JP5345060B2 - 炭素質基材及びフッ素発生電解用電極 - Google Patents
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Description
フィラーとしてメソフェーズマイクロビーズを用いて冷間等方圧加圧法により等方性炭素材料の炭素質基材を作製した。等方性炭素材料である炭素質基材のX線回折図形の2θ=10°〜30°に現れる(002)回折線の形状は非対称であった。また、この炭素質基材は、X線回折から得られたd002回折線面間隔が0.356nm及び0.339nmであり、結晶子サイズ(Lc002)が2nm及び3nmであって、気孔径が0.26μmで開気孔率が9体積%、曲げ強度103MPaであった。そして、この炭素質基材を60℃のF2/HFガスに96時間暴露した後の重量増加は0.7質量%であった。引き続き1008時間暴露した後の重量増加は5.2質量%であった。更に1464時間暴露した後の重量増加は6.8質量%であった。なお、F2/HFガスに暴露した基材をX線回折により測定した所、フッ素イオンによるGIC(グラファイト層間化合物(graphite intercalation compoundの略称))の形成が確認された。
フィラーとしてメソフェーズマイクロビーズを用いて冷間等方圧加圧法により等方性炭素材料の炭素質基材を作製した。等方性炭素材料である炭素質基材のX線回折図形の2θ=10°〜30°に現れる(002)回折線の形状は非対称であった。また、この炭素質基材は、X線回折から得られたd002回折線面間隔が0.350nm及び0.344nmであり、結晶子サイズ(Lc002)が3nm及び5nmであって、気孔径が0.22μmで開気孔率が12体積%、曲げ強度75MPaであった。そして、この炭素質基材を60℃のF2/HFガスに96時間暴露した後の重量増加は、0.1質量%であった。引き続き1008時間暴露した後の重量増加は4.9質量%であった。更に1464時間暴露した後の重量増加は、5.7質量%であった。なお、F2/HFガスに暴露した前記基材をX線回折により測定した所、フッ素イオンによるGICの形成が確認された。
フィラーとしてメソフェーズマイクロビーズを用いて冷間等方圧加圧法により等方性炭素材料の炭素質基材を作製した。等方性炭素材料である炭素質基材のX線回折図形の2θ=10°〜30°に現れる(002)回折線の形状は非対称であった。また、この炭素質基材は、X線回折から得られたd002回折線面間隔が0.356nm及び0.330nmであり、結晶子サイズ(Lc002)が2nm及び3nmであって、気孔径が0.26μmで開気孔率が9体積%、電気抵抗46.7μΩ・m、曲げ強度103MPaであった。この炭素質基材を建浴直後のKF−2HF系溶融塩中に陽極として取り付け、陰極にはニッケル板を使用して電流密度を変化させ、限界電流密度の評価を行った。含水量200ppm以下のKF−2HF系溶融塩中において限界電流密度は34.8A/dm2、含水量500ppmのKF−2HF系溶融塩中においては24.0A/dm2であった。
フィラーとしてメソフェーズマイクロビーズを用いて冷間等方圧加圧法により等方性炭素材料の炭素質基材を作製した。等方性炭素材料である炭素質基材のX線回折図形の2θ=10°〜30°に現れる(002)回折線の形状は非対称であった。また、この炭素質基材は、X線回折から得られたd002回折線面間隔が0.350nm及び0.344nmであり、結晶子サイズ(Lc002)が3nm及び5nmであって、気孔径が0.22μmで開気孔率が12体積%、電気抵抗26.4μΩ・m、曲げ強度75MPaであった。この炭素質基材を建浴直後のKF−2HF系溶融塩中に陽極として取り付け、陰極にはニッケル板を使用して電流密度を変化させ、限界電流密度の評価を行った。KF−2HF系溶融塩中の含水量200ppm以下において限界電流密度は32.8A/dm2、含水量500ppmにおいては10.2A/dm2であった。
フィラーとしてメソフェーズマイクロビーズを用いて冷間等方圧加圧法により等方性炭素材料の炭素質基材を作製した。この等方性炭素材料である炭素質基材のX線回折図形の2θ=10°〜30°に現れる(002)回折線の形状は非対称であり、2θ=26°を中心とする回折線の存在割合は2θ=10°〜30°の(002)回折線の総面積に対して49%であった。また、この炭素質基材は、X線回折から得られたd002回折線面間隔が0.339nmであり、結晶子サイズ(Lc002)が23nmであって、気孔径が0.22μmで開気孔率が15体積%、曲げ強度93MPaであった。この炭素質基材を60℃のF2/HFガスに96時間暴露した。重量増加は、0.1質量%であった。引き続き1008時間暴露した後の重量増加は15.2質量%であった。更に暴露試験を試みた所、炭素質基材が割れた。そして、F2/HFガスに暴露してから1104時間後の重量増加が10質量%を越えると、基材に割れが発生することが分かった。これらの結果から、実施例1及び2よりX線回折より求められたd002面の面間隔が0.34nm以上必要であることがわかる。
フィラーとしてメソフェーズマイクロビーズを用いて冷間等方圧加圧法により等方性炭素材料の炭素質基材を作製した。等方性炭素材料である炭素質基材のX線回折図形の2θ=10°〜30°に現れる(002)回折線の形状は非対称であった。また、この炭素質基材は、X線回折から得られたd002回折線面間隔が0.339nmであり、結晶子サイズ(Lc002)が62nmであって、気孔径が0.22μmで開気孔率が15体積%、電気抵抗15.5μΩ・m、曲げ強度93MPaであった。この炭素質基材を建浴直後のKF−2HF系溶融塩中に陽極として取り付け、陰極にはニッケル板を使用して電流密度を変化させ、限界電流密度の評価を行った。KF−2HF系溶融塩中の含水量200ppm以下において限界電流密度は29.8A/dm2、含水量500ppmにおいては8.3A/dm2と、実施例3と比較してかなり劣るものとなった。これらの結果から、X線回折によるd002面の面間隔が0.34nm以下になると限界電流密度が低下することがわかる。
石油コークス及び黒鉛粉砕品を用いて冷間等方圧加圧法により等方性炭素材料の炭素質基材を作製した。等方性炭素材料である炭素質基材のX線回折図形の2θ=10°〜30°に現れる(002)回折線の形状は非対称であり、2θ=26°を中心とする回折線の存在割合が2θ=10°〜30°の(002)回折線の総面積に対して20%であった。また、この炭素質基材は、X線回折から得られたd002回折線面間隔が0.337nmであり、結晶子サイズが37nmであって、曲げ強度43MPaであった。この炭素質基材を建浴直後のKF-2HF系溶融塩中に陽極として取り付け、陰極にはニッケル板を使用して電流密度20A/dm2で定電流電解を実施した。電解をおこなった24時間中に電極が割れて電解不可能となった。
フェノール樹脂を用いてガラス状炭素質基材を作製した。このガラス状炭素質基材のX線回折図形の2θ=10°〜30°に現れる(002)回折線の形状は、対称であった。その為、2θ=26°を中心とする回折線の存在割合が、2θ=10°〜30°の(002)回折線の総面積に対して0%であった。また、このガラス状炭素質基材をX線回折から得られたd002回折線面間隔が0.350nmであって、結晶子サイズ(Lc002)が2nmであり、開気孔率5%体積以下の炭素質基材に調製した。この炭素質基材を建浴直後のKF−2HF系溶融塩中に陽極として取り付け、陰極にはニッケル板を使用して電流密度を変化させ、限界電流密度の評価を行ったところ、電流印加後直ちに分極し電圧が異常上昇して電解が不可能となった。
フィラーとしてメソフェーズマイクロビーズを用い、冷間等方圧加圧法により炭素質基材を作製した。この炭素質基材は、X線回折図形において2θ=10°〜30°に現れる(002)回折線の形状が非対称であり、2θ=26°を中心とする回折線の存在割合が2θ=10°〜30°の(002)回折線の総面積に対して57%であり、またX線回折から得られたd002回折線面間隔が0.355nm及び0.339nmであり、結晶子サイズが2nm及び3nmであって、気孔径が0.26μmで開気孔率が9体積%であった。この炭素質基材の物理特性としてCTE(熱膨張係数)は6.4〜6.8×10-6/K、電気抵抗46.7μΩ・m、曲げ強度103MPaであった。そして、水素ガスに1vol%のメタンガスと0.5ppmのトリメチルボロンガスを添加した混合ガスに該炭素質基材をチャンバー内で接触させ、チャンバー内圧力を75Torrに保持し、チャンバー内のフィラメントに電力を印加して温度2400℃に昇温し、基材温度を860℃としてCVD法により炭素質基材上に導電性ダイヤモンドの被覆を行い、本発明の実施例5に係るフッ素発生電解用電極を得た。当該フッ素発生電解用電極のダイヤモンド薄膜の膜厚は、3μmであった。また、ダイヤモンド薄膜においてX線回折によりダイヤモンドが析出していることが観測され、その格子定数0.3568nmであり、ラマン分光分析においては、1333.7cm-1のSP3結合のC−C伸縮モードに存在するピークの半価幅41.9cm-1のダイヤモンド帰属ピークが確認された。
フィラーとしてメソフェーズマイクロビーズを用いて冷間等方圧加圧法により等方性炭素材料の炭素質基材を作製した。等方性炭素材料である炭素質基材のX線回折図形において2θ=10°〜30°に現れる(002)回折線の形状が非対称であり、2θ=26°を中心とする回折線の存在割合が2θ=10°〜30°の(002)回折線の総面積に対して57%であった。また、この炭素質基材のX線回折から得られたd002回折線面間隔は0.335nmと0.340nmであり、結晶子サイズは2nm及び3nmであって、気孔径が0.26μmであり、開気孔率が9体積%であった。この炭素質基材の物理特性としてCTE(熱膨張係数)は6.4〜6.8×10-6/K、電気抵抗46.7μΩ・m、曲げ強度103MPaであった。該炭素質基材をチャンバー内で、水素ガスに1vol%のメタンガスと0.5ppmのトリメチルボロンガスを添加した混合ガスに接触させチャンバー内圧力を75Torrに保持し、チャンバー内のフィラメントに電力を印加して温度2400℃に昇温し、基材温度を860℃としてCVD法により炭素質基材上に導電性ダイヤモンドの被覆を行い、本発明の実施例6に係るフッ素発生電解用電極を得た。当該フッ素発生電解用電極のダイヤモンド薄膜の平均膜厚は0.6μmであり、断面観察を行ったところ膜厚は±0.5〜1μmの幅を持っていた。また、X線回折によりダイヤモンドが析出していることが観測され、その格子定数は0.3568nmであり、ラマン分光分析においてが1333.7cm-1のSP3結合のC−C伸縮モードに存在するピークの半価幅41.9cm-1のダイヤモンド帰属ピークが確認され、G-bandとD−bandとを比較した際に強度比は1以上であった。
CVD時間を延長して、ダイヤモンド薄膜の膜厚を10μmとした以外は実施例6と同様にして、実施例7のフッ素発生電解用電極を得た。実施例7のフッ素発生電解用電極についても、X線回折によりダイヤモンドが析出していることが観測され、その格子定数は0.3568nmであり、ラマン分光分析においては、1333.7cm-1SP3結合のC−C伸縮モードに存在するピークの半価幅41.9cm-1のダイヤモンド帰属ピークが確認され、G-bandとD−bandとを比較した際に強度比は1以上であった。
比較例4に挙げた炭素質基材に、実施例6と同じ条件にて膜厚3μmのダイヤモンド薄膜を形成した。しかし、炭素質基材に対するダイヤモンドの密着性が非常に弱かった。そして、建浴直後のKF−2HF系溶融塩中に陽極として取り付け、陰極にはニッケル板を使用し、電流密度を変化させて限界電流密度の評価を行ったところ、ダイヤモンド薄膜が剥れてしまったため分極し電圧が異常上昇して電解が不可能となった。
CVD時間を短縮して、ダイヤモンド薄膜の膜厚を0.4μmとした以外は実施例6と同様にして、比較例6のフッ素発生電解用電極を得た。比較例6のフッ素発生電解用電極については、ラマン分光分析においてダイヤモンド薄膜を分析したところ、ダイヤモンドに特徴的なSP3結合のC-C伸縮モードのピークの半価幅が100cm-1であり、その強度I(Dia)と黒鉛成分に帰属するG−bandとD−bandとを比較した際の強度比は1未満であった。これにより、ダイヤモンド薄膜によって炭素質基材を充分に覆えていないことが推定される。
CVD時間を延長して、ダイヤモンド薄膜の膜厚を11μmとした以外は実施例6と同様にして、比較例7のフッ素発生電解用電極を得た。比較例7のフッ素発生電解用電極についても、X線回折によりダイヤモンドが析出していることが観測され、その格子定数は0.3568nmであり、ラマン分光分析においては、1333.7cm-1のSP3結合のC−C伸縮モードに存在するピークの半価幅41.9cm-1のダイヤモンド帰属ピークが確認された。
Claims (9)
- (002)回折線を少なくとも二つ以上有し、かつ、面間隔の異なる結晶子を備えた複合プロファイルを有し、
X線回折図形において、2θ=10°〜30°に現れる(002)回折線の形状が非対称であり、且つ、少なくとも2θ=26°を中心とする回折線と2θが26°よりも低角の回折線との2本の成分図形を有する炭素質基材において、
前記2θ=26°を中心とする前記回折線の存在割合が、2θ=10°〜30°の(002)回折線の総面積に対して30%以上である炭素質基材上に、
導電性ダイヤモンド薄膜が形成されているフッ素発生電解用電極。 - 前記炭素質基材は、X線回折から得られた層間距離d002が0.34nm以上の結晶を含み、且つ、結晶子サイズLc002が20nm以下である回折線を含んでいる請求項1に記載のフッ素発生電解用電極。
- 前記炭素質基材は、等方性炭素材料である請求項1又は2に記載のフッ素発生電解用電極。
- 前記炭素質基材のフィラーが、メソフェーズマイクロビーズである請求項1〜3のいずれか1項に記載のフッ素発生電解用電極。
- 前記炭素質基材の開気孔率が、5〜30体積%である請求項1〜4のいずれか1項に記載のフッ素発生電解用電極。
- 前記導電性ダイヤモンド薄膜は、
p型ドーパントにホウ素が用いられており且つn型ドーパントに窒素又はリンが用いられており、
前記p型ドーパント及び/又は前記n型ドーパントが100,000ppm以下含有されている請求項1〜5のいずれか1項に記載のフッ素発生電解用電極。 - 前記導電性ダイヤモンド薄膜の膜厚が、0.5μm以上かつ10μm以下である請求項1〜6のいずれか1項に記載のフッ素発生電解用電極。
- 前記導電性ダイヤモンド薄膜が、前記炭素質基材表面の10%以上被覆されている請求項1〜7のいずれか1項に記載のフッ素発生電解用電極。
- 前記導電性ダイヤモンド薄膜の結晶性は、X線回折から求められる格子定数が0.357nm以下であり、ラマン分光分析によるラマンスペクトルにおいて1320〜1340cm−1のSP3結合のC−C伸縮モードに存在するピークの半価幅が100cm−1以下である請求項1〜8のいずれか1項に記載のフッ素発生電解用電極。
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CN103072973B (zh) * | 2013-03-04 | 2014-06-11 | 兰州理工大学 | 氮掺杂有序介孔碳材料的制备方法 |
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CN111172560A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-05-19 | 吉林工业职业技术学院 | 一种制氟电解槽阳极用炭板的制造工艺 |
DE102020125434A1 (de) * | 2020-09-29 | 2022-03-31 | Claas Selbstfahrende Erntemaschinen Gmbh | Landwirtschaftliche Maschine mit NIR-Sensor und Datenverarbeitungssystem |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01192824A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-08-02 | Showa Denko Kk | 気相法炭素繊維 |
JP2000200603A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-18 | Sony Corp | 負極材料およびその製造方法ならびにそれを用いた電池 |
JP2006097054A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Permelec Electrode Ltd | 導電性ダイヤモンド電極及びその製造方法 |
JP2006249557A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Permelec Electrode Ltd | 電解用陽極および該電解用陽極を使用するフッ素含有物質の電解合成方法 |
Family Cites Families (7)
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---|---|---|---|---|
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JPH03232988A (ja) | 1990-02-06 | 1991-10-16 | Toyo Tanso Kk | 炭素電極ならびにそれを用いるhf含有溶融塩の電解方法及び装置 |
JP3236170B2 (ja) * | 1994-09-05 | 2001-12-10 | 松下電器産業株式会社 | 非水電解質二次電池用負極 |
JP2007238989A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Ebara Corp | ダイヤモンド電極の製造方法 |
JP2007242433A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Permelec Electrode Ltd | 電気化学反応用電極触媒、その製造方法及び前記電極触媒を有する電気化学用電極 |
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Patent Citations (4)
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JPH01192824A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-08-02 | Showa Denko Kk | 気相法炭素繊維 |
JP2000200603A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-18 | Sony Corp | 負極材料およびその製造方法ならびにそれを用いた電池 |
JP2006097054A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Permelec Electrode Ltd | 導電性ダイヤモンド電極及びその製造方法 |
JP2006249557A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Permelec Electrode Ltd | 電解用陽極および該電解用陽極を使用するフッ素含有物質の電解合成方法 |
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