JPH11100497A - 芳香族ポリカーボネート組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 短期的、長期的な安定性、すなわち溶融成形
時の着色、分子量低下、黒色異物の生成、あるいは、熱
水又は水蒸気雰囲気下での耐加水分解性が良好な安定化
された芳香族ポリカーボネート組成物を得る。さらに金
型成形を行った場合の金型の汚れが少なく精密成形に好
適で成形操作効率の良好な芳香族ポリカーボネート組成
物を得る。 【解決手段】 芳香族ジオールと炭酸ジエステルとを、
塩基性窒素化合物及びアルカリ金属化合物を含有するエ
ステル交換触媒の存在下、溶融重縮合せしめて得られた
芳香族ポリカーボネート１００重量部と、Ａ成分；スル
ホン酸化合物１＊１０^-6〜０．１重量部，Ｂ成分；燐酸
エステル系化合物 ０．０００５〜０．０１５重量
部，及びＣ成分；亜燐酸エステル系化合物 ０．０００
５〜０．０３重量部，さらに好ましくは Ｄ成分；フェ
ノール系抗酸化剤 ０．０００５〜０．０５重量部をさ
らに含有する安定化された芳香族ポリカーボネート組成
物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、安定化された芳香
族ポリカーボネート組成物に関するものであり、さらに
詳しくは、第１の目的として色調が良好で、短期、長期
の安定性の良好な組成物に関する。更に第２の目的とし
て金属との接触時の安定性の向上した芳香族ポリカーボ
ネート組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】ポリカーボネートは、耐衝撃性などの機
械的特性に優れ、しかも耐熱性、透明性などにも優れて
おり、広く用いられている。このようなポリカーボネー
トの製造方法としては、ビスフェノールＡなどの芳香族
ジオールにホスゲンを直接反応させる方法（界面重合
法）、あるいはビスフェノールＡなどの芳香族ジオール
とジフェニルカーボネートなどのジアリルカーボネート
とを溶融状態でエステル交換反応（溶融法）させる方法
などが知られている。

【０００３】このような製造方法のなかで、芳香族ジオ
ールとジアリルカーボネートとのエステル交換反応（溶
融法）させる方法は、界面重合法による製造に比べて、
有毒なホスゲンやメチレンクロライド等のハロゲン化合
物を溶媒として使用する問題がなく、安価にポリカーボ
ネートを製造出来る利点があり、将来有望であると考え
られる。

【０００４】エステル交換反応による溶融法ポリカーボ
ネート製造法では、製造効率を上げる為、プラスチック
材料講座 １７ ポリカーボネート 頁４８〜５３頁
等の文献に記載のように通常エステル交感触媒を使用す
る。

【０００５】これらエステル交換触媒の内で、塩基性窒
素化合物とアルカリ金属化合物とを併用する触媒が、ポ
リカーボネートの生産性、得られるポリカーボネートの
色調が良好でありポリマー分子中分岐構造の生成も少な
く、流動性等の品質が良好でありゲル等の異物の生成も
少なく好ましい触媒といえる。

【０００６】しかしながら溶融重合法ポリカーボネート
は、エステル交感触媒として使用するアルカリ金属化合
物、その他の金属化合物を含有するため、安定性に問題
がある。 例えば短期的な安定性に関し、加熱溶融成形
時の着色、分子量低下、黒色異物生製等の問題があり、
長期的には高温環境下において下記問題の他成型品の機
械的物性の低下も見られる。また特殊環境下例えば水
中、特に熱水中あるいは水蒸気雰囲気中、加水分解を受
けやすい等の問題を、有している。

【０００７】これらの問題を解決する為、特開平４―３
２８１２４号公報および、特開平４―３２８１５６号公
報には、スルホン酸エステルを含む酸性化合物でエステ
ル交感触媒を中和する方法が提案されている。しかしこ
の方法では、スルホン酸エステルを含む酸性化合物より
強酸性化合物が副生し、該副生物によりスルホン酸エス
テルを含む酸性化合物の添加時、その後の加工時あるい
はポリカーボネートの使用時、加水分解等の劣化が起こ
り問題点の充分な解決には成っていない。

【０００８】かかる方法で得られたポリカーボネートに
特開平８―５９９７５号公報記載の方法に従い、スルホ
ン酸ホスホニウム塩を単独で、あるいは、亜燐酸エステ
ル系化合物あるいはフェノール系抗酸化剤を併用した場
合予想された通り前述の安定性は充分良好な値を、保つ
が、該ポリマーを、使用して射出成形を行うと、射出成
型機の金型表面の汚れが、界面重合法ポリカーボネート
を使用した場合に比較して大である事が解った。本欠点
は、光ディスク等精密成型品の成型時には例えばグルー
プ、ピット等の転写不良の原因と成る重大欠点である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らの研究によ
れば、前述した含窒素塩基性化合物とアルカリ金属化合
物との併用触媒の存在下、製造した芳香族ポリカーボネ
ート組成物の短期的、長期的な安定性、すなわち溶融成
形時の着色、分子量低下、黒色異物の生成、あるいは、
熱水又は水蒸気雰囲気下での耐加水分解性が良好である
と同時に、該組成物を使用して金型成形を行った場合、
金型の汚れが少なく精密成形に好適で成形操作効率の良
好な芳香族ポリカーボネート組成物を提供するものであ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは芳香族ジオ
ール化合物と炭酸ジエステルとより、含窒素塩基性化合
物とアルカリ金属化合物との併用触媒の存在下にエステ
ル交換法（溶融重合法）により、溶融重縮合せしめた、
芳香族ポリカーボネートに対し、以下本文中に定義す
る、Ａ成分；スルホン酸系化合物及び、Ｂ成分；燐酸エ
ステル系化合物及び、Ｃ成分；亜燐酸エステル系化合物
をともに含む組成物において短期的、長期的な安定性す
なわち加熱保持時あるいは溶融成形時の着色、分子量低
下、黒色異物の生成あるいは、熱水あるいは水蒸気雰囲
気下での耐加水分解性が良好下あると同時に、該組成物
を使用して、金型成形を、行った場合、金型の汚れが少
なく精密成形に好適で成形操作効率の良好な芳香族ポリ
カーボネート組成物を提供するものである。

【００１１】本発明で言う、芳香族ポリカーボネートと
は主たる成分である芳香族ジヒドロキシ化合物と、炭酸
エステルとを塩基性窒素化合物とアルカリ金属化合物よ
りなるエステル交換触媒の存在下、溶融重縮合させた芳
香族ポリカーボネートであり、芳香族ジヒドロキシ化合
物としては下記一般式（１）に示される化合物が好まし
く用いられる。

【００１２】

【化６】

【００１３】（Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ は、それぞれ独
立に炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基であ
り、Ｗはアルキリデン基、アルキレン基、シクロアルキ
リデン基、シクロアルキレン基、フェニル基置換アルキ
レン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基またはス
ルホン基である。）

【００１４】このような芳香族ジヒドロキシ化合物とし
ては、具体的にはビス（４―ヒドロキシフェニル）メタ
ン、２，２―ビス（４―ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２―ビス（４―ヒドロキシ―３―メチルフェニ
ル）プロパン、４，４―ビス（４―ヒドロキシフェニ
ル）ヘプタン、２，２―ビス（４―ヒドロキシ―３，５
―ジクロロフェニル）プロパン、２，２―ビス（４―ヒ
ドロキシ―３，５―ジブロモフェニル）プロパン、ビス
（４―ヒドロキシフェニル）オキサイド、ビス（３，５
―ジクロロ―４―ヒドロキシフェニル）オキサイド、
ｐ，ｐ′―ジヒドロキシジフェニル、３，３′―ジクロ
ロ―４，４′―ジヒドロキシジフェニル、ビス（ヒドロ
キシフェニル）スルホン、レゾルシノール、ハイドロキ
ノン、１，４―ジヒドロキシ―２，５―ジクロロベンゼ
ン、１，４―ジヒドロキシ―３―メチルベンゼン、ビス
（４―ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４―ヒ
ドロキシフェニル）スルホキシド等が挙げられるが、特
に２，２―ビス（４―ヒドロキシフェニル）プロパンが
好ましい。

【００１５】炭酸ジエステルとしては、具体的にはジフ
ェニルカーボネート、ジトリールカーボネート、ビス
（クロロフェニル）カーボネート、ｍ―クレジルカーボ
ネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）
カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボ
ネート、ジブチルカーボネート、ジシクロヘキシルカー
ボネートなどが用いられる。これらのうち特にジフェニ
ルカーボネートが好ましい。

【００１６】本発明のポリカーボネートには必要に応じ
て、下記の成分を含有していても良い。 脂肪族ジオール；例えばエチレングリコール、１，４―
ブタンジオール、１，４―シクロヘキサンジメタノー
ル、１，１０―デカンジオール等 ジカルボン酸類；例えば、コハク酸、イソフタル酸、
２，６―ナフタレンジカルボン酸、アジピン酸、シクロ
ヘキサンカルボン酸、テレフルタ酸等；オキシ酸類例え
ば、乳酸、Ｐ―ヒドロキシ安息香酸、６―ヒドロキシ―
２―ナフトエ酸等が挙げられる、これらの芳香族ポリカ
ーボネートの製造における触媒系については概に記述し
た如く、塩基性窒素化合物と、アルカリ金属化合物を併
用し、アルカリ金属化合物の使用量をビスフェノールＡ
１モル当り１０×１０^-6モル未満に抑える事によりエ
ステル交換反応も、工業的に有利に進み、又ポリカーボ
ネート中の分岐構造の発生を抑制でき、流動性、色調良
好なポリカーボネートを得る事ができる。

【００１７】触媒として用いられるアルカリ金属化合物
としては、例えばアルカリ金属の水酸化物、炭酸水素化
物、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、亜硫酸塩、シ
アン酸塩、チオシアン酸塩、ステアリン酸塩、水素化ホ
ウ素塩、安息香酸塩、リン酸水素化物、ビスフェノー
ル、フェノールの塩等が挙げられる。

【００１８】具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭
酸水素カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸ナトリウム、
炭酸カリウム、炭酸リチウム、酢酸ナトリウム、酢酸カ
リウム、酢酸リチウム、硝酸ナトリウム、硝酸カリウ
ム、硝酸リチウム、亜硝酸ナトリウム、亜硝酸カリウ
ム、亜硝酸リチウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウ
ム、亜硫酸リチウム、シアン酸ナトリウム、シアン酸カ
リウム、シアン酸リチウム、チオシアン酸ナトリウム、
チオシアン酸カリウム、チオシアン酸リチウム、ステア
リン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム、ステアリン
酸リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カ
リウム、水素化ホウ素リチウム、フェニル化ホウ酸ナト
リウム、安息香酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安息
香酸リチウム、リン酸水素ジナトリウム、リン酸水素ジ
カリウム、リン酸水素ジリチウム、ビスフェノールＡの
ジナトリウム塩、ジカリウム塩、ジリチウム塩、フェノ
ールのナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩などが挙
げられる。

【００１９】触媒としてのアルカリ金属化合物は、芳香
族ジヒドロキシ化合物１モルに対し好ましくは１０^-8〜
１０^-5モルの範囲で使用しうる。上記使用範囲を逸脱す
ると、得られるポリカーボネートの諸物性に悪影響を及
ぼしたり、また、エステル交換反応が充分に進行せず高
分子量のポリカーボネートが得られない等の問題があり
好ましくない。

【００２０】また、触媒としての含窒素塩基性化合物と
しては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
（Ｍｅ₄ＮＯＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキ
シド（Ｅｔ₄ＮＯＨ）、テトラブチルアンモニウムヒド
ロキシド（Ｂｕ₄ＮＯＨ）、ベンジルトリメチルアンモ
ニウムヒドロキシド（φ―ＣＨ₂（Ｍｅ）₃ＮＯＨ）、ヘ
キサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシドなどの
アルキル、アリール、アルキルアリール基などを有する
アンモニウムヒドロオキシド類、トリエチルアミン、ト
リブチルアミン、ジメチルベンジルアミン、ヘキサデシ
ルジメチルアミンなどの３級アミン類、あるいはテトラ
メチルアンモニウムボロハイドライド（Ｍｅ₄ＮＢ
Ｈ₄）、テトラブチルアンモニウムボロハイドライド
（Ｂｕ₄ＮＢＨ₄）、テトラブチルアンモニウムテトラフ
ェニルボレート（Ｍｅ₄ＮＢＰｈ₄）、テトラブチルアン
モニウムテトラフェニルボレート（Ｂｕ₄ＮＢＰｈ₄）な
どの塩基性塩を挙げることができる。

【００２１】上記含窒素塩基性化合物は、含窒素塩基性
化合物中のアンモニウム窒素原子が芳香族ジヒドロキシ
化合物１モル当り１×１０^-5〜１×１０^-3当量となる割
合で用いるのが好ましい。より好ましい割合は同じ基準
に対し２×１０^-5〜７×１０^-4当量となる割合である。
特に好ましい割合は同じ基準に対し５×１０^-3〜５×１
０^-4当量となる割合である。

【００２２】本発明においては所望により、触媒のアル
カリ金属化合物として、（ａ）周期律表第１４族の元素
のアート錯体のアルカリ金属塩または（ｂ）周期律表第
１４族の元素のオキソ酸のアルカリ金属塩を用いること
ができる。ここで周期律表第１４族の元素とは、ケイ
素、ゲルマニウム、スズのことをいう。

【００２３】これらのアルカリ金属化合物を重縮合反応
触媒として用いることにより、重縮合反応を迅速かつ十
分にすすめることができる利点を有する。また、重縮合
反応中に生成する分岐反応のような、好ましくない副反
応を低いレベルに抑えることができる。

【００２４】（ａ）周期率表第１４族元素のアート錯体
のアルカリ金属塩としては、特開平７―２６８０９１号
公報に記載のものをいうが、具体的には、ゲルマニウム
（Ｇｅ）の化合物；ＮａＧｅ（ＯＭｅ）₅、ＮａＧｅ
（ＯＥｔ）₃、ＮａＧｅ（ＯＰｒ）₅、ＮａＧｅ（ＯＢ
ｕ）₅、ＮａＧｅ（ＯＰｈ）₅、ＬｉＧｅ（ＯＭｅ）₅、
ＬｉＧｅ（ＯＢｕ）₅、ＬｉＧｅ（ＯＰｈ）₅を挙げるこ
とができる。

【００２５】スズ（Ｓｎ）の化合物としては、ＮａＳｎ
（ＯＭｅ）₃、ＮａＳｎ（ＯＭｅ）₂（ＯＥｔ）、ＮａＳ
ｎ（ＯＰｒ）₃、ＮａＳｎ（Ｏ―ｎ―Ｃ₆Ｈ₁₃）₃、Ｎａ
Ｓｎ（ＯＭｅ）₅、ＮａＳｎ（ＯＥｔ）₅、ＮａＳｎ（Ｏ
Ｂｕ）₅、ＮａＳｎ（Ｏ―ｎ―Ｃ₁₂Ｈ₂₅）₅、ＮａＳｎ
（ＯＥｔ）、ＮａＳｎ（ＯＰｈ）₅、ＮａＳｎＢｕ₂（Ｏ
Ｍｅ）₃を挙げることができる。

【００２６】また（ｂ）周期律表第１４族元素のオキソ
酸のアルカリ金属塩としては、例えばケイ酸（silicic
acid）のアルカリ金属塩、スズ酸（stanic acid ）のア
ルカリ金属塩、ゲルマニウム（II）酸（germanous aci
d）のアルカリ金属塩、ゲルマニウム（IV）酸（germani
c acid ）のアルカリ金属塩を好ましいものとして挙げ
ることができる。

【００２７】ケイ酸のアルカリ金属塩は、例えばモノケ
イ酸（monosilicic acid）またはその縮合体の酸性ある
いは中性アルカリ金属塩であり、その例としては、オル
トケイ酸モノナトリウム、オルトケイ酸ジナトリウム、
オルトケイ酸トリナトリウム、オルトケイ酸テトラナト
リウムを挙げることができる。

【００２８】スズ酸のアルカリ金属塩は、例えばモノス
ズ酸（monostanic acid ）またはその縮合体の酸性ある
いは中性アルカリ金属塩であり、その例としてはモノス
ズ酸ジナトリウム塩（Ｎａ₂ＳｎＯ₃・ＣＨ₂Ｏ、ｘ＝０
〜５）、モノスズ酸テトラナトリウム塩（Ｎａ₄Ｓｎ
Ｏ₄）を挙げることができる。

【００２９】ゲルマニウム（II）酸（germanous acid）
のアルカリ金属塩は、例えばモノゲルマニウム酸または
その縮合体の酸性あるいは中性アルカリ金属塩であり、
その例としてはゲルマニウム酸モノナトリウム塩（Ｎａ
ＨＧｅＯ₂）を挙げることができる。

【００３０】ゲルマニウム（IV）酸（germanic acid ）
のアルカリ金属塩は、例えばモノゲルマニウム（IV）酸
またはその縮合体の酸性あるいは中性アルカリ金属塩で
あり、その例としてはオルトゲルマニウム酸モノリチウ
ム酸（ＬｉＨ₃ＧｅＯ₄）オルトゲルマニウム酸ジナトリ
ウム塩、オルトゲルマニウム酸テトラナトリウム塩、ジ
ゲルマニウム酸ジナトリウム塩（Ｎａ₂Ｇｅ₂Ｏ₅）、テ
トラゲルマニウム酸ジナトリウム塩（Ｎａ₂Ｇｅ
₄Ｏ₉）、ペンタゲルマニウム酸ジナトリウム塩（Ｎａ₂
Ｇｅ₅Ｏ₁₁）を挙げることができる。

【００３１】上記の如き重縮合反応触媒は、触媒中のア
ルカリ金属元素が芳香族ジヒドロキシ化合物１モル当り
１×１０^-7〜５×１０^-5当量となる場合で好ましく使用
される。より好ましい割合は同じ基準に対し５×１０^-7
〜１×１０^-5当量となる割合である。

【００３２】本発明の重縮合反応には、上記触媒と一緒
に、必要により、周期律表第１４族元素のオキソ酸およ
び同元素の酸化物よりなる群から選ばれる少なくとも１
種の助触媒を共存させることができる。

【００３３】これら助触媒を特定の割合で用いることに
より、末端の封鎖反応、重縮合反応速度を損なうことな
く、重縮合反応中に生成し易い分岐反応や、成型加工時
における装置内での異物の生成、やけといった好ましく
ない副反応をより効果的に抑制することができる。

【００３４】周期律表第１４族元素のオキソ酸として
は、例えばケイ酸、スズ酸、ゲルマニウム酸を挙げるこ
とができる。周期律表第１４族元素の酸化物としては、
一酸化ケイ素、二酸化ケイ素、一酸化スズ、二酸化ス
ズ、一酸化ゲルマニウム、二酸化ゲルマニウムおよびこ
れらの縮合体を挙げることができる。

【００３５】助触媒は重縮合反応触媒中のアルカリ金属
元素１モル（原子）当り、助触媒中の周期律表第１４族
の金属元素が５０モル（原子）以下となる割合で存在せ
しめるのが好ましい。同金属元素が５０モル（原子）を
超える割合で助触媒を用いると、重縮合反応速度が遅く
なり好ましくない。

【００３６】助触媒は、重縮合反応触媒のアルカリ金属
元素１モル（原子）当り、助触媒の周期律表第１４族の
金属元素が０．１〜３０モル（原子）となる割合で存在
せしめるのがさらに好ましい。

【００３７】これらの触媒系を重縮合反応、および以下
に記述する末端封止反応の触媒として、用いる事により
重縮合反応及び末端封止反応を迅速かつ十分に進める事
ができる利点を有する。又重縮合反応系中に生成する分
岐反応の様な好ましくない副反応を低いレベルに抑える
事ができる。

【００３８】（Ａ成分について）本発明に於て使用する
Ａ成分スルホン酸系化合物は以下一般式（II）〜（Ｖ）
で表される化合物である。これら化合物の１種あるい
は、これ以上を芳香族ポリカーボネートが、溶融重合後
溶融状態にある時、該ポリマー１００重量部当たり、１
＊１０^-6〜０．１重量部の量で、添加される。これによ
りエステル交換触媒を使用して、製造した芳香族ポリカ
ーボネートを安定化でき、Ｂ）、Ｃ）成分と併用する事
により射出成型時の金型の汚れを有効に防止する事がで
きる。

【００３９】

【化７】 Ａ¹―（Ｙ¹ ―ＳＯ₃ Ｘ¹）_m ・・・（I） ［ここで、Ａ¹ は置換基を有していてもよいｍ価の炭化
水素基であり、Ｙ¹ は単結合または酸素原子であり、Ｘ
¹ は２級または３級の１価の炭化水素基、１当量の金属
カチオン、アンモニウムカチオンまたはホスホニウムカ
チオンであり、ｍは１〜４の整数である。但しＹ¹ が単
結合で有るときｍ個のＸ¹ の全てが１当量の金属カチオ
ンであることはない。］

【００４０】

【化８】⁺ Ｘ²−Ａ²−Ｙ¹−ＳＯ₃ ^- ・・・（II） ［ここで、Ａ² は２価の炭化水素基であり、 ⁺Ｘ² は２
〜４級のアンモニウムカチオンまたは２〜４級のホスホ
ニウムカチオンであり、Ｙ¹ の定義は上記に同じであ
る。］

【００４１】

【化９】 Ａ³−（⁺Ｘ³）_n・（Ｒ−Ｙ¹−ＳＯ₃ ^-）_n ・・・(III) ［ここで、Ａ³ はｎ価の炭化水素基であり、 ⁺Ｘ³ は２
〜４級のアンモニウムカチオンまたは２〜４級のホスホ
ニウムカチオンであり、Ｒは１価の炭化水素基であり、
ｎは２〜４の整数であり、Ｙ¹ の定義は上記に同じであ
る。］

【００４２】

【化１０】 Ａ⁵ −Ａｄ¹−Ａ⁴ −（Ａｄ²−Ａ⁵）_k ^{・・・(IV)} ［ここで、Ａ⁵ は１または２価の炭化水素基であり、Ａ
⁴ は２価の炭化水素基であり、Ａｄ¹ およびＡｄ² は、
同一もしくは異なり―ＳＯ2 ―Ｏ―ＳＯ2 ―、―ＳＯ2
―Ｏ―ＣＯ―または―ＣＯ―Ｏ―ＳＯ2 ―から選ばれる
酸無水物基であり、ｋは０または１である。但し、ｋが
０のとき、―（Ａｄ² ―Ａ⁵ ）k は水素原子を表わすか
あるいはＡ⁴ とＡ⁵ とを結合する結合手を表わす（この
場合、Ａ⁵は２価の炭化水素基または単結合であ
る）。］式（I）のスルホン酸化合物

【００４３】

【化１１】 Ａ¹―（Ｙ¹ ―ＳＯ₃ Ｘ¹）_m ・・・（I）

【００４４】ここで、Ａ¹ は置換基を有していてもよい
ｍ価の炭化水素基であり、Ｙ¹ は単結合または酸素原子
であり、Ｘ¹ は２級または３級の１価の炭化水素基、１
当量の金属カチオン、アンモニウムカチオンまたはホス
ホニウムカチオンであり、ｍは１〜４の整数である。但
しＹ¹ が単結合であるときｍ個のＸ¹ の全てが１当量の
金属カチオンであることはない。

【００４５】２級または３級の１価の炭化水素基として
は、例えば下記式（I）―ｄ

【００４６】

【化１２】

【００４７】［ここで、Ｒ¹⁵は水素原子もしくは炭素数
１〜５のアルキル基であり、Ｒ¹⁶は水素原子、フェニル
基もしくは炭素数１〜５のアルキル基であり、そしてＲ
¹⁷はＲ¹⁵と同一もしくは異なりＲ¹⁵の定義と同じであ
る。但し、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶およびＲ¹⁷の２つが水素原子であ
ることはない。］で表わされる２級または３級のアルキ
ル基が好ましい。これらのうち、特にＲ¹⁵およびＲ¹⁷が
同一もしくは異なり、水素原子、メチル基、エチル基ま
たはプロピル基でありそしてＲ¹⁶がメチル基またはフェ
ニル基であるのがより好ましい。

【００４８】１当量の金属カチオンとしては、例えばリ
チウム、ナトリウム、カリウムの如きアルカリ金属カチ
オン；カルシウム、バリウムの如きアルカリ土類金属カ
チオンの１／２あるいはアルミニウムの如き３価の金属
カチオンの１／３等を挙げることができる。

【００４９】アンモニウムカチオンとしては、例えば下
記式（I）―ａ

【００５０】

【化１３】

【００５１】［ここで、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ およびＲ
⁴ は、互いに独立して水素原子または１価の炭化水素基
である。］で表わされるカチオンを挙げることができ
る。

【００５２】式（I）―ａにおいて、Ｒ¹ 等が表わす１
価の炭化水素基としては、例えば炭素数１〜２０のアル
キル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７〜１０
のアラルキル基等が好ましい。

【００５３】また、ホスホニウムカチオンとしては、例
えば下記式（I）―ｂ

【００５４】

【化１４】

【００５５】［ここで、Ｒ⁵ 、Ｒ⁶ 、Ｒ⁷ およびＲ
⁸ は、互いに独立に水素原子または１価の炭化水素基で
ある。］で表わされるカチオンを挙げることができる。

【００５６】式（I）―ｂにおいて、Ｒ⁵ 等が表わす１
価の炭化水素基としては、式（I）―ａについて例示し
た１価の炭素数基と同じものを挙げることができる。

【００５７】これらのうち、Ｘ¹ としては２級または３
級のアルキル基、アルカリ金属カチオン、上記式（I）
―ａで表わされるカチオンおよび上記式（I）―ｂで表
わされるカチオンが好ましい。

【００５８】また上記式（I）において、ｍは１〜４の
整数であり、好ましくは１または２である。

【００５９】上記式（I）で表わされる化合物の具体例
としては、例えば下記の化合物を挙げることができる。
すなわち、ドデシルベンゼンスルホン酸２―フェニル―
２―プロピル、ドデシルベンゼンスルホン酸２―フェニ
ル―２―ブチル、オクチルスルホン酸テトラブチルホス
ホニウム塩、デシルスルホン酸テトラブチルホスホニウ
ム塩、ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム
塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラエチルホスホニ
ウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホス
ホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラヘキシ
ルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラ
オクチルホスホニウム塩、デシルアンモニウムブチルサ
ルフェート、デシルアンモニウムデシルサルフェート、
ドデシルアンモニウムメチルサルフェート、ドデシルア
ンモニウムエチルサルフェート、ドデシルメチルアンモ
ニウムメチルサルフェート、ドデシルジメチルアンモニ
ウムテトラデシルサルフェート、テトラデシルジメチル
アンモニウムメチルサルフェート、テトラメチルアンモ
ニウムヘキシルサルフェート、デシルトリメチルアンモ
ニウムヘキサデシルサルフェート、テトラブチルアンモ
ニウムドデシルベンジルサルフェート、テトラエチルア
ンモニウムドデシルベンジルサルフェート、テトラメチ
ルアンモニウムドデシルベンジルサルフェートなどが挙
げられる。

【００６０】式（II）のスルホン酸化合物

【００６１】

【化１５】⁺ Ｘ²−Ａ²−Ｙ¹−ＳＯ₃ ^- ・・・（II）

【００６２】ここで、Ａ² は２価の炭化水素基であり、
⁺Ｘ² は２〜４級のアンモニウムカチオンまたはホスホ
ニウムカチオンであり、そしてＹ¹ の定義は上記に同じ
である。上記式（II）中、Ａ² の２価の炭化水素基とし
ては２価の飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。この飽和
脂肪族炭化水素基としては炭素数１〜２０のものがより
好ましい。⁺Ｘ² はアンモニウムカチオンもしくはホス
ホニウムカチオンである。アンモニウムカチオンとして
は、下記式（II）―ａ

【００６３】

【化１６】

【００６４】［ここで、Ｒ⁹ 、Ｒ¹⁰およびＲ¹¹は、互い
に独立に水素原子または１価の炭化水素基である。］で
表わされるカチオンが好ましい。

【００６５】Ｒ⁹ 等の１価の炭化水素基としては上記
式（Ｉ）―ａについて例示したものと同じものをここで
も例示できる。

【００６６】ホスホニウムカチオンとしては、下記式
（II）―ｂ

【００６７】

【化１７】

【００６８】［ここで、Ｒ¹²、Ｒ¹³およびＲ¹⁴は、互い
に独立に水素原子または１価の炭化水素基である。］で
表わされるカチオンが好ましい。Ｒ¹²が表わす１価の炭
化水素基としては、上記（II）―ｂについて例示したも
のと同じものを例示できる。

【００６９】上記式（II）で表わされる化合物の具体例
としては下記の化合物を例示することができる。

【００７０】

【化１８】

【００７１】等を挙げることができる。

【００７２】式（III）のスルホン酸化合物

【００７３】

【化１９】 Ａ³−（⁺Ｘ³）_n・（Ｒ−Ｙ¹−ＳＯ₃ ^-）_{ｎ ・・・(III)}

【００７４】ここで、Ａ³ はｎ価の炭化水素基であり、
⁺Ｘ³ はアンモニウムカチオンもしくはホスホニウムカ
チオンであり、Ｒは１価の炭化水素基でありｎは２〜４
の整数でありそしてＹ¹ の定義は上記に同じである。

【００７５】Ａ³ のｎ価の炭化水素基としては、例えば
ｎ価の飽和脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基または
飽和脂肪族―芳香族炭化水素基が好ましい。

【００７６】また、 ⁺Ｘ³ はアンモニウムカチオンおよ
びホスホニウムカチオンとしてはそれぞれ例えば前期式
（II）―ａおよび（II）―ｂで表わされるものを挙げる
ことができる。

【００７７】Ｒは１価の炭化水素基であり、その例とし
てはアルキル基、アリール基およびアラルキル基が好ま
しい。アルキル基としては炭素数１〜２０のものが好ま
しく、アリール基としては炭素数６〜２０のものが好ま
しく、アラルキル基とは炭素数７〜２０のものが好まし
い。

【００７８】ｎは２、３または４であり、Ｙ¹ の定義は
前記と同じく、単結合もしくは酸素原子である。

【００７９】上記式（III）で表わされる化合物の具体
例としては下記の化合物を例示することができる。

【００８０】

【化２０】

【００８１】

【化２１】

【００８２】式（IV）のスルホン酸化合物

【００８３】

【化２２】 Ａ⁵ −Ａｄ¹−Ａ⁴ −（Ａｄ²−Ａ⁵）_k ^{・・・(IV)}

【００８４】ここで、Ａ⁵ は１または２価の炭化水素基
であり、Ａ⁴ は２価の炭化水素基であり、Ａｄ¹ および
Ａｄ² は、同一もしくは異なり―ＳＯ2 ―Ｏ―ＳＯ2
―、―ＳＯ2 ―Ｏ―ＣＯ―または―ＣＯ―Ｏ―ＳＯ2 ―
から選ばれる酸無水物基であり、ｋは０または１であ
る。但し、ｋが０のとき、―（Ａｄ² ―Ａ⁵ ）k は水素
原子を表わすかあるいはＡ⁴ とＡ⁵ とを結合する結合手
を表わす（この場合、Ａ⁵は２価の炭化水素基または単
結合である）。

【００８５】上記式（IV）で表わされる化合物の具体例
としては下記の化合物を挙げることができる。

【００８６】

【化２３】

【００８７】

【化２４】

【００８８】

【化２５】

【００８９】などが挙げられる。

【００９０】上記式（Ｉ）〜（IV）のスルホン酸化合物
の中でホスホニウムもしくはアンモニウム塩型のスルホ
ン酸化合物はそれ自身２００℃以上でも特に安定であ
る。そしてそのスルホン酸化合物をポリマーに添加した
場合すみやかに触媒を中和し、目的とするポリマーを得
ることができる。

【００９１】本発明方法では、上記式（Ｉ）〜（IV）で
表わされる化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１
種のスルホン酸化合物を、ポリカーボネート重縮合終了
後、あるいは以下記述する末端封止反応を実施する場
合、末端封止反応後に生成するポリカーボネートに対し
１＊１０^-6〜０．１重量部の割合で、好ましくは１＊１
０^-6〜０．０５重量部より好ましくは１＊１０^-6〜０．
０３重量部の割合で使用する。

【００９２】また、かかるスルホン酸化合物は、アルカ
リ金属エステル交換触媒に対する割合では、エステル交
換触媒１モル当り０．５〜５０モルの割合で用いるのが
好ましい。

【００９３】スルホン酸化合物を重縮合後あるいは末端
封止後のポリマーに添加する方法には特に限定されな
い。例えば、反応生成物であるポリカーボネートが溶融
状態にある間にこれらを添加してもよいし、一旦ポリカ
ーボネートをペレタイズした後再溶融して添加してもよ
い。

【００９４】Ｂ成分について 本発明でいうＢ成分燐酸エステル系化合物としては燐酸
モノエステル、ジエステル、トリエステル、及びこれら
の混合物を含有する。

【００９５】燐酸モノエステルは、燐酸の３個の水素原
子の内１個が炭化水素基に置換された構造を持つもの
で、例として；

【００９６】

【化２６】

【００９７】で表されるものである。（式中Ｒ⁸は、ア
ルキル基、アリール基、アルキルアリール基、又はアリ
ールアルキル基を表す。）

【００９８】上式において炭化水素基の内アルキル基の
例としては；メチル基、エチル基、オクチル基、シクロ
ヘキシル基、２―エチルヘキシル基、トリデシル基、ラ
ウリル基、ペンタエリスリトル基、ステアリル基等が挙
げられる。又アリール基の例としてはフェニル基、ビフ
ェニル基、ナフチル基等が挙げられる。アルキルアリル
基としてはトリル基、ｐ―ｔ―ブチルフェニル基、２，
４―ジ―ｔ―ブチルフェニル基、４―ドデシルフェニル
基等が挙げられる。好ましい具体例としては；モノフェ
ニルホスフェート、モノ―ｐ―ノニルフェニルホスフェ
ート、モノ（２，４―ジ―ｔ―ブチルフェニール）ホス
フェート、等が挙げられる。

【００９９】燐酸ジエステルは燐酸の２個の水素原子が
炭化水素基に置換された構造を持つものであり例とし
て；

【０１００】

【化２７】

【０１０１】（式中Ｒ⁸、Ｒ⁹は、アルキル基、アリール
基、アルキルアリール基、又はアリールアルキル基を表
す。） 上式においてアルキル基の例としてはメチル基、プロピ
ル基、ノニル基、シクロペンチル基、デカリル基、２―
エチルヘキシル基、デシル基、ラウリル基、ペンタエリ
スリトール基、ステリル基等が挙げられる。又アリール
基としてはフェニル基、ナフチル基。ターフェニル基等
が挙げられる。

【０１０２】アルキルアリール基としてはトリル基、ｐ
―ｔ―ブチルフェニル基、２―ｔ―ブチル―４―メチル
フェニル基、２，６―ジ―ｔ―ブチルフェニル基、ｍ―
ノニルフェニル基、等が挙げられる。更にアリールアル
キル基としてはベンジル基、４―メチルベンジル基等が
挙げられる。

【０１０３】好ましい例とはジフェニルホスフェート、
ビス（４―ナニルフェニル）ホスフェート、ジメチルホ
スフェート、ビス（２，４―ジ―ｔ―ブチルフェニル）
ホスフェート、ビス（ｐ―ｔ―ブチルフェニル）ホスフ
ェート等が挙げられる。

【０１０４】本発明で使用されるリン酸ジエステルには
上式で表されるもの以外にも例えば

【０１０５】

【化２８】

【０１０６】（Ｒ⁸、Ｒ^8′は、アルキル基、アリール
基、アルキルアリール基、又はアリールアルキル基を表
す。Ｒ¹⁰はアルキレン、アリレン、又はアリールアルキ
レン基を表す。）のようなリン原子２個を含むリン酸ジ
エステルも使用出来る。又以下の一般式；

【０１０７】

【化２９】

【０１０８】（Ｒ⁸、Ｒ¹⁰は上記に同じ）で表されるも
のも使用できる。

【０１０９】これらのリン酸ジエステル中、芳香族リン
酸ジエステルが好ましい。特に好ましいものの例として
は：ジフェニルホスフェート、ビス（４―ノニルフェニ
ル）ホスフェート、ビス（２，４―ジ―ｔ―ブチルフェ
ニル）ホスフェート等が挙げられる。これらのリン酸ジ
エステルは単独で使用しても良いし又混合物で使用して
も良い。

【０１１０】リン酸トリエステルはリン酸の３個の水素
原子が炭化水素基に置換された構造を持つものであり、
例えば一般式：

【０１１１】

【化３０】

【０１１２】（式中Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶は同一であっても
良いし、異なっていてもよく、アルキル基、アリール
基、アルキルアリール基、アリールアルキル基を表
す。）で表される。

【０１１３】上式でアルキル基としてはエチル基、ブチ
ル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基、ラウ
リル基、ペンタエリスリトール基、ステアリル基、等が
挙げられる。アリール基としてはフェニル基、ナフチル
基等が挙げられる。アルキルアリール基としてはトリル
基、ｐ―ｔ―ブチルフェニル基、２，４―ジ―ｔ―ブチ
ルフェニル基、ｐ―ノニルフェニル基、等が挙げられ
る。

【０１１４】好ましいものの例としてはトリス（２，４
―ジ―ｔ―ブチルフェニル）ホスフェート、トリス（４
―ドデシルフェニル）ホスフェート、ビス（４―ノニル
フェニル）、フェニルホスフェート、トリフェニルホス
フェート等が挙げられる。

【０１１５】又一般式：

【０１１６】

【化３１】

【０１１７】（式中Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰は同一であ
っても良いし、異なっていても良いアルキル基、アリー
ル基、アルキルアリール基、又はアリールアルキル基、
を示しＲ²¹はアルキレン基、アリレン基、アリールアル
キレン基、を示す。）で表されるリン酸トリエステルも
使用できる。具体例としてはテトラフェニルエチレング
リコールジホスフェート、テトラ（ドデシル）４，４′
―イソプロピリデンジフェニルジホスフェート、等が挙
げられる。 又一般式：

【０１１８】

【化３２】

【０１１９】（式中Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁸は上記に同じ。）で表さ
れるリン酸トリエステルも使用できる。

【０１２０】具体例としては、ビス（オクタデシル）ペ
ンタエリスリトールジホスフェート、ビス（ノニルフェ
ニル）ペンタエリスリトールジホスフェート、ビス
（２，４―ジ―ｔ―ブチルフェニル）ペンタエリスリト
ールジホスフェート、ビス（２，６―ジ―ｔ―ブチル―
４―メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスフェ
ート、ジステアリルペンタエリスリトールジホスフェー
ト、水添ビスフェノールＡ、ペンタエリスリトールホス
フェートポリマー、等が挙げられる。

【０１２１】更に一般式：

【０１２２】

【化３３】

【０１２３】（式中Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁸、Ｒ²¹は上記に同じ。）
で表されるリン酸トリエステルも使用できる。具体例と
しては、テトラフェニルテトラ（トリデシル）ペンタエ
リスリトールテトラホスフェート等が挙げられる。これ
らは単独で使用しても良いし、混合物として使用しても
良い。

【０１２４】２，４―ジ―ｔ―ブチルフェニル基、２，
６―ジ―ｔ―ブチルフェニル基、を持つものが該組成物
の耐加水分解性を向上させ特に好ましい。具体例として
はトリス（２，４―ジ―ｔ―ブチルフェニル）ホスフェ
ート、ビス（２，４―ジ―ｔ―ブチルフェニル）ペンタ
エリスリトールジホスフェート、ビス（２，６―ジ―ｔ
―ブチル―４―メチルフェニル）ペンタエリスリトール
ジホスフェートが挙げられる。

【０１２５】本発明で言うＢ成分のリン酸エステル系化
合物は、金型汚れの低減に必須であり該成分をＡ成分と
併用する事により、芳香族ポリカーボネート組成物の耐
加水分解性及び長期熱老化性をより向上さす事ができ
る。

【０１２６】芳香族ポリカーボネート１００重量部当
り、そのリン酸エステル化合物の使用量が０．０００５
重量部に満たないと効果が発揮されないのに対し、又逆
に０．０１５重量部を超えて添加した場合、成型加工
時、黒色異物の発生及び分子量低下が見られる様にな
る。リン酸エステル化合物の添加量は好ましくは、０．
０００５〜０．０１５重量部の範囲であり、より好まし
くは０．０００５〜０．０１重量部であり、一層好まし
くは０．０００５〜０．００８重量部の範囲である。前
述のリン酸エステル系化合物の内リン酸トリエステル系
化合物がその取扱い易さより好ましい。

【０１２７】Ｃ成分について 本発明で言うＣ成分亜燐酸エステル系化合物としては亜
燐酸モノエステル、ジエステル、トリエステル、及びこ
れらの混合物を含有する。

【０１２８】亜燐酸モノエステルは、亜燐酸の３個の水
素原子の内１個が炭化水素基に置換された構造を持つも
ので、例として；

【０１２９】

【化３４】Ｒ⁸―Ｏ―Ｐ―（ＯＨ）₂ （式中Ｒ⁸は上記に同じ）で表されるものである。

【０１３０】上式において炭化水素基の内アルキル基の
例としては；メチル基、エチル基、ブチル基、オクチル
基、シクロヘキシル基、２―エチルヘキシル基、トリデ
シル基、ラウリル基、ペンタエリスリトール基、ステア
リル基等が挙げられる。アリール基の例としてはフェニ
ル基、ビフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。アル
キルアリール基としてはトリル基、ｐ―ｔ―ブチルフェ
ニル基、２，４―ジ―ｔ―ブチルフェニル基、４―ドデ
シルフェニル基等が挙げられる。

【０１３１】好ましい例としては；フェニメジハイドロ
ゲンホスフェート、モノ―ｐ―ノニルフェニルジハイド
ロゲンホスファイト、モノ（２，４―ジ―ｔ―ブチルフ
ェニル）ジハイドロゲンホスファイト、とが挙げられ
る。

【０１３２】亜燐酸ジエステルは燐酸の２個の水素原子
が炭化水素基に置換された構造を持つものであり例とし
て；

【０１３３】

【化３５】

【０１３４】（式中Ｒ⁸、Ｒ⁹は、アルキル基、アリール
基、アルキルアリール基、又はアリールアルキル基を表
す。） 上式においてアルキル基の例としてはメチル基、プロピ
ル基、ノニル基、シクロペンチル基、デカリル基、２―
エチルヘキシル基、デシル基、ラウリル基、ペンタエリ
スリトール基、ステリル基等が挙げられる。又アリール
基としてはフェニール基、ナフチル基。ターフェニル基
等が挙げられる。

【０１３５】アルキルアリール基としてはトリル基。ｐ
―ｔ―ブチルフェニル基、２―ｔ―ブチル―４―メチル
フェニル基、２，６―ジ―ｔ―ブチルフェニル基、ｍ―
ノニルフェニル基、等が挙げられる。更にアリールアル
キル基としてはベンジル基、４―メチルベンジル基等が
挙げられる。

【０１３６】好ましい例とはジフェニルハイドロゲンホ
スファイト、ビス（４―ノニルフェニル）ハイドロゲン
ホスファイト、ジメチルハイドロゲンホスファイト、ビ
ス（２，４―ジ―ｔ―ブチルフェニル）ハイドロゲンホ
スファイト、ビス（ｐ―ｔ―ブチルフェニル）ハイドロ
ゲンホスファイト、ジクレジルハイドロゲンホスファイ
ト等が挙げられる。

【０１３７】本発明で使用されるリン酸ジエステルには
上式で表されるもの以外にも例えば

【０１３８】

【化３６】

【０１３９】（Ｒ⁸は、前記に同じ。Ｒ¹⁰はアルキレ
ン、アリレン、又はアリールアルキレン基を表す。）の
ようなリン原子２個を含む亜リン酸ジエステルも使用出
来る。又以下の一般式；

【０１４０】

【化３７】

【０１４１】（Ｒ⁸、Ｒ¹⁰は上記に同じ）で表されるも
のも使用できる。

【０１４２】これらの亜リン酸ジエステル中芳香族亜リ
ン酸ジエステルが好ましい。特に好ましいものの例とし
ては：ジフェニルハイドロゲンホスファイト、ビス（４
―ノニルフェニル）ハイドロゲンホスファイト、ビス
（２，４―ジ―ｔ―ブチルフェニル）ハイドロゲンホス
ファイトとが挙げられる。これらの亜リン酸ジエステル
は単独で使用しても良いし又混合物で使用しても良い。

【０１４３】亜リン酸トリエステルはリン酸の３個の水
素原子が炭化水素基に置換された構造を持つものであ
り、例えば一般式：

【０１４４】

【化３８】

【０１４５】（式中Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶は同一であっても
良いし、異なっていてもよく、アルキル基、アリール
基、アルキルアリール基、アリールアルキル基を表
す。）で表される。

【０１４６】上式でアルキル基としては、エチル基、ブ
チル基、オクチル基、シクロヘキシル基、２―エチルヘ
キシル基、デシル基、ラウリル基、ペンタエリスリトー
ル基、ステアリル基等が挙げられる。アリール基として
はフェニール基、ナフチル基、等が挙げられる。アルキ
ルアリール基としてはトリル基、ｐ―ｔ―ブチルフェニ
ル基、２，４―ジ―ｔ―ブチルフェニル基、ｐ―ノニル
フェニル基、等が挙げられる。

【０１４７】好ましいものの例としてはトリス（２，４
―ｔ―ブチルフェニルホスファイト、トリス（４―ドデ
シルフェニル）ホスファイト、ビス（４―ノニルフェニ
ル）、フェニルホスファイト、トリフェニルホスファイ
ト等が挙げられる。

【０１４８】又一般式：

【０１４９】

【化３９】

【０１５０】（Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰は同一であって
も良いし、異なっていても良いアルキル基、アリール
基、アルキルアリール基、又はアリールアルキル基、を
示しＲ²¹はアルキレン基、アリレン基、アリールアルキ
レン基、を示す。）で表される亜リン酸トリエステルも
使用できる。

【０１５１】具体例としてはテトラフェニルエチレング
リコールジホスファイト、テトラ（ドデシル）４，４′
―イソプロピリデンジフェニルジホスファイト、等が挙
げられる。

【０１５２】又一般式

【０１５３】

【化４０】

【０１５４】（式中Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁸は上記に同じ。）で表さ
れる亜リン酸トリエステルも使用出来る。

【０１５５】具体例としてはビス（オクタデシル）ペン
タエリスリトールジフォスファイト、ビス（ノニルフェ
ニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス
（２，４―ジ―ｔ―ブチルフェニル）ペンタエリスリト
ールジホスファイト、ビス（２，６―ジ―ｔ―ブチル―
４―メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファ
イト、ジステリアルペンタエリスリトールジホスファイ
ト、水添ビスフェノールＡ、ペンタエリスリトールホス
ファイトポリマー、等が挙げられる。

【０１５６】更に一般式：

【０１５７】

【化４１】

【０１５８】（Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁸、Ｒ²¹は上記に同じ）で表さ
れる亜リン酸トリエステルも使用できる。

【０１５９】具体例としてはテトラフェニルテトラ（ト
リデシル）ペンタエリスリトールテトラホスファイト等
が挙げられる。これらは単独で使用しても良いし、混合
物として使用していも良い。

【０１６０】２，４―ジ―ｔ―ブチルフェニル基、２，
６―ジ―ｔ―ブチルフェニル基、を持つものが該組成物
の耐加水分解性を向上させ特に好ましい。具体例として
はトリス（２，４―ジ―ｔ―ブチルフェニル）ホスファ
イト、ビス（２，４―ジ―ｔ―ブチルフェニル）ペンタ
エリスリトールジホスファイト、ビス（２，４―ジ―ｔ
―ブチル―４―メチルフェニル）ペンタエリスリトール
ジホスファイトが挙げられる。

【０１６１】有機フォスフォナイトは、亜燐酸の３個の
水酸基の１個を炭化水素基で置換し、更に残りの２個の
水酸基の水素原子を炭化水素基で置換したものである。
例えば一般式

【０１６２】

【化４２】

【０１６３】（式中、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴は同一であって
も、異なっていてもよく、アルキル基、アリール基、ア
ルキルアリール基、あるいはアリールアルキル基、を示
す。） 上式でのアルキル基としては、エチル基、プロピル基、
ノニル基、シクロヘキシル基、デシル基、トリデシル
基、ラウリル基、ステアリル基、等が挙げられる。アリ
ール基、としては、フェニル基、ナフチル基、等が挙げ
られる。アルキルアリール基としては、トリル基、ｐ―
ｔ―ブチルフェニル基、２，４―ジ―ｔ―ブチルフェニ
ル基、ｐ―ノニルフェニル基、２，４―ジ―ノニルフェ
ニル基、等が挙げられる。

【０１６４】上記以外に

【０１６５】

【化４３】

【０１６６】（式中Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸は、同一で
あっても良いし、異なっていても良いアルキル基、アリ
ール基、アルキルアリール基、又はアリールアルキル基
を表す。Ｒ²¹は前述に同じ）で示されるようなリン原子
を２個有する有機フォスフォナイトが挙げられる。この
ような化合物の具体例としては、４，４′―ビフェニレ
ンジホスフィン酸テトラキス（２，４―ジ―ｔ―ブチル
フェニル）等が挙げられる。これらは単独で使用しても
良いし混合物として使用しても良い。

【０１６７】Ｃ成分の亜燐酸エステル系化合物は、Ａ成
分のスルホン酸化合物と併用する事により該組成物の加
熱、溶融成型時の、着色あるいは分子量低下あるいは黒
色異物の生成あるいは長期高温下使用時の着色等に対し
好ましい効果を発揮する。

【０１６８】Ｃ成分亜燐酸エステル系化合物の使用量
は、芳香族ポリカーボネート；１００重量部に対して
０．０００５〜０．０３重量部であり更に、好ましくは
０．０００５〜０．０２５重量部であり、特に好ましく
は０．０００５〜０．０２重量部の範囲である。亜燐酸
エステル系化合物０．０００５重量部未満であると耐熱
性の向上は少なく、また０．０３重量部を越えた場合、
長期耐熱時の重合度低下が大きくなり、好ましくない。
また同時に加熱成型時黒色異物の発生がみられるように
成り好ましくない。

【０１６９】Ｄ成分フェノール系抗酸化剤について Ｄ成分フェノール系抗酸化剤は、一般式；

【０１７０】

【化４４】

【０１７１】（式中Ｒ¹¹、Ｒ^'11、Ｒ^"11は水素原子、水
酸基、アルコキシ基等の置換基を有していても良い炭化
水素残基を示し、Ｒ¹¹、Ｒ^'11、Ｒ^"11は同一でも、異な
っていても良い。ただしＲ¹¹、Ｒ^'11、Ｒ^"11の内少なく
とも１つは置換基を有していても良い炭化水素残基を示
すものとする。）で示される。

【０１７２】具体的には、２，６―ジ―ｔ―ブチル―ｐ
―クレゾール、２，６―ジ―ｔ―ブチル―ｐ―アニソー
ル、２，６―ジ―ｔ―ブチル―ｐ―エチルフェノール、
２，２′―メチレンビス（６―ｔ―ブチル―ｐ―クレゾ
ール）、２，２′―メチレンビス（６―ｔ―ブチル―ｐ
―ブチルフェノール）、４，４′―メチレンビス（６―
ｔ―ブチル―ｐ―クレゾール）、４，４′―ブチリデン
ビス（６―ｔ―ブチル―ｐ―クレゾール）、テトラキス
［メチレン―３―（３′，５′―ジ―ｔ―ブチル―４′
―ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、４，
４′―チオビス（６―ｔ―ブチル―ｍ―クレゾール）、
ステアリル―β―（３，５―ジ―ｔ―ブチル―４―ヒド
ロキシフェニル）プロピオネート、１，３，５―トリメ
チル―２，４，６―トリス（３，５―ジ―ｔ―ブチル―
４―ヒドロキシベンジル）ベンゼン、１，１，３―トリ
ス（２―メチル―４―ヒドロキシ―５―ｔ―ブチルフェ
ニル）ブタン、トリエチレングリコール―ビス［３―
（３―ｔ―ブチル―５―メチル―４―ヒドロキシフェニ
ル）プロピネート］等が挙げられる。

【０１７３】好ましいフェノール系抗酸化剤としては、
一般式：

【０１７４】

【化４５】

【０１７５】（式中Ｒ¹²はメチル基又はｔ―ブチル基、
Ｒ¹³はｔ―ブチル基を、Ａは炭素数１〜３０のｂ価の炭
化水素又は複素環残基を示し、ａは１〜４のｂは１以上
の整数を示す。）で表されるものである。

【０１７６】具体的には、テトラキス［メチレン―３―
（３′，５―ジ―ｔ―ブチル―４′―ヒドロキシフェニ
ル）プロピオネート］メタン、；（登録商標lrganox１
０１０、チバガイギー社製）ステアリル―β（３，５―
ジ―ｔ―ブチル―４―ヒドロキシフェニル）プロピオネ
ート；（登録商標lrganox１０７６、チバガイギー社
製）トリエチレングリコール―ビス（３―ｔ―ブチル―
５―メチル―４―ヒドロキシフェニル）プロピオネト等
が挙げられる。

【０１７７】更には３，５―ジ―ｔ―ブチル―４―ヒド
ロキシベンジルフォスフォネート―ジエステル；（登録
商標lrganox１２２２、チバガイギー社製）ビス（３，
５―ジ―ｔ―ブチル―４―ヒドロキシベンジルホスホン
酸エチル）カルシウム；（登録商標lrganox１４２５Ｍ
Ｌ、チバガイギー社製）等が挙げられる。これらのフェ
ノール系抗酸化剤は単独で用いても良いし、混合物で用
いても良い。

【０１７８】前述した芳香族ポリカーボネートに、Ａ成
分、Ｂ成分、Ｃ成分を配合した組成物に対し更にＤ成
分；フェノール系抗酸化剤を添加して成る組成物におい
ては溶融成型時、長期化熱老化時の着色、分解を防ぐの
に有効である。特にＢ成分と併用した場合個の効果が大
と成り好ましい。

【０１７９】Ｄ成分の添加量は芳香族ポリカーボネート
１００重量部当り０．０００５〜０．１重量部であり好
ましくは０．０００５〜０．０７重量部、更に好ましく
は０．００１〜０．０５重量部である。０．０００５重
量部以下ではフェノール系抗酸化剤の添加効果が、少な
く又逆に０．１重量部を超えるとポリカーボネートの分
解が顕著になり好ましくない。

【０１８０】本発明で使用するＢ、Ｃ、Ｄ成分はポリカ
ーボネート溶融重縮合終了時以降の段階に於いて所望の
段階においてポリカーボネートに添加しうる。

【０１８１】該剤をポリマーに添加する方法には、特に
限定されない。従来公知の方法で好ましく添加する事が
できる。例えば、反応生成物であるポリカーボネートが
溶融状態にある間に、これらを添加しても良いし、一旦
ポリカーボネートをペレタイズした後再溶融して添加し
ても良い。

【０１８２】又、これらの剤は一度に１種類づつ、添加
しても良いし、又あるいはこれらを連続的に添加しても
良いし、又いく種かを混合して添加しても良い。これら
の添加方法によって本発明の目的とするポリマーの安定
性が大きくそこなわれる事はない。

【０１８３】末端封止について 前述のごとく、例えば芳香族ジヒドロキシ化合物として
ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）、炭酸ジエステルとしてジ
フェニルカーボネート（ＤＰＣ）を使用して芳香族ポリ
カーボネートを製造するとき芳香族ポリカーボネートの
生成反応式は；

【０１８４】

【化４６】

【０１８５】で表される。上式で示されるＰｈＯＨ（フ
ェノール）は、減圧当の操作により系外に除去され

【０１８６】

【化４７】

【０１８７】で表される芳香族ポリカーボネートが生成
する事と成る。上式で表されるポリカーボネート分子の
片末端は芳香族性水酸基を有している。

【０１８８】芳香族性水酸基末端が生成する芳香族ポリ
カーボネートの短期、長期の安定性に対して好ましくな
い事は公知である。

【０１８９】例えば特開昭６１―８７７２４号公報、特
開昭６１―８７７２５号公報（ＧＥ社）には水酸基末端
を減少させる事によりポリマー安定性すなわち、老化テ
スト；２５０℃温度下１５ｈｒ後の固有粘度の低下値を
減少させうる事が報告されている。

【０１９０】しかしながら分子の片方の末端に存在する
芳香族性水酸基は前述した式で示したごとく溶融重合法
ポリカーボネートの製造では必須の活性点である。

【０１９１】本発明者らは、ポリカーボネート製造中は
本来必要な水酸基末端を必要数維持し、ポリカーボネー
トの重合度（固有粘度）が所望の値に達して後ポリカー
ボネートの末端水酸基を所望の値にまで減少させる方法
を開発した。

【０１９２】すなわち、例えばポリカーボネートの固有
粘度が少なくとも０．３ｄｌ／ｇに達した後、下記式
（Ｖ）

【０１９３】

【化４８】

【０１９４】［ここで、Ｒ¹は塩素原子、メトキシカル
ボニル基またはエトキシカルボニル基であり、そしてＲ
²は炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のア
ルコキシル基、炭素数６〜３０のアリール基または炭素
数６〜３０のアリールオキシ基であり、ここで、炭素数
１〜３０のアルキル基および炭素数１〜３０のアルコキ
シル基はメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、
（ｏ―メトキシカルボニルフェニル）オキシカルボニル
または（ｏ―エトキシカルボニルフェニル）オキシカル
ボニルで置換されていてもよく、また炭素数６〜３０の
アリール基および炭素数６〜３０のアリールオキシ基は
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、（ｏ―メト
キシカルボニルフェニル）オキシカルボニル、（ｏ―エ
トキシカルボニルフェニル）オキシカルボニル、炭素数
１〜３０のアルキル、炭素数６〜３０のアルコキシルで
置換されていてもよい］で表わされる化合物を添加し
て、添加時の固有粘度を基準として固有粘度の変化が
０．１ｄｌ／ｇ以内で末端水酸基量が０〜３０モル％で
ある末端封鎖ポリカーボネートを生成せしめることを特
徴とする、末端封鎖ポリカーボネートの製造方法によっ
て達成される。

【０１９５】本発明において用いられる上記式（Ｖ）で
表わされる化合物は、Ｒ² の定義によって、カーボネー
トおよびカルボン酸エステルを包含する。

【０１９６】式（Ｖ）において、Ｒ¹ は塩素原子、メト
キシカルボニル基（ＣＨ3 ＯＣＯ―）またはエトキシカ
ルボニル基（Ｃ2 Ｈ5 ＯＣＯ―）である。これらのう
ち、塩素原子およびメトキシカルボニル基が好ましく、
メトキシカルボニル基が特に好ましい。

【０１９７】また、Ｒ² は炭素数１〜３０のアルキル
基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数６〜３０の
アリール基または炭素数６〜３０のアリールオキシ基で
ある。

【０１９８】炭素数１〜３０のアルキル基は、直鎖状で
あっても分岐鎖状であっても、環状であってもよく、ま
た不飽和基を有していてもよい。かかるアルキル基とし
ては、例えばメチル基、エチル基、ｎ―プロピル基、ｎ
―ブチル基、ｎ―ペンチル基、ｎ―ヘキシル基、ｎ―オ
クチル基、ｎ―ノニル基、ｎ―ドデカニル基、ｎ―ラウ
リル基、ｎ―パルミチル基、ステアリル基などの直鎖状
アルキル基；イソプロピル基、ｔ―ブチル基、４―ブチ
ルノニル基などの分岐状アルキル基；アリル基、ブテニ
ル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ドデセニル基、オ
レイル基、などの不飽和基を持つアルキル基、つまりア
ルケニル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、な
どのシクロアルキル基などが挙げられる。これにの中で
は、ポリマーの離型性向上の点から、長鎖アルキル基、
具体的には、ラウリル基、ステアリル基、ドデセニル基
が特に好ましい。

【０１９９】また、炭素数１〜３０のアルコキシル基
は、直鎖状であっても、分岐鎖状であっても、環状であ
ってもよく、また不飽和基を有していてもよい。かかる
アルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキ
シ基、ｎ―プロポキシ基、ｎ―ブトキシ基、ｎ―ペント
キシ基、ｎ―ヘキソキシ基、ｎ―オクトキシ基、ｎ―ノ
ニルオキシ基、ｎ―デカニルオキシ基、ｎ―ラウリルオ
キシ基、ｎ―パルミチルオキシ基、ステアリルオキシ基
の如き直鎖状アルコキシル基；ｉｓｏ―プロピル基、ｔ
―ブチルオキシ基、４―ブチルノニルオキシ基の如き分
岐鎖状アルコキシル基；アリルオキシ基、ブテニルオキ
シ基、ペンテニルオキシ基、ヘキセニルオキシ基、ドデ
セニルオキシ基、オレイルオキシ基の如き不飽和基を持
つアルコキシ基；シクロペンチルオキシ基、ヘクロヘキ
シルオキシ基などのシクロアルキルオキシ基などが挙げ
られる。これらのうち、ポリマーの離型性向上の点か
ら、長鎖アルキル基例えばラウリルオキシ基、ステアリ
ルオキシ基、ドデセニルオキシ基が特に好ましい。

【０２００】上記の如き、炭素数１〜３０のアルキル基
および炭素数１〜３０のアルコキシル基は、メトキシカ
ルボニル、エトキシカルボニル、（ｏ―メトキシカルボ
ニルフェニル）オキシカルボニル

【０２０１】

【化４９】

【０２０２】または（ｏ―エトキシカルボニルフェニ
ル）オキシカルボニル

【０２０３】

【化５０】

【０２０４】で置換されていてもよい。

【０２０５】炭素数６〜３０のアリール基としては、例
えばフェニル、ナフチル、ビフェニル、アントラニル等
を挙げることができる。

【０２０６】また、炭素数６〜３０のアリールオキシ基
としては、例えばフェノキシ、ナフトキシ、ビフェニル
オキシ、アントラニルオキシ等を挙げることができる。

【０２０７】これらの炭素数６〜３０のアリール基およ
び炭素数６〜３０のアリールオキシ基はメトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、（ｏ―メトキシカルボニル
フェニル）オキシカルボニル、（ｏ―エトキシカルボニ
ルフェニル）オキシカルボニル、炭素数１〜３０のアル
キルまたは炭素数１〜３０のアルコキシルで置換されて
いてもよい。炭素数１〜３０のアルキルおよび炭素数１
〜３０のアルコキシルとしては前記した例示基と同じも
のを ここでも挙げることができる。

【０２０８】上記式（Ｖ）で表わされる化合物は、Ｒ²
の定義に基づいて、便宜的に、下記式（Ｖ）−１

【０２０９】

【化５１】

【０２１０】（ここで、Ｒ¹は塩素原子、メトキシカル
ボニル基またはエトキシカルボニル基でありそしてＲ²¹
は炭素数１〜３０のアルキル基または炭素数６〜３０の
アリール基であり、炭素数１〜３０のアルキル基はメト
キシカルボニル、エトキシカルボニル、（ｏ―メトキシ
カルボニルフェニル）オキシカルボニルまたは（ｏ―エ
トキシカルボニルフェニル）オキシカルボニルで置換さ
れていてもよく、また炭素数６〜３０のアリール基はメ
トキシカルボニル、エトキシカルボニル、（ｏ―メトキ
シカルボニルフェニル）オキシカルボニル、（ｏ―エト
キシカルボニルフェニル）オキシカルボニル、炭素数１
〜３０のアルキル、炭素数１〜３０のアルコキシルで置
換されていてもよい。）で表わされるカーボネート化合
物および下記式（Ｖ）−２

【０２１１】

【化５２】

【０２１２】（ここで、Ｒ¹ は塩素原子、メトキシカル
ボニル基またはエトキシカルボニル基であり、そしてＲ
²²は炭素数１〜３０のアルキル基または炭素数６〜３０
のアリール基であり、炭素数１〜３０のアルキル基およ
び炭素数１〜３０のアルコキシル基はメトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、（ｏ―メトキシカルボニルフ
ェニル）オキシカルボニルまたは（ｏ―エトキシカルボ
ニルフェニル）オキシカルボニルで置換されていてもよ
く、また炭素数６〜３０のアリール基および炭素数６〜
３０のアリールオキシ基はメトキシカルボニル、エトキ
シカルボニル、（ｏ―メトキシカルボニルフェニル）オ
キシカルボニル、（ｏ―エトキシカルボニルフェニル）
オキシカルボニル、炭素数１〜３０のアルキル、炭素数
１〜３０のアルコキシルで置換されていてもよい。）で
表わされるカルボン酸アリールエステルに、分類するこ
とができる。

【０２１３】上記式（Ｖ）−１で表わされるカーボネー
ト化合物としては、例えば２―クロロフェニル―フェニ
ルカーボネート、２―クロロフェニル―４′―メチルフ
ェニルカーボネート、２―クロロフェニル―４′―エチ
ルフェニルカーボネート、２―クロロフェニル―４′―
ｎ―ブチルフェニルカーボネート、２―クロロフェニル
―４′―ｔ―ブチルフェニルカーボネート、２―クロロ
フェニル―４′―ノニルフェニルカーボネート、２―ク
ロロフェニル―４′―クミルカーボネート、２―クロロ
フェニル―ナフチルカーボネート、２―クロロフェニル
―４′―メトキシフェニルカーボネート、２―クロロフ
ェニル―４′―エトキシフェニルカーボネート、２―ク
ロロフェニル―４′―ｎ―ブトキシフェニルカーボネー
ト、２―クロロフェニル―４′―ｔ―ブトキシフェニル
カーボネート、２―クロロフェニル―４′―ノニルオキ
シフェニルカーボネート、２―クロロフェニル―４′―
ｔ―プロピルオキシフェニルカーボネート、２―クロロ
フェニル―２′―メトキシカルボニルフェニルカーボネ
ート、２―クロロフェニル―４′―メトキシカルボニル
フェニルカーボネート、２―クロロフェニル―２′―エ
トキシカルボニルフェニルカーボネート、２―クロロフ
ェニル―４′―エトキシカルボニルフェニルカーボネー
ト、２―クロロフェニル―２′―（ｏ―メトキシカルボ
ニルフェニル）オキシカルボニルフェニルカーボネー
ト、２―クロロフェニル―２′―（ｏ―エトキシカルボ
ニルフェニル）オキシカルボニルフェニルカーボネート
の如き２―クロロフェニル―アクリールカーボネート
類；２―クロロフェニルメチルカーボネート、２―クロ
ロフェニル―エチルカーボネート、２―クロロフェニル
―ｎ―ブチルカーボネート、２―クロロフェニル―オク
チルカーボネート、２―クロロフェニル―ｉ―プロピル
カーボネート、２―クロロフェニル―２―メトキシカル
ボニルエチルカーボネート、２―クロロフェニル―２―
エトキシカルボニルエチルカーボネート、２―クロロフ
ェニル―２―（ｏ―エトキシカルボニルフェニル）オキ
シカルボニルエチルカーボネートの如き２―クロロフェ
ニル―アルキルカーボネート類；２―メトキシカルボニ
ルフェニル―フェニルカーボネート、２―メトキシカル
ボニルフェニル―メチルフェニルカーボネート、２―メ
トキシカルボニルフェニル―エチルフェニルカーボネー
ト、２―メトキシカルボニルフェニル―プロピルフェニ
ルカーボネート、２―メトキシカルボニルフェニル―ｎ
―ブチルフェニルカーボネート、２―メトキシカルボニ
ルフェニル―ｔ―ブチルフェニルカーボネート、２―メ
トキシカルボニルフェニル―ヘキシルフェニルカーボネ
ート、２―メトキシカルボニルフェニル―ノニルフェニ
ルカーボネート、２―メトキシカルボニルフェニル―ド
デシルフェニルカーボネート、２―メトキシカルボニル
フェニル―ヘキサデシルフェニルカーボネート、２―メ
トキシカルボニルフェニル―ジｎ―ブチルフェニルカー
ボネート、２―メトキシカルボニルフェニル―ジｔ―ブ
チルフェニルカーボネート、２―メトキシカルボニルフ
ェニル―ジノニルフェニルカーボネート、２―メトキシ
カルボニルフェニル―シクロヘキシルフェニルカーボネ
ート、２―メトキシカルボニルフェニル―ナフチルフェ
ニルカーボネート、２―メトキシカルボニルフェニル―
ビフェニルカーボネート、２―メトキシカルボニルフェ
ニル―クミルフェニルカーボネート、２―メトキシカル
ボニルフェニル―４′―メトキシフェニルカーボネー
ト、２―メトキシカルボニルフェニル―４′―エトキシ
フェニルカーボネート、２―メトキシカルボニルフェニ
ル―４′―ｎ―ブトキシフェニルカーボネート、２―メ
トキシカルボニルフェニル―４′―ｔ―ブトキシフェニ
ルカーボネート、２―メトキシカルボニルフェニル―
４′―ノニルオキシフェニルカーボネート、２―メトキ
シカルボニルフェニル―４′―クミルオキシフェニルカ
ーボネート、ジ（２―メトキシカルボニルフェニル）カ
ーボネート、２―メトキシカルボニルフェニル―４′―
メトキシカルボニルフェニルカーボネート、２―メトキ
シカルボニルフェニル―２′―エトキシカルボニルフェ
ニルカーボネート、２―メトキシカルボニルフェニル―
４′―エトキシカルボニルフェニルカーボネート、２―
メトキシカルボニルフェニル―２′―（ｏ―メトキシカ
ルボニルフェニル）オキシカルボニルフェニルカーボネ
ート、２―メトキシカルボニルフェニル―２′―（ｏ―
エトキシカルボニルフェニル）オキシカルボニルフェニ
ルカーボネートの如き２―メトキシカルボニルフェニル
アリールカーボネート類；２―メトキシカルボニルフェ
ニル―メチルカーボネート、２―メトキシカルボニルフ
ェニル―エチルカーボネート、２―メトキシカルボニル
フェニル―ｎ―ブチルカーボネート、２―メトキシカル
ボニルフェニル―オクチルカーボネート、２―メトキシ
カルボニルフェニル―ノニルカーボネート、２―メトキ
シカルボニルフェニル―セチルカーボネート、２―メト
キシカルボニルフェニル―ラウリルカーボネート、２―
メトキシカルボニルフェニル―２―メトキシカルボニル
エチルカーボネート、２―メトキシカルボニルフェニル
―２―エトキシカルボニルエチルカーボネート、２―メ
トキシカルボニルフェニル―２―（ｏ―メトキシカルボ
ニルフェニル）オキシカルボニルエチルカーボネート、
２―メトキシカルボニルフェニル―２―（ｏ―エトキシ
カルボニルフェニル）オキシカルボニルエチルカーボネ
ートの如き２―メトキシカルボニルフェニル―アルキル
カーボネート類；２―エトキシカルボニルフェニル―フ
ェニルカーボネート、２―エトキシカルボニルフェニル
―メチルフェニルカーボネート、２―エトキシカルボニ
ルフェニル―エチルフェニルカーボネート、２―エトキ
シカルボニルフェニル―プロピルフェニルカーボネー
ト、２―エトキシカルボニルフェニル―ｎ―ブチルフェ
ニルカーボネート、２―エトキシカルボニルフェニル―
ｔ―ブチルフェニルカーボネート、２―エトキシカルボ
ニルフェニル―ヘキシルフェニルカーボネート、２―エ
トキシカルボニルフェニル―ノニルフェニルカーボネー
ト、２―エトキシカルボニルフェニル―ドデシルフェニ
ルカーボネート、２―エトキシカルボニルフェニル―ヘ
キサデシルフェニルカーボネート、２―エトキシカルボ
ニルフェニル―ジｎ―ブチルフェニルカーボネート、２
―エトキシカルボニルフェニル―ジｔ―ブチルフェニル
カーボネート、２―エトキシカルボニルフェニル―ジｔ
―ブチルフェニルカーボネート、２―エトキシカルボニ
ルフェニル―ジノニルフェニルカーボネート、２―エト
キシカルボニルフェニル―シクロヘキシルフェニルカー
ボネート、２―エトキシカルボニルフェニル―ナフチル
フェニルカーボネート、２―エトキシカルボニルフェニ
ル―ビフェニルカーボネート、２―エトキシカルボニル
フェニル―クミルフェニルカーボネート、２―エトキシ
カルボニルフェニル―４′―メトキシフェニルカーボネ
ート、２―エトキシカルボニルフェニル―４′―エトキ
シフェニルカーボネート、２―エトキシカルボニルフェ
ニル―４′―ｎ―ブトキシフェニルカーボネート、２―
エトキシカルボニルフェニル―４′―ｔ―ブトキシフェ
ニルカーボネート、２―エトキシカルボニルフェニル―
４′―ノニルオキシフェニルカーボネート、２―エトキ
シカルボニルフェニル―４′―クミルオキシフェニルカ
ーボネート、ジ（２―エトキシカルボニルフェニル）カ
ーボネート、２―エトキシカルボニルフェニル―４′―
メトキシカルボニルフェニルカーボネート、２―エトキ
シカルボニルフェニル―４′―エトキシカルボニルフェ
ニルカーボネート、２―エトキシカルボニルフェニル―
２′―（ｏ―メトキシカルボニルフェニル）オキシカル
ボニルフェニルカーボネート、２―エトキシカルボニル
フェニル―２′―（ｏ―エトキシカルボニルフェニル）
オキシカルボニルフェニルカーボネートの如き２―エト
キシカルボニルフェニル―アリールカーボネート類；２
―エトキシカルボニルフェニル―メチルカーボネート、
２―エトキシカルボニルフェニル―エチルカーボネー
ト、２―エトキシカルボニルフェニル―ｎ―ブチルカー
ボネート、２―エトキシカルボニルフェニル―オクチル
カーボネート、２―エトキシカルボニルフェニル―２―
メトキシカルボニルエチルカーボネート、２―エトキシ
カルボニルフェニル―２―エトキシカルボニルエチルカ
ーボネート、２―エトキシカルボニルフェニル２―（ｏ
―メトキシカルボニルフェニル）オキシカルボニルエチ
ルカーボネート、２―エトキシカルボニルフェニル―２
―（ｏ―エトキシカルボニルフェニル）オキシカルボニ
ルエチルカーボネートの如き２―エトキシカルボニルフ
ェニル―アルキルカーボネート類；を挙げることができ
る。これらの中でも、２―メトキシカルボニルフェニル
―フェニルカーボネートは、フェニル基によって末端が
封鎖されるため耐加水分解性（耐湿温性）に優れてい
る。

【０２１４】また、上記式（Ｖ）−２で表わされるカル
ボン酸アリールエステルとしては、例えば安息香酸２―
クロロフェニル、４―メチル安息香酸２―クロロフェニ
ル、４―エチル安息香酸２―クロロフェニル、４―ｎ―
ブチル安息香酸２―クロロフェニル、４―ｔ―ブチル安
息香酸―２―クロロフェニル、４―ノニル安息香酸２―
クロロフェニル、４―クミル安息香酸２―クロロフェニ
ル、ナフトエ酸２―クロロフェニル、４―メトキシ安息
香酸２―クロロフェニル、４―エトキシ安息香酸２―ク
ロロフェニル、４―ｎ―ブトキシ安息香酸２―クロロフ
ェニル、４―ｔ―ブトキシ安息香酸２―クロロフェニ
ル、４―ノニルオキシ安息香酸２―クロロフェニル、４
―クミルオキシ安息香酸２―クロロフェニル、２―メト
キシカルボニル安息香酸２―クロロフェニル、４―メト
キシカルボニル安息香酸２―クロロフェニル、２―エト
キシカルボニル安息香酸２―クロロフェニル、４―エト
キシカルボニル安息香酸２―クロロフェニル、２―（ｏ
―メトキシカルボニルフェニル）オキシカルボニル安息
香酸２―クロロフェニル、２―（ｏ―エトキシカルボニ
ルフェニル）オキシカルボニル安息香酸２―クロロフェ
ニルの如き芳香族カルボン酸２―クロロフェニルエステ
ル；酢酸２―クロロフェニル、プロピオン酸２―クロロ
フェニル、２―クロロフェニルバレレート、２―クロロ
フェニルペラルゴレート、２―クロロフェニル―１―メ
チルプロピオネート、２―クロロフェニル―２―メトキ
シカルボニルプロピオネート、２―クロロフェニル―２
―エトキシカルボニルブチレート、２―クロロフェニル
４′―（２―メトキシカルボニルフェニル）オキシカル
ボニルブチレート、２―クロロフェニル４′―（２―メ
トキシカルボニルフェニル）オキシカルボニルブチレー
ト等の脂肪族カルボン酸―２―クロロフェニルエステ
ル、（２―メトキシカルボニルフェニル）ベンゾエー
ト、４―メチルベンゾイル―（２′―メトキシカルボニ
ルフェニル）エステル、４―エチルベンゾイル―（２′
―メトキシカルボニルフェニル）エステル、４―ｎ―ブ
チルベンゾイル―（２′―メトキシカルボニルフェニ
ル）エステル、４―ｔ―ブチルベンゾイル―（２′―メ
トキシカルボニルフェニル）エステル、ナフトエ酸―
（２′―メトキシカルボニルフェニル）エステル、４―
ノニル安息香酸（２′―メトキシカルボニルフェニル）
エステル、４―クミル安息香酸（２′―メトキシカルボ
ニルフェニル）エステル、４―メトキシ安息香酸（２′
―メトキシカルボニルフェニル）エステル、４―エトキ
シ安息香酸（２′―メトキシカルボニルフェニル）エス
テル、４―ｎ―ブトキシ安息香酸（２′―メトキシカル
ボニルフェニル）エステル、４―ｔ―ブトキシ安息香酸
（２′―メトキシカルボニルフェニル）エステル、４―
クミルオキシ安息香酸（２′―メトキシカルボニルフェ
ニル）エステル、２―メトキシカルボニル安息香酸
（２′―メトキシカルボニルフェニル）エステル、４―
メトキシカルボニル安息香酸（２′―メトキシカルボニ
ルフェニル）エステル、４―エトキシカルボニル安息香
酸（２′―メトキシカルボニルフェニル）エステル、３
―（ｏ―メトキシカルボニルフェニル）オキシカルボニ
ル安息香酸（２′―メトキシカルボニルフェニル）エス
テル、４―（ｏ―メトキシカルボニルフェニル）オキシ
カルボニル安息香酸（２′―メトキシカルボニルエステ
ル）エステル、３―（ｏ―エトキシカルボニルフェニ
ル）、オキシカルボニル安息香酸（２′―メトキシカル
ボニルフェニル）エステルの如き、芳香族カルボン酸―
（２′―メトキシカルボニルフェニル）エステル、

【０２１５】（２―エトキシカルボニルフェニル）ベン
ゾエート、４―メチルベンゾイル―（２′―エトキシカ
ルボニルフェニル）エステル、４―エチルベンゾイル―
（２′―エトキシカルボニルフェニル）エステル、４―
ｎ―ブチルベンゾイル（２′―エトキシカルボニルフェ
ニル）エステル、４―ｔ―ブチルベンゾイル―（２′―
エトキシカルボニルフェニル）エステル、ナフトエ酸―
（２′―エトキシカルボニルフェニル）エステル、４―
ノニル安息香酸（２′―エトキシカルボニルフェニル）
エステル、４―クミル安息香酸（２′―エトキシカルボ
ニルフェニル）エステル、４―メトキシ安息香酸（２′
―エトキシカルボニルフェニル）エステル、４―エトキ
シ安息香酸（２′―エトキシカルボニルフェニル）エス
テル、４―ｎ―ブトキシ安息香酸（２′―エトキシカル
ボニルフェニル）エステル、４―ｔ―ブトキシ安息香酸
（２′―エトキシカルボニルフェニル）エステル、４―
ノニルオキシ安息香酸（２′―エトキシカルボニルフェ
ニル）エステル、４―クミルオキシ安息香酸（２′―エ
トキシカルボニルフェニル）エステル、２―メトキシカ
ルボニル安息香酸（２′―エトキシカルボニルフェニ
ル）エステル、４―エトキシカルボニル安息香酸（２′
―エトキシカルボニルフェニル）エステル、３―（ｏ―
メトキシカルボニルフェニル）オキシカルボニル安息香
酸（２′―エトキシカルボニルフェニル）エステル、４
（ｏ―メトキシカルボニルフェニル）オキシカルボニル
安息香酸（２′―エトキシカルボニルフェニル）エステ
ル、３―ｏ―メトキシカルボニルフェニル）オキシカル
ボニル安息香酸（２′―エトキシカルボニルフェニル）
エステル、の如き、芳香族カルボン酸―（２′―エトキ
シカルボニルフェニル）エステルを挙げることができ
る。

【０２１６】上記式（Ｖ）で表わされる化合物として
は、とりわけ２―メトキシカルボニルフェニルベンゾエ
ート、４―クミル安息香酸―（２′―メトキシカルボニ
ルフェニル）エステル、２―エトキシカルボニルフェニ
ルベンゾエート、４―（ｏ―メトキシカルボニルフェニ
ル）オキシカルボニル安息香酸（２′―メトキシカルボ
ニルフェニル）エステルが好ましい。

【０２１７】本発明方法では、上記式（Ｖ）で表わされ
る化合物はポリカーボネートに添加され、下記反応式

【０２１８】

【化５３】

【０２１９】で示されるように、ポリカーボネートの末
端ＯＨ（〜ＯＨ）と反応してポリカーボネート末端を封
鎖する。末端封鎖を速かに且つ高収率で実施するために
は、生成した２―置換フェノールを留去しつつ行うのが
好ましい。

【０２２０】上記式（Ｖ）で表わされる化合物は、芳香
族ジヒドロキシ化合物とジフェニルカーボネートとを溶
融重縮合せしめて、ポリカーボネートの固有粘度が少な
くとも０．３ｄｌ／ｇに達した後添加される。添加後
は、ポリカーボネートの末端封鎖が速かに進行するの
で、ポリカーボネートの固有粘度の変化は０．１ｄｌ／
ｇの範囲内であり末端水酸基濃度は０〜３０モル％と低
い水準におさえる事ができる。

【０２２１】上記式（Ｖ）で表わされる化合物は、ポリ
カーボネートの末端水酸基１当量当り、好ましくは０．
５〜２モル、より好ましくは０．７〜１．５モル、特に
好ましくは０．８〜１．２モルの割合で用いられる。

【０２２２】ポリマー中の末端水酸基濃度は剤添加に先
だち、毎回測定確認するのが好ましい。同一重縮合条件
で連続して、重縮合を実施する時は先行する重縮合時に
於て得られた水酸基濃度を便宜上そのまま使用しても良
い。

【０２２３】上記末端封止反応を実施するには、触媒が
必要であり、該触媒としては重縮合反応に使用する触媒
が、そのまま好ましく使用される。

【０２２４】特にポリカーボネート重縮合が終了した時
点で、ポリマーが未だ溶融状態に有る時末端封止反応を
実行するのが好ましい。したがって末端封止反応を行な
う時点は重縮合終了時点よりＡ成分スルホン酸系化合物
添加前でなくては成らない。又上述した時点であれば好
ましくは末端封止反応を実施出来る。

【０２２５】ポリカーボネート重縮合後、Ａ成分を添加
した後でも末端封止反応に使用する触媒を新たにポリカ
ーボネート中に添加すれば同様に末端封止しうる事は可
能である。

【０２２６】又本発明においては、末端封止前、末端封
止途中、封止終了後の内少なくともいずれかにおいて、
Ｂ成分、Ｃ成分、Ｄ成分及びその他各種公知の添加剤を
加える事が出来る。例えばチオエーテル系安定剤、ヒン
ダードアニン系安定剤、エポキシ系安定剤、サリチル酸
系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤離
型剤、着色剤、帯電防止剤活剤、防曇剤、天然油合成
油、ワックス有機系無期系充填剤当を添加する事が出来
る。

【０２２７】ポリカーボネートの製造について 芳香族ジオールとジフェニルカーボネート（以下ＤＰＣ
と略す）との重縮合反応によるポリマーの製造は、従来
公知の通常の方法と同様な条件下で行うことが出来る。

【０２２８】具体的には第一段目の反応を８０〜２５０
℃、好ましくは１００〜２３０℃、更に好ましくは１２
０〜１９０℃の温度で、０．５〜５時間、好ましくは１
〜４時間、更に好ましくは１．５〜３時間、減圧下、芳
香族ジオールとＤＰＣとを反応させる。次いで反応系の
真空度を高めながら、反応温度を高めて、芳香族ジオー
ルとＤＰＣとの反応を行い、最終的には５Ｔｏｒｒ以
下、好ましくは１Ｔｏｒｒ以下の減圧下で２４０〜３２
０℃で芳香族ジオールとＤＰＣとの重縮合交換反応を行
う。

【０２２９】本発明において末端封止剤を添加する前
の、ポリカーボネートの水酸基末端を全末端に対して反
応速度の観点より７５〜３５モル％、好ましくは７０〜
４０モル％、更に好ましくは６０〜４０モル％に制御す
る事が好ましい。かくする事により、最終的に末端水酸
基を低い割合に制御でき、ポリマーの改質効果を高める
事が出来る。

【０２３０】ここでポリマーの一定量における末端水酸
基のモル数は、例えば１Ｈ―ＮＭＲにより決定出来る。
又ポリマーの水酸基末端の割合は、原料である芳香族ジ
オールとＤＰＣとの仕込み比によっても又コントロール
する事が出来る。

【０２３１】本発明においてＡ成分、Ｂ成分、Ｃ成分、
Ｄ成分、末端封止剤が提供される供給機及び末端封止反
応を行う反応器には、特に制限はない。

【０２３２】又Ａ成分、Ｂ成分、Ｃ成分、Ｄ成分、末端
封止剤の添加方法に関しては特には、制限はなく、固体
のまま添加しても、各種溶剤に溶解してから添加しても
よい。また、末端封鎖剤はポリマーの固有粘度が０．３
に到達した以後であれば、一度に所定量をまとめて加え
ても、数度かに分けて加えてもかまわない。

【０２３３】すなわち、末端封鎖剤はポリマーの固有粘
度が少なくとも０．３ｄｌ／ｇに到達した後に添加され
る。

【０２３４】本発明においては、末端を封鎖する前のポ
リカーボネート（プレポリマー）に含まれる、ポリマー
と共有結合していない遊離塩素の量を低く、好ましくは
５０ｐｐｍ以下、より好ましくは５ｐｐｍ以下に抑える
ことが有利である。

【０２３５】これより遊離の塩素の量が多いと、末端封
鎖反応に関わる触媒活性が低下し易く、末端の封鎖が迅
速かつ十分に達成され難くなるので好ましくない。

【０２３６】また、塩素の量が多いと、得られたポリマ
ーの色相、安定性に悪影響を与えるため、好ましくな
い。

【０２３７】プレポリマー中に含まれる塩素の量を低い
レベルに抑制することは、原料中に含まれる塩素の量を
低いレベルに抑えることにより達成されうる。

【０２３８】また、本発明においては、末端を封鎖する
前のポリカーボネートに含まれる鉄の量も低く、例えば
１ｐｐｍ以下、より好ましくは０．７ｐｐｍ以下に抑え
ることが有利である。

【０２３９】これよりも鉄の量が多いと、末端改質反応
に関わる触媒の活性が低下し易く、末端封鎖が迅速かつ
十分に達成され難くなるので好ましくない。また、鉄の
量が多いと、得られたポリマーの色相、安定性に悪影響
を与えるため、好ましくない。

【０２４０】プレポリマー中に含まれる鉄の量を低いレ
ベルに抑制することは、原料中に含まれる鉄の量を低い
レベルに抑え、製造プロセス全般にわたり、鉄の混入を
防ぐことにより達成されうる。

【０２４１】末端封鎖剤の添加後は、少なくとも、反応
により生成するフェノール類を除去すべく減圧条件が好
ましい。具体的には５０Ｔｏｒｒ以下、さらに好ましく
は１０Ｔｏｒｒ以下である。通常は０．０１〜１００Ｔ
ｏｒｒの範囲で実施することが好ましい。

【０２４２】末端封鎖剤添加後の反応温度は、通常２５
０〜３６０℃、好ましくは２６０〜３４０℃の範囲であ
り、この範囲よりも低い温度ではポリマーが溶融せず、
この範囲よりも高い温度ではポリマーが分解、着色し、
好ましくない。反応時間としては、通常１〜３０分、好
ましくは１〜２０分であり、所望により１〜１５分でも
可能である。

【０２４３】本発明においては、末端封鎖した後のポリ
マー中に含まれる残存フェノール類を低いレベルに抑え
ることができる。

【０２４４】末端封鎖反応後のポリマー中の残存フェノ
ール類の濃度しては、３００ｐｐｍ以下、より好ましく
は２００ｐｐｍ以下である。この濃度よりも残存フェノ
ール類が多いと、分子量の低下や着色がおこりやすく、
好ましくない。

【０２４５】上記のような重縮合反応は、連続式で行っ
てもよく、バッチ式で行ってもよい。また上記の反応を
行うに際して用いられる反応装置は槽型であっても管型
であっても塔型であってもよい。

【０２４６】本発明では得られるポリカーボネートに本
発明の目的を損なわない範囲で通常の耐熱安定性、紫外
線吸収剤、離型剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤、防曇
剤、天然油、合成油、ワックス、有機系充填剤、無機系
充填剤などを添加してもよい。

【０２４７】さて、本発明者の研究によれば、上記式
（Ｖ）で表わされる化合物の中の特定の化合物を含むあ
る種の化合物は、ポリカーボネートの２分子を１分子に
よって、有利に末端封鎖することができ、その結果ポリ
カーボネートの重合度を顕著に向上させる作用、すなわ
ち重合促進作用を得ることが明らかにされた。

【０２４８】それ故、本発明によれば、第２に、芳香族
ジヒドロキシ化合物とジフェニルカーボネートを溶融重
縮合せしめてポリカーボネートを製造する方法におい
て、ポリカーボネートの固有粘度が少くとも０．３ｄｌ
／ｇに達したのち、下記式（VI）

【０２４９】

【化５４】

【０２５０】ここで、Ｒ¹ は塩素原子、メトキシカルボ
ニルまたはエトキシカルボニルであり、Ｘは酸素原子ま
たは下記式

【０２５１】

【化５５】―Ｒ―ＣＯＯ― ［ここで、Ｒは炭素数１〜３０のアルキレン基または炭
素数６〜３０のアリーレン基である、で表わされる基で
あり、そしてＲ³ は塩素原子、メトキシカルボニルまた
はエトキシカルボニルである］で表わされる化合物を添
加して、添加時の固有粘度より０．１を超えて高い固有
粘度を示すポリカーボネートを生成せしめることを特徴
とする、高められた固有粘度を示すポリカーボネートの
製造法が同様に提供される。

【０２５２】上記式（VI）で表わされる重合促進剤は、
固有粘度が少くとも０．３ｄｌ／ｇに達したポリカーボ
ネートに添加され、添加時のポリカーボネートの固有粘
度よりも０．１ｄｌ／ｇを超えて大きい固有粘度のポリ
カーボネートを与える。

【０２５３】上記式（Ｖ−３）で表わされる重合促進剤
は、添加時の末端水酸基１当量当り、好ましくは約０．
３〜約０．７モル、より好ましくは約０．４〜約０．６
モル、特に好ましくは約０．４５〜約０．５５モルの割
合で添加される。

【０２５４】重合促進剤は、ポリカーボネートに添加さ
れ、下記反応式

【０２５５】

【化５６】

【０２５６】で表わされるように、ポリカーボネートの
末端ＯＨ（〜ＯＨ）と反応にポリカーボネート２分子を
カップリングさせる。

【０２５７】反応は上記反応式に示されているとおり、
２分子の２―置換フェノールを生成するので、カップリ
ングを速かにかつ高収率で実施するためには、生成した
２―置換フェノールを留去しつつ行うのが好ましい。

【０２５８】カップリングが終了した時点で、好ましく
は固有粘度が０．４を超え１．０ｄｌ／ｇ未満、より好
ましくは固有粘度が０．４１〜０．８ｄｌ／ｇであるポ
リカーボネートが生成される

【０２５９】

【実施例】以下、実施例に基づき、本発明をより詳細に
説明するが本発明はこれらの実施例により限定されるも
のではない。実施例においてポリマー物性測定は以下の
方法によって測定した。

【０２６０】１）固有粘度［η］；塩化メチレン中２０
℃でウベローデ粘度計で測定した。

【０２６１】２）末端水酸基濃度；サンプル０．０２ｇ
を０．４ｍｌのクロロホルムに溶解し、２０℃で１Ｈ―
ＮＭＲ（日本電子社製ＥＸ―２７０）を用いて末端水酸
基および末端フェニル基を測定し、下記の式により末端
水酸基濃度を測定した。 末端水酸基濃度（モル％）＝（末端水酸基濃度／全末端
数）×１００

【０２６２】３）ポリマーの安定性； ア）短期安定性；ポリマーを３４０℃で１５分間空気中
加熱し［η］低減率及び色相変化により評価した。 イ）長期安定性；ポリマーを１５０℃＊５００ｈｒ熱老
化後の［η］低減率、色相変化及びヘーズ値によって評
価した。

【０２６３】４）ポリマー湿熱安定性：ポリマーを１２
０℃＊１００ｈｒ飽和水蒸気下保持ポリマーの［η］低
減率を測定した。

【０２６４】５）金型汚れ性；所定添加剤添加したポリ
マーにつき住友重機製ＤＩＳＫ３成型機及び溝深さ１９
３ｎｍのＣＤ―Ｒ用スタンパーＣＤ―Ｒディスクを成形
した。 シリンダー温度；３４０℃、金型温度；１０５℃ ５０Ｋ枚成形時スタンパの汚れを目し判定した。 ◎；良好汚れ認めがたし ○；良好汚れ極めて小 △；不良汚れやや認められる ×；不良汚れ明瞭に認められる

【０２６５】［実施例１］ ［ポリマーの製造］ビスフェノールＡ、２２８重量部、
ＤＰＣ２２０重量部及び以下の表１示す種類、量の触媒
を攪拌装置、蒸留塔及び減圧装置を備えた反応槽に仕込
み窒素置換した後、１４０℃で溶解した。３０分間攪拌
後、内温を１８０℃に昇温し、内圧１００ｍｍＨｇで３
０分間反応させ、生成するフェノールを留去した。

【０２６６】ついで内温を２００℃に昇温しつつ徐々に
減圧し５０ｍｍＨｇで３０分間フェノールを溜去しつつ
反応させた。更に２２０℃、３０ｍｍＨｇ間で徐々に昇
温、減圧し、同温、同圧で３０分間、更に２４０℃、１
０ｍｍＨｇ、２６０℃、１ｍｍＨｇ、２７０℃、１ｍｍ
Ｈｇ以下にまで上記と同じ手順で昇温、減圧を繰り返し
反応を続行した。

【０２６７】最終的に同温、同圧で重合反応を継続しポ
リカーボネートの固有粘度が約０．３５程度になった時
点で、ポリマーを一部採取し測定した固有粘度、末端水
酸基濃度を以下の表１中に示す。

【０２６８】［末端封止反応］該ポリカーボネート１０
０重量部当たり末端封止剤（２―メトキシカルボニルフ
ェニル―フェニル―カーボネート）所定量を５０ｍｍＨ
ｇの減圧下２７０℃で添加した。その後２７０℃、１ｍ
ｍＨｇ以下で５分間末端封止反応を継続した。

【０２６９】［安定剤の添加］上記ポリマー１００重量
部当たり表１中記載の安定剤（Ａ成分〜Ｄ成分）を添加
し、、同温、同圧にて１０分間攪拌し、２軸ルーダーで
押しだしチップ化した。得られたポリカーボネートの短
期安定性、長期安定性、ポリマー湿熱安定性、金型汚れ
性を以下の表１中に示す。

【０２７０】［実施例２〜６、比較例１〜３］以下同様
に表１〜表３に記載の触媒量、安定剤添加量で同様にポ
リカーボネート組成物を得た。得られたポリカーボネー
トの短期安定性、長期安定性、ポリマー湿熱安定性、金
型汚れ性を以下の表１〜表３中に示す。

【０２７１】

【表１】

【０２７２】

【表２】

【０２７３】

【表３】

【０２７４】

【発明の効果】本発明によれば、芳香族ポリカーボネー
トとスルホン酸化合物、燐酸エステル系化合物、および
亜燐酸エステル系化合物、さらに好ましくはフェノール
系抗酸化剤より、安定化された芳香族ポリカーボネート
組成物が得られる。即ち、短期的、長期的な安定性、す
なわち溶融成形時の着色、分子量低下、黒色異物の生
成、あるいは、熱水又は水蒸気雰囲気下での耐加水分解
性が良好な芳香族ポリカーボネート組成物が得られる。
さらに金型成形を行った場合の金型の汚れが少なく精密
成形に好適で成形操作効率の良好な芳香族ポリカーボネ
ート組成物を得ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ０８Ｋ 5/524 Ｃ０８Ｋ 5/524

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 芳香族ジオールと炭酸ジエステルとを、
   塩基性窒素化合物及びアルカリ金属化合物を含有するエ
   ステル交換触媒の存在下、溶融重縮合せしめて得られた
   芳香族ポリカーボネート、１００重量部と Ａ成分；スルホン酸化合物 １＊１０^-6〜０．１重量
   部， Ｂ成分；燐酸エステル系化合物 ０．０００５〜０．
   ０１５重量部， 及びＣ成分；亜燐酸エステル系化合物 ０．０００５〜
   ０．０３重量部， とから成る、安定化された芳香族ポリカーボネート組成
   物。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の芳香族ポリカーボネー
   ト組成物前にＤ成分；フェノール系抗酸化剤 ０．００
   ０５〜０．０５重量部をさらに含有する請求項１に記載
   の安定化された芳香族ポリカーボネート組成物。
3. 【請求項３】 Ａ成分のスルホン酸化合物が、下記の式
   （Ｉ）〜（IV）で表わされる化合物よりなる群から選ば
   れる少なくとも１種のスルホン酸化合物であることを特
   徴とする請求項１または２のいずれかに記載の安定化さ
   れた芳香族ポリカーボネート組成物。 【化１】 Ａ¹―（Ｙ¹ ―ＳＯ₃ Ｘ¹）_m ・・・（I） ［ここで、Ａ¹ は置換基を有していてもよいｍ価の炭化
   水素基であり、Ｙ¹ は単結合または酸素原子であり、Ｘ
   ¹ は２級または３級の１価の炭化水素基、１当量の金属
   カチオン、アンモニウムカチオンまたはホスホニウムカ
   チオンであり、ｍは１〜４の整数である。但しＹ¹ が単
   結合で有るときｍ個のＸ¹ の全てが１当量の金属カチオ
   ンであることはない。］ 【化２】⁺ Ｘ²−Ａ²−Ｙ¹−ＳＯ₃ ^- ・・・（II） ［ここで、Ａ² は２価の炭化水素基であり、 ⁺Ｘ² は２
   〜４級のアンモニウムカチオンまたは２〜４級のホスホ
   ニウムカチオンであり、Ｙ¹ の定義は上記に同じであ
   る。］ 【化３】 Ａ³−（⁺Ｘ³）_n・（Ｒ−Ｙ¹−ＳＯ₃ ^-）_n ・・・(III) ［ここで、Ａ³ はｎ価の炭化水素基であり、 ⁺Ｘ³ は２
   〜４級のアンモニウムカチオンまたは２〜４級のホスホ
   ニウムカチオンであり、Ｒは１価の炭化水素基であり、
   ｎは２〜４の整数であり、Ｙ¹ の定義は上記に同じであ
   る。］ 【化４】 Ａ⁵ −Ａｄ¹−Ａ⁴ −（Ａｄ²−Ａ⁵）_k ^{・・・(IV)} ［ここで、Ａ⁵ は１または２価の炭化水素基であり、Ａ
   ⁴ は２価の炭化水素基であり、Ａｄ¹ およびＡｄ² は、
   同一もしくは異なり―ＳＯ₂―Ｏ―ＳＯ₂―、―ＳＯ₂―
   Ｏ―ＣＯ―または―ＣＯ―Ｏ―ＳＯ₂―から選ばれる酸
   無水物基であり、ｋは０または１である。但し、ｋが０
   のとき、―（Ａｄ² ―Ａ⁵ ）k は水素原子を表わすかあ
   るいはＡ⁴ とＡ⁵ とを結合する結合手を表わす（この場
   合、Ａ⁵ は２価の炭化水素基または単結合である）。］
4. 【請求項４】 溶融重縮合により芳香族ポリカーボネー
   トを製造するに際し、エステル交換触媒として、芳香族
   ジオール１ｍｏｌ当たりの使用量が 塩基性窒素化合物 １０〜５００μｍｏｌ アルカリ金属化合物 ０．０１〜１０μｍｏｌ であることを、特徴とする請求項１〜３のいずれかに記
   載の安定化された芳香族ポリカーボネート組成物。
5. 【請求項５】 前記芳香族ポリカーボネートが下記式
   （Ｖ）で表わされる化合物の少なくとも１種の化合物に
   より、末端封止された芳香族ポリカーボネートであるこ
   とを特徴とする１〜４のいずれかに記載の、安定化され
   た芳香族ポリカーボネート組成物。 【化５】
6. 【請求項６】 芳香族ポリカーボネートの分子末端が主
   として―Ｏ―Ａｒ（アリルオキシ）基、―Ａｒ′―ＯＨ
   （ヒドロキシ）基よりなり、かつ該―Ａｒ′―ＯＨ（ヒ
   ドロキシ）基末端が全末端にしめる割合が、０〜３０ｍ
   ｏｌ％（０；含まず）であることを特徴とする請求項１
   〜５項のいずれかに記載の、安定化された芳香族ポリカ
   ーボネート組成物。