JP5181702B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板の製造方法に関するものである。ここで言う配線基板とは、少なくとも１層の樹脂層を有し、その底面に配線パターンを有し、この配線パターンを底面とするビアを備えた基板を意味する。配線基板は、樹脂層を少なくとも一層有しておればよく、樹脂層が複数層積層された多層基板でもよいし、樹脂層中に回路部品が埋設された部品内蔵基板でもよい。また、樹脂層をセラミック基板に対して積層した複合基板でもよい。なお、以下の説明においてビアとはビアホールに導電部が形成されることにより導通性を帯びた状態を意味するものとする。

近年、部品の高密度実装化に伴い、複数の配線パターンを多層に形成した多層配線基板が用いられている。このような多層配線基板の配線パターンの微細化も進んでおり、樹脂層に形成されたビアとビア底面の配線パターンとの接続信頼性が課題となっている。

図８は一般的なビアホールの形成方法を示す。図８において、基材４０上には配線パターン（ランド４１，４２）が銅箔やめっきなどによって形成され、基材４０上に樹脂層４３が形成されている。一方のランド４１には回路部品４４が実装されており、この回路部品４４は樹脂層４３の中に埋設されている。他方のランド４２と対応する樹脂層４３の部位にビアホール４５が形成されている。ビアホール４５に導通性を持たせるため、ビアホール４５の中に導電性ペースト４６を充填し、硬化させる。その後、樹脂層４３の上面に配線パターン（図示せず）を形成することで、樹脂層４３の上面と下面との導通を図っている。

上述のようにビアホール４５はランド４２を底面として持つ有底の穴であり、このような有底のビアホール４５をレーザー加工により形成した場合、ビアホール４５の形状がテーパ状となる。その理由は、表面が平滑なランド４２にレーザーが照射されると、レーザーがほぼ正反射に近い状態で反射してビアホール４５の内壁を切削するため、反射方向に向かって末広がり状のテーパとなるからである。テーパ状のビアホール４５の場合、開口部の口径Ｄ１に比べて底部の口径Ｄ２が小さくなるため、ビアホール底部での接続不良を防止するためには開口部の口径Ｄ１を大きくする必要がある。その結果、ビア間ピッチを狭ピッチ化できず、配線基板の小型化、配線パターンのファイン化の妨げになるという課題がある。特に、回路部品４４を内蔵した配線基板の場合、樹脂層４３の厚みが厚くなるため、ビアホール４５のアスペクト比が高くなり、ビアホール底面の口径Ｄ２を十分に確保するには、開口部の口径Ｄ１をさらに拡大する必要がある。

このような課題を解決するため、特許文献１には、樹脂層に形成されたビアホールを下端の口径が広い形状とすることによって、ビアとビアランドとの接触面積を大きくし、接続信頼性を向上させた配線基板の製造方法が開示されている。図９に特許文献１に示された配線基板の構造を示す。配線層５０上に互いに樹脂成分の異なる第１の樹脂層５１と第２の樹脂層５２とをこの順に積層し、第１の樹脂層５１および第２の樹脂層５２に配線層５０を底面とするビアホール５３を形成する。その後、デスミア液等の処理液によって第１の樹脂層５１のビアホール５３に露出する側面を選択的に溶解させることにより、ビアホール５３の底部に拡径部５３ａを形成した後、ビアホール５３内に導電材料５４を充填している。

しかしながら、特許文献１の場合、処理液により第１の樹脂層５１を溶解させる際、溶解する第１の樹脂層５１の領域に限界がないため、処理液の濃度、処理時間、温度などによって溶解度合いが異なり、拡径部５３ａの内径にばらつきが発生したり、拡径部５３ａの内径が必要以上に拡大する恐れがあった。特に、配線の微細化に伴って配線層５０の幅寸法が小さくなる傾向にあるため、拡径部５３ａの口径が必要以上に拡大すると、導電材料５４が配線層５０からはみ出るといった不具合が発生する可能性がある。そのため、処理液による第１の樹脂層５１の溶解条件を厳密に管理する必要があり、製造コストを上昇させる懸念があった。また、第１の樹脂層５１と第２の樹脂層５２とが成分の異なる材料よりなるため、処理液に対する溶解性だけでなく、第２の樹脂層５２との密着性をも考慮して第１の樹脂層５１の材料を選択しなければならず、選択の自由度も低いという問題があった。
特開２００６−２５３１８９号公報

そこで、本発明の目的は、ビアとビアランドとの接続信頼性を向上させるとともに、ビアホールの拡径部を簡単に形成できる配線基板の製造方法を提供することにある。

本発明に係る配線基板の製造方法は、基材上に、乱反射加工が施されたビアランドを含む配線パターンを形成する工程と、前記基材上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層にレーザーを照射することにより前記ビアランドに至るビアホールを形成すると同時に、前記ビアランドでレーザーを前記ビアホールの内壁に向かって乱反射させることにより、前記ビアホールの底部を拡径させる工程と、前記ビアホールに導電部を形成し、当該導電部を前記ビアランドと導通させる工程と、を備え、前記ビアランドは前記樹脂層に向かって凸形状を有していることを特徴とするものである。

ここで、本発明にかかる配線基板の製造方法について説明する。まず基材上にビアランドを含む配線パターンを形成する。基材としては、プリント配線板のような樹脂基板であってもよいし、セラミック基板であってもよく、さらには金属板又は樹脂フィルムのようなキャリアであってもよい。配線パターンの形成方法も基材の種類に応じて任意に選択できる。キャリアの場合には、配線パターンをキャリアに貼設された金属箔とし、キャリアに樹脂層を圧着硬化させた後、キャリアを剥離すればよい。この場合には、樹脂層（硬化後）の表面に金属箔よりなる配線パターンが形成される。

ビアランドには、後述するレーザーを乱反射させるための乱反射加工が施されている。このような乱反射加工としては、例えばビアランドを樹脂層に向かって凸形状としてもよい。その場合には、レーザーがビアホールの底部周辺に向かって反射しやすくなり、拡径しやすくなる。さらに、ビアランドを球面状とすれば、さらに乱反射の方向が分散され、拡径部の偏りを無くすことができるとともに、乱反射によって切削されたビアホール底部の口径が緩やかに変化するため、導電ペーストの充填性が向上する。乱反射加工として、ビアランドを凸形状とする場合だけでなく、ビアランドの表面に微小な凹凸を形成してもよい。例えばビアランドを導電性ペーストを焼成した焼結金属で構成した場合には、焼結に伴って導電ペースト内の樹脂成分が消失するため、ビアランドの表面に凹凸が形成される。このような凹凸は、レーザー光の波長より十分に大きいので、乱反射させることが可能である。

次に、基材上に樹脂層を形成する。樹脂層の形成方法としては、未硬化（例えばＢステージ）の樹脂層を基材に加熱・加圧することにより、基板と接合し一体化させればよい。

次に、樹脂層にレーザーを照射することにより、ビアランドに至るビアホールを形成する。上述のようにビアランドには予め乱反射加工が施されているので、ビアホールを通過したレーザーがビアランドで乱反射し、反射レーザーがビアホールの内壁を種々の方向に切削する。そのため、ビアホールの底部が拡径される。ビアホールの底部の拡径部の大きさは、レーザーの出力又は照射時間によって調整できる。

レーザー加工後のスミアをデスミア液等によって除去した後、ビアホール内に導電部を形成し、導電部をビアランドと導通させる。ビアホールの底部は拡径されているため、ビア接続界面の接触面積を増やすことができ、ビアとビアランドとの接続信頼性を高めることができる。導電部の形成方法としては、例えば導電性ペーストをビアホールに充填し、硬化させてもよいし、ビアホールの内面に導電性めっきを施した後、ビアホールに樹脂材料を充填してもよい。この樹脂材料は絶縁性樹脂であってもよい。その後、樹脂層の上に配線パターンを形成することにより、その配線パターンとビアホールとを接続することができる。

樹脂層を形成する前に、基材上の配線パターンに回路部品を実装しておき、樹脂層を形成する工程において、基材上に未硬化の樹脂層を圧着することにより、樹脂層に回路部品を埋設してもよい。このような部品内蔵型の配線基板の場合、樹脂層の厚みが厚くなるので、ビアホールのアスペクト比も高くなり、ビアホールの底部口径が小さくなりやすい。このような場合に、本発明の手法を用いてビアホールの底部口径を拡大することにより、ビアとビアランドとの接続信頼性を高めることができる。

以上のように、本発明に係る配線基板の製造方法によれば、ビアランドでレーザーを乱反射させることによりビアホールの底部内径を拡張するようにしたので、ビア接続界面における導電部とビアランドとの接続信頼性を高めることができる。そのため、テーパ状のビアホールであっても、その開口部の口径を大きくする必要がなく、小型で高アスペクトなビアを高密度（狭ピッチ）で形成できる。

従来（特許文献１）では、第１の樹脂層を溶解させる処理液の濃度、処理時間、温度などによって溶解度合いが異なので、ビアホールの底部内径にばらつきが発生する懸念があり、処理液による第１の樹脂層の溶解条件を厳密に管理する必要があったが、本発明では、ビアホールを加工するレーザーによって拡径部も自動的に形成されるので、一般的なレーザー加工条件でビアホールの底部面積を拡大でき、厳密な管理を必要としない。さらに、特許文献１のように２種類の成分の異なる樹脂層を使用する必要もなく、低コストで製造できる。

以下に、本発明の好ましい実施の形態を、実施例を参照して説明する。

図１は本発明にかかる配線基板の第１実施例の構造を示す断面図である。本実施例の配線基板Ａは、基材であるコア基板１と、回路部品７を内蔵した樹脂層１０との２層構造となっている。

コア基板１の表面には配線パターンを構成する複数のランド２ａ，２ｂと配線２ｃとが形成され、実装用ランド２ａの上に回路部品７が実装されている。この例では、回路部品７は実装用ランド２ａにはんだ付けされた表面実装部品であるが、ランド２ａにバンプを介してフェースダウン実装された集積回路素子のような多端子電子部品であってもよい。ランド２ｂはビアランドであり、後述するビアホール内に充填される導電材料１２と接続されている。ビアランド２ｂの表面には、レーザーを乱反射させるための乱反射面２ｂ１が形成されている。乱反射面２ｂ１は、例えば微小な凹凸面で構成されている。コア基板１の裏面にも配線パターン３ａ，３ｂが形成されている。コア基板１の内層には電極４が設けられており、内層電極４と表裏の配線パターンとを接続するビア５が形成されている。表裏面の配線パターン２ａ〜２ｃ、３ａ，３ｂはめっき法により形成された電極であってもよいし、銅箔をパターン形成したものでもよい。すなわち、コア基板１としてプリント配線板（ガラス布に熱硬化性樹脂を含浸させ、両面に銅箔を接合したもの）を使用してもよい。

コア基板１として例えばＬＴＣＣ（低温焼結セラミック）よりなるセラミック多層基板１を用いた場合には、その表裏面の配線パターン２ａ〜２ｃ、３ａ，３ｂ及び内層電極４、ビア５として導電性ペーストを用い、これをセラミック多層基板１と一体焼成してなる焼結金属（厚膜電極）で構成することができる。このような焼結金属の場合、導電ペースト中の樹脂成分が消失することにより、ビアホール２ｂの表面には微小な凹凸２ｂ１が形成される。そのため、格別な加工を施さなくてもレーザーを乱反射させることが可能になる。なお、ビアランド２ｂがめっき膜や銅箔で構成されている場合でも、その表面を粗面加工することにより、レーザーを乱反射させることができる。

ビアランド２ｂの表面に微小な凹凸面を形成する以外に、図２のようにビアランド２ｂの中央部に凸部２ｂ２を形成してもよいし、図３のようにビアランド２ｂの表面に球面部又は曲面部２ｂ３を形成してもよい。凸部２ｂ２の形成方法としては、例えばコア基板１の上にめっきレジストを形成し、フォトリソ技術によってビアランド２ｂの上のめっきレジストに開口部を形成し、電解めっきによって開口部内に金属めっき層を成長させることにより、凸部２ｂ２を形成することができる。凸部２ｂ２や球面部２ｂ３を形成すると、レーザーが散乱しやすくなるので、拡径部をより効果的に形成できる。その他、レーザーを乱反射できるものであれば、凸部の形状は限定されない。

コア基板１の上面には樹脂層１０が形成され、回路部品７は樹脂層１０の中に埋設されている。樹脂層１０としては、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、熱硬化性樹脂に無機フィラーを混合した混合物、あるいはガラス繊維や炭素繊維に熱硬化性樹脂を含浸した複合物などが用いられる。樹脂層１０の形成方法としては、未硬化（例えばＢステージ）の樹脂層をコア基板１に加圧・加熱することにより、硬化させ、コア基板１と接合一体化させることができる。

樹脂層１０のビアランド２ｂと対応する位置には、表裏方向に貫通するビアホール１１が形成されている。ビアホール１１はレーザー加工により形成され、その入射側の口径が底部側（ビアランド側）の口径より大きなテーパ形状となるが、レーザーがビアランド２ｂの乱反射面２ｂ１で乱反射することにより、ビアホール１１の底部内壁が切削されるため、ビアホール１１の底部には口径が拡大した拡径部１１ａが形成されている。この拡径部１１ａを含むビアホール１１内には導電材料１２が充填されている。そのため、導電材料１２とビアランド２ｂとは電気的に接続されており、その接続面積がビアホール１１のレーザー加工時における底部面積より大きい。導電材料１２としては、導電性ペーストをビアホール１１内に充填、硬化させたものを使用することができる。上述のようにビアホール１１をレーザー加工した場合、その底部口径は入射側の口径より小さくなり、例えばアスペクト比が５のビアホールの場合、その底部口径は入射側の口径の約６０％になる。そのため、拡径部１１ａの口径は、接続信頼性を確保するため入射側の口径に対して８０〜１２０％の大きさであることが好ましい。小型化および接続信頼性の観点から、９０〜１００％の範囲であることがさらに好ましい。

導電性ペースト１２に代えて、図４に示すように、拡径部１１ａを含むビアホール１１内面にめっき層１２ａを施し、その内部空間に樹脂材料１２ｂを充填、硬化させてもよい。この場合の樹脂材料１２ｂとしては、樹脂層１０と同種材料を使用するのが望ましく、導電性あるいは絶縁性のいずれでもよい。

樹脂層１０の表面には、配線パターン１３ａ，１３ｂが形成され、その内の配線パターン１３ａは導電材料１２が充填されたビアホール１１上に形成されている。配線パターン１３ａ，１３ｂは、例えば樹脂層１０の表面全面に銅めっきを施し、この銅めっき層をフォトリソ加工によりパターニングするなど公知の方法で形成される。配線パターン１３ａ，１３ｂを形成することにより、コア基板１上のビアランド２ｂと樹脂層１０上の配線パターン１３ａとが電気的に接続される。なお、配線パターン１３ａ，１３ｂ上に回路部品などを実装してもよいし、さらなる樹脂層を積層してもよい。

次に、前記構成よりなる配線基板Ａの製造方法の一例を図５を参照して説明する。ここでは、子基板状態における配線基板Ａの製造方法について説明するが、実際には集合基板状態で製造され、その後で子基板に分割される。なお、図５ではコア基板１の構造を簡略化して示してある。

図５の（ａ）に示すように、コア基板１を準備し、ビアランド２ｂ上に乱反射面２ｂ１を形成するとともに、実装用ランド２ａに回路部品７を実装する。

次に、図５の（ｂ）に示すように、コア基板１の上に部品高さより厚い未硬化状態の樹脂層１０を重ねて圧着する。未硬化状態とは、半硬化（例えばＢステージ）状態あるいはそれより柔らかい状態のことをいう。樹脂層１０を圧着すると、軟化した樹脂が回路部品７とコア基板１との隙間に入り込み、回路部品７は樹脂層１０の中に埋設される。なお、圧着の際に真空プレスを行うと、樹脂層１０内部に気泡や空洞が生じるのを防止でき、樹脂の充填がより容易となる。樹脂層１０の圧着と同時または圧着後に加熱を行うことで、樹脂層１０が熱硬化し、コア基板１と樹脂層１０とが接合一体化される。このときの温度は例えば１５０℃〜２５０℃程度、圧力は例えば０．５ＭＰａ〜４．０ＭＰａ程度がよい。

次に、図５の（ｃ）に示すように、硬化した樹脂層１０の上からビアランド２ｂに向かってレーザーを照射し、樹脂層１０を貫通するビアホール１１を形成する。レーザーとしては、例えば炭酸ガスレーザーを使用できる。上述のようにレーザーがビアランド２ｂの乱反射面２ｂ１で乱反射するため、ビアホール１１の底部に拡径部１１ａが形成される。なお、レーザーの強度や照射時間を調整することにより、拡径部１１ａの大きさを調整可能である。レーザー加工後、デスミア処理又はプラズマ処理により、レーザー加工に伴うスミアを除去する。

次に、図５の（ｄ）に示すように、拡径部１１ａを含むビアホール１１内に、スクリーン印刷により導電性ペースト１２を充填し、例えば１５０〜２００℃に加熱して硬化させる。このとき、ビアホール１１の底部が拡径されているため、充填された導電性ペースト１２とビアランド２ｂとの接触面積が増大し、接続信頼性が高くなる。また、乱反射面２ｂ１の凹凸によって導電ペースト１２との密着性が向上するので、ビアランド２ｂと導電ペースト１２との接続信頼性がさらに向上する。硬化後、樹脂層１０の上面に配線パターン１３ａ，１３ｂを形成することで、配線基板Ａを完成する。

次の表は、ビア径とアスペクト比が異なるサンプルを作成し、ビアとビアランドとの接続信頼性（ＯＰＥＮ／ＳＨＯＲＴ）を検証したもので、◎は不良発生なし、△はＰＰＭ不良発生、×は接続不良多発を示す。表１はビアホール１１の底部に拡径部１１ａを設けた場合（本発明）、表２はビアホール１１の底部に拡径部１１を設けない場合（従来）である。なお、表１において拡径部１１ａの口径はビアホール１１の口径（レーザー入射側のビア口径）に対して８０〜１２０％の大きさとした。

表１，２から明らかなように、アスペクト比が上がると、接続不良が発生するが、本発明のようにビアホール１１の底部に拡径部１１ａを設けると、アスペクト比が２．０以下では不良が全く発生せず、４．０でも殆ど不良が発生していない。これに対し、ビアホール１１の底部に拡径部１１ａを設けていない場合、アスペクト比が２．０以下でも不良が発生し、４．０以上では不良が多発している。この結果から、ビアホール１１の底部に拡径部１１ａを設けることで、接続信頼性が向上したことがわかる。

本発明では、ビア形状の底面部のみを選択的に広げることにより、ビア接続界面の接触面積を増やすことができる。これにより、小型、高アスペクトなビアを高密度で形成可能となり、設計の自由度が増し、配線基板の小型、高密度化が可能になる。また、ビアランドに乱反射加工を施すだけであるから、従来のプロセスを大幅に変更することなく実施できる。

図６は本発明に係る配線基板の第２実施例を示す。第１実施例との対応部分には同一符号を付して重複説明を省略する。第２実施例の配線基板Ｂでは、コア基板１の下面に実装用ランド３ｃとビアランド３ｄとを含む配線パターンを設けるとともに、実装用ランド３ｃに別の回路部品２５を実装してある。この例の回路部品２５は集積回路素子のような多端子の電子部品であり、実装用ランド３ｃに対してバンプを介してフェースダウン実装されている。コア基板１の下面側には、別の樹脂層２０が接合一体化されている。樹脂層２０にはビアランド３ｄと対応する位置にテーパ状のビアホール２１が形成され、このビアホール２１の小径な底部、すなわちビアランド３ｄ側の端部には拡径部２１ａが形成されている。ビアホール２１の内部には導電性ペーストなどよりなる導電材料２２が充填されており、ビアランド３ｄと導通している。樹脂層２０の表面（下面）には別の配線パターン２３ａ，２３ｂが形成され、その内の配線パターン２３ａがビアホール２１の内部に形成された導電材料２２と接続されている。

配線基板Ｂの製造方法として、第１実施例と同様な構造の配線基板Ａを作製した後、この配線基板Ａの下面に回路部品２５を実装し、未硬化の樹脂層２０を圧着、硬化させてもよいが、コア基板１を間にしてその上下に未硬化の樹脂層１０，２０を配置し、一括して圧着、硬化させる方が好ましい。その場合、両方の樹脂層１０，２０を硬化させた後、レーザー加工によりビアホール１１，２１を加工することで、ビアランドでの乱反射によって拡径部１１ａ，２１ａを形成できる。その後、ビアホール１１，２１内に導電性ペースト１２，２２を充填、硬化させ、樹脂層１０，２０の表面にそれぞれ配線パターンを形成すれば、配線基板Ｂが完成する。この方法であれば、樹脂層１０，２０の圧着・硬化、導電性ペースト１２，２２の硬化をそれぞれ同時に実施できるため、作業時間を短縮できると共に、配線基板Ｂ全体の撓みを抑制できる利点がある。

図７は本発明に係る配線基板の第３実施例を示す。第１実施例との対応部分には同一符号を付して重複説明を省略する。第３実施例の配線基板Ｃでは、樹脂層１０の上にさらに樹脂層３０が積層されている。樹脂層１０の上面に形成された配線パターン１３ａ〜１３ｃのうち、配線パターン１３ａはビアランドであり、配線パターン１３ｃは回路部品３５が実装される実装用ランドである。樹脂層３０にはビアランド１３ａと対応する位置にテーパ状のビアホール３１が形成され、このビアホール３１の小径な底部、すなわちビアランド１３ａ側の端部には拡径部３１ａが形成されている。ビアホール３１の内部には導電性ペーストなどよりなる導電材料３２が充填されており、ビアランド１３ａと導通している。樹脂層３０の表面（上面）には別の配線パターン３３ａ，３３ｂが形成され、その内の配線パターン３３ａがビアホール３１の内部に形成された導電材料３２と接続されている。

配線基板Ｃの製造方法としては、第１実施例と同様な構造の配線基板Ａを作製し、この配線基板Ａの上面のビアランド１３ａに乱反射面を形成しておく。実装用ランド１３ｃに回路部品２５を実装した後、未硬化の樹脂層３０を圧着、硬化させる。その後、ビアホール３１をレーザー加工し、レーザーをビアランド１３ａで乱反射させることで、拡径部３１ａを形成する。その後、ビアホール３１内に導電性ペースト３２を充填・硬化させ、樹脂層３０の表面にそれぞれ配線パターン３３ａ，３３ｂを形成すれば、配線基板Ｃが完成する。この方法を繰り返すことにより、樹脂層をさらに多層化することもできる。

本発明は前記実施例に限定されるものではない。例えば、第１実施例〜第３実施例の製造方法を組み合わせて、異なる構造の配線基板を構成することもできる。また、第１〜第３の実施例ではコア基板１を使用したが、コア基板１を有しない配線基板を得ることもできる。その場合には、金属板又は樹脂板よりなるキャリア上に銅箔などによって配線パターンを形成し、実装用ランド上に回路部品を実装する。その後、キャリア上に未硬化の樹脂層を圧着、硬化させ、樹脂層にビアホールをレーザー加工し、拡径部を形成する。次に、ビアホール内に導電材料を充填、硬化させ、最後にキャリアを樹脂層から剥離すればよい。さらに、第１実施例１〜第３実施例を説明する図１〜図７においては、コア基板１に対してビアランド２ｂが凸となる形状が図示されているが、コア基板１にビアランド２ｂが埋設され、コア基板１とビアランド２ｂの表面が面一となっていても良い。少なくともコア基板１の表面からビアランド２ｂが露出し、その露出面に乱反射加工が施されていれば良い。

前記実施例では、樹脂層の中に回路部品を内蔵する例を示したが、必ずしも回路部品を内蔵する必要はない。また、樹脂層の硬化方法として、コア基板に対して圧着した際に完全硬化させる必要はなく、例えばコア基板に対して圧着した後では半硬化状態とし、導電材料を充填した後で完全硬化させてもよい。レーザー加工の段階において、それに適した状態に硬化させればよい。

本発明にかかる配線基板の第１実施例の断面図である。 ビアランドの乱反射部の他の例の部分断面図である。 ビアランドの乱反射部のさらに他の例の部分断面図である。 図１の配線基板のビア構造の他の例の部分断面図である。 図１の配線基板の製造工程を示す図である。 本発明にかかる配線基板の第２実施例の断面図である。 本発明にかかる配線基板の第３実施例の断面図である。 従来の配線基板の一例の構造を示す断面図である。 従来の配線基板の他の例の構造を示す断面図である。

符号の説明

Ａ〜Ｃ 配線基板
１ コア基板
２ａ 実装用ランド
２ｂ ビアランド
２ｂ１ 乱反射面
２ｂ２ 凸部
２ｂ３ 球面部
７ 回路部品
１０ 樹脂層
１１ ビアホール
１１ａ 拡径部
１２ 導電性ペースト
１３ａ ビアランド

Claims (5)

1. 基材上に、乱反射加工が施されたビアランドを含む配線パターンを形成する工程と、
   前記基材上に樹脂層を形成する工程と、
   前記樹脂層にレーザーを照射することにより前記ビアランドに至るビアホールを形成すると同時に、前記ビアランドでレーザーを前記ビアホールの内壁に向かって乱反射させることにより、前記ビアホールの底部を拡径させる工程と、
   前記ビアホールに導電部を形成し、当該導電部を前記ビアランドと導通させる工程と、を備え、
   前記ビアランドは前記樹脂層に向かって凸形状を有していることを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 前記ビアランドは球面状であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
3. 前記導電部は、前記ビアホールおよび前記拡径部に導電材料を充填することにより形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記導電部は、前記ビアホールおよび前記拡径部の表面に導電性めっきを施すことにより形成され、その後、前記ビアホール及び前記拡径部に樹脂材料が充填されることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
5. 前記樹脂層を形成する工程の前に、前記基材上の配線パターンに回路部品を実装する工程を有し、
   前記樹脂層を形成する工程において、前記基材上に未硬化の樹脂層を圧着することにより、前記樹脂層に前記回路部品を埋設することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。

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