JP5463059B2 - ダイヤモンド薄膜を被覆した炭素材料及びその製造方法 - Google Patents
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Description
尚、ダイヤモンド粒の単位面積当たりの重量を上記範囲に規制するのは、当該重量が1.0×10−4g/cm2未満であると、ダイヤモンド粒の量が少な過ぎて、炭素質基材の表面にダイヤモンド粒を配置した効果が十分に発揮されない一方、当該重量が3.0×10−3g/cm2以上になると、ダイヤモンド薄膜と炭素質基材との密着性が得られなくなり剥離するという不都合を生じるからである。
また、ダイヤモンド層は、窒素、ホウ素およびリンからなる群から選ばれた少なくとも1つの導電性付与元素を含有し、且つ、当該層の電気抵抗が1×10 −3 Ω・cm以上に規制するのは、以下に示す理由による。電気抵抗が1×10 −3 Ω・cm未満とするダイヤモンド層を作製するには、原料ガス濃度B(ホウ素)/C(炭素)の比率が10000ppmを超える必要があるが、現在の装置性能から困難であり、また、過剰なドーパントは結晶成長によるダイヤモンド層の形成を著しく阻害する恐れがあるので、上記の如く規制するのが望ましい。尚、このことはホウ素に限らず、窒素、リンでも同様である。
このように規制すれば、ダイヤモンド層の形成後に炭素質基材の重量が減少するのを抑制しつつ、ダイヤモンド層が炭素質基材から剥離するのを防止できる。
格子定数を0.36nm以下に規制するのは、この値を超えた場合にはダイヤモンドとしての結晶性が悪く水素ラジカルによるエッチングの影響を受けやすいからである。また、クラスター分布を0.003μm以上に規制するのは、0.003μm未満のダイヤモンド粒は気相合成雰囲気下においてガスの流れによりチャンバー中に対流してしまう可能性がある一方、クラスター分布を10μm以下に規制するのは、10μmを超えると炭素質基材に対する付着力が小さくなるからである。
このような方法により、上記炭素材料を作製することができる。
ここで、高圧合成法によるダイヤモンドの合成においては、核となるダイヤモンドは必要ではないが、大きな形状のダイヤモンドの合成は難しく、数mmが最大である。一方、気相合成法によるダイヤモンドの合成においては、大きな形状の基材上にダイヤモンドの合成を行うことは可能であるが、成膜速度と製造コストの観点から、核となるダイヤモンドが必要となる。こうして得られたダイヤモンド薄膜を粉砕することでダイヤモンド粒を作製することも可能である。したがって、上記構成の如く、ダイヤモンド粒を作製し、これを炭素質基材の表面に配置した後、気相合成法によりダイヤモンド層を形成することにより、炭素質基材とダイヤモンド層との密着性を維持しつつ、広範囲にダイヤモンドを円滑に作製できる。尚、ダイヤモンド粒における単位面積当たりの重量を、1.0×10−4g/cm2以上3.0×10−3g/cm2未満に規制するのは、上述した理由によるものである。
ダイヤモンド粒を分散させる溶液としては、エタノール、ブタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、アセトニトリル、水、純粋、ポリビニルアルコール溶液などを用いて分散させることができるが、低温で溶媒が除去可能であってダイヤモンド粒が比較的分散するエタノールを用いるのが好ましい。
当該方法によれば、炭素質基材の表面にダイヤモンド粒の層を簡単に形成することができ、しかも、炭素質基材とダイヤモンド粒とダイヤモンド薄膜との接着性が良好に保たれるからである。
フィラメント温度:2400℃
原料ガス:水素ガス、メタンガス、トリメチルボロンガス(尚、B〔ホウ素〕/C〔炭素〕=1000ppmの比率となるように、メタンガス、トリメチルボロンガスとで導入)
炉内圧力:50Torr
処理時間:11時間
〔下記実施例及び比較例で用いる炭素質基材について〕
下記表1は、下記実施例及び比較例で用いる炭素質基材の結晶子サイズを示したものである。炭素質基材I〜Vは、一元系若しくは二元系の炭素質原料からなり、X線回折図形において2θ=10〜30°に現れる(002)回折線の形状が非対称であり、少なくとも2θ=26°付近と前記26°付近よりも低角の回折線の2本の成分図形を有する炭素質基材である。
上記発明を実施するための形態で示した方法により作製した炭素材料を用いた。
このようにして作製した炭素材料を、以下、本発明材料A1と称する。
尚、炭素質基材には、最もエッチングされ易い炭素質基材Iを用いている。
エタノール溶液中のダイヤモンド粒の割合を1.0wt%とし、且つ、スプレー法により炭素質基材Iにダイヤモンド粒を添着させた他は、上記実施例1と同様にして炭素材料を作製した。
このようにして作製した炭素材料を、以下、本発明材料A2と称する。
尚、炭素質基材にダイヤモンド粒を添着したとき、基材表面におけるダイヤモンド粒濃度は、5.7×10−4g/cm2であった。
エタノール溶液中のダイヤモンド粒の割合を2.0wt%とした他は、上記実施例1と同様にして炭素材料を作製した。
このようにして作製した炭素材料を、以下、本発明材料A3と称する。
尚、炭素質基材にダイヤモンド粒を添着したとき、基材表面におけるダイヤモンド粒濃度は、6.0×10−4g/cm2であった。
エタノール溶液のダイヤモンド粒の割合を0.05wt%とした他は、上記実施例1と同様にして炭素材料を作製した。
このようにして作製した炭素材料を、以下、本発明材料A4と称する。
尚、炭素質基材にダイヤモンド粒を添着したとき、基材表面におけるダイヤモンド粒濃度は、1.1×10−4g/cm2であった。
エタノール溶液中のダイヤモンド粒の割合を5.0wt%とし、且つ、スプレー法により炭素質基材Vにダイヤモンド粒を添着させた他は、上記実施例1と同様にして炭素材料を作製した。
このようにして作製した炭素材料を、以下、本発明材料B1と称する。
尚、炭素質基材にダイヤモンド粒を添着したとき、基材表面におけるダイヤモンド粒濃度は、2.3×10−4g/cm2であった。
ダイヤモンド粒を添着しない他は、上記実施例1と同様にして炭素材料を作製した。
このようにして作製した炭素材料を、以下、比較材料Z1と称する。
エタノール溶液中のダイヤモンド粒の割合を0.01wt%とした他は、上記実施例1と同様にして炭素材料を作製した。
このようにして作製した炭素材料を、以下、比較材料Z2と称する。
尚、炭素質基材にダイヤモンド粒を添着したとき、基材表面におけるダイヤモンド粒濃度は、1.0×10−5g/cm2であった。
エタノール溶液のダイヤモンド粒の割合を0.01wt%とした他は、上記実施例1と同様にして炭素材料を作製した。
このようにして作製した炭素材料を、以下、比較材料Z3と称する。
尚、炭素質基材にダイヤモンド粒を添着したとき、基材表面におけるダイヤモンド粒濃度は、2.0×10−5g/cm2であった。
エタノール溶液のダイヤモンド粒の割合を5.0wt%とした他は、上記実施例1と同様にして炭素材料を作製した。
このようにして作製した炭素材料を、以下、比較材料Z4と称する。
尚、炭素質基材にダイヤモンド粒を添着したとき、基材表面におけるダイヤモンド粒濃度は、3.0×10−3g/cm2であった。
エタノール溶液のダイヤモンド粒の割合を10.0wt%とした他は、上記実施例1と同様にして炭素材料を作製した。
このようにして作製した炭素材料を、以下、比較材料Z5と称する。
尚、炭素質基材にダイヤモンド粒を添着したとき、基材表面におけるダイヤモンド粒濃度は、6.0×10−3g/cm2であった。
上記本発明材料A1〜A4、B1及び比較材料Z1〜Z5について、ダイヤモンド薄膜の可否及び基材重量変化率について調べたので、それらの結果を、表2及び図2に示す。
これに対して、本発明材料A1、A2、A3では、ダイヤモンド層の形成前よりも形成後の方が基材重量が増加しており、しかも、ダイヤモンド層と基材との界面で剥離していないことが認められる。また、本発明材料A4では、ダイヤモンド層の形成前よりも形成後の方が基材重量が若干減少しているものの、ダイヤモンド層と基材との界面で剥離していないことが認められる。
上記本発明材料A1を作製する際に、B〔ホウ素〕/C〔炭素〕の比率(以下、B/C比率と称する)を変えてメタンガスとトリメチルボロンガスとを導入し、作製された炭素材料の抵抗を調べたので、その結果を図2に示す。
図3から明らかなように、B/C比率が10000ppmでホウ素量が飽和に近づきつつあるので、それ以上にホウ素を添加しても、極めて大量に添加しない限り抵抗の大幅な減少は望めないことがわかる。加えて、B/C比率が10000ppmであっても、ダイヤモンドの結晶性は若干阻害されるため、これ以上B/C比率が大きくなると、結晶成長によるダイヤモンド層の形成が著しく阻害される恐れがある。したがって、B/C比率が10000ppm以下(抵抗は0.001Ωcm以上)であることが望ましい。
上記本発明材料A1、A2をフッ素発生用電解電極として用い、その電極性能について調べたので、その結果を以下に示す。
尚、実験は、本発明材料A1、A2を建浴直後のKF−2HF系溶融塩中に陽極として取り付ける一方、ニッケル板を陰極として取り付け、電流密度20A/dm2で定電流電解を実施した。
その結果、電解24時間後の槽電圧は5.6Vであった。そして、引き続き電解を継続し、更に24時間経過した後の槽電圧は5.6Vであり、時間経過により槽電圧は変化しないことが認められた。さらに、48時間経過後の陽極発生ガスを分析したところ、発生ガスはF2で発生効率は98%であることが認められた。
Claims (4)
- 炭素質基材の表面にダイヤモンド粒が配置され、更に、このダイヤモンド粒を核とするダイヤモンド層が形成された炭素材料であって、
上記ダイヤモンド粒の単位面積当たりの重量が、1.0×10−4g/cm2以上3.0×10−3g/cm2未満に規制され、上記ダイヤモンド層は、窒素、ホウ素およびリンからなる群から選ばれた少なくとも1つの導電性付与元素を含有し、且つ、当該ダイヤモンド層の電気抵抗が1×10 −3 Ω・cm以上に規制されることを特徴とする炭素材料。 - 上記ダイヤモンド粒の単位面積当たりの重量が、2.3×10−4g/cm2以上に規制される、請求項1に記載の炭素材料。
- ダイヤモンド粒を作製するステップと、
単位面積当たりの重量が、1.0×10 −4 g/cm 2 以上3.0×10 −3 g/cm 2 未満となるように、炭素質基材の表面にダイヤモンド粒を配置するステップと、
気相合成法により、上記ダイヤモンド粒を核とするダイヤモンド層を形成するステップと、
を有し、
上記気相合成法によりダイヤモンド層を形成する際に、窒素、ホウ素およびリンからなる群から選ばれた少なくとも1つの導電性付与元素を含むガスの存在下で行うことにより、導電性付与元素を上記ダイヤモンド層に含有させ、上記ダイヤモンド層の電気抵抗を1×10 −3 Ω・cm以上にすることを特徴とする炭素材料の製造方法。 - 上記炭素質基材の表面にダイヤモンド粒を形成するステップにおいて、ダイヤモンド粒の配置はスプレー法により行われる、請求項3記載の炭素材料の製造方法。
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