JP2011035382A - 固体撮像素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】埋め込み型のフォトダイオードの受光面の端部に、転送ゲート電極12を挟んでフローティングディフュージョン(FD)領域13を形成する。略扇形状の受光面の中に、FD領域13を中心とした放射状の延出部を有する第1領域111とその外側の第2領域112とを設け、第1領域111に収集する信号電荷と同じ導電型の不純物を導入することにより、3次元電界効果によって、信号電荷を放射状の延出部から中心に向かわせる電界を形成することができる。その結果、電荷の転送時間が短縮される。また、FD領域13に隣接して次段の回路素子を配設できるので、FD領域13の寄生容量を小さくすることができ、高感度の素子を実現できる。
【選択図】図3
Description
前記フローティングディフュージョン領域は前記フォトダイオードの受光面の端部に配置され、該フォトダイオードの受光面の中で、前記フローティングディフュージョン領域を中心として描かれる第1円弧の内側で且つ転送ゲートの外側の領域全体と、該第1円弧から外方に放射状に延出しその先端が前記第1円弧と同心円状である第2円弧に接する複数の延出部の内側の領域とが、収集する信号電荷と同じ導電型の領域として形成されていることを特徴としている。
前記フローティングディフュージョン領域は前記フォトダイオードの受光面の端部に配置され、該フォトダイオードの受光面の中で、前記フローティングディフュージョン領域を中心として描かれる円弧の内側で且つ転送ゲートの外側の領域と、その円弧から外方に放射状に延出する複数の延出部の内側の領域とが、収集する信号電荷と同じ導電型の領域として形成されていることを特徴としている。
本実施例による固体撮像素子の全体の構成及び構造は、例えば特許文献2に記載のような従来のCMOS構造の高速撮影用固体撮像素子と同様である。以下、本実施例の固体撮像素子の特徴である各画素を構成する要素の構造や形状、特に光電変換部の構造や形状について詳細に説明する。
10…光電変換部
11…フォトダイオード
111、111a、111b…第1領域
112…第2領域
113…欠損部
12…転送トランジスタ
12a…ゲート電極
13…フローティングディフュージョン領域
14…リセットトランジスタ
15…増幅トランジスタ
16…選択トランジスタ
2…出力ライン
50…n型シリコン半導体基板
51…p型ウエル領域
52…n型半導体領域
53…p+型半導体領域
54…n+型半導体領域
Claims (8)
- 光を受光して光電荷を生成するフォトダイオード、前記フォトダイオードで生成された電荷を収集・保持するフローティングディフュージョン領域、及び、前記フォトダイオードから前記フローティングディフュージョン領域に電荷を転送するために両者の間にゲートを有する転送トランジスタ、を少なくとも有する画素を、半導体基板上に複数備える固体撮像素子であって、
前記フローティングディフュージョン領域は前記フォトダイオードの受光面の端部に配置され、該フォトダイオードの受光面の中で、前記フローティングディフュージョン領域を中心として描かれる第1円弧の内側で且つ転送ゲートの外側の領域全体と、該第1円弧から外方に放射状に延出しその先端が前記第1円弧と同心円状である第2円弧に接する複数の延出部の内側の領域とが、収集する信号電荷と同じ導電型の領域として形成されていることを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1に記載の固体撮像素子であって、
前記延出部は、前記第1円弧から外方に、直線状に、弓状に湾曲して、又は、鈎状に屈曲して、延出するものであることを特徴とする固体撮像素子。 - 光を受光して光電荷を生成するフォトダイオード、前記フォトダイオードで生成された電荷を収集・保持するフローティングディフュージョン領域、及び、前記フォトダイオードから前記フローティングディフュージョン領域に電荷を転送するために両者の間にゲートを有する転送トランジスタ、を少なくとも有する画素を、半導体基板上に複数備える固体撮像素子であって、
前記フローティングディフュージョン領域は前記フォトダイオードの受光面の端部に配置され、該フォトダイオードの受光面の中で、前記フローティングディフュージョン領域を中心として描かれる円弧の内側で且つ転送ゲートの外側の領域と、その円弧から外方に放射状に延出する複数の延出部の内側の領域とが、収集する信号電荷と同じ導電型の領域として形成されていることを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項3に記載の固体撮像素子であって、
前記複数の延出部は略同一の長さであることを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1又は3に記載の固体撮像素子であって、
前記フォトダイオードの受光面は、平面視したときに、前記フローティングディフュージョン領域を中心とする扇形の領域内に前記転送ゲートを挟んで位置することを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1又は3に記載の固体撮像素子であって、
前記フォトダイオードの受光面は、平面視したときに、縁辺から内方に凹みが形成された形状であり、その凹みの最も奥まった位置に前記フローティングディフュージョン領域が配設されていることを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の固体撮像素子であって、
前記延出部は、平面視したときに、根元から先端に向かって幅が狭くなる形状であることを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1〜7のいずれかに記載の固体撮像素子であって、
収集する信号電荷と同じ導電型の領域として形成されている前記領域の中で、前記フローティングディフュージョン領域に近いほどポテンシャルが深くなるように、ポテンシャルの深さが異なる不純物領域が複数形成されていることを特徴とする固体撮像素子。
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