JP2006229107A - 固体撮像素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の固体撮像素子は、n型半導体基板19に形成されており、基板19の内部に設けられたp型ウェル20とn型半導体基板19の上部にマトリクス状に配列されたフォトダイオード17と、各フォトダイオード17に素子分離領域18とを備え、素子分離領域18は、p型の第1の素子分離不純物拡散層24とその直下に離問してp型の第2の素子分離不純物拡散層25を有し、フォトダイオード17の領域には受光部となるn型の第1の不純物拡散層21とその直下に離問し、p型の第3の不純物拡散層の最大濃度部分と略同一位置にn型の第2の不純物拡散層を備えている。
【選択図】図1
Description
物濃度分布図であり、図14は、図12におけるB’−B’切断線に沿った各不純物拡散
層の深さ方向の不純物濃度分布図であり、図15は、図12におけるA’−A’切断線及
びB’−B’切断線に沿った各不純物拡散層の深さ方向の電位プロファイルを示す図であ
る。
に沿う部分)の濃度分布はCa’、電位プロファイルは、Da’の各曲線で示してあり、素子分離領域3が形成された部分(B’−B’切断線に沿う部分)の濃度分布はCb’、
電位プロファイルはDb’の各曲線で示してある。
以下、本発明の第1の実施形態に係る固体撮像素子とその製造方法について、図1〜図5を参照して説明する。
次に本発明に係る第2の実施形態の固体撮像素子について、図8を参照して説明する。
次に本発明に係る第3の実施形態の固体撮像素子について、図10を参照して説明する。
3、18 素子分離領域
4、19 n型半導体基板
5、20 p型ウェル
6、21 n型の第1の不純物拡散層
7、22 p型の不純物拡散層
9、24 p型の第1の素子分離不純物拡散層
10、25 p型の第2の素子分離不純物拡散層
31 n型の第2の不純物拡散層
32 n型の第3の不純物拡散層
Claims (9)
- 第一導電型の半導体基板と、
入射光に応じて蓄積電荷を発生し、前記半導体基板上に所定の配列で設けられた光電変換部と、
前記光電変換部を電気的に分離する素子分離領域と、
前記光電変換部で発生した過剰電荷をその外部へ排出するための手段と、を備えた固体撮像素子であって、
前記素子分離領域は、前記半導体基板の表面から内部に向かって設けられた第二導電型の第1の不純物拡散層と、前記第二導電型の第1の不純物拡散層よりも深い位置に設けられた第二導電型の第2の不純物拡散層と、を有し、
前記光電変換部は、受光部となる第一導電型の第1の不純物拡散層と、前記第一導電型の第1の不純物拡散層よりも深い位置に設けられた第一導電型の第2の不純物拡散層と、を有し、
前記第一導電型の第2の不純物拡散層の最大濃度部分が、前記半導体基板の深さ方向に対して、前記第二導電型の第2の不純物拡散層とほぼ同じ位置にあることを特徴とする固体撮像素子。 - 前記第一導電型の第2の不純物拡散層と前記第二導電型の第2の不純物拡散層とは隣接して配置されていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記半導体基板を上から見たとき、前記第一導電型の第2の不純物拡散層の一部が前記第二導電型の第1の不純物拡散層と重なるように設けられていることを特徴とする請求項1または2記載の固体撮像素子。
- 少なくとも前記第一導電型の第2の不純物拡散層は、高加速エネルギーのイオン打ち込み技術と熱処理を経て形成されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記半導体基板の深さ方向に対して、前記第一導電型の第1の不純物拡散層と前記第一導電型の第2の不純物拡散層との間に第一導電型の第3の不純物拡散層が設けられていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記半導体基板の深さ方向に対して、前記第一導電型の第3の不純物拡散層の最大濃度部分が、前記第二導電型の第1の不純物拡散層の底部とほぼ同じ位置にあることを特徴とする請求項5記載の固体撮像素子。
- 前記第一導電型の第3の不純物拡散層と前記第二導電型の第1の不純物拡散層とは隣接して配置されていることを特徴とする請求項5または6記載の固体撮像素子。
- 前記第一導電型の第3の不純物拡散層は、高加速エネルギーのイオン打ち込み技術と熱処理を経て形成されることを特徴とする請求項5ないし7のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記過剰電荷の外部排出手段は、第二導電型のウェル層であることを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の固体撮像素子。
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