JP5117388B2 - 有機電子素子 - Google Patents
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Description
2eV<EnL−EF1≦4eV (1)
EpH−EnL≦1eV (2)
前記式(1)および(2)において、EF1は前記第1電極の導電層のフェルミエネルギー準位であり、EnLは前記第1電極のn−型有機物層のLUMO(lowest unoccupied molecular orbital)エネルギー準位であり、EpHは前記第1電極のn−型有機物層とNP接合をなすp−型有機物層のHOMO(highest occupied molecular orbital)エネルギー準位である。
2eV<EnL−EF1≦4eV (3)
EpH−EnL≦1eV (4)
前記式(3)および(4)において、EF1は前記アノードの導電層のフェルミエネルギー準位であり、EnLは前記アノードのn−型有機物層のLUMOエネルギー準位であり、EpHは前記アノードのn−型有機物層とNP接合をなすp−型有機物層のHOMOエネルギー準位である。
2eV<EnL−EF1≦4eV (5)
EpH−EnL≦1eV (6)
前記式(5)および(6)において、EF1は前記アノードの導電層のフェルミエネルギー準位であり、EnLは前記アノードのn−型有機物層のLUMOエネルギー準位であり、EpHは前記アノードのn−型有機物層とNP接合をなすp−型有機物層のHOMOエネルギー準位である。
2eV<EnL−EF1≦4eV (7)
EpH−EnL≦1eV (8)
前記式(7)および8において、EF1は前記ソース電極またはドレイン電極の導電層のフェルミエネルギー準位であり、EnLは前記ソース電極またはドレイン電極のn−型有機物層のLUMOエネルギー準位であり、EpHは前記ソース電極またはドレイン電極のn−型有機物層とNP接合をなすp−型有機物層のHOMOエネルギー準位である。
有機発光素子は、導電層およびこの導電層上に位置するn−型有機物層を含むアノード電極、カソード電極、および前記n−型有機物層とカソードとの間に位置し、前記n−型有機物層とNP接合をなすp−型有機物層を含む。前記アノードのn−型有機物層とカソードとの間には、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層から選択される1つ以上の層を含むことができる。
第1具現例
−基板31
−アノード32:導電層32a/n−型有機物層32b
−p−型正孔注入層33
−正孔輸送層34
−発光層35
−電子輸送層36
−カソード37
第2具現例
−基板31
−アノード32:導電層32a/n−型有機物層32b
−p−型正孔輸送層34
−発光層35
−電子輸送層36
−カソード37
第3具現例
−基板31
−アノード32:導電層32a/n−型有機物層32b
−p−型発光層35
−電子輸送層36
−カソード37
アノードは、正孔注入層、正孔輸送層、または発光層のようなp−型有機物層内に正孔を注入する。前記アノードは導電層とn−型有機物層とを含む。前記導電層は金属、金属酸化物、または導電性ポリマーを含む。前記導電性ポリマーは電気伝導性ポリマーを含むことができる。
正孔注入層または正孔輸送層はアノードとカソードとの間に位置し、p−型有機物層であって、アノードの導電層上に形成されたn−型有機物層とNP接合をなす。NP接合で形成された正孔は前記p−型正孔注入層またはp−型正孔輸送層を介して発光層に輸送される。
発光層では正孔伝達と電子伝達が同時に発生するため、発光層はn−型特性とp−型特性を共に有することができる。便宜上、電子輸送が正孔輸送に比べて速い場合にはn−型発光層、正孔輸送が電子輸送に比べて速い場合にはp−型発光層と定義することができる。
電子輸送層物質としては、カソードから電子が効果的に注入され、発光層によく輸送できるように、電子移動度(electron mobility)の大きい物質が好ましい。前記電子輸送層はこれに限定されるものではないが、アルミニウムトリス(8−ヒドロキシキノリン)(Alq3);Alq3構造を含む有機化合物;ヒドロキシフラボン−金属錯化合物またはシラシクロペンタジエン(silole)系化合物などを含む。
カソード物質としては、通常、電子輸送層のようなn−型有機物層のLUMO準位で電子注入が容易になされるように仕事関数の小さい物質が好ましい。前記カソードはこれに限定されるものではないが、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズおよび鉛のような金属またはこれらの合金;LiF/AlまたはLiO2/Alのような多層構造物質などを含む。前記カソードはアノードの導電層と同一物質で形成することができる。カソードまたはアノードの導電層は透明物質を含むことができる。
有機太陽電池は、アノード、カソード、および前記アノードと前記カソードとの間に介在された有機薄膜を含む。前記有機薄膜は有機太陽電池の効率と安全性を高めるために複数の層を含む。図8を参照すれば、本発明に係る有機太陽電池の例示的な一具現例は次の順で形成することができる。
−基板41
−アノード42:導電層42a/n−型有機物層42b
−電子供与層(electron donor layer;43)
−電子受容層(electron acceptor;44)
−カソード45
図9は本発明の例示的な一具現例に係る有機トランジスタを示すものである。
IZO−Ca導電層およびHAT n−型有機物層を備えたアノードを含む有機発光素子
洗浄されたガラス基板上にインジウム亜鉛酸化物(IZO)を1000Å厚さでスパッタリング蒸着機を用いて真空蒸着し、その上に100Å厚さでCaを真空熱蒸着し、仕事関数が2.6eVである透明IZO−Ca導電層を形成した。前記形成された導電層上に約500Å厚さのHATを熱真空蒸着し、IZO−Ca導電層およびHAT n−型有機物層を有する透明アノードを形成した。その次、約400Å厚さで4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(NPB)を真空蒸着してp−型正孔輸送層を形成した。前記p−型正孔輸送層上にHOMO準位が約5.7eVであるAlq3を約300Å厚さで真空蒸着して発光層を形成させ、前記発光層上に下記化合物(HOMO準位=約5.7eV)を200Å厚さで真空蒸着して電子輸送層を形成させた。
Ag−Ca導電層およびHAT n−型有機物層を備えたアノードを含む有機発光素子
洗浄されたガラス基板上にIZO−Ca透明導電層の代わりにAgを200Å厚さで真空熱蒸着し、その上に200Å厚さでCaを真空熱蒸着し、仕事関数が2.6eVである半透明Ag−Ca導電層を形成したことを除いては、実施例1と同一の方法で有機発光素子を製作した。
37、45:カソード 33:正孔注入層
34:正孔輸送層 35:発光層
36:電子輸送層 43:電子供与層
44:電子受容層 62:ゲート電極
63:絶縁層 64:p−型有機物層
65:ソース電極 66:ドレイン電極
32a、42a、65a,66a:導電層
32b、42b、67:n−型有機物層
Claims (25)
- 導電層および前記導電層上に位置するn−型有機物層を含む第1電極と、
第2電極と、および
前記第1電極のn−型有機物層と前記第2電極との間に位置し、前記第1電極のn−型有機物層とNP接合をなすp−型有機物層とを備えてなり、
前記第1電極の導電層が、Ca、Ca−Ag、Ca−IZO、およびMg−Agからなる群から選択される材料からなるものであり、
前記層のエネルギー準位が下記式(1)および(2)を満足することを特徴とする、電子素子。
2eV<EnL−EF1≦4eV (1)
EpH−EnL≦1eV (2)
[前記式(1)および(2)において、
EF1は前記第1電極の導電層のフェルミエネルギー準位であり、
EnLは前記第1電極のn−型有機物層のLUMOエネルギー準位であり、
EpHは前記第1電極のn−型有機物層とNP接合をなすp−型有機物層のHOMOエネルギー準位である。] - 前記p−型有機物層と第2電極との間に備えられた少なくとも1層の有機物層をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の電子素子。
- 前記第1電極のn−型有機物層は下記の化学式1の化合物を含むことを特徴とする、請求項1に記載の電子素子。
R1〜R6は各々水素、ハロゲン原子、ニトリル(−CN)、ニトロ(−NO2)、スルホニル(−SO2R)、スルホキシド(−SOR)、スルホンアミド(−SO2NR)、スルホネート(−SO3R)、トリフルオロメチル(−CF3)、エステル(−COOR)、アミド(−CONHRまたは−CONRR’)、置換または非置換された直鎖または分枝鎖のC1−C12アルコキシ、置換または非置換された直鎖または分枝鎖C1−C12のアルキル、置換または非置換された芳香族または非芳香族の複素環、置換または非置換されたアリール、置換または非置換されたモノ−またはジ−アリールアミン、および置換または非置換されたアラルキルアミンからなる群から選択されてなり、
前記RおよびR’は各々置換または非置換されたC1−C60のアルキル、置換または非置換されたアリール、および置換または非置換された5−7員複素環からなる群から選択されてなるものである。] - 前記第1電極のn−型有機物層が、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(F4TCNQ)、フッ素−置換された3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA)、シアノ−置換された3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA)、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)、フッ素−置換されたナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)、またはシアノ−置換されたナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)を含むことを特徴とする、請求項1に記載の電子素子。
- 前記第1電極の導電層が、金属、金属酸化物、および導電性ポリマーからなる群から選択される物質からなることを特徴とする、請求項1に記載の電子素子。
- 前記第1電極の導電層と前記第2電極は同一物質からなることを特徴とする、請求項1に記載の電子素子。
- 前記第1電極の導電層と前記第2電極は、Ca、Ca−Ag、Ca−IZO、およびMg−Agからなる群から選択される材料からなることを特徴とする、請求項1に記載の電子素子。
- 前記電子素子が、
導電層および前記導電層上に位置するn−型有機物層を含むアノードと、
カソードと、および
前記アノードのn−型有機物層と前記カソードとの間に位置し、前記アノードのn−型有機物層とNP接合をなすp−型有機物層とを備えてなり、
前記層のエネルギー準位が下記式(3)および(4)を満足する有機発光素子であることを特徴とする、請求項1に記載の電子素子。
2eV<EnL−EF1≦4eV (3)
EpH−EnL≦1eV (4)
[上記前記式(3)および(4)において、
EF1は前記アノードの導電層のフェルミエネルギー準位であり、
EnLは前記アノードのn−型有機物層のLUMOエネルギー準位であり、
EpHは前記アノードのn−型有機物層とNP接合をなすp−型有機物層のHOMOエネルギー準位である。] - 前記p−型有機物層とカソードとの間に備えられた正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層から選択された少なくとも1つの層を備えてなることを特徴とする、請求項9に記載の電子素子。
- 前記アノードの導電層と前記カソードは同一物質からなることを特徴とする、請求項9に記載の電子素子。
- 前記アノードの導電層と前記カソードが、Ca、Ca−Ag、Ag−IZO、およびMa−Agからなる群から選択される材料からなることを特徴とする、請求項9に記載の電子素子。
- 前記アノードのn−型有機物層が、4〜7eVのLUMOエネルギー準位および10−8cm2/Vs〜1cm2/Vsの電子移動度を有することを特徴とする、請求項9に記載の電子素子。
- 前記アノードのn−型有機物層が下記化学式1の化合物を含むことを特徴とする、請求項9に記載の電子素子。
R1〜R6は各々水素、ハロゲン原子、ニトリル(−CN)、ニトロ(−NO2)、スルホニル(−SO2R)、スルホキシド(−SOR)、スルホンアミド(−SO2NR)、スルホネート(−SO3R)、トリフルオロメチル(−CF3)、エステル(−COOR)、アミド(−CONHRまたは−CONRR’)、置換または非置換された直鎖または分枝鎖のC1−C12アルコキシ、置換または非置換された直鎖または分枝鎖C1−C12のアルキル、置換または非置換された芳香族または非芳香族の複素環、置換または非置換されたアリール、置換または非置換されたモノ−またはジ−アリールアミン、および置換または非置換されたアラルキルアミンからなる群から選択されてなり、
前記RおよびR’は各々置換または非置換されたC1−C60のアルキル、置換または非置換されたアリール、および置換または非置換された5−7員複素環からなる群から選択されてなる。] - 前記アノードのn−型有機物層が、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(F4TCNQ)、フッ素−置換された3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA)、シアノ−置換された3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA)、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)、フッ素−置換されたナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)、またはシアノ−置換されたナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)を含むことを特徴とする、請求項9に記載の電子素子。
- 前記電子素子が、
導電層および前記導電層上に位置するn−型有機物層を含むアノードと、
カソードと、および
前記アノードのn−型有機物層と前記カソードとの間に位置し、前記アノードのn−型有機物層とNP接合をなすp−型有機物層からなる電子供与層とを備えてなり、
前記層のエネルギー準位が下記式(5)および(6)を満足することを特徴とする有機太陽電池であることを特徴とする、請求項1に記載の電子素子。
2eV<EnL−EF1≦4eV (5)
EpH−EnL≦1eV (6)
[前記式(5)および(6)において、
EF1は前記アノードの導電層のフェルミエネルギー準位であり、
EnLは前記アノードのn−型有機物層のLUMOエネルギー準位であり、
EpHは前記アノードのn−型有機物層とNP接合をなすp−型有機物層のHOMOエネルギー準位である。] - 前記カソードと前記電子供与層との間に電子受容層をさらに含むことを特徴とする、請求項17に記載の電子素子。
- 前記アノードの導電層と前記カソードは同一物質からなることを特徴とする、請求項17に記載の電子素子。
- 前記アノードのn−型有機物層が、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(F4TCNQ)、フッ素−置換された3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA)、シアノ−置換された3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA)、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)、フッ素−置換されたナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)、シアノ−置換されたナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)、またはヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン(HAT)を含むことを特徴とする、請求項17に記載の電子素子。
- ソース電極と
ドレイン電極と、
ゲート電極と、および
前記ゲート電極上に位置する絶縁層と、および
前記絶縁層上に位置するp−型有機物層を備えてなり、
前記ソース電極および前記ドレイン電極のうちの少なくとも1つは前記p−型有機物層とNP接合をなすn−型有機物層および導電層を備えてなり、
前記層のエネルギー準位が下記式(7)および(8)を満足する有機トランジスタであることを特徴とする、請求項1に記載の電子素子。
2eV<EnL−EF1≦4eV (7)
EpH−EnL≦1eV (8)
[前記式(7)および(8)において、
EF1は前記ソース電極またはドレイン電極の導電層のフェルミエネルギー準位であり、
EnLは前記ソース電極またはドレイン電極のn−型有機物層のLUMOエネルギー準位であり、
EpHは前記ソース電極またはドレイン電極のn−型有機物層とNP接合をなすp−型有機物層のHOMOエネルギー準位である。] - 前記n−型有機物層が、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(F4TCNQ)、フッ素−置換された3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA)、シアノ−置換された3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA)、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)、フッ素−置換されたナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)、シアノ−置換されたナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)、またはヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン(HAT)を含むことを特徴とする、請求項21に記載の電子素子。
- 請求項9に記載の電子素子を少なくとも2つ含み、1つの電子素子のアノードが隣接する電子素子のカソードと直列に連結されることを特徴とする、スタック型有機発光素子。
- 前記電子素子のアノードの導電層とカソードが同一物質からなることを特徴とする、請求項23に記載のスタック型有機発光素子。
- 直列に連結された単位電子素子の界面に存在するアノードとカソードにおいて、アノードと導電層とカソードが単一導電層を形成することを特徴とする、請求項24に記載のスタック型有機発光素子。
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