JP2006315299A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】 多層方式の追記型光情報記録媒体で、良好な記録再生信号が得られ、高速記録時にはレーザーパワーを下げることができる光情報記録媒体を提供する。
【解決手段】 基板上に、色素を含有する記録層が少なくとも２層形成されており、それぞれの記録層の層間に中間層が形成されている光情報記録媒体であって、前記記録層のうち、レーザー光が入射される側の前記基板に最も近い第１の記録層のレーザー波長６６０ｎｍにおける消衰係数ｋ₀が、ｋ₀≧０．０１となっていることを特徴とする光情報記録媒体である。
【選択図】 図１

Description

本発明は光情報記録媒体に関し、特に、追記型のデジタル・バーサタイル・ディスク（ＤＶＤ−Ｒ）のようなヒートモード型の光情報記録媒体に関する。

従来から、レーザ光により一回限りの情報の記録が可能な光情報記録媒体（光ディスク）が知られている。このような光情報記録媒体の一つとして、追記型ＣＤ（所謂ＣＤ−Ｒ）が挙げられる。このＣＤ−Ｒは、従来のＣＤの作製に比べて少量のＣＤを手頃な価格でしかも迅速に提供できる利点を有している。そのため、最近のパーソナルコンピュータの普及に伴ってその需要も増大している。ＣＤ−Ｒ型の光情報記録媒体の代表的な構造は、透明な円盤状基板上に有機色素からなる記録層、金などの金属からなる反射層、更に樹脂製の保護層をこの順に積層したものである。

そして、光ディスクへの情報の記録は、近赤外域のレーザ光（通常７８０ｎｍ付近の波長のレーザ光）を照射して記録層を局所的に発熱変形させることにより行われる。一方、情報の読み取り（再生）は、通常、記録用のレーザ光と同じ波長のレーザ光を照射して、記録層が発熱変形された部位（記録部分）と変形されない部位（未記録部分）との反射率の違いを検出することにより行われている。

近年、記録密度のより高い光情報記録媒体が求められている。記録密度を高めるには、照射されるレーザの光径を小さく絞ることが有効であり、また波長が短いレーザ光ほど小さく絞ることができるため、高密度化に有利であることが理論的に知られている。従って、従来から用いられている７８０ｎｍより短波長のレーザ光を用いて記録再生を行うための光ディスクの開発が進められており、例えば、追記型デジタル・バーサタイル・ディスク（所謂ＤＶＤ−Ｒ）と称される光ディスクが上市されている。この光ディスクは、トラックピッチがＣＤ−Ｒの１．６μｍより狭い０．８μｍのプレグルーブが形成された直径１２０ｍｍあるいは直径が８０ｍｍの透明な円盤状基板上に、色素からなる記録層、そして通常は記録層の上に更に反射層および保護層を設けてなるディスクを二枚、あるいはディスクと略同一寸法の円盤状保護基板とを記録層を内層にして接着剤で貼り合わせた構造となるように製造されている。そして、ＤＶＤ−Ｒは、可視レーザ光（通常６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲の波長のレーザ光）を照射することにより、記録及び再生が行われ、ＣＤ−Ｒ型の光ディスクより高密度の記録が可能であるとされる。

ＤＶＤ−Ｒ型の光情報記録媒体は、従来のＣＤ−Ｒ型に比べて数倍の情報量を記録することができるため、高い記録感度を有していることは勿論のこと、特に大量の情報を速やかに処理する必要から高速記録に対してもエラーの発生率が少ないことが望まれる。また色素からなる記録層は、一般に熱、または光に対する経時的な安定性が低いため、長期間にわたって熱、または光に対しても安定した性能を維持できる記録層の開発が課題となっている。

そこで、このような課題を解消するため、オキソノール色素からなる記録層が基板上に設けられたＣＤ−Ｒ型の情報記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、高い耐光性と耐久性を示し、良好な記録特性を発揮する光情報記録媒体を提供するためのオキソノール色素化合物も提案されている（例えば、特許文献２および３参照）。

しかし、上記光情報記録媒体は、記録層が単層であり、複数の記録層を有する光情報記録媒体に適用できるかどうかは不明である。

ところで、記録層に色素を使用し、光学分離のための中間層を介して、２層以上の記録層を有する多層方式の追記型光情報記録媒体が開発されている。この光情報記録媒体においては、第１の記録層を透過した光を用いて、その他の記録層である第２の記録層以降の記録再生を行う。このような光情報記録媒体に、既述の光情報記録媒体（特許文献１〜３）の技術を適用できるかどうかは不明である。これは、上記光情報記録媒体の記録層が単層であって、多層方式を考慮していないためである。すなわち、多層方式の追記型光情報記録媒体では、第１の記録層の光透過率により、第２層以降の反射率や最適記録レーザーパワーが影響される。このため、各層の反射率および最適記録パワーを適正化することが困難となるからである。

また、多層方式の追記型光情報記録媒体においても、記録時間短縮のために高速記録が望まれている。この際、ドライブに搭載される光ピックアップの要請からできるだけ低いレーザーパワーで記録できることが望まれている。さらに、多層方式の追記型光情報記録媒体においては、各層からの反射率が低い場合が多く、この反射率の向上が求められている。
特開昭６３−２０９９９５号公報 特開２０００−５２６５８号公報 特開２００２−２４９６７４号公報

以上から、本発明は上記従来の課題を解決することを目的とする。すなわち、本発明は、多層方式の追記型光情報記録媒体で、良好な記録再生信号が得られ、高速記録時にはレーザーパワーを下げることができる光情報記録媒体を提供することを目的とする。

上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明者らは、下記本発明に想到し当該課題を解決できることを見出した。

すなわち、本発明は、基板上に、色素を含有する記録層が少なくとも２層形成されており、それぞれの記録層の層間に中間層が形成されている光情報記録媒体であって、前記記録層のうち、レーザー光が入射される側の前記基板に最も近い第１の記録層のレーザー波長６６０ｎｍにおける消衰係数ｋ₀が、ｋ₀≧０．０１となっていることを特徴とする光情報記録媒体である。

本発明の光情報記録媒体には、下記第１〜第６の態様のうち少なくとも１の態様が適用されることが好ましい。

（１）第１の態様は、前記第１の記録層の屈折率ｎ₀が、２．２４以上であるである態様である。
（２）第２の態様は、前記第１の記録層以外の記録層のそれぞれの消衰係数ｋ_nが０．００２〜０．０４である態様である。
（３）第３の態様は、前記第１の記録層の最大吸収波長の光学濃度が、０．５０〜０．８０である態様である。

（４）第４の態様は、前記第１の記録層と前記中間層との間に第１の反射層が形成され、前記第１の反射層の厚みが５〜３５ｎｍである態様である。
（５）第５の態様は、線速１６ｍ／ｓ以上で情報を記録する態様である。
（６）第６の態様は、前記色素がオキソノール色素である態様である。

本発明によれば、多層方式の追記型光情報記録媒体で、良好な記録再生信号が得られ、高速記録時にはレーザーパワーを下げることができる光情報記録媒体を提供することができる。

本発明の光情報記録媒体は、基板上に、色素を含有する記録層が少なくとも２層形成されており、それぞれの記録層の層間には中間層が形成されている。

本発明の光情報記録媒体について、２層方式の追記型光情報記録媒体を例に、図１および図２を参照しながらその層構成を説明する。まず、図１に示す光情報記録媒体は、いわゆる貼り合わせ型の光情報記録媒体である。すなわち、基板１上に第１の記録層Ｌ０と第１の反射層３とが形成された積層体と、基板８上に第２の反射層７と第２の記録層Ｌ１と色素保護層（バリア層）５とが形成された積層体とが、中間層４を介してそれぞれの記録層が内層となるようにして貼り合わされた構成となっている。当該光情報記録媒体は、基板１側からレーザを照射するため、第１の反射層３は半透明となっている。

一方、図２に示す光情報記録媒体は、いわゆる積層型の光情報記録媒体である。すなわち、基板１上に第１の記録層Ｌ０、第１の反射層３、中間層４、第２の記録層Ｌ１、第２の反射層７、接着層９および基板（保護基板）８がこの順に積層した構成となっている。そして、当該光情報記録媒体も、基板１側からレーザを照射するため、第１の反射層３は半透明となっている。

記録層と記録層との間に中間層（図１および図２中に示される符号４の中間層）を形成することで、例えば、第１の記録層に記録された情報信号と第２の記録層に記録された情報信号の干渉を防ぎ、両方の層で良好な記録再生信号を得ることができる。なお、中間層の詳細については後述する。また、当該中間層は、記録層が３層以上ある場合は、それぞれの層の間に形成されている。

本発明の光情報記録媒体では、２層以上ある記録層のうち、レーザー光が入射される側の基板に最も近い第１の記録層のレーザー波長６６０ｎｍにおける消衰係数ｋ₀が、ｋ₀≧０．０１となっている。消衰係数ｋ₀が０．０１未満であると、第１の記録層で吸収されるレーザー光が小さくなるため、記録を行うためには、より高パワーのレーザーが必要になってしまう。消衰係数ｋ₀は、０．０１〜０．０３５であることが好ましく、０．０２〜０．０３であることがより好ましい。

なお、本明細書において、第１の記録層の次に当該基板に近い層を第２の記録層といい、順に第３の記録層、第４の記録層…第ｎの記録層と表記する。また、これらの記録層に対応するかたちで、第１の記録層の消衰係数を「ｋ₀」、第２の記録層の消衰係数を「ｋ₁」、第３の記録層の消衰係数を「ｋ₂」、第４の記録層の消衰係数を「ｋ₃」…第ｎの記録層の消衰係数を「ｋ_n-1」…と表記する。

また、前記第１の記録層の屈折率ｎ₀は、２．２４以上であること好ましく、２．３０〜２．５０であることがより好ましい。屈折率ｎ₀が、２．２４以上であることで、第１の記録層からの反射率を向上させることができる。
することができる。

他の記録層のそれぞれの消衰係数ｋ_nは、０．００２〜０．０４であることが好ましく、０．０１５〜０．０３であることがより好ましい。消衰係数ｋ_nが、０．００２〜０．０４であることで、各層の反射率と記録パワーのバランスに優れた光情報記録媒体とすることができる。

また、消衰係数ｋ₀を上記のような範囲とするための１つの手段として、第１の記録層の最大吸収波長の光学濃度を０．５０〜０．８０とすることが好ましく、０．６０〜０．７０とすることがより好ましい。なお、光学濃度は、例えば、ステアグ社製の「Ｅｔａ−ＲＴ」を使用して測定することができる。また、消衰係数は、エリプソメータを使用して測定することが好ましい。

さらに、上記と同様の観点から、第１の記録層と中間層との間に形成された第１の反射層の厚みは５〜３５ｎｍであることが好ましく、８〜２０ｎｍであることがより好ましい。

記録層に含有される色素としては、少なくともオキソノール色素が使用されていることが好ましい。オキソノール色素を含有させることで長期間に渡り安定した記録再生特性の維持を実現することができる。

オキソノール色素の具体例としては、Ｆ．Ｍ．Ｈａｒｍｅｒ著、Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ−Ｃｙａｎｉｎｅ Ｄｙｅｓ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ、Ｊｏｈｎ＆Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、Ｌｏｎｄｏｎ、１９６４年刊に記載のもの等が挙げられる。このようなオキソノール色素の中でも、下記一般式（１）で表される構造ものが好ましい。

一般式（１）中、Ｚａ¹及びＺａ²は各々独立に酸性核を形成する原子群を表わす。Ｚａ¹、Ｚａ²の具体例は、「Ｊａｍｅｓ編、Ｔｈｅ Ｔｈｅｏｒｙ ｏｆ ｔｈｅ Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ Ｐｒｏｃｅｓｓ、第４版、マクミラン社、１９７７年、第１９８頁」により定義される。

具体的には、ピラゾール−５−オン、ピラゾリジン−３，５−ジオン、イミダゾリン−５−オン、ヒダントイン、２または４−チオヒダントイン、２−イミノオキサゾリジン−４−オン、２−オキサゾリン−５−オン、２−チオオキサゾリン−２，４−ジオン、イソローダニン、ローダニン、５，６員の炭素環（例えばインダン−１，３−ジオン）、チオフェン−３−オン、チオフェン−３−オン−１，１−ジオキシド、インドリン−２−オン、インドリン−３−オン、２−オキソインダゾリウム、５，７−ジオキソ−６，７−ジヒドロチアゾロ〔３，２−ａ〕ピリミジン、３，４−ジヒドロイソキノリン−４−オン、１，３−ジオキサン−４，６−ジオン（例えば、メルドラム酸）、バルビツール酸、２−チオバルビツール酸、クマリンー２，４−ジオン、インダゾリン−２−オン、ピリド［１，２−ａ］ピリミジン−１，３−ジオン、ピラゾロ〔１，５−ｂ〕キナゾロン、ピラゾロピリドン、３−ジシアノメチリデニル−３−フェニルプロピオニトリル、メルドラム酸などの核が挙げられ、好ましくは、ピラゾール−５−オン、バルビツール酸、２−チオバルビツール酸、１，３−ジオキサン−４，６−ジオンである。

Ｍａ¹、Ｍａ²、Ｍａ³は各々独立に、置換または無置換のメチン基を表わす。Ｍａ¹、Ｍａ²、Ｍａ³を置換する置換基は、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のヘテロ環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、シアノ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のカルバモイル基、アミノ基、置換アミノ基、スルホ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、置換または無置換のスルホニルアミノ基、置換または無置換のアミノカルボニルアミノ基、置換または無置換のアルキルスルホニル基、置換または無置換のアリールスルホニル基、置換または無置換のスルフィニル基および置換または無置換のスルファモイル基を表す。

上記置換基として好ましくは、置換または無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換または無置換の炭素数２〜２０のヘテロ環基、置換または無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数６〜２０のアリール基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは、置換または無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換または無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数２〜１０ヘテロ環基、ハロゲン原子が好ましく、最も好ましくは無置換の炭素数１〜５のアルキル基、無置換の炭素数１〜５のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数２〜６のヘテロ環基およびハロゲン原子である。

Ｍａ¹、Ｍａ²、Ｍａ³は、より好ましくは、無置換のメチン基、または無置換の炭素数１〜５のアルキル基、無置換の炭素数１〜５のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数２〜６のヘテロ環基およびハロゲン原子で置換されたメチン基である。

ｋａは０から３までの整数を表わし、より好ましくは１または２の整数を表す。ｋａが２以上のとき、複数存在するＭａ¹、Ｍａ²は同じでも異なってもよい。

一般式（１）中のＱは電荷を中和するイオンを表わし、ｙは電荷の中和に必要なＱの数を表わす。

ある化合物が陽イオン、陰イオンであるか、あるいは正味のイオン電荷を有するか否かは、その化合物の置換基に依存する。一般式（１）においてＱで表されるイオンは、対する色素分子の電荷に応じて、陽イオンを表す場合と、陰イオンを表す場合があり、また、色素分子が無電荷の場合には、Ｑは存在しない。Ｑとして表されるイオンには特に制限は無く、無機化合物よりなるイオンであっても、有機化合物よりなるイオンであっても構わない。また、Ｑとして表されるイオンの電荷は１価であっても多価であっても構わない。

Ｑで表される陽イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオンのような金属イオン、４級アンモニウムイオン、オキソニウムイオン、スルホニウムイオン、ホスホニウムイオン、セレノニウムイオン、ヨードニウムイオンなどのオニウムイオンが挙げられる。

一方、Ｑで表される陰イオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオンのようなハロゲン陰イオン、硫酸イオン、リン酸イオン、リン酸水素イオンなどのヘテロポリ酸イオン、琥珀酸イオン、マレイン酸イオン、フマル酸イオン、芳香族ジスルホン酸イオンのような有機多価陰イオン、四フッ化ホウ酸イオン、六フッ化リン酸イオンが挙げられる。

Ｑで表される陽イオンとして好ましくは、オニウムイオンであり、更に好ましくは４級アンモニウムイオンである。４級アンモニウムイオンの中でも特に好ましくは、特開２０００−５２６５８号公報の一般式（Ｉ−４）で表される４，４’−ビピリジニウム陽イオンおよび特開２００２−５９６５２号公報に開示されている４，４’−ビピリジニウム陽イオンである。

一般式（１）で表される色素の中でも、Ｑで表されるイオンは下記一般式（２）で表される構造であるものが好ましい。

一般式（２）中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰は、各々独立に水素原子または、１価の置換基を表す。Ｒ¹³、Ｒ¹⁸は、各々独立に、１価の置換基を表す。

１価の置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基が例として挙げられる。

さらに詳しくは、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰は、各々独立に、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。これらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。］、

アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。これらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。］、

アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３から３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾールー５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、

カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、

アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアミノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、

アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、

メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、

スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２―ピリジルカルボニル、２―フリルカルボニル）、

アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、

アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表す。

上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去り更に上記の基で置換されていても良い。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。

Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰は、好ましくは、全て水素原子である。Ｒ¹³、Ｒ¹⁸はそれぞれ独立に、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のヘテロ環基が好ましい。その中でも、置換または無置換のアリール基がより好ましい。更には、置換アリール基が好ましい。Ｒ¹³、Ｒ¹⁸が置換アリール基である場合の置換基は、ヒドロキシル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアルキル基、ハロゲン原子が好ましい。

オキソノール色素の最も好ましい構造は、下記一般式（３）で表される構造である。

一般式（３）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、各々独立に、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のヘテロ環基を表す。Ｒ¹とＲ²、Ｒ³とＲ⁴は、互いに結合して、環構造を形成してもよい。

また、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³⁰は、各々独立に、水素原子または、置換基をあらわす。Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³⁰のうち、隣接する２つの置換基が、互いに結合し、環構造を形成してもよい。

置換基の例は、前述の一般式（２）のＲ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰で述べたものを挙げることができる。

Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³⁰は、各々独立に、水素原子、ヒドロキシル基、シアノ基、ハロゲン原子、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアルキル基が好ましい。

Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³⁰の好ましい例は、Ｒ²³、Ｒ²⁸がヒドロキシル基で、かつ、Ｒ²²、Ｒ²⁷が置換または無置換のフェニル基であり、より好ましい例は更にその他が水素原子であるものである。

以下に、上記一般式（１）（上記一般式（３）に相当する構造も含む）で表される化合物の好ましい具体例（色素１〜３４）を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、色素１〜６は下記一般式（４）の具体例であり、色素７〜１２は下記一般式（５）の具体例であり、色素１３〜１６は下記一般式（６）の具体例であり、色素１７〜２１は下記一般式（７）の具体例である。

なお、オキソノール色素として、他に、以下に説明するオキソノール色素ＡおよびＢを使用してもよい。オキソノール色素Ａとしては、下記一般式（８）で表される化合物が好ましい。

「一般式（８）」

［一般式（８）中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴はそれぞれ独立に水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、および置換または無置換のヘテロ環基のいずれかを表し、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ³は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のヘテロ環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、シアノ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のカルバモイル基、アミノ基、置換アミノ基、スルホ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ基、置換または無置換のアリールスルホニルアミノ基、置換または無置換のカルバモイルアミノ基、置換または無置換のアルキルスルホニル基、置換または無置換のアリールスホニル基、置換または無置換のアルキルスルフィニル基、置換または無置換のアリールスルフィニル基および置換または無置換のスルファモイル基のいずれかを表す。ｍは０以上の整数を表し、ｍが２以上の場合は複数のＲ³は同じでも異なってもよい。Ｚ^x+は陽イオンを表し、ｘは１以上の整数を表す。］

一般式（８）のＲ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ^l3、Ｒ¹⁴はそれぞれ独立に水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、および置換または無置換のヘテロ環基のいずれかを表す。Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴で表される置換または無置換のアルキル基としては、炭素数が１〜２０のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、プチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチル、ｉ−アミル、シクロプロピル、シクロへキシル、ベンジル、フェネチル）が挙げられる。また、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴が各々アルキル基を表す場合には、それらが互いに連結して炭素環（例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロへキシル、２−メチルシクロへキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルなど）または複素環（例えばピペリジル、クロマニル、モルホリルなど）を形成していてもよい。Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴で表されるアルキル基として好ましくは、炭素数１〜８の、鎖状アルキル基または環状アルキル基であり、最も好ましくは炭素数１〜５の鎖状（直鎖状または分岐鎖状）アルキル基、Ｒ¹¹とＲ¹²およびＲ¹³とＲ¹⁴がそれぞれ結合して環をなした炭素数１〜８の環状アルキル基（好ましくはシクロへキシル環）、炭素数１〜２０の置換アルキル基（例えば、ベンジル、フェネチル）である。

一般式（８）のＲ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴で表される置換または無置換のアリール基としては、炭素数６〜２０のアリール基（例えば、フェニル、ナフチル）が挙げられる。Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴で表されるアリール基として好ましくは、炭素数６〜１０のアリール基である。

一般式（８）のＲ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴で表される置換または無置換のヘテロ環基は炭素原子、窒素原子、酸素原子、あるいは硫黄原子から構成される５〜６員環の飽和又は不飽和のヘテロ環基であり、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、ピペリジル基、トリアジル基、ピロリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、イソチアゾリル基、イソオキサゾリル基などが挙げられる。またこれらがベンゾ縮環したもの（例えばキノリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾキサゾリル基など）でもよい。Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴で表される置換または無置換のヘテロ環基として好ましくは、炭素数６〜１０の置換または無置換のヘテロ環基である。

一般式（８）のＲ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴で表される置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、および置換または無置換のヘテロ環基の置換基としては後述の置換基群Ｓが挙げられる。

Ｓで示される置換基としては、炭素数１〜２０のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、カルボキシメチル、エトキシカルボニルメチル）、炭素数７〜２０のアラルキル基（例えば、ベンジル、フェネチル）、炭素数１〜８のアルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ）、炭業数６〜２０のアリール基（例えば、フェニル、ナフチル）、炭素数６〜２０のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ、ナフトキシ）、ヘテロ環基（例えば、ピリジル、ピリミジル、ピリダジル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾオキサゾリル、２−ピロリジノン−１−イル、２−ピペリドン−１−イル、２，４−ジオキシイミダゾリジン−３−イル、２，４−ジオキシオキサゾリジン−３−イル、スクシンイミド、フタルイミド、マレイミド）、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、沃素）、カルボキシル基、炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル）、シアノ基、炭素教２〜１０のアシル基（例えば、アセチル、ピバロイル）、炭素数１〜１０のカルバモイル（例えば、カルバモイル、メチルカルバモイル、モルホリノカルバモイル）、アミノ基、炭素数１〜２０の置換アミノ基（例えば、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ビス（メチルスルホニルエチル）アミノ、Ｎ−エチル−Ｎ’−スルホエチルアミノ）、スルホ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、炭業数１〜１０のアルキルスルホニルアミノ基（例えば、メチルスルホニルアミノ）、炭素数１〜１０のカルバモイルアミノ基（例えば、カルバモイルアミノ、メチルカルバモイルアミノ）、炭素数１〜１０のスルホニル基（例えば、メタンスルホニル、エタンスルホニル）、炭素数１〜１０のスルフィニル基（例えば、メタンスルフィニル）、および炭素数０〜１０のスルファモイル基（例えば、スルファモイル、メタンスルファモイル）が含まれる。カルボキシル基およびスルホ基の場合にはそれらは塩の状態であってもよい。

一般式（８）のＲ²¹、Ｒ²²、Ｒ³はそれぞれ独立に水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のヘテロ環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、シアノ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のカルバモイル基、アミノ基、置換アミノ基、スルホ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ基、置換または無置換のカルバモイルアミノ基、置換または無置換のアルキルスルホニル基、置換または無置換のアリールスルホニル基、置換または無置換のスルフィニル基および置換または無置換のスルファモイル基のいずれかを表す。Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ³として好ましくは、水素原子、置換または無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換または無置換の炭素数２〜２０のヘテロ環基、置換または無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数６〜２０のアリール基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは、水素原子、置換または無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換または無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数２〜１０ヘテロ環基、ハロゲン原子が好ましく、最も好ましくは水素原子、無置換の炭素数１〜５のアルキル基、無置換の炭素数１〜５のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数２〜６のヘテロ環基およびハロゲン原子のいずれかである。Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ³は更に置換基を有しても良く、置換基としては前述の置換基群Ｓが挙げられる。
ｍが０であり、Ｒ²¹、Ｒ²²が両方とも水素原子であることが好ましい。また、ｍが１であり、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ³がいずれも水素原子であることが好ましい。

一般式（８）のｍは０以上の整数を表し、好ましくは０〜５（０以上５以下）の整数であり、更に好ましくは０〜３の整数であり、特に好ましくは０〜２の整数である。

一般式（８）において、上記ｍが２以上の場合、複数のＲ³は同じでも異なってもよく、それぞれ独立に水素原子又は前記の置換基を表す。

一般式（８）においてＺ^x+は陽イオンを表し、ｘは１以上の整数を表す。
Ｚ^x+で表される陽イオンとして好ましくは、第４級アンモニウムイオンであり、更に好ましくは、特開２０００−５２６５８号公報の一般式（Ｉ−４）で表される４，４’−ビピリジニウム陽イオンおよび特２００２−５９６５２号公報に開示されている４，４’−ビピリジニウム陽イオンである。一般式（８）においてｘは１または２が好ましい。

以下に、前記一般式（８）で表される化合物の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

次に、前記オキソノール色素Ｂとして好適な例を挙げて説明する。当該オキソノール色素Ｂは、下記一般式（９）で表される化合物が好ましい。

一般式（９）中、Ｚａ²⁵、Ｚａ²⁶は、各々独立に、酸性核を形成する原子群であり、その例としては、Ｊａｍｅｓ 編、Ｔｈｅ Ｔｈｅｏｒｙ ｏｆ ｔｈｅ Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ Ｐｒｏｃｅｓｓ、第４版、マクミラン社、１９７７年、第１９８頁に記載されている。具体的には、各々、置換されてもいてもよいピラゾール−５−オン、ピラゾリジン−３，５−ジオン、イミダゾリン−５−オン、ヒダントイン、２または４−チオヒダントイン、２−イミノオキサゾリジン−４−オン、２−オキサゾリン−５−オン、２−チオオキサゾリン−２，４−ジオン、イソローダニン、ローダニン、チオフェン−３−オン、チオフェン−３−オン−１，１−ジオキシド、インドリン−２−オン、インドリン−３−オン、２−オキソインダゾリウム、５，７−ジオキソ−６，７−ジヒドロチアゾロ〔３，２−ａ〕ピリミジン、３，４−ジヒドロイソキノリン−４−オン、１，３−ジオキサン−４，６−ジオン（例えば、メルドラム酸など）、バルビツール酸、２−チオバルビツール酸、クマリンー２，４−ジオン、インダゾリン−２−オン、ピリド［１，２−ａ］ピリミジン−１，３−ジオン、ピラゾロ〔１，５−ｂ〕キナゾロン、ピラゾロピリドン、５または６員の炭素環（例えば、ヘキサン−１，３−ジオン、ペンタン−１，３−ジオン、インダン−１，３−ジオン）などの核が挙げられ、好ましくは、ピラゾール−５−オン、バルビツール酸、２−チオバルビツール酸、１，３−ジオキサン−４，６−ジオンである。
Ｚａ²⁵、Ｚａ²⁶は、各々、置換されていてもよい１，３−ジオキサン−４，６−ジオンが最も好ましい。

酸性核を置換する置換基は、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、またはシリル基が例として挙げられる。その中でも、炭素数１から２０の置換もしくは無置換のアルキル基、または炭素数６から２０の置換もしくは無置換のアリール基が好ましい。
酸性核は、無置換または、炭素数１から２０の置換もしくは無置換のアルキル基で置換されたもの、炭素数６から２０の置換もしくは無置換のアリール基で置換されたものが好ましい。

Ｚａ²⁵、Ｚａ²⁶が形成する酸性核は、好ましくは、インダンジオン、ピラゾロン、ピラゾリンジオン、ベンゾチオフェンオンジオキシドである。その中でも、ピラゾロンが最も好ましい。

Ｍａ²⁷、Ｍａ²⁸、Ｍａ²⁹は、各々独立に、置換または無置換のメチン基であり、置換基として好ましくは、炭素数１から２０のアルキル基（例えば、メチル、エチル、イソプロピル）、ハロゲン原子（例えば、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素）、炭素数１から２０のアルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロピル）、炭素数６から２６のアリール基（例えば、フェニル、２−ナフチル）、炭素数０から２０のヘテロ環基（例えば、２−ピリジル、３−ピリジル）、炭素数６から２０のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ、１−ナフトキシ、２−ナフトキシ）、炭素数１から２０のアシルアミノ基（例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ）、炭素数１から２０のカルバモイル基（例えばＮ，Ｎ−ジメチルカルバモイル）、スルホ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数１から２０のアルキルチオ基（例えばメチルチオ）、シアノ基などが挙げられる。また、他のメチン基と結合して環構造を形成してもよく、Ｚａ²¹からＺａ²⁶で表される原子団と結合して環構造を形成してもよい。
Ｍａ²⁷、Ｍａ²⁸、Ｍａ²⁹は、各々独立に、好ましくは無置換、エチル基、メチル基、フェニル基で置換されたメチン基のいずれかである。最も好ましくは、無置換のメチン基である。

Ｋａ²³は、０から３までの整数を表す。Ｋａ²³が２または３であるとき、複数存在するＭａ²⁷、Ｍａ²⁸、Ｍａ²⁹は、同じでも異なっていてもよい。Ｋａ²³は、共に２であるものが好ましい。Ｑは、電荷を中和する陽イオンを表す。

一般式（９）で表される構造の色素のうち、特に、下記一般式（１０）、（１１）、（１２）、（１３）で表されるものが好ましい。

一般式（１０）、（１１）、（１２）、（１３）中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁸、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ³²、Ｒ³³（以上を「Ｒ」と表示することあり）は、各々独立に、水素原子または、置換基を表す。置換基は、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、置換もしくは無置換のアルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、置換もしくは無置換のアルキニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のシリルオキシ基、置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、置換もしくは無置換のアシルオキシ基、置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニルオキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ、置換もしくは無置換のアミノ基（アニリノ基を含む）、置換もしくは無置換のアシルアミノ基、置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、置換もしくは無置換のアルキル及びアリールスルホニルアミノ基、置換もしくは無置換のメルカプト基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、置換もしくは無置換のアリールチオ基、置換または無置換のヘテロ環チオ基、置換または無置換のスルファモイル基、スルホ基、置換もしくは無置換のアルキル及びアリールスルフィニル基、置換もしくは無置換のアルキル及びアリールスルホニル基、置換もしくは無置換のアシル基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、置換または無置換のカルバモイル基、置換または無置換のアリール及びヘテロ環アゾ基、置換もしくは無置換のイミド基、置換もしくは無置換のホスフィノ基、置換もしくは無置換のホスフィニル基、置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、または置換もしくは無置換のシリル基が例として挙げられる。

更に詳しくは、Ｒは、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２―エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。］、

アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。］、

アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３から３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、

シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾールー５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、

アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアミノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、

メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、

スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２―ピリジルカルボニル、２―フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、

アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表わす。

一般式（１０）、及び一般式（１１）中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁸、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸は、水素原子が最も好ましい。
Ｒ³¹、Ｒ³⁴、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³、Ｒ⁴⁴は、置換基としては前記Ｒと同じものが挙げられるが、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基が好ましい。その中でも、置換または無置換のアリール基が更に好ましい。
Ｍａ²⁷、Ｍａ²⁸、Ｍａ²⁹は、各々独立に、置換または無置換のメチン基である。一般式（２）のＭａ²⁷、Ｍａ²⁸、Ｍａ²⁹と同義であり、その具体例及び好ましいものも同様である。Ｋａ²³は、各々独立に、０から３までの整数を表す。Ｑは、電荷を中和する一価の陽イオンを表す。Ｋａ²³が２または３であるとき、複数存在するＭａ²⁷、Ｍａ²⁸は、同じでも異なっていてもよい。

以下に、一般式（９）で表される化合物の好ましい具体例（化合物（９）−１〜（９）−２５）を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

オキソノール色素は、該当する活性メチレン化合物とメチン源（メチン染料にメチン基を導入するために用いられる化合物）との縮合反応によって合成することができる。この種の化合物についての詳細は、特公昭３９−２２０６９号、同４３−３５０４号、同５２−３８０５６号、同５４−３８１２９号、同５５−１００５９号、同５８−３５５４４号、特開昭４９−９９６２０号、同５２−９２７１６号、同５９−１６８３４号、同６３−３１６８５３号、同６４−４０８２７号各公報、ならびに英国特許第１１３３９８６号、米国特許第３２４７１２７号、同４０４２３９７号、同４１８１２２５号、同５２１３９５６号、同５２６０１７９号各明細書を参照することができる。また、特開昭６３−２０９９９５号公報、特開平１０−３０９８７１号公報、特開２００２−２４９６７４号公報にも記載されている。

上記一般式（１）及び（３）等で示されるオキソノール色素は、単独で用いてもよく、あるいは二種以上を併用してもよい。また、既述のオキソノール色素とこれ以外の色素化合物とを併用してもよい。併用する色素は、アゾ色素（金属イオンとの錯体化したものを含む）、ピロメテン色素、シアニン色素等が例として挙げられる。

記録層に含有される色素は、熱分解温度が１００℃〜３５０℃の範囲にあるものが好ましい。更には、１５０℃〜３００℃の範囲にあるものが好ましい。更には、２００℃から３００℃の範囲にあるものが好ましい。

少なくとも２層ある記録層のそれぞれには、同種もしくは異種のオキソノール色素を含有することが好ましいが、これに限定されず、オキソノール色素以外のほかの色素が含有されていてもよい。

以下に、本発明の光情報記録媒体の基板や各層の材料および形成方法を説明する。

（基板）
基板（保護基板も含む）は、従来の情報記録媒体の基板として用いられている各種の材料から任意に選択することができる。基板材料としては、例えば、ガラス；ポリカーボネート；ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィンおよびポリエステル等を挙げることができ、所望によりそれらを併用してもよい。なお、これらの材料はフィルム状としてまたは剛性のある基板として使うことができる。上記材料の中では、耐湿性、寸法安定性および価格などの点からポリカーボネートが好ましい。

基板には、トラッキング用の案内溝またはアドレス信号等の情報を表わす凹凸（プレグルーブ）が形成されている。プリグルーブのトラックピッチは、３００〜９００ｎｍの範囲とすること好ましく、４００〜８００ｎｍとすることがさらに好ましい。また、プリグルーブの深さ（溝深さ）の範囲は、積層型と貼り合わせ型とで異なる。積層型では、１００〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましく、１１０〜１５０ｎｍの範囲とすることがより好ましい。

一方、貼り合わせ型においては、光入射面に近い基板のプリグルーブの深さは、１００〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましく、１１０〜１５０ｎｍの範囲とすることがより好ましい。また、光入射面に遠い基板のプリグルーブの深さは、１００ｎｍ以下が好ましく、６０ｎｍ以下とすることがより好ましく、１５〜４０ｎｍとすることがさらに好ましい。

さらに、プリグルーブの半値幅の好ましい範囲は、積層型と貼り合わせ型とで異なる。積層型では、２００〜４００ｎｍの範囲とすることが好ましく、２３０〜３８０ｎｍとすることがより好ましい。

一方、貼り合わせ型においては、光入射面に近い基板のプリグルーブの半値幅は、２００〜４００ｎｍの範囲とすることが好ましく、２３０〜３８０ｎｍの範囲とすることがより好ましい。また、光入射面に遠い基板のプリグルーブの凸部における半値幅は、３００〜５５０ｎｍの範囲とすることが好ましく、４００〜５２０ｎｍとすることがより好ましい。

記録層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善および接着力の向上および記録層の変質防止などの目的で、下塗層が設けられてもよい。下塗層の材料としては例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質；およびシランカップリング剤などの表面改質剤をあげることができる。

下塗層は、上記物質を適当な溶剤に溶解または分散して塗布液を調製したのち、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコートなどの塗布法により基板表面に塗布することにより形成することができる。

既述のように、基板（または下塗層）にはトラッキング用溝またはアドレス信号等の情報を表す凹凸（プレグルーブ）が形成されている。このプレグルーブは、ポリカーボネートなどの樹脂材料を射出成形あるいは押出成形する際に直接基板上に前記のトラックピッチで形成されることが好ましい。また、プレグルーブの形成を、プレグルーブ層を設けることにより行ってもよい。プレグルーブ層の材料としては、アクリル酸のモノエステル、ジエステル、トリエステルおよびテトラエステルのうち少なくとも一種のモノマー（またはオリゴマー）と光重合開始剤との混合物を用いることができる。プレグルーブ層の形成は、例えば、まず精密に作られた母型（スタンパー）上に上記のアクリル酸エステルおよび重合開始剤からなる混合液を塗布し、さらにこの塗布液層上に基板を載せたのち、基板または母型を介して紫外線を照射することにより塗布層を硬化させて基板と塗布層とを固着させる。次いで、基板を母型から剥離することにより得ることができる。

（記録層）
当該記録層は、色素を含有する。色素としては、既述のオキソノール色素（好ましくは前記一般式（１）で示されるオキソノール色素）の他、シアニン色素、金属錯体系色素、アゾ色素、フタロシアニン色素等が挙げられる。

記録層には、更に耐光性を向上させるための種々の褪色防止剤を含有することができる。褪色防止剤の代表例としては、特開平３−２２４７９３号公報に記載の一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）もしくは（Ｖ）で表される金属錯体、ジインモニウム塩、アミニウム塩や特開平２−３００２８７号公報や特開平２−３００２８８号公報に示されているニトロソ化合物、特開平１０−１５１８６１号公報に示されているＴＣＮＱ誘導体などを挙げることができる。

記録層の形成は、既述のオキソノール色素、更に所望によりクエンチャー、結合剤などを溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いでこの塗布液を基板表面に塗布して塗膜を形成したのち乾燥することにより行うことができる。色素記録層形成用の塗布液の溶剤としては、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテートなどのエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；シクロヘキサンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル；エタノ−ル、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ジアセトンアルコールなどのアルコール；２，２，３，３−テトラフロロプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレンングリコールモノエチルエーテル、プロピレンングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げることができる。

上記溶剤は使用する化合物の溶解性を考慮して単独または二種以上組み合わせて用いることができる。塗布液中にはさらに酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤などの各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。

結合剤の例としては、例えばゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然有機高分子物質；およびポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチルなどのアクリル樹脂；ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物などの合成有機高分子を挙げることができる。

記録層の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤の使用量は、既述のオキソノール色素を始めとした色素の量に対して一般に０．０１〜５０倍量（質量比）の範囲にあり、好ましくは０．１〜５倍量（質量比）の範囲にある。このようにして調製される塗布液の色素濃度は一般に０．０１〜１０質量％の範囲にあり、好ましくは０．１〜５質量％の範囲にある。

塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法などを挙げることができる。記録層は単層でも重層でもよい。記録層の層厚は一般に２０〜５００ｎｍの範囲にあり、好ましくは５０〜３００ｎｍの範囲にある。なお、第１の記録層の層厚を示す指標として、最大吸収波長における光学濃度が挙げられ、当該光学濃度を０．５０〜０．８０とすることが好ましい。

（反射層）
記録層上には、情報の再生時における反射率の向上の目的で、反射層が設けられることが好ましい。反射層の材料である光反射性物質はレーザー光に対する反射率が高い物質であり、その例としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属あるいはステンレス鋼を挙げることができる。これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびステンレス鋼であり、特に好ましいものはＡｇである。これらの物質は単独で用いてもよいし、あるいは二種以上の組み合わせで、または合金として用いてもよい。反射層は、例えば上記反射性物質を蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーティングすることにより記録層の上に形成することができる。

反射層の層厚は一般には１０〜３００ｎｍの範囲にあり、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲である。なお、反射層が半透明の反射層（例えば、第１の反射層）の場合、その層厚は、２〜１５０ｎｍの範囲にあることが好ましく、５〜３５ｎｍであることがより好ましい。

（色素保護層）
記録層の上には、記録層などを物理的および化学的に保護する目的で色素保護層（バリア層ともいう）が設けられてもよい。

色素保護層に用いられる材料としては、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＺｎＯ−Ｇａ₂Ｏ₃などの無機物質；熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等の有機物質；を挙げることができる。

色素保護層は、真空蒸着、スパッタリング、塗布等の方法により設けることができる。また、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を使用する場合には、これらを適当な溶剤に溶解した塗布液を調製したのち、この塗布液を塗布し、乾燥することによっても形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂の場合には、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによっても形成することができる。これらの塗布液中には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。色素保護層の層厚は一般には１ｎｍ〜１０μｍの範囲にある。

（中間層（接着層、粘着層））
当該中間層は、各記録層の間に形成される。また、本発明の光情報記録媒体が貼り合わせ型の場合に、２つ積層体を接着する機能も有する。

中間層の材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、感圧式両面テープ等や、ＳｉＯ₂等の無機材料等が挙げられる。また、これらの材料を単独または混合してもよいし、一層だけではなく多層膜にして用いてもよい。このような中間層は、スピンコート法やキャスト法、スパッタ法により形成することができる。中間層の厚みは、５〜１００μｍであることが好ましく、１０〜７０μｍであることより好ましい。

本発明の光情報記録媒体は、低レーザーパワーでの記録が可能であるため、線速１６ｍ／ｓ以上で情報を記録する高速記録でも好適に使用することができる。記録時の好ましい線速は、３０ｍ／ｓ以上であり、より好ましくは、３４〜７０ｍ／ｓである。

本発明の光情報記録媒体の情報記録方法は、例えば、次のように行われる。まず、光情報記録媒体を定線速度または定角速度にて回転させながら、基板（図１の例では基板１）側から半導体レーザー光などの記録用のレーザー光を照射する。この光の照射により、記録層と反射層との界面に空洞を形成（空洞の形成は、記録層または反射層の変形、あるいは両層の変形を伴って形成される）するか、基板が肉盛り変形する、あるいは記録層に変色、会合状態の変化等により屈折率が変化することにより情報が記録されると考えられる。記録光としては、６００ｎｍ〜７００ｎｍ（好ましくは６２０〜６８０ｎｍ、更に好ましくは、６３０〜６６０ｎｍ）の範囲の発振波長を有する半導体レーザービームが用いられる。

上記のように記録された情報の再生は、光情報記録媒体を上記と同一の定線速度で回転させながら記録時と同じ波長を持つ半導体レーザー光を基板側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

［実施例］
射出成形にて、ポリカーボネート樹脂を、スパイラル状のグルーブ（深さ１２０ｎｍ、溝幅３６５ｎｍ、トラックピッチ０．７４μｍ）を有する厚さ０．５７０ｍｍ、直径１２０ｍｍの基板に成形し、これを第１の記録層を形成するための基板とした。下記化学式で表される「色素Ａ」と「色素Ｂ」とを質量比で８：２に調合し、調合した粉体１．００ｇを２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール１００ｍｌに溶解し、塗布液を調製した。この塗布液をスピンコート法により上記基板のグルーブが形成されている面に塗布して、第１の記録層（Ｌ０）を形成した。

次に、第１の記録層上に、ＡｇＮｄＣｕ合金（ターゲット組成Ａｇ：９８．４ａｔ％、Ｎｄ：０．７ａｔ％、Ｃｕ：０．９ａｔ％）をスパッタリングして膜厚１３ｎｍの半透過性の反射層を形成した。これにより第１の記録層を有する積層体を得た。

一方、射出成形にて、ポリカーボネート樹脂を、スパイラル状のグルーブ（深さ３０ｎｍ、基板ランド幅４５０ｎｍ、トラックピッチ０．７４μｍ）を有する厚さ０．６００ｍｍ、直径１２０ｍｍの基板を成形し、これを第２の記録層を形成するための基板とした。

次に、この基板のグルーブが形成されている面に、ＡｇＮｄＣｕ合金（ターゲット組成Ａｇ：９８．４ａｔ％、Ｎｄ：０．７ａｔ％、Ｃｕ：０．９ａｔ％）をスパッタリングして膜厚１２０ｎｍの反射層を形成した。

更に、上記「色素Ａ」２．００ｇを２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール１００ｍｌに溶解し塗布液を調製した。この塗布液をスピンコート法により上記基板の反射層上に塗布して、第２の記録層（Ｌ１）を形成した。

更に第２の記録層上にＺｎＯ−Ｇａ₂Ｏ₃（ターゲット組成ＺｎＯ：Ｇａ₂Ｏ₃＝３０ｗｔ％：７０ｗｔ％）をスパッタリングして、膜厚１０ｎｍの中間層（バリア層）を形成した。これにより第２の記録層を有する積層体を得た。

紫外線硬化樹脂（ダイキュアクリアＳＤ６４０ 大日本インキ化学工業製）を接着剤として用いて、第１の記録層が形成されている積層体と第２の記録層が形成されている積層体とをそれぞれの記録層が内層となるように貼り合せて、光情報記録媒体を作製した。なお、接着剤からなる接着層の厚さは５５μｍであった。

［比較例１］
「色素Ａ」および「色素Ｂ」の代わりに下記化学式で表される「色素Ｃ」１．００ｇを使用して第１の記録層を形成した以外は、実施例１と同様にして、第１の記録層が形成されている積層体を作製した。また、実施例１と同様にして、第２の記録層が形成されている積層体を作製し、当該積層体と上記第１の記録層が形成されている積層体とをそれぞれの記録層が内層となるように貼り合せて、光情報記録媒体を作製した。

［実施例２］
射出成形にて、ポリカーボネート樹脂を、スパイラル状のグルーブ（深さ１４０ｎｍ、溝幅３５０ｎｍ、トラックピッチ０．７４μｍ）を有する厚さ０．５７０ｍｍ、直径１２０ｍｍの基板に成形し、これを第１の記録層を形成するための基板とした。下記化学式で表される「色素Ｄ」１．２５ｇを２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール１００ｍｌに溶解し、塗布液を調製した。この塗布液をスピンコート法により上記基板のグルーブが形成されている面に塗布して、第１の記録層（Ｌ０）を形成した。

次に、第１の記録層上に、ＡｇＮｄＣｕ合金（ターゲット組成Ａｇ：９８．４ａｔ％、Ｎｄ：０．７ａｔ％、Ｃｕ：０．９ａｔ％）をスパッタリングして膜厚１３ｎｍの半透過性の反射層を形成した。これにより第１の記録層を有する積層体を得た。また、実施例１と同様にして、第２の記録層が形成されている積層体を作製し、当該積層体と上記第１の記録層が形成されている積層体とをそれぞれの記録層が内層となるように貼り合せて、光情報記録媒体を作製した。

（光情報記録媒体の評価）
（１）記録層の屈折率および消衰係数の測定：
ウーラム社の回転格子、分光エリプソメータ Ｖ−ｖａｓｅ型を用いて、それぞれの記録層の屈折率および消衰係数（測定波長６６０ｎｍ）を測定した。

実施例１の光情報記録媒体の第１の記録層の屈折率および消衰係数は、それぞれ２．２４および０．０２４であり、第２の記録層の屈折率および消衰係数は、それぞれ２．２３および０．０２０であった。また、比較例１の光情報記録媒体の第１の記録層の屈折率および消衰係数は、それぞれ２．１８および０．００４であり、第２の記録層の屈折率および消衰係数は、それぞれ２．２３および０．０２０であった。さらに、実施例２の光情報記録媒体の第１の記録層の屈折率および消衰係数は、それぞれ２．３３および０．０３４であり、第２の記録層の屈折率および消衰係数は、それぞれ２．２３および０．０２０であった。

（２）記録再生特性：
ＤＤＵ−１０００およびマルチシグナルジェネレータ（いずれもパルステック工業社製、レーザー波長：６６０ｎｍ、対物レンズ開口数：０．６５）を用いて、３．８４ｍ／ｓを１倍速とし、線速度を９．２２ｍ／ｓ（２．４倍速）〜４６．０８ｍ／ｓ（１２倍速）として、実施例および比較例の光情報記録媒体に、８−１６変調信号を記録した。使用した記録レーザー発光パターン（記録ストラテジ）は、各光情報記録媒体に対して最適化した。

また、記録した信号は、ＤＤＵ−１０００（パルステック工業社製、レーザー波長：６６０ｎｍ、対物レンズ開口数：０．６０）を用いて、線速度を３．８ｍ／ｓとして、再生を行い再生信号を評価した。結果を下記表１〜表３に示す。なお、表中の「Ｐｏ」、「Ｐｍ」は、レーザーパワーを意味する。記録レーザー発光パターン（記録ストラテジ）の概念図は、実施例１のアイパターンである図３に示したが、「Ｐｏ」、「Ｐｍ」の定義は、図４に示すとおりである。また、「２．４ｘ」等とは、「２．４倍速」等を意味する。

上記表１より、実施例１の光情報記録媒体は、上記評価系で最高１２倍速までの記録が可能であり、第１の記録層および第２の記録層のジッタ−は１２倍速で７．６％、７．４％の良好な値を示した。また、記録後の反射率は第１の記録層、第２の記録層とも１６％であり、「ＤＶＤ＋Ｒ ＤＬ（デュアルレイヤー）」の規格範囲内の良好な値であった。さらに、２．４倍速から１２倍速までの評価結果から、１６倍速（６１．４４ｍ／ｓ）での最適記録パワーは６９．１ｍＷ（第１の記録層）、７１．５ｍＷ（第２の記録層）と予想された。

一方、比較例１の光情報記録媒体は、表２に示すように、上記評価系で第１の記録層は最高１０倍速までしか記録が出来ないことがわかった。また、２．４倍速から１０倍速までの評価結果から、比較例１のディスクの第１の記録層では１２倍速での最適記録レーザーパワーは６０．８ｍＷ、１６倍速での最適記録レーザーパワーは７９．５ｍＷと予想された。

ここで、実施例１の光情報記録媒体に、レーザー波長６５７ｎｍ、対物レンズ開口数０．６０、最高記録レーザーパワー７０ｍＷのピックアップヘッドで、６１．４４ｍ／ｓ（１６倍速）の線速で記録を行い、ＤＤＵ−１０００（パルステック工業社製。レーザー波長６６０ｎｍ、対物レンズ開口数０．６０）を用いて、線速度を３．８ｍ／ｓとして、再生を行った。この場合の再生信号のアイパターンを図３に示す。第１の記録層、第２の記録層とも良好な良好なアイパターンが得られていることがわかった。

本発明のように第１の記録層の消衰係数ｋ₀を規定することで、第１の記録層の記録における最適レーザーパワーを下げることが可能で、１６倍速での高速記録においても、良好な記録再生信号を得ることができることが確認できた。

一方、ＤＤＵ−１０００およびマルチシグナルジェネレータ（パルステック社製。レーザー波長６６０ｎｍ、対物レンズ開口数０．６５、最高記録レーザーパワー５５ｍＷ）を用いて、３．８４ｍ／ｓを１倍速として、９．２２ｍ／ｓ（２．４倍速）〜４６．０８ｍ／ｓ（１２倍速）の線速度で、８−１６変調信号を記録した。使用した記録レーザー発光パターン（記録ストラテジ）は、各ディスクに対して最適化した。また、記録した信号は、ＤＤＵ−１０００（パルステック社製。レーザー波長６６０ｎｍ、対物レンズ開口数０．６０）を用いて、線速度を３．８ｍ／ｓとして、再生を行い、記録後の反射率を評価した。

表３に、実施例２および比較例１における第１の記録層の記録後の反射率と、第１の記録層の透過率とを示した。実施例２と比較例１とは同一の透過率であるが、第１の記録層の屈折率の高い実施例２の方が反射率を高くできた。このため、ディスク製造時のマージンが拡がり、ディスク製造がしやすくなるなどの効果が得られる。

本発明の光情報記録媒体の層構成例を示す模式図である。 本発明の光情報記録媒体の他の層構成例を示す模式図である。 実施例１の光情報記録媒体のアイパターンを示す図であり、（Ａ）は第１の記録層の場合であり、（Ｂ）は第２の記録層の場合である。 「Ｐｏ」、「Ｐｍ」の定義を説明する図である。

符号の説明

１，８・・・基板
Ｌ０・・・第１の記録層
３・・・第１の反射層
４・・・中間層
５・・・色素保護層
Ｌ１・・・第２の記録層
７・・・第２の反射層
９・・・接着層

Claims (7)

1. 基板上に、色素を含有する記録層が少なくとも２層形成されており、それぞれの記録層の層間に中間層が形成されている光情報記録媒体であって、
   前記記録層のうち、レーザー光が入射される側の前記基板に最も近い第１の記録層のレーザー波長６６０ｎｍにおける消衰係数ｋ₀が、ｋ₀≧０．０１となっていることを特徴とする光情報記録媒体。
2. 前記第１の記録層の屈折率ｎ₀が、２．２４以上であることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
3. 前記第１の記録層以外の記録層のそれぞれの消衰係数ｋ_nが０．００２〜０．０４であることを特徴とする請求項１または２に記載の光情報記録媒体。
4. 前記第１の記録層の最大吸収波長の光学濃度が、０．５０〜０．８０であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
5. 前記第１の記録層と前記中間層との間に第１の反射層が形成され、前記第１の反射層の厚みが５〜３５ｎｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
6. 線速１６ｍ／ｓ以上で情報を記録することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
7. 前記色素がオキソノール色素であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。

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