JP2002208486A - 有機電子デバイス - Google Patents
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- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 著しく移動度の高い特殊な有機材料ではな
く、より広範な有機材料を用いて従来の有機トランジス
タに相当する機能を有する非線型素子が形成し、製造が
容易でかつ信頼性も高い有機電子デバイスを提供する。 【解決手段】 基板１００上に、有機ＬＥＤ素子４と、
これに流れる電流を制御する非線型素子１及び３を有す
る有機電子デバイスにおいて、この非線型素子が、金属
層１０３を有機層１０２，１０４で挟持した構造を有
し、一部の電流がこの金属層１０３を通して有機層１０
２，１０４の間を流れるように構成したことを特徴とす
る。
く、より広範な有機材料を用いて従来の有機トランジス
タに相当する機能を有する非線型素子が形成し、製造が
容易でかつ信頼性も高い有機電子デバイスを提供する。 【解決手段】 基板１００上に、有機ＬＥＤ素子４と、
これに流れる電流を制御する非線型素子１及び３を有す
る有機電子デバイスにおいて、この非線型素子が、金属
層１０３を有機層１０２，１０４で挟持した構造を有
し、一部の電流がこの金属層１０３を通して有機層１０
２，１０４の間を流れるように構成したことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電荷注入型発光素子
の駆動回路に関し、より詳しくは有機活性層を有する有
機電荷注入型発光素子とその駆動回路を同一基板上に一
体に形成した有機発光素子デバイスに関する。
の駆動回路に関し、より詳しくは有機活性層を有する有
機電荷注入型発光素子とその駆動回路を同一基板上に一
体に形成した有機発光素子デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】電荷注入型の発光素子としては、ＧａＡ
ｓや、ＧａＰ、ＧａＮ等の無機単結晶を用いた発光ダイ
オード（ＬＥＤ）が広く用いられているが、有機発光材
料の研究も以前から行われていた。例えば、ポープ（Ｐ
ｏｐｅ）らは、１９６３年にアントラセン単結晶を用い
た有機材料の電界発光現象を報告している（Ｊ．Ｃｈｅ
ｍ．Ｐｈｙｓ．３８（１９６３）２０４２）。また、ヘ
ルフリッヒ（Ｈｅｌｆｉｎｃｈ）とシュナイダー（Ｓｃ
ｈｎｅｉｄｅｒ）は１９６５年に、注入効率のよい溶液
電極系を用いる事により比較的強い注入型ＥＬ（エレク
トロルミネッセンス）の観測に成功している（Ｐｈｙ
ｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．１４（１９６５）２２９）。
ｓや、ＧａＰ、ＧａＮ等の無機単結晶を用いた発光ダイ
オード（ＬＥＤ）が広く用いられているが、有機発光材
料の研究も以前から行われていた。例えば、ポープ（Ｐ
ｏｐｅ）らは、１９６３年にアントラセン単結晶を用い
た有機材料の電界発光現象を報告している（Ｊ．Ｃｈｅ
ｍ．Ｐｈｙｓ．３８（１９６３）２０４２）。また、ヘ
ルフリッヒ（Ｈｅｌｆｉｎｃｈ）とシュナイダー（Ｓｃ
ｈｎｅｉｄｅｒ）は１９６５年に、注入効率のよい溶液
電極系を用いる事により比較的強い注入型ＥＬ（エレク
トロルミネッセンス）の観測に成功している（Ｐｈｙ
ｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．１４（１９６５）２２９）。
【０００３】それ以来、米国特許３，１７２，８６２
号、米国特許３，１７３，０５０号、米国特許３，７１
０，１６７号、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．４４（１９６
６）２９０２、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．５０（１９６
９）１４３６４、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．５８（１９
７３）１５４２、あるいはＣｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．３６（１９７５）３４５等に報告されているよう
に、有機発光性物質を形成する研究が種々行われたが、
発光強度が弱い、或いは発光に高電圧が必要である等の
問題があり、実用レベルの素子を得るには至らなかっ
た。
号、米国特許３，１７３，０５０号、米国特許３，７１
０，１６７号、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．４４（１９６
６）２９０２、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．５０（１９６
９）１４３６４、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．５８（１９
７３）１５４２、あるいはＣｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．３６（１９７５）３４５等に報告されているよう
に、有機発光性物質を形成する研究が種々行われたが、
発光強度が弱い、或いは発光に高電圧が必要である等の
問題があり、実用レベルの素子を得るには至らなかっ
た。
【０００４】しかし近年タン（Ｔａｎｇ）らは（Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１９８７）９１３ある
いは米国特許４，３５６，４２９号）、陽極と陰極の間
に極めて薄い層（電荷輸送層と発光層）を真空蒸着で積
層した有機ＬＥＤ素子を考案し、低い駆動電圧で高輝度
を実現した。この種の積層型有機ＬＥＤデバイスはその
後、活発に研究され、最近ではフラットパネルディスプ
レイヘの応用をはじめとする広範な用途の可能性が現実
のものとなってきている。
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１９８７）９１３ある
いは米国特許４，３５６，４２９号）、陽極と陰極の間
に極めて薄い層（電荷輸送層と発光層）を真空蒸着で積
層した有機ＬＥＤ素子を考案し、低い駆動電圧で高輝度
を実現した。この種の積層型有機ＬＥＤデバイスはその
後、活発に研究され、最近ではフラットパネルディスプ
レイヘの応用をはじめとする広範な用途の可能性が現実
のものとなってきている。
【０００５】図９に有機ＬＥＤ素子の代表的な構成を示
す。図中、５００は基板である。５０１は発光部たる有
機ＬＥＤ素子の陽極をなすインジウム／スズ酸化物（Ｉ
ＴＯ）よりなる透明電極である。５０２は芳香族ジアミ
ン（式１）等の有機正孔輸送材料よりなる有機ＬＥＤ素
子の正孔輸送層である。５０３はトリス（８キノリノラ
ト）アルミニウム錯体（式２）等の有機電子輸送材料よ
りなる有機ＬＥＤ素子の電子輸送層である。５０４はＡ
ｌやＭｇ：Ａｇ合金等の仕事関数の低い物質よりなる有
機ＬＥＤ素子の陰極である。
す。図中、５００は基板である。５０１は発光部たる有
機ＬＥＤ素子の陽極をなすインジウム／スズ酸化物（Ｉ
ＴＯ）よりなる透明電極である。５０２は芳香族ジアミ
ン（式１）等の有機正孔輸送材料よりなる有機ＬＥＤ素
子の正孔輸送層である。５０３はトリス（８キノリノラ
ト）アルミニウム錯体（式２）等の有機電子輸送材料よ
りなる有機ＬＥＤ素子の電子輸送層である。５０４はＡ
ｌやＭｇ：Ａｇ合金等の仕事関数の低い物質よりなる有
機ＬＥＤ素子の陰極である。
【０００６】
【化１】
【０００７】この有機ＬＥＤ素子の陽極と陰極に電圧が
印加されると、陽極から正孔輸送層に注入された正孔
と、陰極から電子注入層を介して電子輸送層に注入され
た電子とが再結合し、発光を生じる。
印加されると、陽極から正孔輸送層に注入された正孔
と、陰極から電子注入層を介して電子輸送層に注入され
た電子とが再結合し、発光を生じる。
【０００８】このような有機ＬＥＤ素子をフラットパネ
ルディスプレイに応用するためには、有機ＬＥＤ素子を
有する微小な画素を複数配列し、各画素の発光を個別に
制御可能とする必要が有る。そのためには、もっとも簡
単には基板上に複数の平行するストライプ状の陽極を形
成し、その上に正孔輸送層、電子輸送層を積層して、さ
らにその上に、陽極とは直交する方向にストライプ状の
陰極を形成して、陽極と陰極の各交点を画素とする単純
マトリクスを形成する方法がある。これを駆動するに
は、例えば互いに平行なストライプ状に形成された陰極
の各ラインを、１ラインづつ順次負電源に接続しては開
放し、これに同期して、陽極を正電源に接続あるいは開
放する。このようにすることによって、各画素は、それ
につながる陰極が負電源に接続されている瞬間だけ、そ
の瞬間に陽極が正電源に接続されているか否かに応じて
点滅する。
ルディスプレイに応用するためには、有機ＬＥＤ素子を
有する微小な画素を複数配列し、各画素の発光を個別に
制御可能とする必要が有る。そのためには、もっとも簡
単には基板上に複数の平行するストライプ状の陽極を形
成し、その上に正孔輸送層、電子輸送層を積層して、さ
らにその上に、陽極とは直交する方向にストライプ状の
陰極を形成して、陽極と陰極の各交点を画素とする単純
マトリクスを形成する方法がある。これを駆動するに
は、例えば互いに平行なストライプ状に形成された陰極
の各ラインを、１ラインづつ順次負電源に接続しては開
放し、これに同期して、陽極を正電源に接続あるいは開
放する。このようにすることによって、各画素は、それ
につながる陰極が負電源に接続されている瞬間だけ、そ
の瞬間に陽極が正電源に接続されているか否かに応じて
点滅する。
【０００９】この方法は簡単ではあるが、複数ある陰極
のラインうち、ある瞬間にはただ一つのラインだけが負
電源に接続されているので、そのラインにつらなる画素
のみが陽極が正電源に接続されているか否かに応じて点
滅し、他の画素はすべて陽極が正電源に接続されている
か否かに関係なく消灯している、という動作をするた
め、陰極のライン数が多くなると画素の点灯デューティ
が小さくなるという特性がある。
のラインうち、ある瞬間にはただ一つのラインだけが負
電源に接続されているので、そのラインにつらなる画素
のみが陽極が正電源に接続されているか否かに応じて点
滅し、他の画素はすべて陽極が正電源に接続されている
か否かに関係なく消灯している、という動作をするた
め、陰極のライン数が多くなると画素の点灯デューティ
が小さくなるという特性がある。
【００１０】このため、点灯の瞬間の輝度は高くとも、
一定時間の平均輝度である実効輝度は、画素が多くなっ
て陰極のライン数が多くなると低下するという欠点があ
る。
一定時間の平均輝度である実効輝度は、画素が多くなっ
て陰極のライン数が多くなると低下するという欠点があ
る。
【００１１】この点を改善するため、各画素にトランジ
スタを設けた有機ＬＥＤデバイスが提案されている。
スタを設けた有機ＬＥＤデバイスが提案されている。
【００１２】このような有機ＬＥＤデバイスの例を示
す。
す。
【００１３】図１０はこのような有機ＬＥＤデバイスの
単一画素の等価回路を示す図である。
単一画素の等価回路を示す図である。
【００１４】図１０中、６０１はこの画素を構成する第
一の薄膜トランジスタ（アドレストランジスタ）、６０
２は蓄積コンデンサ、６０３は第二の薄膜トランジスタ
（駆動トランジスタ）、６０４は発光部たる有機ＬＥＤ
素子、である。また、Ｐｄはアドレストランジスタのソ
ース電極につらなる電極、Ｐｃは蓄積コンデンサの第二
の側、及び駆動トランジスタのゲート電極につらなる電
極、Ｐｓはアドレストランジスタのゲート電極につらな
る電極、Ｐｖは蓄積コンデンサの第一の側、及び駆動ト
ランジスタのソース電極につらなる電極、Ｐｌｅｄは有
機ＬＥＤ素子６０４の陰極につらなる電極、を示す。
一の薄膜トランジスタ（アドレストランジスタ）、６０
２は蓄積コンデンサ、６０３は第二の薄膜トランジスタ
（駆動トランジスタ）、６０４は発光部たる有機ＬＥＤ
素子、である。また、Ｐｄはアドレストランジスタのソ
ース電極につらなる電極、Ｐｃは蓄積コンデンサの第二
の側、及び駆動トランジスタのゲート電極につらなる電
極、Ｐｓはアドレストランジスタのゲート電極につらな
る電極、Ｐｖは蓄積コンデンサの第一の側、及び駆動ト
ランジスタのソース電極につらなる電極、Ｐｌｅｄは有
機ＬＥＤ素子６０４の陰極につらなる電極、を示す。
【００１５】Ｐｓには選択信号が印加され、Ｐｄにはデ
ータ信号が印加され、Ｐｃには蓄積コンデンサの充放電
によりデータ信号に応じた電位が現れる。Ｐｖ、及びＰ
ｌｅｄは固定電位である。
ータ信号が印加され、Ｐｃには蓄積コンデンサの充放電
によりデータ信号に応じた電位が現れる。Ｐｖ、及びＰ
ｌｅｄは固定電位である。
【００１６】この回路は次のように動作する。
【００１７】Ｐｓに印加される選択信号が選択状態（高
電位状態）になるとＰｓの電位は上昇する。この結果、
アドレストランジスタのソース、ドレイン間が導通し、
Ｐｄに現れるデータ信号に応じて蓄積コンデンサ６０２
に電流が流出入して駆動トランジスタのソース電極とゲ
ート電極との電位差、つまりＰｖとＰｃの電位差はＰｄ
に現れたデータ信号に応じた値となる。このため、駆動
トランジスタ６０３にはデータ信号に応じた電流が流
れ、有機ＬＥＤ素子６０４がデータ信号に応じた輝度で
発光する。Ｐｓに印加される選択信号が非選択状態（低
電位状態）になるとアドレストランジスタのソース、ド
レイン間が非導通となり、Ｐｄに現れるデータ信号が変
化しても、アドレストランジスタ６０１を通じては蓄積
コンデンサ６０２には電流が流出入せず、ＰｃとＰｖの
電位差はほとんど変化しないため、有機ＬＥＤ素子６０
４の発光はその影響をほとんど受けない。
電位状態）になるとＰｓの電位は上昇する。この結果、
アドレストランジスタのソース、ドレイン間が導通し、
Ｐｄに現れるデータ信号に応じて蓄積コンデンサ６０２
に電流が流出入して駆動トランジスタのソース電極とゲ
ート電極との電位差、つまりＰｖとＰｃの電位差はＰｄ
に現れたデータ信号に応じた値となる。このため、駆動
トランジスタ６０３にはデータ信号に応じた電流が流
れ、有機ＬＥＤ素子６０４がデータ信号に応じた輝度で
発光する。Ｐｓに印加される選択信号が非選択状態（低
電位状態）になるとアドレストランジスタのソース、ド
レイン間が非導通となり、Ｐｄに現れるデータ信号が変
化しても、アドレストランジスタ６０１を通じては蓄積
コンデンサ６０２には電流が流出入せず、ＰｃとＰｖの
電位差はほとんど変化しないため、有機ＬＥＤ素子６０
４の発光はその影響をほとんど受けない。
【００１８】このような有機ＬＥＤデバイスにおいて
は、各画素にアドレストランジスタや駆動トランジスタ
や蓄積コンデンサを設けて、選択期間中のデータ信号に
対応した電荷を蓄積コンデンサに蓄えておき、非選択期
間中も蓄積された電荷に応じて有機ＬＥＤ素子が発光し
続けるため、多数の画素を配列したデバイスであって
も、各画素の発光デューティを高くとれ、実効的な輝度
が低下しないという利点がある。
は、各画素にアドレストランジスタや駆動トランジスタ
や蓄積コンデンサを設けて、選択期間中のデータ信号に
対応した電荷を蓄積コンデンサに蓄えておき、非選択期
間中も蓄積された電荷に応じて有機ＬＥＤ素子が発光し
続けるため、多数の画素を配列したデバイスであって
も、各画素の発光デューティを高くとれ、実効的な輝度
が低下しないという利点がある。
【００１９】各画素に設けるトランジスタは、多結晶シ
リコン、あるいは非晶質シリコンで形成した薄膜電界効
果型トランジスタとするのが普通である。
リコン、あるいは非晶質シリコンで形成した薄膜電界効
果型トランジスタとするのが普通である。
【００２０】しかしながらそれでは、基板上に多結晶シ
リコン、あるいは非晶質シリコンでトランジスタを形成
するプロセスを一通り通した後、さらに有機ＬＥＤ素子
を形成するプロセスに投入するという工程を経なければ
ならない。プラズマＣＶＤ装置で時間をかけて非晶質シ
リコン膜を堆積したり、堆積された非晶質シリコン膜を
レーザ光で走査してアニールして多結晶シリコン膜に変
換したりという手間と時間のかかる工程が必要であり、
コストアップの要因となってしまう。
リコン、あるいは非晶質シリコンでトランジスタを形成
するプロセスを一通り通した後、さらに有機ＬＥＤ素子
を形成するプロセスに投入するという工程を経なければ
ならない。プラズマＣＶＤ装置で時間をかけて非晶質シ
リコン膜を堆積したり、堆積された非晶質シリコン膜を
レーザ光で走査してアニールして多結晶シリコン膜に変
換したりという手間と時間のかかる工程が必要であり、
コストアップの要因となってしまう。
【００２１】そこで、画素が有するトランジスタを有機
層を用いて構成することにより、従来の非晶質シリコ
ン、多結晶シリコン等を用いて非線形素子を形成する方
法に比べて工程を簡単化してコストを低減する方法も提
案されている。
層を用いて構成することにより、従来の非晶質シリコ
ン、多結晶シリコン等を用いて非線形素子を形成する方
法に比べて工程を簡単化してコストを低減する方法も提
案されている。
【００２２】トランジスタもまた、有機層をもちいて形
成するためには、例えば下記のような構成が考えられ
る。
成するためには、例えば下記のような構成が考えられ
る。
【００２３】図１１はこのような有機ＬＥＤデバイスの
単一画素の平面図を示す図である。図中、７０１はこの
画素を構成する第一の非線型素子、７０２は蓄積コンデ
ンサ、７０３は第二の非線型素子、７０４は発光部たる
有機ＬＥＤ素子である。
単一画素の平面図を示す図である。図中、７０１はこの
画素を構成する第一の非線型素子、７０２は蓄積コンデ
ンサ、７０３は第二の非線型素子、７０４は発光部たる
有機ＬＥＤ素子である。
【００２４】図１２はこのような有機ＬＥＤデバイスの
構成を、断面（図１１中のＡ−Ａ’断面）で示す図であ
る。図中、７０１はこの画素を構成する第一の非線型素
子、７０２は蓄積コンデンサ、７０３は第二の非線型素
子、７０４は発光部たる有機ＬＥＤ素子、８００は基板
である。
構成を、断面（図１１中のＡ−Ａ’断面）で示す図であ
る。図中、７０１はこの画素を構成する第一の非線型素
子、７０２は蓄積コンデンサ、７０３は第二の非線型素
子、７０４は発光部たる有機ＬＥＤ素子、８００は基板
である。
【００２５】８０１はＣｒよりなるアドレストランジス
タのゲート電極である。８０２はＳｉＯ2よりなるアド
レストランジスタのゲート絶縁層である。８０３はオリ
ゴチオフェン（式３）よりなるアドレストランジスタの
活性層である。８０６は、Ａｕよりなるアドレストラン
ジスタのソース電極、およびドレイン電極である。９０
１はＣｒよりなる駆動トランジスタのゲート電極であ
る。９０２はＳｉＯ2よりなる駆動トランジスタのゲー
ト絶縁層である。９０３はオリゴチオフェンよりなる駆
動トランジスタの活性層である。９０６は、Ａｕよりな
る駆動トランジスタのソース電極、およびドレイン電極
である。１００１は発光部たる有機ＬＥＤ素子の陽極を
なすインジウム／スズ酸化物（ＩＴＯ）よりなる透明電
極である。１００２は銅フタロシアニン（式４）よりな
る有機ＬＥＤ素子の正孔注入層である。１００３は芳香
族ジアミンよりなる有機ＬＥＤ素子の有機正孔輸送層で
ある。１００４はトリス（８キノリノラト）アルミニウ
ム錯体よりなる有機ＬＥＤ素子の電子輸送、発光層であ
る。１００５はＬｉＦよりなる有機ＬＥＤ素子の電子注
入層である。１００６は、Ａｌよりなる有機ＬＥＤ素子
の陰極である。
タのゲート電極である。８０２はＳｉＯ2よりなるアド
レストランジスタのゲート絶縁層である。８０３はオリ
ゴチオフェン（式３）よりなるアドレストランジスタの
活性層である。８０６は、Ａｕよりなるアドレストラン
ジスタのソース電極、およびドレイン電極である。９０
１はＣｒよりなる駆動トランジスタのゲート電極であ
る。９０２はＳｉＯ2よりなる駆動トランジスタのゲー
ト絶縁層である。９０３はオリゴチオフェンよりなる駆
動トランジスタの活性層である。９０６は、Ａｕよりな
る駆動トランジスタのソース電極、およびドレイン電極
である。１００１は発光部たる有機ＬＥＤ素子の陽極を
なすインジウム／スズ酸化物（ＩＴＯ）よりなる透明電
極である。１００２は銅フタロシアニン（式４）よりな
る有機ＬＥＤ素子の正孔注入層である。１００３は芳香
族ジアミンよりなる有機ＬＥＤ素子の有機正孔輸送層で
ある。１００４はトリス（８キノリノラト）アルミニウ
ム錯体よりなる有機ＬＥＤ素子の電子輸送、発光層であ
る。１００５はＬｉＦよりなる有機ＬＥＤ素子の電子注
入層である。１００６は、Ａｌよりなる有機ＬＥＤ素子
の陰極である。
【００２６】
【化２】
【００２７】このようにすることにより、非晶質、ある
いは多結晶シリコン等の無機半導体を用いずに駆動トラ
ンジスタを形成することが可能であり、非晶質、あるい
は多結晶シリコンを用いて素子を形成するプロセスがあ
ることによるコストアップを避けることができる。
いは多結晶シリコン等の無機半導体を用いずに駆動トラ
ンジスタを形成することが可能であり、非晶質、あるい
は多結晶シリコンを用いて素子を形成するプロセスがあ
ることによるコストアップを避けることができる。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の有
機トランジスタは、活性層である有機層の中を面内方向
に長距離にわたって電荷を通過させなければならない。
有機材料は一般的にキャリヤの移動度が低く、このよう
な要求は材料選択の幅を著しく狭め、実用化の障壁とな
っていた。
機トランジスタは、活性層である有機層の中を面内方向
に長距離にわたって電荷を通過させなければならない。
有機材料は一般的にキャリヤの移動度が低く、このよう
な要求は材料選択の幅を著しく狭め、実用化の障壁とな
っていた。
【００２９】本発明はかかる問題点に鑑みなされたもの
で、著しく移動度の高い特殊な有機材料ではなく、より
広範な有機材料を用いて従来の有機トランジスタに相当
する機能を有する非線型素子が形成でき、これによって
製造が容易でかつ信頼性も高く、安価な有機ＬＥＤデバ
イスを得る事を目的とするものである。
で、著しく移動度の高い特殊な有機材料ではなく、より
広範な有機材料を用いて従来の有機トランジスタに相当
する機能を有する非線型素子が形成でき、これによって
製造が容易でかつ信頼性も高く、安価な有機ＬＥＤデバ
イスを得る事を目的とするものである。
【００３０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成すべく
成された本発明の構成は以下のとおりである。
成された本発明の構成は以下のとおりである。
【００３１】即ち、本発明は、基板上に有機発光層を陽
極及び陰極により挟持した有機ＬＥＤ素子と、同一基板
上に形成された、該有機ＬＥＤ素子に流れる電流を制御
する非線型素子を有する有機電子デバイスにおいて、該
非線型素子が、少なくとも一つの、主として金属元素よ
りなる金属層を、有機材料よりなる有機層で挟持した構
造を有し、少なくとも一部の電流が、該金属層を通して
それを挟持する有機層の間を流れることを特徴とする。
極及び陰極により挟持した有機ＬＥＤ素子と、同一基板
上に形成された、該有機ＬＥＤ素子に流れる電流を制御
する非線型素子を有する有機電子デバイスにおいて、該
非線型素子が、少なくとも一つの、主として金属元素よ
りなる金属層を、有機材料よりなる有機層で挟持した構
造を有し、少なくとも一部の電流が、該金属層を通して
それを挟持する有機層の間を流れることを特徴とする。
【００３２】また本発明は、該非線型素子の該金属層、
及び該有機層がそれぞれ同一基板上に形成された他の回
路素子と接続されており、一方の該有機層と該金属層と
の間の電位差が変化し、それに伴って該一方の有機層と
他方の有機層の間を流れる電流が変化するように動作す
ることを特徴とする。
及び該有機層がそれぞれ同一基板上に形成された他の回
路素子と接続されており、一方の該有機層と該金属層と
の間の電位差が変化し、それに伴って該一方の有機層と
他方の有機層の間を流れる電流が変化するように動作す
ることを特徴とする。
【００３３】更に本発明は、該非線型素子の少なくとも
一つの該有機層は、該金属層のフェルミ準位よりも高い
エネルギーのＬＵＭＯレベルを有する分子を含有するこ
とを特徴とする。
一つの該有機層は、該金属層のフェルミ準位よりも高い
エネルギーのＬＵＭＯレベルを有する分子を含有するこ
とを特徴とする。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、図を参照しながら本発明の
実施形態例の説明を行う。
実施形態例の説明を行う。
【００３５】図１は本発明の一実施形態に係る有機ＬＥ
Ｄデバイスの構成を、断面で示す図である。
Ｄデバイスの構成を、断面で示す図である。
【００３６】図中、１はこの画素を構成する第一の非線
型素子、３は第二の非線型素子、４は発光部たる有機Ｌ
ＥＤ素子、１００は基板である。１０１は第一の非線型
素子の第一の有機層に接続する電極、１０２は第一の非
線型素子の第一の有機層、１０３は第一の非線型素子の
金属層、１０４は第一の非線型素子の第二の有機層、１
０５は第一の非線型素子の第二の有機層に接続する電
極、１０６は絶縁層である。第二の非線型素子３も、第
一の非線型素子１と同一の構造をしている。
型素子、３は第二の非線型素子、４は発光部たる有機Ｌ
ＥＤ素子、１００は基板である。１０１は第一の非線型
素子の第一の有機層に接続する電極、１０２は第一の非
線型素子の第一の有機層、１０３は第一の非線型素子の
金属層、１０４は第一の非線型素子の第二の有機層、１
０５は第一の非線型素子の第二の有機層に接続する電
極、１０６は絶縁層である。第二の非線型素子３も、第
一の非線型素子１と同一の構造をしている。
【００３７】４０１は発光部たる有機ＬＥＤ素子の陽極
をなす透明電極、４０２は有機ＬＥＤ素子の正孔注入
層、４０３は有機ＬＥＤ素子の有機正孔輸送層、４０４
は有機ＬＥＤ素子の電子輸送、発光層、４０５は有機Ｌ
ＥＤ素子の電子注入層、４０６は有機ＬＥＤ素子の陰極
である。
をなす透明電極、４０２は有機ＬＥＤ素子の正孔注入
層、４０３は有機ＬＥＤ素子の有機正孔輸送層、４０４
は有機ＬＥＤ素子の電子輸送、発光層、４０５は有機Ｌ
ＥＤ素子の電子注入層、４０６は有機ＬＥＤ素子の陰極
である。
【００３８】［第一の有機層］第一の有機層１０２を構
成する材料としては、例えばトリス（８キノリノラト）
アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）以外にも、他の有機金属
錯体、テトラフェニルブタジエン等の芳香族化合物、オ
キサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体等、その他
の有機物であっても、電子輸送性を示すものであればよ
い。ここで電子輸送性の目安は、動作状態の電界強度に
おいて１×１０-5[ｃｍ2／Ｖ・Ｓ]程度以上である。実
際には１×１０-3［ｃｍ2／Ｖ・Ｓ］程度以上が望まし
い。
成する材料としては、例えばトリス（８キノリノラト）
アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）以外にも、他の有機金属
錯体、テトラフェニルブタジエン等の芳香族化合物、オ
キサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体等、その他
の有機物であっても、電子輸送性を示すものであればよ
い。ここで電子輸送性の目安は、動作状態の電界強度に
おいて１×１０-5[ｃｍ2／Ｖ・Ｓ]程度以上である。実
際には１×１０-3［ｃｍ2／Ｖ・Ｓ］程度以上が望まし
い。
【００３９】また、正孔に対する輸送性は小さいものが
望ましいが、有機層に挟持される金属層のフェルミレベ
ルに対して十分低い最高被占軌道（以後、ＨＯＭＯと呼
ぶ）のエネルギーレベルを有するならば、正孔に対する
輸送性はある程度あってもかまわない。
望ましいが、有機層に挟持される金属層のフェルミレベ
ルに対して十分低い最高被占軌道（以後、ＨＯＭＯと呼
ぶ）のエネルギーレベルを有するならば、正孔に対する
輸送性はある程度あってもかまわない。
【００４０】また、ＨＯＭＯのエネルギーレベルは、有
機層に挟持される金属層のフェルミレベルに対して低い
ことが望ましいが、正孔に対する輸送性が十分小さいな
らば、ＨＯＭＯのエネルギーレベルはある程度高くとも
かまわない。
機層に挟持される金属層のフェルミレベルに対して低い
ことが望ましいが、正孔に対する輸送性が十分小さいな
らば、ＨＯＭＯのエネルギーレベルはある程度高くとも
かまわない。
【００４１】［第二の有機層］第二の有機層１０４を構
成する材料も、上記と同様に各種の電子輸送性材料を用
いる事ができる。第一の有機層を構成する材料と第二の
有機層を構成する材料との組み合わせは、必ずしも同じ
材料同士の組み合わせでなくともよい。これら二つの有
機層を構成する材料がお互いに異なっていてもよい。
成する材料も、上記と同様に各種の電子輸送性材料を用
いる事ができる。第一の有機層を構成する材料と第二の
有機層を構成する材料との組み合わせは、必ずしも同じ
材料同士の組み合わせでなくともよい。これら二つの有
機層を構成する材料がお互いに異なっていてもよい。
【００４２】［金属層１０３］金属層１０３を構成する
材料としては、Ａｕ等の各種金属、及びその合金を用い
る事ができる。あるいは、金属シリサイドのように、金
属以外の元素を含むものであってもよい。金属層はその
フェルミレベルが、少なくとも第一の有機層の最低空軌
道（以後、ＬＵＭＯと呼ぶ）のエネルギーレベルより低
い事が必要であり、また、第一の有機層のＨＯＭＯのエ
ネルギーレベルより高い事が望ましい。
材料としては、Ａｕ等の各種金属、及びその合金を用い
る事ができる。あるいは、金属シリサイドのように、金
属以外の元素を含むものであってもよい。金属層はその
フェルミレベルが、少なくとも第一の有機層の最低空軌
道（以後、ＬＵＭＯと呼ぶ）のエネルギーレベルより低
い事が必要であり、また、第一の有機層のＨＯＭＯのエ
ネルギーレベルより高い事が望ましい。
【００４３】［第一の有機層に接続する電極］第一の有
機層に接続する電極１０１を構成する材料としては、例
えばＡｌ、ＡｌＬｉ以外にもＭｇとＡｇの合金や、ス
ズ、マグネシウム、インジウム、アルミニウム、カルシ
ウム等、仕事関数の低い（フェルミレベルの高い）金属
が利用できる。理想的には、フェルミレベルが第一の有
機層のＬＵＭＯのエネルギーレベルと同じかより高い事
が望ましいが、実際には適当な材料が無い、あっても酸
化しやすい等、取り扱いが困難、などの事情がある場合
が多い。現実的には、フェルミレベルが第一の有機層の
ＬＵＭＯのエネルギーレベルより低い材料を用いてもよ
い。この場合、電子注入層を電極と有機層との間に設け
る事が効果がある。この電子注入層の電子注入材料とし
ては、ＬｉＦ等のＬｉ化合物、或いはその他の物質であ
ってもよい。ＳｉＯ2のような絶縁層を金属電極と有機
層の間に設け、キャリヤのトンネル注入を図る構成であ
ってもよい。
機層に接続する電極１０１を構成する材料としては、例
えばＡｌ、ＡｌＬｉ以外にもＭｇとＡｇの合金や、ス
ズ、マグネシウム、インジウム、アルミニウム、カルシ
ウム等、仕事関数の低い（フェルミレベルの高い）金属
が利用できる。理想的には、フェルミレベルが第一の有
機層のＬＵＭＯのエネルギーレベルと同じかより高い事
が望ましいが、実際には適当な材料が無い、あっても酸
化しやすい等、取り扱いが困難、などの事情がある場合
が多い。現実的には、フェルミレベルが第一の有機層の
ＬＵＭＯのエネルギーレベルより低い材料を用いてもよ
い。この場合、電子注入層を電極と有機層との間に設け
る事が効果がある。この電子注入層の電子注入材料とし
ては、ＬｉＦ等のＬｉ化合物、或いはその他の物質であ
ってもよい。ＳｉＯ2のような絶縁層を金属電極と有機
層の間に設け、キャリヤのトンネル注入を図る構成であ
ってもよい。
【００４４】［第二の有機層に接続する電極］第二の有
機層に接続する電極１０５もＡｌ以外にも様々な金属が
利用できる。こちらは電極から有機層に電子を注入する
わけではないので、逆に、フェルミレベルが第二の有機
層のＬＵＭＯのエネルギーレベルと同じかより低い事が
望ましい。Ａｌの他に、金、銀、パラジウム、白金等の
金属、インジウム／スズ酸化物（ＩＴＯ）等の金属酸化
物や、導電性高分子等も使用可能である。
機層に接続する電極１０５もＡｌ以外にも様々な金属が
利用できる。こちらは電極から有機層に電子を注入する
わけではないので、逆に、フェルミレベルが第二の有機
層のＬＵＭＯのエネルギーレベルと同じかより低い事が
望ましい。Ａｌの他に、金、銀、パラジウム、白金等の
金属、インジウム／スズ酸化物（ＩＴＯ）等の金属酸化
物や、導電性高分子等も使用可能である。
【００４５】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明するが、本発明
はこれらの実施例に限定されるものではない。
はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４６】（実施例１）図１は本発明の第一の実施例
の有機ＬＥＤデバイスの構成を、断面で示す図である。
の有機ＬＥＤデバイスの構成を、断面で示す図である。
【００４７】図中、１はこの画素を構成する第一の非線
型素子、３は第二の非線型素子、４は発光部たる有機Ｌ
ＥＤ素子、１００は基板である。
型素子、３は第二の非線型素子、４は発光部たる有機Ｌ
ＥＤ素子、１００は基板である。
【００４８】１０１はＡｌよりなる、第一の非線型素子
の第一の有機層に接続する電極である。１０２はトリス
（８キノリノラト）アルミニウム錯体よりなる、第一の
非線型素子の第一の有機層である。１０３はＡｕよりな
る、第一の非線型素子の金属層である。１０４はトリス
（８キノリノラト）アルミニウム錯体よりなる、第一の
非線型素子の第二の有機層である。１０５はＡｌよりな
る、第一の非線型素子の第二の有機層に接続する電極で
ある。１０６はＳｉＯ2よりなる絶縁層である。
の第一の有機層に接続する電極である。１０２はトリス
（８キノリノラト）アルミニウム錯体よりなる、第一の
非線型素子の第一の有機層である。１０３はＡｕよりな
る、第一の非線型素子の金属層である。１０４はトリス
（８キノリノラト）アルミニウム錯体よりなる、第一の
非線型素子の第二の有機層である。１０５はＡｌよりな
る、第一の非線型素子の第二の有機層に接続する電極で
ある。１０６はＳｉＯ2よりなる絶縁層である。
【００４９】第二の非線型素子３も、第一の非線型素子
１と同一の構造をしている。
１と同一の構造をしている。
【００５０】４０１は発光部たる有機ＬＥＤ素子の陽極
をなすインジウム／スズ酸化物（ＩＴＯ）よりなる透明
電極である。４０２は銅フタロシアニンよりなる有機Ｌ
ＥＤ素子の正孔注入層である。４０３は芳香族ジアミン
よりなる有機ＬＥＤ素子の有機正孔輸送層である。４０
４はトリス（８キノリノラト）アルミニウム錯体）より
なる有機ＬＥＤ素子の電子輸送、発光層である。４０５
はＡｌＬｉよりなる有機ＬＥＤ素子の電子注入層であ
る。４０６はＡｌよりなる有機ＬＥＤ素子の陰極であ
る。
をなすインジウム／スズ酸化物（ＩＴＯ）よりなる透明
電極である。４０２は銅フタロシアニンよりなる有機Ｌ
ＥＤ素子の正孔注入層である。４０３は芳香族ジアミン
よりなる有機ＬＥＤ素子の有機正孔輸送層である。４０
４はトリス（８キノリノラト）アルミニウム錯体）より
なる有機ＬＥＤ素子の電子輸送、発光層である。４０５
はＡｌＬｉよりなる有機ＬＥＤ素子の電子注入層であ
る。４０６はＡｌよりなる有機ＬＥＤ素子の陰極であ
る。
【００５１】図２は、本実施例の非線型素子の金属層、
有機層、有機層に接続する電極にそれぞれ用いられてい
る材料のエネルギーダイアグラムである。
有機層、有機層に接続する電極にそれぞれ用いられてい
る材料のエネルギーダイアグラムである。
【００５２】金属層に用いられているＡｕ、及び有機層
に接続する電極に用いられているＡｌのフェルミ準位
の、真空準位を基準としたエネルギーレベルは光電子放
出法により求められて、それぞれ−５．２２ｅＶ、−
４．２ｅＶである。
に接続する電極に用いられているＡｌのフェルミ準位
の、真空準位を基準としたエネルギーレベルは光電子放
出法により求められて、それぞれ−５．２２ｅＶ、−
４．２ｅＶである。
【００５３】第一、第二の有機層にともに用いられてい
るＡｌｑ３の、ＨＯＭＯのエネルギーレベルは、やはり
光電子放出法により求められて、−５．８ｅＶである。
これに、吸収スペクトルより求められた準位間ギャップ
２．７ｅＶを加えて、ＬＵＭＯのエネルギーレベルは−
３．１ｅＶと求められる。
るＡｌｑ３の、ＨＯＭＯのエネルギーレベルは、やはり
光電子放出法により求められて、−５．８ｅＶである。
これに、吸収スペクトルより求められた準位間ギャップ
２．７ｅＶを加えて、ＬＵＭＯのエネルギーレベルは−
３．１ｅＶと求められる。
【００５４】また、同じくＡｌｑ３の還元電位は、参照
電極に飽和カロメル、電解液にｎ−ブチルアンモニウム
パークロレートの０．１モルジクロロメタン溶液を用い
て、液温２０℃で測定したとき、−２．３Ｖであった。
電極に飽和カロメル、電解液にｎ−ブチルアンモニウム
パークロレートの０．１モルジクロロメタン溶液を用い
て、液温２０℃で測定したとき、−２．３Ｖであった。
【００５５】図３、図４は、本実施例の非線型素子の動
作原理を示す為の、エネルギーダイアグラムである。図
３は遮断状態、図４は動作状態を示す。
作原理を示す為の、エネルギーダイアグラムである。図
３は遮断状態、図４は動作状態を示す。
【００５６】Ａｌよりなる第一の有機層に接続する電極
と第二の有機層に接続する電極を介して、第一の有機層
と第二の有機層の間に電圧Ｖｃを印加しておく。第一の
有機層と金属層との間の電圧をＶｂとする。
と第二の有機層に接続する電極を介して、第一の有機層
と第二の有機層の間に電圧Ｖｃを印加しておく。第一の
有機層と金属層との間の電圧をＶｂとする。
【００５７】図３の遮断状態においてはＶｂがゼロであ
るためキャリヤが第一の有機層から金属層に注入され
ず、また金属層と第二の有機層との間にはエネルギー障
壁が存在する為やはりキャリヤが注入されず、電流は流
れない。
るためキャリヤが第一の有機層から金属層に注入され
ず、また金属層と第二の有機層との間にはエネルギー障
壁が存在する為やはりキャリヤが注入されず、電流は流
れない。
【００５８】図４の動作状態において、Ｖｂが印加され
ると、第一の有機層のＬＵＭＯをホッピング伝導してき
た電子が金属層に飛び出す。その飛び出した電子のう
ち、一部は散乱を受けてエネルギーが低下し、金属層内
の伝導電子として電流Ｉｂとして流れるが、これを免れ
た電子はエネルギーの高いホットエレクトロンとして金
属層を突き抜け、第二の有機層に至り、電流Ｉｃとな
る。
ると、第一の有機層のＬＵＭＯをホッピング伝導してき
た電子が金属層に飛び出す。その飛び出した電子のう
ち、一部は散乱を受けてエネルギーが低下し、金属層内
の伝導電子として電流Ｉｂとして流れるが、これを免れ
た電子はエネルギーの高いホットエレクトロンとして金
属層を突き抜け、第二の有機層に至り、電流Ｉｃとな
る。
【００５９】一方、第一の有機層、第二の有機層のＨＯ
ＭＯのエネルギーレベルは、その間に挟持される金属層
のフェルミレベル、及び第二の有機層に接続する電極の
フェルミレベルにくらべてかなり低いので、これら金属
層、電極から逆に有機層に注入される正孔は非常に少な
い。また、第一の有機層、第二の有機層がともに正孔に
対してはほとんど輸送性を有さないので、有機層内を正
孔が移動することもほとんどない。つまり、正孔の寄与
による電流はほとんど無視できる。
ＭＯのエネルギーレベルは、その間に挟持される金属層
のフェルミレベル、及び第二の有機層に接続する電極の
フェルミレベルにくらべてかなり低いので、これら金属
層、電極から逆に有機層に注入される正孔は非常に少な
い。また、第一の有機層、第二の有機層がともに正孔に
対してはほとんど輸送性を有さないので、有機層内を正
孔が移動することもほとんどない。つまり、正孔の寄与
による電流はほとんど無視できる。
【００６０】Ｉｂ、Ｉｃの大きさは電圧Ｖｂによって変
化し、ＩｂとＩｃの和に等しい電流Ｉｅの大きさもまた
電圧Ｖｂによって変化する。このことにより、電圧Ｖｂ
を変化させて電流Ｉｃ、あるいは電流Ｉｅを制御するこ
とが可能となる。
化し、ＩｂとＩｃの和に等しい電流Ｉｅの大きさもまた
電圧Ｖｂによって変化する。このことにより、電圧Ｖｂ
を変化させて電流Ｉｃ、あるいは電流Ｉｅを制御するこ
とが可能となる。
【００６１】即ち、この非線型素子は、第一の有機層を
エミッタ、第二の有機層をコレクタ、その間に挟持する
金属層をべースとしてみなしたときのバイポーラトラン
ジスタと類似の動作を有する。
エミッタ、第二の有機層をコレクタ、その間に挟持する
金属層をべースとしてみなしたときのバイポーラトラン
ジスタと類似の動作を有する。
【００６２】電流Ｉｃ、Ｉｅは有機層の中を通過する
が、面内方向にではなく、膜厚方向に通過する。従っ
て、その通過距離は著しく短く、有機層の移動度が比較
的小さくとも、機能することができる。
が、面内方向にではなく、膜厚方向に通過する。従っ
て、その通過距離は著しく短く、有機層の移動度が比較
的小さくとも、機能することができる。
【００６３】電流Ｉｂは面内方向に流れるが、こちらは
金属層の中を流れる為、金属層の抵抗が小さければ問題
ない。
金属層の中を流れる為、金属層の抵抗が小さければ問題
ない。
【００６４】従って、有機層を構成する材料としては、
従来の有機トランジスタに比べてより広範囲の有機物を
利用することができる。
従来の有機トランジスタに比べてより広範囲の有機物を
利用することができる。
【００６５】上述の非線型素子は、金属層の厚さがある
程度以上あると、第一の有機層から飛び出した電子のほ
とんどが金属層の中で散乱されてエネルギーを失い、第
二の有機層に到達する電子の数が著しく減少してしまう
ため、金属層の厚さは、膜として成膜できる限り薄いほ
うが望ましい。実際的には１００Åあたりが目安であ
る。
程度以上あると、第一の有機層から飛び出した電子のほ
とんどが金属層の中で散乱されてエネルギーを失い、第
二の有機層に到達する電子の数が著しく減少してしまう
ため、金属層の厚さは、膜として成膜できる限り薄いほ
うが望ましい。実際的には１００Åあたりが目安であ
る。
【００６６】金属層内で散乱された電子は金属層内を面
内方向に流れる電流Ｉｂを構成するので、一般にＩｂは
大きくなりやすく、その分Ｉｃは小さくなりやすい。少
しでも多くの電流を有機ＬＥＤデバイスに流したい場合
は、この非線型素子の第一の有機層の側が有機ＬＥＤ素
子の陽極につながるようにして、電流Ｉｅが有機ＬＥＤ
素子に流れるようにしたほうが、非線型素子の第二の有
機層の側が有機ＬＥＤ素子の陰極につながり電流Ｉｃが
有機ＬＥＤ素子に流れるような構成にした場合よりもよ
い。
内方向に流れる電流Ｉｂを構成するので、一般にＩｂは
大きくなりやすく、その分Ｉｃは小さくなりやすい。少
しでも多くの電流を有機ＬＥＤデバイスに流したい場合
は、この非線型素子の第一の有機層の側が有機ＬＥＤ素
子の陽極につながるようにして、電流Ｉｅが有機ＬＥＤ
素子に流れるようにしたほうが、非線型素子の第二の有
機層の側が有機ＬＥＤ素子の陰極につながり電流Ｉｃが
有機ＬＥＤ素子に流れるような構成にした場合よりもよ
い。
【００６７】図５は本実施例の有機ＬＥＤデバイスの単
一画素の等価回路を示す図である。
一画素の等価回路を示す図である。
【００６８】図５中、１はこの画素を構成する第一の非
線型素子、２は蓄積コンデンサ、３は第二の非線型素
子、４は発光部たる有機ＬＥＤ素子である。なお、発光
部たる有機ＬＥＤ素子が有している等価的容量成分、等
価的抵抗成分は省略した。
線型素子、２は蓄積コンデンサ、３は第二の非線型素
子、４は発光部たる有機ＬＥＤ素子である。なお、発光
部たる有機ＬＥＤ素子が有している等価的容量成分、等
価的抵抗成分は省略した。
【００６９】また、Ｐｄは第一の非線型素子の第一の有
機層につらなる電極、Ｐｃは蓄積コンデンサ及び第二の
非線型素子の金属層につらなる電極、Ｐｓは第一の非線
型素子の金属層につらなる電極、Ｐｖは第二の非線型素
子の第二の有機層につらなる電極、Ｐｌｅｄは有機ＬＥ
Ｄ素子４の陰極につらなる電極を示す。
機層につらなる電極、Ｐｃは蓄積コンデンサ及び第二の
非線型素子の金属層につらなる電極、Ｐｓは第一の非線
型素子の金属層につらなる電極、Ｐｖは第二の非線型素
子の第二の有機層につらなる電極、Ｐｌｅｄは有機ＬＥ
Ｄ素子４の陰極につらなる電極を示す。
【００７０】Ｐｓには選択信号が印加され、Ｐｄにはデ
ータ信号が印加され、Ｐｃには蓄積コンデンサの充放電
によりデータ信号に応じた電位が現れる。Ｐｖ、及びＰ
ｌｅｄは固定電位である。
ータ信号が印加され、Ｐｃには蓄積コンデンサの充放電
によりデータ信号に応じた電位が現れる。Ｐｖ、及びＰ
ｌｅｄは固定電位である。
【００７１】この回路は次のように動作する。
【００７２】Ｐｓに印加される選択信号が選択状態（高
電位状態）になるとＰｓの電位は上昇する。この結果、
第一の非線型素子は動作状態となり、Ｐｄに現れるデー
タ信号に応じて蓄積コンデンサ２に電流が流入して第二
の非線型素子の金属層の電位がデータ信号に応じて上昇
する。このため、第二の非線型素子にはデータ信号に応
じた電流が流れ、有機ＬＥＤ素子４がデータ信号に応じ
た輝度で発光する。
電位状態）になるとＰｓの電位は上昇する。この結果、
第一の非線型素子は動作状態となり、Ｐｄに現れるデー
タ信号に応じて蓄積コンデンサ２に電流が流入して第二
の非線型素子の金属層の電位がデータ信号に応じて上昇
する。このため、第二の非線型素子にはデータ信号に応
じた電流が流れ、有機ＬＥＤ素子４がデータ信号に応じ
た輝度で発光する。
【００７３】一方、Ｐｓに印加される選択信号が非選択
状態（低電位状態）になると第一の非線型素子は遮断状
態となり、Ｐｄに現れるデータ信号が変化しても、第一
の非線型素子１を通じては蓄積コンデンサ２には電流が
流出入せず、有機ＬＥＤ素子４の発光はその影響をほと
んど受けない。
状態（低電位状態）になると第一の非線型素子は遮断状
態となり、Ｐｄに現れるデータ信号が変化しても、第一
の非線型素子１を通じては蓄積コンデンサ２には電流が
流出入せず、有機ＬＥＤ素子４の発光はその影響をほと
んど受けない。
【００７４】このように、本実施例においては、従来の
有機ＬＥＤデバイスの二つのトランジスタに変えて、有
機層の間に挟持された薄い金属層を有する非線型素子を
二つ用いることにより、同様の機能を実現することがで
きる。
有機ＬＥＤデバイスの二つのトランジスタに変えて、有
機層の間に挟持された薄い金属層を有する非線型素子を
二つ用いることにより、同様の機能を実現することがで
きる。
【００７５】本実施例においては、第二の非線型素子の
第一の有機層は、有機ＬＥＤ素子の陽極と接続される構
成になっている。これは前述のように、少しでも多くの
電流を有機ＬＥＤ素子に流せるために有効である。もち
ろん、第二の非線型素子を流れる電流が十分であれば、
第二の有機層を有機ＬＥＤ素子の陰極に接続する構成も
可能である。
第一の有機層は、有機ＬＥＤ素子の陽極と接続される構
成になっている。これは前述のように、少しでも多くの
電流を有機ＬＥＤ素子に流せるために有効である。もち
ろん、第二の非線型素子を流れる電流が十分であれば、
第二の有機層を有機ＬＥＤ素子の陰極に接続する構成も
可能である。
【００７６】（実施例２）次に、本発明の第二の実施例
について説明する。
について説明する。
【００７７】この例においては、金属層を有機層で挟持
した構造を持ち、トランジスタとして機能する非線型素
子の有機層に接続する電極が、Ａｌ単層ではなく、Ａｌ
とＡｌＬｉを積層した構造となっている。Ｌｉのフェル
ミレベルはＡｌより高く、このためＬｉを含む層をＡｌ
と有機層との間に挿入する構成をとると、界面に生じる
エネルギーギャップが緩和されて、電極から有機層への
電子注入が容易になる為、非線型素子がより多くの電流
を流す事が可能となる。
した構造を持ち、トランジスタとして機能する非線型素
子の有機層に接続する電極が、Ａｌ単層ではなく、Ａｌ
とＡｌＬｉを積層した構造となっている。Ｌｉのフェル
ミレベルはＡｌより高く、このためＬｉを含む層をＡｌ
と有機層との間に挿入する構成をとると、界面に生じる
エネルギーギャップが緩和されて、電極から有機層への
電子注入が容易になる為、非線型素子がより多くの電流
を流す事が可能となる。
【００７８】図６は本実施例の有機ＬＥＤデバイスの構
成を、断面で示す図である。
成を、断面で示す図である。
【００７９】図中、１はこの画素を構成する第一の非線
型素子、３は第二の非線型素子、４は発光部たる有機Ｌ
ＥＤ素子、１００は基板である。
型素子、３は第二の非線型素子、４は発光部たる有機Ｌ
ＥＤ素子、１００は基板である。
【００８０】１０１はＡｌよりなる電極である。１０２
はトリス（８キノリノラト）アルミニウム錯体よりなる
第一の非線型素子の第一の有機層である。１０３はＡｕ
よりなる、第一の非線型素子の金属層である。１０４は
トリス（８キノリノラト）アルミニウム錯体よりなる、
第一の非線型素子の第二の有機層である。１０５はＡｌ
よりなる、第一の非線型素子の第二の有機層に接続する
電極である。１０６はＳｉＯ2よりなる絶縁層である。
１０７はＡｌＬｉよりなる、第一の非線型素子の第一の
有機層に接続する電極である。
はトリス（８キノリノラト）アルミニウム錯体よりなる
第一の非線型素子の第一の有機層である。１０３はＡｕ
よりなる、第一の非線型素子の金属層である。１０４は
トリス（８キノリノラト）アルミニウム錯体よりなる、
第一の非線型素子の第二の有機層である。１０５はＡｌ
よりなる、第一の非線型素子の第二の有機層に接続する
電極である。１０６はＳｉＯ2よりなる絶縁層である。
１０７はＡｌＬｉよりなる、第一の非線型素子の第一の
有機層に接続する電極である。
【００８１】第二の非線型素子３も、第一の非線型素子
１と同一の構造をしている。
１と同一の構造をしている。
【００８２】４０１は発光部たる有機ＬＥＤ素子の陽極
をなすインジウム／スズ酸化物（ＩＴＯ）よりなる透明
電極である。４０２は銅フタロシアニンよりなる有機Ｌ
ＥＤ素子の正孔注入層である。４０３は芳香族ジアミン
よりなる有機ＬＥＤ素子の有機正孔輸送層である。４０
４はトリス（８キノリノラト）アルミニウム錯体よりな
る有機ＬＥＤ素子の電子輸送、発光層である。４０５は
ＬｉＦよりなる有機ＬＥＤ素子の電子注入層である。４
０６は、Ａｌよりなる有機ＬＥＤ素子の陰極である。
をなすインジウム／スズ酸化物（ＩＴＯ）よりなる透明
電極である。４０２は銅フタロシアニンよりなる有機Ｌ
ＥＤ素子の正孔注入層である。４０３は芳香族ジアミン
よりなる有機ＬＥＤ素子の有機正孔輸送層である。４０
４はトリス（８キノリノラト）アルミニウム錯体よりな
る有機ＬＥＤ素子の電子輸送、発光層である。４０５は
ＬｉＦよりなる有機ＬＥＤ素子の電子注入層である。４
０６は、Ａｌよりなる有機ＬＥＤ素子の陰極である。
【００８３】ＬｉのフェルミレベルはＡｌより高く、こ
のためＬｉを含む層をＡｌと有機層との間に設ける構成
をとると、界面に生じるエネルギーギャップが緩和され
て、電極から有機層への電子注入が容易になる為、非線
型素子がより多くの電流を流す事が可能となる。実際に
は、Ｌｉの含有量がかなり低いＡｌＬｉ合金や、金属Ｌ
ｉではないＬｉ化合物（ＬｉＦ等）の薄い層を設けても
同様の効果が有る事が、有機ＬＥＤ素子自体の構成の検
討において、知られている。本実施例の非線型素子の構
成においても、この効果を期待する事ができる。
のためＬｉを含む層をＡｌと有機層との間に設ける構成
をとると、界面に生じるエネルギーギャップが緩和され
て、電極から有機層への電子注入が容易になる為、非線
型素子がより多くの電流を流す事が可能となる。実際に
は、Ｌｉの含有量がかなり低いＡｌＬｉ合金や、金属Ｌ
ｉではないＬｉ化合物（ＬｉＦ等）の薄い層を設けても
同様の効果が有る事が、有機ＬＥＤ素子自体の構成の検
討において、知られている。本実施例の非線型素子の構
成においても、この効果を期待する事ができる。
【００８４】（実施例３）次に、本発明の第三の実施例
について説明する。
について説明する。
【００８５】この例においては、第一の非線型素子が有
機ダイオードの機能を持つ非線型素子になっている。
機ダイオードの機能を持つ非線型素子になっている。
【００８６】図７は本実施例の有機ＬＥＤデバイスの構
成を、断面で示す図である。
成を、断面で示す図である。
【００８７】図中、１はこの画素を構成する第一の非線
型素子、３は第二の非線型素子、４は発光部たる有機Ｌ
ＥＤ素子、１００は基板である。
型素子、３は第二の非線型素子、４は発光部たる有機Ｌ
ＥＤ素子、１００は基板である。
【００８８】２０１はＡｕよりなる第一の非線型素子の
陽極である。２０２は銅フタロシアニンよりなる第一の
非線型素子の正孔注入層である。２０３は芳香族ジアミ
ンよりなる第一の非線型素子の有機正孔輸送層である。
２０４はトリス（８キノリノラト）アルミニウム錯体よ
りなる第一の非線型素子の有機電子輸送層である。２０
５はＬｉＦよりなる第一の非線型素子の電子注入層であ
る。２０６は、Ａｌよりなる第一の非線型素子の陰極で
ある。
陽極である。２０２は銅フタロシアニンよりなる第一の
非線型素子の正孔注入層である。２０３は芳香族ジアミ
ンよりなる第一の非線型素子の有機正孔輸送層である。
２０４はトリス（８キノリノラト）アルミニウム錯体よ
りなる第一の非線型素子の有機電子輸送層である。２０
５はＬｉＦよりなる第一の非線型素子の電子注入層であ
る。２０６は、Ａｌよりなる第一の非線型素子の陰極で
ある。
【００８９】３０１はＡｌよりなる電極である。３０２
はトリス（８キノリノラト）アルミニウム錯体よりなる
第二の非線型素子の第一の有機層である。３０３はＡｕ
よりなる、第二の非線型素子の金属層である。３０４は
トリス（８キノリノラト）アルミニウム錯体よりなる、
第二の非線型素子の第二の有機層である。３０５はＡｌ
よりなる、第二の非線型素子の第二の有機層に接続する
電極である。３０６はＳｉＯ2よりなる絶縁層である。
３０７はＡｌＬｉよりなる、第二の非線型素子の第一の
有機層に接続する電極である。
はトリス（８キノリノラト）アルミニウム錯体よりなる
第二の非線型素子の第一の有機層である。３０３はＡｕ
よりなる、第二の非線型素子の金属層である。３０４は
トリス（８キノリノラト）アルミニウム錯体よりなる、
第二の非線型素子の第二の有機層である。３０５はＡｌ
よりなる、第二の非線型素子の第二の有機層に接続する
電極である。３０６はＳｉＯ2よりなる絶縁層である。
３０７はＡｌＬｉよりなる、第二の非線型素子の第一の
有機層に接続する電極である。
【００９０】４０１は発光部たる有機ＬＥＤ素子の陽極
をなすインジウム／スズ酸化物（ＩＴＯ）よりなる透明
電極である。４０２は銅フタロシアニンよりなる有機Ｌ
ＥＤ素子の正孔注入層である。４０３は芳香族ジアミン
よりなる有機ＬＥＤ素子の有機正孔輸送層である。４０
４はトリス（８キノリノラト）アルミニウム錯体よりな
る有機ＬＥＤ素子の電子輸送、発光層である。４０５は
ＬｉＦよりなる有機ＬＥＤ素子の電子注入層である。４
０６は、Ａｌよりなる有機ＬＥＤ素子の陰極である。
をなすインジウム／スズ酸化物（ＩＴＯ）よりなる透明
電極である。４０２は銅フタロシアニンよりなる有機Ｌ
ＥＤ素子の正孔注入層である。４０３は芳香族ジアミン
よりなる有機ＬＥＤ素子の有機正孔輸送層である。４０
４はトリス（８キノリノラト）アルミニウム錯体よりな
る有機ＬＥＤ素子の電子輸送、発光層である。４０５は
ＬｉＦよりなる有機ＬＥＤ素子の電子注入層である。４
０６は、Ａｌよりなる有機ＬＥＤ素子の陰極である。
【００９１】図８は本実施例の有機ＬＥＤデバイスの単
一画素の等価回路を示す図である。
一画素の等価回路を示す図である。
【００９２】図８中、１はこの画素を構成する第一の非
線型素子、２は蓄積コンデンサ、３は第二の非線型素
子、４は発光部たる有機ＬＥＤ素子である。なお、発光
部たる有機ＬＥＤ素子が有している等価的容量成分、等
価的抵抗成分は省略した。
線型素子、２は蓄積コンデンサ、３は第二の非線型素
子、４は発光部たる有機ＬＥＤ素子である。なお、発光
部たる有機ＬＥＤ素子が有している等価的容量成分、等
価的抵抗成分は省略した。
【００９３】また、Ｐｄは第一の非線型素子の陽極につ
らなる電極、Ｐｃは蓄積コンデンサの第二の側及び第二
の非線型素子の金属層につらなる電極、Ｐｓは蓄積コン
デンサの第一の側につらなる電極、Ｐｖは第二の非線型
素子の第二の有機層につらなる電極、Ｐｌｅｄは有機Ｌ
ＥＤ素子４の陰極につらなる電極を示す。
らなる電極、Ｐｃは蓄積コンデンサの第二の側及び第二
の非線型素子の金属層につらなる電極、Ｐｓは蓄積コン
デンサの第一の側につらなる電極、Ｐｖは第二の非線型
素子の第二の有機層につらなる電極、Ｐｌｅｄは有機Ｌ
ＥＤ素子４の陰極につらなる電極を示す。
【００９４】Ｐｓには選択信号が印加され、Ｐｄにはデ
ータ信号が印加され、Ｐｃには蓄積コンデンサの充放電
によりデータ信号に応じた電位が現れる。Ｐｖ、及びＰ
ｌｅｄは固定電位である。
ータ信号が印加され、Ｐｃには蓄積コンデンサの充放電
によりデータ信号に応じた電位が現れる。Ｐｖ、及びＰ
ｌｅｄは固定電位である。
【００９５】この回路は次のように動作する。
【００９６】Ｐｓに印加される選択信号が選択状態（低
電位状態）になるとＰｓの電位は下降する。この結果、
第一の非線型素子は動作状態となり、Ｐｄに現れるデー
タ信号に応じて蓄積コンデンサ２に電流が流入して電荷
が蓄積される。Ｐｓに印加される選択信号が非選択状態
（高電位状態）に復帰すると、Ｐｃ、即ち第二の非線型
素子の金属層の電位が、もとの電位に、データ信号に応
じて蓄積された信号電荷による電圧上昇分を加えた値ま
で、上昇する。このため、第二の非線型素子にはデータ
信号に応じた電流が流れ、有機ＬＥＤ素子４がデータ信
号に応じた輝度で発光する。同時に第一の非線型素子は
遮断状態となり、Ｐｄに現れるデータ信号が変化して
も、第一の非線型素子１を通じては蓄積コンデンサ２に
は電流が流出入せず、有機ＬＥＤ素子４の発光はその影
響をほとんど受けない。
電位状態）になるとＰｓの電位は下降する。この結果、
第一の非線型素子は動作状態となり、Ｐｄに現れるデー
タ信号に応じて蓄積コンデンサ２に電流が流入して電荷
が蓄積される。Ｐｓに印加される選択信号が非選択状態
（高電位状態）に復帰すると、Ｐｃ、即ち第二の非線型
素子の金属層の電位が、もとの電位に、データ信号に応
じて蓄積された信号電荷による電圧上昇分を加えた値ま
で、上昇する。このため、第二の非線型素子にはデータ
信号に応じた電流が流れ、有機ＬＥＤ素子４がデータ信
号に応じた輝度で発光する。同時に第一の非線型素子は
遮断状態となり、Ｐｄに現れるデータ信号が変化して
も、第一の非線型素子１を通じては蓄積コンデンサ２に
は電流が流出入せず、有機ＬＥＤ素子４の発光はその影
響をほとんど受けない。
【００９７】本実施例においては、第一の非線型素子１
は有機ＬＥＤ素子４と同様の構成をとっており、ダイオ
ードとして機能している。第一の非線型素子はこのよう
にダイオードであってもかまわない。ダイオードとして
機能する非線型素子のほうが、トランジスタとして機能
する非線型素子より作製が容易という利点がある。
は有機ＬＥＤ素子４と同様の構成をとっており、ダイオ
ードとして機能している。第一の非線型素子はこのよう
にダイオードであってもかまわない。ダイオードとして
機能する非線型素子のほうが、トランジスタとして機能
する非線型素子より作製が容易という利点がある。
【００９８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、同
一基板上に有機ＬＥＤ素子と非線型素子を有する有機電
子デバイスにおいて、該非線型素子を、少なくとも一つ
の金属層を有機層で挟持した構造とし、電流が、該金属
層を通してそれを挟持する有機層の間を流れるように構
成したことにより、従来の有機トランジスタの実用化の
障壁となっていた、活性層である有機層には著しく移動
度の高い特殊な有機材料を用いねばならないという制約
を緩和し、材料選択の幅を著しく広げる事が可能になっ
た。これによって製造が容易でかつ信頼性も高く、安価
な有機電子デバイスを得る事が可能となったものであ
る。
一基板上に有機ＬＥＤ素子と非線型素子を有する有機電
子デバイスにおいて、該非線型素子を、少なくとも一つ
の金属層を有機層で挟持した構造とし、電流が、該金属
層を通してそれを挟持する有機層の間を流れるように構
成したことにより、従来の有機トランジスタの実用化の
障壁となっていた、活性層である有機層には著しく移動
度の高い特殊な有機材料を用いねばならないという制約
を緩和し、材料選択の幅を著しく広げる事が可能になっ
た。これによって製造が容易でかつ信頼性も高く、安価
な有機電子デバイスを得る事が可能となったものであ
る。
【図１】本発明の第一の実施例の有機ＬＥＤデバイスの
構成を、断面で示す図である。
構成を、断面で示す図である。
【図２】図１の非線型素子の金属層、有機層、有機層に
接続する電極にそれぞれ用いられている材料のエネルギ
ーダイアグラムである。
接続する電極にそれぞれ用いられている材料のエネルギ
ーダイアグラムである。
【図３】図１の非線型素子の動作原理を示す為の、遮断
状態におけるエネルギーダイアグラムである。
状態におけるエネルギーダイアグラムである。
【図４】図１の非線型素子の動作原理を示す為の、動作
状態におけるエネルギーダイアグラムである。
状態におけるエネルギーダイアグラムである。
【図５】本発明の第一の実施例の有機ＬＥＤデバイスの
単一画素の等価回路を示す図である。
単一画素の等価回路を示す図である。
【図６】本発明の第二の実施例の有機ＬＥＤデバイスの
構成を、断面で示す図である。
構成を、断面で示す図である。
【図７】本発明の第三の実施例の有機ＬＥＤデバイスの
構成を、断面で示す図である。
構成を、断面で示す図である。
【図８】本発明の第三の実施例の有機ＬＥＤデバイスの
単一画素の等価回路を示す図である。
単一画素の等価回路を示す図である。
【図９】有機ＬＥＤ素子部の代表的な構成を示す図であ
る。
る。
【図１０】従来の有機ＬＥＤデバイスの単一画素の等価
回路を示す図である。
回路を示す図である。
【図１１】従来の有機ＬＥＤデバイスの単一画素の平面
図を示す図である。
図を示す図である。
【図１２】従来の有機ＬＥＤデバイスの構成を、断面で
示す図である。
示す図である。
１ 第一の非線型素子 ２ 蓄積コンデンサ ３ 第二の非線型素子 ４ 有機ＬＥＤ素子 １００ 基板 １０１、１０７ 第一の非線型素子の第一の有機層に接
続する電極 １０２ 第一の非線型素子の第一の有機層 １０３ 第一の非線型素子の金属層 １０４ 第一の非線型素子の第二の有機層 １０５ 第一の非線型素子の第二の有機層に接続する電
極 １０６ 絶縁層 ２０１ 第一の非線型素子の陽極 ２０２ 第一の非線型素子の正孔注入層 ２０３ 第一の非線型素子の有機正孔輸送層 ２０４ 第一の非線型素子の有機電子輸送層 ２０５ 第一の非線型素子の電子注入層 ２０６ 第一の非線型素子の陰極 ３０１ 電極 ３０２ 第二の非線型素子の第一の有機層 ３０３ 第二の非線型素子の金属層 ３０４ 第二の非線型素子の第二の有機層 ３０５ 第二の非線型素子の第二の有機層に接続する電
極 ３０６ 絶縁層 ３０７ 第二の非線型素子の第一の有機層に接続する電
極 ４０１ 陽極（透明電極） ４０２ 正孔注入層 ４０３ 有機正孔輸送層 ４０４ 電子輸送、発光層 ４０５ 電子注入層 ４０６ 陰極
続する電極 １０２ 第一の非線型素子の第一の有機層 １０３ 第一の非線型素子の金属層 １０４ 第一の非線型素子の第二の有機層 １０５ 第一の非線型素子の第二の有機層に接続する電
極 １０６ 絶縁層 ２０１ 第一の非線型素子の陽極 ２０２ 第一の非線型素子の正孔注入層 ２０３ 第一の非線型素子の有機正孔輸送層 ２０４ 第一の非線型素子の有機電子輸送層 ２０５ 第一の非線型素子の電子注入層 ２０６ 第一の非線型素子の陰極 ３０１ 電極 ３０２ 第二の非線型素子の第一の有機層 ３０３ 第二の非線型素子の金属層 ３０４ 第二の非線型素子の第二の有機層 ３０５ 第二の非線型素子の第二の有機層に接続する電
極 ３０６ 絶縁層 ３０７ 第二の非線型素子の第一の有機層に接続する電
極 ４０１ 陽極（透明電極） ４０２ 正孔注入層 ４０３ 有機正孔輸送層 ４０４ 電子輸送、発光層 ４０５ 電子注入層 ４０６ 陰極
フロントページの続き (72)発明者 妹尾 章弘 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB18 BA06 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 GA04
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に有機発光層を陽極及び陰極によ
り挟持した有機ＬＥＤ素子と、同一基板上に形成され
た、該有機ＬＥＤ素子に流れる電流を制御する非線型素
子を有する有機電子デバイスにおいて、該非線型素子
が、少なくとも一つの、主として金属元素よりなる金属
層を、有機材料よりなる有機層で挟持した構造を有し、
少なくとも一部の電流が、該金属層を通してそれを挟持
する有機層の間を流れることを特徴とする、有機電子デ
バイス。 - 【請求項２】 請求項１に記載の有機電子デバイスにお
いて、該非線型素子の該金属層、及び該有機層がそれぞ
れ同一基板上に形成された他の回路素子と接続されてお
り、一方の該有機層と該金属層との間の電位差が変化
し、それに伴って該一方の有機層と他方の有機層の間を
流れる電流が変化するように動作することを特徴とす
る、有機電子デバイス。 - 【請求項３】 請求項２に記載の有機電子デバイスにお
いて、該非線型素子の少なくとも一つの該有機層は、該
金属層のフェルミ準位よりも高いエネルギーのＬＵＭＯ
レベルを有する分子を含有することを特徴とする、有機
電子デバイス。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP2001000963A JP2002208486A (ja) | 2001-01-09 | 2001-01-09 | 有機電子デバイス |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| KR100721656B1 (ko) * | 2005-11-01 | 2007-05-23 | 주식회사 엘지화학 | 유기 전기 소자 |
| US7301279B2 (en) * | 2001-03-19 | 2007-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same |
| JP4434563B2 (ja) * | 2002-09-12 | 2010-03-17 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| US20070001151A1 (en) * | 2005-01-12 | 2007-01-04 | Sapochak Linda S | Organic materials with tunable electric and electroluminescent properties |
| WO2006019270A1 (en) | 2004-08-19 | 2006-02-23 | Lg Chem. Ltd. | Organic light-emitting device comprising buffer layer and method for fabricating the same |
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| CN101371619B (zh) | 2006-01-18 | 2013-11-13 | Lg化学株式会社 | 具有堆叠式有机发光单元的oled |
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| KR20080074518A (ko) * | 2007-02-09 | 2008-08-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 소자 및 이의 제조 방법 |
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