JP5243671B1 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

半導体装置の製造方法は、トレンチの側面、トレンチの底部及びトレンチの周囲にゲート絶縁膜を形成する工程を備えている。ゲート絶縁膜を形成する工程は、トレンチの側面に第１の絶縁膜を形成する工程と、トレンチの底部及びトレンチの周囲に高密度プラズマ化学気相成長法を用いて第２の絶縁膜を形成する工程とを含む。ゲート絶縁膜におけるトレンチの底部及びトレンチの周囲に形成された部分の膜厚を、ゲート絶縁膜におけるトレンチの側面に形成された部分よりも厚くする。

Description

本願は、半導体装置及びその製造方法に関し、特にトレンチゲート構造を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
近年、トレンチゲート構造を有する半導体装置が注目されている。プレーナゲート構造の半導体装置では、半導体層の表面にチャネルが形成されるのに対し、トレンチゲート構造の半導体装置では、半導体層に設けられたトレンチの側面にチャネル領域が形成される。このため、トレンチゲート構造の半導体装置は、プレーナゲート構造の半導体装置よりも微細化及びオン抵抗の低減が期待される。このため、特にパワーデバイスの分野においてトレンチゲート構造の半導体装置の開発が行われている。
トレンチゲート構造の半導体装置は、接合ＦＥＴ（ＪＦＥＴ）効果による微細化の制限を受けないため、トレンチを微細化し、オン抵抗及びスイッチング損失を低減できるという利点を有している。しかし、微細化によりトレンチのアスペクト比が大きくなりゲート電極の埋め込みが困難になるという問題がある。また、ゲート電極の断面積が小さくなるため、ゲート抵抗が増大してしまう。ゲート抵抗の増大を抑えるために、ゲート電極をＴ字状にして、トレンチの周囲にゲート電極を延伸することが検討されている（例えば、特許文献１を参照。）。
また、トレンチゲート構造の半導体装置においては、トレンチ内に適切なゲート絶縁膜を形成することが重要である。トレンチの底部には電界が集中し、他の部分よりも電界強度が高くなる。このため、トレンチの底部においてゲート絶縁膜の絶縁破壊によるブレイクダウンが生じるおそれがある。
一方、絶縁破壊電界を大きくするために、ゲート絶縁膜の膜厚を全体的に厚くすると、スイッチングの際の閾値電圧が上昇してしまう。このため、トレンチの側面と底面との面方位の違いを用いてトレンチの底部により厚いゲート絶縁膜を形成する方法が検討されている（例えば、特許文献２を参照。）。また、ゲート絶縁膜を形成する際にトレンチの側面にマスクを形成し、トレンチの側面においては酸化膜の形成を抑えつつ、トレンチの底部に厚いゲート絶縁膜を形成する方法が検討されている（例えば、特許文献３を参照。）。
特開２００７−２８１５１２号公報 特開平７−３２６７５５号公報 特開２００７−２４２９４３号公報
しかしながら、前記従来のトレンチゲート構造の半導体装置には以下のような問題がある。まず、ゲート絶縁膜の膜厚を基板の面方位を用いて制御する場合には、特殊な面方位の基板が必要となり、製造コストを上昇させる。また、トレンチの側面における膜厚と底部における膜厚とを独立して任意の厚さに設定することができない。
トレンチの側面にマスクを形成し、トレンチの底部にのみ厚いゲート絶縁膜を形成する場合には、マスクの形成及び除去という工程が必要となる。このため、製造工程が複雑となり、製造コスト及びサイクルタイムが上昇してしまう。
また、ゲート電極をＴ字状にする場合には、トレンチの周囲の半導体層の上にもゲート絶縁膜が必要となる。トレンチの周囲に形成されたゲート絶縁膜の膜厚が薄いと、ゲート−ソース容量が増大し、遅延の原因となる。従って、ゲート電極をＴ字状にする場合には、トレンチの側面及び底部におけるゲート絶縁膜の膜厚だけでなく、トレンチの周囲におけるゲート絶縁膜の膜厚も制御する必要がある。
さらに、トレンチの周囲に厚いゲート絶縁膜を形成すると、実質的にトレンチが深くなり、アスペクト比が大きくなる。このため、ゲート電極の埋め込みが困難になるという問題も発生する。
以上のような問題は、シリコン半導体装置においても、炭化珪素（シリコンカーバイド：ＳｉＣ）等のワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体装置においても生じる。ＳｉＣの比誘電率（４Ｈ−ＳｉＣでは９．７）は、Ｓｉの比誘電率（１１．９）よりも小さく、ＳｉＯ2の比誘電率（３．８）との差が小さい。このため、ＳｉＣを用いた半導体装置においては、ゲート絶縁膜により大きな電界が印加されるので、より大きな問題となる。
本明細書において開示される一実施の形態は、トレンチ内及びトレンチ周囲におけるゲート絶縁膜の膜厚の制御が容易であると共に、トレンチへのゲート電極の埋め込みも容易な半導体装置を提供する。
本明細書において開示される半導体装置の製造方法の一形態は、主面側に設けられた半導体層を有する基板を準備する工程と、半導体層にトレンチを形成する工程と、トレンチの側面、トレンチの底部及びトレンチの周囲にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜の上にトレンチを埋め且つトレンチの周囲に拡がった導電膜を形成する工程とを備えている。ゲート絶縁膜を形成する工程は、トレンチの側面に第１の絶縁膜を形成する工程と、トレンチの底部及びトレンチの周囲に高密度プラズマ化学気相成長法を用いて第２の絶縁膜を形成する工程とを含み、ゲート絶縁膜におけるトレンチの底部及びトレンチの周囲に形成された部分の膜厚を、ゲート絶縁膜におけるトレンチの側面に形成された部分よりも厚くする。導電膜を形成する工程において、導電膜と、第１の絶縁膜におけるトレンチの側面の上に形成された部分とは接するように形成する。
本明細書において開示される半導体装置の一形態は、基板と、基板の主面側に設けられた半導体層と、半導体層に設けられたトレンチと、トレンチの側面、トレンチの底部及びトレンチの周囲に設けられたゲート絶縁膜と、トレンチを埋め且つトレンチの周囲に拡がるように、ゲート絶縁膜の上に設けられた導電膜とを備え、ゲート絶縁膜は、トレンチの側面に設けられた第１の絶縁膜と、トレンチの底部及びトレンチの周囲に設けられた第２の絶縁膜とを有し、ゲート絶縁膜におけるトレンチの底部及びトレンチの周囲に設けられた部分の膜厚は、ゲート絶縁膜におけるトレンチの側面に設けられた部分よりも厚く、第２の絶縁膜におけるトレンチの周囲に設けられた部分は、トレンチ側の端部から次第に厚さが厚くなる傾斜部を有し、傾斜部の基板の主面に対する傾斜角度は、４５±５度であり、導電膜と、第１の絶縁膜におけるトレンチの側面に形成された部分とは接している。
本明細書において開示される一実施の形態によれば、トレンチ内及びトレンチ周囲におけるゲート絶縁膜の膜厚の制御が容易であると共に、トレンチへのゲート電極の埋め込みも容易な半導体装置を実現できる。
トレンチの底部に形成された絶縁膜の膜厚と、トレンチの底部において絶縁膜にかかる電界強度との関係を示すグラフである。 一実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 一実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は一実施形態に係る半導体装置の製造工程の第１の変形例を示す断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の第２の変形例を拡大して示す断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の第３の変形例を拡大して示す断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の製造工程の第４の変形例を示す断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の製造工程の第４の変形例を示す断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の製造工程の第４の変形例を示す断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の第５の変形例を示す平面図である。 一実施形態に係る半導体装置の第６の変形例を示す平面図である。 一実施形態に係る半導体装置の第７の変形例を示す平面図である。 一実施形態に係る半導体装置の第８の変形例を示す平面図である。
本明細書において開示される半導体装置の製造方法においては、高密度プラズマ化学気相成長（High Density Plasma Chemical Vapor Deposition：ＨＤＰ−ＣＶＤ）法と、例えば熱酸化法との組み合わせによりゲート絶縁膜を形成する。
この製造方法によれば、工程を複雑にすることなく、トレンチの底部及び周囲におけるゲート絶縁膜の膜厚と、トレンチの側面におけるゲート絶縁膜の膜厚とを独立して自由に設定することができる。閾値電圧等の特性にほとんど影響を与えることなく、トレンチの底部におけるゲート絶縁膜の絶縁破壊が抑制された半導体装置を容易に実現できる。また、ゲート抵抗の低減とゲート容量の低減とを両立させることができ、高周波動作に優れた半導体装置を実現できる。
まず、必要とされるゲート絶縁膜の膜厚について説明する。図１は４Ｈ−ＳｉＣを用いたトレンチゲート構造の半導体装置において、トレンチ底部にかかる電界強度をシミュレーションにより求めた結果を示している。ドレイン電圧は１２００Ｖであり、ドリフト領域とボディ領域とのジャンクション耐圧は１２００Ｖ以上であるとした。トレンチ側面のチャネル領域におけるゲート絶縁膜の膜厚を７０ｎｍに固定し、トレンチ底部における膜厚を変化させた際のトレンチ底部にかかる電界強度を求めた。
図１に示すように、トレンチ底部におけるゲート絶縁膜の膜厚が側面と同じ７０ｎｍの場合には、電界強度は９ＭＶ／ｃｍを超えている。トレンチ底部における膜厚を側面における膜厚の２倍である１４０ｎｍとしても、６ＭＶ／ｃｍの電界がトレンチ底部にかかる。
通常の熱酸化膜における絶縁破壊電界強度は１０ＭＶ／ｃｍ以上である。しかし、長期使用の際の信頼性を確保するためには、半導体装置において許容しうる電界強度を、絶縁破壊電界強度よりも十分に小さな３ＭＶ／ｃｍ〜４ＭＶ／ｃｍ程度とすることが好ましい。
図１に示すように、トレンチ底部におけるゲート絶縁膜の膜厚を、トレンチ側面におけるゲート絶縁膜の膜厚の５倍以上である３５０ｎｍ以上にすると、トレンチ底部にかかる電界強度は４ＭＶ／ｃｍ以下となる。
４Ｈ−ＳｉＣにおいて、（０００−１）Ｃ面は酸化速度が大きい面であるが、その酸化速度は（１１−２０）面の２倍程度でしかない。このため、面方位による酸化速度の違いにより、トレンチの底部におけるゲート絶縁膜の膜厚を、トレンチの側面の５倍以上とすることは困難である。また、トレンチの底面の面方位と側面の面方位との組み合わせは限定されるため、側面における膜厚と底部における膜厚とを独立して制御することはできない。さらに、Ｃ面においては、低濃度のエピタキシャル成長が困難である。このため、面方位による酸化速度の違いを用いて、トランジスタの特性を確保しつつ、トレンチ底部にかかる電界を所定の値以下となるように緩和することは困難であり、実用的でない。
ゲート絶縁膜の形成工程を複数の工程に別けて、トレンチの底部におけるゲート絶縁膜の膜厚を厚くする場合には、トレンチの側面における膜厚と底部における膜厚とを独立して制御することが可能である。しかし、工数の増加が大きな問題となる。例えば、以下のような工程が必要となる。まず、トレンチの内部に熱酸化膜を形成した後、熱酸化膜を覆うようにポリシリコン膜を形成する。次に、ポリシリコン膜を覆う窒化膜を形成し、形成した窒化膜を選択的に除去してトレンチの側面を覆い且つ底部を露出するマスクを形成する。ポリシリコン膜の露出部分を熱酸化した後、マスクを除去し、さらに、酸化されていないポリシリコン膜を除去する。
また、ポリシリコンを酸化した酸化膜は、単結晶シリコンを酸化した酸化膜と比べて絶縁破壊電界強度が低くなる。このため、トレンチの底部に熱酸化膜を直接形成する場合よりも、トレンチの底部におけるゲート絶縁膜の膜厚を厚くする必要がある。しかし、厚いポリシリコン膜を内部まで完全に酸化することは困難であり、トレンチの底部におけるゲート絶縁膜の膜厚を側面よりも大幅に大きくすることは容易ではない。
さらに、どちらの方法においても、熱酸化によりトレンチの底部に厚い絶縁膜を形成する。本願発明者は、側面の２倍以上の膜厚の熱酸化膜をトレンチの底部に形成すると、半導体層に欠陥が導入されやすくなるということを見出した。熱酸化膜の形成プロセスにおいては、半導体層の表面部分の体積が酸化により増大する。このため、トレンチの底部に厚い熱酸化膜を形成すると、トレンチの底部の角部に大きなストレスがかかり、角部において結晶性が乱れるおそれが高くなる。従って、半導体層に欠陥が生じやすくなり、半導体装置の耐圧が低下したり、リーク電流が増大したりするおそれがある。
本願発明者は、ＨＤＰ−ＣＶＤ法を用いることにより、トレンチの側面にはほとんど堆積させることなく、トレンチの底面に選択的にＳｉＯ2膜を堆積させることができることに着目した。ＨＤＰ−ＣＶＤ法を用いることにより、トレンチの側面における膜厚と底部における膜厚とを独立して制御することができる。また、マスクを必要としないため、工数が大きく増加することはない。さらに、ＨＤＰ−ＣＶＤ法を用いた場合には、緻密なＳｉＯ2膜を得ることができるため、ポリシリコンを酸化したＳｉＯ2膜と比べて膜厚が薄くても、大きな絶縁破壊電界強度が得られる。
ＨＤＰ−ＣＶＤ法を用いたＳｉＯ2膜の形成においては、膜の堆積と、エッチングとが同時に進み、エッジ部分がエッチングされる。このため、トレンチの周囲に形成されたＳｉＯ2膜には、トレンチ側から次第に厚さが厚くなる傾斜部が形成される。従って、トレンチの周囲に比較的厚いゲート絶縁膜を形成したとしても、トレンチの実質的なアスペクト比の上昇を抑えることができ、ゲート電極の埋め込みが容易となるという利点も得られる。
以下に、具体例をあげて本発明に係る半導体装置について説明する。本実施形態の半導体装置は、トレンチゲート構造を有するＳｉＣ−金属絶縁体半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）であり、複数のユニットセル１１を有している。図２は、ユニットセル１１の平面構成を示しており、図３は、図２のIII−III線における断面構成を示している。図２において、ソース電極の記載は省略している。各ユニットセル１１は、ＳｉＣを含む基板１０１の表面（主面）に設けられた半導体層１０２とを有している。半導体層１０２は、ｎ型のドリフト領域１２１と、ドリフト領域１２１の上に設けられたｐ型のボディ領域１２３と、ボディ領域１２３の上部に設けられたｎ型のソース領域１２４とを有している。ソース領域１２４は、ボディ領域１２３に囲まれている。
半導体層１０２は、ソース領域１２４及びボディ領域１２３を貫通し、ドリフト領域１２１に達するトレンチ（凹部）１０２ａを有している。トレンチ１０２ａの内部及びトレンチ１０２ａの周囲におけるソース領域１２４の上にはゲート絶縁膜１０３が形成されている。ゲート絶縁膜１０３は、トレンチ１０２ａの側面に設けられた第１の絶縁膜１３１と、トレンチ１０２ａの底部及びトレンチ１０２ａの周囲に設けられた第２の絶縁膜１３２とを有している。第２の絶縁膜１３２は、トレンチ１０２ａの底部に設けられたトレンチ内部分１３２Ａ及びトレンチ１０２ａの周囲において半導体層１０２の上に設けられたトレンチ周囲部分１３２Ｂとを含む。
トレンチ１０２ａには、導電膜からなるゲート電極１０５が埋め込まれている。ゲート電極１０５は、トレンチ１０２ａの周囲に拡がる断面Ｔ字状に形成されている。ゲート電極１０５のトレンチ１０２ａ内に埋め込まれた部分のうち、底部は第２の絶縁膜１３２のトレンチ内部分１３２Ａと接し、側部は第１の絶縁膜１３１と接している。また、ゲート電極１０５のトレンチ１０２ａの周囲に設けられた部分は、第２の絶縁膜１３２のトレンチ周囲部分１３２Ｂと接している。このため、ゲート電極１０５は、ゲート絶縁膜１０３により半導体層１０２と絶縁されている。
半導体層１０２の上には、ソース領域１２４及びボディ領域１２３と電気的に接続されたソース電極（ソース−ボディ電極）１０６が設けられている。ソース電極１０６はトレンチ１０２ａを囲むように設けられている。基板１０１の裏面には、ドレイン電極１０７が設けられている。必要に応じて半導体層１０２の上には、ゲート電極１０５及びソース電極１０６を覆う層間絶縁膜が設けられ、層間絶縁膜にはゲート配線及びソース配線が設けられる。ゲート配線及びソース配線は、それぞれコンタクトプラグによりゲート電極１０５及びソース電極１０６と接続される。
本実施形態の半導体装置は、以下のようにして形成すればよい。まず、図４に示すように、基板１０１の主面上にＳｉＣをエピタキシャル成長させ、ｎ型のドリフト領域１２１及びｐ型のボディ領域１２３を順次形成する。続いて、ボディ領域１２３にｎ型のソース領域１２４を形成する。
基板１０１には、３×１０18ｃｍ-3程度の濃度の窒素を含む低抵抗のｎ型ＳｉＣ基板を用いることができる。ドリフト領域１２１には、８×１０15ｃｍ-3程度の濃度で窒素をドープすればよい。ドリフト領域１２１の厚さは、１２μｍ程度とすればよい。ドリフト領域１２１の不純物濃度及び厚さは、必要とする耐圧によって決定すればよく、例示した濃度及び厚さに限定されない。
ボディ領域１２３には、２×１０18ｃｍ-3程度の濃度でアルミニウムをドープすればよい。ボディ領域１２３の厚さは、１μｍ程度とすればよい。
ソース領域１２４は、イオン注入等により形成すればよい。ボディ領域１２３におけるソース領域１２４とする部分を露出するように、ＳｉＯ2等からなる注入マスクを形成する。この後、ボディ領域１２３にｎ型の不純物イオン（例えば窒素イオン）を注入すればよい。イオン注入は例えば、加速エネルギーを１００ｋｅＶとし、ドーズ量を５×１０15ｃｍ-2とすればよい。注入マスクを除去した後、不活性ガス雰囲気において、１７００℃程度の温度で３０分程度のアニール処理を行う。これにより、注入された不純物イオンが活性化され、ソース領域１２４が得られる。
なお、半導体層１０２をエピタキシャル成長により形成する例を示したが、半導体層１０２の全部又は一部をＳｉＣ基板にイオン注入等を行うことにより形成してもよい。例えば、ｎ型のＳｉＣ基板にｐ型の不純物を注入して、ＳｉＣ基板の上部をボディ領域１２３としてもよい。また、ＳｉＣ基板の上にｎ型の半導体層をエピタキシャル成長した後、形成したｎ型の半導体層の表面領域にｐ型不純物をイオン注入してボディ領域１２３を形成してもよい。これらの場合には、ｐ型不純物が注入されなかった領域がドリフト領域１２１となる。
次に、図５に示すように、半導体層１０２に、トレンチ１０２ａを形成する。トレンチ１０２ａは、例えば、ソース領域１２４の中央部を露出するＳｉＯ2膜からなるマスクを用い、ソース領域１２４、ボディ領域１２３及びドリフト領域１２１の一部を反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching：ＲＩＥ）により除去すればよい。トレンチ１０２ａは、ドリフト領域１２１を貫通せず且つ底面がドリフト領域１２１とボディ領域１２３との界面よりも下側となるように形成する。例えば、トレンチ１０２ａは深さを１．５μｍ程度とし、幅を１μｍ程度とすればよい。図５においては、トレンチ１０２ａの側面が、基板１０１の主面に対して垂直である例を示しているが、トレンチ１０２ａの側面が基板１０１の主面に対して垂直でなくてもよい。
次に、図６に示すように、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により第２の絶縁膜１３２を堆積する。ＨＤＰ−ＣＶＤ法を用いることにより、トレンチ１０２ａの底部及びトレンチ１０２ａの周囲に第２の絶縁膜１３２を形成し、トレンチ１０２ａの側面には形成されないようにすることができる。第２の絶縁膜１３２におけるトレンチ１０２ａの底部に形成されたトレンチ内部分１３２Ａ及びトレンチ１０２ａの周囲に形成されたトレンチ周囲部分１３２Ｂの膜厚は、１５０ｎｍ程度〜５００ｎｍ程度とすればよい。本実施形態においては、一例として膜厚を約３５０ｎｍとする。第２の絶縁膜１３２の膜厚は堆積時間により調整すればよい。
第２の絶縁膜１３２を形成した後、第２の絶縁膜１３２の絶縁耐性を向上するために、不活性ガス雰囲気又は酸化雰囲気において９００℃程度の温度で熱処理を行うことが好ましい。但し、熱処理は省略してもよい。
本実施形態においては、第２の絶縁膜１３２をＨＤＰ−ＣＶＤ法により形成している。ＨＤＰ−ＣＶＤ法は高密度プラズマを用いたＣＶＤ法である。通常のプラズマＣＶＤよりもプラズマ密度を高くしており、低い温度においても良質な膜が形成できる等の利点を有している。また、スパッタエッチングと堆積とを同時に行うため、下地層が約４５度よりも大きく傾斜している部分にはほとんど成膜されず、端部は約４５度の傾斜角度を有する傾斜面となるという特徴を有する。このため、図６に示すようにトレンチ１０２ａの側面には、第２の絶縁膜１３２がほとんど堆積しない。従って、トレンチ１０２ａの側面にマスクを形成しなくても、トレンチ１０２ａの底部及びトレンチ１０２ａの周囲にのみ第２の絶縁膜１３２を形成することができる。
ＨＤＰ−ＣＶＤ法により、ＳｉＯ2膜を形成する場合には厚いＳｉＯ2膜を形成しても、熱酸化法によりＳｉＯ2膜を形成する場合と比べて基板に大きなストレスが発生しにくい。このため、トレンチ１０２ａの底部に厚いＳｉＯ2膜を形成しても、半導体層１０２への欠陥の導入を抑制できるという利点も得られる。
ＨＤＰ−ＣＶＤ法による第２の絶縁膜１３２の形成は、既知の装置を用いて既知の条件により行うことができる。例えば、平行平板型で、上方及び側方にプラズマ発生コイルを有するタイプのＨＤＰ−ＣＶＤ装置の場合、以下のような条件でＳｉＯ2膜の堆積を行えばよい。トップコイルに供給する電力を１３００Ｗ程度とし、サイドコイルに供給する電力を３１００Ｗ程度とし、基板に３３００Ｗ程度のバイアスを印加する。チャンバー内を６ｍＴｏｒｒ（約０．８Ｐａ）程度として、アルゴン（Ａｒ）を１２５ｓｃｃｍ（ｓｃｃｍは０℃、１気圧におけるｍＬ／分を意味する。約０．２１Ｐａ ｍ3／ｓ ）程度、酸素（Ｏ2）を１４５ｓｃｃｍ（約０．２５Ｐａ ｍ3／ｓ ）程度及びシラン（ＳｉＨ4）を８０ｓｃｃｍ（約０．１４Ｐａ ｍ3／ｓ ）程度の流量で供給する。アルゴン、酸素及びシランは、上方及び側方から供給する。アルゴン、酸素及びシランの供給量は、必要とする成長レートに合わせて調製すればよい。
次に、図７に示すように、トレンチ１０２ａの側面上に第１の絶縁膜１３１を形成する。第１の絶縁膜１３１は、第２の絶縁膜１３２よりも膜厚を薄くすればよい。具体的には、厚さを３０ｎｍ程度〜１００ｎｍ程度とすればよい。例えば、ドライ酸化雰囲気において１２００℃程度の温度で３時間程度の熱処理を行うことにより、厚さが７０ｎｍ程度の第１の絶縁膜１３１を形成することができる。なお、この際に第２の絶縁膜１３２が焼き締められるという効果も得られる。
熱酸化法の場合、第１の絶縁膜１３１は半導体層１０２側及びトレンチ１０２ａ側にほぼ等しく成長する。従って、図７に示すように、第２の絶縁膜１３２におけるトレンチ周囲部分１３２Ｂのトレンチ１０２ａ側の端部の位置は、第１の絶縁膜１３１が形成された後のトレンチ１０２ａの上端縁から若干後退した位置となる。理論的には、トレンチ周囲部分１３２Ｂの端部の位置は、第１の絶縁膜１３１を形成する前のトレンチ１０２ａの上端縁の位置となる。第１の絶縁膜１３１が半導体層１０２側及びトレンチ１０２ａ側にほぼ等しく成長した場合には、トレンチ周囲部分１３２Ｂの端部と、第１の絶縁膜１３１を形成した後のトレンチ１０２ａの上端縁との間隔ｔ１は、第１の絶縁膜１３１の膜厚ｔ２の半分とほぼ等しくなる。
次に、図８に示すように、トレンチ１０２ａ内を含む半導体層１０２上の全面に導電膜１０５Ａを形成する。導電膜１０５Ａは、例えば１×１０20ｃｍ-3以上の濃度でリンがドープされた厚さが６００ｎｍ程度のポリシリコン膜とすればよい。ポリシリコン膜は、例えばＬＰ−ＣＶＤ法により形成すればよい。但し、導電膜１０５Ａはポリシリコン膜以外の導電膜としてもよい。
次に、図９に示すように、トレンチ１０２ａの上部を覆い、他の部分を露出するレジスト層１４１をマスクとして導電膜１０５Ａをエッチング（ドライエッチング）して、断面Ｔ字状のゲート電極１０５を得る。ゲート電極１０５におけるトレンチ１０２ａの周囲に張り出した部分の大きさは、リソグラフィー技術の合わせずれ等を考慮して５００ｎｍ以上とすることが好ましい。但し、必要とするゲート抵抗が実現できるのであれば、ゲート電極１０５を断面Ｔ字状にしなくてもよい。続いて、第２の絶縁膜１３２における、ゲート電極１０５に覆われていない部分を除去して、ソース領域１２４及びボディ領域１２３を露出させる。
次に、図１０に示すように、ボディ領域１２３及びソース領域１２４と接するようにソース電極１０６を形成する。具体的には以下のようにすればよい。まず半導体層１０２及びゲート電極１０５を覆うように層間絶縁膜となる絶縁膜を形成する。この後、絶縁膜にボディ領域１２３及びソース領域１２４の一部を露出する開口部を形成し、開口部内に導電膜を形成すればよい。導電膜は、ニッケル（Ｎｉ）膜等とすればよく、形成後に必要に応じて熱処理を行えばよい。これにより、ソース領域１２４及びボディ領域１２３とオーミック接触するソース電極が得られる。また、基板１０１の裏面（主面と反対側の面）上に、ドレイン電極１０７を形成する。図示していないが、必要に応じて配線及び各電極と配線とを接続するプラグ等を形成すればよい。
本実施形態においては、ＨＤＰ−ＣＶＤ法と熱酸化法とを組み合わせてゲート絶縁膜１０３を形成している。このため、マスク等を形成することなくトレンチ１０２ａの側面におけるゲート絶縁膜１０３の膜厚と、トレンチ１０２ａの底部及び周囲におけるゲート絶縁膜１０３の膜厚とを、独立して設定することが容易にできる。ゲート絶縁膜１０３におけるトレンチ１０２ａの側面の膜厚と、トレンチ１０２ａの底部における膜厚とは、必要とする閾値電圧及び絶縁破壊耐圧等により適宜設定すればよい。トレンチ１０２ａの底部においてゲート絶縁膜１０３にかかる電界強度を小さくするためには、トレンチ１０２ａの底部における膜厚を、トレンチ１０２ａの側面における膜厚よりも厚くすればよい。トレンチ１０２ａの底部における膜厚を、トレンチ１０２ａの側面における膜厚の３倍以上とすることがより好ましい。さらに、トレンチ１０２ａの底部にかかる電界強度を小さくするためには、４〜５倍以上としてもよい。
例えば、トレンチ１０２ａの側面におけるゲート絶縁膜１０３の膜厚を７０ｎｍ程度とし、トレンチ１０２ａの底部におけるゲート絶縁膜１０３の膜厚を３５０ｎｍ〜４００ｎｍ程度としてもよい。トレンチ１０２ａの底部におけるゲート絶縁膜１０３の膜厚を３５０ｎｍ〜４００ｎｍ程度とすることにより、トレンチ１０２ａの底部にかかる電界強度を４ＭＶ／ｃｍ程度まで抑制することができる。
ＳｉＣの場合（０００１）Ｓｉ面の酸化速度が非常に遅いため、主面を結晶成長が容易な（０００１）Ｓｉ面とし、トレンチ１０２ａの側面におけるゲート絶縁膜１０３の膜厚を７０ｎｍ程度とした場合には、半導体層１０２の上面に熱酸化法により形成されるＳｉＯ2膜の厚さは１０ｎｍ程度である。このため、ゲート電極１０５を断面Ｔ字状とした場合には、ゲート電極１０５とソース領域１２４とが接近し、ソース−ゲート容量が大きくなってしまう。
一方、本実施形態においては、ゲート絶縁膜１０３におけるトレンチ１０２ａの周囲に形成された部分の膜厚も、トレンチ１０２ａの底部とほぼ等しくなる。例えば、ゲート絶縁膜１０３におけるトレンチ１０２ａの周囲に形成された部分の膜厚を４００ｎｍ程度とすることは容易である。この場合には、（０００１）Ｓｉ面に熱酸化法により形成した場合の４０倍程度の膜厚となり、ゲート−ソース容量を４０分の１程度まで小さくすることができる。このように、ゲート絶縁膜１０３におけるトレンチ１０２ａの周囲に形成された部分の膜厚が、トレンチ１０２ａの側面に形成された部分の膜厚よりも厚い方が、ゲート−ソース容量を低減することができるので好ましい。
また、ゲート絶縁膜１０３におけるトレンチ１０２ａの周囲に形成された部分の膜厚が、トレンチ１０２ａの底部に形成された部分の膜厚よりも厚い方が、トレンチ１０２ａの深さを浅くすることができるので好ましい。トレンチ１０２ａの深さを浅くすることができれば、トレンチ１０２ａの形成に要する時間を短縮することができる。また、トレンチ１０２ａの深さが深くなり、深さと幅との比率であるアスペクト比が大きくなると、トレンチ１０２ａの底部近傍においてエッチング速度が大きくなり、いわゆるサブトレンチという形状劣化が生じやすくなる。トレンチ１０２ａの深さを浅くすることによりサブトレンチの発生を抑制することも可能となる。
ＨＤＰ−ＣＶＤ法においては、トレンチの周囲においてトレンチの内部よりも堆積が生じやすい。特に、トレンチのアスペクト比が大きくなると、この影響は大きくなる。従って、通常はゲート絶縁膜１０３におけるトレンチ１０２ａの周囲に形成された部分（１３２Ｂ）の膜厚は、トレンチ１０２ａの底面に形成された部分（１３２Ａ）の膜厚よりも大きくなる。また、ゲート絶縁膜１０３におけるトレンチ１０２ａの周囲に形成された部分（１３２Ｂ）の膜厚は、トレンチ１０２ａの側面に形成された部分（１３１）の膜厚よりも大きくなる。なお、ゲート絶縁膜１０３におけるトレンチ１０２ａの周囲に形成された部分（１３２Ｂ）は、トレンチ１０２ａの近傍において傾斜しており、その膜厚はトレンチ１０２ａの近傍から遠ざかるにつれて次第に増大している。このため、ゲート絶縁膜１０３におけるトレンチ１０２ａの周囲に形成された部分の膜厚とは、トレンチ１０２ａの周囲に形成された部分における最大の膜厚である。
さらに、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により第２の絶縁膜１３２を形成することにより、図６に示すように、トレンチ１０２ａの周囲に形成されたトレンチ周囲部分１３２Ｂの端面を、基板１０１の主面に対して傾斜した傾斜面とすることができる。傾斜面の傾斜角度θ１は、±５度程度のばらつきは生じるが、傾斜面の上端部及び下端部を除いた少なくとも８０％程度の部分において約４５度となる。トレンチ周囲部分１３２Ｂの端面を傾斜面とすることにより、ゲート絶縁膜１０３を形成した後におけるトレンチ１０２ａの実質的なアスペクト比の上昇を抑えることができる。このため、導電膜１０５Ａの埋め込みを容易に行うことができる。このように、ソース−ゲート容量の上昇を抑えつつ、ゲート電極１０５の断面積を大きくし、ゲート抵抗の上昇を抑えることが容易にできる。
トレンチ１０２ａの底部における第２の絶縁膜１３２とゲート電極１０５との界面は、ドリフト領域１２１とボディ領域１２３との界面よりも下側に位置していることが好ましい。このようにすれば、チャネル領域となる、ボディ領域１２３のトレンチ１０２ａの側面に露出している部分には、第２の絶縁膜１３２が形成されていない。従って、厚い第２の絶縁膜が、閾値電圧等に影響を及ぼすことはほとんどない。
第２の絶縁膜１３２を堆積する際には、トレンチ１０２ａの側面がＨＤＰ−ＣＶＤの原料ガスにさらされる。これにより、トレンチ１０２ａの側面の状態が変化するおそれがある。また、ＨＤＰ−ＣＶＤ法の条件に依存して、トレンチ１０２ａの側面に第２の絶縁膜１３２の一部が堆積されることがある。この際、トレンチ１０２ａの側面に形成される第２の絶縁膜１３２は、第２の絶縁膜１３２におけるトレンチ内部分１３２Ａ及びトレンチ周囲部分１３２Ｂと比べて十分に薄い膜となる。このため、図１１（ａ）に示すように半導体層１０２の上に第２の絶縁膜１３２を堆積した後又は第２の絶縁膜１３２を焼きしめした後に、第２の絶縁膜１３２をウェットエッチングしてもよい。図１１（ａ）〜（ｃ）は一実施形態に係る半導体装置の製造工程の第１の変形例を示す断面図である。第２の絶縁膜１３２をウェットエッチングすることにより、トレンチ１０２ａの側面におけるＨＤＰ−ＣＶＤの原料ガスにより変性した部分又はＨＤＰ−ＣＶＤによりトレンチ１０２ａの側面に薄く形成されてしまったＳｉＯ2膜を除去することができる。第２の絶縁膜１３２のエッチング量は第２の絶縁膜１３２の膜厚の３０％以下で十分である。
ウェットエッチングにより、図１１（ｂ）に示すように、第２の絶縁膜１３２におけるトレンチ周囲部分１３２Ｂの端部は、トレンチ１０２ａの端部からｔ３だけ後退する。このため、第１の絶縁膜１３１を形成すると、図１１（ｃ）に示すように、トレンチ周囲部分１３２Ｂの端部と、トレンチ１０２ａの上端縁、つまり第１の絶縁膜における前記トレンチの上端縁である部分との間隔ｔ１は、第１の絶縁膜１３１の上端部における膜厚ｔ２の半分よりも大きくなる。
第２の絶縁膜１３２の後退量が大きい場合でも、半導体層１０２の表面が露出した後に第１の絶縁膜１３１を形成する。このため、半導体層１０２が露出することはない。後退量は第２の絶縁膜１３２の膜厚に対して３０％以内であるため、その領域の面積は小さく、ソースーゲート容量の増加もほとんど生じない。
ウェットエッチングにより、トレンチ周囲部分１３２Ｂの端部が後退すると、導電膜１０５Ａを埋め込む際におけるトレンチ１０２ａの実質的なアスペクト比が小さくなるため、導電膜１０５Ａの埋め込みがより容易となるという利点も得られる。
図５には、トレンチ１０２ａの上端角部がほぼ直角となっている場合を示している。しかし、図１２に示すように、トレンチ１０２ａの上端部を丸めて曲面としてもよい。図１２は、一実施形態に係る半導体装置の第２の変形例を拡大して示す断面図である。トレンチ１０２ａの上端部を丸めることにより、トレンチ１０２ａの上端部における電界集中を緩和することができる。
トレンチ１０２ａを形成するエッチングの際に、堆積量が多くなるような条件でエッチングを開始し、次第に堆積量が少なくなるようにすれば、トレンチ１０２ａの上端部を丸めることができる。また、通常のエッチング条件により、角部を有するトレンチ１０２ａを形成した後、水素雰囲気においてアニールを行うことにより上端部を丸めることも可能である。トレンチ１０２ａの上端部だけでなく、下端部についても曲面としてかまわない。このようにすれば、トレンチ１０２ａの下端部における電界集中を緩和することができる。
ＨＤＰ−ＣＶＤ法により第２の絶縁膜１３２を形成する際には、トレンチ１０２ａの上端部における傾きが約４５度以下の部分にトレンチ周囲部分１３２Ｂが形成される。このため、トレンチ１０２ａの上部を曲面とした場合には、第１の絶縁膜１３１を形成する前において、トレンチ１０２ａにおけるトレンチ周囲部分１３２Ｂの端部と接する上端部の傾きθ２と、トレンチ周囲部分１３２Ｂの傾斜部の傾きθ１とは一致する。
第２の絶縁膜１３２を形成した後、トレンチ１０２ａの側面をウェットエッチングした場合には、トレンチ周囲部分１３２Ｂの端部が後退する。このため、図１３に示すように、第１の絶縁膜１３１を形成する前において、トレンチ１０２ａにおけるトレンチ周囲部分１３２Ｂの端部と接する上端部の傾きθ３は、トレンチ周囲部分１３２Ｂの傾斜部の傾きθ１よりも小さくなる。図１３は、一実施形態に係る半導体装置の第３の変形例を拡大して示す断面図である。この場合には、導電膜１０５Ａを埋め込む際における、トレンチ１０２ａの実質的なアスペクト比が小さくなり、導電膜１０５Ａの埋め込みがさらに容易となる。
本実施形態においては、第２の絶縁膜１３２を形成した後に、第１の絶縁膜１３１を形成する例を示した。第１の絶縁膜１３１を第２の絶縁膜１３２よりも後に形成すれば、第１の絶縁膜が高密度プラズマに曝されることによる、第１の絶縁膜１３１の膜質の劣化が生じないという利点がある。また、第１の絶縁膜１３１の膜厚が高密度プラズマにより減少することがないという利点も得られる。しかし、第１の絶縁膜１３１を形成した後に、第２の絶縁膜１３２を形成してもよい。図１４から１６は、一実施形態に係る半導体装置の製造工程の第４の変形例を示す断面図である。ＨＤＰ−ＣＶＤ法により形成したＳｉＯ2膜は、熱酸化法により形成したＳｉＯ2膜よりもＳｉＯ2膜と半導体層との界面に固定電荷等が発生しやすい。熱酸化法による第１の絶縁膜１３１を、第２の絶縁膜１３２よりも先に形成することにより、ゲート絶縁膜１０３と半導体層１０２との界面における固定電荷等の発生を抑えることができるという利点が得られる。
この場合には、図１４に示すように、トレンチ１０２ａを形成した後、第２の絶縁膜１３２を形成する前に、熱酸化を行い、半導体層１０２の露出している部分に第１の絶縁膜１３１を形成する。次に、図１５に示すように、ＨＤＰ−ＣＶＤ法によりトレンチ１０２ａの底部及びトレンチ１０２ａの周囲に第２の絶縁膜１３２を形成する。この後、第２の絶縁膜１３２を第１の絶縁膜１３１よりも先に形成する場合と同様にして、ゲート電極１０５の形成、ソース電極１０６の形成及びドレイン電極１０７の形成等を行えばよい。
第１の絶縁膜１３１を第２の絶縁膜１３２よりも前に形成する場合には、図１６に示すように第２の絶縁膜１３２におけるトレンチ周囲部分１３２Ｂの端部の位置は、第１の絶縁膜１３１を形成した後のトレンチ１０２ａの上端縁と一致する。つまり、トレンチ周囲部分１３２Ｂの端部の位置と、第１の絶縁膜１３１におけるトレンチ１０２ａの上端縁である部分の位置とは一致する。トレンチ１０２ａの上端部を丸めた場合においても第１の絶縁膜１３１を第２の絶縁膜１３２よりも先に形成してかまわない。図１７は、一実施形態に係る半導体装置の第５の変形例を示す平面図である。この場合には、図１７に示すように、第１の絶縁膜１３１が形成されたトレンチ１０２ａにおけるトレンチ周囲部分１３２Ｂの端部と接する部分の傾きθ４と、トレンチ周囲部分１３２Ｂの傾斜部の傾きθ１とは一致する。
第１の絶縁膜１３１を第２の絶縁膜１３２よりも先に形成する場合にも、第２の絶縁膜１３２を形成した後、ウェットエッチングを行ってもよい。ウェットエッチングを行うことにより、トレンチ１０２ａの側面において第１の絶縁膜１３１を確実に露出させ、トレンチ１０２ａの側面において第１の絶縁膜１３１とゲート電極１０５とが接するようにすることができる。図１８は、一実施形態に係る半導体装置の第６の変形例を示す平面図である。第２の絶縁膜１３２のウェットエッチングを行った場合には、図１８に示すように、トレンチ周囲部分１３２Ｂの端部は、第１の絶縁膜１３１を形成した後のトレンチ１０２ａの上端縁からｔ４だけ後退した位置となる。トレンチ周囲部分１３２Ｂの後退量ｔ４は、第２の絶縁膜１３２のエッチング量とほぼ一致する。第２の絶縁膜１３２のエッチング量は第２の絶縁膜１３２の膜厚の３０％以下で十分である。また、この場合には、第１の絶縁膜１３１がトレンチ１０２ａの周囲にも形成されているため、後退量ｔ４が約１００ｎｍ以下であればゲート容量に対する影響はほとんどない。
また、図１９に示すようにトレンチ１０２ａの上端部を丸めた場合にも、第２の絶縁膜１３２のウェットエッチングを行ってかまわない。図１９は、一実施形態に係る半導体装置の第７の変形例を示す平面図である。この場合には、第１の絶縁膜１３１が形成されたトレンチ１０２ａにおけるトレンチ周囲部分１３２Ｂの端部と接する部分の傾きθ５は、トレンチ周囲部分１３２Ｂの傾斜部の傾きθ１よりも小さくなる。
第１の絶縁膜１３１の膜厚は、半導体層１０２の面方位によって変化する。（０００１）Ｓｉ面を主面とする基板１０１の上に半導体層１０２を形成した場合には、第１の絶縁膜１３１における半導体層１０２の上面及びトレンチ１０２ａの底面に形成された部分の膜厚は、トレンチ１０２ａの側面に形成された部分の膜厚よりも薄くなる。しかし、トレンチ１０２ａの底部及びトレンチ１０２ａの周囲には第２の絶縁膜１３２を形成するため、第１の絶縁膜１３１の膜厚が薄くても問題はない。
本実施形態においては、ｎ型のＭＩＳＦＥＴについて説明したが、ｐ型のＭＩＳＦＥＴとすることも可能である。この場合には、基板１０１、ドリフト領域１２１及びソース領域１２４の導電型をｐ型とし、ボディ領域１２３の導電型をｎ型とすればよい。また、半導体層１０２は、ドリフト領域１２１、ボディ領域１２３及びソース領域１２４以外の領域を有していてもよい。例えば、電界緩和のために、ドリフト領域１２１におけるトレンチ１０２ａの底面近傍に、ドリフト領域１２１と異なる導電型の不純物層が設けられている構成としてもよい。
本実施形態においては、反転チャネル構造を有するＭＩＳＦＥＴについて説明したが、図２０に示すような蓄積チャネル構造を有するＭＩＳＦＥＴについても同様の構成とすることができる。図２０は、一実施形態に係る半導体装置の第８の変形例を示す平面図である。例えば、半導体層１０２にトレンチ１０２ａを形成した後、トレンチ１０２ａの内部を含む半導体層１０２の上に、ｎ型のＳｉＣ層からなるチャネル層１２５を形成すればよい。チャネル層１２５を形成した後に、ゲート絶縁膜１０３、ゲート電極１０５、ソース電極１０６及びドレイン電極１０７等を、反転チャネル構造のＭＩＳＦＥＴと同様にして形成すればよい。図２０には、第１の絶縁膜１３１を第２の絶縁膜１３２よりも後に形成する例を示したが、第１の絶縁膜１３１を第２の絶縁膜１３２よりも先に形成してもよい。蓄積チャネル構造を有する場合においても、第２の絶縁膜１３２を形成した後にウェットエッチングを行ったり、トレンチ１０２ａの上部を丸めたりしてもよい。また、ｐ型のＭＩＳＦＥＴとしてもよい。
さらに、ＭＩＳＦＥＴに限らず、半導体層の上に絶縁膜を介して電極が配置されている種々の半導体装置を同様にして形成することができる。例えば、基板とその直上に形成する半導体層とを互いに異なる導電型とすることにより絶縁バイポーラトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor：ＩＧＢＴ）を形成することができる。
本実施形態においては、複数のユニットセルが千鳥状に配列されている例を示したが、ユニットセルはどのように配置されていてもよい。また、平面正方形状のトレンチを有している例を示したが、トレンチの平面形状はどのようなものであってもよい。例えば、トレンチを平面長方形状とし、複数のトレンチの長辺が互いに平行となるようにユニットセルを配置してもよい。
本実施形態においては、基板１０１が４Ｈ−ＳｉＣであり、（０００１）Ｓｉ面の上に半導体層１０２を形成する例を示した。しかし、（０００−１）Ｃ面に半導体層１０２を形成し、（０００１）Ｓｉ面にドレイン電極１０７を形成してもよい。また、主面の面方位を他の結晶面としてもよい。さらに、他のポリタイプのＳｉＣ基板を用いることも可能である。
本実施形態においては、ＳｉＣを用いた半導体装置について説明したが、窒化ガリウム（ＧａＮ）又はダイヤモンド等の他のワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体装置に適用することも可能である。また、シリコンを用いた半導体装置に適用することも可能である。
本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、パワーデバイス等を含む種々の半導体装置及びその製造方法として有用である。
１１ ユニットセル
１０１ 基板
１０２ 半導体層
１０２ａ トレンチ
１０３ ゲート絶縁膜
１０５ ゲート電極
１０５Ａ 導電膜
１０６ ソース電極
１０７ ドレイン電極
１２１ ドリフト領域
１２３ ボディ領域
１２４ ソース領域
１２５ チャネル層
１３１ 第１の絶縁膜
１３２ 第２の絶縁膜
１３２Ａ トレンチ内部分
１３２Ｂ トレンチ周囲部分
１４１ レジスト層

Claims (20)

  1. 主面側に設けられた半導体層を有する基板を準備する工程と、
    前記半導体層にトレンチを形成する工程と、
    前記トレンチの側面、前記トレンチの底部及び前記トレンチの周囲にゲート絶縁膜を形成する工程と、
    前記ゲート絶縁膜の上に、前記トレンチを埋め且つ前記トレンチの周囲に拡がった導電膜を形成する工程とを備え、
    前記ゲート絶縁膜を形成する工程は、前記トレンチの側面に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記トレンチの底部及び前記トレンチの周囲に高密度プラズマ化学気相成長法を用いて第２の絶縁膜を形成する工程とを含み、前記ゲート絶縁膜における前記トレンチの底部及び前記トレンチの周囲に形成された部分の膜厚を、前記ゲート絶縁膜における前記トレンチの側面に形成された部分よりも厚くし、
    前記導電膜を形成する工程において、前記導電膜と、前記第１の絶縁膜における前記トレンチの側面の上に形成された部分とは接するように形成する、半導体装置の製造方法。
  2. 前記第１の絶縁膜を形成する工程は、前記第２の絶縁膜を形成する工程よりも後に行う、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記第１の絶縁膜を形成する工程は、前記第２の絶縁膜を形成する工程よりも先に行う、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記トレンチを形成する工程は、前記トレンチの上端角部を丸める工程を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 前記導電膜を形成する工程よりも前に、前記第２の絶縁膜をウェットエッチングする工程をさらに備え、
    前記第２の絶縁膜のエッチング量は、前記第２の絶縁膜の膜厚の３０％以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  6. 前記基板を準備する工程において、前記半導体層は、第１導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域の上に設けられた第２導電型のボディ領域とを有するようにし、
    前記トレンチを形成する工程において、前記トレンチの底部は、前記ドリフト領域と前記ボディ領域との界面より下側で且つ前記ドリフト領域の下面よりも上側に位置するようにし、
    前記ゲート絶縁膜を形成する工程において、前記ゲート絶縁膜における前記トレンチの底部に形成された部分の上面は、前記ドリフト領域と前記ボディ領域との界面よりも下側とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  7. 前記半導体層は、ワイドバンドギャップ半導体からなる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  8. 前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素からなる、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 前記基板は炭化珪素基板であり、前記主面はシリコン面である、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 基板と、
    前記基板の主面側に設けられた半導体層と、
    前記半導体層に設けられたトレンチと、
    前記トレンチの側面、前記トレンチの底部及び前記トレンチの周囲に設けられたゲート絶縁膜と、
    前記トレンチを埋め且つ前記トレンチの周囲に拡がるように、前記ゲート絶縁膜の上に設けられた導電膜とを備え、
    前記ゲート絶縁膜は、前記トレンチの側面に設けられた第１の絶縁膜と、前記トレンチの底部及び前記トレンチの周囲に設けられた第２の絶縁膜とを有し、
    前記ゲート絶縁膜における前記トレンチの底部及び前記トレンチの周囲に設けられた部分の膜厚は、前記ゲート絶縁膜における前記トレンチの側面に設けられた部分よりも厚く、
    前記第２の絶縁膜における前記トレンチの周囲に設けられた部分は、前記トレンチ側の端部から次第に厚さが厚くなる傾斜部を有し、前記傾斜部の前記基板の主面に対する傾斜角度は、４５±５度であり、
    前記導電膜と、前記第１の絶縁膜における前記トレンチの側面に形成された部分とは接している、半導体装置。
  11. 前記第１の絶縁膜は、前記トレンチの側面と、前記トレンチの底部及び前記トレンチの周囲とに形成されている、請求項１０に記載の半導体装置。
  12. 前記第２の絶縁膜における前記トレンチの周囲に設けられた部分の前記トレンチ側の端部の位置と、前記第１の絶縁膜における前記トレンチの上端縁である部分の位置とは一致している、請求項１１に記載の半導体装置。
  13. 前記第２の絶縁膜における前記トレンチの周囲に設けられた部分の前記トレンチ側の端部と、前記第１の絶縁膜における前記トレンチの上端縁である部分との間隔は、前記第２の絶縁膜における前記トレンチの周辺に設けられた部分の厚さの３０％以下である、請求項１１に記載の半導体装置。
  14. 前記トレンチの上端部は、丸みを帯び、
    前記第２の絶縁膜における前記トレンチ側の端部と接する部分の接線の前記基板の主面に対する角度は、前記傾斜部の前記傾斜角度と同じである、請求項１１に記載の半導体装置。
  15. 前記トレンチの上端部は、丸みを帯び、
    前記第２の絶縁膜における前記トレンチ側の端部と接する部分の接線の前記基板の主面に対する角度は、前記傾斜部の前記傾斜角度よりも小さい、請求項１１に記載の半導体装置。
  16. 前記半導体層は、第１導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域の上に設けられた第２導電型のボディ領域とを有し、
    前記トレンチの底部は、前記ドリフト領域と前記ボディ領域との界面より下側で且つ前記ドリフト領域の下面よりも上側に位置し、
    前記ゲート絶縁膜における前記トレンチの底部に形成された部分の上面は、前記ドリフト領域と前記ボディ領域との界面よりも下側である、請求項１０〜１５のいずれか１項に記載の半導体装置。
  17. 前記半導体層は、ワイドバンドギャップ半導体により構成される、請求項１０〜１６のいずれか１項に記載の半導体装置。
  18. 前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素により構成される、請求項１７に記載の半導体装置。
  19. 前記基板は炭化珪素基板であり、前記主面はシリコン面である、請求項１８に記載の半導体装置。
  20. 前記ゲート絶縁膜における前記トレンチの周囲に設けられた部分の膜厚は、前記ゲート絶縁膜における前記トレンチの底部に設けられた部分の膜厚よりも厚い、請求項１０〜１９のいずれか１項に記載の半導体装置。
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