JPH10289992A - 固体撮像装置とその製造方法 - Google Patents

固体撮像装置とその製造方法

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JPH10289992A
JPH10289992A JP9097652A JP9765297A JPH10289992A JP H10289992 A JPH10289992 A JP H10289992A JP 9097652 A JP9097652 A JP 9097652A JP 9765297 A JP9765297 A JP 9765297A JP H10289992 A JPH10289992 A JP H10289992A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 受光感度を比較的簡単な方法によって向上し
た固体撮像装置の実現を課題とする。 【解決手段】 光電変換機能と信号電荷読み出し機能を
有する複数の単位撮像素子をマトリクス状に平面上に配
列し、光電変換機能によってこの単位撮像素子に蓄積さ
れた電荷に対応する信号電荷を信号電荷読み出し機能に
よって順次読み出す固体撮像装置において、単位撮像素
子としてMOSトランジスタを用い、このMOSトラン
ジスタのゲート2下のセンサー4部分の不純物濃度をソ
ース1側でより高くするようにし、これによって電荷の
蓄積位置をソース1側によせるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子とそ
の製造方法に関し、特に固体撮像素子の感度の改善とそ
のための製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】MOSトランジスタやCCD(Chage Co
upled Device)を用いた固体撮像素子が撮像用の装置に
広く用いられるようになっている。これは光電変換によ
って蓄積された電荷を利用し、電荷をアレイ状に転送し
て平面のイメージを出力するものである。最近では、カ
ラーで1/4型で38万画素のものが製品化されている
など、小型、小撮像面積で、多画素のものへと改良が進
んできている。
【0003】ところで、撮像装置が小型で画素数が増え
れば増えるほど、単位画素当たりの受光面積が小さくな
るので、雑音に強い撮像が正しく行われるためには単位
光電変換素子の感度が高いものが要求されることにな
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述のごとく、固体撮
像素子には、より小型軽量であることが要求されてい
る。このためには受光部面積が小さくなっても感度が落
ちないように、さらに感度の向上が望まれている。
【0005】本発明は、このような問題を解決して、比
較的簡単な方法によって、その受光感度を向上したMO
Sトランジスタを用いた固体撮像素子を実現し、さら
に、そのような固体撮像装置を製造する方法を、従来か
らある手法を用いて、比較的簡単な方法で実現すること
を課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、光電変換機能と信号電荷読み出し機能を
有する複数の単位撮像素子をマトリクス状に平面上に配
列し、光電変換機能によってこの単位撮像素子に蓄積さ
れた電荷に対応する信号電荷を信号電荷読み出し機能に
よって順次読み出す固体撮像装置において、前記単位撮
像素子はMOSトランジスタを具備し、このMOSトラ
ンジスタのゲート下の不純物濃度を変化させてソース側
でより高くすることを特徴とする。
【0007】また、光電変換機能と信号電荷読み出し機
能を有する複数のMOSトランジスタからなる単位撮像
素子をマトリクス状に平面上に配列し、光電変換機能に
よってこの単位撮像素子に蓄積された電荷に対応する信
号電荷を信号電荷読み出し機能によって順次読み出す固
体撮像装置の製造方法において、前記MOSトランジス
タのゲートの長さ方向に形状の異なる複数のマスクを用
いて複数回の不純物打ち込みを行い、前記MOSトラン
ジスタのソース近傍の不純物の分布を変化させることを
特徴とする。
【0008】あるいは、この固体撮像装置の製造方法に
おいて、前記MOSトランジスタのソースのみが開口し
たマスクを用いて不純物打ち込みを行い、この不純物打
ち込み終了後に熱処理により不純物の拡散を行ってソー
ス近傍のゲート下の不純物濃度を他の部分のゲート下の
不純物濃度よりも高くすることを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる固体撮像装
置を添付図面を参照にして詳細に説明する。図1は、本
発明の一実施の形態の固体撮像装置の個々の固体撮像素
子の基本的な構成を示す部分的な平面図と断面図であ
る。図1において、1はソース(Source)、2はゲート
(Gate)、3はドレイン(Drain )、4はセンサー(Se
nsor)、5はN−プラグ(N-Plug)、6はソース領域に
打たれたセンサーと同一極性のポテンシャルなどの調整
用の領域、7は蓄積された信号電荷を掃き出す機能を有
するOFB(Over Flow Barrier )、8は半導体基板で
ある。
【0010】また、図2に図1の実施の形態のMOSト
ランジスタを用いた固体撮像装置の基本回路図を示す。
図2において21は垂直シフトレジスタ、22は水平シ
フトレジスタ、23は垂直信号線、24は映像信号出力
線、25は単位固体撮像素子であるMOSトランジス
タ、26は受光部である。
【0011】まず、この固体撮像装置の動作を図2に沿
って説明する。この固体撮像装置に信号光が入力される
と、この固体撮像装置の単位固体撮像素子であるMOS
トランジスタ25の光電変換機能が働いて、そのゲート
の下のに光の強さに応じた電荷が蓄積される。図2では
光ダイオードのシンボルで示しているが、これがMOS
トランジスタ25のゲート下の光電変換機能を有したセ
ンサー部分にあたる。
【0012】このように、光電変換による電荷がゲート
下に蓄積され終わると、垂直シフトレジスタ21と水平
シフトレジスタ22に、それぞれYクロック、Hクロッ
クを加え、これによって両レジスタに発生するパルスで
MOSトランジスタ25のスイッチマトリクスを順次操
作し、光電変換で蓄積された電荷にたいしてソースフォ
ロワ動作を行った時のソース電位の変調量を順番に信号
として映像信号出力線24に読み出して行く。これによ
って光電変換された電荷に対応した映像信号を固体撮像
素子から出力することができる。図2では、ソースから
の出力の取り出し形式をソースフォロワの形式にしてい
るが、抵抗の代わりにコンデンサを備えた容量負荷型の
動作形式にしてもさしつかえない。
【0013】このような固体撮像装置の受光部の単位と
なるMOSトランジスタは、本実施の形態では、図1
(a)に示すように格子上に配列されて受光部26を形
成している。このMOSトランジスタはそのゲート2の
下で光電変換し、この部分に蓄積された電荷によって、
容量負荷動作またはソースフォロワ動作を行った時のソ
ース電位の変調を信号として読み出す。このような動作
原理の基では、ゲート2下で光電変換された時の電荷の
大きさが同じであっても、電荷が蓄積される蓄積位置が
ソース電極1に近ければ近い程、また表面チャネルに近
ければ近いほど、ソース電位に対する影響が大きくなっ
てくる。
【0014】図1(b)は図1(a)のMOSトランジ
スタ部分の直線A−Bでの断面図である。この図で示さ
れるように、センサー4内の不純物濃度はソース1の近
傍で高くなっている。このように、ゲート2の下の不純
物濃度をソース1の近傍で高くすることによって、後に
図3および図4で説明するように、センサー4のポテン
シャルをソース1側で深くすることができ、この結果、
電荷の蓄積位置がソース電極1に近付いて行く。
【0015】このように本実施の形態では、増幅型撮像
素子のセンサー4部分でゲート2の長さ方向にゲート2
の下の不純物濃度を変化させ、電荷の蓄積位置をソース
1側に近寄せるようにしている。
【0016】このようにして不純物濃度をソース1側で
高くした本実施の形態の場合の断面ポテンシャルプロフ
ァィルのシミュレーション結果を図3に示す。さらに比
較のために、従来の場合の断面ポテンシャルプロファィ
ルのシミュレーション結果を図4に示す。このポテンシ
ャルプロファィルを比較してみると、ポテンシャルの最
深部20が図3では、図4の従来の場合よりも右側に、
すなわちソース1側よりに移動していることがわかる。
このように最深部20がソース1側に移動しているとい
うことはセンサー4のポテンシャルがソース1側でより
低くなったことを意味している。
【0017】この図3のシミュレーション結果に示すよ
うに、ゲート2の長さ方向(図1(a)の直線A−B方
向)についてゲート2の下の不純物濃度を変化させ、ソ
ース1側で不純物濃度を高くするようにすると、センサ
ー4部分のポテンシャルプロファィルを、その最深部2
0がソース1よりになるように変化させることができ
る。ポテンシャルの最深部20がソース1に近付けば、
センサー4のポテンシャルはソース1側で低くなること
になり、ゲート2の下の全体で光電変換した電荷は、こ
のポテンシャルの低いソース1側に集まってくる。これ
によって、ゲート2の下の全体の電荷量が同一であって
も、電荷がソース1に与える影響がより大きくなり、し
たがって電荷に伴うソース電位の変調度が大きくなって
きて、このため、同じ光量によって出力が大きくとれる
という高感度化の効果が得られる。
【0018】次に、このような不純物濃度の分布の構成
を実現する製造方法の一実施の形態を、図5および図6
に示す。図5(a)のように表面にSi表面酸化膜9を
構成し、OFB7が設けられた半導体基板8に対して、
まず図5(c)のような第1のレジストマスク10を用
いて、図5(b)のように第1回目のセンサーイオンイ
ンプランテーション(Ion Implantation)を行い、不純
物を打ち込む。この第1のレジストマスク10は、セン
サー4の領域のうち、特にソース1の近傍の部分だけを
開口したマスクである。
【0019】次に、第1回目のセンサーイオンインプラ
ンテーションを行った基板8に対して、図6(b)のよ
うな第2のレジストマスク11を用いて、図6(a)の
ように第2回目のセンサーイオンインプランテーション
を行って、さらに不純物を打ち込む。この第2のレジス
トマスク11の開口部分は、第1のレジストマスク10
とソース1側の部分で開口のエッジが一致し、ドレイン
3側ではさらに広く開口されたものである。さらに、こ
の後、レジストマスクなしで図6(c)のように第3回
目のセンサーイオンインプランテーションを行って必要
な不純物濃度を達成する。この結果、図6(d)に示す
ように、図1(a)に示したような構成が実現される。
【0020】このように、複数の開口部分の異なるレジ
ストマスクを用いてイオンインプランテーションを繰り
返し、その繰り返しの回数をソース1の近傍で他の部分
よりも多くすることによって、センサー4部分の不純物
濃度をソース1の近傍で他の部分よりも高く形成するこ
とができる。このように複数枚のマスクを用いてイオン
インプランテーションを繰り返すことによって、比較的
簡単な従来からある手法を使って、センサー領域の不純
物濃度をソース1側の部分で高くし、ソース1近傍の部
分でのポテンシャルを低くすることができる。
【0021】イオンインプランテーションの技術は、近
年非常に進歩した技術であり、常に状況をモニタしなが
らイオンの数を把握しながら、また、打ち込みの深さや
プロファイルを制御しながら精密な不純物導入が可能に
なっている。また、レジストや他の膜をマスクとした場
合の選択性も優れている。したがって、このような手法
を用いることによって、ゲート2の下の部分全体で光電
変換によって発生した電荷を、このポテンシャルが一番
低いソース1側の部分に集めることができ、このように
電荷がソース1側の周辺に集まれば、蓄積電荷のソース
電位に及ぼす影響を高くすることができるので、比較的
簡単な従来からの手法で高感度の固体撮像装置を実現す
ることができる。
【0022】図7は、不純物濃度の分布の構成を実現す
る製造方法の他の実施の形態を示したものである。この
方法では、図7(a)のように表面にSi表面酸化膜9
を構成し、OFB7が設けられた半導体基板8に対し
て、まず図7(c)のようなソース1の部分だけを開口
したレジストマスク12を用いて、図7(b)のように
センサーイオンインプランテーションを行い、不純物を
打ち込む。その後、熱拡散の手法を用いて、図7(b)
でイオンインプランテーションによって打ち込んだ不純
物をセンサー領域に拡散させる。この結果、図7(d)
に示すように、図1(a)に示したようなMOSトラン
ジスタの構成が実現される。
【0023】このようにすると、図5および図6の実施
の形態の場合と同様に、比較的簡単に、従来からの手法
によって、センサー領域の不純物濃度をソース1側の部
分で高く、ポテンシャルを低くすることができる。した
がって、ゲート2の下の部分の全体で光電変換によって
発生した電荷を、このポテンシャルが低いソース1側の
部分に集めることができて、蓄積電荷がソース電位に及
ぼす影響を高くすることができるので、比較的簡単な従
来からの手法で高感度の撮像素子を実現することができ
る。また、イオンインプランテーション後の熱処理工程
は、結晶構造の再生に必要な工程であるので、処理時間
は長くなるものの工程を特に増やす必要なく全処理が実
現できるので、効率的である。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、光電変換
機能と信号電荷読み出し機能を有する複数のMOSトラ
ンジスタからなる単位撮像素子をマトリクス状に平面上
に配列し、光電変換機能によってこのMOSトランジス
タのゲートに蓄積された電荷に対応する信号電荷を信号
電荷読み出し機能によって容量負荷動作またはソースフ
ォロワ動作で、このMOSトランジスタソースから順次
読み出す固体撮像装置において、このMOSトランジス
タのゲート下の不純物濃度を不均一にしソース側でより
高くする。これによって、電荷の蓄積位置をよりソース
側に寄せるようにすることができ、ゲートの下の部分全
体で光電変換によって発生した電荷を、このポテンシャ
ルが低いソース側の部分に集めることができる。この結
果、蓄積電荷がソース電位に及ぼす影響を高くして、高
感度の撮像素子を実現することができる。
【0025】また、このような固体撮像装置を製造する
方法として、本発明では、ゲートの長さ方向に開口の形
状の異なる複数枚のマスクを用いてセンサーイオンイン
プランテーションを行い、MOSトランジスタのソース
近傍の不純物の分布を変化させるようにする。これによ
り、従来から確立されている手法を用いて、比較的簡単
な方法で、MOSトランジスタのゲート下の不純物濃度
をソース側でより高くすることができる。
【0026】さらに、MOSトランジスタのソースのみ
が開口したマスクを用いて不純物打ち込みを行い、続い
て、ことを特この不純物打ち込み終了後に熱処理により
不純物の拡散を行ってソース近傍のゲート下の不純物濃
度を他の部分のゲート下の不純物濃度よりも高くする方
法をも提案する。これによって、従来の手法を用いて比
較的簡単に、MOSトランジスタのゲート下の不純物濃
度をソース側でより高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態の固体撮像装置の固体撮
像素子の構成を示す平面図および断面図。
【図2】図1に示す固体撮像装置の基本回路図。
【図3】本実施の形態の固体撮像素子の断面ポテンシャ
ルプロファィルのシミュレーション結果。
【図4】従来の固体撮像素子の断面ポテンシャルプロフ
ァィルのシミュレーション結果。
【図5】本発明の固体撮像装置の製造方法の一実施の形
態を示す説明図。
【図6】本発明の固体撮像装置の製造方法の一実施の形
態を示す説明図(続き)。
【図7】本発明の固体撮像装置の製造方法の他の実施の
形態を示す説明図。
【符号の説明】
1……ソース、2……ゲート、3……ドレイン、4……
センサー、5……N−プラグ、6……ポテンシャル調整
用の領域、7……OFB、8……基板、9……Si表面
酸化膜、10、11、12……レジストマスク、20…
…ポテンシャルの最深部、21……垂直シフトレジス
タ、22……水平シフトレジスタ、23……垂直信号
線、24……映像信号出力線、25……MOSトランジ
スタ、26……受光部。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光電変換機能と信号電荷読み出し機能を
    有する複数の単位撮像素子をマトリクス状に平面上に配
    列し、光電変換機能によってこの単位撮像素子に蓄積さ
    れた電荷に対応する信号電荷を信号電荷読み出し機能に
    よって順次読み出す固体撮像装置において、 前記単位撮像素子はMOSトランジスタを具備し、この
    MOSトランジスタのゲート下に蓄積される光電変換に
    より発生した電荷をソース側に寄せて蓄積させることを
    特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項2】 光電変換機能と信号電荷読み出し機能を
    有する複数のMOSトランジスタからなる単位撮像素子
    をマトリクス状に平面上に配列し、光電変換機能によっ
    てこの単位撮像素子に蓄積された電荷に対応する信号電
    荷を信号電荷読み出し機能によって順次読み出す固体撮
    像装置の製造方法において、 前記MOSトランジスタのゲートの長さ方向に形状の異
    なる複数のマスクを用いて複数回の不純物打ち込みを行
    い、前記MOSトランジスタのソース近傍の不純物の分
    布を変化させることを特徴とする固体撮像装置の製造方
    法。
  3. 【請求項3】 光電変換機能と信号電荷読み出し機能を
    有する複数のMOSトランジスタからなる単位撮像素子
    をマトリクス状に平面上に配列し、光電変換機能によっ
    てこの単位撮像素子に蓄積された電荷に対応する信号電
    荷を信号電荷読み出し機能によって順次読み出す固体撮
    像装置の製造方法において、 前記MOSトランジスタのソースのみが開口したマスク
    を用いて不純物打ち込みを行い、この不純物打ち込み終
    了後に熱処理により不純物の拡散を行ってソース近傍の
    ゲート下の不純物濃度を他の部分のゲート下の不純物濃
    度よりも高くすることを特徴とする固体撮像装置の製造
    方法。
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