JP5627459B2 - ハロゲン含有のペリレンテトラカルボン酸誘導体及びそれらの使用 - Google Patents

Description

本発明は、高ハロゲン化された、特に塩素化及び／又はフッ素化された、特に過ハロゲン化されたペリレンテトラカルボン酸誘導体並びに前記誘導体を、発光材料、電荷輸送材料又は励起子輸送材料として用いる使用に関する。

将来、電子工学産業の多くの範囲において、古典的な無機半導体の他に、低分子もしくは高分子の材料を基礎とする有機半導体もその使用が増すことが期待される。前記の有機半導体は、古典的な無機半導体に対して、例えばより良好な基板適合性及びそれを基礎とする半導体素子のより良好な加工性という多くの利点を有する。該材料は、フレキシブルな基板上への加工を可能にし、かつその限界軌道エネルギーを、分子モデリングの方法によってそれぞれの使用分野に厳密に適合させることを可能にする。係る素子の明らかに削減された費用は、有機エレクトロニクスの研究分野に復活をもたらした。"有機エレクトロニクス"は、有機半導体層を基礎とする電子素子を製造するための新規材料と作製方法の開発に重点的に取り組んでいる。それには、とりわけ有機電界効果トランジスタ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ、ＯＦＥＴ）並びに有機発光ダイオード（有機発光ダイオード、ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｓ、ＯＬＥＤ）及び光電池が該当する。有機電界効果トランジスタは、例えば記憶素子及び集積型光電子装置において、大きな開発の将来性があると見なされる。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）においては、電流によって励起された場合に光を放出する材料の特性が用いられる。ＯＬＥＤは、特に陰極線管及び液晶ディスプレイの代替として、平面ディスプレイの製造のために関心が持たれている。そのコンパクトな構造及び本来より低い電流消費に基づいて、ＯＬＥＤを含む装置は、特に可搬用途、例えば携帯機器、ラップトップなどで使用するために適している。また、光誘導され励起された状態についてのできる限り大きい輸送幅と高い電荷移動性（高い励起子拡散長）を有し、従って好ましくは、いわゆる励起子太陽電池中での活物質としての使用のために適している材料は、大きな開発の可能性があると見なされる。かかる材料を基礎とする太陽電池では、一般に非常に良好な量子収率が達成できる。

従って、発光材料、電荷輸送材料又は励起子輸送材料として適した有機化合物に多大な需要があった。

本願優先日に未公開であったＰＣＴ／ＥＰ２００７／０５１５３２（ＷＯ２００７／０９３６４３）は、一般式（Ｂ）

［式中、
ｎは、２、３もしくは４を表し、
基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、フッ素を表し、
場合により、他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、無関係にＣｌ及びＢｒから選択される置換基を表し、かつ他の基は、水素を表し、
Ｙ¹は、ＯもしくはＮＲ^aを表し、その際、Ｒ^aは、水素もしくはオルガニル基を表し、
Ｙ²は、ＯもしくはＮＲ^bを表し、その際、Ｒ^bは、水素もしくはオルガニル基を表し、
Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³及びＺ⁴は、Ｏを表し、
その際、Ｙ¹がＮＲ^aを表す場合については、基Ｚ¹及びＺ²の１つはＮＲ^cを表してもよく、その際、基Ｒ^a及びＲ^cは、一緒になって、架橋基であってその両端の結合の間に２〜５個の原子を有する基を表し、かつ
その際、Ｙ²がＮＲ^bを表す場合については、基Ｚ³及びＺ⁴の１つはＮＲ^dを表してもよく、その際、基Ｒ^b及びＲ^dは、一緒になって、架橋基であってその両端の結合の間に２〜５個の原子を有する基を表す］で示される化合物を、半導体として、特にｎ型半導体として、有機エレクトロニクスにおいて、特に有機電界効果トランジスタ、太陽電池及び有機発光ダイオードのために用いる使用を記載している。

Ｈ．Ｊ．Ｓｃｈｕｇａｒ（Ａｃｔａ Ｃｒｙｓｔ．（１９９０），Ｃ４６，６３７−６４０）は、Ｎ，Ｎ′−ジメチルオクタクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド、前記化合物を太陽電池において用いる潜在的使用、並びにＮ，Ｎ′−ジメチルペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの塩素化による前記化合物の製造を記載している。

驚くべきことに、ここで、以下に記載される式（Ｉ）の高ハロゲン化されたペリレンテトラカルボン酸誘導体が、特に好ましくは発光材料、電荷輸送材料又は励起子輸送材料として適していることが判明した。前記誘導体は、その際、特に、極めて高い電荷移動度を有する空気安定性のｎ型半導体として優れている。更に、前記誘導体は、励起子太陽電池中で使用するために好ましい特性を有する。

本発明の第一の対象は、従って、一般式（Ｉ）

［式中、
Ｙ¹は、ＯもしくはＮＲ^aを表し、その際、Ｒ^aは、水素もしくはオルガニル基を表し、
Ｙ²は、ＯもしくはＮＲ^bを表し、その際、Ｒ^bは、水素もしくはオルガニル基を表し、
Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³及びＺ⁴は、ＯもしくはＳを表し、かつ
基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴は、塩素及び／又はフッ素を表し、
その際、また、前記基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の１もしくは２つは、ＣＮを表してよく、かつ／又は１つの基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴は、水素を表してよく、かつ
その際、Ｙ¹がＮＲ^aを表す場合には、また、基Ｚ¹及びＺ²の一方は、ＮＲ^cを表してよく、その際、基Ｒ^a及びＲ^cは、一緒になって、両側の結合の間に２〜５個の原子を有する架橋基Ｘを表し、かつ
その際、Ｙ²がＮＲ^bを表す場合には、また、基Ｚ³及びＺ⁴の一方は、ＮＲ^dを表してよく、その際、基Ｒ^b及びＲ^dは、一緒になって、両側の結合の間に２〜５個の原子を有する架橋基Ｘを表す］の化合物に関する。

上述の一般式（Ｉ）の化合化合物から除かれるのは、上述のオクタクロロ−Ｎ，Ｎ′−ジメチルペリルイミドと、その製造の際に副生成物として得られるヘプタクロロ−Ｎ，Ｎ′−ジメチルクロロペリルイミドである。先に行った限定は、式Ｉの化合物の使用及び製造に関しても、これらが上述の文献によって先に公表されている限りは、当てはまる。

本発明の更なる対象は、一般式（Ｉ）の化合物を、発光材料、電荷輸送材料又は励起子輸送材料として用いる使用に関する。

本発明の範囲内で、表現"アルキル"は、直鎖状もしくは分枝鎖状のアルキルを含む。好ましくは、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ₁〜Ｃ₃₀−アルキル、特にＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル、殊に好ましくはＣ₁〜Ｃ₁₂−アルキルである。アルキル基のための例は、特に、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−オクタデシル及びｎ−エイコシルである。

アルキルという表現は、アルキル基であって、その炭素鎖が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ^f−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）−及び／又は−Ｓ（＝Ｏ）₂−から選択される１つ以上の隣接していない基によって中断されていてよい基も含む。Ｒ^fは、好ましくは、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールを表す。アルキルという表現は、また置換されたアルキル基も含む。置換されたアルキル基は、アルキル鎖の長さに応じて、１つ以上の（例えば１、２、３、４、５もしくは５より多くの）置換基を有してよい。前記置換基は、好ましくは互いに無関係に、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ₃Ｈ、スルホネート、ＮＥ¹Ｅ²、ニトロ及びシアノから選択され、その際、Ｅ¹及びＥ²は、互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールを表す。ハロゲン置換基は、好ましくは、フッ素、塩素もしくは臭素である。

カルボキシレート及びスルホネートは、カルボン酸官能もしくはスルホン酸官能の誘導体、特に金属カルボキシレートもしくは金属スルホネート、カルボン酸エステル官能もしくはスルホン酸エステル官能又はカルボン酸アミド官能もしくはスルホン酸アミド官能を表す。アルキル基のシクロアルキル置換基、ヘテロシクロアルキル置換基、アリール置換基及びヘタリール置換基は、それ自体が非置換もしくは置換されていてよい；好適な置換基は、これらの基について以下に挙げるものである。

上述のアルキルについての態様は、アルコキシ、アルキルアミノ、アルキルチオ、アルキルスルフィニル、アルキルスルホニル中のアルキル部についても当てはまる。

アリールによって置換されたアルキル基（"アリールアルキル"）は、少なくとも１つの、以下に定義されるような、非置換もしくは置換されたアリール基を有する。その際、"アリールアルキル"中のアルキル基は、少なくとも１つの他の置換基を有してよく、かつ／又は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ^f−、−ＣＯ−及び／又は−ＳＯ₂−から選択される１つ以上の隣接していない基によって中断されていてよい。Ｒ^fは、上述の意味を有する。アリールアルキルは、好ましくは、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アルキル、特に好ましくはフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキル、例えばベンジル、１−フェネチル、２−フェネチル、１−フェンプロピ−１−イル、２−フェンプロピ−１−イル、３−フェンプロピ−１−イル、１−フェンブチ−１−イル、２−フェンブチ−１−イル、３−フェンブチ−１−イル、４−フェンブチ−１−イル、１−フェンブチ−２−イル、２−フェンブチ−２−イル、３−フェンブチ−２−イル、４−フェンブチ−２−イル、１−（フェンメタ）−エチ−１−イル、１−（フェンメチル）−１−（メチル）−エチ−１−イル又は−（フェンメチル）−１−（メチル）−プロピ−１−イルを表す；好ましくはベンジル及び２−フェネチルを表す。

表現"アルケニル"は、本発明の範囲においては、直鎖状及び分枝鎖状のアルケニル基であって、鎖長に応じて、１つ以上の二重結合（例えば１、２、３、４もしくは４より多く）を有してよい基を含む。好ましくは、Ｃ₂〜Ｃ₁₈−アルケニル基であり、特に好ましくはＣ₂〜Ｃ₁₂−アルケニル基である。２つの二重結合を有する直鎖状もしくは分枝鎖状のアルケニル基は、以下に、アルカジエニルとも呼称する。表現"アルケニル"は、１つ以上の（例えば１、２、３、４、５もしくは５より多くの）置換基を有してよい、置換されたアルケニル基をも含む。好適な置換基は、例えばシクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ₃Ｈ、スルホネート、ＮＥ³Ｅ⁴、ニトロ及びシアノから選択され、その際、Ｅ³及びＥ⁴は、互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールを表す。

アルケニルは、その際、例えば、エテニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、５−ヘキセニル、ペンタ−１，３−ジエン−１−イル、ヘキサ−１，４−ジエン−１−イル、ヘキサ−１，４−ジエン−３−イル、ヘキサ−１，４−ジエン−６−イル、ヘキサ−１，５−ジエン−１−イル、ヘキサ−１，５−ジエン−３−イル、ヘキサ−１，５−ジエン−４−イル、ヘプタ−１，４−ジエン−１−イル、ヘプタ−１，４−ジエン−３−イル、ヘプタ−１，４−ジエン−６−イル、ヘプタ−１，４−ジエン−７−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−１−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−３−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−４−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−７−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−１−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−３−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−４−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−５−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−２−イル、オクタ−１，４−ジエン−１−イル、オクタ−１，４−ジエン−２−イル、オクタ−１，４−ジエン−３−イル、オクタ−１，４−ジエン−６−イル、オクタ−１，４−ジエン−７−イル、オクタ−１，５−ジエン−１−イル、オクタ−１，５−ジエン−３−イル、オクタ−１，５−ジエン−４−イル、オクタ−１，５−ジエン−７−イル、オクタ−１，６−ジエン−１−イル、オクタ−１，６−ジエン−３−イル、オクタ−１，６−ジエン−４−イル、オクタ−１，６−ジエン−５−イル、オクタ−１，６−ジエン−２−イル、デカ−１，４−ジエニル、デカ−１，５−ジエニル、デカ−１，６−ジエニル、デカ−１，７−ジエニル、デカ−１，８−ジエニル、デカ−２，５−ジエニル、デカ−２，６−ジエニル、デカ−２，７−ジエニル、デカ−２，８−ジエニルなどを表す。前記のアルケニルについての態様は、アルケニルオキシ、アルケニルチオなど中のアルケニル基についても当てはまる。

表現"アルキニル"は、非置換もしくは置換されたアルキニル基であって、１つ以上の隣接していない三重結合を有する基、例えばエチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−ブチニル、２−ブチニル、３−ブチニル、１−ペンチニル、２−ペンチニル、３−ペンチニル、４−ペンチニル、１−ヘキシニル、２−ヘキシニル、３−ヘキシニル、４−ヘキシニル、５−ヘキシニルなどを含む。前記のアルキニルについての態様は、アルキニルオキシ、アルキニルチオなど中のアルキニル基についても当てはまる。置換されたアルキニルは、好ましくは、アルキルについて上述した置換基１つ以上（例えば、１、２、３、４、５もしくは５より多く）を有する。

表現"シクロアルキル"は、本発明の範囲においては、非置換のシクロアルキル基も、置換されたシクロアルキル基も含み、好ましくは、Ｃ₃〜Ｃ₈−シクロアルキル基、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチルもしくはシクロオクチル、特にＣ₅〜Ｃ₈−シクロアルキルを含む。置換されたシクロアルキル基は、１つ以上の（例えば１、２、３、４、５もしくは５より多くの）置換基を有してよい。これらは、好ましくは互いに無関係に、アルキル並びにアルキル基について上述した置換基から選択される。前記シクロアルキル基は、置換されている場合には、好ましくは、１つ以上の、例えば、１、２、３、４もしくは５つのＣ₁〜Ｃ₆−アルキル基を有する。

好ましいシクロアルキル基のための例は、シクロペンチル、２−及び３−メチルシクロペンチル、２−及び３−エチルシクロペンチル、シクロヘキシル、２−、３−及び４−メチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−エチルシクロヘキシル、３−及び４−プロピルシクロヘキシル、３−及び４−イソプロピルシクロヘキシル、３−及び４−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｓ−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、２−、３−及び４−メチルシクロヘプチル、２−、３−及び４−エチルシクロヘプチル、３−及び４−プロピルシクロヘプチル、３−及び４−イソプロピルシクロヘプチル、３−及び４−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｓ−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｔ−ブチルシクロヘプチル、シクロオクチル、２−、３−、４−及び５−メチルシクロオクチル、２−、３−、４−及び５−エチルシクロオクチル、３−、４−及び５−プロピルシクロオクチルである。

シクロアルケニルという表現は、非置換もしくは置換された一不飽和の、３〜８個の炭素環員、有利には５〜６個の炭素環員を有する炭化水素基、例えばシクロペンテン−１−イル、シクロペンテン−３−イル、シクロヘキセン−１−イル、シクロヘキセン−３−イル、シクロヘキセン−４−イルなどを含む。好適な置換基は、シクロアルキルについて上述したものである。

ビシクロアルキルという表現は、好ましくは、５〜１０個の炭素原子を有する二環式の炭化水素基、例えばビシクロ［２．２．１］へプチ−１−イル、ビシクロ［２．２．１］へプチ−２−イル、ビシクロ［２．２．１］へプチ−７−イル、ビシクロ［２．２．２］オクチ−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクチ−２−イル、ビシクロ［３．３．０］オクチル、ビシクロ［４．４．０］デシルなどを含む。

表現"アリール"は、本発明の範囲においては、単核もしくは多核の芳香族炭化水素基であって、非置換もしくは置換されていてよい基を含む。アリールは、好ましくは、非置換もしくは置換されたフェニル、ナフチル、インデニル、フルオレニル、アントラセニル、フェナントレニル、ナフタセニル、クリセニル、ピレニルなど、特に好ましくはフェニルもしくはナフチルを表す。置換されたアリールは、その環系の数と寸法に応じて、１つ以上の（例えば１、２、３、４、５もしくは５より多くの）置換基を有してよい。前記置換基は、好ましくは互いに無関係に、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ₃Ｈ、スルホネート、ＮＥ⁵Ｅ⁶、ニトロ及びシアノから選択され、その際、Ｅ⁵及びＥ⁶は、互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールを表す。ハロゲン置換基は、好ましくは、フッ素、塩素もしくは臭素である。特に好ましくは、アリールは、フェニルを表し、フェニルは置換されている場合には、一般に１、２、３、４もしくは５個の、好ましくは１、２もしくは３個の置換基を有してよい。これらは、好ましくは互いに無関係に、アルキル並びにアルキル基について上述した置換基から選択される。

１つ以上の基を有するアリールは、例えば、２−、３−及び４−メチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２−、３−及び４−エチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジエチルフェニル、２，４，６−トリエチルフェニル、２−、３−及び４−プロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジプロピルフェニル、２，４，６−トリプロピルフェニル、２−、３−及び４−イソプロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソプロピルフェニル、２，４，６−トリイソプロピルフェニル、２−、３−及び４−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジブチルフェニル、２，４，６−トリブチルフェニル、２−、３−及び４−イソブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソブチルフェニル、２，４，６−トリイソブチルフェニル、２−、３−及び４−ｓ−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジ−ｓ−ブチルフェニル、２，４，６−トリ−ｓ−ブチルフェニル、２−、３−及び４−ｔ−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル及び２，４，６−トリ−ｔ−ブチルフェニル；２−、３−及び４−メトキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジメトキシフェニル、２，４，６−トリメトキシフェニル、２−、３−及び４−エトキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジエトキシフェニル、２，４，６−トリエトキシフェニル、２−、３−及び４−プロポキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソプロポキシフェニル、２−、３−及び４−イソプロポキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソプロポキシフェニル及び２−、３−及び４−ブトキシフェニル；２−、３−及び４−シアノフェニルを表す。

表現"ヘテロシクロアルキル"は、本発明の範囲においては、一般に５〜８個の環原子、有利には５もしくは６個の環原子を有する、非芳香族の、不飽和もしくは完全に飽和の、脂環式の基であって、その環炭素原子の１、２もしくは３つが、酸素、窒素、硫黄及び基−ＮＲ^fから選択されるヘテロ原子によって交換されており、かつ非置換であるか、もしくは１つ以上の、例えば１、２、３、４、５もしくは６個のＣ₁〜Ｃ₆−アルキル基で置換されていてよい基を含む。Ｒ^fは、好ましくは、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールを表す。係る複素脂環式の基のための例としては、ピロリジニル、ピペリジニル、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル、イミダゾリジニル、ピラゾリジニル、オキサゾリジニル、モルホリジニル、チアゾリジニル、イソチアゾリジニル、イソキサゾリジニル、ピペラジニル、テトラヒドロチオフェニル、ジヒドロチエン−２−イル、テトラヒドロフラニル、ジヒドロフラン−２−イル、テトラヒドロピラニル、１，２−オキサゾリン−５−イル、１，３−オキサゾリン−２−イル及びジオキサニルが挙げられる。

表現"ヘテロアリール"は、本発明の範囲においては、非置換又は置換の、複素芳香族の、単核もしくは多核の基、有利にはピリジル、キノリニル、アクリジニル、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、インドリル、プリニル、インダゾリル、ベンゾトリアゾリル、１，２，３−トリアゾリル、１，３，４−トリアゾリル及びカルバゾリルを含み、その際、前記の複素環式芳香族基は、置換されている場合には、一般に１、２もしくは３個の置換基を有してよい。前記置換基は、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₆−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₆−アルコキシ、ヒドロキシ、カルボキシ、ハロゲン及びシアノから選択される。

窒素含有の５員ないし７員のヘテロシクロアルキル基もしくはヘテロアリール基であって、場合により酸素及び窒素から選択される他のヘテロ原子を有する基は、例えばピロリル、ピラゾリル、イミダゾリル、トリアゾリル、ピロリジニル、ピラゾリニル、ピラゾリジニル、イミダゾリニル、イミダゾリジニル、ピリジニル、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル、トリアジニル、ピペリジニル、ピペラジニル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、インドリル、キノリニル、イソキノリニル又はキナルジニルを含む。

ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素又はヨウ素を表す。

以下の式において挙げられる基Ｒ^a及びＲ^bのための具体的な例は、詳細には以下のとおりである：
メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−オクタデシル及びｎ−エイコシル、２−メトキシエチル、２−エトキシエチル、２−プロポキシエチル、２−ブトキシエチル、３−メトキシプロピル、３−エトキシプロピル、３−プロポキシプロピル、３−ブトキシプロピル、４−メトキシブチル、４−エトキシブチル、４−プロポキシブチル、３，６−ジオキサヘプチル、３，６−ジオキサオクチル、４，８−ジオキサノニル、３，７−ジオキサオクチル、３，７−ジオキサノニル、４，７−ジオキサオクチル、４，７−ジオキサノニル、２−及び４−ブトキシブチル、４，８−ジオキサデシル、３，６，９−トリオキサデシル、３，６，９−トリオキサウンデシル、３，６，９−トリオキサドデシル、３，６，９，１２−テトラオキサトリデシル及び３，６，９，１２−テトラオキサテトラデシル；
２−メチルチオエチル、２−エチルチオエチル、２−プロピルチオエチル、２−ブチルチオエチル、３−メチルチオプロピル、３−エチルチオプロピル、３−プロピルチオプロピル、３−ブチルチオプロピル、４−メチルチオブチル、４−エチルチオブチル、４−プロピルチオブチル、３，６−ジチアヘプチル、３，６−ジチアオクチル、４，８−ジチアノニル、３，７−ジチアオクチル、３，７−ジチアノニル、２−及び４−ブチルチオブチル、４，８−ジチアデシル、３，６，９−トリチアデシル、３，６，９−トリチアウンデシル、３，６，９−トリチアドデシル、３，６，９，１２−テトラチアトリデシル及び３，６，９，１２−テトラチアテトラデシル；
２−モノメチル−及び２−モノエチルアミノエチル、２−ジメチルアミノエチル、２−及び３−ジメチルアミノプロピル、３−モノイソプロピルアミノプロピル、２−及び４−モノプロピルアミノブチル、２−及び４−ジメチルアミノブチル、６−メチル−３，６−ジアザヘプチル、３，６−ジメチル−３，６−ジアザヘプチル、３，６−ジアザオクチル、３，６−ジメチル−３，６−ジアザオクチル、９−メチル−３，６，９−トリアザデシル、３，６，９−トリメチル−３，６，９−トリアザデシル、３，６，９−トリアザウンデシル、３，６，９−トリメチル−３，６，９−トリアザウンデシル、１２−メチル−３，６，９，１２−テトラアザトリデシル及び３，６，９，１２−テトラメチル−３，６，９，１２−テトラアザトリデシル；
（１−エチルエチリデン）アミノエチレン、（１−エチルエチリデン）アミノプロピレン、（１−エチルエチリデン）アミノブチレン、（１−エチルエチリデン）アミノデシレン及び（１−エチルエチリデン）アミノドデシレン；
プロパン−２−オン−１−イル、ブタン−３−オン−１−イル、ブタン−３−オン−２−イル及び２−エチルペンタン−３−オン−１−イル；
２−メチルスルフィニルエチル、２−エチルスルフィニルエチル、２−プロピルスルフィニルエチル、２−イソプロピルスルフィニルエチル、２−ブチルスルフィニルエチル、２−及び３−メチルスルフィニルプロピル、２−及び３−エチルスルフィニルプロピル、２−及び３−プロピルスルフィニルプロピル、２−及び３−ブチルスルフィニルプロピル、２−及び４−メチルスルフィニルブチル、２−及び４−エチルスルフィニルブチル、２−及び４−プロピルスルフィニルブチル及び４−ブチルスルフィニルブチル；
２−メチルスルホニルエチル、２−エチルスルホニルエチル、２−プロピルスルホニルエチル、２−イソプロピルスルホニルエチル、２−ブチルスルホニルエチル、２−及び３−メチルスルホニルプロピル、２−及び３−エチルスルホニルプロピル、２−及び３−プロピルスルホニルプロピル、２−及び３−ブチルスルホニルプロピル、２−及び４−メチルスルホニルブチル、２−及び４−エチルスルホニルブチル、２−及び４−プロピルスルホニルブチル及び４−ブチルスルホニルブチル；
カルボキシメチル、２−カルボキシエチル、３−カルボキシプロピル、４−カルボキシブチル、５−カルボキシペンチル、６−カルボキシヘキシル、８−カルボキシオクチル、１０−カルボキシデシル、１２−カルボキシドデシル及び１４−カルボキシテトラデシル；
スルホメチル、２−スルホエチル、３−スルホプロピル、４−スルホブチル、５−スルホペンチル、６−スルホヘキシル、８−スルホオクチル、１０−スルホデシル、１２−スルホドデシル及び１４−スルホテトラデシル；
２−ヒドロキシエチル、２−及び３−ヒドロキシプロピル、３−及び４−ヒドロキシブチル及び８−ヒドロキシ−４−オキサオクチル；
２−シアノエチル、３−シアノプロピル、３−及び４−シアノブチル；
２−クロロエチル、２−及び３−クロロプロピル、２−、３−及び４−クロロブチル、２−ブロモエチル、２−及び３−ブロモプロピル及び２−、３−及び４−ブロモブチル；
２−ニトロエチル、２−及び３−ニトロプロピル及び２−、３−及び４−ニトロブチル；
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ及びヘキソキシ；
メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ブチルチオ、ペンチルチオ及びヘキシルチオ；
エチニル、１−及び２−プロピニル、１−、２−及び３−ブチニル、１−、２−、３−及び４−ペンチニル、１−、２−、３−、４−及び５−ヘキシニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−及び９−デシニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−及び１１−ドデシニル及び１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−、１１−、１２−、１３−、１４−、１５−、１６−及び１７−オクタでシニル；
エテニル、１−及び２−プロペニル、１−、２−及び３−ブテニル、１−、２−、３−及び４−ペンテニル、１−、２−、３−、４−及び５−ヘキセニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−及び９−デセニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−及び１１−ドデセニル及び１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−、１１−、１２−、１３−、１４−、１５−、１６−及び１７−オクタデセニル；
メチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、ブチルアミノ、ペンチルアミノ、ヘキシルアミノ、ジシクロペンチルアミノ、ジシクロヘキシルアミノ、ジシクロヘプチルアミノ、ジフェニルアミノ及びジベンジルアミノ；
ホルミルアミノ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ及びベンゾイルアミノ；
カルバモイル、メチルアミノカルボニル、エチルアミノカルボニル、プロピルアミノカルボニル、ブチルアミノカルボニル、ペンチルアミノカルボニル、ヘキシルアミノカルボニル、ヘプチルアミノカルボニル、オクチルアミノカルボニル、ノニルアミノカルボニル、デシルアミノカルボニル及びフェニルアミノカルボニル；
アミノスルホニル、Ｎ−ドデシルアミノスルホニル、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスルホニル及びＮ，Ｎ−ビス（４−クロロフェニル）アミノスルホニル；
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、ドデシルオキシカルボニル、オクタデシルオキシカルボニル、フェノキシカルボニル、（４−ｔ−ブチルフェノキシ）カルボニル及び（４−クロロフェノキシ）カルボニル；
メトキシスルホニル、エトキシスルホニル、プロポキシスルホニル、ブトキシスルホニル、ヘキソキシスルホニル、ドデシルオキシスルホニル、オクタデシルオキシスルホニル、フェノキシスルホニル、１−及び２−ナフチルオキシスルホニル、（４−ｔ−ブチルフェノキシ）スルホニル及び（４−クロロフェノキシ）スルホニル；
ジフェニルホスフィノ、ジ（ｏ−トリル）ホスフィノ及びジフェニルホスフィンオキシド；
フッ素、塩素、臭素及びヨウ素；
フェニルアゾ、２−ナフチルアゾ、２−ピリジルアゾ及び２−ピリミジルアゾ；
シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、２−及び３−メチルシクロペンチル、２−及び３−エチルシクロペンチル、シクロヘキシル、２−、３−及び４−メチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−エチルシクロヘキシル、３−及び４−プロピルシクロヘキシル、３−及び４−イソプロピルシクロヘキシル、３−及び４−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｓ−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、２−、３−及び４−メチルシクロヘプチル、２−、３−及び４−エチルシクロヘプチル、３−及び４−プロピルシクロヘプチル、３−及び４−イソプロピルシクロヘプチル、３−及び４−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｓ−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｔ−ブチルシクロヘプチル、シクロオクチル、２−、３−、４−及び５−メチルシクロオクチル、２−、３−、４−及び５−エチルシクロオクチル及び３−、４−及び５−プロピルシクロオクチル；３−及び４−ヒドロキシシクロヘキシル、３−及び４−ニトロシクロヘキシル及び３−及び４−クロロシクロヘキシル；
１−、２−及び３−シクロペンテニル、１−、２−、３−及び４−シクロヘキセニル、１−、２−及び３−シクロヘプテニル及び１−、２−、３−及び４−シクロオクテニル；
２−ジオキサニル、１−モルホリニル、１−チオモルホリニル、２−及び３−テトラヒドロフリル、１−、２−及び３−ピロリジニル、１−ピペラジル、１−ジケトピペラジル及び１−、２−、３−及び４−ピペリジル；
フェニル、２−ナフチル、２−及び３−ピリル、２−、３−及び４−ピリジル、２−、４−及び５−ピリミジル、３−、４−及び５−ピラゾリル、２−、４−及び５−イミダゾリル、２−、４−及び５−チアゾリル、３−（１，２，４−トリアジル）、２−（１，３，５−トリアジル）、６−キナルジル、３−、５−、６−及び８−キノリニル、２−ベンゾオキサゾリル、２−ベンゾチアゾリル、５−ベンゾチアジアゾリル、２−及び５−ベンゾイミダゾリル及び１−及び５−イソキノリル；
１−、２−、３−、４−、５−、６−及び７−インドリル、１−、２−、３−、４−、５−、６−及び７−イソインドリル、５−（４−メチルイソインドリル）、５−（４−フェニルイソインドリル）、１−、２−、４−、６−、７−及び８−（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル）、３−（５−フェニル）−（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル）、５−（３−ドデシル−（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル）、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−及び８−（１，２，３，４−テトラヒドロキノリニル）及び２−、３−、４−、５−、６−、７−及び８−クロマニル、２−、４−及び７−キノリニル、２−（４−フェニルキノリニル）及び２−（５−エチルキノリニル）；
２−、３−及び４−メチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２−、３−及び４−エチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジエチルフェニル、２，４，６−トリエチルフェニル、２−、３−及び４−プロピルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジプロピルフェニル、２，４，６−トリプロピルフェニル、２−、３−及び４−イソプロピルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジイソプロピルフェニル、２，４，６−トリイソプロピルフェニル、２−、３−及び４−ブチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジブチルフェニル、２，４，６−トリブチルフェニル、２−、３−及び４−イソブチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジイソブチルフェニル、２，４，６−トリイソブチルフェニル、２−、３−及び４−ｓ−ブチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジ−ｓ−ブチルフェニル及び２，４，６−トリ−ｓ−ブチルフェニル；２−、３−及び４−メトキシフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジメトキシフェニル、２，４，６−トリメトキシフェニル、２−、３−及び４−エトキシフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジエトキシフェニル、２，４，６−トリエトキシフェニル、２−、３−及び４−プロポキシフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジプロポキシフェニル、２−、３−及び４−イソプロポキシフェニル、２，４−及び２，６−ジイソプロポキシフェニル及び２−、３−及び４−ブトキシフェニル；２−、３−及び４−クロロフェニル及び２，４−、３，５−及び２，６−ジクロロフェニル；２−、３−及び４−ヒドロキシフェニル及び２，４−、３，５−及び２，６−ジヒドロフェニル；２−、３−及び４−シアノフェニル；３−及び４−カルボキシフェニル；３−及び４−カルボキサミドフェニル、３−及び４−Ｎ−メチルカルボキサミドフェニル及び３−及び４−Ｎ−エチルカルボキサミドフェニル；３−及び４−アセチルアミノフェニル、３−及び４−プロピオニルアミノフェニル及び３−及び４−ブチリルアミノフェニル；３−及び４−Ｎ−フェニルアミノフェニル、３−及び４−Ｎ−（ｏ−トリル）アミノフェニル、３−及び４−（ｍ−トリル）アミノフェニル及び３−及び４−（ｐ−トリル）アミノフェニル；３−及び４−（２−ピリジル）アミノフェニル、３−及び４−（３−ピリジル）アミノフェニル、３−及び４−（４−ピリジル）アミノフェニル、３−及び４−（２−ピリミジル）アミノフェニル及び４−（４−ピリミジル）アミノフェニル；
４−フェニルアゾフェニル、４−（１−ナフチルアゾ）フェニル、４−（２−ナフチルアゾ）フェニル、４−（４−ナフチルアゾ）フェニル、４−（２−ピリイルアゾ）フェニル、４−（３−ピリジルアゾ）フェニル、４−（４−ピリジルアゾ）フェニル、４−（２−ピリミジルアゾ）フェニル、４−（４−ピリミジルアゾ）フェニル及び４−（５−ピリミジルアゾ）フェニル；
フェノキシ、フェニルチオ、２−ナフトキシ、２−ナフチルチオ、２−、３−及び４−ピリジルオキシ、２−、３−及び４−ピリジルチオ、２−、４−及び５−ピリミジルオキシ及び２−、４−及び５−ピリミジルチオ。

好ましいフッ素含有基Ｒ^a及びＲ^bは、以下のとおりである：
２，２，２−トリフルオロエチル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、２，２−ジフルオロエチル、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、１Ｈ，１Ｈ−ペンタデカフルオロオクチル、３−ブロモ−３，３−ジフルオロプロピル、３，３，３−トリフルオロプロピル、３，３，３−トリフルオロプロピル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシル、３−（ペルフルオロオクチル）プロピル、４，４−ジフルオロブチル、４，４，４−トリフルオロブチル、５，５，６，６，６−ペンタフルオロヘキシル、２，２−ジフルオロプロピル、２，２，２−トリフルオロ−１−フェニルエチルアミノ、１−ベンジル−２，２，２−トリフルオロエチル、２−ブロモ−２，２−ジフルオロエチル、２，２，２−トリフルオロ−１−ピリジン−２−イルエチル、２，２−ジフルオロプロピル、２，２，２−トリフルオロ−１−（４−メトキシフェニル）エチルアミノ、２，２，２−トリフルオロ−１−フェニルエチル、２，２−ジフルオロ−１−フェニルエチル、１−（４−ブロモ−フェニル）−２，２，２−トリフルオロエチル、３−ブロモ−３，３−ジフルオロプロピル、３，３，３−トリフルオロプロピルアミン、３，３，３−トリフルオロ−ｎ−プロピル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシル、３−（ペルフルオロオクチル）プロピル、ペンタフルオロフェニル、２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、４−シアノ−（２，３，５，６）−テトラフルオロフェニル、４−カルボキシ−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２，４−ジフルオロフェニル、２，４，５−トリフルオロフェニル、２，４，６−トリフルオロフェニル、２，５−ジフルオロフェニル、２−フルオロ−５−ニトロフェニル、２−フルオロ−５−トリフルオロメチルフェニル、２−フルオロ−５−メチルフェニル、２，６−ジフルオロフェニル、４−カルボキサミド−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２−ブロモ−４，６−ジフルオロフェニル、４−ブロモ−２−フルオロフェニル、２，３−ジフルオロフェニル、４−クロロ−２−フルオロフェニル、２，３，４−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−４−ヨードフェニル、４−ブロモ−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２，３，６−トリフルオロフェニル、２−ブロモ−３，４，６−トリフルオロフェニル、２−ブロモ−４，５，６−トリフルオロフェニル、４−ブロモ−２，６−ジフルオロフェニル、２，３，４，５−テトラフルオロフェニル、２，４−ジフルオロ−６−ニトロフェニル、２−フルオロ−４−ニトロフェニル、２−クロロ−６−フルオロフェニル、２−フルオロ−４−メチルフェニル、３−クロロ−２，４−ジフルオロフェニル、２，４−ジブロモ−６−フルオロフェニル、３，５−ジクロロ−２，４−ジフルオロフェニル、４−シアノ−２−フルオロフェニル、２−クロロ−４−フルオロフェニル、２−フルオロ−３−トリフルオロメチルフェニル、２−トリフルオロメチル−６−フルオロフェニル、２，３，４，６−テトラフルオロフェニル、３−クロロ−２−フルオロフェニル、５−クロロ−２−フルオロフェニル、２−ブロモ−４−クロロ−６−フルオロフェニル、２，３−ジシアノ−４，５，６−トリフルオロフェニル、２，４，５−トリフルオロ−３−カルボキシフェニル、２，３，４−トリフルオロ−６−カルボキシフェニル、２，３，５−トリフルオロフェニル、４−トリフルオロメチル−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２−フルオロ−５−カルボキシフェニル、２−クロロ−４，６−ジフルオロフェニル、６−ブロモ−３−クロロ−２，４−ジフルオロフェニル、２，３，４−トリフルオロ−６−ニトロフェニル、２，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル、２，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，３−ジフルオロ−６−ニトロフェニル、４−トリフルオロメチル−２，３−ジフルオロフェニル、２−ブロモ−４，６−ジフルオロフェニル、４−ブロモ−２−フルオロフェニル、２−ニトロテトラフルオロフェニル、２，２′，３，３′，４′，５，５′，６，６′−ノナフルオロビフェニル、２−ニトロ−３，５，６−トリフルオロフェニル、２−ブロモ−６−フルオロフェニル、４−クロロ−２−フルオロ−６−ヨードフェニル、２−フルオロ−６−カルボキシフェニル、２，４−ジフルオロ−３−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−４−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−４−カルボキシフェニル、４−ブロモ−２，５−ジフルオロフェニル、２，５−ジブロモ−３，４，６−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−５−メチルスルホニルフェニル、５−ブロモ−２−フルオロフェニル、２−フルオロ−４−ヒドロキシメチルフェニル、３−フルオロ−４−ブロモメチルフェニル、２−ニトロ−４−トリフルオロメチルフェニル、４−トリフルオロメチルフェニル、２−ブロモ−４−トリフルオロメチルフェニル、２−ブロモ−６−クロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２−クロロ−４−トリフルオロメチルフェニル、３−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，６−ジクロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、４−トリフルオロフェニル、２，６−ジブロモ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、４−トリフルオロメチル−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、３−フルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，３−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、３−クロロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２−ブロモ−４，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル、５−クロロ−２−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）フェニル、３，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、２−フルオロ−３−トリフルオロメチルフェニル、２−ヨード−４−トリフルオロメチルフェニル、２−ニトロ−４，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、２−メチル−４−（トリフルオロメチル）フェニル、３，５−ジクロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，３，６−トリクロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、４−（トリフルオロメチル）ベンジル、２−フルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンジル、３−フルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンジル、３−クロロ−４−（トリフルオロメチル）ベンジル、４−フルオロフェネチル、３−（トリフルオロメチル）フェネチル、２−クロロ−６−フルオロフェネチル、２，６−ジクロロフェネチル、３−フルオロフェネチル、２−フルオロフェネチル、（２−トリフルオロメチル）フェネチル、４−フルオロフェネチル、３−フルオロフェネチル、４−トリフルオロメチルフェネチル、２，３−ジフルオロフェネチル、３，４−ジフルオロフェネチル、２，４−ジフルオロフェネチル、２，５−ジフルオロフェネチル、３，５−ジフルオロフェネチル、２，６−ジフルオロフェネチル、４−（４−フルオロフェニル）フェネチル、３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェネチル、ペンタフルオロフェネチル、２，４−ジ（トリフルオロメチル）フェネチル、２−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−３−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（３−フルオロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（４−フルオロ−２−トリフルオロメチル）フェネチル、（４−フルオロ−３−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−６−トリフルオロメチル）フェネチル、（２，３，６−トリフルオロ）フェネチル、（２，４，５−トリフルオロ）フェネチル、（２，４，６−トリフルオロ）フェネチル、（２，３，４−トリフルオロ）フェネチル、（３，４，５−トリフルオロ）フェネチル、（２，３，５−トリフルオロ）フェネチル、（２−クロロ−５−フルオロ）フェネチル、（３−フルオロ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−クロロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−３−クロロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−３−クロロ）フェネチル、（４−フルオロ−３−クロロ）フェネチル、（２−フルオロ−４−クロロ）フェネチル、（２，３−ジフルオロ−４−メチル）フェネチル、２，６−ジフルオロ−３−クロロフェネチル、（２，６−ジフルオロ−３−メチル）フェネチル、（２−トリフルオロメチル−５−クロロ）フェネチル、（６−クロロ−２−フルオロ−５−メチル）フェネチル、（２，４−ジクロロ−５−フルオロ）フェネチル、５−クロロ−２−フルオロフェネチル、（２，５−ジフルオロ−６−クロロ）フェネチル、（２，３，４，５−テトラフルオロ）フェネチル、（２−フルオロ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、２，３−（ジフルオロ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、（２，５−ジ（トリフルオロメチル））フェネチル、２−フルオロ−３，５−ジブロモフェネチル、（３−フルオロ−４−ニトロ）フェネチル、（２−ブロモ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、２−（ブロモ−５−フルオロ）フェネチル、（２，６−ジフルオロ−４−ブロモ）フェネチル、（２，６−ジフルオロ−４−クロロ）フェネチル、（３−クロロ−５−フルオロ）フェネチル、（２−ブロモ−５−トリフルオロメチル）フェネチルなど。

本発明の一実施態様は、式（Ｉ）で示され、その式中の基Ｒ^a及びＲ^bが式（Ａ）の基を表す化合物（いわゆる燕尾基（Ｓｃｈｗａｌｂｅｎｓｃｈｗａｎｚｒｅｓｔｅ））に関する。好ましくは、式（Ａ）の基において、基Ｒ^eは、Ｃ₄〜Ｃ₈−アルキル、好ましくはＣ₅〜Ｃ₇−アルキルから選択される。好ましくは、その際、基Ｒ^a及びＲ^bの両方は、式

［式中、
＃は、イミド窒素原子に対する結合箇所を表し、かつ
基Ｒ^eは、Ｃ₄〜Ｃ₈−アルキル、好ましくはＣ₅〜Ｃ₇−アルキルから選択される］の基を表す。基Ｒ^eは、その際、特に、酸素原子によって中断されていない直鎖状のアルキル基である。式（Ａ）の基のための好ましい一例は、１−ヘキシルへプチ−１−イルである。

式（Ｉ）で示され、その式中、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴が水素とは異なる意味を有する化合物、すなわち式（Ｉ）で示され、その式中、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴が塩素及び／又はフッ素を表し、その際にまた基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の１もしくは２つがシアノを表してもよい化合物が好ましい。

更に、式（Ｉ）で示され、その式中、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴が塩素及び／又はフッ素を表し、その際にまた基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴が水素を表してもよい化合物が好ましい。

特に、式（Ｉ）で示され、その式中、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴が全て塩素及び／又はフッ素を表す化合物が好ましい。殊に、式（Ｉ）で示され、その式中、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴が全て塩素又は全てフッ素を表す化合物が好ましい。

ペリレンテトラカルボン酸二無水物を、以下に化合物（Ｉ．Ａ）として呼称する。

ペリレンテトラカルボン酸ジイミドを、以下に化合物（Ｉ．Ｂ）と呼称し、その際、化合物（Ｉ．Ｂａ）

は、付加的な架橋基Ｘを有さず、化合物（Ｉ．Ｂｂ１）及び（Ｉ．Ｂｂ２）

は、かかる付加的な架橋基Ｘを有する。

第一の特定の一実施態様は、一般式（Ｉ．Ａ）で示され、式中、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴が上述の意味を有する化合物に関する。

更なる特定の一実施態様は、一般式（Ｉ．Ｂａ）で示され、式中、基Ｒ^a、Ｒ^b、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴が上述の意味を有する化合物に関する。

前記の特定の実施態様において、基Ｒ^a及びＲ^bは、好ましくは、互いに無関係に、水素又は非置換もしくは置換されたアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールを表す。

特に好ましくは、式（Ｉ．Ｂａ）の化合物における基Ｒ^a又はＲ^bの少なくとも１つは、水素を表す。特に好ましくは、Ｒ^aもＲ^bも水素を表す。

更なる特定の一実施態様においては、基Ｒ^a及びＲ^bは同一である。

更なる特定の一実施態様は、一般式（Ｉ．Ｂｂ１）及び（Ｉ．Ｂｂ２）で示され、その式中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴が上述の意味を有し、かつＸが、二価の架橋基であってその両端の結合の間に２〜５個の原子を有する基を表す化合物に関する。

好ましくは、前記の架橋基Ｘは、該基が結合されているＮ−Ｃ＝Ｎ基と一緒になって、５員ないし８員の複素環であって、場合によりシクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及び／又はヘテロアリールと一縮合、二縮合もしくは三縮合されている複素環を表し、その際、それらの縮合された基が互いに無関係にアルキル、アルコキシ、シクロアルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ₃Ｈ、スルホネート、ＮＥ¹Ｅ²、アルキレン−ＮＥ¹Ｅ²、ニトロ及びシアノから選択される１、２、３もしくは４つずつの置換基を有してよく、その際、Ｅ¹及びＥ²は、互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールを表し、かつ／又はＸは、置換されていてよいアルキル、置換されていてよいシクロアルキル及び置換されていてよいアリールから選択される１、２もしくは３個の置換基を有してよく、かつ／又はＸは、１、２もしくは３個の置換されていてよいヘテロ原子によって中断されていてよい。ヘテロ原子は、好ましくは、酸素、硫黄及び窒素から選択される。

好ましくは、架橋基Ｘは、式（ＩＩＩ．ａ）〜（ＩＩＩ．ｄ）

［Ｒ^IV、Ｒ^V、Ｒ^VI、Ｒ^VII、Ｒ^VIII及びＲ^IXは、互いに無関係に、水素、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘテロアリール、ヘテロアリールオキシ、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ₃Ｈ、スルホネート、ＮＥ¹Ｅ²、アルキレン−ＮＥ¹Ｅ²、ニトロ、アルコキシカルボニル、アシルもしくはシアノを表し、その際、Ｅ¹及びＥ²は、互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールを表す］の群から選択される。

特定の一実施態様においては、群（ＩＩＩ．ａ）〜（ＩＩＩ．ｄ）において、基Ｒ^IV、Ｒ^V、Ｒ^VI、Ｒ^VII、Ｒ^VIII及びＲ^IXは水素を表す。

更なる特定の一実施態様は、一般式（Ｉ）で示され、特に式（Ｉ．Ａ）、（Ｉ．Ｂａ）、（Ｉ．Ｂｂ１）もしくは（Ｉ．Ｂｂ２）で示され、その式中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴がフッ素を表し、その際また基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の１もしくは２つがＣＮを表してもよく、かつ／又は基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の１つが水素を表してよい化合物に関する。しかしながら好ましくは、全ての基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴はフッ素を表す。

更なる特定の一実施態様は、一般式（Ｉ）で示され、特に式（Ｉ．Ａ）、（Ｉ．Ｂａ）、（Ｉ．Ｂｂ１）もしくは（Ｉ．Ｂｂ２）で示され、その式中、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の一部がフッ素を表し、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の他の部分が塩素を表し、その際また基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の１もしくは２つがＣＮを表してよく、かつ／又は基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の１つが水素を表してよい化合物に関する。好ましくは、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の４つがフッ素を表し、かつ他の４つの基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴が塩素を表す。

好適な式（Ｉ）の化合物の特定の例を、以下に示している：

一般式（Ｉ）の本発明による化合物の製造は、同じペリレン基本骨格を有し、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴として少なくとも１つの水素原子を有する公知の化合物から出発して、実施することができる。

その結果、本発明の更なる対象は、式（Ｉ）

［式中、
Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴、Ｙ¹、Ｙ²、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³及びＺ⁴は、上述の意味を有する］の化合物の製造方法であって、
ａ）式（ＩＩ）

［式中、
Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴は、水素、Ｃｌ及びＣＮから選択され、かつ
Ｙ¹、Ｙ²、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³及びＺ⁴は、上述の意味を有し、
その際、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴の少なくとも１つは、水素を表し、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴の０〜７つは、Ｃｌを表し、かつ基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴の０〜２つは、ＣＮを表す］の化合物を塩素化に供して、式（Ｉ）で示され、その式中、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴が塩素を表し、その際また、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴の１もしくは２つがＣＮを表してよく、かつ基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴の１つが水素を表してよい化合物を得る工程と、
ｂ）場合により工程ａ）で得られた式（Ｉ）の化合物を、部分的にもしくは完全に塩素のフッ素による交換に供する工程と
によって行う製造方法に関する。

工程ａ）
芳香族化合物の塩素化のための方法は、当業者には基本的に知られている。式（Ｉ）で示され、その式中、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴が塩素を表し、その際にまた前記基の１つが水素を表してもよい本発明による化合物は、式（ＩＩ）で示され、その式中、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴の少なくとも１つが水素を表す相応の化合物から、塩素化剤、例えば塩化チオニル、クロロスルホン酸、塩化スルフリルもしくは塩素との不活性溶剤中での反応によって製造できる。

本発明の特に好ましい一実施態様は、クロロスルホン酸を、本発明による方法の工程ａ）における溶剤として（塩素化剤としてではない）用いる使用に関する。前記方法の実施態様においては、その際好ましくは塩素が塩素化剤として使用される。

式（ＩＩ）の化合物と塩素化剤との反応は、好ましくは触媒の存在下で行われる。触媒としては、例えばヨウ素もしくはヨードベンゼン、並びにそれらの混合物が該当する。

前記方法の特定の一実施態様においては、式（ＩＩ）の化合物の塩素化は、クロロスルホン酸中の塩素との、触媒量のヨウ素の存在下での反応によって行われる。

塩素化剤との反応のための反応温度は、通常は、３５〜１１０℃、好ましくは４０〜９５℃の範囲である。

式（ＩＩ）の化合物と塩素化剤との反応は、常圧下で又は高められた圧力下で引き起こすことができる。

式（Ｉ）の化合物の反応混合物からの単離は、通常は沈殿によって行われる。沈殿は、例えば該化合物を溶解しないか又は僅かな量でのみ溶解するが、不活性溶剤と混和できる液体の添加によってもたらされる。沈殿生成物は、その際、濾過によって単離でき、かつ通常は十分に高い純度を有する。

該生成物を半導体として使用するためには、該生成物を更なる精製に供することが好ましいことがある。それには、例えばカラムクロマトグラフィー法が該当し、その際、生成物は、例えばハロゲン化された炭化水素、例えば塩化メチレン又はトルエン／もしくは石油エーテル／酢酸エステル混合物中に溶解され、そしてシリカゲル上での分離もしくは濾過に供される。更に、昇華もしくは結晶化による精製も可能である。

必要な場合には、精製工程を、１回もしくは複数回繰り返し、かつ／又は異なる精製工程を組み合わせて、非常に純粋な化合物（Ｉ）が得られる。

本発明による好ましい一実施態様においては、式（ＩＩ）の化合物の塩素化は、クロロスルホン酸（溶剤としての）中の塩素との、触媒量のヨウ素の存在下での反応によってもたらされる。前記の実施態様においては、式（Ｉ）の化合物の単離は、好ましくは水の添加と、その際に生ずる固体の単離によって行われる。

通常は、式（Ｉ）の化合物の本発明による製造に際して、式（ＩＩ）で示され、その式中、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の全てが水素を表し、その際にまた基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の１もしくは２つがＣＮを表してよい相応の化合物から出発する。特定の一実施態様においては、Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁴及びＲ²¹〜Ｒ²⁴は、それぞれ水素を表す。しかしながら、また、式（ＩＩ）の部分塩素化された化合物から出発することは、特に、これらが、その従来の化合物の高められた反応性に基づきより良好に入手できる場合には好ましいことがある。

基Ｒ^a、Ｒ^bが芳香族基を有する場合には、それらの基はまた、上記の塩素化条件下で塩素化することもできる。この理由から、まずペリレン基本骨格を塩素化し、そして基Ｒ^a、Ｒ^bを、引き続き、例えばイミド化反応によって導入することも合理的な場合もある。

工程ｂ）
一般式（Ｉ）で示され、その式中、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の少なくとも一部がフッ素を表す本発明による化合物の製造は、工程ａ）で準備された同じリレン基本骨格を有する式（Ｉ）の化合物から出発して、部分的もしくは完全な塩素のフッ素による交換によって行うことができる。かかるハロゲン交換のための条件は、当業者に十分に知られている。選択された反応条件に依存して、ハロゲン交換は、完全にもしくは部分的にのみもたらすことができる。

本発明による方法の好ましい一実施態様において、式（Ｉ）で示され、その式中、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の少なくとも一部がフッ素を表す化合物の製造のために、工程ａ）で得られた式（Ｉ）の化合物を、フッ化アルカリと、実質的に無水条件下に反応させる。

"実質的に無水の条件"とは、本発明の範囲では、反応に関与する全ての成分（出発物質、溶剤、錯形成剤など）に対して、多くとも２質量％、好ましくは多くとも１質量％、特に多くとも０．１質量％の全含水率を表す。無水の反応条件を達成するために、反応に関与する成分は、慣用の当業者に公知の方法に従って乾燥に供することができる。

塩素原子のフッ素原子による芳香族求核置換（ハロゲン交換）のために適した方法条件は、原則的に公知である。ハロゲン交換のために適した条件は、例えばＪ．Ｍａｒｃｈ，Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４版、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ出版（１９９２），６５９頁並びにＤＥ３２３５５２６号に記載されている。

第一の一実施態様においては、その反応は、塩素原子のフッ素原子による交換である。フッ素基の挿入のために、好ましくは、アルカリフッ化物、特にＫＦ、ＮａＦもしくはＣｓＦが使用される。好ましくは、１当量のリレン化合物あたりに、１〜３０当量のフッ化アルカリを使用する。

ハロゲン交換のために好ましい溶剤は、非プトロン性極性溶剤、例えばジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、（ＣＨ₃）₂ＳＯ、ジメチルスルホン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルイミダゾリジノン又はスルホランである。特に好ましくは、スルホランが溶剤として使用される。好ましくは、溶剤は、その使用前に、当業者に公知の慣用の方法に従って水の除去のために乾燥に供される。同様に適しているのは、非プロトン性溶剤、例えば芳香族の炭化水素、例えばキシレン、例えばｏ−キシレンである。

通常は、工程ａ）で得られる式（Ｉ）の化合物は、濃度０．００２〜０．２モル／ｌ、好ましくは０．０１〜０．１モル／ｌを有する溶液の形で、上述の溶剤中でハロゲン交換に供される。

ハロゲン交換のためには、更に錯形成剤、例えばクラウンエーテルを使用することができる。それには、例えば［１２］クラウン−４、［１５］クラウン−５、［１８］クラウン−６、［２１］クラウン−７、［２４］クラウン−８などが該当する。錯形成剤の選択は、ハロゲン交換のために使用されるアルカリハロゲン化物のアルカリ金属の錯化能力に応じて行われる。フッ素基の挿入のためにＫＦを使用する場合に、錯形成剤は、好ましくは［１８］クラウン−６が使用される。好ましくは、１当量のリレン化合物あたりに、０．１〜１０当量のクラウンエーテルを使用する。

更なる好適な相転移触媒は、例えば２−アザアレニウム化合物、カルボホスファゼニウム化合物、アミノホスホニウム化合物及びジホスファゼニウム化合物から選択される。Ａ．Ｐｌｅｓｃｈｋｅ、Ａ．Ｍａｒｈｏｌｄ、Ｍ．Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒ、Ａ．Ｋｏｌｏｍｅｉｔｓｅｖ及びＧ．Ｖ．Ｒｏｅｓｃｈｅｎｔｈａｌｅｒは、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｆｌｕｏｒｉｎｅ Ｃｈｅｍｉｓｔｙ １２５，２００４，１０３１−１０３８において、更なる好適な相転移触媒についての概要を示している。前記文献の開示を参照されたい。好ましい一実施態様においては、２−アザアレニウム化合物、例えば（Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノ）テトラメチルグアニジウムクロリドが使用される。上述の相転移触媒の使用量は、好ましくは、使用されるリレン化合物の質量に対して、０．１〜２０質量％、有利には１〜１０質量％である。

ハロゲン交換のための反応温度は、好ましくは１００〜２００℃である。反応時間は、好ましくは０．５〜４８時間である。

式（ＩＩ）で示され、その式中、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の１もしくは２つがＣＮを表す化合物は、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴として１もしくは２つの交換可能な塩素原子を有する同じリレン基本骨格を有する化合物から出発して、塩素原子のシアノによる交換によって引き起こすことができる。かかる交換反応のための条件は、当業者に十分に知られている。

式（ＩＩ）で示され、その式中、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の１もしくは２つがＣＮを表す化合物は、また、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴として１もしくは２つの交換可能な臭素原子を有する同じリレン基本骨格を有する化合物から出発して、臭素原子のシアノによる交換によって引き起こすことができる。かかる交換反応のための条件は、当業者に十分に知られている。

臭素もしくは塩素のシアノによる交換のために、例えばシアン化アルカリ、例えばＫＣＮ及びＮａＣＮ並びに特にシアン化亜鉛が適している。該反応は、好ましくは少なくとも１つの遷移金属触媒の存在下で行われる。遷移金属触媒としては、特にパラジウム錯体、例えばテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、テトラキス（トリス−ｏ−トリルホスフィン）パラジウム（０）、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］パラジウム（ＩＩ）クロリド、［１，１′−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）クロリド、ビス（トリエチルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）クロリド、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）アセテート、（２，２′−ビピリジル）パラジウム（ＩＩ）クロリド、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）クロリド、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、１，５−シクロオクタジエンパラジウム（ＩＩ）クロリド、ビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）クロリド及びビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）クロリドが適しており、その際、［１，１′−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）クロリド並びにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）が好ましい。

好ましくは、臭素もしくは塩素のシアノに対する交換のために、芳香族炭化水素を溶剤として使用する。それには、好ましくはベンゼン、トルエン、キシレンなどが該当する。特に好ましくは、トルエンが使用される。

一般式（Ｉ）もしくは（ＩＩ）で示され、その式中、基Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³もしくはＺ⁴の１、２、３もしくは４つがＳを表す化合物は、式（Ｉ）で示され、その式中、基Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴がＯを表す相応の化合物から、例えばデイビーの試薬もしくはローソンの試薬との反応によって得られる。デイビーの試薬もしくはローソンの試薬との反応に際しての一般条件は、当業者に公知である。厳密な条件は、場合により簡単な予備試験によって決定できる。例えばここで、Ａ．Ｏｒｚｅｓｚｋｏ他，"Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ Ｔｈｉｏｎａｔｉｏｎ Ｒｅａｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｙｃｌｉｃ Ｉｍｉｄｅｓ"，Ｚ．Ｎａｔｕｒｆｏｒｓｃｈ．５６ｂ，１０３５−１０４０，２００１の文献が指摘でき、そこでは環状イミドにおけるカルボニル酸素の硫黄による交換が調査されている。

しかしながら、本発明の好ましい一実施態様は、式（Ｉ）で示され、その式中、基Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³及びＺ⁴がＯを表す化合物並びにその使用に関する。

式（Ｉ．Ｂａ）、（Ｉ．Ｂｂ１）及び（Ｉ．Ｂｂ２）のテトラカルボン酸ジイミドは、本発明による方法に従って、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の少なくとも１つが水素を表す相応のリレンテトラカルボン酸ジイミドから出発して製造することができる。しかしながら、通常は、その製造のために、自体公知の式（ＩＩ．Ａ）のリレンテトラカルボン酸二無水物から出発する。

従って、本発明の更なる対象は、式（Ｉ．Ｂａ）

［式中、
Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴は、上述の意味を有する］の化合物の製造方法であって、
１）式（ＩＩ．Ａ）

［式中、
Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴は、水素、Ｃｌ及びＣＮから選択され、
その際、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴の少なくとも１つが、水素を表し、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴の０〜７つが、Ｃｌを表し、かつ基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴の０〜２つが、ＣＮを表す］のリレンに無水物を、本発明による方法の工程ａ）と、場合により工程ｂ）に供する工程と、
２）工程１）で得られた化合物を、式Ｒ^a−ＮＨ₂のアミンとの反応と、場合によりそれとは異なる式Ｒ^b−ＮＨ₂のアミンとの反応に供する工程
によって行う製造方法に関する。

選択的に、式（Ｉ．Ｂａ）の化合物は、
１′）式（ＩＩ．Ａ）のリレンに無水物を、まず式Ｒ^a−ＮＨ₂との反応と、場合によりそれとは異なる式Ｒ^b−ＮＨ₂のアミンとの反応に供する工程と、
２′）工程１′）で得られた化合物を、本発明による方法の工程ａ）と、場合により工程ｂ）に供する工程
によって行う方法によって製造される。

本発明の更なる対象は、式（Ｉ．Ｂｂ１）及び／又は（Ｉ．Ｂｂ２）

［式中、
Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴並びにＸは、上述の意味を有する］の化合物の製造方法であって、
１′′）式（ＩＩ．Ａ）

［式中、
Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴は、水素、Ｃｌ及びＣＮから選択され、
その際、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴の少なくとも１つが、水素を表し、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴の０〜７つが、Ｃｌを表し、かつ基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴の０〜２つが、ＣＮを表す］のリレンに無水物を、本発明による方法の工程ａ）と、場合により工程ｂ）に供する工程と、
２′′）工程１′′）で得られた化合物を、式Ｈ₂Ｎ−Ｘ−ＮＨ₂のアミンとの反応に供する工程
によって行う製造方法に関する。

選択的に、式（Ｉ．Ｂｂ１）及び／又は（Ｉ．Ｂｂ２）の化合物は、
１′′′）式（ＩＩ．Ａ）のリレンに無水物を、式Ｈ₂Ｎ−Ｘ−ＮＨ₂のアミンとの反応に供する工程と、
２′′′）工程１′′′）で得られた化合物を、本発明による方法の工程ａ）と、場合により工程ｂ）に供する工程
によって行う方法によって製造される。

反応工程２）、１′）、２′′）及び１′′′）におけるカルボン酸無水物基のイミド化は、原則的に公知であり、例えばＤＥ１０２００４００７３８２号Ａ１に記載されている。好ましくは、二無水物と第１級アミンとの反応は、芳香族溶剤、例えばトルエン、キシレン、メシチレン、フェノールもしくは極性非プロトン性溶剤の存在下で行われる。好適な極性非プロトン性溶剤は、窒素複素環、例えばピリジン、ピリミジン、キノリン、イソキノリン、キナルジン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−メチルピペリドン及びＮ−メチルピロリドンである。式Ｈ₂Ｎ−Ｘ−ＮＨ₂の芳香族ジアミンとの反応のためには、好ましくは溶剤として窒素複素環もしくはフェノールが使用される。好適な触媒は、以下に挙げられる。溶剤としてフェノールを使用する場合に、触媒として好ましくはピペラジンが使用される。

該反応は、イミド化触媒の存在下で行うことができる。イミド化触媒としては、有機酸及び無機酸、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸及びリン酸が適している。好適なイミド化触媒は、更に、遷移金属、例えば亜鉛、鉄、銅及びマグネシウムの有機塩及び無機塩である。それには、例えば酢酸亜鉛、プロピオン酸亜鉛、酸化亜鉛、酢酸鉄（ＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）、酸化銅（ＩＩ）及び酢酸マグネシウムが該当する。イミド化触媒の使用は、好ましくは芳香族アミンの反応において行われ、一般に脂環式アミンの反応のためにも好ましい。脂肪族アミン、特に短鎖脂肪族アミンの反応に際して、一般に、イミド化触媒の使用は省くことができる。イミド化触媒の使用量は、アミド化されるべき化合物の全質量に対して、好ましくは５〜８０質量％、特に有利には１０〜７５質量％である。

好ましくは、アミンと二無水物とのモル量比は、約２：１〜１０：１、特に有利には２：１〜４：１、例えば２．２：１〜３：１である。

イミド化触媒として上述した有機酸は、溶剤としても適している。

反応温度は、工程２）、１′）、２′′）及び１′′′）においては、一般に周囲温度から２００℃までであり、有利には４０〜１６０℃である。脂肪族アミン及び脂環式アミンの反応は、有利には約６０〜１００℃の温度範囲で行われる。芳香族アミンの反応は、有利には約１２０〜１６０℃の温度範囲で行われる。

好ましくは、反応工程２）、１′）、２′′）及び１′′′）における反応は、保護ガス雰囲気下で、例えば窒素雰囲気下で行われる。

反応工程２）、１′）、２′′）及び１′′′）は、常圧で、又は所望であれば高められた圧力下で行うことができる。好適な圧力範囲は、約０．８〜１０バールの範囲にある。好ましくは、揮発性アミン（沸点約≦１８０℃）を使用する場合には、高められた圧力下での使用が適している。

工程２）、１′）、２′′）及び１′′′）における反応で生ずる水は、蒸留によって当業者に公知の方法により分離することができる。

一般に、反応工程２）、１′）、２′′）及び１′′′）において得られるジイミドは、更なる精製なくして使用することができる。しかしながら、該生成物を半導体として使用するためには、該生成物を更なる精製に供することが好ましいことがある。それには、例えばカラムクロマトグラフィー法が該当し、その際、生成物は、有利にはハロゲン化された炭化水素、例えば塩化メチレン、又は芳香族炭化水素中に溶解され、そしてシリカゲル上での分離もしくは濾過に供される。

本発明による化合物並びに本発明による方法に従って得られる化合物は、特に好ましくは、有機半導体として適している。これらの化合物は、その際一般にｎ型半導体として機能する。本発明により使用される式（Ｉ）の化合物を別の半導体と組み合わせて、そのエネルギー準位の状況から、該別の半導体がｎ型半導体として機能する結果となる場合に、化合物（Ｉ）は、例外的にｐ型半導体として機能しうる。

式（Ｉ）の化合物は、その空気安定性の点で優れている。更に、該化合物は、高い電荷輸送移動度を有し、それは明らかに公知の有機半導体材料に対して際だっている。該化合物は、更に高いオン／オフ比を有する。

式（Ｉ）の化合物は、特に好ましくは、有機電界効果トランジスタに適している。前記化合物は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造のために使用でき、今まで慣用であったｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ））に使用される。その際、それは、ＣＭＯＳ類似の半導体素子、例えばマイクロプロセッサ用の、マイクロコントローラ用の、スタティックＲＡＭ用の、及び別のディジタル論理回路用の半導体素子である。半導体材料の製造のためには、式（Ｉ）の化合物を、以下の方法：印刷（オフセット、フレキソ、グラビア、スクリーン、インクジェット、電子写真）、蒸着、レーザー転写、フォトリソグラフィー、ドロップキャスティングの１つに従って再加工することができる。それらは、特にディスプレイ（特に大画面ディスプレイ及び／又はフレキシブルディスプレイ）及びＲＦＩＤタグでの使用のために適している。

式（Ｉ）の化合物は、特に好ましくは、有機電界効果トランジスタ、有機太陽電池及び有機発光ダイオードにおける電子導体として適している。該化合物は、更に特に好ましくは、励起子型太陽電池における励起子輸送材料として適している。

式（Ｉ）の化合物は、更に特に好ましくは、蛍光変換を基礎とするディスプレイにおける蛍光色素として適している。係るディスプレイは、一般に、透明基板と、該基板上に存在する蛍光色素と、照射源とを含む。通常の照射源は、青色光（カラー・バイ・ブルー）もしくは紫外光（カラー・バイ・ＵＶ）を発する。該色素は、青色光か紫外光のいずれかを吸収し、緑色発光体として使用される。前記のディスプレイにおいては、例えば赤色光は、赤色発光体を青色光吸収性もしくは紫外光吸収性の緑色発光体によって励起することでもたらされる。好適なカラー・バイ・ブルー型ディスプレイは、例えばＷＯ９８／２８９４６号に記載されている。好適なカラー・バイ・ＵＶ型のディスプレイは、例えばＷ．Ａ．Ｃｒｏｓｓｌａｎｄ，Ｉ．Ｄ．Ｓｐｒｉｎｇｌｅ及びＡ．Ｂ．Ｄａｖｅｙによって、Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ＬＣＤｓ（ＰＬ−ＬＣＤ） ｕｓｉｎｇ ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ａｎｄ Ｓｃｒｅｅｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｔｄ．，Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ，ＵＫにおいて記載されている。式（Ｉ）の化合物は、更に、電気泳動的作用に基づき過負荷する顔料色素が色のオン・オフを行うディスプレイにおいて特に適している。かかる電気泳動的ディスプレイは、例えばＵＳ２００４／０１３０７７６号に記載されている。

更に、本発明の対象は、少なくとも１つのゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する基板及び半導体としての、特にｎ型半導体としての前記の式Ｉの少なくとも１つの化合物を含む、有機電界効果トランジスタである。

更に、本発明の対象は、多くの有機電界効果トランジスタを有する基板であって、その電界効果トランジスタの少なくとも一部が、ｎ型半導体としての前記定義の式Ｉで示される少なくとも１つの化合物を含有する基板である。

本発明の対象は、少なくとも１つの係る基板を含む半導体素子でもある。

特定の一実施態様は、有機電界効果トランジスタのパターン（トポグラフィー）を有する基板であって、核トランジスタが、基板上に存在する有機半導体；導電チャネルの導電性の制御のためのゲート構造；及び前記チャネルの両端にある導電性のソース電極とドレイン電極とを有し、前記有機半導体が、式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物からなるか又は式（Ｉ）の化合物を含む基板である。更に、有機電界効果トランジスタは、一般に誘電体を含む。

更なる特定の一実施態様は、有機電界効果トランジスタのパターンを有する基板であって、各トランジスタが集積回路を形成するか又は集積回路の一部であり、かつトランジスタの少なくとも一部が少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物を含む基板である。

基板としては、原則的にそのために知られた材料が適している。好適な基板は、例えば金属（好ましくは周期律表の第８族、第９族、第１０族もしくは第１１族の金属、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ）、酸化物材料（例えばガラス、セラミック、ＳｉＯ₂、特に石英）、半導体（例えばドープトＳｉ、ドープトＧｅ）、金属合金（例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕなどを基礎とする）、半導体合金、ポリマー（例えばポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、例えばポリエチレン及びポリプロピレン、ポリエステル、フルオロポリマー、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ポリスチレン並びにそれらの混合物及び複合物）、無機固体（例えば塩化アンモニウム）、紙並びにそれらの組み合わせを含む。基板は、所望の用途に応じて、フレキシブルであっても又はフレキシブルでないものであってもよく、湾曲もしくは平坦な形状であってよい。

半導体素子用の典型的な基板は、マトリックス（例えば石英マトリックスもしくはポリマーマトリックス）と、場合により誘電性被覆層とを含む。

好適な誘電体は、ＳｉＯ₂、ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレン、ポリオレフィン（例えばポリプロピレン、ポリエチレン、ポリイソブテン）、ポリビニルカルバゾール、フッ素化ポリマー（例えばＣｙｔｏｐ）、シアノプラン（例えばＣＹＭＭ）、ポリビニルフェノール、ポリ−ｐ−キシレン、ポリ塩化ビニルもしくは熱架橋性もしくは空気湿分により可能なポリマーである。特定の誘電体は、"自己組織化ナノ誘電体"、すなわちＳｉＣｌ官能性を含むモノマー、例えばＣｌ₃ＳｉＯＳｉＣｌ₃、Ｃｌ₃Ｓｉ−（ＣＨ₂）₆−ＳｉＣｌ₃、Ｃｌ₃Ｓｉ−（ＣＨ₂）₁₂−ＳｉＣｌ₃から得られる及び／又は空気湿分によりもしくは溶剤での希釈における水の添加によって架橋されるポリマーである（例えばＦａｃｃｉｅｔｔｉ Ａｄｖ．Ｍａｔ．２００５，１７，１７０５−１７２５を参照のこと）。水の代わりに、ヒドロキシル基含有ポリマー、例えばポリビニルフェノールもしくはポリビニルアルコール又はビニルフェノールとスチレンとからのコポリマーも、架橋性分として用いることができる。また、少なくとも１つの他のポリマー、例えばポリスチレンを、架橋過程の間で添加して、次いで一緒に架橋させることもできる（Ｆａｃｉｅｔｔｉ，米国特許出願第２００６／０２０２１９５号）。

基板は、付加的に電極、例えばＯＦＥＴのゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を有してよく、それらは通常は基板上に位置している（例えば誘電体上の非導電層上に堆積もしくは該層中に埋設）。基板は、付加的にＯＦＥＴの導電性ゲート電極を有してよく、それらは通常は、誘電性の被覆層（すなわちゲート誘電体）の下方に配置されている。

特定の一実施態様によれば、絶縁層（ゲート絶縁層）が、基板表面の少なくとも一部上に存在する。絶縁層は、好ましくは無機絶縁体、例えばＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄など、強誘電性絶縁体、例えばＡｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｌａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃など、有機絶縁体、例えばポリイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリビニルアルコール、ポリアクリレートなど並びにそれらの組み合わせから選択される少なくとも１つの絶縁体を含む。

ソース電極及びドレイン電極のために適した材料は、原則的に導電性の材料である。そのためには、金属、好ましくは、周期律表の第６族、第８族、第９族、第１０族もしくは第１１族の金属、例えばＰｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒなどが該当する。適しているのは、更に、導電性ポリマー、例えばＰＥＤＯＴ（＝ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））；ＰＳＳ（＝ポリ（スチレンスルホネート））、ポリアニリン、表面変性された金などである。好ましい導電性材料は、１０^-3Ω×メートル未満の、有利には１０^-4Ω×メートル未満の、特に１０^-6Ω×メートル未満もしくは１０^-7Ω×メートル未満の比抵抗を有する。

特定の一実施態様によれば、ドレイン電極とソース電極は、少なくとも部分的に有機半導体材料上に存在する。もちろん、基板は、更に半導体材料もしくはＩＣ類で通常使用される部品、例えばアイソレータ、抵抗、コンデンサ、導体路などを含んでよい。

電極は、通常の方法に従って、例えば蒸着、リソグラフィー法又は別のパターン形成法に従って施与することができる。

半導体材料は、好適な助剤（ポリマー、界面活性剤）を用いて分散相において印刷によって加工することができる。

第一の好ましい一実施態様においては、一般式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物（と、場合により他の半導体材料）の堆積は、気相堆積法（物理蒸着ＰＶＤ）によって行われる。ＰＶＤ法は、高真空条件下で行われ、以下の工程：蒸発、輸送、堆積を含む。驚くべきことに、一般式（Ｉ）の化合物は、実質的に分解されず、かつ／又は不所望な副生成物を形成しないため、特に好ましくはＰＶＤ法で使用するために適していることが判明した。堆積された材料は、高純度で得られる。特定の一実施態様においては、堆積された材料は、結晶の形で得られ、高い結晶分を含有する。一般に、ＰＶＤのために、一般式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物は、その蒸発温度より高い温度にまで加熱され、そして結晶温度より低い温度に冷却することによって基板上に堆積させる。堆積される場合の基板の温度は、有利には約２０〜２５０℃、特に有利には５０〜２００℃の範囲である。驚くべきことに、式（Ｉ）の化合物の堆積に際しての高められた基板温度は、達成される半導体エレメントの特性に好ましい影響を及ぼしうることが判明した。

得られた半導体層は、一般に、ソース電極とドレイン電極との間のオーム接触に十分な厚さを有する。堆積は、不活性雰囲気下で、例えば窒素、アルゴン又はヘリウム下で行うことができる。

堆積は、通常は、周囲圧力で、又は減圧下で行われる。好適な圧力範囲は、約１０^-7〜１．５バールである。

好ましくは、式（Ｉ）の化合物は、基板上に、１０〜１０００ｎｍの厚さで、特に好ましくは１５〜２５０ｎｍの厚さで堆積される。特定の一実施態様においては、式（Ｉ）の化合物は、まず部分的に結晶形で堆積される。このためには、特に、前記のＰＶＤ法が適している。更に、事前に製造した有機半導体結晶を使用することも可能である。係る結晶を得るための好適な方法は、Ｒ．Ａ．Ｌａｕｄｉｓｅ他によって、"Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｅｍｉ−Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ"，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ １８７（１９９８）、第４４９〜４５４頁及び"Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ−ｓｉｚｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ｏｆ α−Ｈｅｘａｔｈｉｏｐｈｅｎｅ"，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ １９８２（１９９７）、第４１６〜４２７頁に記載されており、その内容は参照をもって開示されたものとする。

第二の好ましい一実施態様においては、一般式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物（と、場合により他の半導体材料）の堆積は、回転被覆（スピンコーティング）によって行われる。驚くべきことに、本発明により使用される一般式（Ｉ）の化合物は、従って、湿式法（ウェットプロセス）においても半導体基板の製造のために使用できる。従って、式（Ｉ）の化合物は、印刷法による、半導体エレメント、特にＯＦＥＴもしくはＯＦＥＴベースの半導体エレメントの製造のために適していることが望ましい。そのために慣用の印刷法（インクジェット、フレキソ、オフセット、グラビア、凹版印刷、ナノプリント）を使用することができる。印刷法における式（Ｉ）の化合物の使用のために好ましい溶剤は、芳香族溶剤、例えばトルエン、キシレンなどである。この"半導体インク"に、増粘作用を有する物質、例えばポリマー、例えばポリスチレンなどを添加してもよい。その際、誘電体として、上述の化合物が使用される。

好ましい一実施態様においては、本発明による電界効果トランジスタは、薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＦＴ）である。通常の構造によれば、薄膜トランジスタは、基板上に存在するゲート電極と、該電極と基板上に存在するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に存在する半導体層と、該半導体層上のオーム接触層とを有し、該オーム接触層上にソース電極とドレイン電極を有する。

好ましい一実施態様においては、基板表面は、一般式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物（と、場合により少なくとも１つの他の半導体材料）の堆積前に変性されている。前記の変性は、半導体材料を結合する領域及び／又は半導体材料を堆積できない領域の形成に役立つ。好ましくは、基板表面は、少なくとも１つの化合物（Ｃ１）によって変性され、該化合物は、基板表面並びに式（Ｉ）の化合物に結合するために適している。好適な一実施態様においては、少なくとも１つの一般式（Ｉ）の化合物（と、場合により他の半導体化合物）の改善された堆積を可能にするために、基板表面の一部又は全表面は、少なくとも１つの化合物（Ｃ１）で被覆される。他の一実施態様は、一般式（Ｃ１）の化合物のパターンを相応の製造方法に従って基板上に堆積させることを含む。それには、公知のマスキング法並びにいわゆる"パターニング"法、例えばＵＳ１１／３５３，９３４号に記載される方法が該当し、その全内容は、参照をもって本願に開示されたものとする。

式（Ｃ１）の好適な化合物は、基板との結合性相互作用も、一般式（Ｉ）の少なくとも１つの半導体化合物との結合性相互作用も可能にする。用語"結合性相互作用"は、化学結合（共有結合）、イオン結合、配位的相互作用、ファンデルワールス相互作用、例えば双極子−双極子相互作用などの結合及びそれらの組み合わせを含む。好適な一般式（Ｃ１）の化合物は、
− シラン、ホスホン酸、カルボン酸、ヒドロキサム酸、例えばアルキルトリクロロシラン、例えばｎ−（オクタデシル）トリクロロシラン；トリアルコキシシラン基を有する化合物、例えばアルキルトリアルコキシシラン、例えばｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリ（ｎ−プロピル）オキシシラン、ｎ−オクタデシルトリ（イソプロピル）オキシシラン；トリアルコキシアミノアルキルシラン、例えばトリエトキシアミノプロピルシラン及びＮ［（３−トリエトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン；トリアルコキシアルキル−３−グリシジルエーテルシラン、例えばトリエトキシプロピル−３−グリシジルエーテルシラン；トリアルコキシアリルシラン、例えばアリルトリメトキシシラン；トリアルコキシ（イソシアナトアルキル）シラン；トリアルコキシシリル（メタ）アクリルオキシアルカン及びトリアルコキシシリル（メタ）アクリルアミドアルカン、例えば１−トリエトキシシリル−３−アクリルオキシプロパン
− アミン、ホスフィン及び硫黄含有化合物、特にチオール
である。

好ましくは、化合物（Ｃ１）は、アルキルトリアルコキシシラン、特にｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン；ヘキサアルキルジシラザン及び特にヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）；Ｃ₈〜Ｃ₃₀−アルキルチオール、特にヘキサデカンチオール；メルカプトカルボン酸及びメルカプトスルホン酸、特にメルカプト酢酸、３−メルカプトプロピオン酸、メルカプトコハク酸、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸及びそれらのアルカリ金属塩及びアンモニウム塩から選択される。

本発明による半導体を有する種々の半導体アーキテクチャ、例えばトップコンタクト、トップゲート、ボトムコンタクト、ボトムゲート、又は垂直構造、例えばＶＯＦＥＴ（垂直有機電界効果トランジスタ）も考慮でき、それらは例えばＵＳ２００４／００４６１８２号に記載されている。

層厚は、半導体では、例えば１０ｎｍ〜５μｍ、誘電体では、５０ｎｍ〜１０μｍであり、電極は、例えば２０ｎｍ〜１μｍ厚であってよい。ＯＦＥＴは、他の素子、例えばリング発信器もしくはインバータと組み合わせてもよい。

本発明の更なる一態様は、複数のｎ型及び／又はｐ型の半導体であってよい半導体部品を含む電子素子を提供することである。係る素子の例は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、バイポーラ平面トランジスタ（バイポーラ接合型トランジスタ、ＢＪＴ）、トンネルダイオード、インバータ、発光素子、生物学的及び化学的なデテクタもしくはセンサ、温度依存性デテクタ、ホトデテクタ、例えば偏光感知型ホトデテクタ、ゲート、ＡＮＤゲート、ＮＡＮＤゲート、ＮＯＴゲート、ＯＲゲート、ＴＯＲゲート及びＮＯＲゲート、レジスタ、スイッチ、タイマーモジュール、スタティックメモリもしくはダイナミックメモリ及び別の動的もしくは順序論理素子又はプログラム可能な回路を含む別のディジタル素子である。

特定の半導体エレメントはインバータである。ディジタル論理において、インバータは、入力信号を反転させるゲートである。インバータは、またＮＯＴゲートとも呼称される。実インバータ回路は、入力電流とは反対の出力電流を示す。通常の値は、例えばＴＴＬ回路に関しては（０，＋５Ｖ）である。ディジタルインバータの性能は、電圧遷移特性曲線（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｃｕｒｖｅ ＶＴＣ）、すなわち入力電流の出力電流に対するプロットが示す。より理想的には、ステップ関数が問題となり、実測曲線が係るステップと接近すればするほど、より良好なインバータである。本発明の特定の一実施態様においては、式（Ｉ）の化合物は、有機ｎ型半導体としてインバータ中で使用される。

式（Ｉ）の化合物は、更に特に好ましくは、有機光電池（ＯＰＶ）で使用するために適している。好ましくは、前記化合物は、励起状態の拡散（励起子拡散）により特徴付けられる太陽電池で使用するために適している。その際、使用される１つの半導体材料もしくは両方の半導体材料は、励起状態の拡散（励起子移動度）の点で優れている。また、励起状態の拡散により特徴付けられる少なくとも１つの半導体材料と、ポリマー鎖に沿った励起状態の伝達を可能にするポリマーとの組み合わせも適している。係る太陽電池は、本発明の範囲においては、励起子太陽電池と呼称される。太陽電池中で太陽エネルギーを電気エネルギーに直接的に変換することは、半導体材料の内部光効果に基づく。すなわち、光子の吸収による電子−正孔対の生成と、ｐｎ接合もしくはショットキ接合での負電荷担体と正電荷担体の分離とに基づく。励起子は、例えば光子が半導体中に侵入し、電子が価電子帯から導電体へと遷移して励起した場合に生じうる。電流が生ずるためには、吸収された光子によってもたらされた励起状態は、正孔と電子を生じ、次いでそれがアノードとカソードに流れるために、ｐｎ接合に至らねばならない。こうして生じた光電位は、外部回路において光電流をもたらし、それによって太陽電池はその出力を出す。その際、半導体から、そのバンドギャップより大きいエネルギーを有する光子のみが吸収できる。半導体バンドギャップの大きさは、従って、電気エネルギーに変換できる太陽光の割合を決める。太陽電池は、通常は、太陽エネルギーをできる限り効率的に利用するために、異なる禁制帯を有する２種の吸収性材料からなる。殆どの有機半導体は、１０ｎｍまでの励起子拡散長を有する。ここでは、更に、励起状態をできる限り大きな距離にわたって伝達できる有機半導体に要求がある。ここで驚くべきことに、前記の一般式（Ｉ）の化合物は、特に好ましくは、励起子太陽電池での使用のために適していることが判明した。

好適な有機太陽電池は、一般に、層状に構成されており、一般には少なくとも以下の層：アノード、光活性層及びカソードを含む。これらの層は、一般にそのために慣用の基板上に存在する。有機太陽電池の構造は、例えばＵＳ２００５／００９８７２６号Ａ１及びＵＳ２００５／０２２４９０５号Ａ１に記載され、その全内容は、本願で参照をもって開示されたものとする。

好適な基板は、例えば酸化物材料（例えばガラス、セラミック、ＳｉＯ₂、特に石英など）、ポリマー（例えばポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、例えばポリエチレン及びポリプロピレン、ポリエステル、フルオロポリマー、ポリアミド、ポリウレタン、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ポリスチレン並びにそれらの混合物及び複合物）並びにそれらの組み合わせである。

電極（カソード、アノード）としては、原則的には、金属（好ましくは、周期律表の第２族、第８族、第９族、第１０族、第１１族もしくは第１３族の金属、例えばＰｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｃａ）、半導体（例えばドープトシリコン、ドープトゲルマニウム、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムインジウムスズ酸化物（ＧＩＴＯ）、亜鉛インジウムスズ酸化物（ＺＩＴＯ）など）、金属合金（例えばＰｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどを基礎とする合金、特にＭｇ／Ａｇ合金）、半導体合金などが適している。

好ましくは、アノードとしては、入射光に対して実質的に透過性の材料が使用される。それには、例えばＩＴＯ、ドープされたＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔが該当する。好ましくは、カソードとしては、入射光に対して実質的に反射性の材料が使用される。それには、例えば金属フィルム、例えばＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｇ／Ａｌ、Ｃａなどからなる金属フィルムが該当する。

光活性層それ自体は、有機半導体材料として、前記定義の式Ｉの化合物から選択される少なくとも１つの化合物を含有する少なくとも１つの層を含むか又は該少なくとも１つの層からなる。一実施態様においては、光活性層は、少なくとも１つの有機アクセプター材料を含む。光活性層に加えて、１つ以上の他の層、例えば電子伝導特性を有する層（ＥＴＬ、電子輸送層）及び正孔伝導性材料を含有する層（正孔輸送層、ＨＴＬ）（これらの層は吸収を示す必要はない）、励起子と正孔を遮断する層（例えば励起子遮断層、ＥＢＬ）（これらの層は吸収を示すべきでない）、倍増層（ｍｕｌｔｉｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）を設けてもよい。好適な励起子と正孔を阻止する層は、例えばＵＳ６，４５１，４１５号に記載されている。

好適な励起子遮断層は、例えばバソクプロイン（ＢＣＰ）、４，４′，４′′−トリス［３−メチルフェニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）もしくはポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）であり、それらは例えばＵＳ７，０２６，０４１号に記載されている。

本発明による励起子太陽電池は、光活性なドナーアクセプターヘテロ接合を基礎としている。少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物をＨＴＭ（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｍａｔｅｒｉａｌ、正孔輸送材料）として使用する場合には、相応のＥＴＭ（ｅｘｃｉｔｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｍａｔｅｒｉａｌ、励起子輸送材料）は、該化合物の励起後にＥＴＭへと迅速な電子遷移が行われるように選択せねばならない。好適なＥＴＭは、例えばＣ６０及び別のフラーレン、ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）（ＰＴＣＤＩ）などである。少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物をＥＴＭとして使用する場合には、相補のＨＴＭは、該化合物の励起後にＨＴＭへと迅速な正孔遷移が行われるように選択せねばならない。ヘテロ接合は、平坦で実施することができる（二層有機光電池、Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ著のＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，４８（２），１８３−１８５（１９８６）もしくはＮ．Ｋａｒｌ、Ａ．Ｂａｕｅｒ、Ｊ．Ｈｏｌｚａｅｐｆｅｌ、Ｊ．Ｍａｒｋｔａｎｎｅｒ、Ｍ．Ｍｏｅｂｕｓ、Ｆ．Ｓｔｏｅｌｚｌｅ著のＭｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，２５２，２４３−２５８（１９９４）を参照）か、又はバルクヘテロ接合（バルクヘテロ接合もしくは相互侵入ドナーアクセプター網目、例えばＣ．Ｊ．Ｂｒａｂｅｃ、Ｎ．Ｓ．Ｓａｒｉｃｉｆｔｃｉ、Ｊ．Ｃ．Ｈｕｍｍｅｌｅｎ著のＡｄｖ．Ｆｕｎｃｔ．Ｍａｔｅｒ．，１１（１），１５（２００１）を参照）として実現できる。少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物とＨＴＭ（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｍａｔｅｒｉａｌ、正孔輸送材料）もしくはＥＴＭ（ｅｘｃｉｔｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｍａｔｅｒｉａｌ、励起子輸送材料）との間のヘテロ接合を基礎とする光活性層は、ＭｉＭ構造、ｐｉｎ構造、ｐｎ構造、Ｍｉｐ構造もしくはＭｉｎ構造を有する太陽電池で使用することができる（Ｍ＝金属、ｐ＝ｐ型ドープされた有機もしくは無機の半導体、ｎ＝ｎ型ドープされた有機もしくは無機の半導体、ｉ＝有機層の固有伝導系、例えばＪ．Ｄｒｅｃｈｓｅｌ他著のＯｒｇ．Ｅｌｅｔｒｏｎ．，５（４），１７５（２００４）又はＭａｅｎｎｉｇ他著のＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ａ７９，１−１４（２００４）を参照）。それらは、Ｐ．Ｐｅｕｍｎａｓ、Ａ．Ｙａｋｉｍｏｖ、Ｓ．Ｒ．ＦｏｒｒｅｓｔによってＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ，９３（７），３６９３−３７２３（２００３）（特許ＵＳ４，４６１，９２２号、ＵＳ６，１９８，０９１号及びＵＳ６，１９８，０９２号を参照）に記載されるように、タンデムセルにおいて使用することもできる。それらは、また、２つ以上の上下に積層されたＭｉＭダイオード、ｐｉｎダイオード、ＭｉｐダイオードもしくはＭｉｎダイオード（特許出願ＤＥ１０３１３２３２．５号を参照）からなるタンデムセルにおいても使用することができる（Ｊ．Ｄｒｅｃｈｓｅｌ他著のＴｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，４５１４５２，５１５−５１７（２００４））。

前記化合物の薄膜及びあらゆる別の層は、真空もしくは不活性ガス雰囲気中での蒸着によって、レーザアブレーションによって又は溶液もしくは分散液で処理可能な方法、例えばスピンコート、ブレード塗布、キャスト法、吹き付け、浸漬被覆もしくは印刷（例えばインクジェット、フレキソ、オフセット、グラビア、凹版印刷、ナノインプリント）によって製造することができる。Ｍ層、ｎ層、ｉ層及びｐ層の層厚は、一般には、１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜４００ｎｍである。

基板としては、例えばガラス、金属シートもしくはポリマーシートが使用され、それらは一般に透明な導電層（例えばＳｎＯ₂：Ｆ、ＳｎＯ₂：Ｉｎ、ＺｎＯ：Ａｌ、カーボンナノチューブ、金属薄膜）によって被覆されている。

一般式（Ｉ）の化合物の他に、有機光電池での使用のためには、以下の半導体材料が適している：フタロシアニン、例えば少なくとも１つのハロゲン置換基を有するフタロシアニン、例えばヘキサデカクロロフタロシアニン及びヘキサデカフルオロフタロシアニン、金属不含もしくは二価の金属もしくは金属原子含有の基を有するフタロシアニン、例えばチタニルオキシ、バナジルオキシ、鉄、銅、亜鉛などのフタロシアニン。好適なフタロシアニンは、特に銅フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、金属不含のフタロシアニン、ヘキサデカクロロ銅フタロシアニン、ヘキサデカクロロ亜鉛フタロシアニン、金属不含のヘキサデカクロロフタロシアニン、ヘキサデカフルオロ銅フタロシアニン、ヘキサデカフルオロフタロシアニン又は金属不含のヘキサデカフルオロフタロシアニンである；
ポルフィリン、例えば５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジル）ポルフィリン（ＴｐｙＰ）、しかし又はテトラベンゾポルフィリン、例えば金属不含のテトラベンゾポルフィリン、銅テトラベンゾポルフィリン又は亜鉛テトラベンゾポルフィリン。

液晶（ＬＣ）材料、例えばコロネン、例えばヘキサベンゾコロネン（ＨＢＣ−ＰｈＣ₁₂）、コロネンジイミドもしくはトリフェニレン、例えば２，３，６，７，１０，１１−ヘキサヘキシルチオトリフェニレン（ＨＴＴ₆）、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサキス（４−ｎ−ノニルフェニル）トリフェニレン（ＰＴＰ₉）又は２，３，６，７，１０，１１−ヘキサキス（ウンデシルオキシ）トリフェニレン（ＨＡＴ₁₁）。特に、ディスコチックな液晶性材料が好ましい；
チオフェン、オリゴチオフェン及びそれらの置換誘導体。好適なオリゴチオフェンは、クアテルチオフェン、キンケチオフェン、セキシチオフェン、α，ω−ジ（Ｃ₁〜Ｃ₈）−アルキルオリゴチオフェン、例えばα，ω−ジヘキシルクアテルチオフェン、α，ω−ジヘキシルキンケチオフェン及びα，ω−ジヘキシルセキシチオフェン、ポリ（アルキルチオフェン）、例えばポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ビス（ジチエノチオフェン）、アントラジチオフェン及びジアルキルアントラジチオフェン、例えばジヘキシルアントラジチオフェン、フェニレン−チオフェン−（Ｐ−Ｔ−）オリゴマー及びそれらの誘導体、特にα，ω−アルキル置換されたフェニレン−チオフェン−オリゴマーである；
更に、α，α′−ビス（２，２−ジシアノビニル）キンケチオフェン（ＤＣＶ₅Ｔ）、（３−（４−オクチルフェニル）−２，２′−ビチオフェン）（ＰＴＯＰＴ）、ポリ（３−（４′−（１，４，７−トリオキサオクチル）フェニル）チオフェン（ＰＥＯＰＴ）、（ポリ（３−（２′−メトキシ−５′−オクチルフェニル）チオフェン））（ＰＯＭｅＯＰＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）（Ｐ３ＯＴ）、ポリ（ピリドピラジンビニレン）ポリチオフェン−ブレンド、例えばＥＨＨ−ＰｐｙＰｚ、コポリマーＰＴＰＴＢ、ＢＢＬ、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ′−（４−メトキシフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ′−フェニル−１，４−フェニレンジアミン）（ＰＦＭＯ）（Ｂｒａｂｅｃ Ｃ．，Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，２９９６，１８，２８８４を参照）、（ＰＣＰＤＴＢＴ）ポリ［２，６−（４，４−ビス（２−エチルヘキシル）−４Ｈ−シクロペンタ［２，１−ｂ；３，４−ｂ′］−ジチオフェン）−４，７−（２，１，３−ベンゾチアジアゾール）の型の化合物が適している；
パラフェニレンビニレン及びパラフェニレンビニレン含有のオリゴマーもしくはポリマー、例えばポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ＭＥＨ−ＰＰＶ（ポリ（２−メトキシ−５−（２′−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン、ＭＤＭＯ−ＰＰＶ（ポリ（２−メトキシ−５−（３′，７′−ジメチルオクチルオキシ）−１，４−フェニレン−ビニレン））、シアノ−パラフェニレンビニレン（ＣＮ−ＰＰＶ）、種々のアルコキシ基で変性されたＣＮ−ＰＰＶ；
フェニレンエチニレン／フェニレンビニレン−複合ポリマー（ＰＰＥ−ＰＰＶ）；
ポリフルオレン及び、例えば４，７−ジチエン−２′−イル−２，１，３−ベンゾチアジアゾールとの交互ポリフルオレンコポリマー、更に、ポリ（９，９′−ジオクチルフルオレン−コ−ベンゾチオジアゾール）（Ｆ₈ＢＴ）、ポリ（９，９′−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ′−（４−ブチル−フェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ′−フェニル−１，４−フェニレンジアミン（ＰＦＢ）が適している；
ポリカルバゾール、すなわちカルバゾール含有のオリゴマー及びポリマー、例えば（２，７）及び（３，６）。

ポリアニリン、すなわちアニリン含有のオリゴマー及びポリマー。

トリアリールアミン、ポリトリアリールアミン、ポリシクロペンタジエン、ポリピロール、ポリフラン、ポリシロール、ポリホスホール、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）ベンジジン（ＴＰＤ）、４，４′−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、２′，２′，７，７′−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−メトキシフェニルアミン）−９，９′−スピロビフルオレン（スピロ−ＭｅＯＴＡＤ）。

フラーレン、特にＣ₆₀及びその誘導体、例えばＰＣＢＭ（＝［６，６］−フェニル−Ｃ₆₁−酪酸メチルエステル）。かかる場合においては、フラーレン誘導体は正孔伝導体である。

全ての上述の半導体材料は、ドープされていてもよい。ｎ型半導体のために好適なドーピング剤の例は、例えば式（Ｉ）の化合物であり、ローダミンもしくはピロニンＢである。ｐ型半導体のために好適なドーピング剤の例は、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ₄−ＴＣＮＱ）である。

本発明の更なる対象は、前記定義による一般式Ｉの少なくとも１種の化合物を含有する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に関する。式（Ｉ）の化合物は、その際、電荷輸送材料（電子伝導体）として用いることができる。

有機発光ダイオードは、基本的に複数の層から構成されている。それには、１．アノード、２．正孔輸送層、３．発光層、４．電子輸送層、５．カソードが含まれる。また、有機発光ダイオードは、上記の層の全てを有さなくてもよく、例えば層（１）（アノード）、（３）（発光層）及び（５）（カソード）を有する有機発光ダイオードも同様に適しており、その際、層（２）（正孔輸送層）及び層（４）（電子輸送層）の機能は、隣接する層によって担われる。層（１）、（２）、（３）及び（５）もしくは層（１）、（３）、（４）及び（５）を有するＯＬＥＤは、同様に適している。有機発光ダイオードの構造とその製造方法は、当業者には原則的に知られており、例えばＷＯ２００５／０１９３７３号から知られている。個々の層について好適な材料は、例えばＷＯ００／７０６５５号に開示されている。前記文献は、ここでは参照をもって開示されたものとする。本発明によるＯＬＥＤの製造は、当業者に公知の方法に従って行うことができる。一般に、該ＯＬＥＤは、個々の層を好適な基体上に連続的に蒸着させることによって製造される。好適な基体は、例えばガラス又はポリマー被膜である。蒸着のためには、通常の技術、例えば熱的蒸発、化学蒸着などを使用することができる。代替法では、好適な溶剤中の溶液又は分散液から有機層を被覆することができ、その際、当業者に公知の被覆技術が使用される。ＯＬＥＤの層の１つ、好ましくは発光層中で、一般式（Ｉ）の化合物の他にポリマー材料を有する組成物は、一般に溶液からの加工によって層として施与される。

化合物（Ｉ）の本発明による使用によって、高い効率を有するＯＬＥＤを得ることができる。本発明によるＯＬＥＤは、エレクトロルミネセンスが有用な全ての装置で使用することができる。好適な装置は、有利には、定置式ディスプレイ及び可搬式ディスプレイから選択される。定置式ディスプレイは、例えばコンピュータ、テレビのディスプレイ、プリンタのディスプレイ、調理機器のディスプレイ並びに宣伝用ボード、照明及び標識板である。可搬式ディスプレイは、例えば携帯機器、ラップトップ、デジタルカメラ、車両のディスプレイ並びにバス及び電車の目的地表示板である。更に、化合物（Ｉ）は、逆構造を有するＯＬＥＤにおいて使用することができる。好ましくは、化合物（Ｉ）は、この逆ＯＬＥＤ中でも発光層中で使用される。逆ＯＬＥＤの構造及びそこで通常使用される材料は当業者に公知である。

その電荷輸送材料もしくは励起子輸送材料としての使用の前に、式（Ｉ）の化合物を精製方法に供することが合理的なことがある。好適な精製方法は、式（Ｉ）の化合物を気相中に導くことを含む。それには、昇華もしくはＰＶＤ（物理蒸着）による精製が含まれる。分別昇華が好ましい。該化合物の分別昇華及び／又は堆積のために、温度勾配が使用される。好ましくは、式（Ｉ）の化合物は、キャリヤーガス流中での加熱下に昇華される。キャリヤーガスは、その際、分離チャンバ中を流れる。好適な分離チャンバは、異なる温度を有する少なくとも２つの異なる分離帯域を有する。好ましくは、いわゆる"３帯域炉（ｔｈｒｅｅ−ｚｏｎｅ ｆｕｒｎａｃｅ）"が使用される。分別昇華のための好適な方法と装置は、ＵＳ４，０３６，５９４号に記載されている。

本発明の更なる対象は、基板上に式（Ｉ）の少なくとも１種の化合物を、気相堆積法もしくは湿式塗布法によって堆積もしくは塗布するための方法である。

次に、本発明を、制限のない実施例により詳細に説明する。

実施例
合成例：
実施例１： オクタフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ジメチルペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド
１．ａ）オクタクロロ−Ｎ，Ｎ′−ジメチルペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの製造

Ｎ，Ｎ′−ジメチルペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド（２０．９ｇ、０．０５モル）をクロロスルホン酸（２００ｇ）中に溶かした溶液に、８０℃で２８時間の時間にわたり塩素（約５００ｇ）を導通した。この時間にわたり、ヨウ素（１０ｇ）を少しずつ添加した。得られた反応混合物を冷却し、氷水に入れた。その際に生じた固体を濾別し、そして濾液のｐＨが中性になるまで洗浄した。真空乾燥後に、オクタクロロ−Ｎ，Ｎ′−ジメチルペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドが、橙色の固体として得られた（２８．８ｇ；収率８３％）。

トルエンからの再結晶化によって、該化合物を更に精製した。そのために、４．０ｇの粗生成物をトルエン（１．１ｌ）中で還流下に加熱し、そして数日間０℃に冷却した。沈殿した沈殿物を濾別し、真空中で乾燥させた。３．２１ｇの精製された化合物が得られた。

１．ｂ）オクタフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ジメチルペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの製造

スルホラン（２５０ｍｌ）と、１８−クラウン−６−エーテル（１１．４ｇ、４３．２ミリモル）と、フッ化カリウム（７．３ｇ、１２５ミリモル）とからなる混合物に、１８０℃でＮ，Ｎ′−ジメチル−オクタクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド（３．１ｇ、５ミリモル）を添加した。該反応混合物を、更に１時間前記温度で撹拌した。室温に冷却した後に、完全脱塩水を添加した。生じた固体を濾別し、そして完全脱塩水で洗浄し、そして乾燥させた。得られた生成物をカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ₂、トルエン／酢酸エステル １０：１）によって精製した。オクタフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ジメチルペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドが、帯褐色の黄色固体として４５ｍｇの量で得られた（収率１．５％）。
Ｒ_f（トルエン／酢酸エチル １０：１）＝０．１９
λ_{max 発光}（高希釈、ＣＨ₂Ｃｌ₂）＝４８１ｎｍ、５１５ｎｍ
λ_{max 吸収}（ＣＨ₂Ｃｌ₂）＝約４０８ｎｍ（２０．９ｌ／ｇ ｃｍ）、４３５ｎｍ（４７．９ｌ／ｇ ｃｍ）、４６６ｎｍ（約６５．８ｌ／ｇ ｃｍ）

１．ｃ）オクタフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ジメチルペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの製造のための代替経路
１６６ｍｌのｏ−キシレンと、１．７ｇ（６．７ミリモル）の（Ｎ，Ｎ′−ジメチルイミダゾリジノ）テトラメチルグアニジウムクロリドと、３０．０ｇ（５３３ミリモル）のフッ化カリウムの混合物に、４．６３ｇ（６．７ミリモル）の実施例１ａからのオクタクロロ−Ｎ，Ｎ′−ジメチルペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドを入れた。該反応混合物を、３０分間還流加熱した。次いで、該反応混合物を室温に冷却し、そして生成物を、反応混合物から直接的に、１８０ｇのシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーによって石油エーテル及びジクロロメタンを使用して単離した。クロマトグラフィーを繰り返した後に、１．５５ｇ（４１％）の表題化合物が９８％の純度で、かつ０．６ｇ（１６％）の表題化合物が９４％の純度で得られた。

表題化合物は、非常に高い純度で、１０１ｌ／ｇの流速で、４６９ｎｍでのＵＶ／ＶＩＳ検出下で複数回のクロマトグラフィーによって得られた。

実施例２： オクタクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの製造

ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド（１９．５ｇ、０．０５モル）をクロロスルホン酸（２００ｇ）中に溶かした溶液に、ヨウ素（２．０ｇ）を入れた。該反応混合物を、８０℃に加熱した。２５時間の時間にわたり塩素（約４４５ｇ）を導通させた。室温に冷却した後に、反応混合物を氷上に入れた。生じた固体を濾別し、そして複数回水で洗浄した。真空乾燥後に、オクタクロロ−Ｎ，Ｎ′−ジヒドロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドが、橙色の固体として、２６．１４ｇの量で得られた（収率７９％）。

該生成物を、再結晶化によって更に精製した。このために、４．０ｇの粗生成物をＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ、７０ｍｌ）中に１４０℃で溶解させ、その混合物をゆっくりと室温に冷却した。沈殿物を、濾過によって単離し、石油エーテルで洗浄し、そして真空で乾燥させた。引き続き、残留物を複数日、酢酸中に取り、還流条件下で撹拌した。新たに濾過及び乾燥した後に、０．８１ｇの精製されたオクタクロロ−Ｎ，Ｎ′−ジヒドロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドが得られた（塩素含有率：４２．７％（理論値：４２．６％））。

実施例３： ペルクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物の製造

ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸無水物（２０．０ｇ）をクロロスルホン酸（２００ｇ）中に溶かした溶液に、ヨウ素（１．０ｇ）を入れた。該反応混合物を、６０℃に加熱した。７時間の時間にわたり塩素（約１２０ｇ）を導通させた。引き続き、改めてヨウ素（１．０ｇ）を添加し、８０℃に加熱し、そして５時間の時間にわたり更なる塩素を導通させた。室温に冷却した後に、反応混合物を氷水に注いだ。生じた固体を濾別し、そして濾液のｐＨが中性になるまで洗浄した。真空乾燥後に、オクタクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸無水物が、橙色の固体として得られた（２９．８ｇ；収率８９％）。

実施例４： 化合物（４．ａ）及び（４．ｂ）の製造

１，８−ジアミノナフタリン（１．７８ｇ、１１．２５ミリモル）と、ピラジン（０．９ｇ、１１．２５ミリモル）と、ペルクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸無水物（３．０ｇ、４．５ミリモル）をフェノール（５０ｇ）中に入れた混合物を、３６時間にわたり１２０℃の温度で撹拌した。引き続き、該反応混合物を室温に冷却し、メタノールと混合した。該固体を濾別し、メタノール及び希塩酸で複数回洗浄し、そして引き続き乾燥させた。化合物（４．ａ）及び（４．ｂ）の混合物が、黒色の固体として、３．９７ｇの量で得られた（定量的収量）。

実施例５： オクタクロロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの製造

オクタクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物（１．０ｇ、１．５ミリモル）及び２，６−ジイソプロピルアニリン（６ミリモル）をプロピオン酸（１６ｍｌ）中に入れた混合物を、５時間にわたり１００℃の温度で撹拌した。室温に冷却した後に、該反応混合物を水と混合した。その際に生じた固体を濾別し、真空中で乾燥させた。こうして得られた粗生成物を、カラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ₂、ジクロロメタン）によって精製した。オクタクロロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドが、橙色の固体として、０．６ｇの量で得られた（収率４０％）。
Ｒ_f（ＳｉＯ₂、トルエン／酢酸エステル １０：１）＝０．８６

実施例６： オクタクロロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの製造

６．ａ）Ｎ，Ｎ′−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）−１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド（本発明によるものではない）の製造

１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物（９．３８ｇ、１７．７ミリモル）及び１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフルオロ−ｎ−ブチルアミン（９．８８ｇ、４９．６ミリモル）をＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ、１００ｍｌ）及び酢酸（６．４ｇ、１０６ミリモル）中に入れた混合物を、５時間、９０℃の温度で撹拌した。室温に冷却した後に、該反応混合物を希塩酸（２５０ｍｌ）に入れた。その際に生じた固体を濾別し、水で濾液のｐＨが中性になるまで洗浄し、そして真空中で乾燥させた。橙色の固体（１４．３ｇ）が得られ、それをカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ₂、トルエン／アセトン）によって精製した。

Ｎ，Ｎ′−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）−１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドが、相応の三塩素化されたペリレンとの生成物混合物として、橙色の固体として、１２．８３ｇの量で得られた（収率８１％）。
Ｒ_f（トルエン）＝０．３９

６．ｂ）オクタクロロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの製造

６．ａ）で得られた生成物混合物（１９．０ｇ、２１ミリモル）を、クロロスルホン酸（２００ｇ）中で、ヨウ素（１．０ｇ）と混合し、そして加熱した。温度６０℃で、常圧において７時間の時間にわたり、過剰の塩素を反応混合物中に導通させた。この時間にわたり、改めてヨウ素（１．０ｇ）を少しずつ添加した。室温に冷却した後に、反応混合物を氷上に入れた。その際に生じた固体を濾別し、そして水で洗浄した。２１．８ｇ（定量的収量）の、トルエン中に溶解された橙色の固体（塩素含有率：２８．３％（理論値：２７．５％））が得られた。

実施例７： テトラクロロ−テトラフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ジメチルペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの製造
１５０ｍｌのオルト−キシレンと、０．７５ｇ（３ミリモル）の（Ｎ，Ｎ′−ジメチルイミダゾリジノ）テトラメチルグアニジニウムクロリドと、１４．０ｇ（２４０ミリモル）のフッ化カリウムからなる混合物に、２．０８ｇ（３ミリモル）の実施例１．ａからのオクタクロロ−Ｎ，Ｎ′−ジメチルペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドを入れ、そして該反応混合物を、８０℃に加温した。この温度で、４時間撹拌し、そして引き続き室温に冷却した。該反応混合物を、シリカゲルで充填したフリット上に直接的に入れ、そしてキシレンを石油エーテルで洗出させた。引き続き、生成物を、塩化メチレン／ｔ−ブチルメチルエーテル（１０：１）で溶出させ、その際、０．６２ｇ（５３％）の帯褐色の固体が得られた。

実施例８： オクタフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの製造

７０ｍｌの無水キシレンと、１．０６ｇ（４ミリモル）の１８−クラウン−６と、４．６５ｇ（８０ミリモル）のフッ化カリウムとからなる混合物に、０．５１５ｇ（０．５ミリモル）のオクタクロロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド（実施例６．ｂからの化合物）を４０℃で入れた。前記温度での１．５時間の撹拌の後に、該混合物を、８０℃に加熱し、この温度で３０分間撹拌し、引き続き１２０℃に加熱し、そしてこの温度で３０分間撹拌してから、還流温度に加熱した。該反応混合物を、２時間還流加熱した。次いで、該反応混合物を冷却し、濾過し、そして残留物をトルエンで洗浄し、そして濾液を濃縮した。該生成物をジクロロメタンを用いたクロマトグラフィーによって精製し、その際、７９ｍｇ（１８％）の帯褐色の粉末が得られた。
Ｒ_f（ジクロロメタン）＝０．２８
ＭＡＬＤＩ−ＭＳ：Ｍ^-＝９６１．８ｇ／モル

実施例９： テトラクロロ−テトラフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの製造
１００ｍｌの無水キシレンと、０．２５ｇ（１ミリモル）の（Ｎ，Ｎ′−ジメチルイミダゾリジノ）テトラメチルグアニジニウムクロリドと、４．６５ｇ（８０ミリモル）のフッ化カリウムとの混合物に、１．０３ｇのオクタフルオロ−Ｎ，Ｎ−ジメチルペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド（実施例６．ｂからの化合物）を入れた。該反応混合物を、１２０℃に加熱し、そしてこの温度で３０分間保持した。室温に冷却した後に、フッ化カリウムを濾別し、そしてジクロロメタン及び石油エーテルで洗浄した。得られた溶液を、シリカゲル上でのクロマトグラフィーによって石油エーテル及びｔ−ブチルメチルエーテルを使用して精製した。
Ｒ_f（ＣＨ₂Ｃｌ₂）＝０．４９；
ＭＡＬＤＩ−ＭＳ：Ｍ^-＝９６１．８ｇ／モル

実施例１０： オクタフルオロ−Ｎ，Ｎ′−（２，６−ジイソプロピルフェニル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの製造

３５ｍｌのｏ−キシレンと、０．２５ｇ（１ミリモル）の（Ｎ，Ｎ′−ジメチルイミダゾリジノ）テトラメチルグアニジウムクロリドと、４．５ｇ（８０ミリモル）のフッ化カリウムの混合物に、１．０ｇ（１．０２ミリモル）のオクタクロロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド（実施例５からの化合物）を入れた。該反応混合物を、１時間還流加熱し、引き続き冷却させ、そしてトルエンでのクロマトグラフィーによって精製した。
Ｒ_f（トルエン：酢酸エステル １０：１）＝０．６

実施例１１： Ｎ，Ｎ′−ビス（３，５−トリフルオロメチルフェニル）ペルクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの製造

１１．ａ： Ｎ，Ｎ′−ビス（３，５−トリフルオロメチルフェニル）−１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド（本発明によるものではない）の製造

１０．６ｇ（２０ミリモル）の１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物と、１００ｍｌのＮＭＰと、１２．８ｇ（５６ミリモル）の３，５−ビストリフルオロメチルアニリンと、７．２ｇ（１２０ミリモル）の酢酸とからなる混合物を、約７０時間９０℃に加熱した。該反応混合物を、冷却させ、そしてその後に１０００ｍｌの希塩酸に注ぎ、沈殿物を濾別し、水で洗浄し、そして真空中で乾燥させた。生成物を、シリカゲル上でのクロマトグラフィーによってトルエンと石油エーテルからの混合物を使用して、濃度勾配を用いて精製した。８．５２ｇ（４５％）の橙色の粉末が得られた。
Ｒ_f（トルエン：ジクロロメタン １：１）＝０．６７

１１．ｂ： Ｎ，Ｎ′−ビス（３，５−トリフルオロメチルフェニル）ペルクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの製造

７．９ｇの例１１．ａからの混合物と、９５．０ｇ（５５ｍｌ）のクロロスルホン酸と、０．５ｇのヨウ素とからなる混合物を、６０℃に加熱した。５３．０ｇの塩素を、前記混合物の表面下に導通し、そして６０℃で３時間と室温で４８時間の撹拌を行った。該バッチを、氷に入れ、濾過し、そして水で中性になるまで洗浄した。７．３ｇの橙色の粗生成物が得られた。３．０ｇの粗生成物を、１８０ｇのシリカゲル上での石油エーテル／ジクロロメタン（１．５：１）を使用したカラムクロマトグラフィー（直径６．５ｃｍを有するカラム）によって精製した。０．９３ｇの純粋な表題化合物が得られた。
Ｒ_f（トルエン）＝０．６１

実施例１２： Ｎ，Ｎ′−ビス（１Ｈ，１′Ｈ，２Ｈ，２′Ｈ−ペルフルオロデシル）オクタクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの製造
１２．ａ： Ｎ，Ｎ′−ビス（１Ｈ，１′Ｈ，２Ｈ，２′Ｈ−ペルフルオロデシル）−１，６，７，１２−テトラクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド（本発明によるものではない）の製造

該化合物は、実施例６．ａの方法と同様にして製造された。

１２．ｂ： Ｎ，Ｎ′−ビス（１Ｈ，１′Ｈ，２Ｈ，２′Ｈ−ペルフルオロデシル）オクタクロロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの製造

塩素化は、全体で４回に分けて２１２ｇの塩素を４日間の時間にわたり６０℃で導通したことを除き、実施例１１．ｂと同様に行った。該反応混合物を、氷水に入れ、濾過し、水で中性になるまで洗浄し、そして真空中で乾燥させた。６．０ｇの橙色の粗生成物を、１８０ｇのシリカゲル上でのトルエン／石油エーテル（１：１）を使用したカラムクロマトグラフィー（直径６．５ｃｍを有するカラム）によって精製した。３．８ｇの純粋な表題化合物が得られた。
Ｒ_f（トルエン）＝０．７２

実施例１３及び１４の化合物を、同様にして製造した。

実施例１３： オクタクロロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの製造

実施例１４： オクタフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの製造

電界効果トランジスタ特性データの調査のための一般的方法
１． 物理蒸着（ＰＶＤ）による半導体基板の製造
ゲート誘電体として熱的堆積された酸化物層（３００ｎｍ）（静電容量Ｃ_i＝１０ｎＦ／ｃｍ²）を有する高ドープされたｎ型（１００ｎｍ）シリコンウェハ（導電性＜０．００４Ω^-1ｃｍ）を、基板として使用した。被覆された基板を、アセトンとイソプロパノールですすぐことによって清浄化した。半導体化合物を、真空中で２５〜１５０℃の定義された堆積温度（典型的には１２５℃で）で蒸発させ、０．３〜０．５Å／ｓの範囲の堆積速度と１０^-6トルの圧力で真空被覆装置（Ａｎｇｓｔｒｏｍ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｉｎｃ．，カナダ）中で基板上に堆積させた。得られた材料の電荷移動度の測定のために、ＴＦＴをトップコンタクト型の構成で準備した。このために、金からなるソース電極とドレイン電極（典型的には１００μｍのチャネル長及び約２０の長さ／幅比率）を気相堆積によってシャドウマスクを通じて堆積させた。ＴＦＴの電気的特性を、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ４２００−ＳＣＳ型の半導体パラメータアナライザによって測定した。

２． 表面処理
ａ）ＯＴＳ−Ｖ
ＳｉＯ₂で被覆されたウェハを、アセトンとイソプロパノールですすぐことによって清浄化した後に、その表面を、付加的に例えばｎ−オクタデシルトリエトキシシラン（ＯＴＳ，Ｃ₁₈Ｈ₃₇Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃）で変性してよい。そのために、数滴のＯＴＳ（Ａｌｄｒｉｃｈ ＣＨｅｍ．Ｃｏ．）を、真空乾燥機中で予熱された表面（約１００℃）に与えた。該乾燥機の減圧を行い、そして基板を少なくとも５時間真空下で保持した（２５ｍｍＨｇ）。引き続き、基板を１１０℃で１５分間ベークし、イソプロパノールですすぎ、窒素流内で乾燥させた。

ｂ）未変性の表面
ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板を、トルエン、アセトン、そしてイソプロパノールですすぎ、窒素流中で乾燥させた。清浄化されたウェハを、更なる表面変性をすることなく使用した。

３． 精製
化合物の精製は、３帯域勾配昇華によって行われる。

実施例１５： 実施例２からの化合物を有する電界効果トランジスタ

該化合物を、１２５℃で堆積させた。その素子を、窒素下でも、空気雰囲気下でも測定した。その結果を第１表に列挙する。

第１表：

^* 相対空気湿度： 約４２％
ｎ．ｂ． 測定せず

実施例１６： 実施例６．ｂからの化合物を有する電界効果トランジスタ

該化合物を、１２５℃で堆積させた。その素子を、窒素下でも、空気雰囲気下でも測定した。その結果を第２表に列挙する。

第２表：

^* 相対空気湿度： 約４２％
ｎ．ｂ． 測定せず

実施例１７： 実施例３からの化合物を有する電界効果トランジスタ

該化合物を、１２５℃で堆積させた。その素子を、窒素下でも、空気雰囲気下でも測定した。その結果を第３表に列挙する。

第３表：

^* 相対空気湿度： 約４２％

Claims (21)

1. 一般式（Ｉ．Ａ）、（Ｉ．Ｂａ）、（Ｉ．Ｂｂ１）又は（Ｉ．Ｂｂ２）：
   

   

   

   

   ［式中、
   Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴は、すべて塩素であるか、又はすべてフッ素であり、
   式（Ｉ．Ｂａ）中のＲ^a及びＲ^bは、互いに無関係に、水素、２，２，２−トリフルオロエチル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、２，２−ジフルオロエチル、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチルともいう）、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、１Ｈ，１Ｈ−ペンタデカフルオロオクチル（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチルともいう）、３−ブロモ−３，３−ジフルオロプロピル、３，３，３−トリフルオロプロピル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシル（１Ｈ，１′Ｈ，２Ｈ，２′Ｈ−ペルフルオロデシルともいう）、３−（ペルフルオロオクチル）プロピル、４，４−ジフルオロブチル、４，４，４−トリフルオロブチル、５，５，６，６，６−ペンタフルオロヘキシル、２，２−ジフルオロプロピル又は非置換であるかもしくは置換されたシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールであり、
   式（Ｉ．Ｂｂ１）又は（Ｉ．Ｂｂ２）中のＸは、二価の架橋基であって、その両端の結合の間に２〜５個の原子を有する基である］の化合物を、発光材料、電荷輸送材料又は励起子輸送材料として用いる使用。
2. Ｒ^a及びＲ^bが１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル又は１Ｈ，１′Ｈ，２Ｈ，２′Ｈ−ペルフルオロデシルである、請求項１に記載の使用。
3. 架橋基Ｘが式（ＩＩＩ．ａ）〜（ＩＩＩ．ｄ）：
   

   

   ［式中、
   Ｒ^IV、Ｒ^V、Ｒ^VI、Ｒ^VII、Ｒ^VIII及びＲ^IXは、互いに無関係に、水素、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘテロアリール、ヘテロアリールオキシ、ハロゲン、ヒドロキシ、メルカプト、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ₃Ｈ、スルホネート、ＮＥ¹Ｅ²、アルキレン−ＮＥ¹Ｅ²、ニトロ、アルコキシカルボニル、アシル又はシアノであり、
   Ｅ¹及びＥ²は、互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリールである］の群から選択される、請求項１または２に記載の使用。
4. 式（ＩＩＩ．ａ）〜（ＩＩＩ．ｄ）の基におけるＲ^IV、Ｒ^V、Ｒ^VI、Ｒ^VII、Ｒ^VIII及びＲ^IXがそれぞれ水素である、請求項３に記載の使用。
5. 以下の化合物：
   

   

   

   

   

   を発光材料、電荷輸送材料又は励起子輸送材料として用いる使用。
6. 請求項１から４までのいずれか１項で定義される一般式（Ｉ．Ａ）、（Ｉ．Ｂａ）、（Ｉ．Ｂｂ１）又は（Ｉ．Ｂｂ２）の化合物あるいは請求項５に記載の化合物を、有機電界効果トランジスタ、有機太陽電池及び有機発光ダイオードにおける電子伝導体として用いる使用。
7. 有機電界効果トランジスタにおける半導体材料として用いる、請求項６に記載の使用。
8. 請求項１から４までのいずれか１項で定義される一般式（Ｉ．Ａ）、（Ｉ．Ｂａ）、（Ｉ．Ｂｂ１）又は（Ｉ．Ｂｂ２）の化合物あるいは請求項５に記載の化合物を、有機発光ダイオードにおける発光材料として用いる使用。
9. 請求項１から４までのいずれか１項で定義される一般式（Ｉ．Ａ）、（Ｉ．Ｂａ）、（Ｉ．Ｂｂ１）又は（Ｉ．Ｂｂ２）の化合物あるいは請求項５に記載の化合物を、有機太陽光発電における活物質として、又は励起子型太陽電池における励起子輸送材料として用いる使用。
10. 式（Ｉ）：
    

    

    ［式中、
    Ｙ¹は、ＮＲ ^a を表し、
    Ｙ²は、ＮＲ ^b を表し、
    Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³及びＺ⁴は、Ｏを表し、
    Ｙ¹がＮＲ^aであるとき、基Ｚ¹及びＺ²の一方はＮＲ^cを表してよく、その際、基Ｒ^a及びＲ^cは、一緒になって、架橋基Ｘを形成し、
    Ｙ²がＮＲ^bであるとき、基Ｚ³及びＺ⁴の一方はＮＲ^dを表してよく、その際、基Ｒ^b及びＲ^dは、一緒になって、架橋基Ｘを形成し、
    Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³ 及びＲ²⁴ は、すべて塩素であるか、又はすべてフッ素であり、
    Ｒ ^a 及びＲ ^b は、互いに無関係に、水素、２，２，２−トリフルオロエチル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、２，２−ジフルオロエチル、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチルともいう）、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、１Ｈ，１Ｈ−ペンタデカフルオロオクチル（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチルともいう）、３−ブロモ−３，３−ジフルオロプロピル、３，３，３−トリフルオロプロピル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシル（１Ｈ，１′Ｈ，２Ｈ，２′Ｈ−ペルフルオロデシルともいう）、３−（ペルフルオロオクチル）プロピル、４，４−ジフルオロブチル、４，４，４−トリフルオロブチル、５，５，６，６，６−ペンタフルオロヘキシル、２，２−ジフルオロプロピル又は非置換であるかもしくは置換されたシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールであり、
    Ｘは、二価の架橋基であって、その両端の結合の間に２〜５個の原子を有する基である］の化合物の製造方法であって、
    ａ）式（ＩＩ）
    

    

    ［式中、
    Ｙ¹、Ｙ²、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³及びＺ⁴は上記に定義した通りであり、
    Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴は、水素及びＣｌから選択され、
    その際、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴の少なくとも１つは、水素を表し、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴の０〜７つは、Ｃｌを表す］の化合物を塩素化に供して、式（Ｉ）で示され、その式中、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴がすべて塩素である化合物を得る工程と、
    ｂ）場合により工程ａ）で得られた式（Ｉ）の化合物を、部分的にもしくは完全に塩素のフッ素による交換に供する工程と
    によって行う製造方法。
11. 式（ＩＩ）の化合物の塩素化を、クロロスルホン酸中での塩素との反応によって、かつ触媒量のヨウ素の存在下で行う、請求項１０に記載の方法。
12. 工程ａ）で得られた式（Ｉ）の化合物での塩素のフッ素による交換を、フッ化アルカリとの反応によって、無水の条件下で行う、請求項１０又は１１に記載の方法。
13. 一般式（Ｉ）：
    

    

    ［式中、
    Ｙ¹は、ＮＲ ^a を表し、
    Ｙ²は、ＮＲ ^b を表し、
    Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³及びＺ⁴は、Ｏを表し、
    Ｙ¹がＮＲ^aであるとき、基Ｚ¹及びＺ²の一方はＮＲ^cを表してよく、その際、基Ｒ^a及びＲ^cは、一緒になって、架橋基Ｘを形成し、
    Ｙ²がＮＲ^bであるとき、基Ｚ³及びＺ⁴の一方はＮＲ^dを表してよく、その際、基Ｒ^b及びＲ^dは、一緒になって、架橋基Ｘを形成し、
    Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³ 及びＲ²⁴は、すべて塩素であるか、又はすべてフッ素であり、
    Ｒ ^a 及びＲ ^b は、互いに無関係に、水素、２，２，２−トリフルオロエチル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、２，２−ジフルオロエチル、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチルともいう）、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、１Ｈ，１Ｈ−ペンタデカフルオロオクチル（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチルともいう）、３−ブロモ−３，３−ジフルオロプロピル、３，３，３−トリフルオロプロピル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシル（１Ｈ，１′Ｈ，２Ｈ，２′Ｈ−ペルフルオロデシルともいう）、３−（ペルフルオロオクチル）プロピル、４，４−ジフルオロブチル、４，４，４−トリフルオロブチル、５，５，６，６，６−ペンタフルオロヘキシル、２，２−ジフルオロプロピル又は非置換であるかもしくは置換されたシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールであり、
    Ｘは、二価の架橋基であって、その両端の結合の間に２〜５個の原子を有する基である］の化合物。
14. 式（Ｉ．Ａ）
    

    

    ［式中、
    Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴は、すべてフッ素である］の化合物。
15. 式（Ｉ．Ｂａ）
    

    

    ［式中、
    Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³ 及びＲ²⁴は、すべて塩素であるか、又はすべてフッ素であり、
    Ｒ ^a 及びＲ ^b は、互いに無関係に、水素、２，２，２−トリフルオロエチル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、２，２−ジフルオロエチル、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチルともいう）、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、１Ｈ，１Ｈ−ペンタデカフルオロオクチル（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチルともいう）、３−ブロモ−３，３−ジフルオロプロピル、３，３，３−トリフルオロプロピル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシル（１Ｈ，１′Ｈ，２Ｈ，２′Ｈ−ペルフルオロデシルともいう）、３−（ペルフルオロオクチル）プロピル、４，４−ジフルオロブチル、４，４，４−トリフルオロブチル、５，５，６，６，６−ペンタフルオロヘキシル、２，２−ジフルオロプロピル又は非置換であるかもしくは置換されたシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールである］の化合物。
16. 式（Ｉ．Ｂｂ１）及び（Ｉ．Ｂｂ２）
    

    

    ［式中、
    Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³ 及びＲ²⁴は、すべて塩素であるか、又はすべてフッ素であり、
    Ｘは、二価の架橋基であって、その両端の結合の間に２〜５個の原子を有する基である］の化合物。
17. 少なくとも１つのゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極と、ｎ型半導体としての請求項１から４までのいずれか１項で定義される式（Ｉ．Ａ）、（Ｉ．Ｂａ）、（Ｉ．Ｂｂ１）又は（Ｉ．Ｂｂ２）の少なくとも１種の化合物あるいは請求項５に記載の化合物とを有する基板を含む、有機電界効果トランジスタ。
18. 請求項１から４までのいずれか１項で定義される式（Ｉ．Ａ）、（Ｉ．Ｂａ）、（Ｉ．Ｂｂ１）又は（Ｉ．Ｂｂ２）の少なくとも１種の化合物あるいは請求項５に記載の化合物を含む有機太陽電池。
19. 請求項１から４までのいずれか１項で定義される式（Ｉ．Ａ）、（Ｉ．Ｂａ）、（Ｉ．Ｂｂ１）又は（Ｉ．Ｂｂ２）の少なくとも１種の化合物あるいは請求項５に記載の化合物を含む有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。
20. 多数の有機電界効果トランジスタを有する基板であって、該電界効果トランジスタの少なくとも一部が、ｎ型半導体として、請求項１から４までのいずれか１項で定義される式（Ｉ．Ａ）、（Ｉ．Ｂａ）、（Ｉ．Ｂｂ１）又は（Ｉ．Ｂｂ２）の少なくとも１種の化合物あるいは請求項５に記載の化合物を含有する前記基板。
21. 請求項２０で定義される少なくとも１つの基板を含む半導体素子。