JP5232348B2 - 芳香族ポリカーボネート組成物、その製造法およびその成形品 - Google Patents

Description

技術分野
本発明は、芳香族ポリカーボネート組成物、その製造法およびその成形品に関する。さらに詳しくは、透明性、色相安定性に優れたポリカーボネート樹脂組成物、その製造法およびその成形品に関する。

従来の技術
芳香族ポリカーボネート樹脂は、耐衝撃性などの機械的特性に優れ、しかも耐熱性、透明性などにも優れているため広範な用途に用いられている。上記ポリカーボネート樹脂の製造方法としては、ビスフェノールＡなどの芳香族ジヒドロキシ化合物とカーボネート結合形成性前駆体のホスゲンを直接反応させる方法（界面重合法）、あるいは芳香族ジヒドロキシ化合物とカーボネート結合形成性前駆体の炭酸ジエステルとを溶融状態でエステル交換反応（溶融法）させる方法などが知られている。
芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとのエステル交換反応（溶融法）でポリカーボネート樹脂を製造する方法は、界面重合法による方法に比べて、有毒なホスゲンや、メチレンクロライド等のハロゲン化合物を溶媒として使用する問題がなく、安価にポリカーボネート樹脂を製造できる利点があり、将来有望であると考えられる。
エステル交換反応による溶融重合法では、製造効率を上げるため、プラスチック材料講座 １７ ポリカーボネート ４８〜５３頁の文献に記載のように通常エステル交換触媒が使される。

しかし、溶融重合法ポリカーボネート樹脂の製造には、上述のエステル交換触媒としてアルカリ金属触媒が好ましい触媒として使用されるので、触媒由来のアルカリ金属化合物を含有し、さらにその他、反応装置あるいは原料より混入する金属化合物を含有するため、溶融重合法ポリカーボネート樹脂は安定性に問題がある。とりわけ成形加工時の着色、分子量低下、黒色異物生成等の問題がある。
この問題を解決するため、特開平４−３２８１２４号公報および特開平４−３２８１５６号公報には、スルホン酸エステルを含む酸性化合物でエステル交換触媒を中和する方法が提案されている。しかしこの方法では、スルホン酸エステルから強酸が副生する場合があり、成形加工時、着色、分子量低下、黒色異物の生成およびポリカーボネート成形品の使用時、加水分解等の劣化が起こる問題点の十分な解決にはなっていない。
特開平８−５９９７５号公報記載の方法に従い、溶融重合法ポリカーボネート樹脂にスルホン酸ホスホニウム塩を単独で、好ましくは亜リン酸エステル系化合物、フェノール系抗酸化剤を併用した場合、前述の問題点はかなり改善されるが、光学情報記録媒体、光学レンズおよび耐熱成形品のごとくさらに高度の耐熱安定性が要求される用途に対しては、長期間、高温環境下に組成物を保管後、成形加工した場合、ポリカーボネートの分子量低下、成形品の着色あるいは成形品中の黒色異物生成等の問題が依然残されている。

発明の開示
本発明の目的は、加熱成形加工時の分子量低下、着色、黒色異物の生成が抑制されたポリカーボネート樹脂組成物を提供することにある。
本発明の他の目的は、長期間保存した後、加熱成形加工した場合でも分子量低下、着色、および黒色異物の生成を安定的に良好に低い水準に押さえることのできるポリカーボネート樹脂組成物を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、本発明のポリカーボネート樹脂組成物を製造する工業的に有利な方法を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、本発明のポリカーボネート樹脂組成物からの成形品、とりわけ光情報記録媒体用基板、光学材料を提供することにある。
本発明のさらに他の目的および利点は以下の説明から明らかになろう。

本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第１に、
（Ａ）下記式（１）

【化４】

ここで、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は互いに独立に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基または炭素数７〜１０のアラルキル基でありそしてＷは炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数２〜１０のアルキリデン基、炭素数６〜１０のシクロアルキレン基、炭素数６〜１０のシクロアルキリデン基、炭素数８〜１５のアルキレン−アリーレン−アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基またはスルホン基である、
で表される繰返し単位から主としてなる芳香族ポリカーボネートおよび

（Ｂ）リン酸ホスホニウム塩、ホスホン酸ホスホニウム塩、亜リン酸ホスホニウム塩、亜ホスホン酸ホスホニウム塩および硼酸ホスホニウム塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種のホスホニウム塩（以下、特定ホスホニウム塩ということがある）を含有してなり、そして
粘度平均分子量が１０，０００〜１００，０００の範囲にありかつ溶融粘度安定性が０．５％以下である、芳香族ポリカーボネート組成物によって達成される。

本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第２に、
（１）下記式（２）

【化５】

ここで、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＷの定義は上記式（１）に同じである、
で表される芳香族ジヒドロキシ化合物から主としてなるジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとをエステル交換触媒の存在下に溶融重縮合せしめ、次いで

（２）得られた芳香族ポリカーボネートに溶融状態において、（ａ）リン酸ホスホニウム塩、ホスホン酸ホスホニウム塩、亜リン酸ホスホニウム塩、亜ホスホン酸ホスホニウム塩および硼酸ホスホニウム塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種のホスホニウム塩、または（ｂ）上記ホスホニウム塩と、スルホン酸ホスホニウム塩、スルホン酸アンモニウム塩、スルホン酸低級アルキルエステルおよびスルホン酸よりなる群から選ばれる少なくとも１種のスルホン酸類との組合せ、を添加することを特徴とする、芳香族ポリエステル組成物の製造法（以下、本発明の第１製造法ということがある）によって達成される。

本発明の上記目的および利点は、本発明によれば、第３に、
（１）下記式（１）

【化６】

ここで、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は互いに独立に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基または炭素数７〜１０のアラルキル基でありそしてＷは炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数２〜１０のアルキリデン基、炭素数６〜１０のシクロアルキレン基、炭素数６〜１０のシクロアルキリデン基、炭素数８〜１５のアルキレン−アリーレン−アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基またはスルホン基である
で表される繰返し単位から主としてなる芳香族ポリカーボネートのペレットを準備し、そして

（２）上記ペレットを溶融しそして溶融状態でリン酸ホスホニウム塩、ホスホン酸ホスホニウム塩、亜リン酸ホスホニウム塩、亜ホスホン酸ホスホニウム塩および硼酸ホスホニウム塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種のホスホニウム塩を添加し、混合することを特徴とする、芳香族ポリカーボネート組成物の製造法（以下、本発明の第２製造法ということがある）によって達成される。

また、本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第４に、本発明のポリカーボネートからなる、光情報記録媒体の基板のごとき成形品あるいはシートによって達成される。
なお、上記の本発明の芳香族ポリカーボネート組成物、第１製造法および第２製造法におけるホスホニウム塩は下記する式（３）−１、（３）−２または（３）−３で表される。

発明の好ましい実施態様
以下、本発明の芳香族ポリカーボネート組成物についてまず説明する。
本発明における芳香族ポリカーボネートは、前記式（１）で表される繰返し単位から主としてなる。
前記式（１）において、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４の定義は上記のとおりである。
炭素数１〜１０のアルキル基は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。その例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、オクチル、デシル等を挙げることができる。炭素数６〜１０のアリール基としては、例えばフェニル、トリル、クミル、ナフチル等を挙げることができる。炭素数７〜１０のアラルキル基としては、例えばベンジル、２−フェネチル、２−メチル−２−フェニルエチル等を挙げることができる。
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４としては、互いに独立に、水素原子、メチル基およびｔ−ブチル基が好ましく、水素原子が特に好ましい。
また、Ｗの定義も上記のとおりである。

炭素数１〜１０のアルキレン基は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。その例としては、メチレン、１，２−エチレン、１，３−プロピレン、１，４−ブチレン、１，１０−デシレン等を挙げることができる。
炭素数２〜１０のアルキリデン基としては、例えばエチリデン、２，２−プロピリデン、２，２−ブチリデン、３，３−ヘシリデン等を挙げることができる。
炭素数６〜１０のシクロアルキレン基としては、例えば１，４−シクロへキシレン、２−イソプロピル−１，４−シクロへキシレン等を挙げることができる。
炭素数６〜１０のシクロアルキリデン基としては、例えばシクロヘキシリデン、イソプロピルシクロヘキシリデン等を挙げることができる。
炭素数８〜１５のアルキレン−アリーレン−アルキレン基としては、例えばｍ−ジイソプロピルフェニレン基などが挙げられる。
Ｗとしては、シクロヘキシリデン基、２，２−プロピリデン基が好ましく、２，２−プロピリデン基が特に好ましい。

芳香族ポリカーボネートは、上記式（１）で表される繰返し単位を全繰返し単位に基づき５０モル％以上、好ましくは７０モル％以上、特に好ましくは８０モル％以上で含有する。上記式（１）で表される繰返し単位以外の、場合により含有されていてもよい繰返し単位は以下の説明から当業者は理解されるであろう。
本発明で用いられる芳香族ポリカーネートは、主たる末端基がアリールオキシ基とフェノール性水酸基とより成り、かつフェノール性末端基濃度が、好ましくは５０モル％以下、より好ましくは４０モル％以下、さらに好ましくは３０モル％以下を占めるものが望ましい。かかる量比でフェノール性末端基を含有することにより、本発明の目的をより一層好適に達成することができ、組成物の成形性（金型汚れ製、離型性；以下単に成形性と略称する）もまた向上する。
フェノール性末端基濃度を５モル％より減少させても該樹脂のさらなる物性の向上は少ない。またフェノール性末端基濃度を５０モル％以上導入したときは、本発明の目的達成に好ましくない。

アリールオキシ基としては炭素数１〜２０の炭化水素基で置換されたフェニルオキシ基あるいは無置換フェニルオキシ基が好ましく用いられる。樹脂熱安定性の点から置換基としては、第３級アルキル基、第３級アラルキル基あるいはアリール基が好ましい。
好ましいアリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェニルオキシ基、４−ｔ−アミルフェニルオキシ基、４−フェニルフェニルオキシ基、４−クミルフェニルオキシ基を挙げることができる。
芳香族ポリカーボネート（Ａ）としては相当する芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルを出発物質として溶融重縮合せしめて得られたものが好ましい。
また、芳香族ポリカーボネート（Ａ）は、好ましくは粘度平均分子量が１０，０００〜１００，０００であり、より好ましくは１０，０００〜５０，０００であり、さらに好ましくは１０，０００〜１８，０００である。その重合平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）の比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、樹脂流動性および転写性の観点から好ましくは３．６〜１．８であり、より好ましくは３〜２である。

本発明の芳香族ポリカーボネート組成物を構成する特定ホスホニウム塩（Ｂ）は、リン酸ホスホニウム塩、ホスホン酸ホスホニウム塩、亜リン酸ホスホニウム塩、亜ホスホン酸ホスホニウム塩および硼酸ホスホニウム塩である。これらは１種または２種以上で用いられる。
芳香族ポリカーボネート樹脂を溶融粘度安定化するのに用いる特定ホスホニウム塩の配合量は、好ましくは、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部当り、リン原子の合計として０．０１×１０^−４〜３０×１０^−４重量部の範囲である。より好ましくは０．００５×１０^−４〜２０×１０^−４重量部の範囲で、さらに好ましくは０．０１×１０^−３〜１０×１０^−４重量部の範囲で、特に好ましくは０．０５×１０^−３〜８×１０^−４重量部の範囲である。
上記リン酸ホスホニウム塩およびホスホン酸ホスホニウム塩は、下記式（３）−１

【化７】

で表される化合物である。
また、亜リン酸ホスホニウム塩および亜ホスホン酸ホスホニウム塩は、下記式（３）−２

【化８】

で表される化合物である。
さらに、硼酸ホスホニウム塩は、下記式（３）−３

【化９】

で表される化合物である。
上記式（３）−１、（３）−２および（３）−３中、Ｒ^５〜Ｒ^８は、互いに独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、Ｘ、Ｙは互いに独立に、ヒドロキシ基、下記式（４）で表される第４級ホスホニウム塩、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数４〜２０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基を表す。
すなわち、Ｘ、Ｙにおける第４級ホスホニウム基は下記式（４）

【化１０】

（式中Ｒ^９〜Ｒ^１２は上記Ｒ^５〜Ｒ^８の定義に同じ）
で表される特定構造を有する一群のホスホニウム塩化合物より選択される少なくとも１種である。

式（３）−１で表されるホスホニウム塩類としては、具体的には、リン酸トリホスホニウム塩、リン酸１水素ジホスホニウム塩、リン酸２水素ホスホニウム塩、ホスホン酸ジホスホニウム塩およびホスホン酸１水素ホスホニウム塩が挙げられる。式（３）−２で表されるホスホニウム塩類としては、具体的には、亜リン酸トリホスホニウム塩、亜リン酸１水素ジホスホニウム塩、亜リン酸２水素ホスホニウム塩、亜ホスホン酸ジホスホニウム塩および亜ホスホン酸１水素ホスホニウム塩が挙げられる。また式（３）−３で表される硼酸ホスホニウム塩としては、具体的には、硼酸トリホスホニウム塩、硼酸１水素ジホスホニウム塩、硼酸２水素ホスホニウム塩および１有機基置換ヒドロキシボランホスホニウムが挙げられる。

リン酸トリホスホニウム塩としては、例えばリン酸トリス（テトラメチルホスホニウム）、リン酸（テトラメチルホスホニウム）ビス（テトラエチルホスホニウム）、リン酸（テトラオクチルホスホニウム）ビス（テトラプロピルホスホニウム）、リン酸トリス（メチルトリエチルホスホニウム）、リン酸ビス（テトラメチルホスホニウム）（テトラエチルホスホニウム）、リン酸トリス（テトラブチルホスホニウム）、リン酸トリス（ジエチルジブチルホスホニウム）、リン酸トリス（テトラデシルホスホニウム）、リン酸トリス（テトラフェニルホスホニウム）およびリン酸トリス（トリメチルフェニルホスホニウム）が挙げられる。

リン酸１水素ジホスホニウム塩としては、例えばリン酸１水素ビス（テトラメチルホスホニウム）、リン酸１水素ビス（テトラブチルホスホニウム）、リン酸１水素ビス（テトラオクチルホスホニウム）、リン酸１水素ビス（テトラフェニルホスホニウム）、リン酸１水素ビス［テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスホニウム］、リン酸１水素ビス（テトラベンジルホスホニウム）、リン酸１水素ビス（トリエチルベンジルホスホニウム）、リン酸１水素ビス（トリメチルベンジルホスホニウム）、リン酸１水素ビス（ジエチルジオクチルホスホニウム）およびリン酸１水素ビス（ジメチルジフェニルホスホニウム）が挙げられる。

リン酸２水素ホスホニウムとしては、例えばリン酸２水素テトラメチルホスホニウム、リン酸２水素テトラブチルホスホニウム、リン酸２水素テトラデシルホスホニウム、リン酸２水素テトラヘキサデシルホスホニウム、リン酸２水素テトラフェニルホスホニウム、リン酸２水素テトラベンジルホスホニウム、リン酸２水素トリメチルベンジルホスホニウム、リン酸２水素ジメチルジベンジルホスホニウム、リン酸２水素エチルトリフェニルホスホニウムおよびリン酸２水素ブチルトリナフチルホスホニウムが挙げられる。

ホスホン酸ジホスホニウム塩としては、例えばオクタンホスホン酸ビス（テトラメチルホスホニウム）、ベンゼンホスホン酸（テトラメチルホスホニウム）（テトラエチルホスホニウム）、ベンジルホスホン酸（テトラオクチルホスホニウム）（テトラプロピルホスホニウム）、ノニルホスホン酸ビス（メチルトリエチルホスホニウム）、トルエンホスホン酸（テトラメチルホスホニウム）（テトラエチルホスホニウム）、メタンホスホン酸ビス（テトラブチルホスホニウム）、ブチルホスホン酸ビス（ジエチルジブチルホスホニウム）、ベンゼンホスホン酸ビス（テトラデシルホスホニウム）、ベンゼンホスホン酸ビス（テトラフェニルホスホニウム）およびベンゼンホスホン酸ビス（テトラメチルホスホニウム）が挙げられる。

ホスホン酸１水素ホスホニウムとしては、例えばフェニルホスホン酸１水素（テトラブチルホスホニウム）、ベンジルホスホン酸１水素（テトラブチルホスホニウム）、オクタンホスホン酸１水素テトラメチルホスホニウム、ベンゼンホスホン酸１水素テトラメチルホスホニウム、ベンジルホスホン酸１水素テトラオクチルホスホニウム、ノニルホスホン酸１水素メチルトリエチルホスホニウム、トルエンホスホン酸１水素テトラエチルホスホニウム、メタンホスホン酸１水素テトラブチルホスホニウム、ブタンホスホン酸１水素ジエチルジブチルホスホニウムおよびベンゼンホスホン酸１水素テトラフェニルホスホニウムが挙げられる。

亜リン酸トリホスホニウム塩としては、例えば亜リン酸トリス（テトラメチルホスホニウム）、亜リン酸トリス（テトラブチルホスホニウム）、亜リン酸トリス（テトラフェニルホスホニウム）、亜リン酸トリス［テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスホニウム］、亜リン酸トリス（テトラベンジルホスホニウム）、亜リン酸トリス（メチルトリエチルホスホニウム）、亜リン酸トリス（トリメチルベンジルホスホニウム）、亜リン酸トリス（ジブチルジヘキサデシルホスホニウム）、亜リン酸トリス（ジメチルジフェニルホスホニウム）および亜リン酸ビス（テトラデシルホスホニウム）（テトラメチルホスホニウム）が挙げられる。

亜リン酸１水素ジホスホニウム塩としては、例えば亜リン酸１水素ビス（テトラメチルホスホニウム）、亜リン酸１水素ビス（テトラブチルホスホニウム）、亜リン酸１水素ビス（テトラフェニルホスホニウム）、亜リン酸１水素ビス［テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスホニウム］、亜リン酸１水素ビス（テトラベンジルホスホニウム）、亜リン酸１水素ビス（メチルトリエチルホスホニウム）、亜リン酸１水素ビス（トリメチルベンジルホスホニウム）、亜リン酸１水素ビス（ジブチルジヘキサデシルホスホニウム）、亜リン酸１水素ビス（ジメチルジフェニルホスホニウム）および亜リン酸１水素（テトラデシルホスホニウム）（テトラメチルホスホニウム）が挙げられる。

亜リン酸２水素ホスホニウム塩としては、例えば亜リン酸２水素テトラメチルホスホニウム、亜リン酸２水素テトラブチルホスホニウム、亜リン酸２水素テトラヘキサデシルホスホニウム、亜リン酸２水素テトラフェニルホスホニウム、亜リン酸２水素テトラベンジルホスホニウム、亜リン酸２水素トリメチルベンジルホスホニウム、亜リン酸２水素ジメチルジベンジルホスホニウム、亜リン酸２水素エチルトリフェニルホスホニウム、亜リン酸２水素ブチルトリナフチルホスホニウムおよび亜リン酸２水素ジブチルジオクチルホスホニウムが挙げられる。

亜ホスホン酸ジホスホニウム塩としては、例えばフェニル亜ホスホン酸ビス（テトラブチルホスホニウム）、ベンジル亜ホスホン酸ビス（テトラブチルホスホニウム）、オクタン亜ホスホン酸ビス（テトラメチルホスホニウム）、ベンゼン亜ホスホン酸ビス（テトラメチルホスホニウム）、ノニル亜ホスホン酸ビス（メチルトリエチルホスホニウム）、トルエン亜ホスホン酸ビス（テトラエチルホスホニウム）、メタン亜ホスホン酸ビス（テトラブチルホスホニウム）、ブタン亜ホスホン酸ビス（ジエチルジブチルホスホニウム）、ベンゼン亜ホスホン酸ビス（テトラフェニルホスホニウム）、ベンジル亜ホスホン酸ビス（テトラベンジルホスホニウム）、ヘキサン亜ホスホン酸酸性ビス（テトラメチルホスホニウム）およびナフタレン亜ホスホン酸ビス（テトラオクチルホスホニウム）が挙げられる。

亜ホスホン酸１水素ホスホニウム塩としては、例えばフェニル亜ホスホン酸１水素（テトラブチルホスホニウム）、ベンジル亜ホスホン酸１水素（テトラブチルホスホニウム）、オクタン亜ホスホン酸１水素テトラメチルホスホニウム、ベンゼン亜ホスホン酸１水素テトラメチルホスホニウム、ノニル亜ホスホン酸１水素メチルトリエチルホスホニウム、トルエン亜ホスホン酸１水素テトラエチルホスホニウム、メタン亜ホスホン酸１水素テトラブチルホスホニウム、ブタン亜ホスホン酸１水素ジエチルジブチルホスホニウム、ヘキサン亜ホスホン酸１水素テトラメチルホスホニウムおよびナフタレン亜ホスホン酸１水素テトラオクチルホスホニウムが挙げられる。

硼酸トリホスホニウム塩としては、例えば硼酸トリス（テトラメチルホスホニウム）、硼酸トリス（テトラブチルホスホニウム）、硼酸トリス（メチルトリエチルホスホニウム）、硼酸トリス（トリメチルベンジルホスホニウム）、硼酸トリス（ジブチルジヘキサデシルホスホニウム）、硼酸トリス（ジメチルジフェニルホスホニウム）、硼酸ビス（テトラデシルホスホニウム）（テトラメチルホスホニウム）、硼酸ビス（テトラフェニルホスホニウム）（テトラメチルホスホニウム）、硼酸ビス（トリメチルフェニルホスホニウム）（ジメチルジフェニルホスホニウム）および硼酸ビス（テトラメチルホスホニウム）（テトラベンジルホスホニウム）が挙げられる。

硼酸１水素ジホスホニウム塩としては、例えば硼酸１水素ビス（テトラメチルホスホニウム）、硼酸１水素ビス（テトラブチルホスホニウム）、硼酸１水素ビス（メチルトリエチルホスホニウム）、硼酸１水素ビス（トリメチルベンジルホスホニウム）、硼酸１水素ビス（ジブチルジヘキサデシルホスホニウム）、硼酸１水素ビス（ジメチルジフェニルホスホニウム）、硼酸１水素（テトラデシルホスホニウム）（テトラメチルホスホニウム）、硼酸１水素（テトラフェニルホスホニウム）（テトラメチルホスホニウム）、硼酸１水素（トリメチルフェニルホスホニウム）（ジメチルジフェニルホスホニウム）および硼酸１水素（テトラメチルホスホニウム）（テトラベンジルホスホニウム）が挙げられる。

硼酸２水素ホスホニウム塩としては、例えば硼酸２水素テトラメチルホスホニウム、硼酸２水素テトラブチルホスホニウム、硼酸２水素テトラヘキサデシルホスホニウム、硼酸２水素テトラフェニルホスホニウム、硼酸２水素テトラベンジルホスホニウム、硼酸２水素トリメチルベンジルホスホニウム、硼酸２水素ジメチルジベンジルホスホニウム、硼酸２水素ラエチルトリフェニルホスホニウム、硼酸２水素ブチルホスホニウムトリナフチルホスホニウムおよび硼酸２水素ジブチルホスホニウムジラオクチルホスホニウムが挙げられる。

有機基１置換ボリック酸ジホスホニウム塩としては、例えばフェニル硼酸ビス（テトラメチルホスホニウム）、フェニル硼酸ビス（テトラブチルホスホニウム）およびベンジル硼酸ビス（テトラメチルホスホニウム）が挙げられる。
有機基１置換ボリック酸１水素ホスホニウム塩としては、例えばフェニル硼酸１水素テトラメチルホスホニウム、フェニル硼酸１水素テトラブチルホスホニウムおよびベンジル硼酸１水素テトラメチルホスホニウム等が挙げられる。
これらの特定ホスホニウム塩等のうち、リン酸トリス（テトラメチルホスホニウム）、リン酸トリス（テトラブチルホスホニウム）、リン酸１水素ビス（テトラメチルホスホニウム）、リン酸１水素ビス（テトラブチルホスホニウム）、リン酸２水素テトラメチルホスホニウム、リン酸２水素テトラブチルホスホニウム、ベンゼンホスホン酸ビス（テトラメチルホスホニウム）、フェニルホスホン酸１水素（テトラブチルホスホニウム）、亜リン酸トリス（テトラメチルホスホニウム）、亜リン酸トリス（テトラブチルホスホニウム）、亜リン酸１水素ビス（テトラメチルホスホニウム）、亜リン酸１水素ビス（テトラブチルホスホニウム）、亜リン酸２水素テトラメチルホスホニウム、亜リン酸２水素テトラブチルホスホニウム、フェニル亜ホスホン酸ビス（テトラメチルホスホニウム）、フェニル亜ホスホン酸ビス（テトラブチルホスホニウム）、硼酸トリス（テトラメチルホスホニウム）、硼酸トリス（テトラブチルホスホニウム）、硼酸１水素ビス（テトラメチルホスホニウム）、硼酸１水素ビス（テトラブチルホスホニウム）、硼酸２水素テトラメチルホスホニウムおよび硼酸２水素テトラブチルホスホニウムを特に好ましいものとして挙げることができる。
上記のごときホスホニウム塩のうち、酸性ホスホニウム塩すなわち酸性リン酸ホスホニウム塩、酸性ホスホン酸ホスホニウム塩、縮合酸性リン酸ホスホニウム塩、酸性亜リン酸ホスホニウム塩、酸性亜ホスホン酸ホスホニウム塩および酸性硼酸ホスホニウム塩が好ましい。

本発明では、さらに、これらの特定ホスホニウム塩とともに、硫酸酸性ホスホニウム塩および亜硫酸酸性ホスホニウム塩のごとき酸性ホスホニウム塩を所望により併用することができる。
かかる硫酸酸性ホスホニウム塩としては、例えば硫酸１水素テトラメチルホスホニウム、硫酸１水素テトラブチルホスホニウム、硫酸１水素テトラプロピルホスホニウム、硫酸１水素テトラオクチルホスホニウム、硫酸１水素テトラフェニルホスホニウム、硫酸１水素エチルトリブチルホスホニウム、硫酸１水素トリメチルオクチルホスホニウム、硫酸１水素テトラベンジルホスホニウム、硫酸１水素ジエチルジブチルホスホニウムおよび硫酸１水素ベンジルトリメチルホスホニウムが挙げられる。

また、亜硫酸酸性ホスホニウム塩としては、例えば亜硫酸１水素テトラメチルホスホニウム、亜硫酸１水素テトラブチルホスホニウム、亜硫酸１水素テトラプロピルホスホニウム、亜硫酸１水素テトラオクチルホスホニウム、亜硫酸１水素テトラフェニルホスホニウム、亜硫酸１水素エチルトリブチルホスホニウム、亜硫酸１水素トリメチルオクチルホスホニウム、亜硫酸１水素テトラベンジルホスホニウム、亜硫酸１水素ジエチルジブチルホスホニウムおよび亜硫酸１水素ベンジルトリメチルホスホニウムが挙げられる。

また本発明の目的を損わない範囲で、所望により、特定ホスホニウム塩のうちのリン酸酸性ホスホニウム塩あるいはそのエステルのモノあるいはジアルカリ金属塩、中性リン酸ホスホニウム塩、中性スルホン酸ホスホニウム塩、中性硫酸ホスホニウム塩あるいは中性亜硫酸ホスホニウム塩等を配合することもできる。かかるホスホニウム塩の添加は、付加的に組成物の難燃性を向上せしめる効果もみられる。
かかるモノあるいはジアルカリ金属塩の使用量は、例えば該化合物中のリン分の合計が使用される特定リン酸酸性ホスホニウム塩中のリン分合計に対して、０．００１〜５０重量％となる範囲である。好ましくは、同じ基準に対し、０．０１〜３０重量％、さらに好ましくは、０．０５〜１０重量％の範囲である。かかるホスホニウム塩の添加は、付加的に組成物の難燃性を向上せしめる効果もみられる。
また上記文献記載の従来公知の溶融粘度安定剤を添加することも可能である。かかる溶融粘度安定剤としては、例えばスルホン酸のホスホニウム塩またはアンモニウム塩、スルホン酸およびスルホン酸低級エステルが例示される。これらは単独であるいは２種以上一緒に使用することができる。

かかる化合物の具体例としては、例えば；オクチルスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、デシルスルホン酸テトラメチルアンモニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルアンモニウム塩のごときスルホン酸のホスホニウム塩またはアンモニウム塩；ｐ−トルエンスルホン酸のごとき芳香族スルホン酸、ヘキサデシルスルホン酸のごとき脂肪族スルホン酸、ベンゼンスルホン酸ブチル、ｐ−トルエンスルホン酸ブチル、デシルスルホン酸ブチル等のスルホン酸またはスルホン酸低級エステルが例示される。これらのうちスルホン酸低級アルキルエステルが好ましく使用される。

特定ホスホニウム塩と溶融粘度安定剤を、併用するときには、溶融粘度安定剤の配合量は、塩基性アルカリ金属化合物触媒、１化学当量当り、スルホン酸のホスホニウム塩またはアンモニウム塩の場合には、好ましくは０．７〜５０化学当量、より好ましくは０．８〜２０化学当量、さらに好ましくは、０．９〜１０化学当量であり、他方スルホン酸あるいはスルホン酸低級エステル化合物の場合には、好ましくは０．７〜２０化学当量、より好ましくは０．８〜１０化学当量、さらに好ましくは０．９〜５化学当量である。

特定ホスホニウム塩と、上記溶融粘度安定剤の配合比は、より透明性、色相安定性に優れた安定化ポリカーボネート樹脂を得るために、特定ホスホニウム塩化合物の配合割合を、好ましくは少なくとも５０％（化学当量）以上、さらに好ましくは８０％以上、特に好ましくは９０％以上の範囲とするのがよい。
本発明の芳香族ポリカーボネート組成物は、さらに、炭素ラジカル捕捉剤（Ｃ）を含有することができる。
上記炭素ラジカル捕捉剤（Ｃ−Ｒａｄｉｃａｌ Ｓｃａｖｅｎｇｅｒ）としては、例えば下記式（Ａ）
Ｒ^０１Ｒ^０２Ｒ^０３ＳｉＨ （Ａ）
ここで、Ｒ^０１、Ｒ^０２およびＲ^０３は、互いに独立に、水素原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシル基、置換基を有していてもよい炭素数６〜２０のアリール基または下記式（Ａ）−１
−Ｏ−ＳｉＹ^１Ｙ^２Ｙ^３ （Ａ）−１
ここで、Ｙ^１、Ｙ^２およびＹ^３は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基または置換していてもよい炭素数６〜２０のアリール基である、
で表されるシラン類および下記式（Ｂ）

【化１１】

ここで、Ｒ^０４およびＲ^０５は、互いに独立に、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｒ^０６は水素原子またはメチル基であり、Ｒ^０７は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数６〜１０のアリール基であり、Ｒ^０８とＲ^０９は、互いに独立に、炭素数１〜１０のアルキル基であり、ｍおよびｎは０、１または２である、
で表されるアクリル酸のアリールエステル、および下記式（Ｃ）

【化１２】

ここで、Ｒ^０１０は、炭素数１〜１０のアルキル基であり、ｎは０〜３の数であり、Ａｒは置換基を有していてもよい炭素数６〜２０の芳香族基である、
で表されるラクトン系安定剤
を好ましいものとして挙げることができる。

炭素ラジカル捕捉剤は、ハンス ツバイヘル（Ｈａｎｓ Ｚｗｅｉｆｅｌ）著「高分子物質の安定化（Ｓｔａｂｉｌｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）」頁５２の２、１、２、５項に、その定義および作用等が解説されている。
これら炭素ラジカル捕捉剤の使用量は、芳香族ポリカーボネート１００重量部当り、好ましくは０．５×１０^−４〜５００×１０^−４重量部、より好ましくは５×１０^−４〜３００×１０^−４重量部、さらに好ましくは１０×１０^−４〜３００×１０^−４重量部、特に好ましくは５０×１０^−４〜３００×１０^−４重量部の範囲である。
炭素ラジカル捕捉剤の使用量が０．５×１０^−４重量部より少ないと、ゲル状異物生成量を減少させる効果や湿熱耐久性、色相安定性を向上する効果が十分得られにくく、５００×１０^−４重量部より多いと得られるポリカーボネートの色相、透明性、機械物性に悪影響を与えることが多いため好ましくない。

上記式（Ａ）で表されるシラン類としては、例えば
フェニルジメトキシシラン、フェニルジメチルシラン、ベンジルジメチルシラン、１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン、ビス［（ｐ−ジメチルシリル）フェニル］エーテル、ビス（トリメチルシロキシ）エチルシラン、ビス（トリメチルシロキシ）メチルシラン、ｔ−ブチルジメチルシラン、ジ−ｔ−ブチルメチルシラン、ジ−ｔ−ブチルシラン、ジメチルエトキシシラン、ジフェニルメチルシラン、ジフェニルシラン、エチルビス（トリメチルシロキシ）シラン、エチルジメチルシラン、ヘキシルシラン、メチルジエトキシシラン、メチルトリス（ジメチルシロキシ）シラン、ｎ−オクタデシルシラン、ｎ−オクチルシラン、ペンタメチルシクロペンタシロキサン、フェニルジエトキシシラン、フェニルジメチルシラン、フェニルメチルシラン、フェニルシラン、テトラエチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，１，４，４−テトラメチルジシルエチレン、トリ−ｔ−ブチルシラン、トリエトキシシラン、トリエチルシラン、トリ−ｎ−ヘキシルシラン、トリイソブチルシラン、トリイソプロポキシシラン、トリイソプロピルシランおよびトリフェニルシランなどが挙げられる。

また、上記式（Ｂ）で表されるアクリレートとしては、例えば
２−ｔ−ブチル−６−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、２−ｔ−ペンチル−６−（３−ｔ−ペンチル−２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、２−［１−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ペンチルフェニル）エチル］−４，６−ジ−ｔ−ペンチルフェニルアクリレート、２−［１−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）エチル］−４，６−ジ−ｔ−ブチルフェニルアクリレート、２−［１−（２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）エチル］−４−メチル−６−ｔ−ブチルフェニルアクリレート、
２−［１−（２−ヒドロキシ−３−ｔ−ペンチル−５−メチルフェニル）エチル］−４−メチル−６−ｔ−ペンチルフェニルアクリレート、２，４−ジ−ｔ−ペンチル−６−（３，５−ジ−ｔ−ペンチル−２−ヒドロキシ−ベンジル）−フェニルアクリレート、２，４−ジ−ｔ−ブチル−６−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−ベンジル）−フェニルアクリレートなどが挙げられる。

上記式（Ｃ）で表されるラクトン系安定剤としては、例えば３−フェニル−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン、５，７−ジ−ｔ−ブチル−３−（３，４−ジメチルフェニル）−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン、５，７−ジ−ｔ−ブチル−３−（３，５−ジメチルフェニル）−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン、５，７−ジ−ペンチル−３−（３，５−ジメチルフェニル）−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オンおよび５，７−ジ−クミル−３−（３，４−ジメチルフェニル）−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オンを挙げることができる。

本発明の芳香族ポリカーボネート組成物は、さらに、（Ｄ）成分としてリン酸、亜リン酸、次亜リン酸、縮合リン酸および縮合亜リン酸を含有することができる。これらは１種または２種以上一緒に用いられる。これらの（Ｄ）成分は芳香族ポリカーボネートの分子量の低下や色相の悪化を防止する作用を示す。これらの（Ｄ）成分は、好ましくは芳香族ポリカーボネート１００重量部当り１×１０^−４〜１００×１０^−４重量部で用いられる。縮合リン酸としては、例えばピロリン酸やポリリン酸を挙げることができ、縮合亜リン酸としては、例えばピロ亜リン酸やポリ亜リン酸が挙げられる。

また、本発明の芳香族ポリカーボネート組成物には、溶融成形時の金型から離型性を向上させるために、多価アルコールと高級脂肪酸とのエステル（Ｅ）を含有させることができる。かかるエステルとしては多価アルコールと炭素数１０〜２２の飽和あるいは不飽和高級脂肪酸エステルが好ましい。また、かかるエステルは、好ましくはＨＬＢ値３〜７、より好ましくは３〜６のＨＬＢを有する。ＨＬＢ３〜６の部分エステルを特定ホスホニウム塩と併用した場合、離型性を向上および金型汚れの低減効果が大である。
ＨＬＢ値とは、例えば「界面活性剤」（講談社）著；北原文男ほか３名；ｐ２４に記載されるよう、ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｅ−ｌｉｐｏｐｈｉｌｅ ｂａｌａｎｃｅの略であり、親水、疎水バランスの意である。

かかるバランスを満足する部分エステルとしては、飽和あるいは不飽和の脂肪族のモノ−、ジ−あるいはトリ−カルボン酸と飽和あるいは不飽和の多価アルコールとの部分エステルが挙げられる。かかる多価アルコールとしては、例えばエチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブテンジオール、ジエチレングリコールのごとき飽和あるいは不飽和の２価のアルコール、グリセリン、トリメチロールプロパンのごとき飽和あるいは不飽和の３価のアルコール、ペンタエルスリトールのごとき飽和あるいは不飽和の４価のアルコール、または５価以上の飽和あるいは不飽和の多価アルコールが挙げられる。

具体的には、高級脂肪酸として、例えば線状カルボン酸であるラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸および分岐カルボン酸であるイソデカン酸、イソトリデカン酸、イソミリスチン酸、イソパルチミン酸、イソステアリン酸、イソアラキン酸、その他不飽和カルボン酸であるオレイン酸、リノール酸、リノレン酸、５，８，１１，１４−エイコサテトラエン酸、４，７，１０，１３，１６，１９−ドコサヘキサエン酸等を挙げることができる。
また、多価アルコール類としては、例えばプロピレングリコール、グリセリン、２，２−ジヒドロキシペルフルオロプロパノール、ネオペンチレングリコールおよびペンタエリスリトール、ジトリメチロールプロパン等を挙げることができる。

これらの多価アルコールと高級脂肪酸からの部分エステルとしては、エチレングリコールモノステアレート、エチレングリコールモノオレート、プロピレングリコールモノオレート、プロピレングリコールモノベヘネート、プロピレングリコールモノステアレート、グリセロールモノステアレート、グリセロールモノイソステアレート、グリセロールモノラウレート、グリセロールモノオレート、グリセロールモノパルミテート、グリセロールモノアセトステアレート、グリセロールモノバチルエーテル、トリメチロールプロパンジステアレートおよびネオペンチレングリコールモノステアレート等が挙げられる。
かかるエステルの好ましい配合量は、芳香族ポリカーボネート１００重量部当り好ましくは１×１０^−３〜３×１０^−１重量部、より好ましくは５×１０^−３〜２×１０^−１重量部、特に好ましくは６×１０^−３〜１×１０^−１重量部の範囲である。上記範囲外の配合量では本発明の目的に不都合な場合が発生することがあり好ましくない。

そのほか、以下に例示するその他の離型剤を所望により併用してもよい。
１）天然、合成パラフィンワックス類、ポリエチレンワックス、フルオロカーボン類のごとき炭化水素系離型剤、２）ステアリン酸、ヒドロキシステアリン酸のごとき高級脂肪酸あるいはオキシ脂肪酸のトリメチロールプロパンのごとき脂肪酸系離型剤、３）エチレンビスステリルアミドなどの脂肪酸アミド、エルカ酸アミドのごときアルキレンビス脂肪酸アミド類等の脂肪酸アミド系離型剤、４）ステアリルアルコール、セチルアルコールのごとき脂肪族アルコール、多価アルコール、ポリグリコール、ポリグリセロール類等のアルコール系離型剤、および５）ポリシロキサン類を挙げることができる。
かかるその他の離型剤の配合量は、本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対し、０．０００１〜０．１重量部が好ましい。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。

本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物には、成形品の官能好感度を向上させるために、ブルーイング剤（Ｆ）を含有させることができる。ブルーイング剤は加熱溶融成形加工時、変色傾向が大であるが、本発明の該組成物においては特定ホスホニウム塩の安定効果が大であるため、ブルーイング剤の変色が抑制される。
ブルーイング剤としては、有機ブルーイング剤が好ましく、とりわけアントラキノン化合物のブルーイング剤が好ましい。

かかるブルーイング剤の具体例としては；例えば
Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｖｉｏｌｅｔ １３ ［ＣＡ．ＮＯ（カラーインデックスＮｏ）６０７２５；商標名 バイエル社製「マクロレックスバイオレットＢ」、三菱化学（株）製「ダイアレジンブルーＧ」、住友化学工業製「スミプラストバイオレットＢ」、有本化学製「プラストバイオレット８８４０」］、Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｖｉｏｌｅｔ ３１［ＣＡ． Ｎｏ６８２１０；商標名 三菱化学（株）製「ダイアレジンバイオレットＤ」］、Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｖｉｏｌｅｔ ３３ ［ＣＡ． Ｎｏ６０７２５；商標名 三菱化学（株）「ダイアレジンブルーＪ」、Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｂｌｕｅ ９４ ［ＣＡ． Ｎｏ６１５００；商標名 三菱化学（株）製「ダイアレジンブルーＮ」］、Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｖｉｏｌｅｔ ３６ ［ＣＡ． Ｎｏ６８２１０；商標名 バイエル社製「マクロレックスバイオレット３Ｒ」］、Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｂｌｕｅ ９７ ［商標名 バイエル社「マクロレックスブルーＲＲ」］、Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｂｌｕｅ ４５ ［ＣＡ． Ｎｏ６１１１０；商標名 サンド社製「テトラゾールブルーＲＬＳ」］、およびチバスペシャリティー・ケミカルズ社のマクロレックスバイオレットやトリアゾールブルーＲＬＳなどが挙げられる。これらの内で、マクロレックスバイオレットやトリアゾールブルーＲＬＳが好ましい。

これら着色剤は単独で使用してもよいし、あるいは一緒に使用してもよい。これらブルーイング剤は樹脂成分１００重量部当り、好ましくは０．００１×１０^−４〜１００×１０^−４重量部、さらに好ましくは０．０１×１０^−４〜１０×１０^−４重量部、より好ましくは０．０５×１０^−４〜５×１０^−４重量部、特に好ましくは０．１×１０^−４〜３×１０^−４重量部の量で用いることができる。

本発明の芳香族ポリカーボネート組成物の好ましい態様は、
（ｉ）芳香族ポリカーボネート（Ａ）が粘度平均分子量が１０，０００〜１００，０００の範囲にあり、溶融粘度安定性が０．５％以下でありそして末端水酸基濃度が全末端基に対し５０モル％以下である請求項１に記載の芳香族ポリカーボネート組成物、および
（ｉｉ）ホスホニウム塩（Ｂ）がリン酸ホスホニウム塩および／または亜リン酸ホスホニウム塩でありそして芳香族ポリカーボネート（Ａ）１００重量部当りリン原子として０．０１×１０^−４〜３０×１０^−４重量部含有しそして多価アルコールと高級脂肪酸とのエステル（Ｅ）を芳香族ポリカーボネート１００重量部当り１×１０^−３〜３×１０^−１重量部でさらに含有し、そして場合により炭素ラジカル捕捉剤（Ｃ）をさらに含有するもの、および
（ｉｉｉ）ホスホニウム塩（Ｂ）がリン酸ホスホニウム塩および／または亜リン酸ホスホニウム塩でありそして芳香族ポリカーボネート（Ａ）１００重量部当りリン原子として０．０１×１０^−４〜３０×１０^−４重量部含有し、そして多価アルコールと高級脂肪酸とのエステル（Ｅ）とブルーイング剤（Ｆ）を芳香族ポリカーボネート１００重量部当りそれぞれ１×１０^−３〜３×１０^−１重量部および０．００１×１０^−４〜１００×１０^−４重量部でさらに含有し、そして場合により炭素ラジカル捕捉剤（Ｃ）をさらに含有するもの、である。

さらに、本発明の芳香族ポリカーボネート組成物には、本発明の目的を損わない範囲で、剛性などを改良するために、固体フィラー例えば無機フィラーや有機フィラーを配合することが可能である。かかるフィラーとしては、例えばタルク、マイカ、ガラスフレーク、ガラスビーズ、炭酸カルシウム、酸化チタンのごとき板状または粒状の無機フィラーやガラス繊維、ガラスミルドファイバー、ワラストナイト、カーボン繊維、アラミド繊維、金属系導電性繊維のごとき繊維状フィラーおよび架橋アクリル粒子、架橋シリコーン粒子のごとき有機粒子を挙げることができる。これら無機フィラーや有機フィラーの配合量は本発明の芳香族ポリカーボネート１００重量部に対して１〜１５０重量部が好ましく、３〜１００重量部がさらに好ましい。
また、上記のごとき無機フィラーはシランカップリング剤等で表面処理されていてもよい。この表面処理により、芳香族ポリカーボネートの分解が抑制されるなど良好な結果が得られる。

本発明の芳香族ポリカーボネート組成物には、芳香族ポリカーボネート（Ａ）と異なる他の熱可塑性樹脂を本発明の目的が損われない範囲で、配合することができる。
かかる他の樹脂としては、例えば、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂、非晶性ポリアリレート樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル／スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、アクリロニトリル／ブタジエン／スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、ポリメタクリレート樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。
これらの他の熱可塑性樹脂は、芳香族ポリカーボネート（Ａ）１００重量部当り例えば１０〜１５０重量部で含有される。

本発明の芳香族ポリカーボネート組成物は、粘度平均分子量が１０，０００〜１００，０００の範囲にある。好ましい粘度平均分子量は１０，０００〜５０，０００であり、さらに好ましくは１０，０００〜１８，０００である。
さらに、本発明の芳香族ポリカーボネート組成物は、溶融粘度安定性が０．５％以下であり、好ましくは０．２％以下であり、理想的には０％の場合である。溶融粘度安定性の劣ったポリカーボネート樹脂は、成形加工時の安定性不良に加えて、高湿条件化および成型品の長期使用時の機械的物性の安定性不良、とりわけ耐衝撃性の悪化や低下が著しく、実用性に耐えないものである。
次に、本発明の芳香族ポリカーボネート組成物の製造法について説明する。

本発明で用いられる芳香族ポリカーボネート樹脂は、前記式（２）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物から主としてなるジヒドロキシ化合物と、カーボネート結合形成性前駆体とを溶液法または溶融法で反応させて製造される。これらのうち、溶融法により本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂を製造するのが好ましい。

このような芳香族ジヒドロキシ化合物としては、具体的にはビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、４，４’−ジヒドロキシフェニル−１，１’−ｍ−ジイソプロピルベンゼンなどのビス（４−ヒドロキシアリール）アルカン類；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、２，２，２’，２’−テトラヒドロ−３，３，３’，３’，テトラメチル−１，１’−スピロビス−〔１Ｈ−インデン〕−６，６’−ジオール、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレンなどのビス（ヒドロキシアリール）シクロアルカン類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテルなどのジヒドロキシアリールエーテル類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルスルフィドなどのジヒドロキシジアリールスルフィド類；４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシドなどのジヒドロキシジアリールスルホキシド類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルスルホンなどのジヒドロキシジアリールスルホン類；４，４’−ジヒドロキシジフェニル−３，３’−イサチンなどのジヒドロキシジアリールイサチン類、３，６−ジヒドロキシ−９，９−ジメチルキサンテンなどのジヒドロキシジアリールキサンテン類；レゾルシン、５−フェニルレゾルシン、２−ｔ−ブチルヒドロキノン、２−フェニルヒドロキノンなどのジヒドロキシベンゼン類および４，４’−ジヒドロキシジフェニル等のジヒドロキシジフェニル類が挙げられる。
中でも２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下ＢＰＡということがある。）はモノマーとしての安定性、さらにはそれに含まれる不純物の量が少ないものの入手が容易であることより好ましいものとして挙げられる。

本発明においては、ガラス転移温度の制御、流動性の向上、屈折率のアップ、あるいは複屈折の低減等、光学的性質の制御等を目的として、各種モノマーを必要に応じて、芳香族ポリカーボネート中に１種あるいは２種以上を共重合させることも可能である。これらの具体例としては、例えば、１，４−ブタンジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、１，１０−デカンジオール、３，９−ビス（１，１−ジメチル−２−ヒドロキシエチル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ〔５，５〕ウンデカン、ジエチレングリコール、ポリテトラメチレングリコールのごとき脂肪族ジヒドロキシ化合物；テレフタル酸、イソフタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、アジピン酸、シクロヘキサンジカルボン酸のごときジカルボン酸あるいはｐ−ヒドロキシ安息香酸、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、乳酸のごときオキシ酸が挙げられる。

カーボネート結合形成性前駆体としては、溶液法では、例えばホスゲンのごときハロゲン化カルボニルおよびハロホーメート化合物が挙げられ、溶融法では、例えば芳香族炭酸ジエステル、具体的には、ジフェニルカーボネート、ジトリルカーボネート等が挙げられる。その他ジメチルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネート等も所望により使用できる。これらの内、ジフェニルカーボネート（以下ＤＰＣということがある。）が反応性、得られる樹脂の着色に対する安定性、さらにはコストの点よりも好ましい。
固相重合法では、上記の溶液法または溶融法で製造された分子量の小さなポリカーボネートオリゴマーを結晶化させ、高温、所望により減圧下、固体状態で重合を進めてポリカーボネート樹脂を得ることができる。このようにして得られたポリカーボネート樹脂も同様に好ましく使用することができる。
ポリカーボネートの製造時にカーボネート結合形成性前駆体とともに、エステル結合形成性前駆体を併用することにより製造された、エステル結合を含有するポリエステルカーボネートも本発明で対象とする芳香族ポリカーボネートとして使用できる。

かかるエステル結合形成性前駆体としては、ジカルボン酸あるいはジカルボン酸誘導体が挙げられる。これらの具体例としては、例えばテレフタル酸、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸クロリド、テレフタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジフェニルのごとき芳香族ジカルボン酸誘導体；
コハク酸、アジピン酸、ドデカンニ酸、アジピン酸クロリド、デカン二酸ジフェニル、ドデカンニ酸ジフェニルのごとき脂肪族ジカルボン酸誘導体類；
１，３−シクロブタンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シクロヘキサンジカルボン酸クロリド、シクロプロパンジカルボン酸ジフェニル、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジフェニルのごとき脂環式ジカルボン酸誘導体類を挙げることができる。

また、上記芳香族ポリカーボネートを製造時に芳香族ジヒドロキシ化合物とともに、所望の目的を達成するため、一分子中に３個以上の官能基を有する多官能性化合物を併用することもできる。このような多官能化合物としてはフェノール性水酸基、カルボキシル基を有する化合物が好ましく使用される。かかる多官能性化合物としては、例えば１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、α，α’，α”−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、４，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−ヘプタン−２、１，３，５−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、トリメリット酸、ピロメリット酸などが挙げられる。
これらのうち１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、α，α’，α”−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、トリメリット酸、などが好ましく使用できる。

芳香族ポリカーボネートを製造時、溶液法では、触媒として３級アミン、４級アンモニウム塩、４級ホスホニウム塩、含窒素複素環化合物およびその塩、イミノエーテルおよびその塩、アミド基を有する化合物などが使用される。溶液法では反応の際生じる塩酸などのハロゲン化水素の捕捉剤として多量のアルカリ金属化合物あるいはアルカリ土類金属化合物が使用される。そのため、製造後のポリマー中に、こうした不純物が残留しないように十分な洗浄や精製をすることが好ましい。
溶融法および固相重合法では触媒として、アルカリ金属化合物を含有する触媒系が好ましく使用される。その使用量は、アルカリ金属として、芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対し５×１０^−８から１×１０^−６化学当量にすることが有利である。上記範囲を逸脱すると、得られるポリカーボネートの諸物性に悪影響をおよぼしたりあるいはエステル交換反応が十分に進行せず、高分子量のポリカーボネートが得られ難くなる等の問題があり、好ましくない。
かかる触媒としては、従来エステル交換触媒としてアルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物としては例えば水酸化物、炭化水素化合物、炭酸塩、カルボン酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、亜硫酸塩、シアン酸塩、チオシアン酸塩、水素化硼素塩、リン酸水素化物、芳香族ヒドロキシ化合物塩等が挙げられる。

アルカリ金属化合物の具体例としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ルビジウム、炭酸水素セシウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウム、酢酸リチウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸ルビジウム、ステアリン酸リチウム、ステアリン酸ルビジウム、ステアリン酸セシウム、安息香酸リチウム、安息香酸ナトリウム、安息香酸ルビジウム、安息香酸セシウム、
硝酸セシウム、亜硝酸ルビジウム、亜硫酸カリウム、シアン酸リチウム、シアン酸ナトリウム、シアン酸ルビジウム、シアン酸セシウム、チオシアン酸リチウム、チオシアン酸カリウム、チオシアン酸ルビジウム、チオシアン酸セシウム、
水素化硼素リチウム、水素化硼素ナトリウム、水素化硼素カリウム、テトラフェニル化硼素カリウム、亜リン酸ジリチウム、次亜リン酸カリウム、リン酸水素ジリチウム、リン酸トリリチウム、
ビスフェノールＡのジリチウム塩、モノリチウム塩、リチウムナトリウム塩、リチウムフェノキシド、ナトリウムフェノキシド、ルビジウムフェノキシド、セシウムフェノキシド、リチウム２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノキシド、ナトリウム２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノキシド、ルビジウム２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノキシド、セシウム２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノキシドなどが挙げられる。

アルカリ土類金属化合物の具体例としては水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素バリウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、酢酸バリウム、ミリスチン酸マグネシウム、安息香酸ストロンチウム、シアン酸カルシウム、シアン酸バリウム、チオシアン酸カルシウム、チオシアン酸バリウム等が例示される。
また、共触媒として、塩基性含窒素化合物、およびまたは塩基性含リン化合物を併用するのが好ましい。
その使用量はジヒドロキシ化合物１モルに対し５×１０^−５〜１×１０^−３化学当量、好ましくは７×１０^−５〜７×１０^−４化学当量にすることが有利である。上記範囲を逸脱すると、得られるポリカーボネートの諸物性に悪影響をおよぼしたりあるいはエステル交換反応が十分に進行せず、高分子量のポリカーボネートが得られ難くなる等の問題があり、好ましくない。

塩基性含窒素化合物の具体例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｍｅ_４ＮＯＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（Ｂｕ_４ＮＯＨ）、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（φ−ＣＨ_２（Ｍｅ）_３ＮＯＨ）のごときアルキル、アリール、アルキルアリール基などを有する第４級アンモニウムヒドロキシド類；テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラエチルアンモニウムフェノキシド、テトラブチルアンモニウム炭酸塩、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムエトキシドのごときアルキル、アリール、アルキルアリール基などを有する塩基性アンモニウム塩；トリエチルアミンのごとき第三級アミン；あるいはテトラメチルアンモニウムボロハイドライド（Ｍｅ_４ＮＢＨ_４）、テトラブチルアンモニウムボロハイドライド（Ｂｕ_４ＮＢＨ_４）、テトラメチルアンモニウムテトラフェニルボレート（Ｍｅ_４ＮＢＰｈ_４）のごとき塩基性塩などを挙げることができる。

また塩基性含リン化合物の具体例としては、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド（Ｂｕ_４ＰＯＨ）、ベンジルトリメチルホスホニウムヒドロキシド（φ−ＣＨ_２（Ｍｅ）_３ＰＯＨ）、ヘキサデシルトリメチルホスホニウムヒドロキシドのごときアルキル、アリール、アルキルアリール基などを有する第４級ホスホニウムヒドロキシド類；あるいはテトラブチルホスホニウムボロハイドライド（Ｂｕ_４ＰＢＨ_４）、テトラブチルホスホニウムテトラフェニルボレート（Ｂｕ_４ＰＢＰｈ_４）のごとき塩基性塩などを挙げることができる。
上記重合法のうち、溶融重合法においては、化学反応論的に末端フェノール性末端基が５０モル％あるいはそれ以上のものが製造されやすいため、積極的に末端水酸基を減少させる必要がある。

すなわち末端水酸基濃度を上記範囲内にするには、以下記述する従来公知の１）あるいは２）の方法で達成しうる。
１）重合原料仕込みモル比制御法；重合反応仕込み時のＤＰＣ／ＢＰＡモル比を高めることにより、例えば重合反応装置の特徴を考え１．０３から１．１０の間に設定する。
２）末端封止法；重合反応終了時点において例えば、米国特許第５６９６２２２号明細書記載の方法に従い、上記文献中記載のサリチル酸エステル系化合物により末端水酸基を封止する。

サリチル酸エステル系化合物の使用量は封止反応前の末端水酸基、１化学当量当り、好ましくは０．８〜１０モル、より好ましくは０．８〜５モル、特に好ましくは０．９〜２モルの範囲である。かかる量比で添加することにより、末端水酸基の８０％以上を好適に封止することができる。また本封止反応を行うとき、上記米国特許記載の触媒を使用するのが好ましい。末端水酸基濃度の低減は、重合触媒を失活させる以前の段階において好ましく実施される。
サリチル酸エステル系化合物としては具体的には、２−メトキシカルボニルフェニル−フェニルカーボネート、２−メトキシカルボニルフェニル−クミルフェニルカーボネートのごとき２−メトキシカルボニルフェニルアリールカーボネート類；２−メトキシカルボニルフェニル−ラウリルカーボネートのごとき２−メトキシカルボニルフェニル−アルキルカーボネート類；２−エトキシカルボニルフェニル−フェニルカーボネート、２−エトキシカルボニルフェニル−ヘキシルフェニルカーボネートのごとき２−エトキシカルボニルフェニル−アリールカーボネート類；２−エトキシカルボニルフェニル−オクチルカーボネートのごとき２−エトキシカルボニルフェニル−アルキルカーボネート類；（２−メトキシカルボニルフェニル）ベンゾエート、（２−メトキシカルボニルフェニル）−４−ブトキシベンゾエート、４−（ｏ−エトキシカルボニルフェニル）オキシカルボニル安息香酸（２’−メトキシカルボニルフェニル）エステルのごとき芳香族カルボン酸の（２’−メトキシカルボニルフェニル）エステル；（２−エトキシカルボニルフェニル）ベンゾエートのごとき芳香族カルボン酸の（２’−エトキシカルボニルフェニル）エステル；（２−メトキシカルボニルフェニル）ステアレート、ビス（２−メトキシカルボニルフェニル）アジペートのごとき脂肪族カルボン酸エステルが挙げられる。
次に、本発明の第１製造法および第２製造法について説明する。第１製造法および第２製造法は、上記製造法の記載に包含される好ましい態様と理解することができる。

本発明の第１製造法は、（１）前記式（２）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物から主としてなるジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとをエステル交換触媒の存在下に溶融重縮合せしめ、次いで（２）得られた芳香族ポリカーボネートに溶融状態において、（ａ）上記特定ホスホニウム塩または（ｂ）上記ホスホニウム塩と、スルホン酸ホスホニウム塩、スルホン酸アンモニウム塩、スルホン酸低級アルキルエステルおよびスルホン酸よりなる群から選ばれる少なくとも１種のスルホン酸類との組合せ、を添加することによって実施される。
工程（１）のエステル交換触媒としては、ジヒドロキシ化合物１モルに対し、（ｉ）塩基性含窒素化合物および塩基性含リン化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種の塩基性化合物５×１０^−５〜１×１０^１化学当量および（ｉｉ）アルカリ金属化合物５×１０^−８〜１×１０^−６化学当量が用いられる。
塩基性含窒素化合物および塩基性含リン化合物の具体例は前記したとおりであり、本願発明の目的をより一層好ましく達成するためには、エステル交換触媒成分であるアルカリ金属化合物として、ルビジウムおよびセシウムより選択される金属化合物（以下ルビジウム金属化合物等と略称することがある）を含有する触媒を使用するのが好ましい。

本発明におけるこれらの重合触媒の使用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物１モル当りアルカリ金属およびアルカリ土類金属化合物の総量として０．０１〜５μ化学当量、好ましくは０．０２〜３μ化学当量であり、さらに好ましくは０．０２〜２．５μ化学当量の範囲である。ルビジウム金属化合物等はルビジウム金属化合物等のみを使用することも可能であるが、その他のアルカリ金属化合物およびアルカリ土類金属化合物との併用も好ましい方法である。この場合のルビジウム金属化合物等使用量は、アルカリ金属およびアルカリ土類金属化合物の総量に対し化学当量比で０．３以上、好ましくは０．４以上、さらに好ましくは０．５以上、特に好ましくは０．７以上の量比が選択される。

工程（２）において特定ホスホニウム塩と共に用いられるスルホン酸類は、スルホン酸ホスホニウム塩、スルホン酸アンモニウム塩、スルホン酸低級アルキルエステルおよびスルホン酸である。これらは１種または２種以上一緒に用いることができる。これらのスルホン酸類とは、特定ホスホニウム塩と一緒に用いられる溶融粘度安定剤として前述したものと同じものである。
工程（２）において、特定ホスホニウム塩はスルホン酸類を用いるときにはスルホン酸類を添加したのちに添加される。

本発明の第１製造法において、上記工程（１）と工程（２）を芳香族ポリカーボネートを製造するための溶融重合装置内で実施することができ、また上記工程（１）を溶融重縮合装置内で実施しそして上記工程（２）を溶融押出機内で実施することもできる。後者の方法が工業的には望ましい。また、その際工程（２）の特定ホスホニウム塩（ａ）または特定ホスホニウム塩とスルホン酸類との組合せ（ｂ）の添加を、特定ホスホニウム塩（ａ）または特定ホスホニウム塩とスルホン酸類との組合せ（ｂ）を含む芳香族ポリカーボネートのマスターバッチとして添加することができ、さらに特定ホスホニウム塩とスルホン酸類との組合せ（ｂ）の添加においては、ホスホニウム塩のみを芳香族ポリカーボネートのマスターバッチとして添加することもできる。
次に、本発明の第２製造法について説明する。

本発明の第２製造法は、（１）前記式（１）で表される繰返し単位から主としてなる芳香族ポリカーボネートのペレットを準備し、そして（２）上記ペレットを溶融しそして溶融状態で特定ホスホニウム塩を添加し、混合することによって実施される。
工程（１）で準備される芳香族ポリカーボネートのペレットは前記したごとき方法で製造され、それ自体公知の方法でペレット化されたものである。
この芳香族ポリカーボネートは、スルホン酸ホスホニウム塩、スルホン酸アンモニウム塩、スルホン酸低級アルキルエステルおよびスルホン酸よりなる群から選ばれる少なくとも１種のスルホン酸類を含有するのが好ましい。これらの化合物の具体例や配合量は前記した。
第２製造法において、工程（２）は溶融押出機内で実施するのが好ましい。

本発明の芳香族ポリカーボネート組成物は、射出成形法などの成形法により、耐久性、安定性が良好な成形品とすることができる。
本発明の芳香族ポリカーボネート組成物は、耐久性、特に厳しい温湿条件下での長時間の耐久性を保持する効果および帯電防止性に優れているので、種々の成形品例えば光情報記録媒体の基板や各種用途のシートとすることができる。例えば、該組成物から得られたコンパクトディスク（ＣＤ）、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ等、マグネット・オプティカルディスク（ＭＯ）等、デジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｖｉｄｅｏ、ＤＶＤ−Ａｕｄｉｏ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等）で代表される高密度光ディスク用の基板は長期に渡って高い信頼性が得られる。特にデジタルバーサタイルディスクの高密度光ディスクに有用である。

本発明の芳香族ポリカーボネート組成物からのシートは、難燃性、帯電防止性、に加え接着性や印刷性の優れたシートであり、その特性を生かして電気部品、建材部品、自動車部品等に広く利用され、具体的には各種窓材すなわち一般家屋、体育館、野球ドーム、車両（建設機械、自動車、バス、新幹線、電車車両等）等の窓材のグレージング製品、また各種側壁板（スカイドーム、トップライト、アーケード、マンションの腰板、道路側壁板）、車両等の窓材、ＯＡ機器のディスプレイやタッチパネル、メンブレンスイッチ、写真カバー、水槽用ポリカーボネート樹脂積層板、プロジェクションテレビやプラズマディスプレイの前面板やフレンネルレンズ、光カード、光ディスクや偏光板との組合せによる液晶セル、位相差補正板等の光学用途等に有用である。かかる芳香族ポリカーボネート組成物シートの厚みは特に制限する必要はないが、通常０．１〜１０ｍｍ、好ましくは０．２〜８ｍｍ、０．２〜３ｍｍが特に好ましい。また、かかる芳香族ポリカーボネート組成物シートに、新たな機能を付加する各種加工処理（耐候性を改良するための各種ラミネート処理、表面硬度改良のための耐擦傷性改良処理、表面のしぼ加工、半および不透明化加工等）を施してもよい。

本発明の芳香族ポリカーボネート組成物に添加剤を配合するには、任意の方法が採用される。例えばタンブラー、Ｖ型ブレンダー、スーパーミキサー、ナウターミキサー、バンバリーミキサー、混練ロール、押出機等で混合する方法が適宜用いられる。こうして得られる芳香族ポリカーボネート組成物は、そのまま又は溶融押出機で一旦ペレット状にしてから、溶融押出法でシート化する。
本発明の芳香族ポリカーボネート組成物は、前記の各成分を任意の方法、例えばタンブラー、ブレンダー、ナウターミキサー、バンバリーミキサー、混練ロール、押出機等により混合して製造することができる。
以下実施例により本発明をさらに詳述する。

【実施例】
１）ポリカーボネートの固有粘度［η］；
塩化メチレン中、２０℃で、ウベローデ粘度管にて測定した。
また固有粘度より粘度平均分子量は次式により計算した。
［η］＝１．２３×１０^−４Ｍｗ^０．８３
２）末端基濃度；
サンプル０．０２ｇを０．４ｍｌの重水素化クロロフォルムに溶解し、２０℃で^１Ｈ−ＮＭＲ（日本電子社製ＥＸ−２７０）を用いて、末端水酸基および末端水酸基濃度を測定した。
３）溶融粘度安定性；
レオメトリックス社のＲＡＡ型流動解析装置を用い、窒素気流下、剪断速度１ｒａｄ．／ｓｅｃ．３００℃で測定した溶融粘度の変化の絶対値を３０分間測定し、１分当りの変化率を求めた。
ポリカーボネート樹脂組成物の短期、長期安定性が良好であるためには、この値が０．５％を超えてはならない。
特に、この値が０．５％を超えた場合、樹脂組成物の加水分解安定性が不良となる。そこでこの値が０．５％を超えた場合は加水分解安定性の評価をＮＧと、０．５％以下の場合は加水分解性の評価をＯＫとした。
４）組成物水分含有率；
試料約１００ｇを精秤、次いで真空乾燥機中１２０℃で、３Ｐａ以下で１０ｈｒ乾燥し、秤量、その重量減より含水率を求めた。
５）成形加工時の熱安定性；滞留安定性と黒色異物の生成
組成物製造直後および３ヶ月室温保管後に実施した。

ｉ）滞留安定性
射出成形機により、シリンダー温度３８０℃、金型温度８０℃で成形した色見本板の色相（カラー：Ｌ，ａ，ｂ）とシリンダー中３８０℃×１０分間滞留させた後成形して得た色見本板の色相（カラー：Ｌ’，ａ’，ｂ’）を色差計（日本電色（株）製Ｚ−１００１ＤＰ色差計）で測定し、下記式で表される△Ｅにより滞留安定性を評価した。
ΔＥ＝〔（Ｌ−Ｌ’）^２＋（ａ−ａ’）^２＋（ｂ−ｂ’）^２〕^１／２
ΔＥ値は分子量低下の大きさとも関係する一方、成形品の官能テストを大きく左右する。
ΔＥ値の値から以下のように判定した。
ΔＥ＞３．０；不良、成形品の色相を大幅に悪化、黄色味の強い成形品が得られる可能性大。
２．５≦ΔＥ≦３．０；合格○
２．０≦ΔＥ＜２．５；良好合格○
２．０＜ΔＥ；優秀合格◎
なおこの数は小さいほど良好であり、２．０より１．９がさらに好ましいことは当然である。

ｉｉ）黒色異物
１００ｍｍ×１００ｍｍ×２ｍｍの平板を、射出成形機よりシリンダー温度３８０℃、金型温度８０℃の条件で成形後、シリンダー中３８０℃×１０分間滞留させた後成形して得た平板中５枚中の黒色異物の合計個数を目視、計測評価した。黒色異物数は成形品の品質そのものを直接左右する重要判定項目である。表中、多（１０個以上、不良）、中（６〜９個、良好）、少（０〜５個、優秀）。

比較例１（ＰＣ−１の製造）
芳香族ポリカーボネートの製造は以下のように行った。
攪拌装置、精留塔および減圧装置を備えた反応槽に、原料として精製ＢＰＡを１３７重量部、および精製ＤＰＣを１３３重量部、重合触媒としてビスフェノールＡ２ナトリウム塩（以後ＢＰＡ２Ｎａ塩と略称することがある）４．１×１０^−５重量部、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（以後ＴＭＡＨと略称することがある）５．５×１０^−３重量部を仕込んで窒素雰囲気下１８０℃で溶融した。
攪拌下、反応槽内を１３．３３ｋＰａ（１００ｍｍＨｇ）に減圧し、生成するフェノールを溜去しながら２０分間反応させた。次に２００℃に昇温した後、徐々に減圧し、フェノールを溜去しながら４．０００ｋＰａ（３０ｍｍＨｇ）で２０分間反応させた。さらに徐々に昇温、２２０℃で２０分間、２４０℃で２０分間、２６０℃で２０分間反応させ、その後、２６０℃で徐々に減圧し２．６６６ｋＰａ（２０ｍｍＨｇ）で１０分間、１．３３３ｋＰａ（１０ｍｍＨｇ）で５分間反応を続行し、最終的に２６０℃／６６．７Ｐａ（０．５ｍｍＨｇ）で粘度平均分子量が１５，３００になるまで反応せしめた。重合後ポリカーボネートをペレット化し、最終的に、粘度平均分子量が１５，３００、末端水酸基濃度１３０（ｅｑ／ｔｏｎ−ポリカーボネート）（以後ｅｑ／ｔｏｎと略称する）、フェノキシ末端基濃度１０９（ｅｑ／ｔｏｎ）、溶融粘度安定性１．１％のポリカーボネートを得た。表２に得られたポリカーボネートの諸物性値を示した。

比較例２（ＰＣ−２の製造）
比較例１において粘度平均分子量が１５，３００になった時点で、末端封止剤として２−メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネート（以後表を含めＳＡＭと略称）４．０重量部を添加し、２６０℃、１３３．３Ｐａ（１ｍｍＨｇ）で１０分間攪拌し、その後スルホン酸類としてドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩（以後表中を含めＤＢＳＰと略称する）３．６×１０^−４重量部を添加、２６０℃、６６．７Ｐａ（０．５ｍｍＨｇ）で１０分間攪拌した。得られたポリカーボネートの粘度平均分子量は１５，３００、末端水酸基濃度４６（ｅｑ／ｔｏｎ）、フェノキシ末端基濃度１９３（ｅｑ／ｔｏｎ）、溶融粘度安定性０％であった。得られたポリカーボネートの諸物性値を表２に示した。

実施例１〜１２（ＰＣ−３〜１４の製造）
比較例２と同様にして重合反応を継続し、粘度平均分子量１５，３００になるまで重合反応を継続した。
ただし、ＰＣ−３、４、５はＰＣ−２と同じ触媒系でＢＰＡ２Ｎａ塩４．１×１０^−５重量部、ＴＭＡＨ５．５×１０^−３重量部を使用し、ＤＢＳＰに替え表１中記載の（Ｂ）特定ホスホニウム塩を使用した。
ＰＣ−６、７、８においてはＰＣ−２と同様にして重合を行い、スルホン酸類としてＤＢＳＰを添加後、さらに表１中記載の（Ｂ）特定ホスホニウム塩を使用した。
ＰＣ−９、１０はＰＣ−２と同様にしてただしＢＰＡ２Ｎａ塩、４．１×１０^−５重量部に替え、ナトリウムフェノキシド（以後ＰｈＯＮａ塩と略称することがある）３．４８×１０^−５重量部、ＴＭＡＨ５．５×１０^−３重量部に替え、テトラブチルフォスホニウムヒドロキシド（以後ＴＢＰＨと略称することがある）を１．６６×１０^−２重量部を使用し重合を行った後スルホン酸類は使用せず、表１中記載の（Ｂ）特定ホスホニウム塩を使用した。

ＰＣ−１１、１２はＰＣ−２と同様にしてただし触媒として、ＢＰＡ２Ｎａ塩、４．１×１０^−５重量部、に替え、水酸化ナトリウム（以後ＮａＯＨと略称することがある）１．２×１０^−５重量部を使用し重合を行った。粘度平均分子量１５，３００になった時点で、２−メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネートを４．０重量部添加し、２６０℃、１３３．３Ｐａ（１ｍｍＨｇ）で１０分間攪拌し、その後スルホン酸類は使用せず、表中記載の（Ｂ）特定ホスホニウム塩をエステル交換触媒のＮａに対し２倍当量添加し２６０℃、６６．７Ｐａ（０．５ｍｍＨｇ）で１０分間攪拌した。得られたポリカーボネートＰＣ−１１の粘度平均分子量は１５，３００、末端水酸基濃度４９（ｅｑ／ｔｏｎ）、フェノキシ末端基濃度１９０（ｅｑ／ｔｏｎ）、溶融粘度安定性０％、ポリカーボネートＰＣ−１２の粘度平均分子量は１５，３００、末端水酸基濃度４７（ｅｑ／ｔｏｎ）、フェノキシ末端基濃度１９２（ｅｑ／ｔｏｎ）、溶融粘度安定性０％であった。

ＰＣ−１３、１４においてはＰＣ−２に使用したＢＰＡ２Ｎａ塩、４．１×１０^−５重量部、に替え、各々水酸化ルビジウム、水酸化セシウム（以後ＲｂＯＨ、ＣｓＯＨと略称することがある）１．８５×１０^−５重量部、２．７×１０^−５重量部を使用し重合を行った。粘度平均分子量１５，３００になった時点で、２−メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネートを４．０重量部添加、２６０℃、１３３．３Ｐａ（１ｍｍＨｇ）で１０分間攪拌し、その後表中記載のスルホン酸類および、（Ｂ）特定ホスホニウム塩をエステル交換触媒のＲｂ，Ｃｓに対し３．３倍当量添加し２６０℃、６６．７Ｐａ（０．５ｍｍＨｇ）で１０分間攪拌した。得られたポリカーボネートＰＣ−１３の粘度平均分子量は１５，３００、末端水酸基濃度４９（ｅｑ／ｔｏｎ）、フェノキシ末端基濃度１９０（ｅｑ／ｔｏｎ）、溶融粘度安定性０％、ＰＣ−１４の粘度平均分子量は１５，３００、末端水酸基濃度４７（ｅｑ／ｔｏｎ）、フェノキシ末端基濃度１９２（ｅｑ／ｔｏｎ）、溶融粘度安定性０％であった。

【表１】

実施例１３〜１５（ＰＣ−１５〜１７の製造）；界面重合の例
ホスゲン吹き込み管、温度計および攪拌機を設けた、容量５Ｌの反応槽に、精製ビスフェノールＡ５０２．８ｇ（２．２１モル）、７．２％水酸化ナトリウム水溶液２．２１Ｌ（水酸化ナトリウム４．１９モル）、およびハイドロサルファイトナトリウム０．９８ｇ（０．００５６モル）を仕込んで溶解し、攪拌下塩化メチレン１．２７Ｌおよび４８．５％水酸化ナトリウム水溶液８０．７０ｇ（水酸化ナトリウム０．９８モル）を加えた後、ホスゲン２５０．８０ｇ（０．２５３モル）を２５℃で１８０分かけて加えホスゲン化反応を行った。
ホスゲン化終了後ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１７．５１ｇ（０．１１７モル）、および４８．５％水酸化ナトリウム水溶液８０．４０ｇ（水酸化ナトリウム０．９７モル）および触媒としてトリエチルアミン１．８１ｍＬ（０．０１３モル）を加え、３３℃に保持し２時間攪拌して反応を終了させた。反応混合液より塩化メチレン層を分離し、水洗を５回繰り返し精製して、粘度平均分子量１５，３００、末端水酸基濃度１５（ｅｑ／ｔｏｎ）、末端フェノキシ基濃度２２４（ｅｑ／ｔｏｎ−ポリカーボネート）、溶融粘度安定性０．１％のポリカーボネート樹脂を得た（ＰＣ−１５）。なお実施例１４、１５においては水洗後、各々（Ｂ）ホスホニウム塩、Ｂ−１を８×１０^−４ｇ（ポリカーボネート中濃度１．４５ｐｐｍ）、Ｂ−２を１３．２×１０^−４ｇ（ポリカーボネート中濃度２．４３ｐｐｍ）添加した。その結果ＰＣ−１６は粘度平均分子量１５，３００、末端水酸基濃度１６（ｅｑ／ｔｏｎ）、末端フェノキシ基濃度２２３（ｅｑ／ｔｏｎ）、溶融粘度安定性０％のポリカーボネート樹脂を得た。またＰＣ−１７は、粘度平均分子量１５，３００、末端水酸基濃度１４（ｅｑ／ｔｏｎ）、末端フェノキシ基濃度２２５（ｅｑ／ｔｏｎ）、溶融粘度安定性０％のポリカーボネート樹脂を得た。

実施例１６〜１９（ＰＣ−１８〜２１の製造）
比較例１と同様にして重合を行った、粘度平均分子量が２２，５００になるまで重合を行った。この時末端水酸基濃度７３、末端フェノキシ基濃度７７（ｅｑ／ｔｏｎ−ポリカーボネート）、溶融粘度安定性１．０％であった（ＰＣ−１８）。
次いで得られたポリカーボネートを比較例２同様に処理し、ＳＡＭ；１．９５重量部、スルホン酸類としてＤＢＳＰ；３．６×１０^−４重量部を添加した。最終的に得られたポリカーボネートの粘度平均分子量はいずれも２２，５００、末端水酸基濃度３７（ｅｑ／ｔｏｎ）、末端フェノキシ基濃度１１３（ｅｑ／ｔｏｎ−ポリカーボネート）、溶融粘度安定性０％であった（ＰＣ−１９）。
またＰＣ−２０、２１においては、スルホン酸類は使用せず、（Ｂ）特定ホスホニウム塩各々Ｂ−１、Ｂ−２を２．２×１０^−４重量部、３．７×１０^−４重量部使用した。最終的に得られたポリカーボネートＰＣ−２０の粘度平均分子量はいずれも、２２，５００、末端ＯＨ基濃度３８（ｅｑ／ｔｏｎ）、末端フェノキシ基濃度１１２（ｅｑ／ｔｏｎ）、溶融粘度安定性０％であった（ＰＣ−２０）。また、ポリカーボネートＰＣ−２１の粘度平均分子量は、２２，５００、末端ＯＨ基濃度３６（ｅｑ／ｔｏｎ）、末端フェノキシ基濃度１１４（ｅｑ／ｔｏｎ）、溶融粘度安定性０％であった（ＰＣ−２１）。

実施例２０〜５２および比較例３〜１１（ポリカーボネート組成物ペレットの作成）
上記比較例および実施例の芳香族ポリカーボネートペレットに、表２〜１１中記載の種類、および量の（Ｂ）特定ホスホニウム塩、（Ｅ）多価アルコールと高級脂肪酸とのエステル、（Ｆ）有機ブルーイング剤、（Ｇ）亜リン酸エステル、および（Ｈ）フェノール系抗酸化物を添加混練した。
次に、かかる組成物をベント式二軸押出機［神戸製鋼（株）製ＫＴＸ−４６］によりシリンダー温度２４０℃で脱気しながら溶融混練、押出しペレット化した。該組成物を使用した安定性の評価を表２〜１１中に記す。ただし実施例４１〜４４では、特定ホスホニウム塩と芳香族ポリカーボネート、ＤＢＳＰと芳香族ポリカーボネートをそれぞれ独立に溶融混練したマスターバッチをあらかじめ作成しておき、実施例４１、４２では特定ホスホニウム塩とＤＢＳＰの両方を、実施例４３、４４では特定ホスホニウム塩をこのマスターバッチを使用して芳香族ポリカーボネートに添加混練を行い、上記ベント式二軸押出機を用いて溶融混練、押出しペレット化した。

【表２】

【表３】

【表４】

【表５】

【表６】

【表７】

【表８】

【表９】

【表１０】

【表１１】

なお、表２〜１１中の略号の意味は次のとおりである。
Ｂ） 特定リン酸ホスホニウム塩等： Ｂ−１ リン酸トリス（テトラメチルホスホニウム）、
Ｂ−２ リン酸１水素ビス（テトラブチルホスホニウム）、
Ｂ−３ リン酸２水素テトラメチルホスホニウム、
Ｂ−４ フェニルホスホン酸ビス（テトラメチルホスホニウム）、
Ｂ−５ フェニルホスホン酸水素（テトラメチルホスホニウム）、
Ｂ−６ 亜リン酸トリス（テトラメチルホスホニウム）、
Ｂ−７ 亜リン酸１水素ビス（テトラブチルホスホニウム）、
Ｂ−８ 亜リン酸２水素（テトラブチルホスホニウム）、
Ｂ−９ 硼酸トリス（テトラメチルホスホニウム）、
Ｂ−１０ 硼酸１水素ビス（テトラブチルホスホニウム）、
Ｂ−１１ 硼酸２水素（テトラブチルホスホニウム）、
Ｂ−１２ リン酸１水素ビス（テトラメチルホスホニウム）、
Ｂ−１３ ピロリン酸２水素（テトラメチルホスホニウム）、
Ｂ−１４ ピロリン酸３水素（テトラブチルホスホニウム）、
Ｂ−１５ ピロ亜リン酸１水素テトラブチルホスホニウム

Ｃ） ラジカル捕捉剤： Ｃ−１ ２−ｔ−ブチル−６−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、
Ｃ−２ ２−［１−（２−ヒドロキシー３，５−ジ−ｔ−ペンチルフェニル）エチル］−４，６−ジ−ｔ−ペンチルフェニルアクリレート、
Ｃ−３ ５，７−ジ−ｔ−ブチル−３−（３，５−ジメチルフェニル）−３Ｈ−ベンボフラン−２−オン、
Ｃ−４ ５，７−ジ−ｔ−ペンチルー３−（３，４−ジメチルフェニル）−３−Ｈ−ベンゾフランン−２−オン

Ｄ） リン酸： Ｄ−１ リン酸、
Ｄ−２ リン酸ジブチル、
Ｄ−３ リン酸モノブチル、
Ｄ−４ 亜リン酸、
Ｄ−５ 亜リン酸モノオクチル、
Ｄ−６ ピロリン酸

Ｅ） 多価アルコールのエステル： Ｅ−１ エチレングリコールモノステアレート、
Ｅ−２ プロピレングリコールモノオレート、
Ｅ−３ グリセロールモノオレート、
Ｅ−４ グリセロールモノステアレート、
Ｅ−５ グリセロールジステアレート、
Ｅ−６ プロピレングリコールモノバチルエーテル、
Ｅ−７ グリセロールモノバチルエーテル、
Ｅ−８ トリメチロールプロパンジステアレート、
Ｅ−９ トリメチロールプロパンテトラステアレート、
Ｅ−１０ グリセロールトリステアレート、
Ｅ−１１ ソルビタンモノラウレート、
Ｅ−１２ Ｄ−１１ペンタエリスリトールテトラステアレート

Ｇ） 亜リン酸エステル系化合物： Ｇ−１ トリスノニルフェニルホスファイト、
Ｇ−２ ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリチルジホスファイト、
Ｇ−３ テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ジフェニル−４，４’−ジフォスフォナイト、
Ｇ−４ トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）フォスファイト、

Ｈ） フェノール系抗酸化剤： Ｈ−１ ｎ−オクタデシル−３−（４’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェニル）プロピオネート

Ｆ） 青み着色剤： Ｖ−１ 有本化学製 （プラストバイオレット８８４０）

実施例５３（シート評価例）
上記ＰＣ−２０のポリマーに、Ｇ−４を１００ｐｐｍ、Ｖ−１を０．８ｐｐｍ含有する組成物を調製し、この組成物を溶融した後、ギアポンプで定量供給し成形機のＴダイに送った。鏡面冷却ロールと鏡面ロールで挟持または片面タッチで厚さ２ｍｍまたは０．２ｍｍ、幅８００ｍｍのシートに溶融押出した。
得られた芳香族ポリカーボネートシート（２ｍｍ厚み）の片面に可視光硬化型プラスチック接着剤［（株）アーデル ＢＥＮＥＦＩＸ ＰＣ］を塗布し、同じシートを気泡が入らないように一方に押し出すようにしながら積層後、可視光線専用メタルハライドタイプを備えた光硬化装置により５，０００ｍＪ／ｃｍ^２の光を照射して得られた積層板の接着強度をＪＩＳ Ｋ−６８５２（接着剤の圧縮剪断接着強さ試験方法）に準拠して測定した結果、接着強度が１０．４ＭＰａ（１０６Ｋｇｆ／ｃｍ^２）で良好であった。

一方、厚み０．２ｍｍの芳香族ポリカーボネートシートに、インキ［ナツダ ７０−９１３２：色 １３６Ｄスモーク］および溶剤［イソホロン／シクロヘキサン／イソブタノール＝４０／４０／２０（ｗｔ％）］を混合させて均一にし、シルクスクリーン印刷機で印刷を行い、１００℃で６０分間乾燥させた。印刷されたインキ面には転移不良もなく、良好な印刷であった。
別に、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンとホスゲンとを通常の界面重縮合反応させて得られたポリカーボネート樹脂（比粘度０．８９５、Ｔｇ１７５℃）３０部、染料としてＰｌａｓｔ Ｒｅｄ ８３７０（有本化学工業製）１５部、溶剤としてジオキサン１３０部を混合した印刷用インキで印刷されたシート（厚み０．２ｍｍ）を射出成形金型内に装着し、ポリカーボネート樹脂ペレット（パンライトＬ−１２２５ 帝人化成製）を用いて３１０℃の成形温度でインサート成形を行った。インサート成形後の成形品の印刷部パターンに滲みやぼやけ等の異常もなく、良好な印刷部外観を有したインサート成形品が得られた。

実施例５４〜６０（ポリマーブレンドコンパウンドの評価）
上記ＰＣ−２０のポリマーにＧ−４を１００ｐｐｍ、Ｖ−１を０．８ｐｐｍおよびトリメチルホスフェート０．０５重量％を含有する組成物を調製し、この組成物と表３、４記載の各成分をタンブラーを使用して均一に混合した後、３０ｍｍφベント付き二軸押出機（神戸製鋼（株）製ＫＴＸ−３０）により、シリンダー温度２６０℃、１．３３ｋＰａ（１０ｍｍＨｇ）の真空度で脱気しながらペレット化し、得られたペレットを１２０℃で５時間乾燥後、射出成形機（住友重機械工業（株）製ＳＧ１５０Ｕ型）を使用して、シリンダー温度２７０℃、金型温度８０℃の条件で測定用の成形片を作成し、下記の評価を実施した。結果を表１２および表１３に示す。表１２および表１３中の記号は下記意味を有する。

（１）−１ ＡＢＳ：スチレン−ブタジエン−アクリロニトリル共重合体；サンタックＵＴ−６１；三井化学（株）製
（１）−２ ＡＳ：スチレン−アクリロニトリル共重合体；スタイラック−ＡＳ ７６７ Ｒ２７；旭化成工業（株）製
（１）−３ ＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート；ＴＲ−８５８０；帝人（株）製、固有粘度０．８
（１）−４ ＰＢＴ：ポリブチレンテレフタレート；ＴＲＢ−Ｈ；帝人（株）製、固有粘度１．０７
（２）−１ ＭＢＳ：メチル（メタ）アクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体；カネエースＢ−５６；鐘淵化学工業（株）製
（２）−２ Ｚ−１：ブタジエン−アルキルアクリレート−アルキルメタアクリレート共重合体；パラロイドＥＸＬ−２６０２；呉羽化学工業（株）製
（２）−３ Ｚ−２：ポリオルガノシロキサン成分およびポリアルキル（メタ）アクリレートゴム成分が相互侵入網目構造を有している複合ゴム；メタブレンＳ−２００１；三菱レイヨン（株）製
（３）−１ Ｔ：タルク；ＨＳ−Ｔ０．８；林化成（株）製、レーザー回折法により測定された平均粒子径Ｌ＝５μｍ、Ｌ／Ｄ＝８
（３）−２ Ｇ：ガラス繊維；チョップドストランドＥＣＳ−０３Ｔ−５１１；日本電気硝子（株）製、ウレタン集束処理、繊維径１３μｍ
（３）−３ Ｗ：ワラストナイト；サイカテックＮＮ−４；巴工業（株）製、電子顕微鏡観察により求められた数平均の平均繊維径Ｄ＝１．５μｍ、平均繊維長１７μｍ、アスペクト比Ｌ／Ｄ＝２０
（４） ＷＡＸ：α−オレフィンと無水マレイン酸との共重合によるオレフィン系ワックス；ダイヤカルナ−Ｐ３０；三菱化成（株）製（無水マレイン酸含有量＝１０ｗｔ％）
物性評価項目

（Ａ）曲げ弾性率
ＡＳＴＭ Ｄ７９０により、曲げ弾性率を測定した。
（Ｂ）ノッチ付衝撃値
ＡＳＴＭ Ｄ２５６により厚み３．２ｍｍの試験片を用いノッチ側からおもりを衝撃させ衝撃値を測定した。
（Ｃ）流動性
シリンダー温度２５０℃、金型温度８０℃、射出圧力９８．１ＭＰａでアルキメデス型スパイラルフロー（厚さ２ｍｍ、幅８ｍｍ）により流動性を測定した。
（Ｄ）耐薬品性
ＡＳＴＭ Ｄ６３８にて使用する引張り試験片に１％歪みを付加し、３０℃のエッソレギュラーガソリンに３分間浸漬した後、引張り強度を測定し保持率を算出した。保持率は下記式により計算した。
保持率（％）＝（処理サンプルの強度／未処理サンプルの強度）×１００

【表１２】

【表１３】

実施例６１
実施例３１で得られたポリカーボネート組成物を光ディスク基板に成型を行った。日精樹脂工業（株）製射出成形機（型名：ＭＯ４０Ｄ３Ｈ）を使用し、金型とスタンパーには記憶容量２．６ＧＢの相変化型光記録媒体基板用（ディスク径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）のものを用いた。金型温度は可動部が１２３℃、固定部が１２８℃とした。またカッター、スプルーの温度は６０℃とした。樹脂温度はシリンダー温度３８０℃とした。射出速度２５０ｍｍ／ｓｅｃで実施例１で得られたポリカーボネート組成物を金型キャビティーに充填し光ディスク基板を連続１００ショット成型した。連続成型中のすべてのディスク基板は型離れがよく離型不良は起こらなかった。また、得られた基板はいずれも透明で情報記録用グルーブ・ビットの転写性がよく、そり等の変形も無く光ディスク基板として好ましいものであった。

Claims (30)

1. （Ａ）下記式（１）
   

   

   ここで、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は互いに独立に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基または炭素数７〜１０のアラルキル基でありそしてＷは炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数２〜１０のアルキリデン基、炭素数６〜１０のシクロアルキレン基、炭素数６〜１０のシクロアルキリデン基、炭素数８〜１５のアルキレン−アリーレン−アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基またはスルホン基である、
   で表される繰返し単位から主としてなる芳香族ポリカーボネートおよび
   （Ｂ）リン酸ホスホニウム塩、ホスホン酸ホスホニウム塩、亜リン酸ホスホニウム塩、亜ホスホン酸ホスホニウム塩および硼酸ホスホニウム塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種のホスホニウム塩を含有してなり、ここで、上記リン酸ホスホニウム塩およびホスホン酸ホスホニウム塩は下記式（３）−１で表される化合物であり、上記亜リン酸ホスホニウム塩および亜ホスホン酸ホスホニウム塩は下記式（３）−２で表される化合物であり、上記硼酸ホスホニウム塩は下記式（３）−３で表される化合物である。
   

   

   上記式（３）−１、（３）−２および（３）−３中、Ｒ^５〜Ｒ^８は、互いに独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、Ｘ、Ｙは互いに独立に、ヒドロキシ基、下記式（４）で表される第４級ホスホニウム塩、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数４〜２０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基を表す、
   

   

   上記式（４）中、Ｒ^９〜Ｒ^１２は上記Ｒ^５〜Ｒ^８の定義に同じである、
   そして
   粘度平均分子量が１０，０００〜１００，０００の範囲にありかつ溶融粘度安定性が０．５％以下である、芳香族ポリカーボネート組成物。
2. リン酸ホスホニウム塩が酸性リン酸ホスホニウム塩であり、ホスホン酸ホスホニウム塩が酸性ホスホン酸ホスホニウム塩であり、亜リン酸ホスホニウム塩が酸性亜リン酸ホスホニウム塩であり、亜ホスホン酸ホスホニウム塩が酸性亜ホスホン酸ホスホニウム塩でありそして硼酸ホスホニウム塩が酸性硼酸ホスホニウム塩である請求項１に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。
3. 芳香族ポリカーボネート（Ａ）１００重量部に対しホスホニウム塩（Ｂ）をリン原子として０．０１×１０^−４〜３０×１０^−４重量部含有する請求項１に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。
4. 芳香族ポリカーボネート（Ａ）が粘度平均分子量が１０，０００〜１００，０００の範囲にあり、溶融粘度安定性が０．５％以下でありそして末端水酸基濃度が全末端基に対し５０モル％以下である請求項１に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。
5. 芳香族ポリカーボネート（Ａ）が相当する芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルを出発物質として溶融重縮合せしめて得られたものである請求項４に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。
6. （Ｃ）炭素ラジカル捕捉剤を芳香族ポリカーボネート１００重量部当り０．５×１０^−４〜５００×１０^−４重量部でさらに含有する請求項１に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。
7. 炭素ラジカル捕捉剤（Ｃ）がアクリル酸のアリールエステルまたはラクトンである請求項６に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。
8. （Ｄ）リン酸、亜リン酸、次亜リン酸、縮合リン酸および縮合亜リン酸よりなる群から選ばれる少なくとも１種を、芳香族ポリカーボネート１００重量部当り１×１０^−４〜１００×１０^−４重量部でさらに含有する請求項１に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。
9. （Ｅ）多価アルコールと高級脂肪酸とのエステルを芳香族ポリカーボネート１００重量部当り１×１０^−３〜３×１０^−１重量部でさらに含有する請求項１に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。
10. 上記エステルがＨＬＢ値３〜７の部分エステルである請求項９に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。
11. （Ｆ）ブルーイング剤を芳香族ポリカーボネート１００重量部当り０．００１×１０^−４〜１００×１０^−４重量部でさらに含有する請求項１に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。
12. ブルーイング剤（Ｆ）がアントラキノン化合物である請求項１１に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。
13. ホスホニウム塩（Ｂ）がリン酸ホスホニウム塩および／または亜リン酸ホスホニウム塩でありそして芳香族ポリカーボネート（Ａ）１００重量部当りリン原子として０．０１×１０^−４〜３０×１０^−４重量部含有しそして多価アルコールと高級脂肪酸とのエステル（Ｅ）を芳香族ポリカーボネート１００重量部当り１×１０^−３〜３×１０^−１重量部でさらに含有し、そして場合により炭素ラジカル捕捉剤（Ｃ）をさらに含有する、請求項１に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。
14. ホスホニウム塩（Ｂ）がリン酸ホスホニウム塩および／または亜リン酸ホスホニウム塩でありそして芳香族ポリカーボネート（Ａ）１００重量部当りリン原子として０．０１×１０^−４〜３０×１０^−４重量部含有し、そして多価アルコールと高級脂肪酸とのエステル（Ｅ）とブルーイング剤（Ｆ）を芳香族ポリカーボネート１００重量部当りそれぞれ１×１０^−３〜３×１０^−１重量部および０．００１×１０^−４〜１００×１０^−４重量部でさらに含有し、そして場合により炭素ラジカル捕捉剤（Ｃ）をさらに含有する、請求項１に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。
15. 芳香族ポリカーボネート（Ａ）１００重量部に対し固体フィラーを１〜１５０重量部さらに含有する請求項１に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。
16. 芳香族ポリカーボネート（Ａ）と異なる熱可塑性樹脂を、芳香族ポリカーボネート（Ａ）１００重量部当り１０〜１５０重量部さらに含有する請求項１に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。
17. （１）下記式（２）
    

    

    ここで、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＷの定義は上記式（１）に同じである、
    で表される芳香族ジヒドロキシ化合物から主としてなるジヒドロキシ化合物とカーボネート結合形成性前駆体とをエステル交換触媒の存在下に溶融重縮合せしめ、次いで
    （２）得られた芳香族ポリカーボネートに溶融状態において、（ａ）リン酸ホスホニウム塩、ホスホン酸ホスホニウム塩、亜リン酸ホスホニウム塩、亜ホスホン酸ホスホニウム塩および硼酸ホスホニウム塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種のホスホニウム塩、または（ｂ）上記ホスホニウム塩と、スルホン酸ホスホニウム塩、スルホン酸アンモニウム塩、スルホン酸低級アルキルエステルおよびスルホン酸よりなる群から選ばれる少なくとも１種のスルホン酸類との組合せ、を添加し、ここで、上記リン酸ホスホニウム塩およびホスホン酸ホスホニウム塩は下記式（３）−１で表される化合物であり、上記亜リン酸ホスホニウム塩および亜ホスホン酸ホスホニウム塩は下記式（３）−２で表される化合物であり、上記硼酸ホスホニウム塩は下記式（３）−３で表される化合物である、
    

    

    上記式（３）−１、（３）−２および（３）−３中、Ｒ^５〜Ｒ^８は、互いに独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、Ｘ、Ｙは互いに独立に、ヒドロキシ基、下記式（４）で表される第４級ホスホニウム塩、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数４〜２０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基を表す、
    

    

    上記式（４）中、Ｒ^９〜Ｒ^１２は上記Ｒ^５〜Ｒ^８の定義に同じである、
    ことを特徴とする、芳香族ポリカーボネート組成物の製造法。
18. エステル交換触媒として、ジヒドロキシ化合物１モルに対し、
    （ｉ）塩基性含窒素化合物および塩基性含リン化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種の塩基性化合物５×１０^−５〜１×１０^−３化学当量および
    （ｉｉ）アルカリ金属化合物５×１０^−８〜１×１０^−６化学当量用いる請求項１７に記載の方法。
19. アルカリ金属化合物がルビジウム化合物およびセシウム化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１８に記載の方法。
20. 上記ホスホニウム塩と、スルホン酸ホスホニウム塩、スルホン酸アンモニウム塩、スルホン酸低級アルキルエステルおよびスルホン酸よりなる群から選ばれる少なくとも１種のスルホン酸類との組合せ（ｂ）を、スルホン酸類を添加したのちホスホニウム塩を添加して使用する請求項１７に記載の方法。
21. 上記工程（１）を溶融重縮合装置内で実施しそして上記工程（２）を溶融押出機内で実施する請求項１７に記載の方法。
22. ホスホニウム塩（ａ）またはホスホニウム塩とスルホン酸類との組合せ（ｂ）を芳香族ポリカーボネートのマスターバッチとして添加する請求項２０に記載の方法。
23. ホスホニウム塩とスルホン酸類との組合せ（ｂ）のうち、ホスホニウム塩のみを芳香族ポリカーボネートのマスターバッチとして添加する請求項２０に記載の方法。
24. （１）下記式（１）
    

    

    ここで、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は互いに独立に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基または炭素数７〜１０のアラルキル基でありそしてＷは炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数２〜１０のアルキリデン基、炭素数６〜１０のシクロアルキレン基、炭素数６〜１０のシクロアルキリデン基、炭素数８〜１５のアルキレン−アリーレン−アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基またはスルホン基である、
    で表される繰返し単位から主としてなる芳香族ポリカーボネートのペレットを準備し、そして
    （２）上記ペレットを溶融しそして溶融状態でリン酸ホスホニウム塩、ホスホン酸ホスホニウム塩、亜リン酸ホスホニウム塩、亜ホスホン酸ホスホニウム塩および硼酸ホスホニウム塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種のホスホニウム塩を添加し、混合し、ここで、上記リン酸ホスホニウム塩およびホスホン酸ホスホニウム塩は下記式（３）−１で表される化合物であり、上記亜リン酸ホスホニウム塩および亜ホスホン酸ホスホニウム塩は下記式（３）−２で表される化合物であり、上記硼酸ホスホニウム塩は下記式（３）−３で表される化合物である。
    

    

    上記式（３）−１、（３）−２および（３）−３中、Ｒ^５〜Ｒ^８は、互いに独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、Ｘ、Ｙは互いに独立に、ヒドロキシ基、下記式（４）で表される第４級ホスホニウム塩、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数４〜２０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基を表す、
    

    

    上記式（４）中、Ｒ^９〜Ｒ^１２は上記Ｒ^５〜Ｒ^８の定義に同じである、
    ことを特徴とする芳香族ポリカーボネート組成物の製造法。
25. 工程（１）の芳香族ポリカーボネートがスルホン酸ホスホニウム塩、スルホン酸アンモニウム塩、スルホン酸低級アルキルエステルおよびスルホン酸よりなる群から選ばれる少なくとも１種のスルホン酸類を含有する請求項２４に記載の方法。
26. 請求項１、１３または１４に記載の芳香族ポリカーボネート組成物からなる成形品。
27. 請求項１または１３に記載の芳香族ポリカーボネート組成物からなる光情報記録媒体の基板。
28. 請求項１または１４に記載の芳香族ポリカーボネート組成物からなるシート。
29. 請求項１または１３に記載の芳香族ポリカーボネート組成物の光情報記録媒体の基板の素材としての使用。
30. 請求項１または１４に記載の芳香族ポリカーボネート組成物のシートの素材としての使用。