JP2010182857A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】トレンチ開口部に傾斜面を形成し、耐圧低下を防止できる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【解決手段】本発明にかかる製造方法は、半導体基板10にトレンチ21を形成する工程と、絶縁膜23をトレンチ21に堆積させる工程と、プラズマエッチングによりトレンチ21底部の絶縁膜23をエッチングするとともに、トレンチ開口部21aに半導体基板主面10aに対して傾斜角αをなす傾斜面25を同時に形成する工程と、半導体基板10の上面からトレンチ21底部の絶縁膜23に亘って半導体基板10及びトレンチ21を被覆するゲート絶縁膜24を形成する工程と、ゲート絶縁膜24上にゲート電極22を形成する工程とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】本発明にかかる製造方法は、半導体基板10にトレンチ21を形成する工程と、絶縁膜23をトレンチ21に堆積させる工程と、プラズマエッチングによりトレンチ21底部の絶縁膜23をエッチングするとともに、トレンチ開口部21aに半導体基板主面10aに対して傾斜角αをなす傾斜面25を同時に形成する工程と、半導体基板10の上面からトレンチ21底部の絶縁膜23に亘って半導体基板10及びトレンチ21を被覆するゲート絶縁膜24を形成する工程と、ゲート絶縁膜24上にゲート電極22を形成する工程とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、トレンチゲート構造を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
トレンチゲート構造を有する絶縁ゲート型の半導体装置では、トレンチ底部のコーナーを覆う部分のゲート絶縁膜に電界が集中し、耐圧の低下を引き起こすことが知られている。
特許文献1では、図6に示すように、N+ドレイン領域211、N−ドリフト領域212、P−ボディ領域241、N+ソース領域231、P+コンタクト領域232からなる半導体基板210にトレンチ221を形成する。トレンチ221の下部には、Pフローティング領域251が形成されている。そして、耐圧低下を防止するため、トレンチ221の底部に絶縁膜223を設けて、トレンチ221底部とゲート電極222を離隔して、電界集中を緩和する方法が提案されている。
上述の方法では、半導体基板210上に堆積した絶縁膜223を、図7(a)に示すようにエッチングする。この場合、トレンチ開口部221aには、図7(b)に示すように、半導体基板主面210aに対して85°≦β≦90°の傾斜角βをなす、切り立った形状のトレンチ開口部上端225が形成される。そのため、トレンチ開口部上端225を被覆するゲート絶縁膜224の厚みは均一とならず、トレンチ開口部上端225の部分が局所的に薄くなる。ゲート絶縁膜224が薄くなった部分には電界が集中し、耐圧低下を引き起こすこととなる。
その対策として、図7(c)に示すように、トレンチ221の形成後に丸め酸化を行うことが考えられる。これにより、丸め酸化面226を形成して、トレンチ開口部221aに、丸みを帯びさせることができる。
また、特許文献2では、図8に示すように、プラズマエッチングを行ってトレンチを形成した後、続けて条件を変えたプラズマエッチングを行い、トレンチ開口部上端に丸みを帯びさせる方法が提案されている。
しかし、これらの方法を用いたとしても、後工程のプラズマエッチングを経ることで、上述のトレンチ開口部221aの丸みは除去されてしまう。そのため、再び切り立ったトレンチ開口部上端225が形成され、耐圧低下を防止することができない。
本発明にかかる製造方法では、半導体基板にトレンチを形成する工程と、絶縁膜を前記トレンチに堆積させる工程と、プラズマエッチングにより前記トレンチ底部の前記絶縁膜をエッチングするとともに、前記トレンチ開口部に前記半導体基板の主面に対して傾斜角αをなす傾斜面を同時に形成する工程と、前記半導体基板の上面から前記トレンチ底部の前記絶縁膜に亘って当該半導体基板及び当該トレンチを被覆するゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを備えている。これにより、トレンチ開口部を被覆するゲート絶縁膜が局所的に薄くなることを抑制し、耐圧低下の防止を図ることができる。
また、本発明にかかる半導体装置は、トレンチが形成された半導体基板と、前記トレンチ底部に形成された絶縁膜と、前記トレンチの内壁に形成されたゲート絶縁膜と、前記トレンチの内部に、前記絶縁膜および前記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備え、前記トレンチは、開口部に形成された前記半導体基板の主面に対して傾斜角αをなす傾斜面を有し、前記傾斜角αが45°≦α≦75°をなしている。このような構成により、トレンチ開口部を被覆する部分のゲート絶縁膜が局所的に薄くなることを防止でき、もって耐圧低下の防止を図ることができる。
本発明により、トレンチ開口部に傾斜面を形成し、耐圧低下を防止できる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
発明の実施の形態1
まず、図1(a)を用いて、本発明の実施の形態1に係る半導体装置100の構成について説明する。発明の実施の形態1では、例として、半導体にはシリコンを用いている。図1(a)は、半導体装置100の断面構造を示したものである。半導体装置100は、N+ドレイン領域11、P−ボディ領域41、N−ドリフト領域12、N+ソース領域31P+コンタクト領域32からなる半導体基板10に形成される。
発明の実施の形態1
まず、図1(a)を用いて、本発明の実施の形態1に係る半導体装置100の構成について説明する。発明の実施の形態1では、例として、半導体にはシリコンを用いている。図1(a)は、半導体装置100の断面構造を示したものである。半導体装置100は、N+ドレイン領域11、P−ボディ領域41、N−ドリフト領域12、N+ソース領域31P+コンタクト領域32からなる半導体基板10に形成される。
半導体基板10の上面側からは、P−ボディ領域41を貫通してN−ドリフト領域12に達するトレンチ21が設けられている。図1(b)に示すように、トレンチ開口部21aには、半導体基板主面10aに対して、傾斜角αの傾斜面25が形成されている。
トレンチ21の底部には、ゲート絶縁膜24よりも厚い絶縁膜23が設けられている。ゲート絶縁膜24は、半導体基板10の上面から絶縁膜23に亘って、半導体基板10とトレンチ21を被覆している。絶縁膜23及びゲート絶縁膜24の上には、ゲート電極22が設けられている。ゲート電極22は、ゲート絶縁膜24を介して、N+ソース領域31およびP−ボディ領域41と対向している。
また、トレンチ21に接して、トレンチ21底部を中心とした略円形状の断面形状を有する、Pフローティング領域51がN−ドリフト領域12に囲まれて設けられている。
このような半導体装置100では、ゲート電極22への電圧印加によりP−ボディ領域41にチャネルを生じさせて、N+ソース領域31とN+ドレイン領域11との間の導通をコントロールしている。
また、トレンチ21底部に厚い絶縁膜23が存在することにより、ゲート電極22下部のコーナーにおける電界集中を緩和し、耐圧低下を防止できる。
更に、絶縁膜23が存在しない場合と比較して、ゲート電極22とN−ドリフト領域12との間の離間距離が大きくなる。そのため、寄生容量Cgdが低減され、スイッチングスピードが速くなる。
次に、半導体装置100の製造方法を図2及び図3により説明する。まず、図2(a)に示すように、N+ドレイン領域11となるN+基板上に、N−型ドリフト層12をエピタキシャル成長により形成する。続いて、イオン注入によりP−ボディ領域41およびN+ソース領域31を形成して、半導体基板10を作製する。
次に、図2(b)に示すように、半導体基板10の上面に、HTO(High Temperature Oxide)やTEOS(TetraEthOxySilane)法により酸化膜層65を形成する。さらに酸化膜層65の上に、所定の形状のフォトレジスト66を形成する。フォトレジスト66をマスクとして、酸化膜層65をエッチングし、酸化膜層65を貫通する溝67を形成する。
レジストパターン66を除去した後、図2(c)に示すように、酸化膜層65をマスクとして、ドライエッチングを行い、P−ボディ領域41を貫通してN−ドリフト領域12に達するトレンチ21を形成する。
次に、図2(d)に示すように、酸化膜層65を残したまま熱酸化を行うことにより、トレンチ21の側壁に、厚さ50nm程度の熱酸化膜68を形成する。
そして、酸化膜層65をマスクとして全面にイオン注入を行った後、熱拡散処理を施してPフローティング領域51を形成する。
次に、図3(a)に示すように、酸化膜層65および熱酸化膜68を除去する。続いて、CVD(Chemical Vapor Deposition)などにより、例えば、NSG(Nondoped Silicate Glass)からなる絶縁膜23を半導体基板10の全面に堆積し、トレンチ21の内部を埋め込む。
次に、図3(b)に示すように、絶縁膜23をプラズマエッチングによりエッチバックして、トレンチ21の底部に所定厚さの絶縁膜23を形成する。それと同時に、トレンチ開口部21aもエッチングされる。そのため、図1(b)のように、半導体基板主面10aに対して、傾斜角αの傾斜面25が形成される。このプラズマエッチングの条件は、例えば、ガス流量比が1/6以上1/4以下の四フッ化メタン/三フッ化メタンの混合ガスを用いる。そのときのガス圧力は6.5Pa以上6.8Pa以下であり、高周波パワーは750W以上850W以下である。
次に、図3(c)に示すように、半導体基板10上面およびトレンチ21側壁に、熱酸化によりゲート絶縁膜24を形成する。
そして、トレンチ21内部に、CVDにより、例えばポリシリコンを堆積して、ゲート電極22を形成する。
半導体基板10の上面側には、ゲート絶縁膜24を開口して、所定のソース電極(不図示)を形成する。下面側には、ドレイン電極(不図示)を形成する。このようにして、図1(a)に示した半導体装置100を製造することができる。
実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法によれば、絶縁膜23をエッチングするとともに、傾斜面25を形成することができる。これにより、トレンチ開口部21aでゲート絶縁膜24が局所的に薄くなることを抑制し、電界集中による耐圧低下を防止できる。
発明の実施の形態2
本発明の実施の形態2では、発明の実施の形態1に加えて、傾斜角αを適正な角度に制御する。
本発明の実施の形態2では、発明の実施の形態1に加えて、傾斜角αを適正な角度に制御する。
発明者は、傾斜角αの制御は、プラズマエッチングの条件を適正に設定することで実現できることを見出した。当該プラズマエッチングは、図5に示すような、平行平板型プラズマエッチング装置70で行う。プラズマエッチング装置70には、ウェーハホルダを兼ねた下部電極70bと、上部電極70cとが、チャンバー70a内に対向して設置されている。上部電極70cには高周波電源70dが接続されている。プラズマエッチングを行うには、チャンバー70a内に反応ガスを導入し、高周波電源70dにより高周波パワーを加えて、反応ガスをプラズマ化させる。プラズマ中の活性種は、ウェーハ70eの表面で化学反応し、反応生成物がウェーハ70eの表面から離脱して排気され、プラズマエッチングが進行する。
発明者は、まず、傾斜角αと耐圧の関係について検討を行った。そして、αを75°より小さくすると、その上に形成されるゲート絶縁膜24が局所的に薄くなることを抑制でき、良好な耐圧が得られるという知見を得た。また、傾斜角αの下限は、傾斜角αと余角の関係となる角が角張らないようにすることが必要なので、45°とすることができる。これにより、半導体装置100の耐圧低下を防止するのに適している傾斜面25の傾斜角αは、45°≦α≦75°の範囲とすることができる。
次に、傾斜角αの相違による耐圧低下防止の効果を明らかにするため、α=70°の実施例と、比較例として、α=85°の場合について耐圧の測定を行った。その実験結果を図4に示す。これによると、α=70°の場合には、ゲート電圧VGSが変動しても、α=85°の場合よりもゲートリーク電流IGが減少している。すなわち、耐圧を向上させることができる。
実施例であるα=70°の場合のプラズマエッチングには、反応ガスに四フッ化メタンと三フッ化メタンの混合ガスを使用した。ガス流量比は四フッ化メタン/三フッ化メタン=1/5、ガス圧力は6.7Pa、高周波パワーは800Wである。本条件によれば、トレンチ開口部21aが過度のプラズマダメージを受けることなく、かつ不規則形状が発生することもなく、傾斜面25を形成することができる。
比較例としたα=85°の場合のプラズマエッチングには、反応ガスはα=70°の場合と同様に、四フッ化メタンと三フッ化メタンの混合ガスを使用した。ガス流量比は四フッ化メタン/三フッ化メタン=1/3、ガス圧力は6.7Pa、高周波パワーは1000Wである。
次に、プラズマエッチングによって、トレンチ開口部21aに傾斜面25が形成される理由を説明する。実施例であるα=70°の場合の反応ガスにおけるエッチング速度は、シリコンからなる半導体基板10の方が、NSGからなる絶縁膜23よりも高速である。更に、トレンチ21底部側では、反応生成物がトレンチ21側壁に再付着して、横方向へのエッチングの進行を阻止する。また、トレンチ開口部21aでは、トレンチ21底部側と比べて反応生成物は再付着しにくい。そのため、トレンチ開口部21aでは、横方向のエッチングは阻止されずに進行し、傾斜面25を形成する。
実施例であるα=70°の場合では、図1(b)に示す傾斜面25の深さdは、150〜300nmとなる。傾斜面の深さdが、前記の範囲となることにより、傾斜角αは75°よりも緩やかとなる。そのため、トレンチ開口部21aを被覆するゲート絶縁膜24が局所的に薄くなることを抑制できる。
他の実施の形態
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、半導体領域については、P型とN型を入れ換えてもよい。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、半導体領域については、P型とN型を入れ換えてもよい。
また、半導体についても、シリコンに限らず、他の種類の半導体であってもよい。例えば、砒化ガリウム、炭化シリコン、窒化ガリウム、燐化インジウムなどを用いることができる。
絶縁膜23はNSGに限らず、半導体とのエッチング速度差を利用してトレンチ開口部21aに傾斜面25が形成できるのであれば、他の絶縁膜を用いることができる。例えば、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどである。また、異なる絶縁膜からなる複合膜であってもよい。
ゲート絶縁膜24は、熱酸化により生成する酸化シリコンに限らず、他の絶縁膜を用いることができる。例えば、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどである。また、異なる絶縁膜からなる複合膜であってもよい。
10 半導体基板 10a 半導体基板主面
11 N+ドレイン領域 12 N−ドリフト領域
21 トレンチ 21a トレンチ開口部
22 ゲート電極 23 絶縁膜 24 ゲート絶縁膜 25 傾斜面
31 N+ソース領域 32 P+コンタクト領域
41 P−ボディ領域
51 Pフローティング領域
65 酸化膜層 66 フォトレジスト 67 溝 68 熱酸化膜
70 平行平板型プラズマエッチング装置
70a チャンバー 70b 下部電極 70c 上部電極 70d 高周波電源
70e ウェーハ
81 N−ドリフト領域 82 Pベース領域 83 N+ソース領域
84 炭化シリコンウエハ 85 ポリシリコン膜 86 酸化シリコン膜
87 ニッケル膜 88 フォトレジスト 89 トレンチ
90 トレンチ開口部
100 半導体装置
210 半導体基板 210a 半導体基板主面
211 N+ドレイン領域 212 N−ドリフト領域
221 トレンチ 221a トレンチ開口部
222 ゲート電極 223 絶縁膜 224 ゲート絶縁膜
225 トレンチ開口部上端 226 丸め酸化面
231 N+ソース領域 232 P+コンタクト領域
241 P−ボディ領域
251 Pフローティング領域
11 N+ドレイン領域 12 N−ドリフト領域
21 トレンチ 21a トレンチ開口部
22 ゲート電極 23 絶縁膜 24 ゲート絶縁膜 25 傾斜面
31 N+ソース領域 32 P+コンタクト領域
41 P−ボディ領域
51 Pフローティング領域
65 酸化膜層 66 フォトレジスト 67 溝 68 熱酸化膜
70 平行平板型プラズマエッチング装置
70a チャンバー 70b 下部電極 70c 上部電極 70d 高周波電源
70e ウェーハ
81 N−ドリフト領域 82 Pベース領域 83 N+ソース領域
84 炭化シリコンウエハ 85 ポリシリコン膜 86 酸化シリコン膜
87 ニッケル膜 88 フォトレジスト 89 トレンチ
90 トレンチ開口部
100 半導体装置
210 半導体基板 210a 半導体基板主面
211 N+ドレイン領域 212 N−ドリフト領域
221 トレンチ 221a トレンチ開口部
222 ゲート電極 223 絶縁膜 224 ゲート絶縁膜
225 トレンチ開口部上端 226 丸め酸化面
231 N+ソース領域 232 P+コンタクト領域
241 P−ボディ領域
251 Pフローティング領域
Claims (11)
- 半導体基板にトレンチを形成する工程と、
絶縁膜を前記トレンチに堆積させる工程と、
プラズマエッチングにより前記トレンチ底部の前記絶縁膜をエッチングするとともに、前記トレンチ開口部に前記半導体基板の主面に対して傾斜角αをなす傾斜面を同時に形成する工程と、
前記半導体基板の上面から前記トレンチ底部の前記絶縁膜に亘って当該半導体基板及び当該トレンチを被覆するゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。 - 前記プラズマエッチングの条件は、四フッ化メタンと三フッ化メタンの混合ガスを反応ガスとして用い、
ガス流量比(四フッ化メタン/三フッ化メタン)は1/6以上1/4以下であり、
ガス圧力は6.6Pa以上6.8Pa以下であり、
高周波パワーは750W以上850W以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ガス流量比(四フッ化メタン/三フッ化メタン)は、実質的に1/5であり、
前記ガス圧力は実質的に6.7Paであり、
前記高周波パワーは実質的に800Wであることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記傾斜角αは、45°≦α≦75°であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記傾斜面の深さdは、150≦d≦300nmであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板は、シリコンからなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜は、NSG(Nondoped Silicate Glass)からなることを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- トレンチが形成された半導体基板と、
前記トレンチ底部に形成された絶縁膜と、
前記トレンチの内壁に形成されたゲート絶縁膜と、
前記トレンチの内部に、前記絶縁膜および前記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備え、
前記トレンチは、開口部に形成された前記半導体基板の主面に対して傾斜角αをなす傾斜面を有し、
前記傾斜角αが45°≦α≦75°である半導体装置。 - 前記傾斜面の深さdが、150nm≦d≦300nmであることを特徴とする、請求項8に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板が、シリコンからなることを特徴とする請求項8または9に記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜が、NSG(Nondoped Silicate Glass)からなることを特徴とする、請求項8乃至10のいずれか一項に記載の半導体装置。
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