、絶縁膜５０を介して
垂直転送レジスタ部３０の転送電極６０が設けられ、ま
た、その上層に遮光膜７０が設けられている。この遮光
膜７０に形成された開口部７０Ａよりフォトセンサ部２
０の受光面に光が入射する。また、半導体基板１０の下
層には、フォトセンサ部２０に一定量の電荷を蓄積する
ため、オーバーフローバリア８０が設けてられている。

【０００４】そして、この種の固体撮像素子において
は、フォトセンサ部２０の感度向上を図るべく、オーバ
ーフローバリア８０の位置を基板方向に深い位置に形成
する方法を採用している。すなわち、オーバーフローバ
リア８０を基板方向に深い位置に形成することで、より
大きい電荷を半導体基板１０の深い位置で蓄積できるよ
うにし、受光量の上昇に対応できるようにしたものであ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようにオーバーフローバリアを半導体基板の深い位置に
形成した場合、フォトセンサ部の信号電荷が半導体基板
の深い位置に蓄積されるため、その一部が隣接するフォ
トセンサ部にまで移動することになる。以下、その原理
を図８により説明すると、例えば矢印Ａ２で示すように
フォトセンサ部２０に斜めに入射した光による信号電荷
９０は、オーバーフローバリアが浅ければ、このオーバ
ーフローバリアを超えた位置で光電変換されることにな
り、半導体基板１０のさらに下層に掃き出されることに
なる。

【０００６】しかし、上述のようにオーバーフローバリ
ア８０が全体的に基板１０の深い位置に形成されている
ため、信号電荷９０は、このオーバーフローバリア８０
よりやや浅い位置で光電変換されることになり、オーバ
ーフローバリア８０を超えることなく、オーバーフロー
バリア８０よりやや浅い位置に蓄積される。したがっ
て、このような信号電荷９０の一部は、図８の矢印Ｂ２
に示すように、隣接する画素方向に移動することもで
き、この隣接画素に移動した信号電荷９０によって、カ
ラー撮像素子の場合には、いわゆる混色が発生し、画質
劣化を招くという問題がある。また、フォトセンサ部の
単位長を縮小した場合にも、相対的にオーバーフローバ
リアの位置が深くなったのと同等の関係となり、混色が
発生し、画質劣化を招くことになる。

【０００７】そこで、このような問題を解決するため
に、水平、垂直の画素分離部に上述したオーバーフロー
バリアとは別の工程によって横方向のバリアを形成する
イオン打ち込みを行なうことも可能である。しかしなが
ら、このように半導体基板の深い部分にまで連続したバ
リアを形成するには、イオンを打ち込むエネルギを数回
に分けて行なう必要があり、打ち込みエネルギとイオン
濃度との最適な解を求めるのが困難である。また、画素
分離部のバリアを形成できる打ち込みエネルギには上限
があり、混色等を十分に抑えるのは困難となっていた。

【０００８】そこで本発明の目的は、各フォトセンサ部
に蓄積した信号電荷の隣接画素への漏洩を阻止し、混色
等の画質劣化を防止することが可能な固体撮像素子及び
その製造方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するため、半導体基板の上層部にそれぞれ撮像画素を構
成する複数のフォトセンサ部と、各フォトセンサ部に蓄
積した信号電荷を転送する転送レジスタ部とを設け、前
記半導体基板の深層部に各フォトセンサ部の信号電荷を
保持するためのオーバーフローバリアを設けた固体撮像
素子において、前記半導体基板中の隣接するフォトセン
サ部の境界領域に前記オーバーフローバリアが形成され
る深さ位置を制御するバリア形成位置制御膜を設け、前
記バリア形成位置制御膜によってフォトセンサ部の境界
領域におけるオーバーフローバリアの深さ位置を制御す
ることにより、前記フォトセンサ部の下層領域における
オーバーフローバリアより浅い位置に、前記隣接するフ
ォトセンサ部の間の信号電荷の移動を防止する横方向バ
リアを設けたことを特徴とする。

【００１０】また本発明は、半導体基板の上層部にそれ
ぞれ撮像画素を構成する複数のフォトセンサ部と、各フ
ォトセンサ部に蓄積した信号電荷を転送する転送レジス
タ部とを設け、前記半導体基板の深層部に各フォトセン
サ部の信号電荷を保持するためのオーバーフローバリア
を設けた固体撮像素子の製造方法において、前記半導体
基板中の隣接するフォトセンサ部の境界領域に前記オー
バーフローバリアが形成される深さ位置を制御するバリ
ア形成位置制御膜を形成した後、前記オーバーフローバ
リアを形成することにより、前記バリア形成位置制御膜
によってフォトセンサ部の境界領域におけるオーバーフ
ローバリアの深さ位置を制御し、前記フォトセンサ部の
下層領域におけるオーバーフローバリアより浅い位置
に、前記隣接するフォトセンサ部の間の信号電荷の移動
を防止する横方向バリアを形成することを特徴とする。

【００１１】本発明による固体撮像素子では、半導体基
板中に設けたバリア形成位置制御膜によってフォトセン
サ部の境界領域におけるオーバーフローバリアの深さ位
置を制御することにより、フォトセンサ部の下層領域に
おけるオーバーフローバリアより浅い位置に、隣接する
フォトセンサ部の間の信号電荷の移動を防止する横方向
バリアを設けたことから、この横方向バリアによってフ
ォトセンサ部の間の信号電荷の移動が防止される。した
がって、感度向上のためにフォトセンサ部の下層のオー
バーフローバリアを深い位置に形成した場合でも、フォ
トセンサ部間の電荷移動による混色やフォトセンサ部か
ら転送レジスタ部への電荷移動による偽信号（スミア）
等を有効に防止でき、画質の向上を図ることが可能とな
る。また、バリア形成位置制御膜として絶縁膜を用いる
ことにより、電子シャッタを動作させた際の転送レジス
タ部の容量変動も抑制することができ、ダイナミックレ
ンジの確保にも有効である。

【００１２】また、本発明による固体撮像素子の製造方
法では、半導体基板中に設けたバリア形成位置制御膜に
よってフォトセンサ部の境界領域におけるオーバーフロ
ーバリアの深さ位置を制御することにより、フォトセン
サ部の下層領域におけるオーバーフローバリアより浅い
位置に、隣接するフォトセンサ部の間の信号電荷の移動
を防止する横方向バリアを形成することから、従来のよ
うに深い位置に横方向バリアを形成することなく、容易
に横方向バリアを形成して、フォトセンサ部の間の信号
電荷の移動を防止できる。したがって、感度向上のため
にフォトセンサ部の下層のオーバーフローバリアを深い
位置に形成した場合でも、製造工程の煩雑化を招くこと
なく、混色やスミア等を有効に防止でき、画質の向上を
図ることが可能となる。また、バリア形成位置制御膜と
して絶縁膜を用いることにより、電子シャッタを動作さ
せた際の転送レジスタ部の容量変動も抑制することがで
き、ダイナミックレンジの確保にも有効である。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明による固体撮像素子
及びその製造方法の実施の形態について説明する。な
お、以下に説明する実施の形態は、本発明の好適な具体
例であり、技術的に好ましい種々の限定が付されている
が、本発明の範囲は、以下の説明において、特に本発明
を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限定さ
れないものとする。

【００１４】図１は、本発明の第１の実施の形態による
固体撮像素子の構造を示す部分断面図である。本発明の
第１の実施の形態による固体撮像素子は、上述のような
隣接画素への信号電荷の移動を防止するために、半導体
基板１１０の内部のオーバーフローバリア１８０より浅
い位置に、各フォトセンサ部１２０の下層領域を包囲す
る環状の層内絶縁膜（バリア形成位置制御膜）１００を
設けることにより、オーバーフローバリア１８０の位置
を各フォトセンサ部１２０の下層領域では深く、その周
囲の領域では浅く形成したものである。すなわち、層内
絶縁膜１００は、固体撮像素子の画素分離領域（各画素
の境界領域）、例えば垂直転送方向の各画素間に位置す
る画素分離領域、水平転送方向の各画素間に位置する読
み出しゲート部、垂直転送レジスタ部、チャネルストッ
プ領域等に沿って設けられたものであり、オーバーフロ
ーバリア１８０を形成する際のイオン打ち込みを画素分
離領域で部分的に阻害し、上述のような段差を有するオ
ーバーフローバリア１８０を形成するものである。

【００１５】そして、このような段差を有するオーバー
フローバリア１８０を設けることにより、例えば矢印Ａ
１で示すようにフォトセンサ部１２０に斜めに入射した
光による信号電荷１９０は、オーバーフローバリア１８
０の浅くなった領域（横方向バリア）１８０Ｂを下層方
向に超えた位置で光電変換されることになり、矢印Ｂ１
に示すように、半導体基板１１０のさらに下層に掃き出
されることになる。これにより、信号電荷１９０は隣接
画素に移動することなく排出されことから、混色等の画
質劣化を防止できる。すなわち、本例においては、オー
バーフローバリア１８０の浅くなった領域１８０Ｂが横
方向バリアである。また、各フォトセンサ部１２０の下
層領域では、オーバーフローバリア１８０の深くなった
領域１８０Ａによって十分な量の信号電荷を蓄積でき、
受光量の増大に対して感度の向上を図ることが可能とな
る。

【００１６】以下、図１に示す固体撮像素子の各構成を
順に説明する。この固体撮像素子は、半導体基板（Ｎ型
シリコン基板）１１０に光電変換を行なうフォトセンサ
部１２０と、このフォトセンサ部１２０に蓄積された信
号電荷を垂直方向に転送する垂直転送レジスタ部１３０
を設けたものである。フォトセンサ部１２０は、受光面
となる表面Ｐ＋層１２２の下層に光電変換部となるＮ＋
層１２４を設けたものであり、半導体基板１１０に縦横
のマトリクス状に配列され、それぞれ撮像画素を構成し
ている。また、垂直転送レジスタ部１３０は、上層のＮ
型ウエル層１３２と下層のＰ型ウエル層１３４で電荷転
送部を構成したものである。なお、この垂直転送レジス
タ部１３０によって転送された信号電荷は、さらに不図
示の水平転送レジスタ部によって水平方向に転送され、
不図示の電荷検出部を介して撮像信号に変換されて出力
される。

【００１７】また、各フォトセンサ部１２０の間には、
各フォトセンサ部１２０を水平転送方向に分離して信号
電荷の漏洩を防止するＰ型層よりなるチャネルストップ
領域１４０が設けられている。また、半導体基板１１０
上には、絶縁膜１５０を介して垂直転送レジスタ部１３
０の転送電極１６０が設けられ、また、その上層に遮光
膜１７０が設けられている。この遮光膜１７０に形成さ
れた開口部１７０Ａよりフォトセンサ部１２０の受光面
に光が入射する。そして、半導体基板１１０の中層に
は、上述した層内絶縁膜１００が設けられている。この
層内絶縁膜１００は、例えばシリコン酸化膜等によって
形成されたものであり、その形成方法は後述する。な
お、図１では、垂直転送レジスタ部１３０の下層にだけ
層内絶縁膜１００の断面を示しているが、この層内絶縁
膜１００は各フォトセンサ部１２０の下層領域を包囲す
る環状のものであり、縦横に交差した格子状に形成され
ているものである。さらに、半導体基板１１０の下層に
は、上述したオーバーフローバリア１８０が設けられて
いる。このオーバーフローバリア１８０は、上述のよう
な層内絶縁膜１００の形成後にイオン打ち込み等によっ
て形成される。そして、層内絶縁膜１００を設けたこと
で、イオンが打ち込まれる深さが変化し、各フォトセン
サ部１２０の下層領域に対応する深い領域１８０Ａと、
層内絶縁膜１００に対応する浅い領域１８０Ｂとを有す
るものとなっている。

【００１８】次に図１に示す固体撮像素子の具体的な製
造方法について説明する。図２〜図４は、この製造方法
に基づく各製造工程を説明する断面図である。まず、図
２（Ａ）に示すように、上述した層内絶縁膜１００を中
層に設けた半導体基板１１０に対し、例えばボロンイオ
ン（Ｂ＋）を打ち込み、オーバーフローバリア１８０を
形成する。この際、層内絶縁膜１００を設けた領域で
は、ボロンイオンの打ち込みが層内絶縁膜１００による
抵抗を受ける結果、図２（Ｂ）に示すように、各フォト
センサ部１２０の下層領域に対応する深い領域１８０Ａ
と、層内絶縁膜１００に対応する浅い領域１８０Ｂが形
成される。次に、従来と同様の工程によって、半導体基
板１１０の上層に垂直転送レジスタ部１３０、チャネル
ストップ領域１４０を順次形成し（図３（Ｃ））、次い
で半導体基板１１０の上面に絶縁膜１５０、転送電極１
６０を順次形成していく（図３（Ｄ））。この後、半導
体基板１１０の上層に絶縁膜１５０を介してフォトセン
サ部１２０を形成し（図４（Ｅ））、次いで、遮光膜１
７０を形成することにより（図４（Ｆ））、図１に示す
ような層構造を得る。

【００１９】次に、上述した層内絶縁膜１００の第１の
形成方法について説明する。図５は、この第１の形成方
法に基づく各製造工程を説明する断面図である。この第
１の形成方法は、２枚の半導体基板を貼り合わせる方法
であり、まず、図５（Ａ）においては、下層の半導体基
板１１０Ａの上面にフォトレジスト２１０をパターニン
グし、図５（Ｂ）において、絶縁膜の形成領域をエッチ
ングによって除去し、凹部１１２を形成する。そして、
図５（Ｃ）に示すように、例えばＳｉＯ2 等の絶縁材料
１００Ａを凹部１１２が完全に埋まる膜厚に形成し、次
いで図５（Ｄ）に示すように、全面エッチバックし、所
望の膜厚の絶縁膜１００を形成する。この後、図５
（Ｅ）に示すように、上層の半導体基板１１０Ｂを貼り
合わせることにより、層内絶縁膜１００を中層に設けた
半導体基板１１０を得る。

【００２０】次に、上述した層内絶縁膜１００の第２の
形成方法について説明する。図６は、この第２の形成方
法に基づく各製造工程を説明する断面図である。この第
２の形成方法は、半導体基板１１０の中層にイオンの打
ち込み処理と加熱処理によって層内絶縁膜１００を形成
する方法であり、まず、図６（Ａ）においては、半導体
基板１１０上にフォトレジスト２２０をパターニング
し、その上から酸素イオン（Ｏ−）を打ち込む。この打
ち込んだ直後の状態では、図６（Ｂ）に示すように、酸
素イオン領域２３０は半導体基板１１０の板面方向及び
板厚方向に拡がった状態となっているが、高温で加熱処
理することにより、図６（Ｃ）に示すように、濃度の高
い領域に酸素イオンが移動していき、加熱後は図示のよ
うな層内絶縁膜１００として形成される。

【００２１】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。図７は、本発明の第２の実施の形態による固
体撮像素子の構造を示す部分断面図である。なお、図１
と共通の構成については同一符号を付して説明する。こ
の固体撮像素子は、上述した第１の実施の形態による方
法を拡張したものであり、図示のように、フォトセンサ
部１２０の下層領域におけるオーバーフローバリア２４
０より浅い位置から深い位置に至る膜厚を有する層内絶
縁膜（バリア形成位置制御膜）１００Ｂを設け、この層
内絶縁膜１００Ｂの上層に横方向バリア２５０を設けた
ものである。すなわち本例では、層内絶縁膜１００Ｂの
膜厚を大きくし、フォトセンサ部１２０の下層領域にお
けるオーバーフローバリア２４０を包囲する状態で形成
し、各画素間を電気的に分離するとともに、この層内絶
縁膜１００Ｂの上層にオーバーフローバリア２４０から
分離した横方向バリア２５０を設けたものである。

【００２２】本例は、特にオーバーフローバリア２４０
の形成後に、さらにＮ型基板をエピタキシャル成長させ
ることにより、オーバーフローバリア２４０をより深い
位置に形成する場合に有効である。そして、このエピタ
キシャル成長による基板形成後に、部分的なイオンの打
ち込みを行なうことにより、層内絶縁膜１００Ｂと基板
表面や転送レジスタ部１３０の間に横方向バリア２５０
を形成する。この方法では、従来の深い位置に横方向バ
リアを形成する場合に比べて、浅い横方向バリア２５０
を形成すればよく、また、層内絶縁膜１００Ｂによって
バリアの形成位置が制御されることから、イオン打ち込
み作業の制御等も容易に行なえ、従来にない利点を得る
ことができるものである。

【００２３】なお、以上の各実施の形態では、バリア形
成位置制御膜として信号電荷の転送レジスタ部と下層の
基板との間に絶縁膜を設けたことから、上述した混色や
スミア等を防止する効果に加え、電子シャッタを動作さ
せた際の転送レジスタ部の容量変動も抑制することがで
き、ダイナミックレンジの確保にも有効である。

【００２４】

【発明の効果】以上説明したように本発明の固体撮像素
子では、半導体基板中に設けたバリア形成位置制御膜に
よってフォトセンサ部の境界領域におけるオーバーフロ
ーバリアの深さ位置を制御することにより、フォトセン
サ部の下層領域におけるオーバーフローバリアより浅い
位置に、隣接するフォトセンサ部の間の信号電荷の移動
を防止する横方向バリアを設けた。したがって、この横
方向バリアによってフォトセンサ部の間の信号電荷の移
動が防止できるので混色を有効に防止でき、また、フォ
トセンサ部の深い部分を経由して発生するスミアを有効
に防止でき、画質の向上を図ることができる。

【００２５】また、本発明による固体撮像素子の製造方
法では、半導体基板中に設けたバリア形成位置制御膜に
よってフォトセンサ部の境界領域におけるオーバーフロ
ーバリアの深さ位置を制御することにより、フォトセン
サ部の下層領域におけるオーバーフローバリアより浅い
位置に、隣接するフォトセンサ部の間の信号電荷の移動
を防止する横方向バリアを形成するようにした。したが
って、従来のように深い位置に横方向バリアを形成する
ことなく、容易に横方向バリアを形成して、フォトセン
サ部の間の信号電荷の移動を防止できるので、製造工程
の煩雑化を招くことなく、混色やスミアを有効に防止で
き、画質の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による固体撮像素子
の構造を示す部分断面図である。

【図２】図１に示す固体撮像素子の製造工程を示す断面
図である。

【図３】図１に示す固体撮像素子の製造工程を示す断面
図である。

【図４】図１に示す固体撮像素子の製造工程を示す断面
図である。

【図５】図１に示す固体撮像素子におけるバリア形成位
置制御用の層内絶縁膜の第１の形成工程を示す断面図で
ある。

【図６】図１に示す固体撮像素子におけるバリア形成位
置制御用の層内絶縁膜の第２の形成工程を示す断面図で
ある。

【図７】本発明の第２の実施の形態による固体撮像素子
の構造を示す部分断面図である。

【図８】従来の固体撮像素子の構造を示す部分断面図で
ある。

【符号の説明】

１００……層内絶縁膜、１１０……半導体基板、１２０
……フォトセンサ部、１２２……表面Ｐ＋層、１２４…
…Ｎ＋層、１３０……垂直転送レジスタ部、１３２……
Ｎ型ウエル層、１３４……Ｐ型ウエル層、１４０……チ
ャネルストップ領域、１５０……絶縁膜、１６０……転
送電極、１７０……遮光膜、１７０Ａ……開口部、１８
０、１８０Ａ、２４０……オーバーフローバリア、１８
０Ｂ、２５０……横方向バリア。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板の上層部にそれぞれ撮像画素
   を構成する複数のフォトセンサ部と、各フォトセンサ部
   に蓄積した信号電荷を転送する転送レジスタ部とを設
   け、前記半導体基板の深層部に各フォトセンサ部の信号
   電荷を保持するためのオーバーフローバリアを設けた固
   体撮像素子において、 前記半導体基板中の隣接するフォトセンサ部の境界領域
   に前記オーバーフローバリアが形成される深さ位置を制
   御するバリア形成位置制御膜を設け、前記バリア形成位
   置制御膜によってフォトセンサ部の境界領域におけるオ
   ーバーフローバリアの深さ位置を制御することにより、
   前記フォトセンサ部の下層領域におけるオーバーフロー
   バリアより浅い位置に、前記隣接するフォトセンサ部の
   間の信号電荷の移動を防止する横方向バリアを設けた、 ことを特徴とする固体撮像素子。
2. 【請求項２】 前記バリア形成位置制御膜は絶縁膜であ
   ることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
3. 【請求項３】 前記バリア形成位置制御膜は、前記フォ
   トセンサ部の下層領域におけるオーバーフローバリアよ
   り浅い位置に形成され、前記横方向バリアは前記バリア
   形成位置制御膜と前記フォトセンサ部の下層領域におけ
   るオーバーフローバリアとの中間の深さ位置に形成され
   ていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
4. 【請求項４】 前記バリア形成位置制御膜は、前記フォ
   トセンサ部の下層領域におけるオーバーフローバリアよ
   り浅い位置から深い位置に至る膜厚を有し、前記横方向
   バリアは前記バリア形成位置制御膜の上層に形成されて
   いることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
5. 【請求項５】 半導体基板の上層部にそれぞれ撮像画素
   を構成する複数のフォトセンサ部と、各フォトセンサ部
   に蓄積した信号電荷を転送する転送レジスタ部とを設
   け、前記半導体基板の深層部に各フォトセンサ部の信号
   電荷を保持するためのオーバーフローバリアを設けた固
   体撮像素子の製造方法において、 前記半導体基板中の隣接するフォトセンサ部の境界領域
   に前記オーバーフローバリアが形成される深さ位置を制
   御するバリア形成位置制御膜を形成した後、前記オーバ
   ーフローバリアを形成することにより、 前記バリア形成位置制御膜によってフォトセンサ部の境
   界領域におけるオーバーフローバリアの深さ位置を制御
   し、前記フォトセンサ部の下層領域におけるオーバーフ
   ローバリアより浅い位置に、前記隣接するフォトセンサ
   部の間の信号電荷の移動を防止する横方向バリアを形成
   する、 ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
6. 【請求項６】 前記バリア形成位置制御膜は絶縁膜であ
   ることを特徴とする請求項５記載の固体撮像素子の製造
   方法。
7. 【請求項７】 前記絶縁膜は、下層の半導体基板の上面
   に前記絶縁膜を形成した後、上層の半導体基板を貼り合
   わせることにより形成することを特徴とする請求項６記
   載の固体撮像素子の製造方法。
8. 【請求項８】 前記絶縁膜は、半導体基板に所定のイオ
   ンを打ち込み、その後、加熱することによって形成する
   ことを特徴とする請求項６記載の固体撮像素子の製造方
   法。
9. 【請求項９】 前記バリア形成位置制御膜は、前記フォ
   トセンサ部の下層領域におけるオーバーフローバリアよ
   り浅い位置に形成し、前記横方向バリアは前記バリア形
   成位置制御膜と前記フォトセンサ部の下層領域における
   オーバーフローバリアとの中間の深さ位置に形成するこ
   とを特徴とする請求項５記載の固体撮像素子の製造方
   法。
10. 【請求項１０】 前記バリア形成位置制御膜は、前記フ
    ォトセンサ部の下層領域におけるオーバーフローバリア
    より浅い位置から深い位置に至る膜厚に形成し、前記横
    方向バリアは前記バリア形成位置制御膜の上層に形成す
    ることを特徴とする請求項５記載の固体撮像素子の製造
    方法。