JP2009255563A - 光情報記録媒体、情報記録方法および新規アゾ色素 - Google Patents

Abstract

【課題】短波長レーザ光照射による情報記録が可能であり、更に色素の耐光性およびアモルファス膜安定性に優れる光情報記録媒体を提供する。
【解決手段】基板上に記録層を有する光情報記録媒体。記録層に、一般式（１）で表されるアゾ色素を含有する。一般式（１）Ａ^p-・（X^q+）_k'［一般式（１）中、Ａ^p-は、ｐ価のアゾ色素アニオンを表し、ｐは１〜５の範囲の整数を表し、Ｘ^q+は、ｑ価のカチオンを表し、ｑは１〜５の範囲の整数を表し、ｋ’は０＜ｋ’≦５の範囲であって、Ａで表されるアニオン性部位中の負電荷ｐをｑで割った値を表し、但し、一般式（１）で表されるアゾ色素は分子内に金属イオンを含有しない。］
【選択図】図１

Description

本発明は、レーザ光を用いて情報の記録および再生が可能な光情報記録媒体に関し、詳しくは、波長４４０ｎｍ以下の短波長レーザ光を用いる情報の記録および再生に好適なヒートモード型の光情報記録媒体、ならびに上記光情報記録媒体へ情報を記録する情報記録方法に関する。
更に本発明は、耐光性および短波長レーザ光照射による記録特性に優れた新規アゾ色素に関する。

最近、インターネット等のネットワークやハイビジョンＴＶが急速に普及している。また、ＨＤＴＶ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）の放映も間近にひかえて、画像情報を安価簡便に記録するための大容量記録媒体の要求が高まっている。前述のＣＤ−Ｒおよび、可視レーザ光（６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ）を記録用レーザ光として高密度記録を可能としたＤＶＤ−Ｒは、大容量の記録媒体としての地位をある程度まで確保しているものの、将来の要求に対応できる程の十分に大きな記録容量を有しているとはいえない。そこで、ＤＶＤ−Ｒよりもさらに短波長のレーザ光を用いることによって記録密度を向上させ、より大きな記録容量を備えた光ディスクの開発が進められ、例えば４０５ｎｍの青色レーザを用いたＢｌｕ−ｒａｙ方式と称される光記録ディスクが提供されている。

従来から、ＤＶＤ−Ｒ型の光ディスクにおいて、記録層に含有する色素化合物として、金属アゾキレート色素が有利に用いられてきた（例えば、特許文献１〜３参照）。金属アゾキレート色素は、良好な耐光性を示すが、これは金属イオンによる色素励起子の消光促進、アゾ−ヒドラゾン互変異性平衡におけるヒゾラゾン形成の抑制、あるいは一重項酸素消光等の効果と考えられる。これらの金属アゾキレート色素に対して、金属イオンを有さないアゾ色素は一般に耐光性は劣る。また、金属アゾキレート色素は、分子構造が嵩高く、その結果、膜形成を行った場合に結晶化が起こりにくく、膜安定性が高い。

上記のように耐光性および色素膜の安定性に優れる金属アゾキレート色素は、光情報記録媒体において従来好ましく用いられてきた。しかし、金属アゾキレート色素には、環境有害性、および人体に対する毒性を有する金属イオンが含まれていることから、金属イオンとキレートを形成しない状態で良好な性能を発揮し得るアゾ色素を使用することは、光情報記録媒体および色素の拡販において、大いに意義がある。しかしながら従来光情報記録媒体に使用されていたアゾ色素は、金属イオンとキレート形成しない状態では膜形成を行った場合に結晶化が起こりやすく、ディスク作製が困難である。これらの理由から、高い耐光性を求められる光ディスクにおいて、金属アゾキレート以外のアゾ色素が用いられている例はほとんど見られず、耐光性と記録特性を満足するアゾ色素を見出すことは困難であった。

一方、特許文献４には、ピラゾールを有するアゾ色素を光情報記録媒体の記録層に使用することが提案されている。しかし、短波長レーザ光（例えば４０５ｎｍの青色レーザ光）を用いた光記録ディスクにおいては、ＤＶＤ−Ｒ等の可視レーザ光を記録用レーザ光として使用する光ディスクで用いられた色素に対して吸収波長の短波長化を図るべきであり、最適な色素を選択しなければピットの形成すら困難となるのに対し、特許文献４の実施例に記載の記録レーザ波長は６３３ｎｍであり、波長４４０ｎｍ以下のレーザ波長については記載がなく、この色素を波長４４０ｎｍ以下のレーザ光による記録に用いること効果は不明である。更に本発明者らが検討したところ、特許文献４に記載の色素は耐光性に劣ることも判明した。

特開平１１−３１０７２８号公報 特開平１１−１３０９７０号公報 特開２００２−２７４０４０号公報 特開２００５−１６２８１２号公報

そこで本発明の目的は、短波長レーザ光照射による情報記録（特に、波長が４４０ｎｍ以下のレーザ光照射による情報記録）が可能であり、更に色素の耐光性およびアモルファス膜安定性に優れる光情報記録媒体を提供することにある。

本発明者らは上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、イオン性基を有し、かつ対塩を持つ特定のアゾ色素が上記要求項目の全てを満たすことを見出し、本発明を完成するに至った。

即ち、上記目的は、下記手段により達成された。
[１]基板上に記録層を有する光情報記録媒体であって、
前記記録層は、一般式（１）で表されるアゾ色素を含有することを特徴とする光情報記録媒体。

［一般式（１）中、Ａ^p-は、ｐ価のアゾ色素アニオンを表し、ｐは１〜５の範囲の整数を表し、Ｘ^q+は、ｑ価のカチオンを表し、ｑは１〜５の範囲の整数を表し、ｋ’は０＜ｋ’≦５の範囲であって、Ａで表されるアニオン性部位中の負電荷ｐをｑで割った値を表し、但し、一般式（１）で表されるアゾ色素は分子内に金属イオンを含有しない。］
[２]Ｘ^q+がアンモニウムカチオン、一般式（２）で表されるカチオン、一般式（２）に含まれない含窒素芳香族ヘテロ環の環内窒素上に正電荷を有するカチオン、およびホスホニウムカチオンからなる群から選ばれるカチオンである[１]に記載の光情報記録媒体。

［一般式（２）中、Ｒ²¹〜Ｒ²⁵は、各々独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ²¹〜Ｒ²⁵のいずれか２つ以上が互いに結合して環を形成してもよい。］
[３]Ａ^p-は、一般式（Ａ）で表されるアゾ色素の水素原子がｐ個解離したアニオンである[１]または[２]に記載の光情報記録媒体。

[一般式（Ａ）中、Ｂは、下記一般式（Ｂ）で表され、Ｃは、含窒素へテロ環基を表す。]

[一般式（Ｂ）中、Ｑは隣り合う２つの炭素原子とともに含窒素へテロ環を形成する基を表し、Ｙは−ＮＲ¹Ｒ²または−ＯＲ³で表される基を表し、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は各々独立に水素原子または置換基を表し、＊は−Ｎ＝Ｎ−基との結合位置を表す。]
[４]波長４４０ｎｍ以下のレーザ光を照射することにより情報を記録するために使用される[１]〜[３]のいずれかに記載の光情報記録媒体。
[５]基板と記録層との間に反射層を有し、前記レーザ光を上記反射層と対向する面とは反対の面側から記録層へ照射するする[４]に記載の光情報記録媒体。
[６]トラックピッチ５０〜５００ｎｍのプリグルーブを表面に有する基板の該表面上に前記記録層を有する[１]〜[５]のいずれかに記載の光情報記録媒体。
[７]Ａ^p-で表されるアゾ色素アニオンは、−ＣＯＯ^-基および／または−ＳＯ₃ ^-基を含有する[１]〜[６]のいずれかに記載の光情報記録媒体。
[８][１]〜[７]のいずれかに記載の光情報記録媒体に、波長４４０ｎｍ以下のレーザ光を照射することにより、上記光情報記録媒体が有する記録層へ情報を記録する情報記録方法。
[９]下記一般式（１）で表されるアゾ色素。

［一般式（１）中、Ａ^p-は、下記一般式（Ａ）で表されるアゾ色素の水素原子がｐ個解離したｐ価のアゾ色素アニオンを表し、ｐは１〜５の範囲の整数を表し、Ｘ^q+は、ｑ価のカチオンを表し、ｑは１〜５の範囲の整数を表し、ｋ’は０＜ｋ’≦５の範囲であって、Ａで表されるアニオン性部位中の負電荷ｐをｑで割った値を表し、但し、一般式（１）で表されるアゾ色素は分子内に金属イオンを含有しない。］

[一般式（Ａ）中、Ｂは、下記一般式（Ｂ）で表され、Ｃは、含窒素へテロ環基を表す。]

[一般式（Ｂ）中、Ｑは隣り合う２つの炭素原子とともに含窒素へテロ環を形成する基を表し、Ｙは−ＮＲ¹Ｒ²または−ＯＲ³で表される基を表し、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は各々独立に水素原子または置換基を表し、＊は−Ｎ＝Ｎ−基との結合位置を表す。]

本発明によれば、一般式（１）で表されるアゾ色素を記録層用色素として使用することにより、記録前、記録後とも耐光性に優れ、良好な膜安定性を持ち、かつ波長が４４０ｎｍ以下のレーザ光の照射による情報の記録が可能な光情報記録媒体を提供することができる。

本発明の光情報記録媒体の一例を示す概略断面図である。

以下、本発明における光情報記録媒体について詳細に説明する。

本発明の光情報記録媒体は、基板上に情報の記録が可能な少なくとも一層の記録層を有し、好ましくはさらに光反射層、保護層等を設けて構成することができる。

本発明の光情報記録媒体は、下記一般式（１）で表される、イオン性基と対塩を有するアゾ色素を少なくとも一種、記録層に含有する。

[一般式（１）中、Ａ^p-は、ｐ価のアゾ色素アニオンを表し、ｐは１〜５の範囲の整数を表し、Ｘ^q+は、ｑ価のカチオンを表し、ｑは１〜５の範囲の整数を表し、ｋ’は０＜ｋ’≦５の範囲であって、Ａで表されるアニオン性部位中の負電荷ｐをｑで割った値を表し、但し、一般式（１）で表されるアゾ色素は分子内に金属イオンを含有しない。］

一般式（１）で表されるアゾ色素は、イオン性基を有し、対塩を持つこと、および分子内に金属イオンを含有しないことを特徴とする。一般式（１）で表されるアゾ色素は、光情報記録媒体の記録層において、分子内に金属イオンを含まずキレート形成していない状態で短波長レーザ光照射による情報記録（特に、波長が４４０ｎｍ以下のレーザ光照射による情報記録）が可能であり、更に、耐光性、アモルファス膜安定性に優れる。本発明によれば、一般式（１）で表されるアゾ色素を記録層用色素として使用することにより、光記録媒体上に良好な耐光性を有する色素膜（記録層）を安定に形成することができ、さらに、短波長レーザ光、好ましくは波長４４０ｎｍ以下のレーザ光による良好な記録が可能となる。本発明者らは、この作用機構を以下のように推定している。
色素にイオン性基と対塩を持たせることで、分子間の静電的相互作用により膜安定性が向上し、色素膜が安定に存在できる。また、膜が高温まで軟化しなくなるため、記録ピットをきれいに形成することができると推定される。なお、通常の塩は陽イオンと陰イオンとは独立しており、溶媒に溶解するとそれぞれのイオンは分離されるが、分子内塩（アニオンとカチオンが共有結合を形成）では溶媒に溶解しても分子同士が解離するだけで共有結合で結ばれた陽イオンと陰イオンとは対になったままである。前記一般式（１）で表されるアゾ色素からは、分子内塩を形成する態様は除くものとする。
以下、一般式（１）で表されるアゾ色素について、更に詳細に説明する。

一般式（１）中、ｐは１〜５の範囲の整数を表し、１〜４であることが好ましく、２であることが特に好ましい。

一般式（１）中、ｑは１〜５の範囲の整数を表し、１〜４であることが好ましく、２であることが特に好ましい。

一般式（１）中、ｋ’は０＜ｋ’≦５の範囲であって、Ａで表されるアニオン性部位中の負電荷ｐをｑで割った値を表す。

一般式（１）中、Ｘ^q+は、ｑ価のカチオンを表し、金属イオンを含有しないアゾ色素とするために金属錯体カチオン以外のカチオンとする。

前記カチオンとしては、金属イオンを含有しない点以外、特に限定されるものではないが、例えば、アンモニウムカチオン、下記一般式（２）で表されるカチオン、下記一般式（２）に含まれない含窒素芳香族ヘテロ環の環内窒素上に正電荷を有するカチオン、およびホスホニウムカチオンが挙げられ、アンモニウムカチオン、下記一般式（２）で表されるカチオン、下記一般式（２）に含まれない含窒素芳香族ヘテロ環の環内窒素上に正電荷を有するカチオンであることが好ましく、下記一般式（２）で表されるカチオン、および下記一般式（２）に含まれない含窒素芳香族ヘテロ環の環内窒素上に正電荷を有するカチオンであることが更に好ましい。以下に、その詳細を説明する。

まず、一般式（２）について説明する。

一般式（２）中、Ｒ²¹〜Ｒ²⁵は、各々独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ²¹〜Ｒ²⁵のいずれか２つ以上が互いに結合して環を形成してもよい。

Ｒ²¹で表される置換基としては特に限定されないが、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよびヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基が例として挙げられる。

更に詳しくは、Ｒ²¹は、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、エイコシル基、２−クロロエチル基、２−シアノエチル基、２−エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。］、アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基、プレニル基、ゲラニル基、オレイル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。］、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基、トリメチルシリルエチニル基、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基、ｍ−クロロフェニル基、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル基）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３〜３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基）、アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアニリノ基、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、Ｎ−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ基）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ基）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ基）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル基）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基）、アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４〜３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイル基、２−クロロアセチル基、ステアロイル基、ベンゾイル基、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル基、２−ピリジルカルボニル基、２−フリルカルボニル基）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基）、アリールおよびヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表す。

上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去り更に上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。

Ｒ²¹は、水素原子、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリール基が好ましく、溶解性の観点から炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリール基がより好ましい。アルキル基としては、炭素数３〜６の分岐のアルキル基であることが好ましく、炭素数４〜６の３級アルキル基がより好ましい。

Ｒ²²〜Ｒ²⁵で表される置換基としては、特に限定されないが、前記Ｒ²¹について例示した置換基が挙げられる。置換基としては、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜２０の置換もしくは無置換のアリール基であることが好ましく、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基であることがより好ましい。

Ｒ²¹〜Ｒ²⁵は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ²¹〜Ｒ²⁵のいずれか２つ以上が結合して環を形成することが好ましい。

一般式（２）で表されるカチオンの具体例としては、イミダゾリウムカチオン、アミジニウムカチオン、ピリミジニウムカチオンなどが挙げられる。

イミダゾリウムカチオンとしては、以下の化合物群が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

アミジニウムカチオンとしては、以下の化合物群が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

ピリミジニウムカチオンとしては、以下の化合物群が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

次に、一般式（２）に含まれない含窒素芳香族ヘテロ環の環内窒素上に正電荷を有するカチオンについて説明する。

一般式（２）に含まれない含窒素芳香族ヘテロ環の環内窒素上に正電荷を有するカチオンとしては、含窒素芳香族ヘテロ環（例えば、ピリジン環、ピリダジン環、トリアジン環、トリアゾール環、テトラゾール環、ピロール環、ピラゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環等）の環上に含まれる−Ｎ＝の窒素原子上に正電荷を有するカチオンであればよく、特に限定されない。前記カチオンとしては、記録特性および保存性（耐光性、熱安定性）の観点で、ピリジニウムカチオン、オキサゾリウムカチオン、チアゾリウムカチオンが好ましく、ピリジニウムカチオンがより好ましい。

ピリジニウムカチオンとしては、以下の例に挙げる化合物群のように、分子間水素結合性基を有するもの、キノリニウム等の縮環構造を有するもの、ビスピリジニウム骨格を有するもの、剛直な構造を有するもの等が挙げられる。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

チアゾリウムカチオンおよびオキサゾリウムカチオンとしては、以下の化合物群が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

次に、ホスホニウムカチオンについて説明する。
ホスホニウムカチオンとしては、以下の化合物群が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（１）中のＸ^q+で表されるカチオンとしては、ピリジニウムカチオン、イミダゾリウムカチオン、アミジニウムカチオンが好ましく、アミジニウムカチオンがより好ましい。その中でも、２価のアミジニウムカチオンが特に好ましい。

次に、一般式（１）中のＡ^p-で表されるアニオン部位について説明する。

一般式（１）中のＡ^p-は、ｐ価のアゾ色素アニオン、即ち、一般式（Ａ）で表されるアゾ色素の水素原子がｐ個解離したアニオンである。

[一般式（１）中、ＢおよびＣは、それぞれ独立に置換基を表す。]

一般式（Ａ）は、分子内に金属イオンを含まないことを特徴とし、対塩交換、または酸塩基反応により色素のイオン化を行うため、ＢおよびＣの少なくとも一方に、ｐＫａが１８以下となる置換基を有することが好ましい。より好ましくはｐＫａが１５以下であり、更に好ましくはｐＫａが１２以下であり、よりいっそう好ましくはｐＫａが８以下であり、特に好ましくはｐＫａが５以下である。置換基として好ましいものは、−ＣＯＯＨ基、−ＳＯ₃Ｈ基である。即ち、一般式（１）中、Ａ^p-で表されるアゾ色素アニオンは、ＣＯＯ^-基および／または−ＳＯ₃ ^-基を含有することが好ましい。

一般式（Ａ）中のＢは、下記一般式（Ｂ）で表されることが好ましい。

一般式（Ｂ）中、Ｑは隣り合う２つの炭素原子とともに含窒素へテロ環を形成する基を表す。Ｙは−ＮＲ¹Ｒ²または−ＯＲ³で表される基を表し、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ¹および／またはＲ²がＱ上の置換基と結合して環を形成していてもよい。＊は−Ｎ＝Ｎ−基との結合位置を表す。

Ｑによって形成される含窒素へテロ環は、置換基を有していても無置換であってもよく特に限定されないが、例えば、ピラゾール環、ピロール環、イミダゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロリン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、１，２，４−トリアジン環等が挙げられる。これらの環はさらに縮環していてもよい。

Ｑによって形成される含窒素へテロ環は、好ましくは、ピラゾール環、イミダゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、ピリジン環であり、より好ましくは、ピラゾール環、ピリジン環であり、さらに好ましくはピラゾール環である。

Ｑによって形成される含窒素へテロ環は、置換基を有していることが好ましく、その置換基としては特に限定されないが、例えば、後述のＲ¹〜Ｒ³で表される置換基が挙げられる。上記置換基としては、−ＣＯＯＨ基、−ＳＯ₃Ｈ基、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル基、エチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる）、またはアリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ピリジル基、チアゾール基、オキサゾール、トリアゾール基等が挙げられる。）が好ましい。これらの置換基はさらに置換されてもよい。更に置換する置換基としては、−ＣＯＯＨ基、−ＳＯ₃Ｈ基が特に好ましい。

Ｒ¹〜Ｒ³は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ¹〜Ｒ³で表される置換基としては特に限定されないが、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル基、エチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基等が挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ピリジル基、チアゾール基、オキサゾール、トリアゾール基等が挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基、トリフルオロメチルカルボニル基等が挙げられる。）、アルキルスルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基等が挙げられる。）、アリールスルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばフェニルスルホニル基等が挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等が挙げられる。）、アミノカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルボニル基等が挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニル基等が挙げられる。）、アルコキシスルホニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシスルホニル基、エトキシスルホニル基等が挙げられる。）、アミノスルホニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノスルホニル基等が挙げられる。）、芳香族ではないヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられる。具体的には、例えば、ピペリジル基、モルホリノ基等が挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる）等が挙げられる。これらの置換基はさらに置換されてもよい。

一般式（Ａ）中のＣは、含窒素へテロ環基を表すことが好ましい。

Ｃで表される含窒素へテロ環基としては、特に限定されないが、例えば、ピラゾール環、ピロール環、イミダゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、ピロリン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、１，２，４−トリアジン環等が挙げられる。これらの環はさらに縮環していてもよい。

Ｃで表される含窒素へテロ環基は、好ましくは、ピラゾール環、イミダゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、ピリジン環であり、より好ましくはピラゾール環、イミダゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、トリアゾール環であり、さらに好ましくは、ピラゾール環、イミダゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環である。チアジアゾール環としては、１，２，４−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾールがあり、いずれも好ましい。ピラゾール環、イミダゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環の置換基としては、特に限定されないが、前記Ｒ¹〜Ｒ³で挙げられた置換基、−ＣＯＯＨ基、−ＳＯ₃Ｈ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、フェノキシ基、チオフェノキシ基等が挙げられ、中でも、−ＣＯＯＨ基、―ＳＯ₃Ｈ基、アルキル基、チオアルコキシ基、アリール基が好ましい。アルキル基としては、溶解性、膜安定性の観点から、ｉｓｏ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が好ましく、ｉｓｏ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基がより好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基がさらに好ましい。さらに、ピラゾール環、イミダゾール環、チアゾール環の置換基としては、耐光性向上の観点から、環上の炭素に結合する置換基としてシアノ基を少なくとも一つ有することが好ましい。これらの置換基はさらに置換されてもよい。更に置換する置換基としては、−ＣＯＯＨ基、−ＳＯ₃Ｈ基が特に好ましい。

一般式（Ａ）で表される化合物の具体例としては、以下の化合物（Ａ−１）〜（Ａ−２６）が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（１）で表される化合物の具体例としては、以下の表１の化合物（１−１）〜（１−２６）が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（Ａ）で表されるアゾ色素の一般的合成法としては、特開昭６１−３６３６２号公報および特開２００６−５７０７６号公報に記載の方法が挙げられる。ただし、これに限定するものではなく、他の酸、反応溶媒を用いてもよく、また、カップリング反応を塩基（例えば、酢酸ナトリウム、ピリジン、水酸化ナトリウム等）存在下で行ってもよい。本発明において使用可能なアゾ化合物の合成方法の具体例を、以下に示す。本発明において使用可能な種々のアゾ化合物は同様の方法により合成できる。

一般式（１）で表されるアゾ色素は、一般的に行われているジアゾカップリング、次いで対塩交換、または酸塩基反応による色素のイオン化で合成できる。合成方法については、後述の実施例を参照できる。

本発明の光情報記録媒体は、一般式（１）で表されるアゾ色素を少なくとも一種含有する記録層を有するものである。前記記録層は、一般式（１）で表されるアゾ色素を１種含むこともでき、２種以上含むこともできる。前記記録層中の一般式（１）で表されるアゾ色素の含有率は、記録層の全質量に対して、例えば１〜１００質量％の範囲であり、好ましくは７０〜１００質量％の範囲であり、より好ましくは８０〜１００質量％の範囲であり、最も好ましくは９０〜１００質量％の範囲である。

本発明の光情報記録媒体は、一般式（１）で表されるアゾ色素を含む記録層を基板上に少なくとも一層有するものであればよく、前記記録層を二層以上有することもできる。または、一般式（１）で表されるアゾ色素を含む記録層以外の記録層を有することも可能である。前記アゾ色素を含む記録層において、記録用色素として他の色素を併用する場合、全色素成分に対する前記アゾ色素の割合が、７０〜１００質量％であることが好ましく、８０〜１００質量％であることが更に好ましい。

本発明において、記録層中の色素成分として、前記アゾ金属錯体色素以外の色素を使用する場合、該色素としては、例えば波長４４０ｎｍ以下の短波長領域において吸収を有するものが好ましい。そのような色素としては、特に限定されないが、アゾ色素、アゾ金属錯体色素、フタロシアニン色素、オキソノール色素、シアニン色素、スクアリリウム色素などが挙げられる。但し、記録層を金属イオンフリーで形成する観点からは、記録層用色素が、金属イオンを含有しない一般式（１）で表されるアゾ色素からなることが好ましい。

本発明の光情報記録媒体において、前記アゾ色素を含む記録層は、レーザ光の照射により情報の記録が可能な層である。ここで、レーザ光の照射により情報の記録が可能とは、記録層のレーザ光が照射された部分がその光学的特性を変えることをいう。光学的特性の変化は、記録層のレーザ光が照射された部分がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的または化学的変化（例えば、ピットの生成）を生じすることによってもたらされると考えられる。記録層に記録された情報の読み取り（再生）は、例えば記録用のレーザ光と同様の波長のレーザ光を照射することにより、記録層の光学的特性が変化した部位（記録部分）と変化しない部位（未記録部分）との反射率等の光学的特性の違いを検出することにより行うことができる。一般式（１）で表されるアゾ色素は、例えば４４０ｎｍ以下のレーザ光に対して吸収性を有するものである。このように短波長領域に吸収性を有するアゾ色素を含む記録層を有する本発明の光情報記録媒体は、４０５ｎｍの青色レーザを用いるＢｌｕ−ｒａｙ方式の光ディスクなどの短波長レーザによる記録が可能な大容量光ディスクとして好適である。本発明の光情報記録媒体への情報の記録方法については後述する。

本発明の光情報記録媒体は、少なくとも一般式（１）で表されるアゾ金属錯体色素を含む記録層を基板上に有するものであり、更に、前記記録層に加えて光反射層、保護層などを有することもできる。

本発明に用いられる基板としては、従来の光情報記録媒体の基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができる。基板としては、透明な円盤状基板を用いることが好ましい。
具体的には、ガラス；ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；アルミニウム等の金属；等を挙げることができ、所望によりこれらを併用してもよい。
前記材料の中では、耐湿性、寸法安定性および低価格等の点から、アモルファスポリオレフィン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂が好ましく、ポリカーボネートが特に好ましい。これらの樹脂を用いた場合、射出成型を用いて基板を作製することができる。
また、基板の厚さは、一般に０．７〜２ｍｍの範囲であり、０．９〜１．６ｍｍの範囲であることが好ましく、１．０〜１．３ｍｍとすることがより好ましい。
なお、後述する光反射層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することもできる。

前記基板の記録層が形成される面には、通常、トラッキング用の案内溝またはアドレス信号等の情報を表わす凹凸（プリグルーブ）が形成されている。前記プリグルーブのトラックピッチは、好ましくは５０〜５００ｎｍの範囲である。トラックピッチが５０ｎｍ以上であれば、プリグルーブを正確に形成することができる上に、クロストークの発生を回避することができ、５００ｎｍ以下であれば、高密度記録を行うことができる。本発明の光情報記録媒体は、より高い記録密度を達成するためにＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより狭いトラックピッチを形成した基板を用いることが好ましい。トラックピッチの好ましい範囲等の詳細は後述する。

本発明の光情報記録媒体の好ましい態様としては、厚さ０．７〜２ｍｍの基板上に、色素を含有する追記型記録層と、厚さ０．０１〜０．５ｍｍのカバー層とを基板側から順に有する光情報記録媒体（以下、「態様（１）」という）を挙げることができる。

態様（１）においては、基板に形成されるプリグルーブのトラックピッチが５０〜５００ｎｍ、溝幅が２５〜２５０ｎｍ、溝深さが５〜１５０ｎｍであることが好ましい。
以下、態様（１）の光情報記録媒体について更に詳細に説明する。但し、本発明の光情報記録媒体は、態様（１）に限定されるものではない。

［態様（１）の光情報記録媒体］
態様（１）の光情報記録媒体は、少なくとも、基板と、追記型記録層と、カバー層とを有する態様である。態様（１）の光情報記録媒体は、ブルーレイ方式の記録用媒体として好適である。ブルーレイ方式では、カバー層側からレーザ光を照射し情報の記録再生が行われ、通常、基板と記録層との間に反射層が設けられる。従って、レーザ光は、上記反射層と対向する面とは反対の面側から記録層へ照射される。

態様（１）の光情報記録媒体の具体例を、図１に示す。図１に示す第１光情報記録媒体１０Ａは、第１基板１２上に、第１光反射層１８と、第１追記型記録層１４と、バリア層２０と、第１接着層または第１粘着層２２と、カバー層１６とをこの順に有する。
以下に、これらを構成する材料について順次説明する。

基板
態様（１）の基板には、トラックピッチ、溝幅（半値幅）、溝深さ、およびウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有するプリグルーブ（案内溝）が形成されている。このプリグルーブは、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、本発明の光情報記録媒体を、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。

プリグルーブのトラックピッチは、５０〜５００ｎｍの範囲である。トラックピッチが５０ｎｍ以上であれば、プリグルーブを正確に形成することができる上に、クロストークの発生を回避することができ、５００ｎｍ以下であれば、高密度記録を行うことができる。プリグルーブのトラックピッチは、１００ｎｍ以上４２０ｎｍ以下であることが好ましく、２００ｎｍ以上３７０ｎｍ以下であることがより好ましく、２６０ｎｍ以上３３０ｎｍ以下であることが更に好ましい。

プリグルーブの溝幅（半値幅）は、２５〜２５０ｎｍの範囲であり、５０ｎｍ以上２４０ｎｍ以下であることが好ましく、８０ｎｍ以上２３０ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以上２２０ｎｍ以下であることが更に好ましい。プリグルーブの溝幅が２５ｎｍ以上であれば、成型時に溝を十分に転写することができ、さらに記録時のエラーレート上昇を抑制することができ、２５０ｎｍ以下であれば、同じく成型時に溝を十分に転写することができ、更に記録時に形成されるピットの広がりによりクロストークが発生することを回避することができる。

プリグルーブの溝深さは、５〜１５０ｎｍの範囲である。プリグルーブの溝深さが５ｎｍ以上であれば十分な記録変調度を得ることができ、１５０ｎｍ以下であれば、高い反射率を得ることができる。プリグルーブの溝深さは、１０ｎｍ以上８５ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることがより好ましく、２８ｎｍ以上７５ｎｍ以下であることが更に好ましい。

また、プリグルーブの溝傾斜角度は、上限値が８０°以下であることが好ましく、７５°以下であることがより好ましく、７０°以下であることが更に好ましく、６５°以下であることが特に好ましい。また、下限値は、２０°以上であることが好ましく、３０°以上であることがより好ましく、４０°以上であることが更に好ましい。
プリグルーブの溝傾斜角度が２０°以上であれば、十分なトラッキングエラー信号振幅を得ることができ、８０°以下であれば成型性が良好である。

追記型記録層
態様（１）の追記型記録層は、色素を、結合剤等と共にまたは結合剤を用いないで適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いで、この塗布液を基板上または後述する光反射層上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥することにより形成することができる。ここで、追記型記録層は、単層でも重層でもよく、重層構造の場合、塗布液を塗布する工程が複数回行なわれることになる。
塗布液中の色素の濃度は、一般に０．０１〜１５質量％の範囲であり、好ましくは０．１〜１０質量％の範囲、より好ましくは０．５〜５質量％の範囲、最も好ましくは０．５〜３質量％の範囲である。

塗布液の調製に用いる溶剤としては、例えば、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテート等のエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミド等のアミド；メチルシクロヘキサン等の炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサン等のエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールジアセトンアルコール等のアルコール；２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；等を挙げることができる。
溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独で、あるいは二種以上を組み合わせて使用することができる。塗布液中には、さらに、結合剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤等各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。

塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法等を挙げることができる。塗布方法としては、スピンコート法が好ましい。
塗布の際、塗布液の温度は２３〜５０℃の範囲であることが好ましく、２４〜４０℃の範囲であることがより好ましく、中でも、２３〜５０℃の範囲であることが特に好ましい。

追記型記録層の厚さは、ランド（前記基板において凸部）上で、３００ｎｍ以下であることが好ましく、２５０ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることが更に好ましく、１８０ｎｍ以下であることが特に好ましい。下限値としては１ｎｍ以上であることが好ましく、３ｎｍ以上であることがより好ましく、５ｎｍ以上であることが更に好ましく、７ｎｍ以上であることが特に好ましい。
また、追記型記録層の厚さは、グルーブ上（前記基板において凹部）で、４００ｎｍ以下であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることが更に好ましい。下限値としては、１０ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましく、２５ｎｍ以上であることが更に好ましい。
更に、ランド上の追記型記録層の厚さ／グルーブ上の追記型記録層の厚さの比は、０．１以上であることが好ましく、０．１３以上であることがより好ましく、０．１５以上であることが更に好ましく、０．１７以上であることが特に好ましい。上限値としては、１未満であることが好ましく、０．９以下であることがより好ましく、０．８５以下であることが更に好ましく、０．８以下であることが特に好ましい。

また、追記型記録層には、追記型記録層の耐光性をさらに向上させるために、種々の褪色防止剤を含有させることができる。褪色防止剤としては一般的に一重項酸素クエンチャーが用いられる。本発明においてもこの一重項酸素クエンチャーを混合させることによって更なる耐光性の向上が期待できる。一重項酸素クエンチャーとしては、既に公知の特許明細書等の刊行物に記載のものを利用することができる。
その具体例としては、特開昭５８−１７５６９３号公報、同５９−８１１９４号公報、同６０−１８３８７号公報、同６０−１９５８６号公報、同６０−１９５８７号公報、同６０−３５０５４号公報、同６０−３６１９０号公報、同６０−３６１９１号公報、同６０−４４５５４号公報、同６０−４４５５５号公報、同６０−４４３８９号公報、同６０−４４３９０号公報、同６０−５４８９２号公報、同６０−４７０６９号公報、同６３−２０９９９５号公報、特開平４−２５４９２号公報、特公平１−３８６８０号公報、および同６−２６０２８号公報等の各公報、ドイツ特許３５０３９９号明細書、そして日本化学会誌１９９２年１０月号第１１４１頁等に記載のものを挙げることができる。
前記一重項酸素クエンチャー等の褪色防止剤の使用量は、色素の量に対して、通常０．１〜５０質量％の範囲であり、好ましくは、０．５〜４５質量％の範囲、更に好ましくは、３〜４０質量％の範囲、特に好ましくは５〜２５質量％の範囲である。

カバー層
態様（１）のカバー層は、通常、上述した追記型記録層上に、または図１に示すようにバリア層上に、接着剤や粘着剤を介して貼り合わされる。
カバー層としては、透明な材質のフィルムであれば、特に限定されないが、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；三酢酸セルロース等を使用することが好ましく、中でも、ポリカーボネートまたは三酢酸セルロースを使用することがより好ましい。
なお、「透明」とは、記録および再生に用いられる光に対して、透過率８０％以上であることを意味する。

また、カバー層は、本発明の効果を妨げない範囲において、種々の添加剤が含有されていてもよい。例えば、波長４００ｎｍ以下の光をカットするためのＵＶ吸収剤および／または５００ｎｍ以上の光をカットするための色素が含有されていてもよい。
更に、カバー層の表面物性としては、表面粗さが２次元粗さパラメータおよび３次元粗さパラメータのいずれも５ｎｍ以下であることが好ましい。
また、記録および再生に用いられる光の集光度の観点から、カバー層の複屈折は１０ｎｍ以下であることが好ましい。

カバー層の厚さは、記録および再生のために照射されるレーザ光の波長やＮＡにより、適宜、規定することができるが、本発明においては、０．０１〜０．５ｍｍの範囲内であることが好ましく、０．０５〜０．１２ｍｍの範囲であることがより好ましい。
また、カバー層と、接着剤または粘着剤からなる層と、を合わせた総厚は、０．０９〜０．１１ｍｍであることが好ましく、０．０９５〜０．１０５ｍｍであることがより好ましい。
なお、カバー層の光入射面には、光情報記録媒体の製造時に、光入射面が傷つくことを防止するための保護層（図１に示す態様ではハードコート層４４）が設けられていてもよい。

カバー層と追記型記録層またはバリア層を貼り合わせるために、両層の間に接着層または粘着層を設けることができる。
接着層に使用される接着剤としては、ＵＶ硬化樹脂、ＥＢ硬化樹脂、熱硬化樹脂等を使用することが好ましい。
接着剤としてＵＶ硬化樹脂を使用する場合は、該ＵＶ硬化樹脂をそのまま、またはメチルエチルケトン、酢酸エチル等の適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、ディスペンサからバリア層表面に供給してもよい。また、作製される光情報記録媒体の反りを防止するため、接着層を構成するＵＶ硬化樹脂としては硬化収縮率の小さいものを使用することが好ましい。このようなＵＶ硬化樹脂としては、例えば、大日本インキ化学工業（株）製の「ＳＤ−６４０」等のＵＶ硬化樹脂を挙げることができる。

接着層の形成方法は特に限定されないが、バリア層または追記型記録層の表面（被貼り合わせ面）上に、接着剤を所定量塗布し、その上にカバー層を載置した後、スピンコートにより接着剤を、被貼り合わせ面とカバー層との間に均一になるように広げた後、硬化させることが好ましい。
接着層の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、更に好ましくは１〜３０μｍの範囲である。

粘着層に使用される粘着剤としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系の粘着剤を使用することができる。透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。アクリル系粘着剤としては、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレートなどを主成分とし、凝集力を向上させるために、短鎖のアルキルアクリレートやメタクリレート、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレートと、架橋剤との架橋点となり得るアクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド誘導体、マレイン酸、ヒドロキシルエチルアクリレート、グリシジルアクリレートなどとを共重合したものを用いることが好ましい。主成分、短鎖成分および架橋点を付加するための成分との混合比率およびそれら成分の種類を、適宜調節することにより、ガラス転移温度（Ｔｇ）や架橋密度を変えることができる。
前記ガラス転移温度（Ｔｇ）は、ガラス転移温度Ｔｇが０℃以下であることが好ましく、−１５℃以下であることがより好ましく、−２５℃以下であることがさらに好ましい。
なお、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、Seiko Instruments Inc.製DSC6200Rを用い、DSC(Differential Scanning Calorimetry)法によって測定できる。

粘着剤の調製方法としては、例えば、特開２００３−２１７１７７号公報、特開２００３−２０３３８７号公報、特開平９−１４７４１８号公報等に記載の方法等を用いることができる。

粘着層の形成方法は特に限定されないが、バリア層または追記型記録層の表面（被貼り合わせ面）上に、粘着剤を所定量均一に塗布し、その上にカバー層を載置した後、硬化させてもよいし、予め、カバー層の片面に、所定量の粘着剤を均一に塗布して粘着剤塗膜を形成しておき、該塗膜を被貼り合わせ面に貼り合わせ、その後、硬化させてもよい。
また、カバー層に、予め、粘着層が設けられた市販の粘着フィルムを用いてもよい。
粘着層の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、更に好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。
またカバー層は、ＵＶ硬化樹脂を利用してスピンコーティング法により形成してもよい。

その他の層
態様（１）の光情報記録媒体は、本発明の効果を損なわない範囲においては、上記の必須の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。他の任意の層としては、例えば、基板の裏面（追記型記録層が形成された側と逆側の非形成面側）に形成される、所望の画像を有するレーベル層や、基板と追記型記録層との間に設けられる光反射層（詳細は後述する）、追記型記録層とカバー層との間に設けられるバリア層（詳細は後述する）、該光反射層と追記型記録層との間に設けられる界面層などが挙げられる。ここで、前記レーベル層は、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、および熱乾燥樹脂などを用いて形成することができる。
なお、上記した必須および任意の層はいずれも、単層でも、多層構造でもよい。

態様（１）の光情報記録媒体では、レーザ光に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、基板と追記型記録層との間に、光反射層を形成することが好ましい。

光反射層は、レーザ光に対する反射率が高い光反射性物質を、例えば、真空蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーティングすることにより基板上に形成することができる。
光反射層の層厚は、一般的には１０〜３００ｎｍの範囲とし、３０〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましい。
なお、前記反射率は、７０％以上であることが好ましい。

反射率が高い光反射性物質としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属および半金属またはステンレス鋼を挙げることができる。これらの光反射性物質は単独で用いてもよいし、あるいは二種以上の組合せで、または合金として用いてもよい。これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびステンレス鋼である。特に好ましくは、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌまたはこれらの合金であり、最も好ましくは、Ａｕ、Ａｇまたはこれらの合金である。

バリア層
態様（１）の光情報記録媒体においては、図１に示すように、追記型記録層とカバー層との間にバリア層を形成することが好ましい。
バリア層は、追記型記録層の保存性向上、追記型記録層とカバー層との接着性向上、反射率調整、熱伝導率調整等のために設けることができる。
バリア層に用いられる材料としては、記録および再生に用いられる光を透過する材料であり、上記の機能を発現し得るものであれば、特に制限されるものではないが、例えば、一般的には、ガスや水分の透過性の低い材料であり、誘電体であることが好ましい。具体的には、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｔａ等の窒化物、酸化物、炭化物、硫化物からなる材料が好ましく、ＭｏＯ₂、ＧｅＯ₂、ＴｅＯ、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ−Ｇａ₂Ｏ₃、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅が好ましく、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ−Ｇａ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅がより好ましい。

また、バリア層は、真空蒸着、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング、イオンプレーティングなどの真空成膜法により形成することができる。中でも、スパッタリングを用いることがより好ましい。
バリア層の厚さは、１〜２００ｎｍの範囲が好ましく、２〜１００ｎｍの範囲がより好ましく、３〜５０ｎｍの範囲が更に好ましい。

[情報記録方法]
更に、本発明は、本発明の光情報記録媒体に、波長４４０ｎｍ以下のレーザ光を照射することにより、本発明の光情報記録媒体が有する記録層へ情報を記録する情報記録方法に関する。

前述の好ましい態様（１）の光情報記録媒体に対する情報の記録は、例えば次のように行われる。
まず、光情報記録媒体を定線速度（例えば０．５〜１０ｍ／秒）または定角速度にて回転させながら、基板側または保護層側から半導体レーザ光などの記録用の光を照射する。この光の照射により、レーザ光照射部分の光学的特性が変化して情報が記録される。図１に示す態様では、カバー層１６側から半導体レーザ光等の記録用のレーザ光４６を、第一対物レンズ４２（例えば開口数ＮＡが０．８５）を介して照射する。このレーザ光４６の照射により、追記型記録層１４がレーザ光４６を吸収して局所的に温度上昇し、物理的または化学的変化（例えばピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録されると考えられる。

本発明の情報記録方法では、波長４４０ｎｍ以下のレーザ光を照射することにより情報を記録する。記録光としては、４４０ｎｍ以下の範囲の発振波長を有する半導体レーザ光が好適に用いられ、好ましい光源としては３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ光、中心発振波長８５０ｎｍの赤外半導体レーザ光を光導波路素子を使って半分の波長にした中心発振波長４２５ｎｍの青紫色ＳＨＧレーザ光を挙げることができる。特に、記録密度の点で３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ光を用いることが好ましい。上記のように記録された情報の再生は、光情報記録媒体を上記と同一の定線速度で回転させながら半導体レーザ光を基板側または保護層側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。

[アゾ色素]
更に本発明は、下記一般式（１）で表されるアゾ色素に関する。

［一般式（１）中、Ａ^p-は、下記一般式（Ａ）で表されるアゾ色素の水素原子がｐ個解離したｐ価のアゾ色素アニオンを表し、ｐは１〜５の範囲の整数を表し、Ｘ^q+は、ｑ価のカチオンを表し、ｑは１〜５の範囲の整数を表し、ｋ’は０＜ｋ’≦５の範囲であって、Ａで表されるアニオン性部位中の負電荷ｐをｑで割った値を表し、但し、一般式（１）で表されるアゾ色素は分子内に金属イオンを含有しない。］

[一般式（Ａ）中、Ｂは、下記一般式（Ｂ）で表され、Ｃは、含窒素へテロ環基を表す。]

[一般式（Ｂ）中、Ｑは隣り合う２つの炭素原子とともに含窒素へテロ環を形成する基を表し、Ｙは−ＮＲ¹Ｒ²または−ＯＲ³で表される基を表し、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は各々独立に水素原子または置換基を表し、＊は−Ｎ＝Ｎ−基との結合位置を表す。]

本発明のアゾ色素の詳細は、先に説明した通りである。本発明のアゾ色素は、耐光性および短波長レーザ光照射による記録特性に優れる。更に、優れた溶解性を示し膜安定性も良好である。従って、本発明のアゾ色素によれば、耐光性、安定性および短波長レーザ光照射による記録特性に優れる記録層を容易に形成することができる。更に本発明のアゾ色素は、顔料、写真用材料、ＵＶ吸収材料、カラーフィルター用染料、色変換フィルターなどの各種用途に使用することもできる。

以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。以下に記載の「％」は、質量％を示す。

［例示化合物（Ａ−１４）の合成］

出発原料の化合物（１）は、特開２００６−５７０７６号公報記載の化合物（ｆ１）の合成法を用いて合成した。１００ｍｌの三角フラスコに硫酸２ｍｌを注ぎ、氷冷下で酢酸９ｍｌをゆっくり滴下した。そこへ４０％ニトロシル硫酸１．４ｍｌをゆっくり滴下した後、０〜５℃に保ちながら化合物（１）２ｇを徐々に加え１５分間攪拌した。この酸性溶液を、氷冷下で化合物（２）を含むメタノール溶液３０ｍｌに徐々に加え、１時間攪拌した。室温に戻し、２時間攪拌した後、蒸留水１００ｍｌを加え沈殿させ、ろ過、乾燥を施し、化合物（Ａ−１４）２ｇを得た。

［例示化合物（１−１２）の合成］

合成した化合物（Ａ−１４）０．４８ｇと化合物（Ｘ−３７）０．２４ｇをメタノール１０ｍｌに溶かし、１時間攪拌した。濃縮し、化合物（１−１２）０．７２ｇを得た。同定結果を以下に示す。

¹Ｈ−ＮＭＲ（ＭｅＯＨ−ｄ₄）δ：８．３３（ｓ，１Ｈ），８．１５（ｓ，１Ｈ），８．０２（ｓ，２Ｈ），７．７３（ｓ，４Ｈ），３．６１（ｍ，８Ｈ），３．２２（ｓ，３Ｈ），２．３６（ｓ，３Ｈ），２．１２（ｍ，４Ｈ），１．５７（ｓ，９Ｈ）．

［例示化合物（Ａ−２）の合成］
上述した例示化合物（Ａ−１４）の合成と同様の方法により、化合物（Ａ−２）を合成した。

［例示化合物（１−３）および（１−２７）の合成］
合成した例示化合物（Ａ−２）を使用し、上述した例示化合物（１−１２）の合成と同様の方法により、化合物（１−３）および（１−２７）を合成した。

［例示化合物（１−２５）および（１−２６）の合成］

合成した例示化合物（Ａ−２）０．４７ｇをメタノール５ｍｌに溶かし、１０％テトラアンモニウムヒドロキシドのメタノール溶液５．１９ｇ加え１０分攪拌した。その後、化合物（Ｘ−２５）０．３４ｇを加え、５０℃で２時間攪拌した。析出してきた固体を濾過して、例示化合物（１−２５）０．６０ｇを得た。
例示化合物（１−２６）も同様の合成法により、合成した

［例示化合物（Ａ−１６）の合成］

１００ｍｌのナスフラスコにメタンスルホン酸５ｍｌを注ぎ、氷冷下で酢酸４ｍｌとプロピオン酸６ｍｌをゆっくり滴下した。そこへ化合物（３）３．３ｇを加えた後、０〜５℃に保ちながら亜硝酸ナトリウム０．８ｇを１．６ｍｌの蒸留水で溶かした水溶液をゆっくり滴下し、０〜５℃にて１時間攪拌した。この酸性溶液を、氷冷下で化合物（４）を含むメタノール溶液３０ｍｌに徐々に加え、１時間攪拌した。室温に戻し、１時間攪拌した後、蒸留水１００ｍｌを加え沈殿させ、ろ過、乾燥を施し、化合物（Ａ−１６）２ｇを得た。

［例示化合物（１−１７）の合成］
合成した例示化合物（Ａ−１６）を用いて、上述した例示化合物（１−１２）の合成と同様の方法により、化合物（１−１７）を合成した。

［例示化合物（１−２）の合成］

例示化合物（Ａ−１４）と同様の方法により合成した（Ａ−１）０．４４ｇをメタノール１０ｍｌに溶かし、炭酸水素ナトリウム０．１７ｇ加え１０分間攪拌した。その後、（Ｘ−１５）を０．５７ｇ加え、５０℃で１時間攪拌した。析出してきた固体を濾過して、例示化合物（１−２）０．７９ｇを得た。

［例示化合物（１−２８）の合成］
例示化合物（Ａ−１）に代えて例示化合物（Ａ−１４）と同様の方法により合成した例示化合物（Ａ−５）を使用した点以外は例示化合物（１−２）と同様の方法により、例示化合物（１−２８）を合成した。

［実施例１］
以下に記載の方法により、図１に示す第１光情報記録媒体１０Ａの構成を有する光情報記録媒体を作製した。
（第１基板１２の作製）
厚さ１．１ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍでスパイラル状の第１プリグルーブ３４（トラックピッチ：３２０ｎｍ、溝幅：オングルーブ幅１４０ｎｍ、溝深さ：４５ｎｍ、溝傾斜角度：６５°、ウォブル振幅：２０ｎｍ）を有する、ポリカーボネート樹脂からなる射出成形基板（第１基板１２）を作製した。射出成形時に用いられたスタンパのマスタリングは、レーザカッティング（３５１ｎｍ）を用いて行われた。

（第１光反射層１８の形成）
第１基板１２上に、Ｕｎａｘｉｓ社製Ｃｕｂｅを使用し、Ａｒ雰囲気中で、ＤＣスパッタリングにより、膜厚１００ｎｍの真空成膜層としてのＡＮＣ光反射層（第１光反射層１８；Ａｇ：９８．１ａｔ％、Ｎｄ：０．７ａｔ％、Ｃｕ：０．９ａｔ％）を形成した。第１光反射層１８の膜厚の調整は、スパッタ時間により行った。

（第１追記型記録層１４の形成）
例示化合物（１−１２）１ｇを、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール１００ｍｌ中に添加して溶解し、色素含有塗布液を調製した。そして、第１光反射層１８上に、調製した色素含有塗布液を、スピンコート法により回転数３００〜４０００ｒｐｍまで変化させながら２３℃、５０％ＲＨの条件で塗布した。その後、２３℃、５０％ＲＨで１時間保存して、第１追記型記録層１４（グルーブ４０上の厚さ４０ｎｍ、ランド３８上の厚さ１５ｎｍ）を形成した。

第１追記型記録層１４を形成した後、クリーンオーブンにてアニール処理を施した。アニール処理は、第１基板１２を垂直のスタックポールにスペーサーで間をあけながら支持し、８０℃で１時間保持して行った。

（バリア層２０の形成）
その後、第１追記型記録層１４上に、Ｕｎａｘｉｓ社製Ｃｕｂｅを使用し、Ａｒ雰囲気中で、ＲＦスパッタリングによりＺｎＯ−Ｇａ₂Ｏ₃（ＺｎＯ：Ｇａ₂Ｏ₃＝３：７（質量比））からなる、厚さ５ｎｍのバリア層２０を形成した。

（カバー層１６の貼り合わせ）
カバー層１６としては、内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍで、片面に粘着剤が塗設してあるポリカーボネート製フィルム（帝人ピュアエース、厚さ：８０μｍ）を用い、該粘着剤層とポリカーボネート製フィルムとの厚さの合計が１００μｍとなるように設定した。

そして、バリア層２０上に、該バリア層２０と粘着剤層とが当接するようにカバー層１６を載置した後、そのカバー層１６を押し当て部材にて圧接して、貼り合わせた。

これにより、実施例１に係る光情報記録媒体が作製された。

［実施例２〜８］
実施例１と同様の方法で、化合物（１−１２）を化合物（１−３）、（１−２７）、（１−２５）、（１−２６）、（１−１７）、（１−２）および（１−２８）に置き換えて実施例２〜８の光情報記録媒体が作製された。

［比較例１〜４］
比較例１は下記比較化合物（Ａ）１ｇ、比較例２は下記比較化合物（Ｂ）１ｇ、比較例３は下記比較化合物（Ｃ）１ｇ、比較例４は下記比較化合物（Ｄ）１ｇを、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール１００ｍｌ中に添加して溶解し、色素含有塗布液を調製した以外は、上述した実施例１と同様の方法で、比較例１〜４に係る光情報記録媒体を作製した。

比較化合物（Ａ）

比較化合物（Ｂ）

特開２００５−１６２８１２号公報範疇の比較化合物（Ｃ）

特開２００５−１６２８１２号公報範疇の比較化合物（Ｄ）

＜光情報記録媒体の評価＞
（１）Ｃ／Ｎ（搬送波対雑音比）評価
作製した光情報記録媒体を、４０３ｎｍレーザ、ＮＡ０．８５ピックアップを有する記録再生評価機（パルステック社製：ＤＤＵ１０００）を用い、クロック周波数６６ＭＨｚ、線速４．９２ｍ／ｓにて、０．１６μｍの信号（２Ｔ）を記録、再生し、スペクトルアナライザ（ローデ＆シュウバルツ社製ＦＳＰ−３型）にて記録ピットを再生した。記録はグルーブ上に行い、記録パワーは５ｍＷ、再生パワー０．３ｍＷ、記録および再生用レーザ光の照射はカバー層側から行った。記録特性の指標となる２Ｔ記録Ｃ／Ｎ比は、記録パワーを強くすれば値が高くなっていく傾向にあるが、２Ｔ記録Ｃ／Ｎ比と記録感度の観点から、５ｍＷ程度で（記録後の）Ｃ／Ｎが３０ｄＢ以上であると、記録感度および再生信号強度が共に十分であり、記録特性が好ましいことを示す。表２に示すように、例示化合物（１−１２）、（１−３）、（１−２７）、（１−２５）、（１−２６）、（１−１７）、（１−２）および（１−２８）を使用した実施例１〜８の光情報記録媒体において記録特性が良好であることを確認した。結果を表１に示す。

（２）湿熱保存後記録再生特性
作製した光情報記録媒体を温度６０℃、湿度８０％の環境下で２４時間保存した後、上記（１）と同様にＣ／Ｎ評価を行った。保存後のＣ／Ｎ比が３０ｄＢ以上であると、保存性が十分であり、実用上好ましいことを示す。

（３）色素膜の耐光性評価
実施例１〜８、比較例１〜４と同様の方法で色素含有塗布液を調製し、厚さ１．１ｍｍのガラス板上に、調製した色素含有塗布液を、スピンコート法により回転数５００〜１０００ｒｐｍまで変化させながら２３℃、５０％ＲＨの条件で塗布した。その後、２３℃、５０％ＲＨで２４時間保存した後、メリーゴーランド型耐光試験機（イーグルエンジニアリング社製、セルテスト機ＩＩＩ型、Ｓｃｈｏｔｔ製ＷＧ３２０フィルタ付）を用いて耐光性試験を行った。耐光性試験直前の色素膜および耐光性試験４８時間後の色素膜について、ＵＶ−１６００ＰＣ（ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製）を用いて色素膜の吸収スペクトルを測定し、最大吸収波長における吸光度の変化を読み取った。

表２に示すように、従来のアゾ色素を用いた比較例１〜４に比べ、実施例で使用したアゾ色素は、耐光性が良好であった。更に、実施例１〜８で使用したアゾ色素は、色素溶液形成時の溶解性が良好であった。これら色素は、色素含有溶液を塗布することにより膜形成が可能であり、形成された色素膜は結晶化を起こすこともなく優れた膜安定性を示した。

（注１）Ｘｅ光照射４８時間後の吸収λｍａｘにおける色素残存率が８０％以上のときは◎、７０％以上８０％未満のときは○、７０％以下のときは×と表記。

（注２）溶解性が悪く、記録層の形成が十分にできなかったため、記録できなかった。

（注３）２Ｔ記録Ｃ／Ｎが３３ｄＢ以上のときは◎、３０ｄＢ以上３３ｄＢ未満のときは○、３０ｄＢ未満のときは×と表記。

以上の結果から、実施例で使用したアゾ色素は、短波長レーザ光による記録が可能であり、更に溶解性、膜安定性、耐光性が良好であることが確認された。

なお、本発明に係る光情報記録媒体は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。

本発明の光情報記録媒体は、ブルーレイディスク等の短波長レーザ対応光ディスクとして好適である。

１０Ａ…第１光情報記録媒体
１２…第１基板
１４…第１追記型記録層
１６…カバー層
１８…第１光反射層
２０…バリア層
２２…第１接着層または第１粘着層
４２…第一対物レンズ
４４…ハードコート層
４６…レーザ光

Claims (9)

1. 基板上に記録層を有する光情報記録媒体であって、
   前記記録層は、一般式（１）で表されるアゾ色素を含有することを特徴とする光情報記録媒体。
   

   

   式（１）中、Ａ^p-は、ｐ価のアゾ色素アニオンを表し、ｐは１〜５の範囲の整数を表し、Ｘ^q+は、ｑ価のカチオンを表し、ｑは１〜５の範囲の整数を表し、ｋ’は０＜ｋ’≦５の範囲であって、Ａで表されるアニオン性部位中の負電荷ｐをｑで割った値を表し、但し、一般式（１）で表されるアゾ色素は分子内に金属イオンを含有しない。］
2. Ｘ^q+がアンモニウムカチオン、一般式（２）で表されるカチオン、一般式（２）に含まれない含窒素芳香族ヘテロ環の環内窒素上に正電荷を有するカチオン、およびホスホニウムカチオンからなる群から選ばれるカチオンである請求項１に記載の光情報記録媒体。
   

   

   ［一般式（２）中、Ｒ²¹〜Ｒ²⁵は、各々独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ²¹〜Ｒ²⁵のいずれか２つ以上が互いに結合して環を形成してもよい。］
3. Ａ^p-は、一般式（Ａ）で表されるアゾ色素の水素原子がｐ個解離したアニオンである請求項１または２に記載の光情報記録媒体。
   

   

   [一般式（Ａ）中、Ｂは、下記一般式（Ｂ）で表され、Ｃは、含窒素へテロ環基を表す。]
   

   

   [一般式（Ｂ）中、Ｑは隣り合う２つの炭素原子とともに含窒素へテロ環を形成する基を表し、Ｙは−ＮＲ¹Ｒ²または−ＯＲ³で表される基を表し、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は各々独立に水素原子または置換基を表し、＊は−Ｎ＝Ｎ−基との結合位置を表す。]
4. 波長４４０ｎｍ以下のレーザ光を照射することにより情報を記録するために使用される請求項１〜３のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
5. 基板と記録層との間に反射層を有し、前記レーザ光を上記反射層と対向する面とは反対の面側から記録層へ照射するする請求項４に記載の光情報記録媒体。
6. トラックピッチ５０〜５００ｎｍのプリグルーブを表面に有する基板の該表面上に前記記録層を有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
7. Ａ^p-で表されるアゾ色素アニオンは、−ＣＯＯ^-基および／または−ＳＯ₃ ^-基を含有する請求項１〜６のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の光情報記録媒体に、波長４４０ｎｍ以下のレーザ光を照射することにより、上記光情報記録媒体が有する記録層へ情報を記録する情報記録方法。
9. 下記一般式（１）で表されるアゾ色素。
   

   

   ［一般式（１）中、Ａ^p-は、下記一般式（Ａ）で表されるアゾ色素の水素原子がｐ個解離したｐ価のアゾ色素アニオンを表し、ｐは１〜５の範囲の整数を表し、Ｘ^q+は、ｑ価のカチオンを表し、ｑは１〜５の範囲の整数を表し、ｋ’は０＜ｋ’≦５の範囲であって、Ａで表されるアニオン性部位中の負電荷ｐをｑで割った値を表し、但し、一般式（１）で表されるアゾ色素は分子内に金属イオンを含有しない。］
   

   

   [一般式（Ａ）中、Ｂは、下記一般式（Ｂ）で表され、Ｃは、含窒素へテロ環基を表す。]
   

   

   [一般式（Ｂ）中、Ｑは隣り合う２つの炭素原子とともに含窒素へテロ環を形成する基を表し、Ｙは−ＮＲ¹Ｒ²または−ＯＲ³で表される基を表し、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は各々独立に水素原子または置換基を表し、＊は−Ｎ＝Ｎ−基との結合位置を表す。]

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