JP2011528499A - 電荷感知セルおよび画素の幾何形状が改良された、cmosフォトゲート3dカメラシステム - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 53
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 42
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 57
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 210000003850 cellular structure Anatomy 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
本出願は、参照により全内容が本明細書に組み込まれる2008年7月17日に出願された米国仮出願第61/081,400号の利益を米国特許法119条(e)に従って主張する。
転送ゲート環状幅:0.3〜1.0μm(例えば0.6μm)
フォトゲート穴と転送ゲートとの隙間:0.25〜0.4μ(例えば0.25μ)
浮遊拡散部の直径:0.6〜1.5μ(例えば0.6μ)
しかし、適切な寸法は、当業者にはすぐに明らかとなるように、適用例、製造技術の進歩、および他の要因に依存し、前述のパラメータは限定とするものではないことを理解されたい。
Claims (20)
- 場面(scene)からの光を受け取って(receiving)記録する(registering)ための感光面(photosurface)であって、
前記感光面に入射する(incident on)光に応答して電子−正孔の対が生成される第1の半導体領域と、
前記第1の半導体領域の全てをほぼ(substantially)覆う(overlaying)単一の(single)第1の導電領域(conductive region)と、
前記第1の半導体領域によって囲まれる少なくとも1つの第2の半導体領域と、
前記第2の半導体領域を囲み、前記第1の導電領域から電気的に分離された(isolated)、各(each)第2の半導体領域ごとの(for)異なる第2の導電領域とを備え、
前記第2の導電領域が前記第1の導電領域に対して(with respect to)正に帯電する(electrified)とき、前記第1の半導体領域に入射する光によって生成された電子が前記第2の半導体領域で収集される(collected)、感光面。 - 収集された電子が、前記第2の半導体領域に対する(relative to)ほぼ全ての方位方向(azimuthal directions)から前記第2の半導体領域に移動する(migrate)、請求項1に記載の感光面。
- 前記少なくとも1つの第2の領域が複数の第2の領域を含む、請求項1または2に記載の感光面。
- 前記第2の領域が約0.6ミクロンの特性半径範囲(characteristic radial extent)を有する、請求項3に記載の感光面。
- 前記第2の領域が約0.4ミクロンの特性半径範囲を有する、請求項3に記載の感光面。
- 前記第2の領域が約0.3ミクロンの特性半径範囲を有する、請求項3に記載の感光面。
- 最も近い2つの第2の領域間の距離が約9ミクロン以下である、請求項3から6のいずれかに記載の感光面。
- 最も近い2つの第2の領域間の距離が約6ミクロン以下である、請求項3から6のいずれかに記載の感光面。
- 最も近い2つの第2の領域間の距離が約4ミクロン以下である、請求項3から6のいずれかに記載の感光面。
- 前記複数の第2の領域のうちの少なくとも2つが導体によって電気的に接続された、請求項3から9のいずれかに記載の感光面。
- 前記少なくとも2つの第2の領域に移動する電子の総数に応じた信号を生成するように構成された、前記少なくとも2つの第2の領域に電気的に接続された回路を備える、請求項10に記載の感光面。
- 約40%以上のフィルファクタ(fill factor)を有する、前記請求項のいずれかに記載の感光面。
- 約50%以上のフィルファクタを有する、前記請求項のいずれかに記載の感光面。
- 約60%以上のフィルファクタを有する、前記請求項のいずれかに記載の感光面。
- 約75%以上のフィルファクタを有する、前記請求項のいずれかに記載の感光面。
- 前記少なくとも1つの第2の領域が浮遊拡散部(floating diffusion)を備える、前記請求項のいずれかに記載の感光面。
- 場面を撮像するための感光面であって、
前記感光面に入射する光に応答して電子−正孔の対が生成される感光領域と、
前記感光領域によって囲まれ、前記感光領域中で生成された電荷が蓄積される、少なくとも1つの電荷収集領域と、
少なくとも1つの各電荷収集領域ごとの、前記感光領域を完全に囲む転送ゲートとを備える感光面。 - 前記感光領域(light sensitive region)を覆う(overlaying)単一のフォトゲート(photogate)を備える、請求項17に記載の感光面。
- 約40%以上のフィルファクタを有する、請求項17または18に記載の感光面。
- フォトゲートと、
前記フォトゲートの基礎をなす構造中のチャネルインプラント(channel implant)と、
前記チャネルインプラント内に形成された浮遊拡散部(floating diffusion)と、
前記フォトゲートの下に蓄積された電子が前記チャネルインプラントを通って前記浮遊拡散部に移動するのを許可する(permit)ように動作可能な転送ゲートとを備えるCMOSタイプの光検出器セルであって、
前記転送ゲートが前記浮遊拡散部をほぼ囲み(surrounds)、前記フォトゲートが、前記チャネルインプラントを覆って延びる(extending over)ほぼ連続的な(continuous)物体(body)であり、前記浮遊拡散部と前記転送ゲートとを囲む開口(opening)を備える、CMOSタイプの光検出器セル。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US8140008P | 2008-07-17 | 2008-07-17 | |
US61/081,400 | 2008-07-17 | ||
PCT/IB2009/053113 WO2010007594A1 (en) | 2008-07-17 | 2009-07-17 | Cmos photogate 3d camera system having improved charge sensing cell and pixel geometry |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011528499A true JP2011528499A (ja) | 2011-11-17 |
JP5501358B2 JP5501358B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=41137069
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011518052A Active JP5501358B2 (ja) | 2008-07-17 | 2009-07-17 | 電荷感知セルおよび画素の幾何形状が改良された、cmosフォトゲート3dカメラシステム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8264581B2 (ja) |
EP (1) | EP2304795A1 (ja) |
JP (1) | JP5501358B2 (ja) |
CN (1) | CN103189983B (ja) |
WO (1) | WO2010007594A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013031116A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | National Univ Corp Shizuoka Univ | 固体撮像装置、及び画素 |
JP2013206903A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 距離センサ及び距離画像センサ |
JP2017526142A (ja) * | 2014-08-29 | 2017-09-07 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 走査型電子顕微鏡および試料を検査およびレビューする方法 |
WO2022050816A1 (ko) * | 2020-09-07 | 2022-03-10 | 울산과학기술원 | 실리콘 링 전계효과트랜지스터 어레이에 의한 활성 안테나 장치 |
WO2024024469A1 (ja) * | 2022-07-25 | 2024-02-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5489570B2 (ja) * | 2009-07-27 | 2014-05-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP5471174B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2014-04-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
US8717469B2 (en) | 2010-02-03 | 2014-05-06 | Microsoft Corporation | Fast gating photosurface |
KR101818587B1 (ko) * | 2010-08-11 | 2018-01-15 | 삼성전자주식회사 | 광감지 장치의 단위 픽셀, 광감지 장치 및 이를 이용한 거리 측정 방법 |
US9823339B2 (en) | 2010-12-21 | 2017-11-21 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Plural anode time-of-flight sensor |
US20120261730A1 (en) * | 2011-04-15 | 2012-10-18 | Omnivision Technologies, Inc. | Floating diffusion structure for an image sensor |
US9083905B2 (en) * | 2011-04-26 | 2015-07-14 | Semiconductor Components Industries, Llc | Structured light imaging system |
JP6026755B2 (ja) | 2012-02-28 | 2016-11-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 距離センサ及び距離画像センサ |
JP5932400B2 (ja) | 2012-03-02 | 2016-06-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 距離センサ及び距離画像センサ |
CN104134676A (zh) * | 2014-07-23 | 2014-11-05 | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 | 基于辐射环境应用的快速电荷转移像素结构 |
US9826214B2 (en) | 2014-09-08 | 2017-11-21 | Microsoft Technology Licensing, Llc. | Variable resolution pixel |
US9602804B2 (en) * | 2015-03-26 | 2017-03-21 | Intel Corporation | Methods of forming integrated package structures with low Z height 3D camera |
DE102018108379B4 (de) * | 2018-04-09 | 2024-03-07 | pmdtechnologies ag | Lichtlaufzeitpixel |
US10638061B2 (en) * | 2018-09-18 | 2020-04-28 | Analog Devices Global Unlimited Company | Active-pixel image sensor |
US11032496B2 (en) * | 2019-07-22 | 2021-06-08 | Omnivision Technologies, Inc. | Enhanced shutter efficiency time-of-flight pixel |
CN114896927B (zh) * | 2022-05-17 | 2024-04-30 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种不同光强对辐照后cmos图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0946596A (ja) * | 1995-08-02 | 1997-02-14 | Canon Inc | 固体撮像装置と画像撮像装置 |
JP2006041189A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像素子 |
WO2007026777A1 (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-08 | National University Corporation Shizuoka University | 半導体測距素子及び固体撮像装置 |
JP2007081083A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Seiko Epson Corp | ラインセンサ及び画像情報読取装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0666446B2 (ja) * | 1984-03-29 | 1994-08-24 | オリンパス光学工業株式会社 | 固体撮像素子 |
US5625210A (en) * | 1995-04-13 | 1997-04-29 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor integrated with a pinned photodiode |
US6320617B1 (en) * | 1995-11-07 | 2001-11-20 | Eastman Kodak Company | CMOS active pixel sensor using a pinned photo diode |
JP3752773B2 (ja) | 1997-04-15 | 2006-03-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法 |
US6008486A (en) * | 1997-12-31 | 1999-12-28 | Gentex Corporation | Wide dynamic range optical sensor |
US6239456B1 (en) * | 1998-08-19 | 2001-05-29 | Photobit Corporation | Lock in pinned photodiode photodetector |
JP4165250B2 (ja) * | 2003-02-21 | 2008-10-15 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2004259733A (ja) | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
US6897519B1 (en) * | 2003-02-26 | 2005-05-24 | Dialog Semiconductor | Tunneling floating gate APS pixel |
JP2004349430A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Sharp Corp | 固体撮像素子とその駆動方法 |
US7187018B2 (en) * | 2003-06-25 | 2007-03-06 | Micron Technology, Inc. | Reduced barrier photodiode/transfer gate device structure of high efficiency charge transfer and reduced lag and method of formation |
US7115855B2 (en) * | 2003-09-05 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Image sensor having pinned floating diffusion diode |
JP2005244434A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
JP4389737B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2009-12-24 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP2007174289A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Fujitsu Ltd | センサ用アナログ多段増幅回路 |
US8031249B2 (en) * | 2007-01-11 | 2011-10-04 | Micron Technology, Inc. | Missing pixel architecture |
US20080258187A1 (en) * | 2007-04-18 | 2008-10-23 | Ladd John W | Methods, systems and apparatuses for the design and use of imager sensors |
TWI479887B (zh) | 2007-05-24 | 2015-04-01 | Sony Corp | 背向照明固態成像裝置及照相機 |
CN102099703A (zh) | 2007-12-19 | 2011-06-15 | 微软国际控股私有有限公司 | 3d照相机及其选通方法 |
-
2009
- 2009-07-17 EP EP09786633A patent/EP2304795A1/en not_active Withdrawn
- 2009-07-17 WO PCT/IB2009/053113 patent/WO2010007594A1/en active Application Filing
- 2009-07-17 CN CN200980128311.3A patent/CN103189983B/zh active Active
- 2009-07-17 US US12/504,687 patent/US8264581B2/en active Active
- 2009-07-17 JP JP2011518052A patent/JP5501358B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0946596A (ja) * | 1995-08-02 | 1997-02-14 | Canon Inc | 固体撮像装置と画像撮像装置 |
JP2006041189A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像素子 |
WO2007026777A1 (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-08 | National University Corporation Shizuoka University | 半導体測距素子及び固体撮像装置 |
JP2007081083A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Seiko Epson Corp | ラインセンサ及び画像情報読取装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013031116A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | National Univ Corp Shizuoka Univ | 固体撮像装置、及び画素 |
US9307171B2 (en) | 2011-07-29 | 2016-04-05 | National University Corporation Shizuoka University | Solid state image pick-up device, and pixel |
JP2013206903A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 距離センサ及び距離画像センサ |
JP2017526142A (ja) * | 2014-08-29 | 2017-09-07 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 走査型電子顕微鏡および試料を検査およびレビューする方法 |
JP2019197733A (ja) * | 2014-08-29 | 2019-11-14 | ケーエルエー コーポレイション | 試料を検査する方法 |
WO2022050816A1 (ko) * | 2020-09-07 | 2022-03-10 | 울산과학기술원 | 실리콘 링 전계효과트랜지스터 어레이에 의한 활성 안테나 장치 |
US11784249B2 (en) | 2020-09-07 | 2023-10-10 | Ulsan National Institute Of Science And Technology | Active antenna device based on silicon ring field effect transistor array |
WO2024024469A1 (ja) * | 2022-07-25 | 2024-02-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103189983A (zh) | 2013-07-03 |
CN103189983B (zh) | 2016-10-26 |
EP2304795A1 (en) | 2011-04-06 |
WO2010007594A1 (en) | 2010-01-21 |
US20100039546A1 (en) | 2010-02-18 |
JP5501358B2 (ja) | 2014-05-21 |
US8264581B2 (en) | 2012-09-11 |
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