CN111463319B - 一种硅太阳能电池片及其制作方法 - Google Patents
一种硅太阳能电池片及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111463319B CN111463319B CN202010274392.6A CN202010274392A CN111463319B CN 111463319 B CN111463319 B CN 111463319B CN 202010274392 A CN202010274392 A CN 202010274392A CN 111463319 B CN111463319 B CN 111463319B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- drying
- silicon
- printing
- solar cell
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 74
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 74
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-1-(5-methylfuran-2-yl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)C(CN)C1=CC=C(C)O1 KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 7
- GWLNWSPKXXXEEV-UHFFFAOYSA-N C(C)O.[O-2].[Ti+2] Chemical compound C(C)O.[O-2].[Ti+2] GWLNWSPKXXXEEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 15
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 9
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 7
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 125000004494 ethyl ester group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 125000005624 silicic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明属于太阳能电池领域,涉及一种硅太阳能电池片,具体涉及一种硅太阳能电池片的制作方法,包括如下步骤:步骤1,将硅基片进行制绒,扩散和刻蚀,然后进行等离子清洗处理,达到表面洁净;步骤2,将硅酸乙酯乙醇液均匀涂敷在硅基片表面,在潮湿环境中恒温烘干2‑4h,然后升温烘干30‑120min,形成减反射膜;步骤3,在硅基片上进行初印刷,氮气环境下烘干形成预印刷膜,然后进行电极印刷,并对印刷好电极的硅片进行烧结,制成太阳能电池片。本发明解决了现有太阳能板电势诱导衰减现象,利用二氧化硅的电绝缘特性和一氧化钛的电传导性,实现了硅基片表面无漏电流现象,辅以一氧化钛与浆料的连接性,形成快速传导体系。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池领域,涉及一种硅太阳能电池片,具体涉及一种硅太阳能电池片的制作方法。
背景技术
目前太阳能是一种清洁能源,而光伏组件利用硅材料P-N结的光生伏特效应,光能转化为电能的装置,包括:相对设置的玻璃背板和玻璃基板;设置在玻璃背板和玻璃基板之间的太阳能电池片;固定所述玻璃背板、太阳能电池片和玻璃基板的封装边框等。
传统的太阳能电池片制作工艺包括:制绒、扩散、刻蚀、化学气相沉积(即PECVD)、丝网印刷和烧结等过程。其中,制绒是指利用酸或碱在硅片表面腐蚀出不同的表面形貌,即表面织构化,从而减少光的反射率,提高短路电流,最终提高太阳能电池的光电转换效率;扩散是指对硅片进行杂质扩散,形成PN结,即半导体器件工作的“心脏”;刻蚀是将硅片的P型区域和N型区域隔绝开来;PECVD是借助微波或射频等,使含有薄膜组成原子的气体电离,形成等离子体,而等离子体的化学活性很强,很容易发生化学反应,从而在硅片表面沉积出所期望的减反射膜;丝网印数是指使用印刷刮刀上的胶条,使浆料通过带有图像或图案的丝网模板,对硅片表面进行印刷,形成印刷电极;烧结是指燃尽浆料中的有机组分,使浆料与硅片形成良好的欧姆结合粗。
但是,利用现有技术中太阳能电池制作工艺制作的光伏组件易出现电势诱导衰减效应,即所述光伏组件长期在高负电压的作用下,使得其玻璃基板、封装材料之间存在漏电流通道,大量电荷聚集在太阳能电池片的表面
发明内容
针对现有技术中的问题,本发明提供一种硅太阳能电池片的制作方法,解决了现有太阳能板电势诱导衰减现象,利用二氧化硅的电绝缘特性和一氧化钛的电传导性,实现了硅基片表面无漏电流现象,辅以一氧化钛与浆料的连接性,形成快速传导体系。
为实现以上技术目的,本发明的技术方案是:
一种硅太阳能电池片的制作方法,包括如下步骤:
步骤1,将硅基片进行制绒,扩散和刻蚀,然后进行等离子清洗处理,达到表面洁净;所述制绒采用酸制绒,所述扩散为磷扩散,所述等离子清洗采用氮气,等离子清洗的时间为30-900s;
步骤2,将硅酸乙酯乙醇液均匀涂敷在硅基片表面,在潮湿环境中恒温烘干2-4h,然后升温烘干30-120min,形成减反射膜;硅酸乙酯乙醇液中的硅酸乙酯的浓度为0.02mol/L,硅酸乙酯溶液均匀喷洒在硅基片表面,形成良好的液膜结构,喷洒量为2-5mL/cm2,潮湿环境的湿度为30%,恒温烘干的温度为80-90℃,升温烘干的温度为120-150℃,进一步的,升温烘干过程进行挤压处理,压力为0.5-0.8MPa;
步骤3,在硅基片上进行初印刷,氮气环境下烘干形成预印刷膜,然后进行电极印刷,并对印刷好电极的硅片进行烧结,制成太阳能电池片;所述初印刷采用导电材料,且初印刷的质量是电极印刷质量2-6%;所述初印刷采用一氧化钛乙醇悬浊液,所述一氧化钛乙醇悬浊液在硅基板上形成导电基膜,一氧化钛乙醇悬浊液中的一氧化钛在乙醇中的浓度为20-30g/L,所述氮气环境下烘干的温度为80-100℃。
一种硅太阳能电池片,其采用上述方法制作得到。
从以上描述可以看出,本发明具备以下优点:
1.本发明解决了现有太阳能板电势诱导衰减现象,利用二氧化硅的电绝缘特性和一氧化钛的电传导性,实现了硅基片表面无漏电流现象,辅以一氧化钛与浆料的连接性,形成快速传导体系。
2.本发明利用一氧化钛的快速传导性作为基片表面传导,解决了现有电极印刷中基于浆料成分带来的局部电荷堆积问题(导电物质断裂造成局部电传导速度慢)。
具体实施方式
结合实施例详细说明本发明,但不对本发明的权利要求做任何限定。
一种硅太阳能电池片的制作方法,包括如下步骤:
步骤1,将硅基片进行制绒,扩散和刻蚀,然后进行等离子清洗处理,达到表面洁净;所述制绒采用酸制绒,所述扩散为磷扩散,所述等离子清洗采用氮气,等离子清洗的时间为30-900s;
步骤2,将硅酸乙酯乙醇液均匀涂敷在硅基片表面,在潮湿环境中恒温烘干2-4h,然后升温烘干30-120min,形成减反射膜;硅酸乙酯乙醇液中的硅酸乙酯的浓度为0.02mol/L,硅酸乙酯溶液均匀喷洒在硅基片表面,形成良好的液膜结构,喷洒量为2-5mL/cm2,潮湿环境的湿度为30%,恒温烘干的温度为80-90℃,升温烘干的温度为120-150℃,进一步的,升温烘干过程进行挤压处理,压力为0.5-0.8MPa;该步骤中,硅酸乙酯乙醇液属于硅酸乙酯的稀溶液,将其涂覆在硅基片表面能够形成良好的超薄液膜,同时硅基片在等离子清洗中,表面杂质去除的同时能够形成表面微粗糙结构,将硅酸乙酯乙醇液涂覆时,硅酸乙酯分子在乙醇的良好渗透性作用下逐步渗透至微粗糙结构内,能够形成良好的附着效果;在潮湿环境下恒温烘干中,空气中的蒸馏水与乙醇具有良好的互溶体系,乙醇能够起到吸收水分子的效果,将空气中的水分子吸收至液体内,并快速作用之一算乙酯表面,形成水解体系,同时乙醇在该温度下转化为乙醇蒸汽,将硅酸乙酯分子晶化析出,蒸馏水分子能够分透支整个硅酸乙酯薄膜内外,确保内外形成分解反应转化为硅酸结构,形成良好的粘结性;升温烘干过程中将表面液膜中的水分子完全蒸发,同时水解形成有机产物同样蒸发去除,达到硅酸薄膜,随着水分子的不断流失,最终形成二氧化硅薄膜;再辅以压力的条件下,而二氧化硅具有良好的致密性,达到良好的减反射效果;
步骤3,在硅基片上进行初印刷,氮气环境下烘干形成预印刷膜,然后进行电极印刷,并对印刷好电极的硅片进行烧结,制成太阳能电池片;所述初印刷采用导电材料,且初印刷的质量是电极印刷质量2-6%;所述初印刷采用一氧化钛乙醇悬浊液,所述一氧化钛乙醇悬浊液在硅基板上形成导电基膜,一氧化钛乙醇悬浊液中的一氧化钛在乙醇中的浓度为20-30g/L,所述氮气环境下烘干的温度为80-100℃,利用氮气环境下一氧化钛具有良好的稳定性,不会出现氧化现象,同时一氧化钛本身具有良好的导电性,实现了快速导电效果,在电极印刷过程中,将导电浆料铺设在一氧化钛表面,利用一氧化钛加快导电浆的电子转移速度,有效的提升了电池片的效率。本申请文件中的烧结要求为现有技术,是本领域技术人员较为常规的方式,此处不做详细描述。
实施例1
一种硅太阳能电池片的制作方法,包括如下步骤:
步骤1,将硅基片进行制绒,扩散和刻蚀,然后进行等离子清洗处理,达到表面洁净;所述制绒采用酸制绒,所述扩散为磷扩散,所述等离子清洗采用氮气,等离子清洗的时间为30s;
步骤2,将硅酸乙酯乙醇液均匀涂敷在硅基片表面,在潮湿环境中恒温烘干2h,然后升温烘干30min,形成减反射膜;硅酸乙酯乙醇液中的硅酸乙酯的浓度为0.02mol/L,硅酸乙酯溶液均匀喷洒在硅基片表面,形成良好的液膜结构,喷洒量为2mL/cm2,潮湿环境的湿度为30%,恒温烘干的温度为80℃,升温烘干的温度为120℃,升温烘干过程进行挤压处理,压力为0.5MPa;
步骤3,在硅基片上进行初印刷,氮气环境下烘干形成预印刷膜,然后进行电极印刷,并对印刷好电极的硅片进行烧结,制成太阳能电池片;所述初印刷采用导电材料,且初印刷的质量是电极印刷质量2%;所述初印刷采用一氧化钛乙醇悬浊液,所述一氧化钛乙醇悬浊液在硅基板上形成导电基膜,一氧化钛乙醇悬浊液中的一氧化钛在乙醇中的浓度为20g/L,所述氮气环境下烘干的温度为80℃。
该实施例中的氧化硅薄膜为5nm折射率为1.5,同时一氧化钛厚度为2nm,有效的提升了传导效率。
实施例2
一种硅太阳能电池片的制作方法,包括如下步骤:
步骤1,将硅基片进行制绒,扩散和刻蚀,然后进行等离子清洗处理,达到表面洁净;所述制绒采用酸制绒,所述扩散为磷扩散,所述等离子清洗采用氮气,等离子清洗的时间为900s;
步骤2,将硅酸乙酯乙醇液均匀涂敷在硅基片表面,在潮湿环境中恒温烘干4h,然后升温烘干120min,形成减反射膜;硅酸乙酯乙醇液中的硅酸乙酯的浓度为0.02mol/L,硅酸乙酯溶液均匀喷洒在硅基片表面,形成良好的液膜结构,喷洒量为5mL/cm2,潮湿环境的湿度为30%,恒温烘干的温度为90℃,升温烘干的温度为150℃,升温烘干过程进行挤压处理,压力为0.8MPa;
步骤3,在硅基片上进行初印刷,氮气环境下烘干形成预印刷膜,然后进行电极印刷,并对印刷好电极的硅片进行烧结,制成太阳能电池片;所述初印刷采用导电材料,且初印刷的质量是电极印刷质量6%;所述初印刷采用一氧化钛乙醇悬浊液,所述一氧化钛乙醇悬浊液在硅基板上形成导电基膜,一氧化钛乙醇悬浊液中的一氧化钛在乙醇中的浓度为30g/L,所述氮气环境下烘干的温度为100℃。
该实施例中的氧化硅薄膜为50nm折射率为1.9,同时一氧化钛厚度为5nm,有效的提升了传导效率。
实施例3
一种硅太阳能电池片的制作方法,包括如下步骤:
步骤1,将硅基片进行制绒,扩散和刻蚀,然后进行等离子清洗处理,达到表面洁净;所述制绒采用酸制绒,所述扩散为磷扩散,所述等离子清洗采用氮气,等离子清洗的时间为500s;
步骤2,将硅酸乙酯乙醇液均匀涂敷在硅基片表面,在潮湿环境中恒温烘干3h,然后升温烘干90min,形成减反射膜;硅酸乙酯乙醇液中的硅酸乙酯的浓度为0.02mol/L,硅酸乙酯溶液均匀喷洒在硅基片表面,形成良好的液膜结构,喷洒量为4mL/cm2,潮湿环境的湿度为30%,恒温烘干的温度为85℃,升温烘干的温度为140℃,升温烘干过程进行挤压处理,压力为0.6MPa;
步骤3,在硅基片上进行初印刷,氮气环境下烘干形成预印刷膜,然后进行电极印刷,并对印刷好电极的硅片进行烧结,制成太阳能电池片;所述初印刷采用导电材料,且初印刷的质量是电极印刷质量4%;所述初印刷采用一氧化钛乙醇悬浊液,所述一氧化钛乙醇悬浊液在硅基板上形成导电基膜,一氧化钛乙醇悬浊液中的一氧化钛在乙醇中的浓度为25g/L,所述氮气环境下烘干的温度为90℃。
该实施例中的氧化硅薄膜为15nm折射率为1.5,同时一氧化钛厚度为3nm,有效的提升了传导效率。
本发明实施例提供的制作方法通过在硅基片表面形成减反射层,利用二氧化硅优异的电绝缘特性,形成良好的绝缘效果,同时将表面电荷堆积在表面,不会形成漏电流的现象,从而使电池片具有抗电势诱导衰减效应,即可降低或消除所述光伏组件长期工作在高负压环境中所产生的电势诱导衰减效应;针对堆积的电荷,一氧化钛作为印刷底层,能够具有良好的导电特性,将堆积的电荷重新传道,达到消除电荷堆积的效果,实现了电池片使用寿命的延长。
综上所述,本发明具有以下优点:
1.本发明解决了现有太阳能板电势诱导衰减现象,利用二氧化硅的电绝缘特性和一氧化钛的电传导性,实现了硅基片表面无漏电流现象,辅以一氧化钛与浆料的连接性,形成快速传导体系。
2.本发明利用一氧化钛的快速传导性作为基片表面传导,解决了现有电极印刷中基于浆料成分带来的局部电荷堆积问题(导电物质断裂造成局部电传导速度慢)。
可以理解的是,以上关于本发明的具体描述,仅用于说明本发明而并非受限于本发明实施例所描述的技术方案。本领域的普通技术人员应当理解,仍然可以对本发明进行修改或等同替换,以达到相同的技术效果;只要满足使用需要,都在本发明的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种硅太阳能电池片的制作方法,其特征在于:包括如下步骤:
步骤1,将硅基片进行制绒,扩散和刻蚀,然后进行等离子清洗处理,达到表面洁净;
步骤2,将硅酸乙酯乙醇液均匀涂敷在硅基片表面,在潮湿环境中恒温烘干2-4h,然后升温烘干30-120min,形成减反射膜;
步骤3,在硅基片上进行初印刷,氮气环境下烘干形成预印刷膜,然后进行电极印刷,并对印刷好电极的硅片进行烧结,制成太阳能电池片;
所述步骤1中的制绒采用酸制绒,所述扩散为磷扩散,所述等离子清洗采用氮气,等离子清洗的时间为30-900s;
所述步骤2中的硅酸乙酯乙醇液中的硅酸乙酯的浓度为0.02mol/L,硅酸乙酯溶液均匀喷洒在硅基片表面,形成良好的液膜结构,喷洒量为2-5mL/cm2;
所述步骤2中的潮湿环境的湿度为30%,恒温烘干的温度为80-90℃,升温烘干的温度为120-150℃;
所述步骤2中的升温烘干过程进行挤压处理,压力为0.5-0.8MPa;
所述步骤3中的所述初印刷采用导电材料,且初印刷的质量是电极印刷质量2-6%;所述步骤3中的所述初印刷采用一氧化钛乙醇悬浊液,所述一氧化钛乙醇悬浊液在硅基板上形成导电基膜,一氧化钛乙醇悬浊液中的一氧化钛在乙醇中的浓度为20-30g/L,所述氮气环境下烘干的温度为80-100℃。
2.一种硅太阳能电池片,其特征在于:所述电池片采用权利要求1的方法制作得到。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010274392.6A CN111463319B (zh) | 2020-04-09 | 2020-04-09 | 一种硅太阳能电池片及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010274392.6A CN111463319B (zh) | 2020-04-09 | 2020-04-09 | 一种硅太阳能电池片及其制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111463319A CN111463319A (zh) | 2020-07-28 |
CN111463319B true CN111463319B (zh) | 2021-12-17 |
Family
ID=71679326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010274392.6A Active CN111463319B (zh) | 2020-04-09 | 2020-04-09 | 一种硅太阳能电池片及其制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111463319B (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101969075A (zh) * | 2010-08-10 | 2011-02-09 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜及其制备方法 |
CN102153292A (zh) * | 2010-12-27 | 2011-08-17 | 上海师范大学 | 一种高透过纳米二氧化硅减反射薄膜及其制备方法和应用 |
CN205582951U (zh) * | 2016-04-29 | 2016-09-14 | 盐城普兰特新能源有限公司 | 一种抗pid的光伏组件 |
CN107148676A (zh) * | 2014-12-26 | 2017-09-08 | 材料概念有限公司 | 太阳能电池模组及其制造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7554031B2 (en) * | 2005-03-03 | 2009-06-30 | Sunpower Corporation | Preventing harmful polarization of solar cells |
DE102009044052A1 (de) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | Schott Solar Ag | Kristalline Solarzelle, Verfahren zur Herstellung einer solchen sowie Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenmoduls |
-
2020
- 2020-04-09 CN CN202010274392.6A patent/CN111463319B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101969075A (zh) * | 2010-08-10 | 2011-02-09 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜及其制备方法 |
CN102153292A (zh) * | 2010-12-27 | 2011-08-17 | 上海师范大学 | 一种高透过纳米二氧化硅减反射薄膜及其制备方法和应用 |
CN107148676A (zh) * | 2014-12-26 | 2017-09-08 | 材料概念有限公司 | 太阳能电池模组及其制造方法 |
CN205582951U (zh) * | 2016-04-29 | 2016-09-14 | 盐城普兰特新能源有限公司 | 一种抗pid的光伏组件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111463319A (zh) | 2020-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2782146B1 (en) | Method for manufacturing a solar cell with reduced potential induced degradation | |
CN104993059B (zh) | 一种硅基钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法 | |
JP2000058887A (ja) | 統一性の高いインタコネクトと二重層接点とを備えた薄膜光起電力モジュ―ルの製造 | |
CN107919403B (zh) | 一种高效硒碲化镉合金纳米晶太阳电池及其制备方法 | |
JP2016006869A (ja) | 太陽電池素子および太陽電池モジュール | |
US20180366594A1 (en) | Solar cell element | |
CN114975643A (zh) | N-TOPCon光伏太阳能电池制备方法及太阳能电池 | |
CN110416355B (zh) | 一种溶液法制备晶体硅太阳能电池的工艺 | |
CN113013294A (zh) | 一种基于多次印刷的hjt异质结电池及其制备方法 | |
TWI390755B (zh) | 太陽能電池的製造方法 | |
CN111463319B (zh) | 一种硅太阳能电池片及其制作方法 | |
JP2012038852A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
US8652871B2 (en) | Method for depositing an amorphous silicon film for photovoltaic devices with reduced light-induced degradation for improved stabilized performance | |
CN104064623A (zh) | 一种提升太阳电池转换效率的后处理方法 | |
JP5623131B2 (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法ならびに太陽電池モジュール | |
US9520529B2 (en) | Composition for forming P-type diffusion layer, method of forming P-type diffusion layer, and method of producing photovoltaic cell | |
CN106848069B (zh) | 一种TiO2纳米材料及制备方法和用途 | |
US20130291933A1 (en) | SiOx n-LAYER FOR MICROCRYSTALLINE PIN JUNCTION | |
JP2004363577A (ja) | 半導体薄膜およびそれを用いた光電変換装置ならびに光発電装置 | |
CN102709378A (zh) | 一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法 | |
JP5097617B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法、それを備えた太陽電池システム | |
CN111599893A (zh) | 一种稳定高效率硅异质结太阳电池的制备方法 | |
WO2011081054A1 (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
CN1983647A (zh) | 钝化太阳电池表面的方法 | |
CN102157693A (zh) | 太阳能电池及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |