JP5439459B2 - 太陽電池における有害な分極の防止 - Google Patents
太陽電池における有害な分極の防止 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5439459B2 JP5439459B2 JP2011243477A JP2011243477A JP5439459B2 JP 5439459 B2 JP5439459 B2 JP 5439459B2 JP 2011243477 A JP2011243477 A JP 2011243477A JP 2011243477 A JP2011243477 A JP 2011243477A JP 5439459 B2 JP5439459 B2 JP 5439459B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- solar
- series
- solar cells
- front side
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000010287 polarization Effects 0.000 title description 8
- 230000002265 prevention Effects 0.000 title 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 39
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 29
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 22
- 230000034964 establishment of cell polarity Effects 0.000 claims description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 20
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 69
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 47
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 5
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/049—Protective back sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J3/00—Circuit arrangements for ac mains or ac distribution networks
- H02J3/38—Arrangements for parallely feeding a single network by two or more generators, converters or transformers
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S30/00—Structural details of PV modules other than those related to light conversion
- H02S30/10—Frame structures
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
- H02S40/30—Electrical components
- H02S40/32—Electrical components comprising DC/AC inverter means associated with the PV module itself, e.g. AC modules
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
- H02S40/30—Electrical components
- H02S40/36—Electrical components characterised by special electrical interconnection means between two or more PV modules, e.g. electrical module-to-module connection
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B10/00—Integration of renewable energy sources in buildings
- Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/56—Power conversion systems, e.g. maximum power point trackers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Description
本発明は、一般に太陽電池に関し、特に、太陽電池の構造、モジュール、製造、及びフ
ィールド設置に関する(但しこれらに限定されない)。
本出願は、2005年3月3日にファイリングされた米国特許仮出願第60/658,706
の利益を請求し、その仮出願全体が参照によって本明細書内に組み込まれる。
太陽電池(ソーラーセル)は、太陽放射を電気的エネルギーに変換するための周知のデ
バイスである。半導体処理技術を用いて、半導体ウェーハ上にそれらを製造することがで
きる。一般的にいえば、p型領域とn型領域とを1つのシリコン基板内に形成することに
より、太陽電池を製造することができる。各近傍のp型領域とn型領域とは、pn接合を
形成する。太陽電池上に当る太陽放射が、電子と正孔とを生じさせ、それらがp型及びn
型領域に移動し、それにより、pn接合間に電位差が生じる。裏面コンタクト太陽電池内
において、p型領域とn型領域とが、該太陽電池の裏面上の金属コンタクトに結合され、
それにより、外部電子回路又はデバイスが、該太陽電池に結合されることが可能となり、
該太陽電池によって電力供給されることが可能となる。裏面コンタクト太陽電池はまた、
米国特許第5,053,083号、及び第4,927,770号において開示されており
、それら特許は両方とも、その全体が参照によって本明細書内に組み込まれる。
電池アレイを、保護層を含む太陽電池モジュール内へとパッケージ化することができ、そ
れにより、該太陽電池アレイが、環境条件に対する耐性ができ、フィールド内において使
用されることが可能となる。防止策がとられない場合には、太陽電池が、フィールド内に
おいて極度に分極されることになる可能性があり、それにより、出力電力が低減させられ
る可能性がある。太陽電池における有害な分極を防止するための技法が、本明細書内にお
いて開示される。
一実施形態において、太陽電池の前面側からウェーハのバルクに電荷を抜き出す(ブリ
ードする)導電経路を提供することによって、有害な太陽電池分極が防止されるか又は最
小化される。該導電経路には、例えば、誘電性パッシベーション層内か、導電性反射防止
コーティング内か、又は反射防止コーティングの表面上又は底面上に形成された導電性材
料の層内におけるパターン化された正孔を含めることができる。有害な太陽電池分極を、
該太陽電池の前面側上の太陽電池モジュールの領域をバイアスさせることによって防止す
ることもまた可能である。
を読み解くことで当業者にとって容易に明らかになるであろう。
に注釈がつけられない限り、図面は必ずしも一定の縮尺に従っているとは限らない。
本発明の開示において、本発明の実施例の完全な理解を提供するために、装置、構成要
素、及び方法、の例のような、多くの特定の詳細部が提供されている。しかしながら、1
つか又は複数のその特定の詳細部がなくても、本発明を実施することができることが、当
業者であれば認識されるであろう。他の例において、本発明の態様を不明瞭にすることを
避けるため、周知の詳細部が示されてないか又は説明されていない。
ジュール100の分解図が示されている。このような太陽電池モジュールはまた、2003年
8月1日にファイリングされた、共通に譲渡された米国特許出願第10/633,188内
において開示されている。しかしながら、本発明の実施形態がまた他の太陽電池モジュー
ルに対しても適用可能であることにも留意されたい。
料103(すなわち、103−1、103−2)と、相互接続された太陽電池200を含
む太陽電池アレイ110と、裏面シート102とを含む。太陽電池モジュール100は、
典型的には、屋根か、又は発電局による等の据え置き型の用途において使用される点で、
いわゆる「地球上の太陽電池モジュール」である。従って、太陽電池モジュール100は
、太陽に向いている透過性カバー104と共に設置される。一実施形態において、透過性
カバー104は、ガラスを含む。太陽電池200の前面側は、透過性カバー104を介し
て太陽の方に向いている。カプセル材料103は、太陽電池200、カバー104、及び
裏面シート102を相互リンクさせ及び結合させて、保護パッケージを形成する。一実施
形態において、カプセル材料103は、ポリエチル酢酸ビニル(「EVA」)を含む。
に取り付けられている。一実施形態において、裏面シート102は、Madico社によ
るTedlar/ポリエステル/EVA(「TPE」)を含む。該TPEにおいて、Te
dlarは、環境に対する保護を行う最も外側の層であり、該ポリエステルは、追加的な
電気的絶縁を提供し、該EVAは、カプセル材料103−1に対する粘着性を促進させる
相互リンクされない薄い層である。裏面シート703として使用されるためのTPEの代
替は、例えば、Tedlar/ポリエステル/Tedlar(「TPT」)を含む。
るために例示的な材料と共に、注釈が付されている。しかしながら、本発明の利点を損な
うことなく、他の材料を用いることもまた可能であることにも留意されたい。本開示の目
的のために、太陽電池の前面側は、ウェーハ203の前面側上に(すなわち、パッシベー
ション層202からカバー104に向かって)、材料、構成要素、及び機能を含むが、太
陽電池の裏面側は、ウェーハ203の裏面上に(すなわち、ドープされた領域204から
裏面シート102に向かって)、材料、構成要素、及び機能を含む。太陽電池200の前
面側上の材料は、通常動作中に、太陽に向けられるよう構成される。太陽電池200の前
面側上の材料は、本質的に透過性であるか、又は太陽放射が通過して照らされることが可
能な厚みである。
ウェーハを含む。前面側拡散領域207が、ウェーハ203のシリコン内にあることを示
すために、ダッシュ線によって図式的に分離されている。図2の例において、二酸化ケイ
素を含む誘電性パッシベーション層202は、ウェーハ203の前面側上に形成されてい
る。反射防止コーティング(「ARC」)201は、誘電性パッシベーション層202の
上に形成されている。一実施形態において、反射防止コーティング201は、プラズマ化
学気相成長法(PECVD)によって約400オングストロームの厚みに形成された窒化
シリコンを含む。一実施形態において、前記パッシベーション層202は、約200オン
グストロームの厚みに形成された二酸化シリコンを含む。前記パッシベーション層202
を、高温酸化によって、ウェーハ203の表面上に直接的に成長させることができる。
クション)として機能するp型ドープされた(「P+」)及びn型ドープされた(「N+
」)領域204が、ウェーハ203内において形成されている。p型及びn型ドープされ
た領域204を、本発明の利点を損なうことなく、ウェーハ203の裏面側上に形成され
た層内のような、ウェーハ203の外部に形成することもできる。金属コンタクト206
は、太陽電池200の裏面側上に形成されており、対応するp型ドープされたか又はn型
ドープされた収集領域に各金属コンタクト206が結合されている。酸化物層205がパ
ターン形成されることによって、ドープされた領域204に、金属コンタクト206が接
続されることが可能になる。典型的には、太陽電池アレイ110内の他の太陽電池200
の金属コンタクトに金属コンタクト206が接続される。金属コンタクト206によって
、外部回路又はデバイスが、太陽電池モジュール100からの電流を受けることが可能と
なる。太陽電池200は、その収集領域に対する全ての電気的接続が太陽電池の裏面側に
形成されている点において、裏面側コンタクト太陽電池である。
、及びカバー104によって保護されている。フレーム211が、太陽電池200とその
保護層とを取り囲んでいる。ある条件下において、太陽電池モジュール100の出力電力
生成能力が、実質的には低減される可能性がある。例えば、有利な電流流動方向における
高電圧によって太陽電池100をバイアスさせることによって、太陽電池100がその元
の条件に回復されることが可能であるということから、出力電力におけるこの低減を、元
に戻すことができる。矢印212によって示されるように太陽電池200の前面側からフ
レーム211に電荷が漏れた時に分極状態になる太陽電池200に、この出力電力低減が
起因するということを発明者は確信している。一例において、正の電荷キャリアが、太陽
電池200の前面側から漏れ、それにより、反射防止コーティング201の表面が負に帯
電されたままとなる。反射防止コーティング201の表面上のその負の帯電が、正に帯電
された、光生成された正孔を引き寄せる。該光生成された正孔のうちの幾つかは、ドープ
された収集領域において収集される代りに、n型シリコンウェーハ203内において電子
と再結合される。
性パッシベーション層202と前面側拡散領域207との間の境界面に対して、電子が反
発され、正孔が引き寄せられるような電界極性を誘電性パッシベーション層202が有す
る時に、すなわち、誘電性パッシベーション層202の電位が、前面側拡散領域207の
電位よりも低い時に、有害な分極が発生する可能性がある。太陽電池200が、アースに
対して正の電圧において動作させられる時には、フィールド動作中、このことが生じるこ
ととなる。別の実施形態において、太陽電池が、n型前面側拡散領域を有する場合には、
太陽電池が、フィールド内においてアースに対して負にバイアスさせられる時に(すなわ
ち、より負になる(よりマイナスになる))時に、有害な太陽電池分極が生じる可能性が
ある。周知なように、p型シリコンウェーハをドープして、n型前面側拡散領域を得るこ
とができる。同様に、n型シリコンウェーハをドープして、p型前面側拡散領域を得るこ
とができる。前記例の太陽電池200は、n型シリコンウェーハ内にn型前面側拡散領域
を有しているが、本発明の教示を、他のタイプの太陽電池基板に構成することもできる。
を概略的に示す。図3Aのモデルにおいて、太陽電池にか又は太陽電池から、電流がガラ
ス(例えば、カバー104)の前面を通じて電流が流れ、該電流は、太陽電池の裏面側表
面への分路によって漏れている。抵抗Rglは、窒化ARC(例えば、反射防止コーティ
ング201)からガラス前面への漏れ抵抗を表し、抵抗Rshは、窒化ARCから太陽電
池の裏面までの前記分路の漏れである。実際には 太陽電池間に生じる分散された電圧が
存在することになり、該電圧は、そのエッジにおける低電圧において開始し、その中間に
向かって増加する。任意の場合において、窒化ARCからシリコンウェーハまでの電圧は
、酸化膜破壊電圧(酸化物ブレークダウン電圧)を超えるべきではない。図3A及び3B
において、キャパシタンス「C」は、誘電体として機能する酸化物パッシベーション層(
例えば、誘電性パッシベーション層202)と、第1のコンデンサプレートとして機能す
る窒化ARCと、第2のコンデンサプレートとして機能するシリコンウェーハとを含むコ
ンデンサを表す。
この分析の目的のために、その電圧は、太陽電池の裏面側に対して基準にされる。この回
路に対する過渡解は、開始ゲート電圧が零であると仮定すると、式EQ.1によって示さ
れる。
は表し、該前面EVAカプセル材料は、金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタのゲー
トのように振舞う。該MOSトランジスタのゲート酸化物は、酸化物誘電性パッシベーシ
ョン層である。上述のように、キャパシタンス「C」は、窒化ARC、酸化物パッシベー
ション層、及びシリコンウェーハによって形成されたコンデンサを表す。
していくことになり、電圧VTに到達し、そのことが、式EQ.2によって表された劣化
時間tdegの後に、ある劣化量を生じさせる。
になる。このことは、紫外線が窒化ARCからシリコンウェーハへと電子を注入する比率
が、捕捉された電子の密度に比例するということを仮定することによって理解することが
できる。しかしながら、コンデンサ「C」間の電圧(図3Bを参照)は、前記捕捉された
電荷に比例するため、その電流がゲートコンデンサ上の電圧に(すなわち、抵抗のように
)比例する。この抵抗が、他の分路と比較して(効果を得るために必要であるだけ)小さ
いと仮定すると、光における回復時間trec,lightは、式EQ.6によって提供
される。
される紫外線にとって必要な条件を、計算することができる。このことは、EQ.7によ
って提供される条件が満足される必要がある。
においてバイアスされない時に、太陽光線内においてモジュール太陽電池モジュールが回
復する場合には、その提供されるバイアスによって太陽光線内において該モジュールが安
定することになる。
ックにおける垂直の導電率を増加させることによって、有害な太陽電池分極が、防止され
るか又は最小化される。これらの実施形態において、太陽電池の前面側からウェーハのバ
ルクへと電荷が抜き出される。これらの実施形態が、図4A及び図4Bに関連して、次に
説明される。
池200Aは、図2に示される太陽電池200のある特定の実施形態である。パッシベー
ション層202として非常に薄い酸化物(すなわち、二酸化ケイ素)の層202Aを用い
ていることと、反射防止コーティング201として反射防止コーティング201Aを用い
ていることとを除いて、太陽電池200Aは太陽電池200と同等である。図4Aの例に
おいて、反射防止コーティング201Aは、約400オングストロームの厚みを有する炭
化シリコンを含むことができ、ウェーハ203は、N型シリコンウェーハを含む。薄い酸
化物層202Aは、好適には、電荷増加を防ぐために、該ウェーハのバルクに電荷を抜き
出すのに十分なほど薄く、これにより、該電荷増加が比較的高電圧に発展した時に、酸化
破壊(酸化物ブレークダウン)が発生する。その薄い酸化物層202Aを、ウェーハ20
3上において直接的に形成することができる。一実施形態において、薄い酸化物層202
Aは、脱イオン水内において浮遊させられたオゾンを含む槽内に該ウェーハ203を浸す
ことを含むオゾン酸化処理を用いて、約10オングストローム〜20オングストロームの
厚みに形成される。
池200Bは、図2に示される太陽電池200のある特定の実施形態である。パターン成
形された誘電性パッシベーション層202Bをパッシベーションレベル202として用い
ていることを除いて、太陽電池200Bは太陽電池200と同等である。図4Bの例にお
いて、パッシベーション層202Bは二酸化ケイ素を含み、反射防止コーティング201
は窒化シリコンを含み、ウェーハ203はN型シリコンウェーハを含む。図4Bに示され
るように、パッシベーション層202Bは、正孔を有するようにパターン成形されており
、それにより、窒化シリコン反射防止コーティング201がシリコンウェーハ203に接
触することが可能となる。このことにより、反射防止コーティング201上の電荷が、酸
化物パッシベーション層202B内の前記パターン成形された正孔を介して、ウェーハ2
03のバルクに抜き出されることが可能となる。パッシベーション層202B内の各正孔
を、従来のリソグラフィ処理を用いて形成することができ、利用可能なリソグラフィ装置
に許されるほどに小さくすることができる。前記パターン成形される正孔を、例えば、約
0.1mmから約2.0mmだけ互いに隔離することができる。穴が開けられたパッシベ
ーション層202Bは、反射防止コーティング201内において電荷が増加するのを防止
することによって、太陽電池分極を有利に防止する。
、太陽電池分極を防止するために増加させられる。パッシベーション層はそれら全体で固
有の欠乏(すなわち、もともと形成された正孔)を有するため、蓄積された電荷を該欠乏
を通じてウェーハのバルクに抜き出させることが、導電性反射防止コーティングにとって
可能である。しかしながら、幾つかの太陽電池反射防止コーティングは、このことを生じ
させるのに十分なほどには導電性がない可能性がある。従って、幾つかの実施形態におい
て、反射防止コーティングに接触させるために導電層は水平方向に形成される。これによ
り、該導電層とパッシベーション層内の固有の欠乏とを介して、反射防止コーティングか
らウェーハのバルクに電荷が抜き出されることが可能となる。他の実施形態において、反
射防止コーティングは、それ自体が十分に導電性を有する。これらの実施形態が、図5A
〜5Dに関連して、次に説明される。
池200Cは、図2に示される太陽電池200のある特定の実施形態である。透過性の導
電性コーティング501が、反射防止コーティング201の表面上に形成されていること
を除いて、太陽電池200Cは太陽電池200と同等である。図5Aの例において、パッ
シベーション層202は二酸化ケイ素を含み、反射防止コーティング201は窒化シリコ
ンを含み、ウェーハ203はN型シリコンウェーハを含む。一実施形態において、透過性
の導電性コーティング501は、PEDOT/PSS(Baytron−P)コーティン
グのような導電性の有機性コーティングを含む。透過性の導電性コーティング501を、
反射防止コーティング201上に直接的に、噴霧するか又はスクリーン印刷することがで
きる。透過性の導電性コーティング501を、例えば、約100オングストロームの厚み
に形成することができる。透過性の導電性コーティング501を、カプセル化の直前に、
太陽電池の製造プロセス内の最終ステップとして、太陽電池200に提供することができ
る。
ン内の電荷は、パッシベーション層202内の固有の欠乏に到達するには不十分な短距離
しか伝搬することができない。透過性の導電性コーティング501によって、反射防止コ
ーティング201内の電荷が、パッシベーション層202内の固有の欠乏に到達するのに
十分な距離を伝搬することができ、ウェーハ203のバルクに抜き出されることができる
。
池200Dは、図2に示される太陽電池200のある特定の実施形態である。導電性反射
防止コーティング(ARC)201Bが反射防止コーティング201として用いられるこ
とを除いて、太陽電池200Dは太陽電池200と同等である。図5Bの例において、パ
ッシベーション層202は二酸化ケイ素を含み、ウェーハ203はN型シリコンウェーハ
を含む。導電性ARC201Bは、その中に電荷が蓄積されることが防止されることによ
り、太陽電池分極を有利に最小化する。前記導電性ARC201B内の電荷は、パッシベ
ーション層202内の固有の欠乏を介して、ウェーハのバルクに抜き出されることが可能
である。
ともと導電性の(すなわち、不純物を追加することなく導電性である)反射防止コーティ
ングを含む。
る非導電性の反射防止材料を含む。このようにすることの1つの方法は、パッシベーショ
ン層202上における反射防止材料の形成中に、金属ガス源から金属不純物を追加するこ
とによる。例えば、前記導電性ARC201Bは、フッ素がドープされた酸化スズ(Sn
O:F)か、ホウ素がドープされた酸化亜鉛(ZnO:B)か、或いはリンがドープされ
た炭化シリコン(SiC:P)又はホウ素がドープされた炭化シリコン(SiC:B)を
含むことができる。ある特定の例として、蒸着中でのリン化水素ガス(PH3)か又はシ
ボランガス(B2H6)の追加による炭化シリコン(SiC)のプラズマ化学気相成長法
(PECVD)によって約400オングストロームの厚みに導電性ARC201Bを形成
することができる。
池200Eは、図2に示される太陽電池200のある特定の実施形態である。透過性の導
電層502が反射防止コーティング201の上に形成されていることを除いて、太陽電池
200Eは太陽電池200と同等である。図5Cの例において、パッシベーション層20
2は二酸化ケイ素を含み、反射防止コーティング201は窒化シリコンを含み、シリコン
ウェーハ203はN型ウェーハを含む。太陽電池200C導電性コーティング501(図
5A)のように、透過性の導電層502によって、反射防止コーティング201内の電荷
が、パッシベーション層202内における固有の欠乏に到達するのに十分な距離を伝搬す
ることが可能となり、ウェーハ203のバルクに抜き出されることが可能となる。
ティング201の上に直接蒸着されることが可能である。透過性の導電層502は、約2
00オングストロームの厚みが形成された、フッ素がドープされた酸化スズ(SnO:F
)か、ホウ素がドープされた酸化亜鉛(ZnO:B)か、或いはリンがドープされた炭化
シリコン(SiC:P)又はホウ素がドープされた炭化シリコン(SiC:B)のような
、透過性の導電性酸化物を含むことができる。
池200Fは、図2に示される太陽電池200のある特定の実施形態である。パッシベー
ション層202と反射防止コーティング201との間に比較的薄い(例えば、約200オ
ングストロームの)導電層503が形成されていることを除いて、太陽電池200Fは太
陽電池200と同等である。図5Dの例において、パッシベーション層202は二酸化ケ
イ素を含み、反射防止コーティング201は窒化シリコンを含み、シリコンウェーハ20
3はN型ウェーハを含む。前記薄い導電層503によって、電荷が、反射防止コーティン
グ201から該薄い導電層503へ、及びウェーハ203のバルクへと、パッシベーショ
ン層202内の固有の欠乏を介して抜き出されることが可能となる。一実施形態において
、導電層503は、パッシベーション層202の表面上に直接的に約200オングストロ
ームの厚みに形成されたポリシリコンを含む。反射防止コーティング201を、導電層5
03の表面上に直接形成することができる。導電層503を、反射防止コーティング20
1の形成と共にPECVD及びプロセスが生じる場所(すなわち、同じチャンバ内か又は
1ローディング内のクラスタツール)によって、形成することができる。導電層503は
また、フッ素がドープされた酸化スズ(SnO:F)か、ホウ素がドープされた酸化亜鉛
(ZnO:B)か、或いは約200オングストロームの厚みが形成された、リンがドープ
された炭化シリコン(SiC:P)又はホウ素がドープされた炭化シリコン(SiC:B
)を含むことができる。
が増加させられて、有害な太陽電池分極が防止される。このことは、図3Bのモデル内の
分路抵抗Rshを下げることと等価である。他の実施形態において、太陽電池の前面側か
らモジュールの残りまでの、透過性カバーを介した抵抗が増加させられて、電荷漏れが防
止される。このことは、図3Bのモデル内の抵抗Rglを増加させることと等価である。
太陽電池の前面側から太陽電池モジュールの残りまでの抵抗を、図6に関連して次に説明
されるように、電荷漏れ経路を遮断することによって増加させることができる。
200Gは、図2に示される太陽電池200のある特定の実施形態である。透過性の電気
的絶縁体層691が反射防止コーティング201上にわたって形成されていることを除い
て、太陽電池200Gは太陽電池200と同等である。図6の例において、パッシベーシ
ョン層202は二酸化ケイ素を含み、反射防止コーティング201は窒化シリコンを含み
、シリコンウェーハ203はN型ウェーハを含む。前記電気的絶縁体層691が、反射防
止コーティング201上にわたって形成されて、太陽電池200Gの前面側からカバー1
04に向って電荷が漏れ出ることが防止されることにより(図2を参照)太陽電池分極が
防止されている。一実施形態において、前記電気的絶縁体層691は、常圧化学的気相堆
積法(APCVD)によって約0.1〜1.0μmの厚みに形成された二酸化ケイ素(S
iO2)を含む。
の太陽電池モジュールの、ある領域を、バイアスさせることによって防止することもでき
る。
陽電池モジュール100Aは、図2に示される太陽電池モジュール100のある特定の実
施形態である。幾つかの太陽電池200が、それらの相互接続200と共に、図7A内に
示されている。相互接続200が、一方の太陽電池を他方の太陽電池に直列に接続してい
る。有害な漏れ電流を防ぐためにセルの前におけるモジュールの一部分の電位を引き上げ
るために(すなわち、n型セルモジュールの場合には30Vより上にか、30Vにか、又
は30V内において)、電気的な導電性経路が追加されていることを除いて、太陽電池モ
ジュール100Aは太陽電池モジュール100と本質的には同じである。一実施形態にお
いて、導電性経路は、透過性カバー104(例えば、ガラス)の裏面上に透過性導電層6
84を配置して、該透過性導電層684を太陽電池200の裏面上に接続することによっ
て形成される。図7Aの例において、導電層684は、1つの相互接続682に電気的に
接続され、電気的接続683を介して太陽電池200の裏面側に接続される。図7Aの例
において、相互接続200に接続されることになる導電層684にとっての好適実施形態
は、すなわち、該導電層684が、n型前面側拡散領域を有するセルについてのアレイ内
の最も高い(すなわち、最も正の)か又は最も高い電位付近の太陽電池200に接続され
、及び、p型前面側拡散領域を有するセルについてのアレイ内の最も低い(すなわち、最
も負の)か又は最も負の電位付近の太陽電池200に接続される。高電圧がモジュール外
にある場合の、安全でない条件を防止するために、太陽電池モジュール100Aのフレー
ムから導電層684は絶縁される。導電層684は、フッ素がドープされた酸化スズ(S
nO:F)か、酸化インジウムスズ(ITO)か、酸化亜鉛(ZnO)か、或いは他の透
過性の酸化物か又は透過性の有機性伝導物を含むことができる。好適実施形態において、
この導電層は、約5e4オーム/平方のシート抵抗を有する。裏面シート102が、前述
のようにカプセル材料103の底面上に形成されている。代替の一実施形態において、カ
プセル材料103が、導電性にさせられて、太陽電池200の上の等ポテンシャルフィー
ルドの付近を形成する。すなわち、モジュールのエッジにおけるカプセル材料が、電気的
に絶縁のままとなって、高電圧がモジュール外にある場合の、安全でない条件が防止され
る。
するために、太陽エネルギーシステム全体が考慮される。例えば、太陽電池モジュールの
アレイを、バイアスさせることができる。これにより、太陽電池の前面側から伝搬される
電荷の漏れが防止される。太陽電池分極問題に対する、例示的なシステムレベルのアプロ
ーチが、図7B及び7Cに関連して、次に説明される。
図7Bの例において、太陽電池モジュールアレイ630は、相互接続された太陽電池20
0を含む幾つかの太陽電池モジュールを有する。太陽電池モジュールアレイ630の正の
出力端子が、ノード616としてラベル付けられている一方で、その負の出力端子が、ノ
ード617としてラベル付けられている。図7Bの例において、太陽電池200は、それ
らの正の端子がノード616に向うように、及びそれらの負の端子がノード617に向う
ように、直列接続されている。図7B内に示される直列接続に並列に、他の直列接続され
た太陽電池200を存在させることもできる。
れている。インバータは、直流電流(DC)を交流電流(AC)に変換する。太陽エネル
ギーシステム790において、インバータ600は、太陽電池モジュールアレイ630か
らの直流電流を受けて、電力グリッドに交流電流を出力する。図7B内において示される
ように、DC−DC変換器601が、太陽電池モジュールアレイ630からの直流電流を
別の直流電流に変換する。DC−DC変換器601の直流電流出力は、DC−AC変換器
602によって交流電流に変換される。DC−AC変換器602の交流電流出力は、絶縁
回路603を介して電力グリッドに提供される。代替的には、絶縁回路603は、DC−
DC変換器601とDC−AC変換器602との間において直列接続とすることもできる
。
は接地される。該太陽エネルギーシステム790に類似するシステムを、北米及び日本と
他の国々との間において用いることができる。太陽電池モジュールアレイ630内におけ
る全ての太陽電池モジュールのフレームを表すフレーム614がまた、ラベル611によ
って示されるように接地される。太陽電池モジュールアレイ630の正の端子と、フレー
ム614とを接地することは、太陽電池200とフレーム614との間の電位差を低減し
て、太陽電池200の前面側からの漏れを最小化する。太陽電池モジュールアレイ630
の正の端子を、インバータ600内においてか、又はインバータ600の外側において、
アースに結合することができる。
は、太陽電池200が、アースに対して正にバイアスさせられることになるため、有害な
太陽電池分極が生じる。有害な分極を防止するためには、太陽電池モジュールアレイ63
0の最も高い電位か又は最も高い電位付近(この場合にはノード616)が、従って、ア
ースに結合される。別の実施形態において、太陽電池がp型前面側拡散領域を有する場合
には、アースに対して太陽電池が負にバイアスされる時に、有害な分極が生じる可能性が
ある。この場合には、アレイ内における最も低い電位か又は最も低い電位付近の太陽電池
(例えば、太陽電池モジュールアレイの負の出力端子)を、アースに結合して、有害な太
陽電池分極を防止することができる。
図7Cの例において、太陽電池モジュールアレイ630は、幾つかの相互接続された太陽
電池200を含む幾つかの太陽電池モジュールを有する。太陽電池モジュールアレイ63
0の正の出力端子が、ノード616としてラベル付けられている一方で、その負の出力端
子が、ノード617としてラベル付けられている。図7Cの例において、太陽電池200
は、それらの正の端子がノード616に向うように、及びそれらの負の端子がノード61
7に向うように、直列接続されている。図7C内に示される直列接続に並列に、他の直列
接続された太陽電池200を存在させることもできる。
れている。インバータ650は、太陽電池モジュールアレイ630からの直流電流を受け
て、電力グリッドに対して交流電流を出力する。図7C内において示されているように、
DC−DC変換器651は、太陽電池モジュールアレイ630からの直流電流を、別の直
流電流に変換する。DC−DC変換器651の直流電流出力は、絶縁回路653によって
、DC−AC変換器652に結合される。DC−AC変換器652の交流電流出力は、電
力グリッドに提供される。代替的には、絶縁回路653を、DC−AC変換器652の出
力に配置して、電力グリッドに対してAC出力を提供することができる。太陽エネルギー
システム795に類似するシステムを、欧州の国々の大部分、連合王国、及び他の国々の
ようなIECレギュレーションによってカバーされる国々内において用いることができる
。
アレイ630の総電圧の値の+/−1/2(すなわちプラス/マイナス・半分)の値に平
衡がとられる。すなわち、ノード616における電圧は、理想的には、太陽電池モジュー
ルアレイ630の総電圧の+1/2である一方、ノード617における電圧は、理想的に
は、太陽電池モジュールアレイ630の総電圧の−1/2である。抵抗器672及び67
3は、太陽電池モジュールアレイ630の出力を、接地点付近において平衡させる高い値
の抵抗器(又はバリスタ)である。実際には、平衡抵抗器672と673とが、高抵抗(
例えば、各々約10MΩ)を有するので、太陽電池モジュールアレイ630の出力が、ほ
ぼ平衡がとられるだけである。
ならば、抵抗器617が存在せず、太陽電池モジュールアレイ630の出力と電力グリッ
ドに対するAC出力との間において、インバータ650がDC−DC絶縁を有するからで
ある。しかしながら、そのような実装が、太陽電池200の有害な分極を生じさせること
になることを、本発明者は発見した。一実施形態において、太陽電池モジュールアレイ6
30の正の端子は、抵抗器671を介してアースに結合される。抵抗器671は、本発明
の利点を損なうこと無く、固定されるか、可変されるか、又は電気的に制御される抵抗と
することができる。抵抗器671は、太陽電池モジュールアレイ630を、その出力の正
の側近くにバイアスさせて、正の電荷が、太陽電池200の前面側から漏れることが防止
される。換言すると、抵抗器671は、太陽電池モジュールアレイ630の出力を、正の
方向に「不平衡」にさせて、太陽電池分極を防止する。同様に、太陽電池200の前面側
から漏れる(正の電荷でなく)電子によって太陽電池分極が生じられた場合には、ノード
617を(ノード616の代りに)、抵抗器671を介してアースに接続して、太陽電池
モジュールアレイ630を、その負の出力に向ってバイアスさせることができる。抵抗器
671は、平衡抵抗器(すなわち、抵抗器672か又は673)の値の約1/10th以
下の抵抗を有することができる。太陽電池モジュールアレイ630の、平衡がとられた出
力を、漏れる電荷キャリア(すなわち、電子か又は正孔)極性に依存して、正か又は負の
方向に向って、インバータが不平衡にさせるように、インバータ650がまた構成される
ことに留意されたい。例えば、抵抗器672の値を、抵抗器673に対して増加させて、
抵抗器671を用いることなく、太陽電池モジュールアレイ630の出力を不平衡にさせ
ることができる。
、条件に依存して異なる抵抗値に切り換えることによって電子回路により制御することが
できる。このような電子回路は、例えば、雨が降っている時のような、太陽電池モジュー
ルアレイ抵抗がアースレベルに低減された時の、より低い抵抗が必要とされる場合を検出
するセンサーを有することができる。
は、太陽電池200がアースに対して正にバイアスさせられることになるため、有害な太
陽電池分極が生じる。有害な分極を防止するためには、太陽電池モジュールアレイ630
における最も高い電位か又は最も高い電位付近が(この場合には、ノード616)が、従
って、抵抗(例えば、抵抗器671)を介してアースに結合される。別の実施形態におい
て、太陽電池がp型前面側拡散領域を有する場合には、太陽電池がアースに対して負にバ
イアスされることになる時に、有害な分極が生じる可能性がある。この場合には、アレイ
内における最も低い電位か又は最も低い電位付近の太陽電池(例えば、太陽電池モジュー
ルアレイの負の出力端子)を、抵抗を介してアースに結合して、有害な太陽電池分極を防
止することができる。
供されたが、これらの実施形態は例示する目的のためであり、制限するためではないこと
を理解されたい。この開示を読み解く当業者によって、多くの更なる実施形態が明らかに
されるであろう。
Claims (13)
- a)直列に接続された複数の太陽電池であって、前記複数の太陽電池のうちの少なくとも1つの太陽電池が、前面側と裏面側とを有し、通常動作中、前記太陽電池の前記前面側が太陽に面しており、前記太陽電池が、
(i)前記太陽電池の裏面側上に形成された複数の金属コンタクトであって、前記複数の金属コンタクトの各々が、前記太陽電池内における、対応するp型ドープされたか又はn型ドープされた収集領域に結合されている、複数の金属コンタクトと、
(ii)前記太陽電池の前記前面側に面しているシリコンウェーハの表面上に直接的に形成された誘電性パッシベーション層と、
(iii)前記誘電性パッシベーション層上に形成された反射防止コーティング
とを含む、太陽電池と、
b)前記複数の太陽電池を保護するように覆うカプセル材料と、
c)前記複数の太陽電池の前記前面側上の透過性カバーと、
d)前記透過性カバーと、直列に接続された前記複数の太陽電池の前記前面側との間の導電層であって、太陽電池分極を防止するために、前記太陽電池の前記裏面側上の前記複数の金属コンタクトに電気的に結合されている、導電層
とを備える、太陽電池モジュール。 - 直列に接続された前記複数の太陽電池の各々は、n型前面側拡散領域またはp型前面側拡散領域を有し、
前記導電層は、
直列に接続された前記複数の太陽電池の各々がn型前面側拡散領域を有する場合に、直列に接続された前記複数の太陽電池のうちの最も高い電位の太陽電池または最も高い電位付近の太陽電池に接続され、
直列に接続された前記複数の太陽電池の各々がp型前面側拡散領域を有する場合に、直列に接続された前記複数の太陽電池のうちの最も低い電位の太陽電池または最も低い電位付近の太陽電池に接続される、請求項1に記載の太陽電池モジュール。 - 前記透過性カバーが、ガラスを含む、請求項1または2に記載の太陽電池モジュール。
- 前記太陽電池が、n型前面側拡散領域を有し、前記太陽電池が、前記複数の太陽電池内における最も低い電位の太陽電池よりも、より正である電位にある、請求項1に記載の太陽電池モジュール。
- 太陽電池モジュールであって、
透過性カバーと、
直列に接続された複数の太陽電池と、
直列に接続された前記複数の太陽電池と前記透過性カバーとの間に配置され、前記太陽電池モジュールのフレームから絶縁され、直列に接続された前記複数の太陽電池のそれぞれの裏面側上に形成された複数の金属コンタクトに電気的に接続された透過性導電層と、
を備える太陽電池モジュール。 - 前記透過性導電層は、導電性の酸化物を備える請求項5に記載の太陽電池モジュール。
- 前記透過性導電層は、酸化スズ、フッ素がドープされた酸化物、または酸化亜鉛を備える請求項6に記載の太陽電池モジュール。
- 前記透過性導電層は、前記透過性カバーの裏面上に配置されている請求項5から7のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
- 直列に接続された前記複数の太陽電池の各々は、n型前面側拡散領域を有し、
前記透過性導電層は、直列に接続された前記複数の太陽電池のうち、最も高い電位の太陽電池または最も高い電位付近の太陽電池に電気的に接続されている請求項5から8のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。 - 直列に接続された前記複数の太陽電池の各々は、p型前面側拡散領域を有し、
前記透過性導電層は、直列に接続された前記複数の太陽電池のうち、最も低い電位の太陽電池または最も低い電位付近の太陽電池に電気的に接続されている請求項5から8のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。 - 直列に接続された前記複数の太陽電池を包む導電性のカプセル材料を更に備える請求項5から10のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
- 前記透過性導電層は、直列に接続された前記複数の太陽電池内の太陽電池の裏面側に電気的に接続されている請求項5から11のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
- 直列に接続された前記複数の太陽電池は、裏面コンタクト太陽電池を備える請求項5から12のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US65870605P | 2005-03-03 | 2005-03-03 | |
US60/658,706 | 2005-03-03 | ||
US11/210,213 US7554031B2 (en) | 2005-03-03 | 2005-08-22 | Preventing harmful polarization of solar cells |
US11/210,213 | 2005-08-22 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007558005A Division JP5224444B2 (ja) | 2005-03-03 | 2006-01-20 | 太陽電池における有害な分極の防止 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012054600A JP2012054600A (ja) | 2012-03-15 |
JP5439459B2 true JP5439459B2 (ja) | 2014-03-12 |
Family
ID=36942960
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007558005A Active JP5224444B2 (ja) | 2005-03-03 | 2006-01-20 | 太陽電池における有害な分極の防止 |
JP2010291035A Active JP5570411B2 (ja) | 2005-03-03 | 2010-12-27 | 太陽電池における有害な分極の防止 |
JP2011243477A Active JP5439459B2 (ja) | 2005-03-03 | 2011-11-07 | 太陽電池における有害な分極の防止 |
JP2014069285A Active JP5806358B2 (ja) | 2005-03-03 | 2014-03-28 | 太陽電池における有害な分極の防止 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007558005A Active JP5224444B2 (ja) | 2005-03-03 | 2006-01-20 | 太陽電池における有害な分極の防止 |
JP2010291035A Active JP5570411B2 (ja) | 2005-03-03 | 2010-12-27 | 太陽電池における有害な分極の防止 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014069285A Active JP5806358B2 (ja) | 2005-03-03 | 2014-03-28 | 太陽電池における有害な分極の防止 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US7554031B2 (ja) |
EP (1) | EP1854147B1 (ja) |
JP (4) | JP5224444B2 (ja) |
KR (2) | KR100933598B1 (ja) |
CN (4) | CN102194911B (ja) |
WO (1) | WO2006096247A2 (ja) |
Families Citing this family (149)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7554031B2 (en) * | 2005-03-03 | 2009-06-30 | Sunpower Corporation | Preventing harmful polarization of solar cells |
WO2007037392A1 (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Micro Silitron Inc. | 燃料電池単位セル、燃料電池単位セルアレイ、燃料電池モジュール及び燃料電池システム |
GB2442254A (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-02 | Renewable Energy Corp Asa | Back contacted solar cell |
US20080134497A1 (en) * | 2006-12-11 | 2008-06-12 | Sunmodular, Inc. | Modular solar panels with heat exchange & methods of making thereof |
US7728219B2 (en) * | 2006-12-11 | 2010-06-01 | Sunmodular, Inc. | Photovoltaic cells, modules and methods of making same |
US20080135094A1 (en) * | 2006-12-11 | 2008-06-12 | Sunmodular, Inc. | Photovoltaic roof tiles and methods of making same |
JP2010518609A (ja) * | 2007-02-08 | 2010-05-27 | ウーシー・サンテック・パワー・カンパニー・リミテッド | ハイブリッドシリコン太陽電池及び該ハイブリッドシリコン太陽電池の製造方法 |
US8853527B2 (en) * | 2007-02-16 | 2014-10-07 | Nanogram Corporation | Solar cell structures, photovoltaic panels and corresponding processes |
US7670638B2 (en) * | 2007-05-17 | 2010-03-02 | Sunpower Corporation | Protection layer for fabricating a solar cell |
US7838062B2 (en) * | 2007-05-29 | 2010-11-23 | Sunpower Corporation | Array of small contacts for solar cell fabrication |
US8294296B2 (en) * | 2007-08-03 | 2012-10-23 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method, and apparatus for remotely coupling photovoltaic arrays |
US20090217964A1 (en) * | 2007-09-26 | 2009-09-03 | Advanced Energy Industries, Inc. | Device, system, and method for improving the efficiency of solar panels |
US20090078304A1 (en) * | 2007-09-26 | 2009-03-26 | Jack Arthur Gilmore | Photovoltaic charge abatement device, system, and method |
US8987039B2 (en) | 2007-10-12 | 2015-03-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Antireflective coatings for photovoltaic applications |
DE102007054384A1 (de) | 2007-11-14 | 2009-05-20 | Institut Für Solarenergieforschung Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle mit einer oberflächenpassivierenden Dielektrikumdoppelschicht und entsprechende Solarzelle |
US8198528B2 (en) * | 2007-12-14 | 2012-06-12 | Sunpower Corporation | Anti-reflective coating with high optical absorption layer for backside contact solar cells |
KR20090067350A (ko) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | 주성엔지니어링(주) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
WO2009098241A1 (en) * | 2008-02-05 | 2009-08-13 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Encapsulation of optoelectronic devices |
US8440903B1 (en) * | 2008-02-21 | 2013-05-14 | Stion Corporation | Method and structure for forming module using a powder coating and thermal treatment process |
US20090211627A1 (en) * | 2008-02-25 | 2009-08-27 | Suniva, Inc. | Solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation |
US8076175B2 (en) | 2008-02-25 | 2011-12-13 | Suniva, Inc. | Method for making solar cell having crystalline silicon P-N homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation |
US20090211623A1 (en) * | 2008-02-25 | 2009-08-27 | Suniva, Inc. | Solar module with solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation |
US8481357B2 (en) * | 2008-03-08 | 2013-07-09 | Crystal Solar Incorporated | Thin film solar cell with ceramic handling layer |
US20110198304A1 (en) * | 2008-05-01 | 2011-08-18 | Linus Eric Wallgren | Rack Assembly for Solar Energy Collecting Module |
US20090277503A1 (en) * | 2008-05-10 | 2009-11-12 | Solfocus, Inc. | Solar Cell with Current Blocking Layer |
US7851698B2 (en) * | 2008-06-12 | 2010-12-14 | Sunpower Corporation | Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions |
US8049097B2 (en) * | 2008-08-11 | 2011-11-01 | General Electric Company | Solar cell including cooling channels and method for fabrication |
EP2332177A4 (en) * | 2008-09-29 | 2012-12-26 | Thinsilicon Corp | MONOLITHICALLY INTEGRATED SOLAR MODULE |
US20100108134A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Crystal Solar, Inc. | Thin two sided single crystal solar cell and manufacturing process thereof |
US20100108130A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Crystal Solar, Inc. | Thin Interdigitated backside contact solar cell and manufacturing process thereof |
WO2010055649A1 (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-20 | 国立大学法人 九州工業大学 | 太陽電池アレイ上での持続放電抑制装置 |
JP5123830B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2013-01-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 反射防止膜、反射防止膜の製造方法、及び反射防止膜を用いた半導体装置 |
FR2939240B1 (fr) * | 2008-12-03 | 2011-02-18 | Saint Gobain | Element en couches et dispositif photovoltaique comprenant un tel element |
DE102009003467A1 (de) * | 2009-02-11 | 2010-08-19 | Q-Cells Se | Rückseitenkontaktierte Solarzelle |
WO2010091466A1 (en) * | 2009-02-11 | 2010-08-19 | Newsouth Innovations Pty Limited | Photovoltaic device structure and method |
US8258395B2 (en) | 2009-02-24 | 2012-09-04 | Sunpower Corporation | Photovoltaic module and interlocked stack of photovoltaic modules |
CN101817245B (zh) * | 2009-02-27 | 2013-06-26 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 太阳能电池组件 |
JP5377018B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2013-12-25 | 株式会社東芝 | 太陽光発電システム |
EP2432027A4 (en) * | 2009-04-30 | 2017-06-28 | Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University | Silicon solar cell comprising a carbon nanotube layer |
US20100294349A1 (en) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | Uma Srinivasan | Back contact solar cells with effective and efficient designs and corresponding patterning processes |
DE202009018068U1 (de) | 2009-06-02 | 2010-12-23 | Solon Se | Solarmodul |
CN102301496A (zh) * | 2009-06-10 | 2011-12-28 | 薄膜硅公司 | 光生伏打模块和制造具有多个半导体层堆叠的光生伏打模块的方法 |
KR101154727B1 (ko) | 2009-06-30 | 2012-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
DE102009031982A1 (de) * | 2009-07-06 | 2011-01-13 | Schott Solar Ag | Photovoltaik-Modul und Photovoltaik-Einrichtung |
US8530990B2 (en) | 2009-07-20 | 2013-09-10 | Sunpower Corporation | Optoelectronic device with heat spreader unit |
US9312697B2 (en) * | 2009-07-30 | 2016-04-12 | Tigo Energy, Inc. | System and method for addressing solar energy production capacity loss due to field buildup between cells and glass and frame assembly |
US20110030778A1 (en) * | 2009-08-06 | 2011-02-10 | Energy Focus, Inc. | Method of Passivating and Reducing Reflectance of a Photovoltaic Cell |
US8188363B2 (en) | 2009-08-07 | 2012-05-29 | Sunpower Corporation | Module level solutions to solar cell polarization |
US20110041910A1 (en) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
CN102484372B (zh) * | 2009-08-24 | 2014-06-18 | 三菱电机株式会社 | 太阳能发电用功率调节器 |
US20110048505A1 (en) | 2009-08-27 | 2011-03-03 | Gabriela Bunea | Module Level Solution to Solar Cell Polarization Using an Encapsulant with Opened UV Transmission Curve |
CN102044579B (zh) * | 2009-09-07 | 2013-12-18 | Lg电子株式会社 | 太阳能电池 |
DE202010018510U1 (de) | 2009-09-07 | 2017-03-15 | Lg Electronics Inc. | Solarzelle |
US20110056532A1 (en) * | 2009-09-09 | 2011-03-10 | Crystal Solar, Inc. | Method for manufacturing thin crystalline solar cells pre-assembled on a panel |
DE102009044052A1 (de) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | Schott Solar Ag | Kristalline Solarzelle, Verfahren zur Herstellung einer solchen sowie Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenmoduls |
DE102009044142A1 (de) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Saint-Gobain Sekurit Deutschland Gmbh & Co. Kg | Dünnschicht-Bauelement auf Glas, ein Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung |
US20110094574A1 (en) * | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Calisolar Inc. | Polarization Resistant Solar Cell Design Using SiCN |
US8304644B2 (en) | 2009-11-20 | 2012-11-06 | Sunpower Corporation | Device and method for solar power generation |
TW201140866A (en) | 2009-12-07 | 2011-11-16 | Applied Materials Inc | Method of cleaning and forming a negatively charged passivation layer over a doped region |
US8809671B2 (en) * | 2009-12-08 | 2014-08-19 | Sunpower Corporation | Optoelectronic device with bypass diode |
FR2955702B1 (fr) * | 2010-01-27 | 2012-01-27 | Commissariat Energie Atomique | Cellule photovoltaique comprenant un film mince de passivation en oxyde cristallin de silicium et procede de realisation |
JP5215330B2 (ja) | 2010-02-01 | 2013-06-19 | シャープ株式会社 | 裏面電極型太陽電池の製造方法、裏面電極型太陽電池および裏面電極型太陽電池モジュール |
US9214583B2 (en) * | 2010-03-19 | 2015-12-15 | Hirak Mitra | Method to build transparent polarizing solar cell |
US9202960B2 (en) * | 2010-03-30 | 2015-12-01 | Sunpower Corporation | Leakage pathway layer for solar cell |
JP2013524510A (ja) * | 2010-03-30 | 2013-06-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | p型拡散層の上に負荷電パッシベーション層を形成する方法 |
JP5213188B2 (ja) * | 2010-04-27 | 2013-06-19 | シャープ株式会社 | 裏面電極型太陽電池、および裏面電極型太陽電池の製造方法 |
US8211731B2 (en) | 2010-06-07 | 2012-07-03 | Sunpower Corporation | Ablation of film stacks in solar cell fabrication processes |
DE102010023262A1 (de) * | 2010-06-09 | 2011-12-15 | Danfoss Solar Inverters A/S | Solarkraftwerk mit erhöhter Lebensdauer |
DE102010017461B4 (de) * | 2010-06-18 | 2013-11-14 | Hanwha Q.CELLS GmbH | Solarzelle, Solarzellenherstellungsverfahren und Prüfverfahren |
US9911882B2 (en) | 2010-06-24 | 2018-03-06 | Sunpower Corporation | Passive flow accelerator |
US8263899B2 (en) | 2010-07-01 | 2012-09-11 | Sunpower Corporation | High throughput solar cell ablation system |
US8604404B1 (en) | 2010-07-01 | 2013-12-10 | Sunpower Corporation | Thermal tracking for solar systems |
US8377738B2 (en) | 2010-07-01 | 2013-02-19 | Sunpower Corporation | Fabrication of solar cells with counter doping prevention |
US8336539B2 (en) | 2010-08-03 | 2012-12-25 | Sunpower Corporation | Opposing row linear concentrator architecture |
US8563849B2 (en) | 2010-08-03 | 2013-10-22 | Sunpower Corporation | Diode and heat spreader for solar module |
US9897346B2 (en) | 2010-08-03 | 2018-02-20 | Sunpower Corporation | Opposing row linear concentrator architecture |
US20120048372A1 (en) * | 2010-08-25 | 2012-03-01 | Hyungseok Kim | Solar cell |
KR101275575B1 (ko) * | 2010-10-11 | 2013-06-14 | 엘지전자 주식회사 | 후면전극형 태양전지 및 이의 제조 방법 |
DE102010060463B4 (de) * | 2010-11-09 | 2013-04-25 | Sma Solar Technology Ag | Schaltungsanordnung zur Potentialeinstellung eines Photovoltaikgenerators und Photovoltaikanlage |
US9337361B2 (en) * | 2010-11-26 | 2016-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
US9246037B2 (en) | 2010-12-03 | 2016-01-26 | Sunpower Corporation | Folded fin heat sink |
JP5723143B2 (ja) * | 2010-12-06 | 2015-05-27 | シャープ株式会社 | 裏面電極型太陽電池の製造方法、および裏面電極型太陽電池 |
US8839784B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-09-23 | Sunpower Corporation | Locating connectors and methods for mounting solar hardware |
US8893713B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-11-25 | Sunpower Corporation | Locating connectors and methods for mounting solar hardware |
US8912083B2 (en) | 2011-01-31 | 2014-12-16 | Nanogram Corporation | Silicon substrates with doped surface contacts formed from doped silicon inks and corresponding processes |
US8586403B2 (en) * | 2011-02-15 | 2013-11-19 | Sunpower Corporation | Process and structures for fabrication of solar cells with laser ablation steps to form contact holes |
KR20120095790A (ko) * | 2011-02-21 | 2012-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 광전 변환 장치 |
JP2012182275A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Sharp Corp | 太陽電池、および太陽電池の製造方法 |
US8726897B2 (en) | 2011-03-15 | 2014-05-20 | Sunedison, Llc | Collapsible solar module support system and method for assembling the same |
US20120266943A1 (en) * | 2011-04-20 | 2012-10-25 | Bo Li | Solar cell module structure and fabrication method for preventing polarization |
US8872018B1 (en) * | 2011-05-06 | 2014-10-28 | The Boeing Company | Atomic oxygen and electrostatic-resistant, flexible structure for space applications |
US20120289036A1 (en) * | 2011-05-11 | 2012-11-15 | Applied Materials, Inc. | Surface dose retention of dopants by pre-amorphization and post implant passivation treatments |
US9748414B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-08-29 | Arthur R. Zingher | Self-activated front surface bias for a solar cell |
US9038421B2 (en) | 2011-07-01 | 2015-05-26 | Sunpower Corporation | Glass-bending apparatus and method |
US8692111B2 (en) * | 2011-08-23 | 2014-04-08 | Sunpower Corporation | High throughput laser ablation processes and structures for forming contact holes in solar cells |
DE102011081863A1 (de) | 2011-08-31 | 2013-02-28 | Robert Bosch Gmbh | Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung |
DE102011082445A1 (de) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | Robert Bosch Gmbh | Solarmodul und Photovoltaikanlage |
US8796535B2 (en) * | 2011-09-30 | 2014-08-05 | Sunpower Corporation | Thermal tracking for solar systems |
US8889981B2 (en) * | 2011-10-18 | 2014-11-18 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Photoelectric device |
DE102011055148A1 (de) * | 2011-11-08 | 2013-05-08 | Hanwha Q.CELLS GmbH | Solarmodul und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2013115262A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Sharp Corp | 光電変換素子 |
US9035168B2 (en) | 2011-12-21 | 2015-05-19 | Sunpower Corporation | Support for solar energy collectors |
US8822262B2 (en) | 2011-12-22 | 2014-09-02 | Sunpower Corporation | Fabricating solar cells with silicon nanoparticles |
US8528366B2 (en) | 2011-12-22 | 2013-09-10 | Sunpower Corporation | Heat-regulating glass bending apparatus and method |
US8513045B1 (en) | 2012-01-31 | 2013-08-20 | Sunpower Corporation | Laser system with multiple laser pulses for fabrication of solar cells |
CN202549936U (zh) * | 2012-02-10 | 2012-11-21 | 深圳市神达太阳能科技有限公司 | 一种可弯曲高效太阳能电池板 |
DE102012101340B4 (de) | 2012-02-20 | 2015-11-19 | Sma Solar Technology Ag | Schutz von Photovoltaikmodulen eines Photovoltaikgenerators vor Überspannungen gegenüber Erde |
DE102012101456A1 (de) | 2012-02-23 | 2013-08-29 | Schott Solar Ag | Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle |
DE102012204269A1 (de) | 2012-03-19 | 2013-09-19 | Robert Bosch Gmbh | Solarmodul |
US9397611B2 (en) | 2012-03-27 | 2016-07-19 | Sunpower Corporation | Photovoltaic systems with local maximum power point tracking prevention and methods for operating same |
JP5865490B2 (ja) * | 2012-04-18 | 2016-02-17 | 株式会社日立製作所 | 太陽電池およびその製造方法 |
TWI477046B (zh) * | 2012-09-26 | 2015-03-11 | Univ Nat Kaohsiung Applied Sci | 太陽能電池陣列正電位端接地之市電併聯型太陽能發電系統 |
US8636198B1 (en) | 2012-09-28 | 2014-01-28 | Sunpower Corporation | Methods and structures for forming and improving solder joint thickness and planarity control features for solar cells |
US9812590B2 (en) | 2012-10-25 | 2017-11-07 | Sunpower Corporation | Bifacial solar cell module with backside reflector |
US20140124014A1 (en) * | 2012-11-08 | 2014-05-08 | Cogenra Solar, Inc. | High efficiency configuration for solar cell string |
US9035172B2 (en) | 2012-11-26 | 2015-05-19 | Sunpower Corporation | Crack resistant solar cell modules |
JP2014107400A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Sharp Corp | 太陽電池パネルおよび太陽電池アレイ |
US8796061B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-08-05 | Sunpower Corporation | Module assembly for thin solar cells |
US9812592B2 (en) * | 2012-12-21 | 2017-11-07 | Sunpower Corporation | Metal-foil-assisted fabrication of thin-silicon solar cell |
TWI626757B (zh) * | 2013-07-09 | 2018-06-11 | 英穩達科技股份有限公司 | 背面接觸型太陽能電池 |
CN103441166B (zh) * | 2013-07-10 | 2015-09-09 | 友达光电股份有限公司 | 太阳能电池模块 |
US9685571B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-06-20 | Sunpower Corporation | Solar cell module with high electric susceptibility layer |
US20150280043A1 (en) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | David D. Smith | Solar cell with trench-free emitter regions |
US11811360B2 (en) * | 2014-03-28 | 2023-11-07 | Maxeon Solar Pte. Ltd. | High voltage solar modules |
US20150325729A1 (en) | 2014-05-09 | 2015-11-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Encapsulant composition comprising a copolymer of ethylene, vinyl acetate and a third comonomer |
CN104465889A (zh) * | 2014-12-26 | 2015-03-25 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种晶硅太阳能电池的制备方法 |
JP6548896B2 (ja) | 2014-12-26 | 2019-07-24 | 株式会社マテリアル・コンセプト | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
US11056997B2 (en) * | 2015-06-27 | 2021-07-06 | Sunpower Corporation | Universal photovoltaic laminate |
ES2926948T3 (es) * | 2015-07-27 | 2022-10-31 | Sierra Space Corp | Sistema de matriz solar y método de fabricación |
USD822890S1 (en) | 2016-09-07 | 2018-07-10 | Felxtronics Ap, Llc | Lighting apparatus |
US10775030B2 (en) | 2017-05-05 | 2020-09-15 | Flex Ltd. | Light fixture device including rotatable light modules |
USD832494S1 (en) | 2017-08-09 | 2018-10-30 | Flex Ltd. | Lighting module heatsink |
USD872319S1 (en) | 2017-08-09 | 2020-01-07 | Flex Ltd. | Lighting module LED light board |
USD862777S1 (en) | 2017-08-09 | 2019-10-08 | Flex Ltd. | Lighting module wide distribution lens |
USD846793S1 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-23 | Flex Ltd. | Lighting module locking mechanism |
USD877964S1 (en) | 2017-08-09 | 2020-03-10 | Flex Ltd. | Lighting module |
USD833061S1 (en) | 2017-08-09 | 2018-11-06 | Flex Ltd. | Lighting module locking endcap |
USD832495S1 (en) | 2017-08-18 | 2018-10-30 | Flex Ltd. | Lighting module locking mechanism |
USD862778S1 (en) | 2017-08-22 | 2019-10-08 | Flex Ltd | Lighting module lens |
USD888323S1 (en) | 2017-09-07 | 2020-06-23 | Flex Ltd | Lighting module wire guard |
KR102664108B1 (ko) | 2018-03-08 | 2024-05-09 | 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 | Pid(potential induced degradation)에 대한 내성이 개선된 광발전 모듈 및 봉지재 조성물 |
JP6935353B2 (ja) * | 2018-03-26 | 2021-09-15 | シャープ株式会社 | 電力制御装置、太陽光発電システム、およびプログラム |
CN108649099B (zh) | 2018-04-27 | 2020-04-28 | 华为技术有限公司 | 基于光伏组件的退化现象处理方法以及相关设备 |
DE102018222585A1 (de) | 2018-12-20 | 2020-06-25 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Verfahren und Vorrichtung zur Reduktion der Potenzial induzierten Degradation von Solarzellen |
CN112259614B (zh) * | 2019-07-03 | 2022-09-23 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种叠层薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用 |
KR102247520B1 (ko) * | 2019-09-25 | 2021-05-03 | 주식회사 호진플라텍 | 슁글드 태양전지 모듈용 앤드 리본, 그 제조 방법 및 이에 사용되는 프레스 금형 |
CN111463319B (zh) * | 2020-04-09 | 2021-12-17 | 无锡优顺能源开发科技有限公司 | 一种硅太阳能电池片及其制作方法 |
JP2021013044A (ja) * | 2020-11-06 | 2021-02-04 | シャープ株式会社 | 光電変換素子 |
FR3118530B1 (fr) * | 2020-12-29 | 2023-10-13 | Commissariat Energie Atomique | Module photovoltaïque avec electrode de mise au potentielpour centrale photovoltaïque |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5195858A (en) * | 1975-01-14 | 1976-08-23 | ****** *** *ku***chi*se*ku*******ka*****************chi***ne******** | |
US4084099A (en) * | 1977-02-04 | 1978-04-11 | Pako Corporation | Wide scanning angle sensor |
US4253881A (en) * | 1978-10-23 | 1981-03-03 | Rudolf Hezel | Solar cells composed of semiconductive materials |
US4278831A (en) * | 1979-04-27 | 1981-07-14 | The Boeing Company | Process for fabricating solar cells and the product produced thereby |
US4400868A (en) * | 1980-12-29 | 1983-08-30 | Varian Associates, Inc. | Method of making a transparent and electrically conductive bond |
JPS57183074A (en) * | 1981-05-01 | 1982-11-11 | Kyocera Corp | Solar battery module |
US4496788A (en) | 1982-12-29 | 1985-01-29 | Osaka Transformer Co., Ltd. | Photovoltaic device |
DE3713957A1 (de) * | 1987-04-25 | 1988-11-03 | Semikron Elektronik Gmbh | Solarzelle |
US4838952A (en) * | 1988-04-29 | 1989-06-13 | Spectrolab, Inc. | Controlled reflectance solar cell |
US5011782A (en) * | 1989-03-31 | 1991-04-30 | Electric Power Research Institute | Method of making passivated antireflective coating for photovoltaic cell |
JPH02297976A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Toshiba Corp | 太陽電池モジュール |
JP2740284B2 (ja) | 1989-08-09 | 1998-04-15 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子 |
US5030295A (en) * | 1990-02-12 | 1991-07-09 | Electric Power Research Institut | Radiation resistant passivation of silicon solar cells |
US5057439A (en) * | 1990-02-12 | 1991-10-15 | Electric Power Research Institute | Method of fabricating polysilicon emitters for solar cells |
US5213628A (en) | 1990-09-20 | 1993-05-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
JP2931451B2 (ja) * | 1991-09-19 | 1999-08-09 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子 |
JPH05284654A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽光発電装置 |
JP3195424B2 (ja) * | 1992-06-25 | 2001-08-06 | シャープ株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
US5468652A (en) | 1993-07-14 | 1995-11-21 | Sandia Corporation | Method of making a back contacted solar cell |
JP3222361B2 (ja) * | 1995-08-15 | 2001-10-29 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法及び太陽電池モジュール |
US5641362A (en) * | 1995-11-22 | 1997-06-24 | Ebara Solar, Inc. | Structure and fabrication process for an aluminum alloy junction self-aligned back contact silicon solar cell |
JPH10173210A (ja) * | 1996-12-13 | 1998-06-26 | Canon Inc | 電極、その形成方法及び該電極を有する光起電力素子 |
CH691010A5 (fr) * | 1997-01-09 | 2001-03-30 | Asulab Sa | Appareil électrique fonctionnant à l'aide d'une source photovoltaïque, notamment pièce d'horlogerie. |
AUPO638997A0 (en) * | 1997-04-23 | 1997-05-22 | Unisearch Limited | Metal contact scheme using selective silicon growth |
EP0881694A1 (en) * | 1997-05-30 | 1998-12-02 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Solar cell and process of manufacturing the same |
CN1155109C (zh) * | 1997-08-27 | 2004-06-23 | 中田仗祐 | 球状半导体器件及其制造方法 |
US6013582A (en) | 1997-12-08 | 2000-01-11 | Applied Materials, Inc. | Method for etching silicon oxynitride and inorganic antireflection coatings |
DE19802325A1 (de) * | 1998-01-23 | 1999-08-05 | Dornier Gmbh | Elektrostatische Ableitung für Solarzellen |
US6077722A (en) * | 1998-07-14 | 2000-06-20 | Bp Solarex | Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts |
US6111189A (en) | 1998-07-28 | 2000-08-29 | Bp Solarex | Photovoltaic module framing system with integral electrical raceways |
JP2000100490A (ja) * | 1998-09-24 | 2000-04-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 太陽電池モジュールの接地構造 |
JP3781600B2 (ja) * | 2000-01-18 | 2006-05-31 | シャープ株式会社 | 太陽電池 |
JP2001267610A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Hitachi Ltd | 太陽電池 |
JP2002057352A (ja) * | 2000-06-02 | 2002-02-22 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
JP2002359386A (ja) | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Canon Inc | 太陽電池ストリング、太陽電池アレイ及び太陽光発電システム |
JP2003158282A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-05-30 | Canon Inc | 太陽光発電システム |
US6672018B2 (en) * | 2001-10-12 | 2004-01-06 | Jefferson Shingleton | Solar module mounting method and clip |
US20030070707A1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-17 | King Richard Roland | Wide-bandgap, lattice-mismatched window layer for a solar energy conversion device |
JP2004071763A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Toyota Motor Corp | 光起電力素子 |
WO2004038462A1 (en) * | 2002-10-22 | 2004-05-06 | Sunray Technologies, Inc. | Diffractive structures for the redirection and concentration of optical radiation |
JP4391079B2 (ja) * | 2002-11-28 | 2009-12-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置及び放射線撮像装置 |
US7554031B2 (en) | 2005-03-03 | 2009-06-30 | Sunpower Corporation | Preventing harmful polarization of solar cells |
AU2010239265B2 (en) * | 2009-04-21 | 2014-06-05 | Tetrasun, Inc. | High-efficiency solar cell structures and methods of manufacture |
-
2005
- 2005-08-22 US US11/210,213 patent/US7554031B2/en active Active
-
2006
- 2006-01-20 CN CN2011101170449A patent/CN102194911B/zh active Active
- 2006-01-20 CN CN2006800068188A patent/CN101133500B/zh active Active
- 2006-01-20 CN CN201210443834.0A patent/CN102945864B/zh active Active
- 2006-01-20 EP EP06719101.5A patent/EP1854147B1/en active Active
- 2006-01-20 KR KR1020077019044A patent/KR100933598B1/ko active IP Right Grant
- 2006-01-20 CN CN201210112491.XA patent/CN102683442B/zh active Active
- 2006-01-20 KR KR1020097007569A patent/KR101080583B1/ko active IP Right Grant
- 2006-01-20 WO PCT/US2006/002137 patent/WO2006096247A2/en active Application Filing
- 2006-01-20 JP JP2007558005A patent/JP5224444B2/ja active Active
-
2009
- 2009-06-03 US US12/477,796 patent/US7786375B2/en active Active
-
2010
- 2010-07-28 US US12/845,627 patent/US9035167B2/en active Active
- 2010-12-27 JP JP2010291035A patent/JP5570411B2/ja active Active
-
2011
- 2011-11-07 JP JP2011243477A patent/JP5439459B2/ja active Active
-
2014
- 2014-03-28 JP JP2014069285A patent/JP5806358B2/ja active Active
-
2015
- 2015-04-15 US US14/687,624 patent/US20150288328A1/en not_active Abandoned
-
2016
- 2016-08-05 US US15/230,182 patent/US10164567B2/en active Active
- 2016-08-18 US US15/240,913 patent/US9774294B2/en active Active
-
2018
- 2018-11-20 US US16/196,340 patent/US10903786B2/en active Active
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5806358B2 (ja) | 太陽電池における有害な分極の防止 | |
JP6216977B2 (ja) | 太陽電池の分極のモジュールレベルの解決法 | |
Kobayashi et al. | Zinc oxide/n‐Si junction solar cells produced by spray‐pyrolysis method | |
US20120180851A1 (en) | Crystalline solar cell, method for producing said type of solar cell and method for producing a solar cell module | |
JP7491593B2 (ja) | 素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120508 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130513 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131210 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5439459 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |