JP5139989B2 - 光情報記録媒体及びアゾ金属錯体色素 - Google Patents

Description

本発明は、レーザ光を用いて情報の記録及び再生が可能な光情報記録媒体及び耐光性の極めて優れるアゾ金属錯体色素に関し、例えば波長４４０ｎｍ以下の短波長レーザ光を用いて情報を記録及び再生するのに好適なヒートモード型の光情報記録媒体及び光情報記録媒体の記録層に用いて好適なアゾ金属錯体色素に関する。

最近、インターネット等のネットワークやハイビジョンＴＶが急速に普及している。また、ＨＤＴＶ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）の放映も間近にひかえて、画像情報を安価簡便に記録するための大容量の記録媒体の要求が高まっている。前述のＣＤ−Ｒ及び、可視レーザ光（６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ）を記録用レーザ光として高密度記録を可能としたＤＶＤ−Ｒは、大容量の記録媒体としての地位をある程度まで確保しているものの、将来の要求に対応できる程の十分に大きな記録容量を有しているとはいえない。そこで、ＤＶＤ−Ｒよりもさらに短波長のレーザ光を用いることによって記録密度を向上させ、より大きな記録容量を備えた光ディスクの開発が進められており、例えば４０５ｎｍの青色レーザを用いたＢｌｕ−ｒａｙ方式と称される光記録ディスクが提供されている。

従来から、ＤＶＤ−Ｒ型の光ディスクにおいて、記録層に含有する色素化合物として、アゾ金属錯体色素が有利に用いられてきた（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４参照）。これらのアゾ金属錯体色素は、赤色レーザに対応した吸収波形を有しており、４０５ｎｍのレーザ光に対しては好ましくない。そこで、４０５ｎｍの青色レーザを用いた光記録ディスクにおいては、ＤＶＤ−Ｒで用いられたアゾ金属錯体に対して吸収波長の短波長化が検討され、特許文献５〜９等が公開されている。しかしながら、これら公報に記載の技術については色素溶液あるいは色素膜の最大吸収波長が示されているものの、耐光性や光情報記録媒体での記録再生特性の詳細が充分に記載されておらず、実際の保存性や記録再生特性については不明であった。

上述の特許文献５〜９に記載されているアゾ金属錯体について、色素膜の耐光性、及び青色レーザ対応光情報記録媒体の記録再生特性を評価した結果、耐光性及び記録再生特性（記録感度、２Ｔ ＣＮＲ）を同時に満足できるものは見つからなかった。

特開平１１−３１０７２８号公報 特開平１１−１３０９７０号公報 特開２００２−２７４０４０号公報 特開２０００−１６８２３７号公報 特開２００１−１５８８６２号公報 特開２００６−１４２７８９号公報 特開２００６−３０６０７０号公報 特開２００５−２９７４０６号公報 特開２００５−２９７４０７号公報

本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、良好な溶解性、良好な記録再生特性を示し、且つ、極めて高い耐光性を持つ光情報記録媒体（特に、波長が４４０ｎｍ以下のレーザ光照射による情報の記録が可能な光情報記録媒体）及び該光情報記録媒体を製造することができるアゾ金属錯体色素を提供することを目的とする。

本発明の他の目的は、極めて耐光性に優れ、且つ、熱安定性に優れるアゾ金属錯体色素を提供することにある。

本発明では、特定のアゾ色素及び合成法を選択することにより、アニオン性のアゾ金属錯体を得ている。カチオン性、中性、及びアニオン性のアゾ金属錯体について、金属イオンと配位子で形成される結合に着目すると、カチオン性＜中性＜アニオン性の順に共有結合性の高い結合の数が増加することから、金属イオンの配位子場分裂が大きくなる（講談社サイエンティフィク、新版錯体化学、基礎錯体工学研究会／編、ｐ．３０〜ｐ．４２参照）と考えられる。また、金属イオンと配位子とで形成される環は、二座キレートの場合に５員環が最も安定である（講談社サイエンティフィク、新版錯体化学、基礎錯体工学研究会／編、ｐ．８４参照）ことから、３座のアゾ色素（配位子）と金属イオンとで形成される環２つを、両方とも５員環にすれば、金属イオンとアゾ色素（配位子）との結合がより強固となり、金属イオンの配位子場分裂が大きくなる可能性があると考えた。これにより、「アゾ配位子のπ−π^*遷移」と「金属イオンのｄ−ｄ^*遷移」の間の相互作用が大きくなると考えられる。その結果、金属イオンのｄ−ｄ^*遷移状態からのエネルギー失活過程が効率よく起こるようになり、色素の耐光性が向上できると考えた。

本発明者らは、前述の思考に基づき、鋭意検討した結果、特定のアニオン性アゾ金属錯体色素が極めて良好な耐光性、良好な溶解性、優れた膜安定性を示すとの知見を得、さらに、本発明のアゾ金属錯体色素を記録層に用いることにより、４４０ｎｍ以下の青色レーザ光により記録再生を行う光情報記録媒体において、良好な記録再生特性が得られるとの知見を得た。

本発明のアゾ金属錯体色素の合成条件において、一般式（１−１）または一般式（１−２）を塩基性条件下で金属化合物と反応させると、上記のアゾ金属錯体に比べて、金属イオンの数が多いアゾ金属錯体が生成することを見出した。

その中でも特に、金属イオンとアゾ色素配位子の比が５対４のアゾ金属錯体が、上記アゾ金属錯体と比較しても良好な耐光性、良好な記録再生特性を示すことを見出した。これにより、従来最も好ましく使用されてきたＣｏイオン及びＮｉイオンよりも、Ｃｕイオンの方が耐光性及び記録性能の双方の面において優れた光情報記録媒体が得られるとの意外、且つ、新たな知見を得、かかる知見に基づいて達成されたものである。

本発明の課題は、以下の構成によって好ましく達成された。

［１］ 本発明に係る光情報記録媒体は、トラックピッチ５０〜５００ｎｍのプリグルーブを有する基板を有し、４４０ｎｍ以下のレーザ光を照射することによって情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、前記記録層は、下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）で表されるアゾ色素から得られる２価のアゾ色素アニオンと金属イオンからなるアゾ金属錯体色素を少なくとも一種含有することを特徴とする。但し、一般式（１−１）又は一般式（１−２）はＱに解離し得る水素原子を有し、該水素原子と、下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に＊で記されている−ＮＨ−基の水素原子とが共に解離して金属イオンと結合することにより、該アゾ金属錯体色素が得られる。該アゾ金属錯体色素は、一般式（１−１）、一般式（１−２）及び金属イオン以外の成分を含んでいてもよい。

一般式（１−１）及び一般式（１−２）中、Ｑは炭素環基又はへテロ環基を表す。Ｒ⁶〜Ｒ⁸は各々独立に水素原子又は置換基を表す。

［２］ ［１］記載の光情報記録媒体において、前記記録層は、下記一般式（Ａ）で表されるアゾ金属錯体色素を少なくとも一種含有することを特徴とする。

一般式（Ａ）
（Ｌ^2-）_n（Ｌ’）_m（Ｍ）_r・（Ｘ^p+）_k'
一般式（Ａ）中、Ｌ^2-は下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に含まれる水素原子２つを解離させることにより得られる２価のアゾ色素アニオンを表し、Ｌ’は配位子を表し、Ｍは金属イオン（金属酸化物イオンを含む）を表し、ｎは１〜４の範囲の整数を表し、ｍは０〜３の範囲の整数を表し、ｒは１又は２を表し、Ｘ^p+はｐ価のカチオンであり、ｐは１〜１０の範囲の整数を表し、ｋ’は０＜ｋ’≦４の範囲であり一般式（Ａ）中の負電荷をｐで割った値を表す。

一般式（１−１）及び一般式（１−２）中、Ｑは炭素環基又はへテロ環基を表す。Ｒ⁶〜Ｒ⁸は各々独立に水素原子又は置換基を表す。

［３］ ［２］記載の光情報記録媒体において、前記アゾ金属錯体色素が、下記一般式（２−１）で表されるアゾ金属錯体色素であることを特徴とする。

一般式（２−１）

一般式（２−１）中、Ｍは金属イオン（金属酸化物イオンを含む）を表し、Ｑ²はヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｌ１は配位子を表す。Ｘ^p+はｐ価のカチオンであり、ｐは１〜１０の範囲の整数を表し、ｑは１〜４の範囲の整数を表す。ｎ１は１又は２を表し、ｎ２は０〜３の整数を表し、ｎ３は０＜ｎ３≦４の範囲でありｑ／ｐで算出される値を表す。Ｒ⁶、Ｒ⁷は各々独立に水素原子又は置換基を表す。

［４］ ［２］記載の光情報記録媒体において、前記アゾ金属錯体色素が、下記一般式（３−１）で表されるアゾ金属錯体色素であることを特徴とする。

一般式（３−１）

一般式（３−１）中、Ｍは金属イオン（金属酸化物イオンを含む）を表し、Ｑ²はヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｌ１は配位子を表す。Ｘ^p+はｐ価のカチオンであり、ｐは１〜１０の範囲の整数を表し、ｑは１〜４を表す。ｎ１は１又は２を表し、ｎ２は０〜３の整数を表し、ｎ３は０＜ｎ３≦４の範囲でありｑ／ｐで算出される値を表す。Ｒ⁶、Ｒ⁸は各々独立に水素原子又は置換基を表す。

［５］ ［１］記載の光情報記録媒体において、前記アゾ金属錯体色素が、下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に含まれる水素原子２つを解離させることにより得られる２価のアゾ色素アニオンと金属イオンの数比が１対１若しくは金属イオンの方が数多く含まれる化合物であることを特徴とする。

一般式（１−１）及び一般式（１−２）中、Ｑは炭素環基又はへテロ環基を表す。Ｒ⁶〜Ｒ⁸は各々独立に水素原子又は置換基を表す。

［６］ ［１］記載の光情報記録媒体において、前記アゾ金属錯体色素が、下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に含まれる水素原子２つを解離させることにより得られる２価のアゾ色素アニオンと金属イオンの数比が４対５であることを特徴とする。

一般式（１−１）及び一般式（１−２）中、Ｑは炭素環基又はへテロ環基を表す。Ｒ⁶〜Ｒ⁸は各々独立に水素原子又は置換基を表す。

［７］ ［５］記載の光情報記録媒体において、前記アゾ金属錯体色素が、下記一般式（Ｂ）で表されることを特徴とする。

一般式（Ｂ）
（Ｌ^2-）_s（Ｌ２）_t（Ｍ）_u・（Ｙ^v-）_w
一般式（Ｂ）中、Ｌ^2-は下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に含まれる水素原子２つを解離させることにより得られる２価のアゾ色素アニオンを表し、Ｌ２は配位子を表し、Ｍは金属イオン（金属酸化物イオンを含む）を表し、ｓは１〜４の範囲の整数を表し、ｔは０〜１４の範囲の整数を表し、uは２から５の整数を表し、Ｙ^v-はｖ価のアニオンであり、ｖは１〜１０の範囲の整数を表し、ｗは０＜ｗ≦４の範囲であり一般式（Ｂ）中の正電荷をｖで割った値を表す。

一般式（１−１）及び一般式（１−２）中、Ｑは炭素環基又はへテロ環基を表す。Ｒ⁶〜Ｒ⁸は各々独立に水素原子又は置換基を表す。

［８］ ［２］〜｛４］のいずれかに記載の光情報記録媒体において、前記Ｘ^p+は、アンモニウムカチオンであることを特徴とする。

［９］ ［１］、［５］、［６］又は［７］記載の光情報記録媒体において、前記金属イオンが、銅イオンであることを特徴とする。

［１０］ ［１］〜９のいずれかに記載の光情報記録媒体において、トラックピッチ５０〜５００ｎｍのプリグルーブを有する基板のプリグルーブを有する面上に、反射層、記録層が順に積層されていることを特徴とする。

［１１］ 本発明に係るアゾ金属錯体色素は、下記一般式（Ｃ）で表されることを特徴とする。

一般式（Ｃ）
[（Ｃｕ²⁺）₅(Ｌ^2-)₄]²⁺（Ｙ^v-）_w
一般式（Ｃ）中、Ｌ^2-は下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に含まれる水素原子２つを解離させることにより得られる２価のアゾ色素アニオンを表し、（Ｙ^v-）_wは（Ｃｌ^-）₂、（Ｂｒ^-）₂、（Ｉ^-）₂、（ＣｌＯ₄ ^-）₂、（ＰＦ₆ ^-）₂、（ＢＦ４−）₂、ＳＯ₄ ^2-、（ＣＨ₃ＣＯＯ^-）₂のいずれかを表す。

一般式（１−１）及び一般式（１−２）中、Ｑは置換若しくは無置換のピラゾール環基を表す。Ｒ⁶〜Ｒ⁸は各々独立に置換若しくは無置換のアルキル基または置換若しくは無置換のアリール基を表す。

以上説明したように、本発明に係る光情報記録媒体によれば、記録層に本発明のアゾ金属錯体色素を用いることにより、良好な記録再生特性を示し、且つ、極めて高い耐光性を持つ光情報記録媒体（特に、波長が４４０ｎｍ以下のレーザ光照射による情報の記録が可能な光情報記録媒体）を製造することができる。

また、本発明のアゾ金属錯体色素は、写真用材料、ＵＶ吸収材料、カラーフィルタ用染料、色変換フィルタ、熱転写記録材料、インク等にも適用可能である。

添付した図面と協同する次の好適な実施の形態例の説明から、上記の目的及び他の目的、特徴及び利点がより明らかになるであろう。

態様（１）の光情報記録媒体の一例を示す概略断面図である。 態様（２）の光情報記録媒体の一例を示す概略断面図である。

以下、本発明の光情報記録媒体及びアゾ金属錯体色素について詳細に説明する。

本発明に係る光情報記録媒体は、基板上に情報の記録が可能な少なくとも一層の記録層を有してなり、好ましくは、さらに光反射層、保護層を設けて構成することができる。

本発明に係る光情報記録媒体の記録層は、特定のアゾ金属錯体色素の少なくとも一種で構成したものである。

先ず、本発明に係るアゾ金属錯体色素について説明する。本発明に係るアゾ金属錯体色素とは、上述した一般式（１−１）又は一般式（１−２）と金属イオンを一定の条件下反応させることにより得られるアゾ金属錯体色素である。

但し、一般式（１−１）又は一般式（１−２）はＱに解離し得る水素原子を有し、該水素原子と、下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に＊で記されている−ＮＨ−基の水素原子とが共に解離して金属イオンと結合することにより、該アゾ金属錯体色素が得られ、該アゾ金属錯体色素は、一般式（１−１）、一般式（１−２）及び金属イオン以外の成分を含んでいてもよい。

一般式（１−１）又は一般式（１−２）と金属イオンを反応させる際の一定の条件とは、少なくとも反応系中に塩基を含むということである。塩基としては、前記アゾ金属錯体色素が合成されるものであればよく、特に限定されない。そのような塩基としては、例えば、アルキルアミン（例えば、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モルホリン、ピラジン等）、アリールアミン、アミジン（例えば、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン等）、グアニジン、含窒素芳香族へテロ環（例えば、ピリジン、イミダゾール等）、無機塩基（例えば、酢酸アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム、アンモニア等）が挙げられる。

Ｑに含まれる解離し得る水素原子の「解離し得る」とは、結果的に解離した状態となれば良いが、前記塩基により解離する程度のｐＫａ（酸解離定数）であることが好ましい。ｐＫａとしては、２０以下であることが好ましく、１５以下であることがより好ましく、１０以下であることがさらに好ましい。

一般式（１−１）、一般式（１−２）及び金属イオン以外の成分とは、特に限定されないが、例えば、反応溶媒、塩基、一般式（１−１）及び一般式（１−２）以外のアゾ色素、及び後述の配位子が挙げられる。

前記金属イオン（金属酸化物イオン中の金属イオン）としては、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｈ等の金属イオンが挙げられ、中でも、遷移金属原子のイオンが好ましい。遷移金属原子とは、周期表のＩＩＩａ族〜ＶＩＩＩ族の元素及びＩｂが含まれ、不完全ｄ電子殻を持つ元素である。遷移金属原子としては、特に限定されるものではないが、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅが好ましく、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎがより好ましく、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎがさらに好ましく、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕが特に好ましい。

金属イオンとしては、２価又は３価の金属原子が好ましい。２価又は３価の金属（金属イオンで表す）としては、例えば、Ｍｎ²⁺、Ｆｅ²⁺、Ｆｅ³⁺、Ｃｏ²⁺、Ｃｏ³⁺、Ｎｉ²⁺、Ｎｉ³⁺、Ｃｕ²⁺、Ｚｎ²⁺、Ｃｒ³⁺、Ｒｕ²⁺、Ｒｈ³⁺、Ｐｄ²⁺、Ｉｒ³⁺、Ｐｔ²⁺、Ｒｅ⁺等が挙げられ、Ｍｎ²⁺、Ｆｅ²⁺、Ｆｅ³⁺、Ｃｏ²⁺、Ｃｏ³⁺、Ｎｉ²⁺、Ｎｉ³⁺、Ｃｕ²⁺、Ｚｎ²⁺が好ましく、Ｍｎ²⁺、Ｆｅ²⁺、Ｃｏ²⁺、Ｃｏ³⁺、Ｎｉ²⁺、Ｃｕ²⁺、Ｚｎ²⁺がより好ましく、Ｆｅ²⁺、Ｃｏ²⁺、Ｃｏ³⁺、Ｎｉ²⁺、Ｎｉ³⁺、Ｃｕ²⁺がさらに好ましい。本発明のアゾ金属錯体色素の場合、耐光性、及び記録再生特性の観点から、Ｃｕ²⁺が特に好ましい。

また、光情報記録媒体におけるアゾ金属錯体では、耐光性の観点からＣｕイオンに比べてＮｉイオンとＣｏイオンが好んで選択されてきた。しかし、環境有害性、及び人体に対する毒性の点からは、ＮｉイオンやＣｏイオンに比べて、Ｃｕイオンの方が好ましく、有害性の低い金属イオン（例えばＣｕイオン、ＺｎイオンやＦｅイオン）を用いることは、光情報記録媒体及び色素の拡販において、大いに意義がある。

一般式（１−１）又は（１−２）について説明する。Ｒ⁶〜Ｒ⁸は各々独立に水素原子又は置換基を表す。Ｒ⁶〜Ｒ⁸は溶解性向上の観点から置換基であることが好ましい。Ｒ⁶〜Ｒ⁸で表される置換基としては特に限定されないが、例えば、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基が例として挙げられる。

さらに詳しくは、Ｒ⁶〜Ｒ⁸は、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２―エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を１個取り去った１価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造等も包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。］、アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を１個取り去った１価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を１個持つビシクロアルケンの水素原子を１個取り去った１価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。］、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、ヘテロ環基（好ましくは５又は６員の置換もしくは無置換の芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から１個の水素原子を取り除いた１価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾールー５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ‘−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４〜３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２―ピリジルカルボニル、２―フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表わす。

上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていても良い。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニルが挙げられる。

Ｒ⁶は炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜２０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアシル基、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基であることが好ましく、炭素数１〜８の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜１５の置換もしくは無置換のアリール基であることがより好ましく、炭素数１〜６の置換もしくは無置換のアルキル基であることがさらに好ましい。アルキル基の中でも炭素数３〜６の分岐のアルキル基であることが好ましく、炭素数４〜６の３級アルキル基がより好ましい。

Ｒ⁷又はＲ⁸は置換基であることが好ましい。置換基としては、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜２０の置換もしくは無置換のアリール基であることが好ましく、炭素数１〜６の置換もしくは無置換のアルキル基であることがより好ましい。

本実施の形態に係る一般式（１−１）又は一般式（１−２）で表されるアゾ色素は、アゾ−ヒドラゾン互変異性平衡におけるアゾフォームのみを記載しているが、対応するヒドラゾンフォームであってもよく、その場合のヒドラゾンフォームは本実施の形態に記載しているアゾフォームと同一成分とする。

Ｑは炭素環基又はへテロ環基を表す。但し、Ｑは環上に、もしくはＱの置換基上に金属イオンと共有結合する原子を有する。Ｑの置換基上に金属イオンと結合する原子を有する際は、該置換基に含まれる水素原子一つを解離して金属イオンと共有結合する置換基を有する。水素原子一つを解離して金属イオンと共有結合する置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基等が挙げられる。

Ｑの置換基上に金属イオンと結合する原子を有する際の、金属イオンと共有結合する置換基としては、ヒドロキシル基、アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）であることが好ましい。金属イオンと共有結合する置換基が置換基を有するアミノ基である場合、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアニリノ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアシルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニルアミノ基、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ基であることが好ましく、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアシルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニルアミノ基、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ基であることがより好ましく、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアシルアミノ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ基であることがさらに好ましく、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアシルアミノ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニルアミノ基であることが特に好ましい。

Ｑが炭素環基である場合、Ｑはフェニル基であることが好ましい。Ｑは、前記金属イオンと結合する原子を有する置換基以外に置換基を有していてもよい。溶解性向上の観点から、置換基を有していることが好ましい。該置換基としては、特に限定されないが、ヒドロキシル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、チオール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アミノ基、アルキルアミノ基及びアニリノ基のいずれにも該当しない置換基が好ましい。該置換基としては、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜２０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアシル基、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、炭素数７〜１０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリールスルホニル基、又は炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルコキシスルホニル基であることが好ましく、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数２〜１０のアシル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキルスルホニル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアリールスルホニル基であることがより好ましく、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜１０のアシル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキルスルホニル基であることがさらに好ましい。

Ｑがヘテロ環基である場合、Ｑは環上に、もしくはＱの置換基上に金属イオンと共有結合する原子を有する。

環状に金属イオンと共有結合を有する場合、後述の一般式（２−１）の説明における（ｑ−１）〜（ｑ−４）が挙げられる。

Ｑの置換基上に金属イオンと共有結合する原子を有する場合、金属イオンと共有結合する置換基としては、Ｑが炭素環である場合の金属イオンと共有結合する置換基と同様である。

Ｑがヘテロ環であり、該へテロ環の置換基上に金属イオンと共有結合する原子を有する場合、該へテロ環としては特に限定されないが、例えば、ピラゾール環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、イソチアゾール環、イソオキサゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環のいずれかで表される環を形成する基が挙げられ、ピラゾール環、イソチアゾール環、イソオキサゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環のいずれかで表される環を形成する基であることが好ましく、ピラゾール環、ピリジン環、トリアジン環のいずれかで表される環を形成する基であることより好ましい。

Ｑは、置換基を有していることが好ましく、その置換基としては特に限定されないが、例えば、前記Ｒ⁶〜Ｒ⁸で挙げた置換基が挙げられる。

Ｑは後述のＱ²により形成される含窒素ヘテロ環であることが好ましい。

一般式（１−１）と一般式（１−２）とでは、耐光性の観点から、一般式（１−１）の方が好ましい。

ここで、一般式（１−１）で表されるアゾ色素の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。

一般式（１−２）で表されるアゾ色素の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。

前述のアゾ金属錯体色素としては、一般式（Ａ）または一般式（Ｂ）で表されるアゾ金属錯体色素であることが好ましく、記録特性の観点から、一般式（Ｂ）で表されるアゾ金属錯体色素であることがより好ましい。

以下、一般式（Ａ）について、詳細に説明する。

本発明のアゾ金属錯体色素において、金属イオンの価数が３価になるとき、一般式（Ａ）で表される配位構造を示すことが多い。一般式（Ａ）中のＭは金属イオン又は金属酸化物イオンを表す。一般式（Ａ）中のＭはＣｏ³⁺、Ｎｉ³⁺、Ｆｅ³⁺が好ましく、Ｃｏ³⁺、Ｎｉ³⁺がより好ましく、Ｃｏ³⁺がさらに好ましい。

Ｌ’は配位子を表す。配位子とは金属イオンと結合する原子又は原子団のことをいう。配位子としては、後述の好ましい例で挙げる配位子のほか、例えば、「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著、１９８７年発行）、「有機金属化学−基礎と応用−」（裳華房株式会社、山本明夫著、１９８２年発行）等に記載の配位子が挙げられる。配位子の具体例について以下に説明する。

前記Ｌ’に含まれ、且つ、Ｍに配位する原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ハロゲン原子が好ましく、窒素原子、酸素原子、ハロゲン原子がより好ましく、窒素原子、酸素原子がさらに好ましく、窒素原子が特に好ましい。

Ｌ’がＭに配位する場合、ＭとＬ’との間に形成される結合は、共有結合（σ結合）であっても配位結合であってもよい。すなわち、Ｌ’はアニオン性配位子であっても、中性配位子であってもよい。

上記のうち、Ｍに窒素原子で配位するＬ’としては、特に限定されないが、含窒素芳香族へテロ環配位子｛例えば、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサジアゾール配位子、チアジアゾール配位子、及びこれらを含む縮配位子体（例えば、キノリン配位子、ベンズオキサゾール配位子、ベンズイミダゾール配位子等）、及びこれらの互変異性体等｝、アミン配位子（例えば、アンモニア、メチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジベンジルアミン、トリエチルアミン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、アリールアミン等）、アニリン配位子（例えば、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、ジフェニルアミン、Ｎ−アシルアニリン、Ｎ−アルキルスルホニルアニリン等）、イミン配位子、ニトリル配位子（例えばアセトニトリル配位子等）、イソニトリル配位子（例えばｔ−ブチルイソニトリル配位子等）、アミド配位子（例えばジメチルホルムアミド配位子、ジメチルアセトアミド配位子等）が挙げられる。これらの配位子は置換基を有していてもよい。

Ｍに酸素原子で配位するＬ’としては、特に限定されないが、アルコール配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメタノール、エタノール、ブタノール、２−エチルヘキシロキシ等のプロトンを解離させた１価のアニオン配位子が挙げられる。）、アリールオキシ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェノール、１−ナフトール、２−ナフトール等のプロトンを解離させた１価のアニオン配位子が挙げられる。）、ジケトン配位子（例えばアセチルアセトン配位子）、シリルオキシ配位子（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシ等が挙げられる。）、エーテル配位子（環状エーテルを含む）、カルボン酸配位子、スルホン酸配位子、アクア配位子、Ｏ₂配位子等が挙げられる。これらの配位子は置換基を有していてもよい。

Ｍに硫黄原子で配位するＬ’としては、特に限定されないが、アルキルチオール配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばブタンチオール等、プロトンを解離させた一価のアニオン配位子が挙げられる。）、アリールチオール配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばチオフェノール等が上げられる。）、チオエーテル配位子が挙げられる。これらの配位子は置換基を有していてもよい。

Ｍにリン原子で配位するＬ’としては、特に限定されないが、アルキルホスフィン配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばメチルホスフィン、ジメチルホスフィン、ジエチルホスフィン、ジベンジルホスフィン等が挙げられる。）、アリールホスフィン配位子（好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数４〜２０、特に好ましくは炭素数５〜１０であり、例えばフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン、ピリジルホスフィン等が挙げられる。）が挙げられる。これらの配位子は置換基を有していてもよい。

Ｍに配位するＬ’として、ハロゲン配位子（塩素配位子、フッ素配位子、臭素配位子、要素配位子）でもよい。

ｎは１〜４の範囲の整数を表し、１又は２が好ましい。ｎが１のとき、Ｌ’は前記アニオン性配位子となり、ｍは１〜３の整数となる。

ｍは０〜３の範囲の整数を表し、０〜２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましい。

ｒは１又は２を表し、１であることが好ましい。

ｋ’は０＜ｋ’≦４の範囲であり一般式（Ａ）の負電荷をｐで割った値を表す。

ｐは１〜１０の範囲の整数を表し、１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましく、１又は２であることがさらに好ましい。

一般式（Ａ）中、Ｘ^p+はｐ価のカチオンを表す。Ｘ^p+で表されるカチオンは、例えば、アンモニウムカチオン［例えば、下記一般式（Ｘ）で表されるアンモニウムカチオン、下記一般式（ＸＸ）で表される２価以上のアンモニウムカチオンが挙げられる］、又はアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン（Ｍｇ²⁺を含む）が挙げられる。

カチオンとしては、塗布溶剤に対する溶解性の観点から、下記一般式（Ｘ）又は一般式（ＸＸ）で表されるアンモニウムカチオンであることが好ましい。

一般式（Ｘ）

一般式（Ｘ）について説明するＲ⁴¹〜Ｒ⁴⁴は各々独立に水素原子、アルキル基、アリール基を表す。Ｒ⁴¹〜Ｒ⁴⁴は、連結基を介して互いに結合してもよい。

さらに詳しくは、Ｒ⁴¹〜Ｒ⁴⁴は、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２―エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を１個取り去った１価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造等も包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）を表わす。これらはさらに置換基を有していてもよい。

Ｒ⁴¹〜Ｒ⁴⁴のうち少なくとも一つが、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリール基となることが好ましい。

一般式（ＸＸ）

一般式（ＸＸ）について説明する。Ｒ⁴⁵〜Ｒ⁴⁷は各々独立に水素原子、アルキル基、アリール基を表す。ｎ１１は２〜１０の整数を表す。複数存在するＲ⁴⁵〜Ｒ⁴⁷は同じであっても異なっていてもよい。Ｌは、アルキル連結基（内部に−Ｏ−あるいは−Ｓ−を含んでいてもよい）又はアリール連結基（内部に−Ｏ−あるいは−Ｓ−を含んでいてもよい）を表す。Ｒ⁴⁵〜Ｒ⁴⁷は連結基を介して互いに結合してもよい。Ｒ⁴⁵〜Ｒ⁴⁷及びＬは、さらに置換基を有していてもよい。

Ｒ⁴⁵〜Ｒ⁴⁷のうち少なくとも一つが、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリール基となることが好ましい。

ｎ１１は２〜８の整数であることが好ましく、２〜４の整数であることがより好ましく、２又は３であることがさらに好ましく、２であることが特に好ましい。

Ｌは、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル連結基であることが好ましく、炭素数１〜５の置換もしくは無置換のアルキル連結基であることがより好ましく、炭素数１〜３の置換もしくは無置換のアルキル連結基であることがさらに好ましい。

有機カチオンの具体例を以下に列挙するが、これらに限定されるものではない。

Ｌ^2-は下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中のＱに含まれる解離し得る水素原子と、一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に＊で記されている−ＮＨ−基の水素原子とを共に解離させることにより得られる２価のアゾ色素アニオンを表す。

一般式（Ａ）で表されるアゾ金属錯体色素は、一般式（２−１）または一般式（３−１）で表されるアゾ金属錯体色素であることが好ましい。

上述した一般式（２−１）について説明する。Ｍは金属イオンを表し、一般式（２−１）中の金属イオンは、前記金属イオンと同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｌ１は前記Ｌ’と同義である。

Ｑ²は含窒素ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｑ²によって形成される含窒素へテロ環基は、好ましくは、部分構造式（ｑ−１）〜（ｑ−４）で表される環であることが好ましく、（ｑ−１）、（ｑ−２）で表される環であることがより好ましく、（ｑ−１）であることがさらに好ましい。

上記部分構造式（ｑ−１）〜（ｑ−４）中、＊は−Ｎ＝Ｎ−基との結合位置を表し、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ¹⁰¹〜Ｒ¹⁰⁴は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ¹⁰¹〜Ｒ¹⁰⁴は溶解性向上の観点から置換基であることが好ましい。置換基としては前記Ｒ⁶〜Ｒ⁸で示した置換基が挙げられる。

Ｒ¹は炭素数６〜２０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、炭素数７〜１０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアルキルアミノカルボニル基、炭素数７〜１０の置換もしくは無置換のアリールアミノカルボニル基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリールスルホニル基、シアノ基より選ばれる基であることが好ましく、炭素数６〜２０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、炭素数７〜１０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリールスルホニル基、シアノ基より選ばれる基であることがより好ましく、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、炭素数７〜１０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリールスルホニル基、シアノ基より選ばれる基であることがさらに好ましく、シアノ基であることが特に好ましい。

Ｒ²は、水素原子、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリール基が好ましく、溶解性の観点から炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリール基がより好ましい。アルキル基としては、炭素数３〜６の分岐のアルキル基であることが好ましく、炭素数４〜６の３級アルキル基がより好ましい。

Ｒ¹⁰¹、Ｒ¹⁰²の具体例及び好ましい例等の詳細はＲ¹と同様であり、Ｒ¹⁰³、Ｒ¹⁰⁴の具体例及び好ましい例等の詳細はＲ²と同様である。

一般式（２−１）中のＲ⁶およびＲ⁷は、一般式（１−１）中のＲ⁶およびＲ⁷と同義であり、好ましい範囲も同じである。

ｑは１〜４を表し、１又は２が好ましい。

ｎ１は１又は２を表し、ｎ１は２であることが好ましい。

ｎ２は０〜３の整数を表し、０〜２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましい。

ｎ３は０＜ｎ３≦４の範囲であり、ｑ／ｐで算出される値を表す。

ｐは１〜１０の範囲の整数を表し、１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましく、１又は２であることがさらに好ましい。

以下に、一般式（２−１）で表されるアゾ金属錯体色素の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。

一般式（２−１）はアゾ配位子上のアニオンがＭと結合するＮ原子上にあるように描いているが、アニオンはＮ原子上に存在することに限られず、アゾ配位子の骨格全体に広く非局在化している状態であってもよく、互変異性構造をとっていてもよい。これは、以下に説明する一般式（３−１）についても同様である。

上述した一般式（３−１）について説明する。一般式（３−１）中のＭ、Ｑ²、Ｒ⁶、Ｌ１、ｎ１〜ｎ３、Ｘ^p+、ｐ及びｑは、一般式（２−１）中のＭ、Ｑ²、Ｒ⁶、Ｌ１、ｎ１〜ｎ３、Ｘ^p+、ｐ及びｑと同義であり、好ましい範囲も同じである。一般式（３−１）中のＲ⁸は、前記一般式（１−２）中のＲ⁸と同義であり、好ましい範囲も同じである。

以下に、一般式（３−１）で表されるアゾ金属錯体色素の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。

本発明のアゾ金属錯体色素において、金属イオンの価数が２価になるとき、一般式（Ｂ）で表される配位構造を示すことが多い。

一般式（Ｂ）について説明する。一般式（Ｂ）中のＬ^2-は一般式（Ａ）中のＬ^2-と同義であり、好ましい範囲も同じである。ただし、Ｌ^2-中のＱは、とりわけピラゾール環であることが好ましい。

Ｌ２は中性配位子であり、一般式（Ａ）中のＬ’で説明した中性配位子が挙げられる。

Ｍは２価の金属イオン（金属酸化物イオンを含む）を表し、Ｃｕ²⁺、Ｚｎ²⁺であることが好ましく、Ｃｕ²⁺であることがより好ましい。

ｓは１〜４の範囲の整数を表し、４であることが好ましい。

ｔは０〜１４の範囲の整数を表し、０〜６の整数であることが好ましく、０〜４の整数であることがより好ましい。

ｕは２〜５の整数を表し、ｓ以上の整数である。ｕは５であることが好ましい。

Ｙ^v-はｖ価のアニオンであり、無機アニオンでも有機アニオンでもよく、いずれの場合も好ましい。

ｖは１〜１０の範囲の整数を表し、１〜５の範囲の整数であることが好ましく、１〜４の範囲の整数であることがより好ましく、１〜３の範囲の整数であることがさらに好ましく、１又は２であることが特に好ましい。

無機アニオンとしては、特に限定されないが、ハロゲンイオン、ＣｌＯ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＯＨ^-、ＮＯ₃ ^-、ＢＦ₄ ^-、ＳＯ₄ ^2-等が挙げられる。

有機アニオンとしては、特に限定されないが、置換若しくは無置換のカルボン酸アニオン、置換若しくは無置換のスルホン酸アニオン、置換若しくは無置換のスルフィン酸アニオン、置換若しくは無置換のリン酸アニオン、置換若しくは無置換のアルコキシアニオン、置換若しくは無置換のチオアルコキシアニオン、置換若しくは無置換のフェノキシアニオン、置換若しくは無置換のチオフェノキシアニオン、置換若しくは無置換の含窒素へテロ環（例えば、ピロール、ピラゾール、イミダゾール等）のプロトンが解離したアニオン、置換若しくは無置換のアルキルアミノアニオン、置換若しくは無置換のアニリノアニオン、置換若しくは無置換のカルボニルアミノアニオン、置換若しくは無置換のスルホニルアミノアニオン、チオシアナートアニオン、置換若しくは無置換のアセチルアセトナートアニオン等が挙げられ、置換若しくは無置換のカルボン酸アニオン、置換若しくは無置換のスルホン酸アニオンが好ましく、置換若しくは無置換のカルボン酸アニオンがより好ましい。

ｗは０＜ｗ≦４の範囲であり一般式（Ｂ）中の正電荷をｖで割った値を表す。

一般式（Ｃ）について説明する。一般式（Ｃ）中のＬ^2-は一般式（１−１）又は（１−２）中のＱが置換若しくは無置換のピラゾール環基である。。一般式（Ｃ）中のＬ^2-は一般式（１−１）で表される場合が好ましい。

一般式（Ｃ）中のＲ⁶〜Ｒ⁸はアルキル基またはアリール基であり、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数６〜２０の置換若しくは無置換のアリール基であることが好ましく、炭素数１〜６の置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜４の置換若しくは無置換のアルキル基であることがさらに好ましい。

Ｑで表されるピラゾール環は、ピラゾール環上に２つの置換基を有していることが好ましく、その置換基としては、前記Ｒ⁶〜Ｒ⁸で挙げた置換基が挙げられる。ピラゾール環上の置換基の一方は、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基より選ばれる置換基であることが好ましく、シアノ基、アルキルスルホニル基より選ばれる置換基であることがより好ましく、シアノ基であることがさらに好ましい。ピラゾール環上の置換基の他方は、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数６〜２０の置換若しくは無置換のアリール基であることが好ましく、炭素数１〜６の置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜４の置換若しくは無置換のアルキル基であることがさらに好ましい。

一般式（Ｃ）としては、Ｒ⁶〜Ｒ⁸が炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数６〜２０の置換若しくは無置換のアリール基であり、かつ、ピラゾール環上の置換基の一方がシアノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基より選ばれる置換基であり、かつ、ピラゾール環上の置換基の他方が炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数６〜２０の置換若しくは無置換のアリール基であることが好ましく、Ｒ⁶〜Ｒ⁸が炭素数１〜６の置換若しくは無置換のアルキル基であり、かつ、ピラゾール環上の置換基の一方がシアノ基、アルキルスルホニル基より選ばれる置換基であり、かつ、ピラゾール環上の置換基の他方が炭素数１〜６の置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ⁶〜Ｒ⁸が炭素数１〜４の置換若しくは無置換のアルキル基であり、かつ、ピラゾール環上の置換基の一方がシアノ基であり、かつ、ピラゾール環上の置換基の他方が炭素数１〜４の置換若しくは無置換のアルキル基であることがさらに好ましい。

一般式（Ｃ）中の（Ｙ^v-）_wは、（Ｃｌ^-）₂、（Ｂｒ^-）₂、（Ｉ^-）₂、（ＣｌＯ₄ ^-）₂、（ＰＦ₆ ^-）₂、（ＢＦ４−）₂、ＳＯ₄ ^2-、（ＣＨ₃ＣＯＯ^-）₂のいずれかを表し、（Ｃｌ^-）₂、（ＣｌＯ₄ ^-）₂、ＳＯ₄ ^2-、（ＣＨ₃ＣＯＯ^-）₂のいずれかであることが好ましく、（Ｃｌ^-）₂、（ＣｌＯ₄ ^-）₂、（ＣＨ₃ＣＯＯ^-）₂のいずれかであることがより好ましく、（Ｃｌ^-）₂、（ＣＨ₃ＣＯＯ^-）₂のいずれかであることがさらに好ましい。

一般式（Ｂ）で表されるアゾ金属錯体色素の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。

（Ｍ−１３）〜（Ｍ−４０）も含め、一般式（Ｂ）についてアゾ配位子上のアニオンがＭと結合するＮ原子上にあるように記載しているが、アニオンはＮ原子上に存在することに限られず、アゾ配位子の骨格全体に広く非局在化している状態であってもよく、互変異性構造をとっていてもよい。

また、（Ｍ−１３）〜（Ｍ−４０）についても当てはまるが、一般式（Ｂ）中のtは化合物の存在する環境により変化し得る。すなわち、前記Ｌ’で挙げた配位子などが存在する環境において、化合物中に取り込まれることがある。

一般式（Ｂ）は化合物の存在する環境により変化し得るが、その変化が銅イオンの価数を変化させるものである場合も考えられる。例えば、溶媒存在下においてＣｕ²⁺がＣｕ⁺になることが考えられ、その場合、アゾ金属錯体部位が中性あるいはアニオン性になると考えられる。その場合はＹ^v-の数が変わったり、Ｙ^v-がカチオン（例えば一般式（Ａ）中のＸ^p+など）に置き換わることも想定される。

次に、本実施の形態に係る光情報記録媒体の構成について説明する。

本発明の光情報記録媒体の好ましい態様としては、下記態様（１）及び（２）を挙げることができる。

態様（１）：厚さ０．７〜２ｍｍの基板上に、色素を含有する追記型記録層と、厚さ０．０１〜０．５ｍｍのカバー層とを基板側から順に有する光情報記録媒体。

態様（２）：厚さ０．１〜１．０ｍｍの基板上に、色素を含有する追記型記録層と、厚さ０．１〜１．０ｍｍの保護基板とを基板側から順に有する光情報記録媒体。

態様（１）においては、基板に形成されるプリグルーブのトラックピッチが５０〜５００ｎｍ、溝幅が２５〜２５０ｎｍ、溝深さが５〜１５０ｎｍであることが好ましく、態様（２）においては、基板に形成されるプリグルーブのトラックピッチが２００〜５００ｎｍ、溝幅が５０〜３００ｎｍ、溝深さが３０〜１５０ｎｍであり、ウォブル振幅が５〜５０ｎｍであることが好ましい。

［態様（１）の光情報記録媒体］
態様（１）の光情報記録媒体は、少なくとも、基板と、追記型記録層と、カバー層とを有する態様である。態様（１）の光情報記録媒体の具体例を、図１に示す。図１に示す光情報記録媒体１０Ａは、基板１２上に、光反射層１８と、追記型記録層１４と、バリア層２０と、接着層又は粘着層２２と、カバー層１６とをこの順に有する。

以下に、これらを構成する材料について順次説明する。

〔基板１２〕
態様（１）の基板１２には、トラックピッチ、溝幅（半値幅）、溝深さ、及びウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有するプリグルーブ３４（案内溝）が形成されている。このプリグルーブ３４は、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、本発明の光情報記録媒体を、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。

プリグルーブ３４のトラックピッチは、５０〜５００ｎｍの範囲であり、上限値は４２０ｎｍ以下であることが好ましく、３７０ｎｍ以下であることがより好ましく、３３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、１００ｎｍ以上であることが好ましく、２００ｎｍ以上であることがより好ましく、２６０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。トラックピッチが５０ｎｍ以上であれば、プリグルーブ３４を正確に形成することができる上に、クロストークの発生を回避することができ、５００ｎｍ以下であれば、高密度記録を行うことができる。

プリグルーブのトラックピッチは、１００ｎｍ以上４２０ｎｍ以下であることが好ましく、２００ｎｍ以上３７０ｎｍ以下であることがより好ましく、２６０ｎｍ以上３３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

プリグルーブの溝幅（半値幅：溝の深さの１／２の地点における溝の幅）は、２５〜２５０ｎｍの範囲であり、上限値は２４０ｎｍ以下であることが好ましく、２３０ｎｍ以下であることがより好ましく、２２０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、５０ｎｍ以上であることが好ましく、８０ｎｍ以上であることがより好ましく、１００ｎｍ以上であることがさらに好ましい。プリグルーブ３４の溝幅が２５ｎｍ以上であれば、成型時に溝を十分に転写することができ、さらに記録時のエラーレート上昇を抑制することができ、２５０ｎｍ以下であれば、同じく成型時に溝を十分に転写することができ、さらに記録時に形成されるピットの広がりによりクロストークが発生することを回避することができる。

プリグルーブの溝幅（半値幅）は、５０ｎｍ以上２４０ｎｍ以下であることが好ましく、８０ｎｍ以上２３０ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以上２２０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

プリグルーブ３４の溝深さは、５〜１５０ｎｍの範囲であり、上限値は８５ｎｍ以下であることが好ましく、８０ｎｍ以下であることがより好ましく、７５ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、１０ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましく、２８ｎｍ以上であることがさらに好ましい。プリグルーブの溝深さが５ｎｍ以上であれば十分な記録変調度を得ることができ、１５０ｎｍ以下であれば、高い反射率を得ることができる。

プリグルーブの溝深さは、１０ｎｍ以上８５ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることがより好ましく、２８ｎｍ以上７５ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

また、プリグルーブ３４の溝傾斜角度は、上限値が８０°以下であることが好ましく、７５°以下であることがより好ましく、７０°以下であることがさらに好ましく、６５°以下であることが特に好ましい。また、下限値は、２０°以上であることが好ましく、３０°以上であることがより好ましく、４０°以上であることがさらに好ましい。

プリグルーブ３４の溝傾斜角度が２０°以上であれば、十分なトラッキングエラー信号振幅を得ることができ、８０°以下であれば成型性が良好である。

〔追記型記録層１４〕
態様（１）の追記型記録層１４は、色素を、結合剤等と共に又は結合剤を用いないで適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いで、この塗布液を基板上又は後述する光反射層上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥することにより形成することができる。ここで、追記型記録層は、単層でも重層でもよく、重層構造の場合、塗布液を塗布する工程が複数回行なわれることになる。

塗布液中の色素の濃度は、一般に０．０１〜１５質量％の範囲であり、好ましくは０．１〜１０質量％の範囲、より好ましくは０．５〜５質量％の範囲、最も好ましくは０．５〜３質量％の範囲である。

塗布液の調製に用いる溶剤としては、例えば、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテート等のエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミド等のアミド；メチルシクロヘキサン等の炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサン等のエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールジアセトンアルコール等のアルコール；２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；等を挙げることができる。

溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独で、あるいは二種以上を組み合わせて使用することができる。塗布液中には、さらに、結合剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤等各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。

塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法等を挙げることができる。塗布方法としては、スピンコート法が好ましい。

塗布の際、塗布液の温度は２３〜５０℃の範囲であることが好ましく、２４〜４０℃の範囲であることがより好ましい。

追記型記録層１４の厚さは、ランド３８（基板１２において凸部）上で、３００ｎｍ以下であることが好ましく、２５０ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることがさらに好ましく、１８０ｎｍ以下であることが特に好ましい。下限値としては１ｎｍ以上であることが好ましく、３ｎｍ以上であることがより好ましく、５ｎｍ以上であることがさらに好ましく、７ｎｍ以上であることが特に好ましい。

また、追記型記録層１４の厚さは、グルーブ４０（基板１２において凹部）上で、４００ｎｍ以下であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。下限値としては、１０ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましく、２５ｎｍ以上であることがさらに好ましい。

さらに、ランド３８上の追記型記録層１４の厚さ／グルーブ４０上の追記型記録層１４の厚さの比は、０．１以上であることが好ましく、０．１３以上であることがより好ましく、０．１５以上であることがさらに好ましく、０．１７以上であることが特に好ましい。上限値としては、１未満であることが好ましく、０．９以下であることがより好ましく、０．８５以下であることがさらに好ましく、０．８以下であることが特に好ましい。

また、追記型記録層１４には、追記型記録層１４の耐光性をさらに向上させるために、種々の褪色防止剤を含有させることができる。褪色防止剤としては一般的に一重項酸素クエンチャーが用いられる。本発明においても、この一重項酸素クエンチャーを混合させることによって更なる耐光性の向上が期待できる。一重項酸素クエンチャーとしては、既に公知の特許明細書等の刊行物に記載のものを利用することができる。

その具体例としては、特開昭５８−１７５６９３号公報、同５９−８１１９４号公報、同６０−１８３８７号公報、同６０−１９５８６号公報、同６０−１９５８７号公報、同６０−３５０５４号公報、同６０−３６１９０号公報、同６０−３６１９１号公報、同６０−４４５５４号公報、同６０−４４５５５号公報、同６０−４４３８９号公報、同６０−４４３９０号公報、同６０−５４８９２号公報、同６０−４７０６９号公報、同６３−２０９９９５号公報、特開平４−２５４９２号公報、特公平１−３８６８０号公報、及び同６−２６０２８号公報等の各公報、独国特許発明第３５０３９９号明細書、そして日本化学会誌１９９２年１０月号第１１４１頁等に記載のものを挙げることができる。

前記一重項酸素クエンチャー等の褪色防止剤の使用量は、色素の量に対して、通常０．１〜５０質量％の範囲であり、好ましくは、０．５〜４５質量％の範囲、さらに好ましくは、３〜４０質量％の範囲、特に好ましくは５〜２５質量％の範囲である。

〔カバー層１６〕
態様（１）のカバー層１６は、通常、上述した追記型記録層１４上に、又は図１に示すようにバリア層２０上に、接着層又は粘着層２２を介して貼り合わされる。

カバー層１６としては、透明な材質のフイルムであれば、特に限定されないが、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；三酢酸セルロース等を使用することが好ましく、中でも、ポリカーボネート又は三酢酸セルロースを使用することがより好ましい。

なお、「透明」とは、記録及び再生に用いられる光に対して、透過率８０％以上であることを意味する。

また、カバー層１６は、本発明の効果を妨げない範囲において、種々の添加剤が含有されていてもよい。例えば、波長４００ｎｍ以下の光をカットするためのＵＶ吸収剤及び／又は５００ｎｍ以上の光をカットするための色素が含有されていてもよい。

さらに、カバー層１６の表面物性としては、表面粗さが２次元粗さパラメータ及び３次元粗さパラメータのいずれも５ｎｍ以下であることが好ましい。

また、記録及び再生に用いられる光の集光度の観点から、カバー層１６の複屈折は１０ｎｍ以下であることが好ましい。

カバー層１６の厚さは、記録及び再生のために照射されるレーザ光４６の波長やＮＡにより、適宜、規定することができるが、本発明においては、０．０１〜０．５ｍｍの範囲内であることが好ましく、０．０５〜０．１２ｍｍの範囲であることがより好ましい。

また、カバー層１６と接着層又は粘着層２２とを合わせた総厚は、０．０９〜０．１１ｍｍであることが好ましく、０．０９５〜０．１０５ｍｍであることがより好ましい。

なお、カバー層１６の光入射面には、光情報記録媒体１０Ａの製造時に、光入射面が傷つくことを防止するための保護層（図１に示す態様ではハードコート層４４）が設けられていてもよい。

カバー層１６と追記型記録層１４又はバリア層２０を貼り合わせるために、両層の間に接着層又は粘着層２２を設けることができる。

接着層に使用される接着剤としては、ＵＶ硬化樹脂、ＥＢ硬化樹脂、熱硬化樹脂等を使用することが好ましい。

接着剤としてＵＶ硬化樹脂を使用する場合は、該ＵＶ硬化樹脂をそのまま、又はメチルエチルケトン、酢酸エチル等の適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、ディスペンサからバリア層２０の表面に供給してもよい。また、作製される光情報記録媒体１０Ａの反りを防止するため、接着層を構成するＵＶ硬化樹脂としては硬化収縮率の小さいものを使用することが好ましい。このようなＵＶ硬化樹脂としては、例えば、大日本インキ化学工業（株）製の「ＳＤ−６４０」等のＵＶ硬化樹脂を挙げることができる。

接着層の形成方法は特に限定されないが、バリア層２０又は追記型記録層１４の表面（被貼り合わせ面）上に、接着剤を所定量塗布し、その上にカバー層１６を載置した後、スピンコートにより接着剤を、被貼り合わせ面とカバー層１６との間に均一になるように広げた後、硬化させることが好ましい。

接着層の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、さらに好ましくは１〜３０μｍの範囲である。

粘着層に使用される粘着剤としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系の粘着剤を使用することができる。透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。アクリル系粘着剤としては、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート等を主成分とし、凝集力を向上させるために、短鎖のアルキルアクリレートやメタクリレート、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレートと、架橋剤との架橋点となり得るアクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド誘導体、マレイン酸、ヒドロキシルエチルアクリレート、グリシジルアクリレート等とを共重合したものを用いることが好ましい。主成分、短鎖成分及び架橋点を付加するための成分との混合比率及びそれら成分の種類を、適宜調節することにより、ガラス転移温度（Ｔｇ）や架橋密度を変えることができる。

粘着層の形成方法は特に限定されないが、バリア層２０又は追記型記録層１４の表面（被貼り合わせ面）上に、粘着剤を所定量均一に塗布し、その上にカバー層１６を載置した後、硬化させてもよいし、予め、カバー層１６の片面に、所定量の粘着剤を均一に塗布して粘着剤塗膜を形成しておき、該塗膜を被貼り合わせ面に貼り合わせ、その後、硬化させてもよい。

また、カバー層１６に、予め、粘着層が設けられた市販の粘着フイルムを用いてもよい。

粘着層の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、さらに好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。

またカバー層は、ＵＶ硬化樹脂を利用してスピンコーティング法により形成してもよい。

〔その他の層〕
態様（１）の光情報記録媒体１０Ａは、本発明の効果を損なわない範囲においては、上記の必須の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。他の任意の層としては、例えば、基板１２の裏面（追記型記録層１４が形成された側と逆側の非形成面側）に形成される、所望の画像を有するレーベル層や、基板１２と追記型記録層１４との間に設けられる光反射層１８（詳細は後述する）、追記型記録層１４とカバー層１６との間に設けられるバリア層２０（詳細は後述する）、該光反射層１８と追記型記録層１４との間に設けられる界面層等が挙げられる。ここで、前記レーベル層は、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、及び熱乾燥樹脂等を用いて形成することができる。

なお、上記した必須及び任意の層はいずれも、単層でも、多層構造でもよい。

態様（１）の光情報記録媒体１０Ａでは、レーザ光４６に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、基板１２と追記型記録層１４との間に、光反射層１８を形成することが好ましい。

光反射層１８は、レーザ光４６に対する反射率が高い光反射性物質を、例えば、真空蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングすることにより基板上に形成することができる。

光反射層１８の層厚は、一般的には１０〜３００ｎｍの範囲とし、３０〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましい。

なお、前記反射率は、７０％以上であることが好ましい。

反射率が高い光反射性物質としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属及び半金属又はステンレス鋼を挙げることができる。これらの光反射性物質は単独で用いてもよいし、あるいは２種以上の組合せで、又は合金として用いてもよい。これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びステンレス鋼である。特に好ましくは、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの合金であり、最も好ましくは、Ａｕ、Ａｇ又はこれらの合金である。

〔バリア層２０（中間層）〕
態様（１）の光情報記録媒体１０Ａにおいては、図１に示すように、追記型記録層１４とカバー層１６との間にバリア層２０を形成することが好ましい。

バリア層２０は、追記型記録層１４の保存性向上、追記型記録層１４とカバー層１６との接着性向上、反射率調整、熱伝導率調整等のために設けることができる。

バリア層２０に用いられる材料としては、記録及び再生に用いられる光を透過する材料であり、上記の機能を発現し得るものであれば、特に制限されるものではないが、例えば、一般的には、ガスや水分の透過性の低い材料であり、誘電体であることが好ましい。

具体的には、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｔａ等の窒化物、酸化物、炭化物、硫化物からなる材料が好ましく、ＭｏＯ₂、ＧｅＯ₂、ＴｅＯ、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ−Ｇａ₂Ｏ₃、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅が好ましく、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ−Ｇａ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅がより好ましい。

また、バリア層２０は、真空蒸着、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング、イオンプレーティング等の真空成膜法により形成することができる。中でも、スパッタリングを用いることがより好ましい。

バリア層２０の厚さは、１〜２００ｎｍの範囲が好ましく、２〜１００ｎｍの範囲がより好ましく、３〜５０ｎｍの範囲がさらに好ましい。

［態様（２）の光情報記録媒体］
態様（２）の光情報記録媒体は、少なくとも、基板と、追記型記録層と、保護基板とを有し、好ましくは貼り合わせ型の光情報記録媒体である。その代表的な層構成は下記の通りである。

（１）第１の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層を順次形成し、接着層上に保護基板を設けた構成である。

（２）第２の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層を順次形成し、接着層上に保護基板を設けた構成である。

（３）第３の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層、保護層を順次形成し、該保護層上に保護基板を設けた構成である。

（４）第４の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層、保護層、光反射層を順次形成し、該光反射層上に保護基板を設けた構成である。

（５）第５の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層、光反射層を順次形成し、該光反射層上に保護基板を設けた構成である。

なお、上記（１）〜（５）の層構成は単なる例示であり、層構成は上述の順番のみでなく、一部を入れ替えてもよいし、一部を省略してもよい。また、追記型記録層は、保護基板側にも形成されていてもよく、その場合、両面からの記録、再生が可能な光情報記録媒体となる。さらに、各層は１層で構成されても複数層で構成されてもよい。

上記のうち、態様（２）の光情報記録媒体として、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層、保護基板を基板側から順に有する構成を例に以下に詳細に説明をする。前記構成を有する光情報記録媒体の具体例を図２に示す。図２に示す光情報記録媒体１０Ｂは、基板２４上に、追記型記録層２６と、光反射層３０と、接着層３２と、保護基板２８とをこの順に有する。

〔基板２４〕
態様（２）における基板２４には、トラックピッチ、溝幅（半値幅）、溝深さ、及びウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有するプリグルーブ３６（案内溝）が形成されている。このプリグルーブ３６は、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、光情報記録媒体１０Ｂを、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。

プリグルーブ３６のトラックピッチは、２００〜５００ｎｍの範囲であり、上限値は４５０ｎｍ以下であることが好ましく、４３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、３００ｎｍ以上であることが好ましく、３３０ｎｍ以上であることがより好ましく、３７０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。トラックピッチが２００ｎｍ以上であればプリグルーブを正確に形成することができ、さらにクロストークの発生を回避することができ、５００ｎｍ以下であれば、高密度記録を行うことができる。

プリグルーブ３６の溝幅（半値幅）は、５０〜３００ｎｍの範囲であり、上限値は２９０ｎｍ以下であることが好ましく、２８０ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、１００ｎｍ以上であることが好ましく、１２０ｎｍ以上であることがより好ましく、１４０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。プリグルーブ３６の溝幅が５０ｎｍ以上であれば、成形時に溝を十分に転写することができ、さらに記録時のエラーレート上昇を抑制することができ、３００ｎｍ以下であれば、記録時に形成されるピットの広がりによりクロストークが発生することを回避することができ、さらに十分な変調度を得ることができる。

プリグルーブ３６の溝深さは、３０〜１５０ｎｍの範囲であり、上限値は１４０ｎｍ以下であることが好ましく、１３０ｎｍ以下であることがより好ましく、１２０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、４０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましく、６０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。プリグルーブ３６の溝深さが３０ｎｍ以上であれば、十分な記録変調度を得ることができ、１５０ｎｍ以下であれば、高い反射率を得ることができる。

基板２４の厚さは、一般に０．１〜１．０ｍｍの範囲であり、０．２〜０．８ｍｍの範囲であることが好ましく、０．３〜０．７ｍｍの範囲であることがより好ましい。

なお、後述する追記型記録層２６が設けられる側の基板２４の表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することができる。

下塗層の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質；シランカップリング剤等の表面改質剤；を挙げることができる。

下塗層は、前記材料を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調製した後、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコート等の塗布法により基板表面に塗布することにより形成することができる。

下塗層の層厚は、一般に０．００５〜２０μｍの範囲にあり、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。

〔追記型記録層２６〕
態様（２）における追記型記録層２６に関する詳細については、態様（１）の追記型記録層１４と同様である。

〔光反射層３０〕
態様（２）において、レーザ光４６に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、追記型記録層２６上に光反射層３０を形成することができる。態様（２）の光反射層３０に関する詳細は、態様（１）の光反射層１８と同様である。

〔接着層３２〕
態様（２）では、光反射層３０と後述の保護基板２８との密着性を向上させるために、光反射層３０と保護基板２８の間に接着層３２を設けることもできる。

接着層３２を構成する材料としては、光硬化性樹脂が好ましく、中でもディスクの反りを防止するため、硬化収縮率の小さいものが好ましい。このような光硬化性樹脂としては、例えば、大日本インク社製の「ＳＤ−６４０」、「ＳＤ−６６１」等のＵＶ硬化性樹脂（ＵＶ硬化性接着剤）を挙げることができる。

また、接着層３２の厚さは、弾力性を持たせるため、１〜１０００μｍの範囲が好ましい。

〔保護基板２８〕
態様（２）における保護基板２８（ダミー基板）は、上述した基板１２と同じ材質で、同じ形状のものを使用することができる。保護基板２８の厚さは、一般に厚さ０．１〜１．０ｍｍの範囲であり、０．２〜０．８ｍｍの範囲であることが好ましく、０．３〜０．７ｍｍの範囲であることがより好ましい。

〔保護層〕
態様（２）の光情報記録媒体１０Ｂは、その層構成によっては、光反射層３０や追記型記録層２６等を物理的及び化学的に保護する目的で保護層が設けられることがある。

保護層に用いられる材料の例としては、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄等の無機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等の有機物質を挙げることができる。

保護層は、例えば、プラスチックの押出加工で得られたフイルムを接着剤を介して光反射層上に貼り合わせることにより形成することができる。また、真空蒸着、スパッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。

また、保護層として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を用いる場合には、これらを適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、乾燥することによっても形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂を用いて保護層を形成する場合には、ＵＶ硬化性樹脂をそのまま又は適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによって形成することもできる。これらの塗布液中には、さらに帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。

保護層の層厚は、一般には０．１μｍ〜１ｍｍの範囲にある。

〔その他の層〕
態様（２）の光情報記録媒体１０Ｂは、本発明の効果を損なわない範囲においては、上記の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。他の任意の層の詳細については、前記態様（１）のその他の層と同様である。

さらに、本発明は、基板上に記録層を有する光情報記録媒体に情報を記録する方法に関する。本発明の情報記録方法では、本発明の光情報記録媒体に対してレーザ光を照射することにより、一般式（１−１）又は（１−２）のと金属イオンからなるアゾ金属錯体色素を少なくとも一種含有する記録層へ情報を記録する。

前述の好ましい態様（１）又は態様（２）の光情報記録媒体に対する情報の記録は、例えば次のように行われる。

まず、光情報記録媒体を定線速度（例えば０．５〜１０ｍ／秒）又は定角速度にて回転させながら、基板側又は保護層側から半導体レーザ光等の記録用の光を照射する。この光の照射により、レーザ光照射部分の光学的特性が変化して情報が記録される。図１に示す態様では、カバー層１６側から半導体レーザ光等の記録用のレーザ光４６を、第１対物レンズ４２（例えば開口数ＮＡが０．８５）を介して照射する。このレーザ光４６の照射により、追記型記録層１４がレーザ光４６を吸収して局所的に温度上昇し、物理的又は化学的変化（例えばピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録されると考えられる。同様に、図２に示す態様では、基板２４側から半導体レーザ光等の記録用のレーザ光４６を、開口数ＮＡが例えば０．６５の第２対物レンズ４８を介して照射する。このレーザ光４６の照射により、追記型記録層２６がレーザ光４６を吸収して局所的に温度上昇し、物理的又は化学的変化（例えばピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録されると考えられる。

本発明においては、波長４４０ｎｍ以下のレーザ光を照射することにより情報を記録することが好ましい。記録光としては、４４０ｎｍ以下の範囲の発振波長を有する半導体レーザ光が好適に用いられ、好ましい光源としては３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ光、中心発振波長８５０ｎｍの赤外半導体レーザ光を光導波路素子を使って半分の波長にした中心発振波長４２５ｎｍの青紫色ＳＨＧレーザ光を挙げることができる。特に、記録密度の点で３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ光を用いることが好ましい。上記のように記録された情報の再生は、光情報記録媒体を上記と同一の定線速度で回転させながら半導体レーザ光を基板側又は保護層側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。

次に、本発明の化合物の合成法について説明する。

一般式（１−１）及び一般式（１−２）で表されるアゾ色素の一般的合成法としては、特開昭６１−３６３６２号公報及び特開２００６−５７０７６号公報に記載の方法が挙げられる。ただし、これに限定するものではなく、他の反応溶媒、酸を用いてもよく、また、カップリング反応を塩基（例えば、酢酸ナトリウム、ピリジン、水酸化ナトリウム等）存在下で行っても良い。本発明に関する一般的なアゾ色素の合成法の例を、後述の実施例にて化合物（Ａ−３）を用いて示す。

アゾ色素と金属イオンを反応させてアゾ金属錯体色素を得る一般的方法としては、アゾ色素、金属塩（金属錯体、金属酸化物塩を含む）を、塩基存在下、有機溶媒中もしくは水中、又はその混合液中において、攪拌する方法が挙げられる。ただし、金属塩の種類、塩基の種類、有機溶媒又はその混合液の種類、反応温度等は限定されない。本発明に関するアゾ金属錯体色素の合成法を、例示化合物（Ｍ−１）を例として示す。

この合成法において、Ｃｏ塩、Ｎｉ塩、Ｆｅ塩等を一般式（１−１）又は一般式（１−２）で表されるアゾ色素と塩基存在下にて反応させることにより、一般式（２−１）又は一般式（３−１）で表されるアゾ金属錯体色素が得られる。反応系中に塩基が存在しない場合、通常は比較化合物（Ｃ）や比較化合物（Ｆ）のような中性のアゾ金属錯体又はアゾ色素（配位子）の水素原子が一つも解離しない構造のカチオン性のアゾ金属錯体が得られる。

以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はその主旨を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。

先ず、一般式（１−１）又は（１−２）で表されるアゾ色素の合成について説明するが、これらの方法に限定されることはない。

［化合物（Ａ−３）の合成］

次に、化合物（１）を２ｇ入れた１００ｍｌ三角フラスコに酢酸２．６ｍｌ、プロピオン酸４ｍｌを注ぎ、氷冷下で塩酸（３５〜３７％）３．７ｍｌをゆっくり滴下した。氷浴にて０〜５℃に冷却し、そこへＮａＮＯ₂ ０．９２ｇを溶解させた水溶液２ｍｌ（５℃以下に冷却したもの）をゆっくり滴下した後、０〜５℃にて１５分間攪拌した。この酸性溶液を、氷冷下で０〜５℃に保った化合物（２）２．２ｇを含むメタノール溶液４０ｍｌに徐々に加え、１時間攪拌した。室温に戻し２時間攪拌した後、沈殿物をろ過し最小量のメタノールで洗浄した。得られた固体を酢酸エチルを溶離液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物（Ａ−３）０．８ｇを得た。

化合物の同定は３００ＭＨｚ¹Ｈ−ＮＭＲにより行った。¹Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）［ｐｐｍ］；１３．７０（１Ｈ，ｂｒ），１３．５（１Ｈ，ｓ），２．４６（３Ｈ，ｓ），１．５１（９Ｈ，ｓ），１．４４（９Ｈ，ｓ）。

上述した化合物（Ａ−３）の合成と同様の方法により、（Ａ−７）及び（Ａ−９）を合成した。本発明に係る種々のアゾ色素は同様に合成できる。化合物の同定は３００ＭＨｚ¹Ｈ−ＮＭＲにより行った。ＮＭＲスペクトルデータを以下に示す。

（Ａ−７）：¹Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）［ｐｐｍ］；１３．９５（２Ｈ，ｂｒ），２．４７（３Ｈ，ｓ），１．５２（９Ｈ，ｓ）。

（Ａ−９）：¹Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）［ｐｐｍ］；１３．４５（２Ｈ，ｂｒ），１０．０６（１Ｈ，ｓ），７．８５（２Ｈ，ｄ），７．５２（１Ｈ，ｔ），７．３７（１Ｈ，ｄ），７．２４（１Ｈ，ｔ），６．８２（２Ｈ，ｄ），３．７７（６Ｈ，ｓ），３．０７（３Ｈ，ｓ），１．４４（９Ｈ，ｓ）。

次に、本発明に係るアゾ金属錯体の合成法について例示化合物を用いて説明するが、これらの方法に限定されることはない。

［（Ｍ−１）の合成］

５０ｍｌナスフラスコに化合物（Ａ−３）１ｇ、メタノール２０ｍｌを入れ、攪拌しながらトリエチルアミン２．１ｍｌを滴下した。１０分間攪拌し、さらにＣｏ（ＯＡｃ）₂・４Ｈ₂Ｏ ０．７ｇを加え、１時間加熱還流させた。蒸留水５０ｍｌを加えた後、室温に戻し、沈殿物をろ過した。蒸留水にて洗浄し、乾燥を施して化合物（Ｍ−１）０．９ｇを得た。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＭＳにて確認した。ｍ／ｚ＝７６２（ｎｅｇａ）、１０２（ｐｏｓｉ）。

［化合物（Ｍ−２）の合成］
例示化合物（Ｍ−１）の合成法に倣い、Ｃｏ（ＯＡｃ）₂・４Ｈ₂ＯをＮｉ（ＯＡｃ）₂・４Ｈ₂Ｏに置き換え、同様に反応させることで化合物（Ｍ−２）を合成した。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＭＳにて確認した。ｍ／ｚ＝７６２（ｎｅｇａ）、１０２（ｐｏｓｉ）。

［化合物（Ｍ−１３）の合成］

例示化合物（Ｍ−１）の合成法に倣い、Ｃｏ（ＯＡｃ）₂・４Ｈ₂ＯをＣｕ（ＯＡｃ）₂・Ｈ₂Ｏに置き換え、同様に反応させることで化合物（Ｍ−１３）を合成した。化合物の同定はＥＳＩ−ＭＳにて行った。ｍ／ｚ＝１７２４．５、８６１．７、吸収λｍａｘ＝４４０ｎｍ（ｉｎ ａｃｅｔｏｎｅ）。ＭＡＬＤＩ−ＭＳではフラグメントが確認された。ｍ／ｚ＝８９３（ｎｅｇａ）、８２９（ｎｅｇａ）、４１５（ｐｏｓｉ）、吸収λｍａｘ＝４４０ｎｍ（ｉｎ ａｃｅｔｏｎｅ）。

化合物（Ｍ−１３）については、ＥＳＲ解析を行った。これにより、粉末状態において、Ｃｕ²⁺イオンの周りに３つのＮ原子が配位した構造が確認された。

また、化合物（Ｍ−１３）と同様に、化合物（Ｍ−２１）を合成し、Ｘ線構造解析により、Ｃｕと２価のアゾ色素アニオンが５対４で形成された構造であることを確認した。

また、（Ｍ−１３）の合成法において、Ｃｕ（ＯＡｃ）₂・Ｈ₂Ｏの替わりに陰イオンの異なるＣｕ化合物を原料に用いることにより、（Ｍ−１４）、（Ｍ−１５）、（Ｍ−１６）、（Ｍ−１７）等の陰イオンの異なるアゾ金属錯体が得られる。

同様の合成法により、本発明の範囲において種々のアゾ金属錯体色素が合成できる。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＭＳ、ＥＳＩ−ＭＳ、ＥＳＲ解析、元素分析、Ｘ線構造解析により確認できる。

化合物（Ｍ−１）と同様の合成法により得られたアゾ金属錯体色素は、溶媒中、カチオン交換反応が可能である。カチオン交換反応の合成例を以下に示す。

［化合物（Ｍ−６）の合成］

５０ｍｌナスフラスコに化合物（Ｍ−１）３００ｍｇ、メタノール１０ｍｌを入れ、攪拌しながら、化合物（３）２００ｍｇをメタノール５ｍｌと蒸留水５ｍｌに溶かした溶液を加え、１時間加熱還流させた。蒸留水２０ｍｌを加えた後、室温に戻し、沈殿物をろ過した。蒸留水にて洗浄し、乾燥を施して化合物（Ｍ−６）２７０ｍｇを得た。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＭＳにて確認した。ｍ／ｚ＝７６２（ｎｅｇａ）、２９７（ｐｏｓｉ）。

上述した化合物（Ｍ−６）の合成法と同様の方法により、本発明に係る種々のカチオンを有するアゾ金属錯体色素が合成できる。

化合物（Ｍ−６）の合成法に倣い、陰イオンの交換を行い、（Ｍ−１８）のような有機アニオンを有するアゾ金属錯体を得ることもできる。

［比較化合物（Ｃ）の合成］
比較化合物（Ｃ）：特開２００６−１４２７８９号公報範疇の化合物
５０ｍｌナスフラスコに化合物（Ａ−３）１００ｍｇ、メタノール３ｍｌを入れ、攪拌しながらＮｉＣｌ₂・６Ｈ₂Ｏ ３４ｍｇを加え、３０分攪拌した。蒸留水２０ｍｌを加えた後、生成した沈殿物をろ過した。蒸留水にて洗浄し、乾燥を施して比較化合物（Ｃ）１１０ｍｇを得た。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＭＳにて確認した。ｍ／ｚ＝７６３．５（ｐｏｓｉ）。

［光情報記録媒体の作製］
（基板１２の作製）
厚さ１．１ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍでスパイラル状のプリグルーブ３４（トラックピッチ：３２０ｎｍ、溝幅：グルーブ４０（凹部）幅１９０ｎｍ、溝深さ：４７ｎｍ、溝傾斜角度：６５°、ウォブル振幅：２０ｎｍ）を有する、ポリカーボネート樹脂からなる射出成形基板を作製した。射出成型時に用いられたスタンパのマスタリングは、レーザーカッティング（３５１ｎｍ）を用いて行われた。

（光反射層１８の形成）
基板１２上に、Ｕｎａｘｉｓ社製Ｃｕｂｅを使用し、Ａｒ雰囲気中で、ＤＣスパッタリングにより、膜厚６０ｎｍの真空成膜層としてのＡＮＣ光反射層（Ａｇ：９８．１ａｔ％、Ｎｄ：０．７ａｔ％、Ｃｕ：０．９ａｔ％）を形成した。光反射層１８の膜厚の調整は、スパッタ時間により行った。

（追記型記録層１４の形成）
実施例１〜１０として、化合物（Ｍ−１）、（Ｍ−１３）、（Ｍ−１６）、（Ｍ−１７）、（Ｍ−２２）、（Ｍ−２３）、（Ｍ−２６）、（Ｍ−３２）、（Ｍ−２）、（Ｍ−３８）をそれぞれ１ｇを、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール１００ｍｌ中に添加して溶解し、色素含有塗布液を調製した。そして、光反射層１８上に、調製した色素含有塗布液を、スピンコート法により回転数５００〜２２００ｒｐｍまで変化させながら２３℃、５０％ＲＨの条件で塗布して、追記型記録層１４を形成した。

追記型記録層１４を形成した後、クリーンオーブンにてアニール処理を施した。アニール処理は、基板１２を垂直のスタックポールにスペーサで間をあけながら支持し、８０℃で１時間保持して行った。

（バリア層２０の形成）
その後、追記型記録層１４上に、Ｕｎａｘｉｓ社製Ｃｕｂｅを使用し、Ａｒ雰囲気中で、ＤＣスパッタリングによりＮｂ₂Ｏ₅からなる、厚さ１０ｎｍのバリア層２０を形成した。

（カバー層１６の貼り合わせ）
カバー層１６としては、内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍで、片面に粘着層（ガラス転移温度−２６℃）を有するポリカーボネート製フイルム（帝人ピュアエース、厚さ：８０μｍ）を用い、該粘着層とポリカーボネート製フイルムとの厚さの合計が１００μｍとなるように設定した。

そして、バリア層２０上に、該バリア層２０と粘着層とが当接するようにカバー層を載置した後、そのカバー層１６を押し当て部材にて圧接して貼り合わせた。以上の工程により、図１に示す層構成を有する光情報記録媒体１０Ａを作製した。

これにより、実施例１〜１０に係る光情報記録媒体が作製された。

（比較例１〜８）光情報記録媒体の作製
追記型記録層１４に使用する色素として例示化合物（Ｍ−１）に代えて比較化合物（Ａ）〜（Ｈ）を使用した以外は同様の方法で比較例１〜８の光情報記録媒体を作製した。

例えば、比較例１は下記比較化合物（Ａ）１ｇを、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール１００ｍｌ中に添加して溶解し、色素含有塗布液を調製した。それ以外は、上述した実施例１〜１０と同様の方法で比較例１に係る光情報記録媒体を作製した。後の比較例２〜８もそれぞれ下記比較化合物（Ｂ）〜（Ｈ）１ｇを用いたこと以外は比較例１と同様である。

比較化合物（Ａ）：特開２００１−１５８８６２号公報範疇の化合物

比較化合物（Ｂ）：特開２００１−１５８８６２号公報記載の化合物

比較化合物（Ｃ）：特開２００６−１４２７８９号公報範疇の化合物

比較化合物（Ｄ）：特開２００１−３０６０７０号公報記載の化合物

比較化合物（Ｅ）：特開２００５−２９７４０６号公報記載の化合物

比較化合物（Ｆ）：特開２００６−１４２７８９号公報範疇の化合物

比較化合物（Ｇ）：特開２００５−２９７４０６号公報及び特開２００５−２９７４０７号公報記載の化合物

比較化合物（Ｈ）：特開２０００−１６８２３７号公報記載の化合物

＜光情報記録媒体の評価＞
（１） Ｃ／Ｎ（搬送波対雑音比）評価
作製した光情報記録媒体を、４０３ｎｍレーザ、ＮＡ０．８５ピックアップを有する記録再生評価機（パルステック社製：ＤＤＵ１０００）を用い、クロック周波数６６ＭＨｚ、線速４．９２ｍ／ｓにて、０．１６μｍの信号（２Ｔ）を記録、再生しスペクトルアナライザ（ローデ＆シュウバルツ社製ＦＳＰ−３型）にて記録ピットを再生した。記録後の１６ＭＨｚの出力をＣａｒｒｉｅｒ出力、記録前の１６ＭＨｚの出力をＮｏｉｓｅ出力として、記録後の出力−記録前の出力をＣ／Ｎ値とした。なお、本評価は、本実施の形態の光情報記録方法を用いたものであり、記録はグルーブ上に行った。また、記録パワー５〜６ｍＷ、再生パワー０．３ｍＷであった。結果を表４に示す。記録特性の指標となる２Ｔ記録Ｃ／Ｎ比は、記録パワーを強くすれば値が高くなっていく傾向があるが、２Ｔ記録Ｃ／Ｎ比と記録感度の双方の観点から、５〜６ｍＷで（記録後の）Ｃ／Ｎが３５ｄＢ以上であると、記録感度及び再生信号強度が共に十分であり、記録特性が好ましいことを指す。

（２） 色素膜の耐光性評価
実施例１〜１０、比較例１〜８と同様の色素含有塗布液を調製し、厚さ１．１ｍｍのガラス板上に、調製した色素含有塗布液を、スピンコート法により回転数５００〜１０００ｒｐｍまで変化させながら２３℃、５０％ＲＨの条件で塗布した。その後、２３℃、５０％ＲＨで２４時間保存した後、メリーゴーランド型耐光試験機（イーグルエンジニアリング社製、セルテスト機ＩＩＩ型、Ｓｃｈｏｔｔ製ＷＧ３２０フィルタ付）を用いて耐光性試験を行った。耐光性試験直前の色素膜及び耐光性試験４８時間後の色素膜について、ＵＶ−１６００ＰＣ（ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製）を用いて色素膜の吸収スペクトルを測定し、最大吸収波長における吸光度の変化を読み取った。光情報記録媒体用色素としては、記録情報の長期保存を観点として、極めて高い耐光性が求められる。本試験において８５％以上であると、実用的に十分であり、耐光性が好ましいことを指す。

（注１）Ｘｅ光照射４８時間後の吸収λｍａｘにおける色素残存率が９０％以上のとき◎、８５％以上９０％未満のとき○、７５％以上８５％未満のとき△、７５％未満のとき×。

（注２）２Ｔ記録Ｃ／Ｎが３９ｄＢ以上のとき◎、３５ｄＢ以上３９ｄＢ未満のとき○、３０ｄＢ以上３５ｄＢ未満のとき△、３０ｄＢ未満のとき×。

（注３）溶解性が悪く、記録層の形成が十分にできなかったため、測定あるいは記録ができなかった。

表４に示すように、従来のアゾ金属錯体を用いた比較例１〜８に比べ、実施例１〜１０のアゾ色素では、いずれも耐光性が良好であり、且つ、記録再生特性が良好であった。５５時間Ｘｅ光照射した後の光情報記録媒体の記録再生も可能であり、光情報記録媒体下でも耐光性が良好であることがわかった。

また、本実施の形態における実施例のアゾ金属錯体色素は塗布溶剤に対し、良好な溶解性を示し、膜安定性も良好であった。

さらに、本実施の形態における実施例のアゾ金属錯体色素は、塗布溶剤に対する溶液安定性が実施例の化合物に比べて良好であることがわかった。

＜色素溶液の耐光性評価＞
実施例１〜１０のアゾ金属錯体色素について、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに対して吸光度０．９５〜１．０５（セル幅１ｃｍ）となるように溶解させ、色素膜の耐光性評価と同じ条件にて、耐光性評価を行った。その結果、溶液中の耐光性はいずれも極めて高く、４８時間後の色素残存率は９０％以上であった。種々の用途において色素に求める重要な性能として耐光性が挙げられることから、膜、溶液中いずれの状態においても耐光性に優れる本発明の化合物はインク、カラーフィルタ、色変換フィルタ、写真用材料、熱転写記録材料等の種々の用途において好ましい性能を示すことがわかった。

さらに、ガラス板にスピンコーとした化合物（Ｍ−１３）を温度８０℃、相対湿度８５%の環境下で２４時間保存し、同様の測定を行った（加温、加湿実験）。その結果、吸収スペクトル変化は起こらず、高温高湿度下の保存性に優れることがわかった。

さらに、本発明の色素は、粉末状態及び膜状態で１５０℃の温度条件下に置いても分解せず、熱安定性に優れていることがわかった。これにより本発明の化合物は、光情報記録媒体のみならず、インク、カラーフィルタ、色変換フィルタ、写真用材料等の種々の用途において好ましい性能を示すことがわかった。

なお、本発明に係る光情報記録媒体及びアゾ金属錯体色素は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。

Claims (15)

1. トラックピッチ５０〜５００ｎｍのプリグルーブを有する基板と、４４０ｎｍ以下のレーザ光を照射することによって情報の記録が可能な記録層とを有し、
   前記記録層は、下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）と銅イオンからなるアゾ金属錯体色素を少なくとも一種含有し、
   一般式（１−１）又は一般式（１−２）は、Ｑに解離し得る水素原子を有し、
   前記アゾ金属錯体色素は、前記Ｑに解離し得る前記水素原子と、下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に＊で記されている−ＮＨ−基の水素原子とが共に解離して前記銅イオンと結合してなる光情報記録媒体であって、
   前記アゾ金属錯体色素は、下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に含まれる水素原子２つを解離させることにより得られる２価のアゾ色素アニオンと金属イオンの数比が４対５であることを特徴とする光情報記録媒体。
   

   

   ［式中、Ｑは炭素環基又はへテロ環基を表す。Ｒ^６〜Ｒ^８は各々独立に水素原子又は置換基を表す。］
2. 請求項１記載の光情報記録媒体であって、
   前記アゾ金属錯体色素が、下記一般式で表されることを特徴とする光情報記録媒体。
   一般式
   （Ｌ^２−）_ｓ（Ｌ２）_ｔ（Ｍ）_ｕ・（Ｘ^ｐ＋）_ｗ
   ［式中、Ｌ^２−は下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に含まれる水素原子２つを解離させることにより得られる２価のアゾ色素アニオンを表し、Ｌ２は配位子を表し、Ｍは銅イオンを表し、ｓは１〜４の範囲の整数を表し、ｔは０〜１４の範囲の整数を表し、ｕは２から５の整数を表し、Ｘ^ｐ＋はｐ価のカチオンであり、ｐは１〜１０の範囲の整数を表し、ｗは０＜ｗ≦４の範囲であり一般式中の負電荷をｐで割った値を表す。］
   

   

   ［式中、Ｑは炭素環基又はヘテロ環基を表す。Ｒ^６〜Ｒ^８は各々独立に水素原子又は置換基を表す。］
3. 請求項１記載の光情報記録媒体において、
   前記Ｑは、ヘテロ環基であって、下記式（ｑ−１）〜（ｑ−４）のいずれか１つで表されることを特徴とする光情報記録媒体。
   

   

   ［上記式（ｑ−１）〜（ｑ−４）中、＊は−Ｎ＝Ｎ−基との結合位置を表し、Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^１０１ 〜Ｒ ^１０４ は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。］
4. 請求項３記載の光情報記録媒体において、
   前記Ｑは、前記式（ｑ−１）で表されることを特徴とする光情報記録媒体。
5. トラックピッチ５０〜５００ｎｍのプリグルーブを有する基板と、４４０ｎｍ以下のレーザ光を照射することによって情報の記録が可能な記録層とを有し、
   前記記録層は、下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）と金属イオンからなるアゾ金属錯体色素を少なくとも一種含有し、
   一般式（１−１）又は一般式（１−２）は、Ｑに解離し得る水素原子を有し、
   前記アゾ金属錯体色素は、前記Ｑに解離し得る前記水素原子と、下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に＊で記されている−ＮＨ−基の水素原子とが共に解離して金属イオンと結合してなる光情報記録媒体であって、
   

   

   ［式中、Ｑは炭素環基又はへテロ環基を表す。Ｒ ^６ 〜Ｒ ^８ は各々独立に水素原子又は置換基を表す。］
   前記記録層は、下記一般式（Ａ）で表されるアゾ金属錯体色素を少なくとも一種含有し、
   一般式（Ａ）
   （Ｌ ^２− ） _ｎ （Ｌ’） _ｍ （Ｍ） _ｒ ・（Ｘ ^ｐ＋ ） _ｋ’´
   ［式中、Ｌ ^２− は下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に含まれる水素原子２つを解離させることにより得られる２価のアゾ色素アニオンを表し、Ｌ’は配位子を表し、Ｍは金属イオン（金属酸化物イオンを含む）を表し、ｎは１〜４の範囲の整数を表し、ｍは０〜３の範囲の整数を表し、ｒは１又は２を表し、Ｘ ^ｐ＋ はｐ価のカチオンであり、ｐは１〜１０の範囲の整数を表し、ｋ’は０＜ｋ’≦４の範囲であり一般式（Ａ）中の負電荷をｐで割った値を表す。］
   

   

   ［式中、Ｑは炭素環基又はへテロ環基を表す。Ｒ ^６ 〜Ｒ ^８ は各々独立に水素原子又は置換基を表す。］
   さらに、前記アゾ金属錯体色素が、下記一般式（２−１）で表されるアゾ金属錯体色素であることを特徴とする光情報記録媒体。
   一般式（２−１）
   

   

   ［式中、Ｍは金属イオン（金属酸化物イオンを含む）を表し、Ｑ^２はヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｌ１は配位子を表す。Ｘ^ｐ＋はｐ価のカチオンであり、ｐは１〜１０の範囲の整数を表し、ｑは１〜４の範囲の整数を表す。ｎ１は１又は２を表し、ｎ２は０〜３の整数を表し、ｎ３は０＜ｎ３≦４の範囲でありｑ／ｐで算出される値を表す。Ｒ^６、Ｒ^７は各々独立に水素原子又は置換基を表す。］
6. トラックピッチ５０〜５００ｎｍのプリグルーブを有する基板と、４４０ｎｍ以下のレーザ光を照射することによって情報の記録が可能な記録層とを有し、
   前記記録層は、下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）と金属イオンからなるアゾ金属錯体色素を少なくとも一種含有し、
   一般式（１−１）又は一般式（１−２）は、Ｑに解離し得る水素原子を有し、
   前記アゾ金属錯体色素は、前記Ｑに解離し得る前記水素原子と、下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に＊で記されている−ＮＨ−基の水素原子とが共に解離して金属イオンと結合してなる光情報記録媒体であって、
   

   

   ［式中、Ｑは炭素環基又はへテロ環基を表す。Ｒ ^６ 〜Ｒ ^８ は各々独立に水素原子又は置換基を表す。］
   前記記録層は、下記一般式（Ａ）で表されるアゾ金属錯体色素を少なくとも一種含有し、
   一般式（Ａ）
   （Ｌ ^２− ） _ｎ （Ｌ’） _ｍ （Ｍ） _ｒ ・（Ｘ ^ｐ＋ ） _ｋ’´
   ［式中、Ｌ ^２− は下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に含まれる水素原子２つを解離させることにより得られる２価のアゾ色素アニオンを表し、Ｌ’は配位子を表し、Ｍは金属イオン（金属酸化物イオンを含む）を表し、ｎは１〜４の範囲の整数を表し、ｍは０〜３の範囲の整数を表し、ｒは１又は２を表し、Ｘ ^ｐ＋ はｐ価のカチオンであり、ｐは１〜１０の範囲の整数を表し、ｋ’は０＜ｋ’≦４の範囲であり一般式（Ａ）中の負電荷をｐで割った値を表す。］
   

   

   ［式中、Ｑは炭素環基又はへテロ環基を表す。Ｒ ^６ 〜Ｒ ^８ は各々独立に水素原子又は置換基を表す。］
   さらに、前記アゾ金属錯体色素が、下記一般式（３−１）で表されるアゾ金属錯体色素であることを特徴とする光情報記録媒体。
   一般式（３−１）
   

   

   ［式中、Ｍは金属イオン（金属酸化物イオンを含む）を表し、Ｑ^２はヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｌ１は配位子を表す。Ｘ^ｐ＋はｐ価のカチオンであり、ｐは１〜１０の範囲の整数を表し、ｑは１〜４を表す。ｎ１は１又は２を表し、ｎ２は０〜３の整数を表し、ｎ３は０＜ｎ３≦４の範囲でありｑ／ｐで算出される値を表す。Ｒ^６、Ｒ^８は各々独立に水素原子又は置換基を表す。］
7. 請求項５又は６記載の光情報記録媒体において、
   前記Ｘ^ｐ＋は、アンモニウムカチオンであることを特徴とする光情報記録媒体。
8. 請求項５〜７のいずれか１項に記載の光情報記録媒体において、
   トラックピッチ５０〜５００ｎｍのプリグルーブを有する基板のプリグルーブを有する面上に、反射層、記録層が順に積層されていることを特徴とする光情報記録媒体。
9. 下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）と銅イオンとを含むアゾ金属錯体色素であって、
   一般式（１−１）又は一般式（１−２）は、Ｑに解離し得る水素原子を有し、該水素原子と、下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に＊で記されている−ＮＨ−基の水素原子とが共に解離して前記銅イオンと結合してなり、
   下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に含まれる水素原子２つを解離させることにより得られる２価のアゾ色素アニオンと金属イオンの数比が４対５であることを特徴とするアゾ金属錯体色素。
   

   

   ［式中、Ｑは炭素環基又はへテロ環基を表す。Ｒ^６〜Ｒ^８は各々独立に水素原子又は置換基を表す。］
10. 請求項９記載のアゾ金属錯体色素であって、
    下記一般式で表されることを特徴とするアゾ金属錯体色素。
    一般式
    （Ｌ^２−）_ｓ（Ｌ２）_ｔ（Ｍ）_ｕ・（Ｘ^ｐ＋）_ｗ
    ［式中、Ｌ^２−は下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に含まれる水素原子２つを解離させることにより得られる２価のアゾ色素アニオンを表し、Ｌ２は配位子を表し、Ｍは銅イオンを表し、ｓは１〜４の範囲の整数を表し、ｔは０〜１４の範囲の整数を表し、ｕは２から５の整数を表し、Ｘ^ｐ＋はｐ価のカチオンであり、ｐは１〜１０の範囲の整数を表し、ｗは０＜ｗ≦４の範囲であり一般式中の負電荷をｐで割った値を表す。］
    

    

    ［式中、Ｑは炭素環基又はヘテロ環基を表す。Ｒ^６〜Ｒ^８は各々独立に水素原子又は置換基を表す。］
11. 請求項９記載のアゾ金属錯体色素において、
    前記Ｑは、ヘテロ環基であって、下記式（ｑ−１）〜（ｑ−４）のいずれか１つで表されることを特徴とするアゾ金属錯体色素。
    

    

    ［上記式（ｑ−１）〜（ｑ−４）中、＊は−Ｎ＝Ｎ−基との結合位置を表し、Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^１０１ 〜Ｒ ^１０４ は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。］
12. 請求項１１記載のアゾ金属錯体色素において、
    前記Ｑは、ヘテロ環基であって、前記式（ｑ−１）で表されることを特徴とするアゾ金属錯体色素。
13. 下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）と金属イオンとを含み、
    一般式（１−１）又は一般式（１−２）は、Ｑに解離し得る水素原子を有し、該水素原子と、下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に＊で記されている−ＮＨ−基の水素原子とが共に解離して金属イオンと結合してなり、
    

    

    ［式中、Ｑは炭素環基又はへテロ環基を表す。Ｒ ^６ 〜Ｒ ^８ は各々独立に水素原子又は置換基を表す。］
    さらに、下記一般式（Ａ）で表されるアゾ金属錯体色素であって、
    一般式（Ａ）
    （Ｌ ^２− ） _ｎ （Ｌ’） _ｍ （Ｍ） _ｒ ・（Ｘ ^ｐ＋ ） _ｋ’´
    ［式中、Ｌ ^２− は下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に含まれる水素原子２つを解離させることにより得られる２価のアゾ色素アニオンを表し、Ｌ’は配位子を表し、Ｍは金属イオン（金属酸化物イオンを含む）を表し、ｎは１〜４の範囲の整数を表し、ｍは０〜３の範囲の整数を表し、ｒは１又は２を表し、Ｘ ^ｐ＋ はｐ価のカチオンであり、ｐは１〜１０の範囲の整数を表し、ｋ’は０＜ｋ’≦４の範囲であり一般式（Ａ）中の負電荷をｐで割った値を表す。］
    

    

    ［式中、Ｑは炭素環基又はへテロ環基を表す。Ｒ ^６ 〜Ｒ ^８ は各々独立に水素原子又は置換基を表す。］
    下記一般式（２−１）で表されることを特徴とするアゾ金属錯体色素。
    一般式（２−１）
    

    

    ［式中、Ｍは金属イオン（金属酸化物イオンを含む）を表し、Ｑ ^２ はヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｌ１は配位子を表す。Ｘ ^ｐ＋ はｐ価のカチオンであり、ｐは１〜１０の範囲の整数を表し、ｑは１〜４の範囲の整数を表す。ｎ１は１又は２を表し、ｎ２は０〜３の整数を表し、ｎ３は０＜ｎ３≦４の範囲でありｑ／ｐで算出される値を表す。Ｒ ^６ 、Ｒ ^７ は各々独立に水素原子又は置換基を表す。］
14. 下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）と金属イオンとを含み、
    一般式（１−１）又は一般式（１−２）は、Ｑに解離し得る水素原子を有し、該水素原子と、下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に＊で記されている−ＮＨ−基の水素原子とが共に解離して金属イオンと結合してなり、
    

    

    ［式中、Ｑは炭素環基又はへテロ環基を表す。Ｒ ^６ 〜Ｒ ^８ は各々独立に水素原子又は置換基を表す。］
    さらに、下記一般式（Ａ）で表されるアゾ金属錯体色素であって、
    一般式（Ａ）
    （Ｌ ^２− ） _ｎ （Ｌ’） _ｍ （Ｍ） _ｒ ・（Ｘ ^ｐ＋ ） _ｋ’´
    ［式中、Ｌ ^２− は下記一般式（１−１）又は一般式（１−２）中に含まれる水素原子２つを解離させることにより得られる２価のアゾ色素アニオンを表し、Ｌ’は配位子を表し、Ｍは金属イオン（金属酸化物イオンを含む）を表し、ｎは１〜４の範囲の整数を表し、ｍは０〜３の範囲の整数を表し、ｒは１又は２を表し、Ｘ ^ｐ＋ はｐ価のカチオンであり、ｐは１〜１０の範囲の整数を表し、ｋ’は０＜ｋ’≦４の範囲であり一般式（Ａ）中の負電荷をｐで割った値を表す。］
    

    

    ［式中、Ｑは炭素環基又はへテロ環基を表す。Ｒ ^６ 〜Ｒ ^８ は各々独立に水素原子又は置換基を表す。］
    下記一般式（３−１）で表されることを特徴とするアゾ金属錯体色素。
    一般式（３−１）
    

    

    ［式中、Ｍは金属イオン（金属酸化物イオンを含む）を表し、Ｑ ^２ はヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｌ１は配位子を表す。Ｘ ^ｐ＋ はｐ価のカチオンであり、ｐは１〜１０の範囲の整数を表し、ｑは１〜４を表す。ｎ１は１又は２を表し、ｎ２は０〜３の整数を表し、ｎ３は０＜ｎ３≦４の範囲でありｑ／ｐで算出される値を表す。Ｒ ^６ 、Ｒ ^８ は各々独立に水素原子又は置換基を表す。］
15. 請求項１３又は１４記載のアゾ金属錯体色素において、
    前記Ｘ ^ｐ＋ は、アンモニウムカチオンであることを特徴とするアゾ金属錯体色素。

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