JP5444414B2 - 磁気ランダムアクセスメモリ - Google Patents
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Description
図1は、磁気ランダムアクセスメモリの主要部を示している。
本実施例は、1セル1ビット構造の磁気ランダムアクセスメモリに関する。
本実施例は、2セル1ビット構造の磁気ランダムアクセスメモリに関する。
本実施例も、2セル1ビット構造の磁気ランダムアクセスメモリに関する。
上述の第1乃至第3の実施例において、各スイッチ(セルユニット内の選択トランジスタ、カラム選択スイッチなど)については、nチャネル型FETを前提としたが、これに限られず、例えば、pチャネル型FETとしてもよい。
以下、2トラ/1ビット構造のセルユニットのレイアウトの例を説明する。
上述の実施例に係わる磁気ランダムアクセスメモリは、例えば、低消費電力プロセッサのキャッシュメモリに適用することができる。
実施形態によれば、磁気ランダムアクセスメモリの読み出し時の消費電力とレイテンシを改善できる。
Claims (16)
- 第1及び第2のビット線と、共通ソース線と、前記第1のビット線及び前記共通ソース線間に接続される第1の磁気抵抗効果素子を備える第1のセルユニットと、前記第2のビット線及び前記共通ソース線間に接続される第2の磁気抵抗効果素子を備える第2のセルユニットと、前記第1及び第2のセルユニット内の前記第1及び第2の磁気抵抗効果素子に相補データを書き込むための書き込み回路と、前記第1及び第2のセルユニット内の前記第1及び第2の磁気抵抗効果素子から相補データを読み出すための読み出し回路と、前記書き込み回路及び前記読み出し回路を制御する制御回路とを具備し、前記制御回路は、
前記第1及び第2のビット線を第1の電位に設定した後にフローティング状態にし、
前記共通ソース線を第2の電位に設定することにより、前記フローティング状態の前記第1のビット線の電位を前記第1の磁気抵抗効果素子の抵抗値に応じた値に変化させ、かつ、前記フローティング状態の前記第2のビット線の電位を前記第2の磁気抵抗効果素子の抵抗値に応じた値に変化させ、
前記読み出し回路を用いて、前記フローティング状態の前記第1のビット線の電位と前記フローティング状態の前記第2のビット線の電位との差を検出し、
前記読み出し回路は、入力端子が前記第1のビット線に接続され、出力端子が前記第2のビット線に接続される第1のインバータと、入力端子が前記第2のビット線に接続され、出力端子が前記第1のビット線に接続される第2のインバータと、前記第1及び第2のインバータのPチャネルFETのソースと高電位側の電源端子との間に接続されるスイッチ素子とを備え、
前記第1の電位は、前記第2の電位よりも低く、
前記制御回路は、前記共通ソース線を前記第2の電位に設定してから一定期間が経過した後に前記スイッチ素子をオンにし、
前記第1のビット線の電位と前記第2のビット線の電位との差は、前記一定期間内において前記第1及び第2のインバータのNチャネルFETにより検出され、前記一定期間後において前記第1及び第2のインバータの前記PチャネルFETと前記NチャネルFETとにより検出される
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 第1及び第2のビット線と、共通ソース線と、前記第1のビット線及び前記共通ソース線間に接続される第1の磁気抵抗効果素子を備える第1のセルユニットと、前記第2のビット線及び前記共通ソース線間に接続される第2の磁気抵抗効果素子を備える第2のセルユニットと、前記第1及び第2のセルユニット内の前記第1及び第2の磁気抵抗効果素子に相補データを書き込むための書き込み回路と、前記第1及び第2のセルユニット内の前記第1及び第2の磁気抵抗効果素子から相補データを読み出すための読み出し回路と、前記書き込み回路及び前記読み出し回路を制御する制御回路とを具備し、前記制御回路は、
前記第1及び第2のビット線を第1の電位に設定した後にフローティング状態にし、
前記共通ソース線を第2の電位に設定することにより、前記フローティング状態の前記第1のビット線の電位を前記第1の磁気抵抗効果素子の抵抗値に応じた値に変化させ、かつ、前記フローティング状態の前記第2のビット線の電位を前記第2の磁気抵抗効果素子の抵抗値に応じた値に変化させ、
前記読み出し回路を用いて、前記フローティング状態の前記第1のビット線の電位と前記フローティング状態の前記第2のビット線の電位との差を検出し、
前記読み出し回路は、入力端子が前記第1のビット線に接続され、出力端子が前記第2のビット線に接続される第1のインバータと、入力端子が前記第2のビット線に接続され、出力端子が前記第1のビット線に接続される第2のインバータと、前記第1及び第2のインバータのNチャネルFETのソースと低電位側の電源端子との間に接続されるスイッチ素子とを備え、
前記第1の電位は、前記第2の電位よりも高く、
前記制御回路は、前記共通ソース線を前記第2の電位に設定してから一定期間が経過した後に前記スイッチ素子をオンにし、
前記第1のビット線の電位と前記第2のビット線の電位との差は、前記一定期間内において前記第1及び第2のインバータのPチャネルFETにより検出され、前記一定期間後において前記第1及び第2のインバータの前記PチャネルFETと前記NチャネルFETとにより検出される
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記第1及び第2の磁気抵抗効果素子は、それぞれ、磁化状態が不変のピンド層と、磁化状態が可変のフリー層とを備え、前記第1の磁気抵抗効果素子の前記ピンド層及び前記フリー層の配置と、前記第2の磁気抵抗効果素子の前記ピンド層及び前記フリー層の配置とは、前記共通ソース線に対して対称である請求項1又は2に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記制御回路は、前記書き込み回路を用いて、前記第1のビット線から前記第1及び第2の磁気抵抗効果素子を経由して前記第2のビット線に向かう第1の書き込み電流、又は、前記第2のビット線から前記第1及び第2の磁気抵抗効果素子を経由して前記第1のビット線に向かう第2の書き込み電流を流すことにより、前記第1及び第2の磁気抵抗効果素子に対して相補データを書き込む請求項3に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記第1及び第2の磁気抵抗効果素子は、それぞれ、磁化状態が不変のピンド層と、磁化状態が可変のフリー層とを備え、前記第1の磁気抵抗効果素子の前記ピンド層及び前記フリー層の配置と、前記第2の磁気抵抗効果素子の前記ピンド層及び前記フリー層の配置とは、前記共通ソース線に対して非対称である請求項1又は2に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記制御回路は、前記書き込み回路を用いて、前記第1及び第2のビット線から前記第1及び第2の磁気抵抗効果素子を経由して前記共通ソース線に向かう第1の書き込み電流、又は、前記共通ソース線から前記第1及び第2の磁気抵抗効果素子を経由して前記第1及び第2のビット線に向かう第2の書き込み電流を流すことにより、前記第1及び第2の磁気抵抗効果素子に対して相補データを書き込む請求項5に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記第1のセルユニットは、前記第1の磁気抵抗効果素子に直列接続される第1のスイッチ素子を備え、前記第1の磁気抵抗効果素子は、前記第1のビット線側に配置され、前記第1のスイッチ素子は、前記共通ソース線側に配置され、
前記第2のセルユニットは、前記第2の磁気抵抗効果素子に直列接続される第2のスイッチ素子を備え、前記第2の磁気抵抗効果素子は、前記第2のビット線側に配置され、前記第2のスイッチ素子は、前記共通ソース線側に配置される
請求項1又は2に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記第1のセルユニットは、前記第1の磁気抵抗効果素子に直列接続される第1のスイッチ素子を備え、前記第1の磁気抵抗効果素子は、前記共通ソース線側に配置され、前記第1のスイッチ素子は、前記第1のビット線側に配置され、
前記第2のセルユニットは、前記第2の磁気抵抗効果素子に直列接続される第2のスイッチ素子を備え、前記第2の磁気抵抗効果素子は、前記共通ソース線側に配置され、前記第2のスイッチ素子は、前記第2のビット線側に配置される
請求項1又は2に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記第1のスイッチ素子は、
第1のアクティブエリア内に形成される第1、第2及び第3の不純物領域と、前記第1及び第2の不純物領域間のチャネル上、並びに、前記第1及び第3の不純物領域間のチャネル上に、それぞれ配置される共通ゲート電極とを備え、
前記第2のスイッチ素子は、
第2のアクティブエリア内に形成される第4、第5及び第6の不純物領域と、前記第4及び第5の不純物領域間のチャネル上、並びに、前記第4及び第6の不純物領域間のチャネル上に、それぞれ配置される前記共通ゲート電極とを備え、
前記第1及び第2のスイッチ素子は、前記共通ゲート電極が延びる方向に並んで配置され、かつ、同じ向きにレイアウトされる
請求項7又は8に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記第1のスイッチ素子は、
第1のアクティブエリア内に形成される第1、第2及び第3の不純物領域と、前記第1及び第2の不純物領域間のチャネル上、並びに、前記第1及び第3の不純物領域間のチャネル上に、それぞれ配置される共通ゲート電極とを備え、
前記第2のスイッチ素子は、
第2のアクティブエリア内に形成される第4、第5及び第6の不純物領域と、前記第4及び第5の不純物領域間のチャネル上、並びに、前記第4及び第6の不純物領域間のチャネル上に、それぞれ配置される前記共通ゲート電極とを備え、
前記第1及び第2のスイッチ素子は、前記共通ゲート電極が延びる方向に並んで配置され、かつ、逆向きにレイアウトされる
請求項7又は8に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 第1及び第2のビット線と、前記第1及び第2のビット線間に接続される第1の磁気抵抗効果素子を備えるセルユニットと、第3及び第4のビット線と、前記第3及び第4のビット線間に接続される第2の磁気抵抗効果素子を備えるリファレンスユニットと、前記セルユニット内の前記第1の磁気抵抗効果素子にデータを書き込むための書き込み回路と、前記セルユニット内の前記第1の磁気抵抗効果素子及び前記リファレンスユニット内の前記第2の磁気抵抗効果素子からデータを読み出すための読み出し回路と、前記書き込み回路及び前記読み出し回路を制御する制御回路とを具備し、前記制御回路は、
前記第1及び第3のビット線を第1の電位に設定した後にフローティング状態にし、
前記第2及び第4のビット線を第2の電位に設定することにより、前記フローティング状態の前記第1のビット線の電位を前記第1の磁気抵抗効果素子の抵抗値に応じた値に変化させ、かつ、前記フローティング状態の前記第3のビット線の電位を前記第2の磁気抵抗効果素子の抵抗値に応じた値に変化させ、
前記読み出し回路を用いて、前記フローティング状態の前記第1のビット線の電位と前記フローティング状態の前記第3のビット線の電位との差を検出し、
前記読み出し回路は、入力端子が前記第1のビット線に接続され、出力端子が前記第3のビット線に接続される第1のインバータと、入力端子が前記第3のビット線に接続され、出力端子が前記第1のビット線に接続される第2のインバータと、前記第1及び第2のインバータのPチャネルFETのソースと高電位側の電源端子との間に接続されるスイッチ素子とを備え、
前記第1の電位は、前記第2の電位よりも低く、
前記制御回路は、前記第2及び第4のビット線を前記第2の電位に設定してから一定期間が経過した後に前記スイッチ素子をオンにし、
前記第1のビット線の電位と前記第3のビット線の電位との差は、前記一定期間内において前記第1及び第2のインバータのNチャネルFETにより検出され、前記一定期間後において前記第1及び第2のインバータの前記PチャネルFETと前記NチャネルFETとにより検出される
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 第1及び第2のビット線と、前記第1及び第2のビット線間に接続される第1の磁気抵抗効果素子を備えるセルユニットと、第3及び第4のビット線と、前記第3及び第4のビット線間に接続される第2の磁気抵抗効果素子を備えるリファレンスユニットと、前記セルユニット内の前記第1の磁気抵抗効果素子にデータを書き込むための書き込み回路と、前記セルユニット内の前記第1の磁気抵抗効果素子及び前記リファレンスユニット内の前記第2の磁気抵抗効果素子からデータを読み出すための読み出し回路と、前記書き込み回路及び前記読み出し回路を制御する制御回路とを具備し、前記制御回路は、
前記第1及び第3のビット線を第1の電位に設定した後にフローティング状態にし、
前記第2及び第4のビット線を第2の電位に設定することにより、前記フローティング状態の前記第1のビット線の電位を前記第1の磁気抵抗効果素子の抵抗値に応じた値に変化させ、かつ、前記フローティング状態の前記第3のビット線の電位を前記第2の磁気抵抗効果素子の抵抗値に応じた値に変化させ、
前記読み出し回路を用いて、前記フローティング状態の前記第1のビット線の電位と前記フローティング状態の前記第3のビット線の電位との差を検出し、
前記読み出し回路は、入力端子が前記第1のビット線に接続され、出力端子が前記第3のビット線に接続される第1のインバータと、入力端子が前記第3のビット線に接続され、出力端子が前記第1のビット線に接続される第2のインバータと、前記第1及び第2のインバータのNチャネルFETのソースと低電位側の電源端子との間に接続されるスイッチ素子とを備え、
前記第1の電位は、前記第2の電位よりも高く、
前記制御回路は、前記第2及び第4のビット線を前記第2の電位に設定してから一定期間が経過した後に前記スイッチ素子をオンにし、
前記第1のビット線の電位と前記第3のビット線の電位との差は、前記一定期間内において前記第1及び第2のインバータのPチャネルFETにより検出され、前記一定期間後において前記第1及び第2のインバータの前記PチャネルFETと前記NチャネルFETとにより検出される
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記セルユニットは、前記第1の磁気抵抗効果素子に直列接続されるスイッチ素子を備え、前記第1の磁気抵抗効果素子は、前記第1のビット線側に配置され、前記スイッチ素子は、前記第2のビット線側に配置される請求項11又は12に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記セルユニットは、前記第1の磁気抵抗効果素子に直列接続されるスイッチ素子を備え、前記第1の磁気抵抗効果素子は、前記第2のビット線側に配置され、前記スイッチ素子は、前記第1のビット線側に配置される請求項11又は12に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記第1の電位は、接地電位であり、前記第2の電位は、電源電位である請求項1又は11に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記第1の電位は、電源電位であり、前記第2の電位は、接地電位である請求項2又は12に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
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