JP5255894B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置の製造方法に係わり、特に大型のマザー基板に複数個の表示パネルを形成した後に個々の表示パネルを切り出して分割して形成される表示パネルを用いた表示装置の製造方法、特に液晶表示装置の製造方法に関するものである。

近年、表示装置のフレキシブル化の要求が高まっており、これに対応すべきフレキシブル基材としてのプラスチック基板の開発が進められている。現行の表示装置、特に液晶表示装置の製作には、基材にガラスを用い、一枚のマザー基板（大型の基板、大基板）上に複数個の液晶表示パネルを面付けして形成した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板と、同様に複数個の液晶表示パネルを面付けして形成した大型のカラーフィルタ（ＣＦ）基板とを重ね合わせて接着し、その後に重ね合わせた大基板を切断して個々の液晶表示パネルを得る、所謂多面取り方式が用いられている。

ここで、ＴＦＴ基板に面付けされた液晶表示パネルは、外部電源との電気的接続を取るための端子が形成された部分、所謂端子部を有することから、上記切断におけるＣＦ基板の切断では、端子部と対向する部分を、端子部を傷つけることなく切断する必要がある。

このため、ガラス基板を用いた液晶表示パネルの切断には、ガラスの裏面側に傷を付け、この傷に引っ張り応力が働くように基板に力を加え、基板面に垂直方向に傷を成長させて破断する、すなわち、ガラスの高靭性を利用したスクライブ切断と称される方法が用いられてきたが、ガラスに対してフレキシブル性の優れた、すなわち、靭性の低い性質を有するプラスチック基板においては、スクライブ切断方式の適用は困難であり、これに代わる切断方法の開発が必要とされている。

スクライブ切断方式に代わるものとしてレーザ光の照射を用いる方式がある。このレーザ光の照射によるプラスチック基板の切断は、単板を対象に既に実用化されている。また、液晶表示装置のようにＴＦＴ基板とＣＦ基板とを２枚重ね合わせた構造においても、両基板を同一部分で切断することに対しては、レーザ光の焦点深度、照射電力及び光移動速度等の条件適正化により、単板切断と変わりなく、切断可能であることは実証されている。

しかしながら、上述した端子部の切断、すなわち、対向するＣＦ基板のみを切断する場合、レーザ光の透過性の関係から、ＴＦＴ基板の端子部に設けた端子を損傷してしまうという問題があった。

したがって、本発明は、前述した従来の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、プラスチック基板を用いた表示パネルの端子部における基板切断をレーザ光の照射により行う際、レーザ光の照射による端子部への損傷を防止して表示パネルの品質及び信頼性等を向上させることができる表示装置の製造方法を提供することにある。

このような目的を達成するために本発明による液晶表示装置の製造方法の概略は、以下の通りである。

（１）第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２基板と有し、前記第１の基板はプラスチック基板であり、複数の配線と複数の端子とが、前記第２の基板の前記第１の基板と対向する面に形成され、前記複数の端子は、前記第２の基板の端子部に形成され、前記第１の基板は、前記端子部と対向する位置に切断線を有し、前記第１の基板を前記切断線に沿って切断し、前記端子部の一部を露出させる表示装置の製造方法であって、前記第１の基板の、前記第２の基板と対向する面とは反対側の面にレーザ光を前記切断線に沿って照射し、前記第１の基板に所定の深さの溝を形成するレーザ光照射工程と、前記溝に沿って荷重を加え前記第１の基板を切断する切断工程とを有する。
（２）前記レーザ光は、炭酸ガスレーザあるいはエキシマレーザであってもよい。
（３）前記切断工程は、金属あるいはセラミックのカッターにより荷重を加えることを特徴とする。
（４）前記溝の深さは、前記第１の基板の厚さの５０％以下であることを特徴とする。
（５）前記第１の基板には、少なくとも１つの光学フィルム層が積層され、前記溝の深さは前記第２の基板に最も近い層に到達する深さであることを特徴とする。
（６）前記第１の基板には、少なくとも１つの光学フィルム層及び少なくとも１つのバリア膜が積層され、前記溝の深さは、前記バリア膜を除き前記第２の基板に最も近い層に到達する深さであることを特徴とする。また、前記バリア膜は、前記第２の基板に最も近い層に形成されていることを特徴とする。更に、前記バリア膜は、無機物で形成された膜、あるいは無機物と有機物が積層して形成された膜であることを特徴とする。
（７）前記第1に基板にはカラーフィルタ膜が形成されていることを特徴とする。
（８）前記第２の基板にはプラスチック基板あるいはガラス基板であることを特徴とする。
（９）前記切断工程の後に、前記第１の基板の前記切断線に沿った切断面と、前記第２の基板の前記端子部の少なくとも一部とを、樹脂で覆う樹脂保護膜形成工程を有することを特徴とする。
（１０）前記第１の基板の前記切断線に沿った切断面は、断面形状の異なる第１の切断面と第２の切断面とを有し、前記第２の切断面は、前記第１の切断面よりも前記第２の基板側に形成され、前記第２の切断面と前記第２の基板の前記端子部の少なくとも一部とを、樹脂で覆う樹脂保護膜形成工程を有することを特徴とする。
（１１）前記樹脂は、前記第１の基板と同一あるいは主要成分が同一の材質で形成されていることを特徴とする。
（１２）前記第１の基板には、少なくとも１つの光学フィルム層が積層され、前記樹脂は、前記第２の切断面と同一あるいは主要成分が同一の材質で形成されていることを特徴とする。
（１３）前記樹脂の熱膨張率は、前記第１基板の熱膨張率と同一あるいは前記第１の基板の熱膨張率の８０％以上１２０％以下であることを特徴とする。
（１４）前記端子部は、フィルム基板が接続され、前記樹脂は、前記端子部と前記フィルム基板との接続部を覆って形成されていることを特徴とする。
（１５）前記第１の基板と前記第２の基板は、互いに対向する面をシール材によって所定の間隙をもって貼り合され、前記樹脂は、前記シール材に接して形成されていることを特徴とする。
（１６）前記表示装置は、液晶表示装置であることを特徴とする。

なお、本発明は、上記の構成及び後述する実施例の構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能である。

本発明によれば、第２の基板の端子部に損傷を与えることなく、端子部と対向する部分の第１の基板が切断可能となるので、端子部の損傷がなくなり、端子の損傷を防止できるので、品質及び信頼性の高い表示装置が実現可能となるという極めて優れた効果が得られる。

また、本発明によれば、端子部を保護するため、第２の基板の端子部と第１の基板の切断面とを樹脂で覆うことにより、表示装置の耐久性が向上する。

以下、本発明の具体的な実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明による表示装置の製造方法の一実施例としての液晶表示装置の製造方法を説明するための液晶表示パネルの構成を示す模式図であり、図１（ａ）は上方から見た平面図、図１（ｂ）は側面から見た平面図である。また、図２は、図１（ａ）のＡ−Ａ線で切断した拡大断面図である。

図１において、この液晶表示パネルは、厚さ約０．２ｍｍの透光性のプラスチック基板である第１の基板（カラーフィルタ基板またはＣＦ基板とも称する）１と、複数の配線と複数の端子が形成された厚さ約０．２ｍｍの透光性のプラスチック基板である第２の基板（薄膜トランジスタ基板またはＴＦＴ基板とも称する）２とを対向させ、画素電極形成領域における両基板間の隙間を約４μｍとし、その対向周縁部に枠状のシール材３により囲まれた領域に液晶注入口から液晶４が注入され、エンドシール５により封止されて構成されている。

図２は、図１のＡ−Ａ線に沿って切断した拡大断面図である。図２に示すように第１の基板１の有効表示領域ＡＲ内の内面には、例えばアクリル樹脂にカーボンを分散させた黒色樹脂材を所定の格子状パタンに塗布して形成されたブラックマトリクス膜６が成膜されている。

また、第１の基板１の短辺側端部には、短辺の長さ方向に沿って後述する第２の基板２の端子部１２と対向する部位にレーザ光を照射して余剰部分１ａを破断して除去する断面が略楕円状の溝７が形成されている。その後、この溝７に沿って金属製あるいはセラミック製のカッター８によって荷重を加え、第１基板１の切断を行っている。

図３は、図２の破断部の構成を示す要部拡大斜視図である。この破断部は、溝７の内壁面はレーザ光の照射により切削された湾曲状のレーザ痕跡が形成され、さらに、カッター８によってＷの方向に荷重が加えられる。

そして、この第１の基板１は、第１の基板１の短辺側の最端部の余剰部分１ａを切断して切捨て部１ｂを除去することになる。

また、図２に示すように有効表示領域ＡＲの内面に形成されたブラックマトリクス膜６の格子状パタン間には、赤、緑、青の各カラーフィルタ膜９がそれぞれ所定の配列で形成されている。さらに、ブラックマトリクス膜６及び各カラーフィルタ膜９の形成面上には、図示しないが、透光性アクリル樹脂材からなるオーバーコート膜及びＩＴＯ等からなる共通電極が形成されている。さらに、その下面には例えばポリイミド材からなる配向膜１０ａが形成されている。

また、第１の基板１と対向配置される第２の基板２の内面には、ＩＴＯ等からなる画素電極及び画素選択用のスイッチング素子としての薄膜トランジスタ等からなる画素１１がマトリクス状に配設されている。画素１１の構成としては、図示しないが、薄膜トランジスタの上層に、例えば酸化シリコンまたは窒化シリコン等からなる保護膜が配設され、その上層に例えばＩＴＯ電極等からなる画素電極、さらに例えばポリイミド等からなる配向膜１０ｂが形成されている。

また、この第１の基板１の短辺側端部に形成された溝７は、これらの溝７を境界としてレーザ光の照射方向と同方向から荷重を加えることにより、図２示した最端部の余剰部分１ａが切捨て部１ｂとして破断されるとともに、その切断面には、レーザ光の照射による湾曲した縞状のレーザ痕跡７ａと、カッター８による鋭角状の痕跡８ａ及び基板破断面１ｃが外部に露呈されることになる。

また、第２の基板２の端子部１２には、有効表示領域ＡＲの内部に形成されている各画素電極にそれぞれ接続された複数本の配線が引き出された端子１２ａが形成されている。したがって、この第２の基板２の端子部１２が第１の基板１の端部に形成された溝７と交差して対向配置される位置関係となって構成される。

このような構成において、第１の基板１の端部に形成された溝７を形成し、これらの溝７境界として余剰部分１ａを切り捨て部１ｂとして切断することにより、第２の基板２の端子部１２にレーザ光の照射が到達されることがなく、端子部１２の損傷がなくなり、端子１２ａの損傷が防止できる。尚、溝７の深さは、第１の基板１の厚さの５０％以下であることが望ましい。

次に、このように構成される液晶表示装置の製造方法について図面を参照して詳細に説明する。

図４は、図１に示した液晶表示パネルが複数個面付けされたいるマザー基板の要部模式図であり、図４（ａ）は上方から見た平面図、図４（ｂ）は側面から見た平面図、図４（ｃ）は下方から見た平面図である。

図４において、縦横の寸法が約１５０ｍｍ×１５０ｍｍ角の大型のマザー基板に図１に示すような液晶表示パネルの例えば４個を面付けして形成し、シール材３により囲まれた間隙内に液晶を封止した後、切断線に沿ってレーザ光を照射し、切断して４個の液晶表示パネルとする。

ここでのレーザ切断には、炭酸ガスレーザを使用し、波長が約１０μｍ、出力が約１３ｊ、周波数が約３００Ｈｚ、ビーム径が約３００μｍとし、移動速度及び照射回数を変えることにより条件を設定した。レーザ光は、第１の基板１の上方から矢印で示すＺ方向に照射し、切断線Ｙｎ−Ｙｎ’，切断線Ｘａｎ−Ｘａｎ’及び切断線Ｘｂｎ−Ｘｂｎ’の各ライン上を往復移動しながら行った。

このとき、切断線Ｙｎ−Ｙｎ’及び切断線Ｘａｎ−Ｘａｎ’の切断（以下、パネル外周切断と称する）は、重ねた２枚の基板（第１の基板１及び第２の基板２）を同一部で切断するのに対して切断線Ｘｂｎ−Ｘｂｎ’の切断は、図２に示すように、対向する第２の基板２の端子部１２を残すために第１の基板１の端部のみを切断することになり、この際にレーザ光の照射による前述したように端子部１２の損傷の問題が生じる。

本実施例では、前記問題解決のため、図４に示すように、Ｘｂn−Ｘｂn’の切断において、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザにより切断ラインに沿って連続的に溝を設けた後、パネル外周を同レーザで切断、個々の液晶パネルとした後に金属カッターを用い、前記溝の幅中央部近傍に溝に沿ってレーザ照射方向と同方向から金属カッターに荷重を加えて余剰部分を破断除去した。

ここで、パネル外周切断はレーザ移動速度18ｍｍ／秒，照射回数5回、溝形成はレーザ移動速度18ｍｍ／秒，照射回数1回で行い、溝の深さを≒105μｍで形成した。また、金属カッターによる破断では、長さ≒１００ｍｍ，幅≒２０ｍｍ，厚さ＝0.3ｍｍ，刃先角度≒42°のはがねカッターを用い、プレス装置により加圧、レーザで形成した溝底面部より深さ≒20μｍまで刃先を食い込ませ破断した。これにより、図５に示すように、端子部１２と対向する位置の第１の基板が切断される。

尚、本実施例以外の切断手順として、溝形成→余剰部破断→パネル外周切断、及び、パネル外周切断→溝形成→余剰部破断が上げられる。

また、ここでは溝形成に炭酸ガスレーザを用い、破断に刃先角４２°のはがねカッターを用いたが、これらは限定されるものではない。例えば、レーザにおいては炭酸ガスレーザに替わりエキシマレーザやフェムト秒レーザ等を用いても良い。更に、カッターにおいては、はがねカッターに替わり、超硬カッターやセラミックスカッターを用いても良い。尚、レーザにおける照射強度や移動速度、また、カッターにおける刃先角等の製作条件においては適時適正な条件を選択することはいうまでもない。

図６及び図７は、第１の基板１の破断部の構造を説明する図であり、図６は図１のＡ−Ａ線に沿って切断した要部断面図、図７は図６の矢印Ｂ方向から見た要部平面図である。図６及び図７に示すように溝７の内壁面には、レーザ光の照射により湾曲した縞状のレーザ痕跡７ａ及びカッター８による鋭角状の痕跡８ａが形成される。さらに、第１の基板１の余剰部分１ａの破断により基板破断面１ｃが形成されることになる。

このような製造方法において、第１の基板１に形勢された溝７は他の部分より基板厚が薄い為、溝７の強度は他の部分より低下する。この溝に先端部を鋭利としたカッター８により溝形成基板方向から鉛直に溝底面部に荷重を加えた場合、荷重は鉛直方向にカッター８の刃先に集中して作用する。このため、前記の強度の弱い溝に沿ってカッターが第１の基板１に食い込むことになり、このためカッター８に沿って安定して第１の基板１が破断される。

また、前記の溝７は端子部１２を形成した第２の基板２に対向した第１の基板１内に形成、カッター８の食い込みも溝７を形成した残りの部分であることから、端子部１２の損傷を生じることなく第１の基板１の切断が可能になる。

図８は、比較例として第１の基板１の端子部１２と対向する切断線に沿ってレーザ光を照射して溝７の形成のみを行って破断したときの破断面を示す要部拡大平面図である。図８に示すように溝７の内壁面にはレーザ光の照射により内周面に沿って湾曲した縞状のレーザ痕跡７ａが形成されている。

よって、溝７の底部には連続して第１の基板１の余剰部分の破断による基板破断面１ｃが形成される構造になっている。

このような製造方法では、靭性の低い性質を有する第１の基板１の余剰部分１ａの切断には、対向する第２の基板２の端子部１２に設けられている端子１２ａに傷を付けることなく、切断除去することが困難となることが分かる。

図９は、本発明による表示装置の製造方法の他の実施例を液晶表示装置を例に説明する切断部分の要部断面図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。

上記実施例１の液晶表示装置では、第１の基板１が単層の場合について説明したが、本実施例では、液晶表示パネル上に偏光子層や位相差性能を有する光学フィルムを階層状に有する多層基板においての実施例について図９により説明する。

図９において、この液晶表示装置は、第１の基板１の下面には第１の透光性バリア膜１ｄが接着配置されている。また、この第１の基板１の上面には偏光子層１ｅが接着配置され、この偏光子層１ｅ上に透光性プラスチック基板からなる第３の基板１ｆが接着配置されている。さらにこの第３の基板１ｆの前面には第２の透光性バリア膜１ｇが接着配置されている。また、第２の基板２の上面及び下面にはそれぞれ上記同様の第３の透光性バリア膜２ａ及び第４の透光性バリア膜２ｂがそれぞれ接着配置されて所謂多層基板構造が構成されている。

このような多層基板構造の場合、レーザ光の照射により形成する溝７の深さは、偏光子層１ｅの厚さよりも深い位置まで形成することが好ましい。また、さらに多数の層を有する場合における第１の溝７の深さは、第１の透光性プラスチック基板１の最も深い透光性バリア膜１ｄの近傍まで達することが望ましい。なお、透光性バリア膜１ｄは含まない。即ち、溝７の深さを、バリア膜１ｄを除き第２の基板２に最も近い層に到達する深さにすることが望ましい。また、第２の基板２に対向する面にバリア膜がない構成においては、溝７の深さを、第２の基板２に最も近い層に到達する深さにすることが望ましい。
上記バリア膜は、第１の基板１及び第２の基板２に形成された配線や電極等の防腐、防湿の効果を有する。また、上記バリア膜は、例えば無機物あるいは無機物、有機物の積層体によって形成される。
上記実施例においては、透光性のバリア膜を用いたが、表示装置の用途によっては、反射性のバリア膜を用いて、配線や電極等の防腐、防湿をすると共に、反射膜としての機能を兼ねても良い。

図１０は、本発明による表示装置の製造方法のさらに他の実施例を説明する図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図１０では、図５に示した液晶表示パネルの破断部において、第１の基板１の端子部に形成された溝７、カッター８による鋭角状の痕跡８ａ、基板破断面１ｃの破断部分の略全面を覆い、さらに第１の基板１と第２の基板２との隙間にシール材３と接触させて樹脂１３が塗布されて保護されている

この樹脂１３には、第１の基板１及び第２の基板２と略同等の熱膨張率、同一の素材または破断部の構成材料の熱膨張率に対しての熱膨張差が約２０％以下の紫外線硬化型樹脂材を用い、例えばディスペンサを用いてこの樹脂材を塗布した後、紫外線を照射して樹脂材を硬化させることにより固着させる。なお、樹脂１３に例えば無機材料を添加した複合材料の場合は、構成材料中の有機材料の膨張係数を対象とする。

本実施例においては、第１の基板１及び第２の基板２の材料として、特開２００４−１２３９３６に示されたシリコーン樹脂組成物による樹脂を用いた。ここでの樹脂１３には第１の基板１及び第２の基板２と同一のシリコーン樹脂（硬化前樹脂）にＭＥＫ（メチルエチルケトン）を添加した物を用い、ディスペンサで樹脂を塗布形成後、ＭＥＫ乾燥を行った後紫外線（ＵＶ）照射を行い樹脂を硬化形成した。また、湿気等、端子部への水分付着による端子１２ａの腐食防止の為、樹脂を第１の基板１との第２の基板２間隙に、シール材３と接触して形成した。尚、前述のＭＥＫ添加は塗布作業性向上を目的とした物であり、添加の有無，添加量等については限定されない。
更に、この樹脂１３の構成材料としては、例えば、籠型シルセスキオサン樹脂を原料としたラジカル重合性樹脂等も好適である。尚、樹脂１３は第１の基板１と同じ材質、あるいは、基板破断面１ｃの層と同じ材質であることが望ましい。

このような製造方法によれば、第１の基板１の溝７内に形成したカッター８による鋭角状の痕跡８ａを起点とした進行性クラックの発生、外部からの応力、熱ストレスによるクラックの拡大進行等による液晶表示パネルの破壊を阻止できる。また、第１の基板１と第２の基板２との隙間にシール材３と接触させて樹脂１３を塗布することにより、湿気等、端子部への水分付着による端子１２ａの腐食を防止できるので、液晶表示パネルの信頼性を向上させることができる。

図１１は、本発明による表示装置の製造方法のさらに他の実施例を説明する図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図１１では、図５に示した液晶表示パネルの破断部において、第２の基板２の端子部１２に液晶表示パネルに電力及び電気信号を供給するフィルム基板１４（フレキシブル配線基板）を例えば熱圧着法等により結合し、端子１２ａと電気的に接続した後、破断部分の略全面を覆い、さらに第１の基板１と第２の基板２との隙間のシール材３及びフィルム基板１４の端子部上に接触させて樹脂１３が塗布されて保護されている。ここでの樹脂１３は実施例３のものと同一である。

このような製造方法によれば、上記作用効果に加えて第２の基板２の端子部１２とフィルム基板１４の端子部との機械的強度が向上できるので、液晶表示パネルの接続信頼性の向上を図ることができる。

図１２は、本発明による表示装置の製造方法のさらに他の実施例を説明する図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図１２では、図９に示した液晶表示パネルの破断部において、第２の基板２の端子部１２に液晶表示パネルに電力及び電気信号を供給するフィルム基板１４を例えば熱圧着法等により結合し、各電極配線１２ａと電気的に接続した後、第１の基板１のバリア膜１ｄを除き第２の基板２に最も近い層までを少なくとも覆い、さらにフィルム基板１４の端子部上に至るまでの各機能層の端面に沿って樹脂１３が塗布されて保護されている。ここでの樹脂１３は実施例３、実施例４のものと同一である。

このような製造方法においても、上記作用効果に加えて第２の基板２の端子部１２とフィルム基板１４の端子部との機械的強度が向上できるとともに、積層された各機能層の切断面への湿気、水分等の付着による機能低下を防止できるので、多層基板構造の液晶表示パネルの信頼性を向上させることができる。

なお、前述した実施例においては、端部に端子部を引き出した基板としてプラスチック基材から形成された透光性プラスチック基板を用いた場合について説明したが、この第２基板２を透光性プラスチック基板に替えて透光性ガラス基板を用いた構造であっても、前述と同様の効果が得られることは言うまでもない。

また、前述した実施例においては、液晶表示装置の構成について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、有機ＥＬ表示装置等、他の表示装置の構成に適用しても同様の効果が得られることは勿論である。

本発明による表示装置の製造方法の実施例１を説明するための液晶表示パネルの構成を示す模式図であり、図１（ａ）は上方から見た平面図、図１（ｂ）は側面から見た平面図である。 図２は図１（ａ）のＡ−Ａ線で切断した要部拡大断面図である。 破断部の要部拡大斜視図である。 本発明による表示装置の製造方法の実施例を説明するための図１の液晶表示パネルを複数個面付けしたときの模式図であり、図３（ａ）は上方から見た平面図、図３（ｂ）は側方から見た平面図、図３（ｃ）は下方から見た平面図である。 本発明による表示装置の製造方法を説明する液晶表示パネルの破断部の要部拡大断面図である。 第１の基板の破断部の構造を説明する図１のＡ−Ａ線に沿って切断した要部断面図である。 図６の矢印Ｂ方向から見た要部平面図である。 比較例として第１の基板の端子部の切断線に沿ってレーザ光を照射して第１の溝の形成のみを行って破断したときの破断面を示す要部拡大平面図である。 本発明による表示装置の製造方法の他の実施例を説明する切断部分の要部断面図である。 本発明による表示装置の製造方法のさらに他の実施例を説明する液晶表示パネルの要部断面図である。 本発明による表示装置の製造方法のさらに他の実施例を説明する液晶表示パネルの要部断面図である。 本発明による表示装置の製造方法のさらに他の実施例を説明する液晶表示パネルの要部断面図である。

符号の説明

１・・・第１の基板、１ａ・・・余剰部分、１ｂ・・・切り捨て部、１ｃ・・・基板破断面、１ｄ・・・第１の透光性バリア膜、１ｅ・・・偏光子層、１ｆ・・・第３の基板、１ｇ・・・第２の透光性バリア膜、２・・・第２の基板、２ａ・・・第３の透光性バリア膜、２ｂ・・・第４の透光性バリア膜、３・・・シール材、４・・・液晶、５・・・エンドシール、６・・・ブラックマトリクス膜、７・・・溝、７ａ・・・レーザ痕跡、８・・・カッター、８ａ・・・カッター８による鋭角状の痕跡、９・・・カラーフィルタ膜、１０ａ・・・配向膜、１０ｂ・・・配向膜、１１・・・画素、１２・・・端子部、１２ａ・・・端子、１３・・・樹脂、１４・・・フィルム基板

Claims (19)

1. 第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２基板とを有し、
   前記第１の基板はプラスチック基板であり、
   複数の配線と複数の端子とが、前記第２の基板の前記第１の基板と対向する面に形成され、
   前記複数の端子は、前記第２の基板の端子部に形成され、
   前記第１の基板は、前記端子部と対向する位置に切断線を有し、
   前記第１の基板を前記切断線に沿って切断し、前記端子部の一部を露出させる表示装置の製造方法であって、
   前記第１の基板の、前記第２の基板と対向する面とは反対側の面にレーザ光を前記切断線に沿って照射し、前記第１の基板に所定の深さの溝を形成するレーザ光照射工程と、
   前記溝に沿って金属あるいはセラミックのカッターにより荷重を加え前記第１の基板を切断する切断工程とを有することを特徴とする表示装置の製造方法。
2. 前記レーザ光は、炭酸ガスレーザであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 前記レーザ光は、エキシマレーザであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
4. 前記溝の深さは、前記第１の基板の厚さの５０％以下であることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
5. 前記第１の基板には、少なくとも１つの光学フィルム層が積層され、前記溝の深さは前記第２の基板に最も近い層に到達する深さであることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
6. 前記第１の基板には、少なくとも１つの光学フィルム層及び少なくとも１つのバリア膜が積層され、前記溝の深さは、前記バリア膜を除き前記第２の基板に最も近い層に到達する深さであることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
7. 前記バリア膜は、前記第２の基板に最も近い層に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
8. 前記バリア膜は、無機物で形成された膜、あるいは無機物と有機物が積層して形成された膜であることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の表示装置の製造方法。
9. 前記第1の基板にはカラーフィルタ膜が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項８の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
10. 前記第２の基板はプラスチック基板であることを特徴とする請求項１から請求項９の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
11. 前記第２の基板はガラス基板であることを特徴とする請求項１から請求項９の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
12. 前記切断工程の後に、前記第１の基板の前記切断線に沿った切断面と、前記第２の基板の前記端子部の少なくとも一部とを、樹脂で覆う樹脂保護膜形成工程を有することを特徴とする請求項１から請求項１１の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
13. 前記第１の基板の前記切断線に沿った切断面は、断面形状の異なる第１の切断面と第２の切断面とを有し、
    前記第２の切断面は、前記第１の切断面よりも前記第２の基板側に形成され、
    前記第２の切断面と前記第２の基板の前記端子部の少なくとも一部とを、樹脂で覆う樹脂保護膜形成工程を有することを特徴とする請求項１から請求項１１の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
14. 前記樹脂は、前記第１の基板と同一あるいは主要成分が同一の材質で形成されていることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
15. 前記第１の基板には、少なくとも１つの光学フィルム層が積層され、
    前記樹脂は、前記第２の切断面と同一あるいは主要成分が同一の材質で形成されていることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
16. 前記樹脂の熱膨張率は、前記第１基板の熱膨張率と同一あるいは前記第１の基板の熱膨張率の８０％以上１２０％以下であることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
17. 前記端子部は、フィルム基板が接続され、
    前記樹脂は、前記端子部と前記フィルム基板との接続部を覆って形成されていることを特徴とする請求項１２から請求項１６の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
18. 前記第１の基板と前記第２の基板は、互いに対向する面をシール材によって所定の間隙を有して貼り合され、
    前記樹脂は、前記シール材に接して形成されていることを特徴とする請求項１２から請求項１７の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
19. 前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする請求項１から請求項１８の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。