JP6399301B2 - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6399301B2 JP6399301B2 JP2014237775A JP2014237775A JP6399301B2 JP 6399301 B2 JP6399301 B2 JP 6399301B2 JP 2014237775 A JP2014237775 A JP 2014237775A JP 2014237775 A JP2014237775 A JP 2014237775A JP 6399301 B2 JP6399301 B2 JP 6399301B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion layer
- conductivity type
- type diffusion
- type
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 122
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 448
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 102
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 53
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 18
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Element Separation (AREA)
Description
本発明に係る固体撮像装置の一態様は、
第1導電型ウェルと、
前記第1導電型ウェルに設けられ、光が照射されてキャリアを発生する第1の第2導電型拡散層と、
前記第1導電型ウェルに設けられ、前記第1の第2導電型拡散層で発生したキャリアが
転送されて蓄積される第2の第2導電型拡散層と、
前記第2の第2導電型拡散層の下に設けられた第1の第1導電型拡散層と、
を含み、
前記第2の第2導電型拡散層の不純物濃度は、前記第1の第2導電型拡散層の不純物濃度よりも高く、
前記第1の第1導電型拡散層の不純物濃度は、前記第1導電型ウェルの不純物濃度よりも低い。
適用例1において、
前記第1の第2導電型拡散層および前記第2の第2導電型拡散層の周囲に設けられた第1導電型素子分離領域と、
前記第1導電型素子分離領域と前記第2の第2導電型拡散層との間に設けられた第2の第1導電型拡散層と、
を含み、
前記第1導電型素子分離領域の不純物濃度は、前記第1導電型ウェルの不純物濃度よりも高く、
前記第2の第1導電型拡散層の不純物濃度は、前記第1導電型ウェルの不純物濃度よりも低くてもよい。
適用例2において、
前記第1の第1導電型拡散層は、平面視において、前記第2の第2導電型拡散層および前記第2の第1導電型拡散層と重なっていてもよい。
適用例1ないし3のいずれか1例において、
前記第1導電型ウェルに設けられ、前記第1の第2導電型拡散層と前記第2の第2導電型拡散層との間に位置し、前記第1の第2導電型拡散層で発生したキャリアが転送されて蓄積される第3の第2導電型拡散層を含み、
前記第3の第2導電型拡散層の不純物濃度は、前記第1の第2導電型拡散層の不純物濃度よりも高く、かつ前記第2の第2導電型拡散層の不純物濃度よりも低く、
前記第2の第2導電型拡散層には、前記第3の第2導電型拡散層を介して、前記第1の第2導電型拡散層で発生したキャリアが転送されてもよい。
ができるので、ソースフォロア回路で読み出し処理を行う時間を稼ぐことができる。
適用例1ないし4のいずれか1例において、
前記第1の第2導電型拡散層と前記第2の第2導電型拡散層との間の前記第1導電型ウェル上に設けられた第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に設けられ、前記第1の第2導電型拡散層で発生したキャリアを前記第2の第2導電型拡散層に転送するための第1電極と、
を含んでもよい。
適用例1ないし5のいずれか1例において、
前記第2の第2導電型拡散層上に設けられた第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に設けられ、前記第2の第2導電型拡散層に蓄積されたキャリアを排出するための第2電極と、
を含んでもよい。
適用例1ないし6のいずれか1例において、
前記第2の第2導電型拡散層の表面に設けられた第1導電型表面拡散層を含んでもよい。
適用例1ないし7のいずれか1例において、
前記第2の第2導電型拡散層は、浮遊拡散層を構成してもよい。
本発明に係る固体撮像装置の一態様は、
第1導電型ウェルと、
前記第1導電型ウェルに設けられ、光が照射されてキャリアを発生する第1の第2導電型拡散層と、
前記第1導電型ウェルに設けられ、前記第1の第2導電型拡散層と電気的に接続された第2の第2導電型拡散層と、
前記第2の第2導電型拡散層の下に設けられた第1の第1導電型拡散層と、
を含み、
前記第2の第2導電型拡散層の不純物濃度は、前記第1の第2導電型拡散層の不純物濃度よりも高く、
前記第1の第1導電型拡散層の不純物濃度は、前記第1導電型ウェルの不純物濃度より
も低い。
本発明に係る固体撮像装置の製造方法の一態様は、
基板に第1導電型ウェルを形成する工程と、
前記第1導電型ウェルに、第1の第2導電型拡散層を形成する工程と、
前記第1導電型ウェルに、第2の第2導電型拡散層を形成する工程と、
前記第1導電型ウェルに、第1導電型拡散層を形成する工程と、
を含み、
前記第1導電型拡散層は、前記第2の第2導電型拡散層の下に形成され、
前記第2の第2導電型拡散層の不純物濃度は、前記第1の第2導電型拡散層の不純物濃度よりも高く、
前記第1導電型拡散層の不純物濃度は、前記第1導電型ウェルの不純物濃度よりも低く、
前記第1の第2導電型拡散層は、光が照射されてキャリアを発生し、
前記第2の第2導電型拡散層には、前記第1の第2導電型拡散層で発生したキャリアが転送されて蓄積される。
適用例10において、
前記第2の第2導電型拡散層と前記第1導電型拡散層とは、共通のレジスト層をマスクにしてイオン注入することにより形成されてもよい。
まず、本実施形態に係る固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る固体撮像装置100を模式的に示す平面図である。図2は、本実施形態に係る固体撮像装置100を模式的に示す図1のII−II線断面図である。図3は、本実施形態に係る固体撮像装置100を模式的に示す図1のIII−III線断面図である。
該キャリアを蓄積させる。
って、浮遊拡散層35には、第2n型拡散層32を介して、第1n型拡散層30で発生したキャリアが転送される。転送電極70,72は、第1n型拡散層30で発生したキャリアを、第2n型拡散層32を介して、浮遊拡散層35に転送するための電極である。浮遊拡散層35は、第1n型拡散層30で発生したキャリアを一時蓄積する。
hallow trench isolation)絶縁層であってもよい。素子分離絶縁層52は、平面視において素子分離絶縁層52の外側に素子が設けられている場合、該素子とn型拡散層30,32,34とを電気的に分離することができる。
けられた第1p型拡散層40と、を含み、第1p型拡散層40の不純物濃度は、p型ウェル20の不純物濃度よりも低い。そのため、固体撮像装置100では、第1p型拡散層40を設けない場合に比べて、空乏層2の厚さを大きくすることができ、浮遊拡散層35の容量を小さくすることができる。これにより、固体撮像装置100では、浮遊拡散層35のキャリアが転送された場合の電位変動(変換ゲイン)を大きくすることができ、電荷検出感度を高くすることができる。
行う時間を稼ぐことができる。
次に、本実施形態に係る固体撮像装置100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図9は、本実施形態に係る固体撮像装置100の製造方法を説明するためのフローチャートである。図10〜図19は、本実施形態に係る固体撮像装置100の製造工程を模式的に示す断面図であって、図2に示す断面に対応している。
、p型素子分離領域50の表面の一部が露出するように形成される。次に、第3レジスト層83をマスクとして、例えば、イオン注入によりp型ウェル20にリンを注入し、第3n型拡散層34および第2p型拡散層42を形成する。p型素子分離領域50の不純物濃度は、p型ウェル20の不純物濃度よりも高い。そのため、p型素子分離領域50にn型を形成する不純物であるリンを注入してもn型にはならないが、p型素子分離領域50の一部の不純物濃度を低くすることができる。これにより、p型素子分離領域50の一部を第2p型拡散層42にすることができる。
に所定形状の第5レジスト層85を形成する。次に、第5レジスト層85をマスクとして、例えば、イオン注入により第3n型拡散層34にボロンを注入し、第2n型高濃度拡散層38を形成する。第2n型高濃度拡散層38は、例えば、リセット電極76のセルフアラインによって形成される。その後、第5レジスト層85を除去する。
3.1. 第1変形例
次に、本実施形態の第1変形例に係る固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。図20は、本実施形態の第1変形例に係る固体撮像装置200を模式的に示す平面図である。図21は、本実施形態の第1変形例に係る固体撮像装置200を模式的に示す図20のXXI−XXI線断面図である。
次に、本実施形態の第2変形例に係る固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。図22は、本実施形態の第2変形例に係る固体撮像装置300を模式的に示す平面図である。図23は、本実施形態の第2変形例に係る固体撮像装置300を模式的に示す図22のXXIII−XXIII線断面図である。
Claims (11)
- 第1導電型ウェルと、
前記第1導電型ウェルに設けられ、光が照射されてキャリアを発生する第1の第2導電型拡散層と、
前記第1導電型ウェルに設けられ、前記第1の第2導電型拡散層で発生したキャリアが転送されて蓄積される第2の第2導電型拡散層と、
前記第2の第2導電型拡散層の下に設けられた第1の第1導電型拡散層と、
を含み、
前記第2の第2導電型拡散層の不純物濃度は、前記第1の第2導電型拡散層の不純物濃度よりも高く、
前記第1の第1導電型拡散層の不純物濃度は、前記第1導電型ウェルの不純物濃度よりも低い、固体撮像装置。 - 請求項1において、
前記第1の第2導電型拡散層および前記第2の第2導電型拡散層の周囲に設けられた第1導電型素子分離領域と、
前記第1導電型素子分離領域と前記第2の第2導電型拡散層との間に設けられた第2の第1導電型拡散層と、
を含み、
前記第1導電型素子分離領域の不純物濃度は、前記第1導電型ウェルの不純物濃度よりも高く、
前記第2の第1導電型拡散層の不純物濃度は、前記第1導電型ウェルの不純物濃度よりも低い、固体撮像装置。 - 請求項2において、
前記第1の第1導電型拡散層は、平面視において、前記第2の第2導電型拡散層および前記第2の第1導電型拡散層と重なっている、固体撮像装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1項において、
前記第1導電型ウェルに設けられ、前記第1の第2導電型拡散層と前記第2の第2導電型拡散層との間に位置し、前記第1の第2導電型拡散層で発生したキャリアが転送されて蓄積される第3の第2導電型拡散層を含み、
前記第3の第2導電型拡散層の不純物濃度は、前記第1の第2導電型拡散層の不純物濃度よりも高く、かつ前記第2の第2導電型拡散層の不純物濃度よりも低く、
前記第2の第2導電型拡散層には、前記第3の第2導電型拡散層を介して、前記第1の第2導電型拡散層で発生したキャリアが転送される、固体撮像装置。 - 請求項1ないし4のいずれか1項において、
前記第1の第2導電型拡散層と前記第2の第2導電型拡散層との間の前記第1導電型ウェル上に設けられた第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に設けられ、前記第1の第2導電型拡散層で発生したキャリアを前記第2の第2導電型拡散層に転送するための第1電極と、
を含む、固体撮像装置。 - 請求項1ないし5のいずれか1項において、
前記第2の第2導電型拡散層上に設けられた第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に設けられ、前記第2の第2導電型拡散層に蓄積されたキャリアを排出するための第2電極と、
を含む、固体撮像装置。 - 請求項1ないし6のいずれか1項において、
前記第2の第2導電型拡散層の表面に設けられた第1導電型表面拡散層を含む、固体撮像装置。 - 請求項1ないし7のいずれか1項において、
前記第2の第2導電型拡散層は、浮遊拡散層を構成する、固体撮像装置。 - 第1導電型ウェルと、
前記第1導電型ウェルに設けられ、光が照射されてキャリアを発生する第1の第2導電型拡散層と、
前記第1導電型ウェルに設けられ、前記第1の第2導電型拡散層と電気的に接続された第2の第2導電型拡散層と、
前記第2の第2導電型拡散層の下に設けられた第1の第1導電型拡散層と、
を含み、
前記第2の第2導電型拡散層の不純物濃度は、前記第1の第2導電型拡散層の不純物濃度よりも高く、
前記第1の第1導電型拡散層の不純物濃度は、前記第1導電型ウェルの不純物濃度よりも低い、固体撮像装置。 - 基板に第1導電型ウェルを形成する工程と、
前記第1導電型ウェルに、第1の第2導電型拡散層を形成する工程と、
前記第1導電型ウェルに、第2の第2導電型拡散層を形成する工程と、
前記第1導電型ウェルに、第1導電型拡散層を形成する工程と、
を含み、
前記第1導電型拡散層は、前記第2の第2導電型拡散層の下に形成され、
前記第2の第2導電型拡散層の不純物濃度は、前記第1の第2導電型拡散層の不純物濃度よりも高く、
前記第1導電型拡散層の不純物濃度は、前記第1導電型ウェルの不純物濃度よりも低く、
前記第1の第2導電型拡散層は、光が照射されてキャリアを発生し、
前記第2の第2導電型拡散層には、前記第1の第2導電型拡散層で発生したキャリアが転送されて蓄積される、固体撮像装置の製造方法。 - 請求項10において、
前記第2の第2導電型拡散層と前記第1導電型拡散層とは、共通のレジスト層をマスクにしてイオン注入することにより形成される、固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014237775A JP6399301B2 (ja) | 2014-11-25 | 2014-11-25 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US14/939,664 US9899444B2 (en) | 2014-11-25 | 2015-11-12 | Solid-state image capturing device and manufacturing method for the same |
CN201510825492.2A CN105633106B (zh) | 2014-11-25 | 2015-11-24 | 固态成像装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014237775A JP6399301B2 (ja) | 2014-11-25 | 2014-11-25 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016100509A JP2016100509A (ja) | 2016-05-30 |
JP6399301B2 true JP6399301B2 (ja) | 2018-10-03 |
Family
ID=56010994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014237775A Active JP6399301B2 (ja) | 2014-11-25 | 2014-11-25 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9899444B2 (ja) |
JP (1) | JP6399301B2 (ja) |
CN (1) | CN105633106B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10477133B2 (en) * | 2017-10-02 | 2019-11-12 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging sensor and solid-state imaging device |
JP7361452B2 (ja) * | 2018-02-19 | 2023-10-16 | キヤノン株式会社 | 撮像装置およびカメラ |
US11557618B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-01-17 | Seiko Epson Corporation | Solid-state image sensor and image reading device |
CN116053289B (zh) * | 2023-03-06 | 2023-06-27 | 合肥新晶集成电路有限公司 | 图像传感器及其制备方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS589363A (ja) | 1981-07-08 | 1983-01-19 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
JPH0760895B2 (ja) | 1985-08-06 | 1995-06-28 | 日本電気株式会社 | 電荷結合素子及びその駆動方法 |
JPH05243281A (ja) | 1992-03-02 | 1993-09-21 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2950387B2 (ja) | 1992-03-19 | 1999-09-20 | 日本電気株式会社 | 電荷結合装置 |
JPH09232555A (ja) * | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Sony Corp | イメージセンサ |
JP2670437B2 (ja) * | 1996-06-06 | 1997-10-29 | 株式会社東芝 | 電荷検出回路 |
JP4810806B2 (ja) | 2004-07-30 | 2011-11-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2006173487A (ja) | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Omron Corp | 撮像デバイス |
US20060186315A1 (en) * | 2005-02-22 | 2006-08-24 | Kany-Bok Lee | Active pixel image sensors |
US7253461B2 (en) * | 2005-05-27 | 2007-08-07 | Dialog Imaging Systems Gmbh | Snapshot CMOS image sensor with high shutter rejection ratio |
JP2007053217A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Renesas Technology Corp | 固体撮像素子 |
US7427734B2 (en) * | 2005-10-18 | 2008-09-23 | Digital Imaging Systems Gmbh | Multiple photosensor pixel |
JP4729393B2 (ja) | 2005-12-06 | 2011-07-20 | 東芝キヤリア株式会社 | 電力変換装置 |
JP4859045B2 (ja) * | 2006-09-06 | 2012-01-18 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子および電子情報機器 |
TW200903790A (en) * | 2007-04-18 | 2009-01-16 | Rosnes Corp | Solid-state imaging device |
US8072015B2 (en) * | 2007-06-04 | 2011-12-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and manufacturing method thereof |
JP5282543B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2013-09-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
JP4832541B2 (ja) * | 2009-03-17 | 2011-12-07 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子および電子情報機器 |
JP5251736B2 (ja) * | 2009-06-05 | 2013-07-31 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 |
JP2011049524A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-03-10 | Sony Corp | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法 |
US8138531B2 (en) * | 2009-09-17 | 2012-03-20 | International Business Machines Corporation | Structures, design structures and methods of fabricating global shutter pixel sensor cells |
JP5509846B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-06-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2012204654A (ja) | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびカメラ |
DE102012206089B4 (de) * | 2012-03-15 | 2017-02-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Halbleiterstruktur, verfahren zum betreiben derselben und herstellungsverfahren |
GB201302664D0 (en) * | 2013-02-15 | 2013-04-03 | Cmosis Nv | A pixel structure |
-
2014
- 2014-11-25 JP JP2014237775A patent/JP6399301B2/ja active Active
-
2015
- 2015-11-12 US US14/939,664 patent/US9899444B2/en active Active
- 2015-11-24 CN CN201510825492.2A patent/CN105633106B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160148968A1 (en) | 2016-05-26 |
JP2016100509A (ja) | 2016-05-30 |
US9899444B2 (en) | 2018-02-20 |
CN105633106B (zh) | 2020-08-04 |
CN105633106A (zh) | 2016-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6541080B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP3584196B2 (ja) | 受光素子及びそれを有する光電変換装置 | |
JP5767465B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ | |
CN107833899B (zh) | 固体摄像装置 | |
US9711558B2 (en) | Imaging device with photoelectric converter | |
JP6406585B2 (ja) | 撮像装置 | |
US9466641B2 (en) | Solid-state imaging device | |
US20100314667A1 (en) | Cmos pixel with dual-element transfer gate | |
JP2006216577A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP6399301B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2006310650A (ja) | 撮像装置 | |
WO2018110258A1 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2008153566A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2004312039A (ja) | 光電変換素子 | |
JP5501262B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、撮像装置 | |
JP6387745B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP6871164B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
TWI525801B (zh) | 具有經摻雜之傳輸閘極的影像感測器 | |
JP3621273B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2007201088A (ja) | 固体撮像素子 | |
US20160093660A1 (en) | Semiconductor apparatus and method of manufacturing semiconductor apparatus | |
JP2006229107A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP3597663B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4779575B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2017152438A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171106 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180730 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180808 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180821 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6399301 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |