JP3554230B2 - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は例えば液晶表示装置等の電気光学装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、例えば液晶表示装置において、液晶パネルの液晶層を挟持する一対の基板の一方の基板上に画素電極をマトリックス状に多数配置し、その各画素電極を、電流電圧特性に非線形性を有する非線形素子を介して駆動するものは知られている。
【0003】
〔従来例1〕
図68は上記のような液晶表示装置等に用いる従来の素子基板の一例を示す一部の平面図、図69は図68におけるA−A線に沿う素子部の拡大断面図である。本例は非線形素子として通常のMIM素子を各画素に1つずつ備えたものである。図において、1は透明のガラス板等よりなる絶縁性基板、2はその基板1上にストライプ状に多数設けた信号入力用配線、3はその隣り合う配線2・2間に設けた画素電極である。
【0004】
上記の配線2は、第1の導電体11と非線形電気伝導体12とで構成され、その非線形電気伝導体12の一部を覆うようにして設けた第2の導電体13に画素電極3が導電接続されている。上記第1の導電体11と非線形電気伝導体12および第2の導電体13は、その一部が重なるようにして設けられ、その重なる部分が、電流電圧特性に非線形性を有する非線形素子としてのMIM(Metal Insulator Metal)素子Sを構成している。
【0005】
上記第1の導電体11の材質としては、従来一般にタンタル(Ta)が多く用いられ、非線形電気伝導体12としては酸化タンタル(TaOx)、また第2の導電体13としては、電流電圧特性の正負の対称性がよく液晶と組合せやすいクロム(Cr)やチタン(Ti)等が多く用いられている。また画素電極3としては透明のITO等が多く用いられている。
【0006】
上記のような素子基板を製造するに当たっては、従来は例えば以下の要領で製造している。図70〜図73は、その製造プロセスの一例を示すもので、各図中(a)は平面図、(b)は(a)における破線に沿う素子部の断面図である。
【0007】
(1)先ず、基板1上に導電体11を構成するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により所定の平面形状に成形して図70に示すように配線2の一部を構成する導電体11を形成する。
(2)その両導電体11を陽極酸化等することによって、その表面に図71に示すように酸化タンタル等の非線形電気伝導体層12を形成する。
(3)次に、第2の導電体13を構成するクロム等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により所定の平面形状に成形して図72に示すように第2の導電体13を形成する。
(4)次いで、画素電極を構成するITO等を膜付けし、その膜を所定の形状にパターニングして図73に示すように画素電極3を形成するものである。
【0008】
〔従来例2〕
図74は他の従来例を示す素子基板の一部の平面図、図75は図74におけるA−A線に沿う素子部の拡大断面図である。前記従来例1と同様の機能を有する部材には、同一の符号を付して説明する。
【0009】
本例は第1の導電体の側面を素子として利用するいわゆるラテラル型のMIM素子を各画素に1つずつ備えたもので、特に図の場合は配線2の側面にMIM素子Sを設けたものである。
【0010】
配線2は前記従来例1と同様に第1の導電体11と非線形電気伝導体12とで構成され、その非線形電気伝導体12の一部を覆うようにして設けた第2の導電体13に画素電極3が導電接続されている。そして上記第1の導電体11の上面の非線形電気伝導体12を厚く形成して絶縁層(バリア層)12’とし、第1の導電体11とその側面の非線形電気伝導体12および第2の導電体13の重なる部分をMIM素子Sとしたものである。上記各部材の材質は前記従来例1と同様である。
【0011】
上記のような素子基板を製造するに当たっては、従来は例えば以下の要領で製造している。図76〜図81は、その製造プロセスの一例を示すもので、各図中(a)は平面図、(b)は(a)における破線に沿う素子部の断面図である。
【0012】
(1)先ず、基板1上に導電体11を構成するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により所定の平面形状に成形して図76に示すように配線2の一部を構成する導電体11を形成する。
(2)その両導電体11を陽極酸化もしくは熱酸化等によって、その表面に図77に示すように酸化タンタル等の絶縁層12’を形成する。
(3)上記の導電体11の側面の絶縁層12’をフォトエッチング等により除去して図78に示すように該導電体11の上面にのみ絶縁層12’を残す。
(4)上記の導電体11を再度陽極酸化もしくは熱酸化等してその側面に図79に示すように非線形電気伝導体12を形成する。
(5)次に、第2の導電体13を構成するクロム等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により所定の平面形状に成形して図80に示すように第2の導電体13を形成する。
(6)次いで、画素電極を構成するITO等を膜付けし、その膜を所定の形状にパターニングして図81に示すように画素電極3を形成するものである。
【0013】
或いは、図82に示すように上記(1)と同様の要領で基板1上に配線2の一部を構成する導電体11を形成した後、その導電体11上にポリイミド膜等の絶縁膜を形成することによって図83に示すように絶縁層12’を形成し、次いで上記導電体11を陽極酸化または熱酸化等して図84に示すように導電体11の側面に非線形電気伝導体層12を形成する。その後、上記(5)および(6)と同様の要領で第2の導電体13および画素電極3を形成することによって、前記図74および図75に示すようなラテラル型のMIM素子を有する素子基板を製造している。
【0014】
〔従来例3〕
図85は更に他の従来例を示す素子基板の一部の平面図、図86は図85におけるA−A線に沿う素子部の拡大断面図である。
【0015】
本例は配線2と各画素電極3との間に、2つの通常のMIM素子S1・S2をいわゆるバック・トゥ・バック方式で直列に設けたもので、配線2からの信号は素子S1においては第1の導電体11・非線形電気伝導体12・第2の導電体13の順に伝達され、素子S2においては第2の導電体13・非線形電気伝導体12・第1の導電体11の順に伝達される。そして、その素子S2の第1の導電体11から画素電極3に入力される構成である。
【0016】
上記の配線2は、本例においては第1の導電体11と非線形電気伝導体12とで構成され、その配線2および上記の素子S1・S2を構成する導電体11・13および非線形電気伝導体12並びに画素電極3の材質は、前記従来例1の場合と同様のものが用いられている。
【0017】
上記のような素子基板を製造するに当たっては、従来は例えば以下の要領で製造している。図87〜図92は、その製造プロセスの一例を示すもので、各図中(a)は平面図、(b)は(a)における破線に沿う素子部の断面図である。
【0018】
(1)まず基板1上に導電体11を構成するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチングにより所定の平面形状に成形して図87に示すようにMIM素子S1・S2および配線2の一部を構成する第1の導電体11を形成する。
(2)その両導電体11を陽極酸化して、その表面に図88に示すように酸化タンタル等の非線形電気伝導体12を形成する。
(3)次に、図89に示すように2つの素子S1・S2の間の導電体および非線形電気伝導体とをフォトエッチング等により切除する。
(4)また後述する画素電極と導電接続するために、図90に示すように一方の素子S2側の非線形電気伝導体12の一部をエッチング等により剥離して第1の導電体11を露出させる。
(5)次いで第2の導電体13を構成するクロム等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により所定の平面形状に成形して図91に示すように第2の導電体13を形成する。
(6)そして画素電極を構成するITO等を膜付けし、その膜を所定の形状にパターニングして図92に示すように画素電極3を形成するものである。
【0019】
〔従来例4〕
図93は更に他の従来例を示す素子基板の平面図、図94は図93におけるA−A線に沿う素子部の拡大断面図である。本例は配線2と各画素電極3との間に、2つのラテラル型のMIM素子S1・S2をバック・トゥ・バック方式で直列に設けたもので、その各MIM素子S1・S2は配線2と各画素電極3との間に形成した第1の導電体11の左右両側面に設けられている。
【0020】
配線2は本例においては第1の導電体11と非線形電気伝導体12および第2の導電体13とで構成され、信号は主としてその第2の導電体13を通って伝達される。その配線2からの信号は、素子S1においては上記配線2の第2の導電体13から非線形電気伝導体12を経て配線2と各画素電極3との間の第1の導電体11に伝達され、素子S2においては上記第1の導電体11から非線形電気伝導体12を経て画素電極3との間の第1の導電体11に伝達される。そして、その素子S2の第1の導電体11から画素電極3に上記の信号が入力される構成である。上記の各構成部材の材質は前記例と同様である。
【0021】
上記のような素子基板を製造するに当たっては、従来は例えば以下の要領で製造している。図95〜図101はその製造プロセスの一例を示すもので、各図中(a)は平面図、(b)は(a)における破線に沿う素子部の断面図である。
【0022】
(1)先ず、基板1上に導電体11を構成するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により所定の平面形状に成形して図95に示すようにMIM素子S1・S2および配線2の一部を構成する導電体11を形成する。
(2)その両導電体11を陽極酸化もしくは熱酸化等によって、その表面に図96に示すように酸化タンタル等の絶縁層12’を形成する。
(3)上記の導電体11の側面の絶縁層12’をフォトエッチング等により除去して図97に示すように該導電体11の上面にのみ絶縁層12’をを残す。
(4)上記の導電体11を再度陽極酸化もしくは熱酸化等して、その側面に図98に示すように非線形電気伝導体12を形成する。
(5)次に、図99に示すように素子を構成する部分と配線2を構成する部分との間の導電体11と絶縁層および非線形電気伝導体12をフォトエッチング等により切除する。
(6)そして第2の導電体13を構成するクロム等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により所定の平面形状に成形して図100に示すように第2の導電体13を形成する。
(7)次いで、画素電極を構成するITO等を膜付けし、その膜を所定の形状にパターニングして図101に示すように画素電極3を形成するものである。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来の電気光学装置においては、画素電極に反射性能を有しないか若しくは少ないため視認性がよくない等の問題があった。
【0024】
本発明は上記の問題点に鑑みて提案されたもので、画素電極に良好な反射機能を持たせて視認性のよい電気光学装置を得ることのできる電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0025】
【課題を解決するための手段】
本発明は、画素電極を有する素子基板を備えた電気光学装置の製造方法において、前記素子基板の信号入力用配線となる金属層と前記画素電極となる反射機能を有する高導電性金属を同じ工程にて形成する工程と、前記高導電性金属の表面に透明導電体層を形成する工程とを有し、前記高導電性金属の表面は凹凸を有すると共に、前記透明導電体層としてITOを用い、該ITOの膜厚は100〜1500オングストロームの範囲内であることを特徴とする。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による電気光学装置に適用可能な素子基板の参考例および実施例ならびにそれらの製造方法を、図示例に基づいて具体的に説明する。
【0027】
〔参考例1〕
図1は電気光学装置に適用可能な素子基板の参考例を示す平面図、図2は図1におけるA−A線に沿う素子部の拡大断面図である。以下、前記の従来例と同様の機能を有する部材には、同一の符号を付して説明する。
【0028】
本例は前記従来例1と同様に非線形素子として単一の通常のMIM素子Sを各画素毎に設けたものにおいて、配線2を構成する導電体11の内方に、配線2の長手方向に沿って高導電性金属層4を形成したものである。特に本例においては高導電性金属層4としてアルミニウムを用いたものである。
【0029】
上記のアルミニウムとしては、アルミニウム単体でもアルミニウム合金でもよく、アルミニウム合金としては、アルミニウムを主体とした例えばAl−Cu合金やAl−Mg合金等を用いることができる。またアルミニウムに限らず銅単体もしくは銅合金その他の高導電性金属材料を用いてもよい。他の部材の材質は従来例と同様のものを用いることができる。
【0030】
上記のように配線2に沿って高導電性金属層4を設けることによって、配線2の配線抵抗を低減することが可能となる。
【0031】
上記の素子基板を製造するに当たっては、例えば以下の要領で製造することができる。まず図3に示すように基板1上に、高導電性金属層4を構成するアルミニウム等よりなる高導電性金属薄膜をスパッタリング等で形成し、これをフォトエッチング等で所定の形状にパターニングして高導電性金属層4を形成する。
【0032】
その高導電性金属層4の上に前記従来例1と同様に第1の導電体11を構成するタンタル等を膜付けし、その膜をフォトエッチングにより所定の平面形状に成形して図4に示すように第1の導電体11を形成する。以後は前記従来例1と同様の要領で非線形電気伝導体層12、第2の導電体13、画素電極3を順に形成すればよい。
【0033】
図5は上記の素子基板を用いて電気光学装置としての液晶表示装置を構成した例の縦断面図である。図において、1は前記図1および図2のように構成した素子基板、51はその素子基板1に対向させて配置した対向基板で、その内面には対向電極52が設けられ、上記両基板1・51間に液晶層53を介在させた構成である。
【0034】
上記の素子基板1には前述のように信号入力用配線2に沿って高導電性金属層4が設けられており、それによって配線抵抗が低減されるため低電圧で良好な表示を得ることが可能となる。
【0035】
〔参考例2〕
図6は素子基板の他の参考例を示す平面図、図7は図6におけるA−A線に沿う素子部の拡大断面図である。
【0036】
本例は前記従来例2と同様に非線形素子として単一のラテラル型MIM素子Sを各画素毎に設けたものにおいて、上記参考例1と同様に配線2を構成する導電体11の内方に、配線2の長手方向に沿ってアルミニウムとよりなる高導電性金属層4を形成したものである。
【0037】
上記の素子基板を製造するに当たっては、図には省略したが、例えば上記参考例1と同様に予め基板1上に高導電性金属層4を形成し、以後は従来例2における前記図76〜図81に示すプロセスを前記と同様の要領で順に実行して第1の導電体11、絶縁層12’、非線形電気伝導体層12、第2の導電体13、画素電極3を形成すればよい。また前記従来例2と同様に上記図76〜図79に示すプロセスに替えて前記図82〜図84に示すプロセスによって製造することもできる。
【0038】
上記高導電性金属層4の材質は、上記参考例1の場合と同様に適宜変更可能であり、他の部材の材質は従来例と同様のものを用いることができる。後述する参考例および実施例においても同様である。また本例においても上記の素子基板を用いて前記図5と同様の液晶表示装置等の電気光学装置を構成することができるもので、低電圧で良好な表示を得ることが可能となる。
【0039】
〔参考例3〕
図8は素子基板の更に他の例を示す平面図、図9は図8におけるA−A線に沿う素子部の断面図である。
【0040】
本例は前記従来例3と同様に非線形素子としてバック・トゥ・バック方式の通常のMIM素子S1・S2を設けたものにおいて、上記参考例1と同様に配線2を構成する導電体11の内方に、配線2の長手方向に沿ってアルミニウムとよりなる高導電性金属層4を形成したものである。
【0041】
上記の素子基板を製造するに当たっては、本例においても図には省略したが、例えば上記参考例1と同様に予め基板1上に高導電性金属層4を形成し、以後は従来例3における前記図87〜図92に示すプロセスを前記と同様の要領で順に実行して第1の導電体11、非線形電気伝導体層12、第2の導電体13、画素電極3を形成すればよい。
【0042】
本例においても上記の素子基板を用いて前記図5と同様の液晶表示装置等の電気光学装置を構成することができるもので、低電圧で良好な表示を得ることが可能となる。
【0043】
〔参考例4〕
図10は素子基板の更に他の例を示す平面図、図11は図10におけるA−A線に沿う素子部の拡大断面図である。
【0044】
本例は前記従来例4と同様に非線形素子としてバック・トゥ・バック方式でラテラル型のMIM素子S1・S2を設けたものにおいて、前記例と同様に配線2を構成する導電体11の内方に、配線2の長手方向に沿ってアルミニウム等よりなる高導電性金属層4を形成したものである。上記のように配線2に沿って高導電性金属層4を設けることによって、配線2の配線抵抗を低減することができるものである。
【0045】
上記の素子基板を製造するに当たっては、例えば以下の要領で製造することができる。図12〜図19はその製造プロセスの一例を示すもので、各図中(a)は平面図、(b)は(a)における破線に沿う素子部の断面図である。
【0046】
(1)まず基板1上に、高導電性金属層4を構成するアルミニウム等よりなる高導電性金属薄膜をスパッタリング等で形成し、これをフォトエッチング等で所定の形状にパターニングして図12に示すように高導電性金属層4を基板1上に形成する。
(2)その高導電性金属層4の上に前記従来例1と同様に第1の導電体11を構成するタンタル等を膜付けし、その膜をフォトエッチングにより所定の平面形状に成形して図13に示すように第1の導電体11を形成する。
(3)その第1の導電体11を陽極酸化もしくは熱酸化等して第1の導電体11の表面に図14に示すように酸化タンタル等の絶縁層12’を形成する。
(4)上記第1の導電体11の側面の絶縁層12’を図15に示すようにフォトエッチング等により除去する。
(5)次いで、図16に示すように第1の導電体11の側面に非線形電気伝導体12を形成する。
(6)そして、素子を構成する部分と配線2を構成する部分との間の第1の導電体11および非線形電気伝導体12を、図17に示すようにフォトエッチング等により切除する。その際、同時に高導電性金属層4と第2の導電体13とを導電接続するためのコンタクトホールHを上記のフォトエッチングにより形成するもので、そのとき高導電性金属層4をエッチングストッパとして利用することができる。
(7)次に第2の導電体13を構成するクロム等を膜付けし、その膜をフォトエッチング等により所定の平面形状に成形して図18に示すように第2の導電体13を形成する。
(8)そして最後に画素電極を構成するITO等を膜付けし、その膜をエッチング等で所定の形状にパターニングして図19に示すように画素電極3を形成すればよい。
【0047】
なお上記の画素電極3をエッチングする際に前記のアルミニウム等よりなる高導電性金属層4が外部に露出していると、エッチング材料の選択が難しいが、図示例のように第1の導電体11等で被覆されていると、上記のような不都合がなく、また液晶表示装置等に用いる場合のラビング耐性にも問題が生じない等の利点がある。
【0048】
また本例においても前記従来例2と同様に絶縁層12’を熱酸化によって形成する、あるいはポリイミド膜等の絶縁性部材で形成することもできる。さらに上記例では、高導電性金属層4と第2の導電体13とを導電接続するためにコンタクトホールHを形成したが、配線2部分の絶縁体12を剥離し、その上に第2の導電体13を直接密着させて接続することもできる。
【0049】
図20は上記の素子基板を用いて電気光学装置としての液晶表示装置を構成した例の縦断面図である。図において、1は前記図10および図11のように構成した素子基板、51はその素子基板1に対向させて配置した対向基板で、その内面には対向電極52が設けられ、上記両基板1・51間に液晶層53を介在させた構成である。
【0050】
上記の素子基板1には前述のように信号入力用配線2に沿って高導電性金属層4が設けられており、それによって配線抵抗が低減されるため低電圧で良好な表示を得ることが可能となる。
【0051】
〔参考例5〕
図21は素子基板の更に他の例を示す平面図、図22は図21におけるA−A線に沿う素子部の拡大断面図である。
【0052】
本例は前記参考例4と同様に配線2の導電体11の内方に、その配線2の長手方向に沿ってアルミニウム等よりなる高導電性金属層4を形成すると共に、参考例4におけるバック・トゥ・バック方式でラテラル型の2つの素子S1・S2を上記配線2の側面と、その配線2と画素電極3との間の導電体11の一方の側面とに設けたものである。
【0053】
即ち、一方の素子S1は、配線2を構成する導電体11の側面と、その表面に形成した非線形電気伝導体12および第2の導電体13とで構成され、他方の素子S2は配線2と画素電極3との間の導電体11と、その表面に形成した非線形電気伝導体12および第2の導電体13とで構成されている。また画素電極3は配線2と画素電極3との間の導電体11の表面に直接導電接続させた構成であり、その画素電極3および上記導電体11、非線形電気伝導体12、導電体13の材質は前記従来例と同様のものが用いられている。
【0054】
上記のように構成すると、前記参考例4のように配線2の導電体11と第2の導電体13とを導電接続するためのコンタクトホールHが不要となる等の利点がある。
【0055】
上記の素子基板を製造するに当たっては、例えば以下の要領で製造することができる。まず、前記参考例4における製造プロセス(1)〜(5)に従って同様の要領で、基板1上に導電体11と非線形電気伝導体12を形成する。そして図23に示すように素子S2を構成する導電体11上の絶縁層12’および非線形電気伝導体12の一部をフォトエッチング等で剥離すると共に、素子S2を構成する部分と配線2との間の導電体11および非線形電気伝導体12とをフォトエッチング等で切除する。次いで、図24に示すように第2の導電体13を形成した後、図25に示すように画素電極3を形成して導電体11と接続すればよい。
【0056】
なお上記例は第1の導電体11上の非線形電気伝導体12の一部を剥離して画素電極3と第1の導電体11とを接続するようにしたが、第1の導電体11上の非線形電気伝導体12に前記参考例1と同様のコンタクトホールを形成することによって画素電極3と第1の導電体11とを接続することもできる。また本例においても前記従来例2と同様に絶縁層12’を熱酸化によって形成する、あるいはポリイミド膜等の絶縁性部材で形成することもできる。
【0057】
本例においても図には省略したが、上記の素子基板を用いて前記図20と同様の液晶表示装置等の電気光学装置を構成することができるもので、低電圧で良好な表示を得ることが可能となる。
【0058】
〔参考例6〕
図26は素子基板の更に他の例を示す平面図、図27は図26におけるA−A線に沿う素子部の拡大断面図である。
【0059】
本例は前記従来例1と同様に非線形素子として単一の通常のMIM素子Sを各画素毎に設けたものにおいて、参考例1と同様に配線2を構成する導電体11の内方に、配線2の長手方向に沿って高導電性金属層4を形成すると共に、画素電極3を高導電性金属層4と同材質の金属で形成したものである。
【0060】
上記のように配線2を構成する導電体13上に高導電性金属層4を設けると、配線抵抗を低減できると共に、画素電極3の表面に金属層4を設けると、画素電極3を反射層として利用することができる。上記の高導電性金属層4と画素電極3の金属層4とは必ずしも同材質でなくてもよいが、同材質のものを用いると、後述のように1回のプロセスで同時に容易に形成することができる。
【0061】
上記の素子基板を製造するに当たっては、例えば図28に示すように基板1上に、高導電性金属層4と画素電極3とを構成するアルミニウム等よりなる高導電性金属薄膜をスパッタリング等で形成し、これをフォトエッチング等で所定の形状にパターニングして高導電性金属層4および画素電極3を形成する。その高導電性金属層4の上に前記従来例1と同様に第1の導電体11を構成するタンタル等を膜付けし、その膜をフォトエッチングにより所定の平面形状に成形して図29に示すように第1の導電体11を形成する。以後は前記従来例1と同様の要領で非線形電気伝導体層12、第2の導電体13を順に形成すればよい。
【0062】
図30は上記の素子基板を用いて電気光学装置としての液晶表示装置を構成した例の縦断面図である。図において、1は前記図26および図27のように構成した素子基板、51はその素子基板1に対向させて配置した対向基板で、その内面には対向電極52が設けられ、上記両基板1・51間に液晶層53を介在させた構成である。
【0063】
上記の素子基板1には前述のように信号入力用配線2に沿って高導電性金属層4が設けられており、それによって配線抵抗が低減されるため低電圧で良好な表示を得ることが可能となると共に、画素電極3の表面に金属層4を設けたことによって、別途反射板等を設けることなく反射型の液晶表示装置等の電気光学装置を構成することができる。特に、上記の液晶層53として高分子分散型液晶やゲストホストモード等の液晶を用い、表示に際して偏光板を必要としないタイプの液晶表示装置等の電気光学装置に有効である。
【0064】
なお上記の電気光学装置の背面側すなわち素子基板1の図で下側には、図30に示すように必要に応じて鏡等の反射板6または光散乱板もしくは遮光板等を設けるとよく、そのようにすると、隣り合う画素電極間の隙間から背面側に光が洩れたり、あるいは背面側から不要な光が侵入して表示性能等が低下するのを防ぐことができる。
【0065】
〔参考例7〕
上記参考例6は前記従来例1と同様に非線形素子として単一の通常のMIM素子Sを用いた場合を例にして説明したが、前記従来例2のように非線形素子として単一のラテラル型MIM素子Sを用いたもの、または前記従来例3のように非線形素子としてバック・トゥ・バック方式の通常のMIM素子S1・S2を用いたもの、あるいは前記従来例4のように非線形素子としてバック・トゥ・バック方式でラテラル型のMIM素子S1・S2を用いたものにおいても、上記参考例6と同様に配線2の長手方向に沿って高導電性金属層4を形成すると共に、画素電極3を高導電性金属層4と同材質もしくは別材質の金属で形成することもできる。
【0066】
上記のような素子基板を製造するに当たっては、上記参考例6と同様に基板1上に、高導電性金属層4と画素電極3とを形成し、その後、前記従来例2または従来例3もしくは従来例4と同様の要領で第1の導電体11、非線形電気伝導体層12、第2の導電体13を形成すればよい。また上記のように構成した素子基板を用いて参考例6と同様に前記図20に示すような液晶表示装置等の電気光学装置を構成することが可能であり、参考例6と同様に配線抵抗が少ない反射型の装置が得られる。
【0067】
〔参考例8〕
前記参考例5におけるバック・トゥ・バック方式でラテラル型の2つの素子S1・S2を配線2の側面と、その配線2と画素電極3との間の導電体11の一方の側面とに設けたものにおいても、上記参考例6と同様に構成ことができる。
【0068】
図31はその一例を示す素子基板の平面図、図32は図31におけるA−A線に沿う素子部の拡大断面図であり、上記参考例6と同様に配線2の長手方向に沿ってアルミニウム等よりなる高導電性金属層4を形成すると共に、画素電極3を高導電性金属層4と同材質の金属で形成したものである。ただし、別材質の金属で形成することもできる。
【0069】
上記のように画素電極3を金属で形成すると、前記参考例6と同様に画素電極3を反射層として利用することができる。また配線2の高導電性金属層4と画素電極3の金属層4とを同材質のものを用いると、後述のように1回のプロセスで同時に容易に形成することが可能となる。
【0070】
さらに上記例のように2つの素子S1・S2を配線2の側面と、その配線2と画素電極3との間の導電体11の一方の側面とに設けると共に、金属よりなる画素電極3を基板1上に設けると、前記参考例4のように配線2の導電体11と導電体13とを導電接続するためのコンタクトホールを設けたり、前記参考例3のように配線2と画素電極3との間の導電体11と画素電極3とを導電接続するために導電体11上の非線形電気伝導体12の一部を剥離する面倒がない等の利点がある。
【0071】
上記の素子基板を製造するに当たっては、例えば以下の要領で製造することができる。図33〜図38はその製造プロセスの一例を示すもので、各図中(a)は平面図、(b)は(a)における破線に沿う素子部の断面図である。
【0072】
(1)まず、基板1の表面に、高導電性金属層4を構成するアルミニウム等よりなる高導電性金属膜をスパッタリング等で形成し、その金属膜をフォトエッチング等で所定の形状にパターニングして図33に示すように配線2に沿う高導電性金属層4とそれと同材質の金属よりなる画素電極3を形成する。
(2)次いで、その上に導電体11を構成するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチングにより所定の平面形状にパターニングして図34に示すようにMIM素子の一部を構成する導電体11と、配線2の一部を構成する導電体11とを形成する。
(3)その導電体11を陽極酸化もしくは熱酸化等して、その表面に図35に示すように酸化タンタル等の絶縁層12’を形成する。
(4)次に、上記導電体11の側面の絶縁層12’をフォトエッチング等により除去して図36に示すように該導電体11の上面の絶縁層12’を残す。
(5)上記の導電体11を再度陽極酸化もしくは熱酸化等して、その側面に図37に示すように非線形電気伝導体12を形成する。
(6)そして図38に示すように素子を構成する部分と配線2との間の導電体11と絶縁層12’および非線形電気伝導体12とをフォトエッチング等により切除すると共に、第2の導電体13を構成するクロム等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により所定の平面形状に成形して第2の導電体13を形成すればよい。
【0073】
なお上記の製造プロセス(3)および(5)で、導電体11を陽極酸化して絶縁層12’および非線形電気伝導体12を形成する際に、アルミニウム等よりなる画素電極3の露出部分が酸化されて、表面にアルミナ等の酸化被膜が生成されるが、画素電極3を反射層として利用するには殆ど支障がなく、むしろ上記の酸化被膜が保護膜となって液晶表示装置等の電気光学装置に用いた場合に対向電極との間の短絡を防止できると共に、膜残り等による不良に対する冗長性を高めることができる等の利点がある。上記参考例7においてラテラル型のMIM素子を陽極酸化により形成する場合も同様である。
【0074】
また上記の酸化被膜が不必要な場合には、その全部もしくは一部を選択的に除去することも可能であり、例えばアルミナにあっては燐酸−クロム酸(ARS2341)等を用いることによって容易に除去することができる。
【0075】
本例においても図には省略したが、上記の素子基板を用いて前記図30と同様の液晶表示装置等の電気光学装置を構成することができるもので、上記参考例6と同様の効果が得られる。
【0076】
〔参考例9〕
図39は配線に沿って高導電性金属層を設けると共に配画素電極に反射機能を持たせた他の例を示す素子基板の平面図、図40は図39におけるA−A線に沿う素子部の拡大断面図である。
【0077】
本例は非線形素子としてバック・トゥ・バック方式の通常のMIM素子S1・S2を配線2と画素電極3との間に設け、その両素子S1・S2をタンタル等よりなる導電体11と酸化タンタル等よりなる非線形電気伝導体12およびクロム等よりなる導電体13とで構成すると共に、配線2と画素電極3とを上記素子S1・S2を構成する第2の導電体13と同材質のクロム等よりなる導電体とアルミニウム等の高導電性金属層4とで構成したものである。
【0078】
上記のように配線2を高導電性金属層4で構成すると、配線抵抗を低減できると共に、画素電極3の表面を上記のような金属層4で構成すると、画素電極3を反射層として利用することができる。
【0079】
なお上記配線2上の高導電性金属層4と画素電極3の金属層4とは必ずしも同材質でなくてもよいが、同材質のものを用いると、後述のように1回のプロセスで同時に容易に形成することができる。また上記のクロム等よりなる導電体13を省略して配線2および画素電極3をアルミニウム等よりなる高導電性金属層4のみで形成すると共に、素子S1・S2をタンタル等よりなる導電体11と酸化タンタル等よりなる非線形電気伝導体12および金属層4とで構成することもできる。また上記のアルミニウムの代わりに例えばニッケルと金との合金を、前記のクロム等よりなる導電体13の上に形成することもできる。
【0080】
上記のような素子基板を製造するに当たっては、例えば以下の要領で製造することができる。図41〜図43はその製造プロセスの一例を示すもので、各図中(a)は平面図、(b)は(a)における破線に沿う素子部の断面図である。
【0081】
(1)まず、基板1上に導電体11を構成するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチングにより所定の平面形状に成形して図41に示すようにMIM素子の一部を構成する導電体11を形成する。
(2)その導電体11を例えば熱酸化して、その表面に図42に示すように酸化タンタル等の非線形電気伝導体層12を形成する。
(3)次いで、第2の導電体13を構成するクロム等の導電膜と、アルミニウム等の高導電性金属層4とをスパッタリング等で形成し、その導電膜および高導電性金属層4とをフォトエッチング等により所定の平面形状にパターニングして図43に示すように素子S1・S2を構成する第2の導電体13と、配線2および画素電極3とを形成すればよい。
【0082】
なお前記のようにクロム等よりなる導電体13を省略する場合には、上記のクロム等の金属膜の形成を省略して前記の非線形電気伝導体12を含む基板1の上面に、直接アルミニウム等の金属膜を形成し、それをフォトエッチング等で所定の形状に同時にパターニングすればよい。
【0083】
また前記のようにアルミニウムの代わりにニッケルと金との合金を、前記のクロム等よりなる第2の導電体13の上に形成する場合には、めっき法等によって形成することもできる。
【0084】
上記のように構成された素子基板を用いて前記図30と同様の液晶表示装置等の電気光学装置を構成することができるもので、同様の効果が得られる。
【0085】
〔参考例10〕
図44は配線に沿って高導電性金属層を設けると共に配画素電極に反射機能を持たせた更に他の例を示す素子基板の平面図、図45は図44におけるA−A線に沿う素子部の拡大断面図である。
【0086】
本例は非線形素子としてバック・トゥ・バック方式のラテラル型のMIM素子S1・S2を配線2と画素電極3との間に設け、その両素子S1・S2をタンタル等よりなる導電体11と酸化タンタル等よりなる非線形電気伝導体12およびクロム等よりなる導電体13とで構成すると共に、配線2と画素電極3とを上記素子S1・S2を構成する第2の導電体13と同材質のクロム等よりなる導電体とアルミニウム等の高導電性金属層4とで構成したものである。
【0087】
上記のように配線2を高導電性金属層4で構成すると、上記参考例9と同様に配線抵抗を低減できると共に、画素電極3の表面を上記のような金属層4で構成すると、画素電極3を反射層として利用することができる。
【0088】
なお上記配線2上の高導電性金属層4と画素電極3の金属層4とは必ずしも同材質でなくてもよく、またクロム等よりなる導電体13を省略してもよく、さらに高導電性金属層4としてアルミニウム以外の材料を用いてもよいことは前記例の場合と同様である。
【0089】
上記のような素子基板を製造するに当たっては、例えば以下の要領で製造することができる。図46〜図49はその製造プロセスの一例を示すもので、各図中(a)は平面図、(b)は(a)における破線に沿う素子部の断面図である。
【0090】
(1)まず、基板1上に導電体11を構成するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチングにより所定の平面形状に成形して図46に示すようにMIM素子の一部を構成する導電体11を形成する。
(2)その導電体11を例えば熱酸化して、その表面前面に絶縁層12’を形成し、導電体11の側面の絶縁層12’をフォトエッチング等により除去して図47に示すように酸化タンタル等よりなる絶縁層12’を導電体11上に形成する。あるいは導電体11上にポリイミド膜等の絶縁膜12’を形成する。
(3)次いで、上記導電体11を熱酸化してその側面に図48に示すように非線形電気導電体層12を形成する。
(4)そして最後に、第2の導電体13を構成するクロム等の導電膜と、アルミニウム等の高導電性金属層4とをスパッタリング等で形成し、その導電膜および高導電性金属層4とをフォトエッチング等により所定の平面形状にパターニングして図49に示すように素子S1・S2を構成する第2の導電体13と、配線2および画素電極3とを形成すればよい。
【0091】
なお前記のようにクロム等よりなる導電体13を省略する場合には、前記の非線形電気伝導体12を含む基板1の上面に、直接アルミニウム等の金属膜を形成し、それをフォトエッチング等で所定の形状に同時にパターニングすればよく、また前記のようにアルミニウムの代わりにニッケルと金との合金を、前記のクロム等よりなる第2の導電体13の上に形成する場合には、めっき法等によっても形成可能であることは前記例の場合と同様である。
【0092】
本例においても上記のように構成された素子基板を用いて前記図30と同様の液晶表示装置等の電気光学装置を構成することができるもので、同様の効果が得られる。
【0093】
〔参考例11〕
図50は配線に沿って高導電性金属層を設けると共に配画素電極に反射機能を持たせた更に他の例を示す素子基板の平面図、図51は図50におけるA−A線に沿う素子部の拡大断面図である。
【0094】
本例は前記従来例4と同様にラテラル型でバック・トゥ・バック方式の素子S1・S2と配線2とを、タンタル等よりなる第1の導電体11と酸化タンタル等よりなる非線形電気伝導体12およびクロム等よりなる第2の導電体13とで構成すると共に、画素電極3を上記第2の導電体と同材質のクロム等よりなる導電体13で形成し、かつ、それ等の導電体13上にアルミニウム等よりなる高導電性金属層4を設けたものである。
【0095】
本例においても上記のように配線2を構成する導電体13上に高導電性金属層4を設けたことによって配線抵抗を低減できると共に、画素電極3の表面に金属層4を設けたことによって画素電極3を反射層として利用することができるものである。
【0096】
なお上記配線2上の高導電性金属層4と画素電極3の金属層4とは必ずしも同材質でなくてもよく、またクロム等よりなる導電体13を省略してもよく、さらに高導電性金属層4としてアルミニウム以外の材料を用いてもよいことは前記例の場合と同様である。
【0097】
上記の素子基板を製造するに当たっては、例えば以下の要領で製造することができる。まず、前記従来例4における製造プロセス(1)〜(5)に従って同様の要領で、基板1上に配線2を構成する導電体11と非線形電気伝導体12および素子S1・S2を構成する第1の伝導体11と非線形電気伝導体12を形成すると共に、図52に示すように素子を構成する部分と配線2との間の導電体11と絶縁体12’および非線形電気伝導体12とを切除する。
【0098】
次いで、図53に示すように非線形電気伝導体12を含む基板1の上面に、導電体13を構成するクロム等の金属膜とアルミニウム等の金属膜とをスパッタリング等で形成すると共に、フォトエッチング等で所定の形状にパターニングすればよい。その際、上記の導電体13を構成するクロム等の金属膜とアルミニウム等の金属膜とを図示例のように同一の平面形状にする場合には同時にパターニングすることができる。
【0099】
なお前記のようにクロム等よりなる導電体13を省略する場合には、上記のクロム等の膜形成を省略して前記の非線形電気伝導体12を含む基板1の上面に、直接アルミニウム等の金属膜を形成し、それをフォトエッチング等で所定の形状に同時にパターニングすればよい。また前記のようにアルミニウムの代わりにニッケルと金との合金を、前記のクロム等よりなる第2の導電体13の上に形成する場合には、めっき法等によって形成することもできることは前記例の場合と同様である。
【0100】
図54は上記の素子基板を用いて電気光学装置としての液晶表示装置を構成した例の縦断面図である。図において、1は前記図21および図22のように構成した素子基板、51はその素子基板1に対向させて配置した対向基板で、その内面には対向電極52が設けられ、上記両基板1・51間に液晶層53を介在させた構成である。
【0101】
上記の素子基板1は、前述のように配線2に沿って高導電性金属層4を設けると共に、画素電極3の表面に金属層4を設けた構成であり、配線2に沿って高導電性金属層4を設けたことによって配線抵抗が低減され低電圧で良好な表示を得ることが可能となると共に、画素電極3の表面に金属層4を設けたことによって、別途反射板等を設けることなく反射型の液晶表示装置等の電気光学装置を構成することができる。特に、上記の液晶層53として高分子分散型液晶やゲストホストモード等の液晶を用い、表示に際して偏光板を必要としないタイプの液晶表示装置等の電気光学装置に有効である。また前記図30と同様に必要に応じて基板1の背面側に反射板等を設けることができる。
【0102】
〔実施例1〕
図55は配線に沿って高導電性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせ且つ画素電極に凹凸を設けた本発明による実施例を示す素子基板の平面図、図56は図55におけるA−A線に沿う素子部の拡大断面図である。
【0103】
本実施例は前記従来例4における素子S1・S2と配線2を構成する第2の導電体としてアルミニウム等よりなる高導電性金属4を用いると共に、画素電極3を上記と同材質の高導電性金属4で形成し、かつ、その高導電性金属層4上にITO等よりなる透明の導電体層5を設けたものである。その導電体層5の表面には、微細な凹凸が形成されている。他の構成は前記従来例4と同様である。
【0104】
なお上記の高導電性金属4としては、アルミニウム単体またはアルミニウム合金のいずれでもよく、また銅単体もしくは銅合金、あるいは他の金属を用いることもできる。また透明導電体層5は、ITOに限らず、他の透明もしくは半透明の導電体を用いてもよい。
【0105】
上記の素子基板を製造するに当たっては、例えば以下の要領で製造することができる。まず、前記従来例4における製造プロセス(1)〜(5)に従って同様の要領で、基板1上に導電体11と絶縁体12’および非線形電気伝導体12とを形成すると共に、図57に示すように素子を構成する部分と配線2との間の導電体11と絶縁体12’および非線形電気伝導体12とを切除する。
【0106】
次いで、上記の非線形電気伝導体12を含む基板1の上面に、第2の導電体13を構成するクロム等よりなる膜をスパッタリング等で形成し、その膜をフォトエッチング等で所定の形状にパターニングして図58に示すように配線部の非線形電気伝導体12上に第2の導電体13を形成すると共に、それと同材質の導電体13よりなる画素電極3を形成する。そして、その画素電極3上にITO等よりなる透明の導電膜をスパッタリング等で形成し、それを図59に示すようにフォトエッチング等で所定の形状にパターニングして導電体層5を形成すればよい。
【0107】
なお、その導電体層5の表面に微細な凹凸を形成するには、上記の導電体層5を形成する際のスパッタリング条件を適宜調整するか、あるいはスパッタリング後にライトコーチング等の表面処理を行えばよい。上記のスパッタリング条件としては、例えば、温度を低くしてレートを上げる方向で行うとよい。
【0108】
本例においても図には省略したが、上記の素子基板を用いて前記図30もしくは図54と同様の液晶表示装置等の電気光学装置を構成することができ、同様の効果が得られる。特に、金属よりなる画素電極3の表面に透明の導電体層5を設けたことによって反射効率を高めることができる。
【0109】
この場合、金属よりなる画素電極3の表面の反射面と、上記の透明導電体層5による光の干渉により最も反射率がかせげるように、透明導電体層5の膜厚を設定するのが望ましく、例えばITOを用いる場合の膜厚は、100〜1500オングストローム程度が好適である。
【0110】
また上記の干渉効果を利用して反射光の色調をコントロールすることも可能であり、例えば透明導電体層5としてITOを用いた場合に、その膜厚が500オングストロームのときの反射光は薄青色、1000オングストロームのときは黄色、1500オングストロームのときは茶色の反射光が得られる。
【0111】
上記のように反射光の色調をコントロールすることにより、視認性を高めることも可能であり、特にゲストホストモードの液晶との組合せた場合の色調を調整するのに有効である。
【0112】
〔参考例12〕
図60は配線に沿って高導電性金属層を設けると共に配画素電極に反射機能を持たせ且つ画素電極に凹部を形成した参考例を示す素子基板の平面図、図61は図60におけるA−A線に沿う素子部の拡大断面図である。
【0113】
本例は前記従来例4における第2の導電体13をアルミニウム等の高導電性金属で形成すると共に、画素電極3を第1の導電体11と同材質のタンタルで形成する。そして、そのタンタルよりなる画素電極3の表面に微細な凹部Gを形成し、その上に上記第2の導電体13と同材質の金属層13を被覆したもので、他の構成は前記従来例1と同様である。
【0114】
上記の画素電極3としてタンタルを用いる代わりに他の材料、例えば樹脂系のものや金属材料でもよいが、本例のように第1の導電体11と同材質のものを用いると、その第1の導電体11を形成する際に同時に容易に形成することができる。
【0115】
上記の素子基板を製造するに当たっては、例えば以下の要領で製造することができる。図62〜図67はその製造プロセスの一例を示すもので、各図中(a)は平面図、(b)は(a)における破線に沿う素子部の断面図である。
(1)まず、基板1上にタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチングにより所定の平面形状にパターニングして図62に示すよう素子と配線を構成する導電体11と、画素電極3を構成する導電体11を形成し、その画素電極3を構成する導電体11の表面にフォトエッチング等によって凹部Gを形成する。
(2)その画素電極3を構成する導電体11を除く素子部と配線部の導電体11を陽極酸化もしくは熱酸化して、その表面に図63に示すように酸化タンタル等の絶縁層12’を形成する。
(3)その導電体11の側面の絶縁層12’をフォトエッチング等により除去して図64に示すように該導電体11の上面にのみ絶縁層12’を残す。
(4)上記の導電体11を再度陽極酸化もしくは熱酸化してその側面に図65に示すように非線形電気伝導体12を形成する。
(5)次に、図66に示すように素子を構成する部分と配線2との間の導電体11および非線形電気伝導体12とをフォトエッチング等により切除する。
(6)最後に第2の導電体13を構成するアルミニウム等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により所定の平面形状に成形して図67に示すように素子部と配線部に第2の導電体13を形成すると共に、タンタル等よりなる画素電極3の表面に導電体13を形成すればよい。
【0116】
本例においても図には省略したが、上記の素子基板を用いて前記図30もしくは図54と同様の液晶表示装置等の電気光学装置を構成することができ、同様の効果が得られる。特に、画素電極3の表面に図60および図61に示すように微細な凹部Gを形成したことによって、反射光が散乱して反射効率を高めることができるものである。
【0117】
なお上記の凹部Gの幅wは、製造プロセスや散乱効果を考慮して0.5〜50μm程度が好ましく、又その深さdは0.1〜2μm程度が望ましい。さらに上記凹部Gは散乱効果を高めるために、なるべくなだらかな曲面形状にするのがよい。また液晶表示装置等の電気光学装置を構成したときに、特定の干渉縞が出ないように凹部Gのパターンは、なるべくランダムな形状にするのが望ましい。
【0118】
【発明の効果】
以上説明したように本発明による電気光学装置の製造方法は、素子基板の信号入力用配線となる金属層と前記画素電極となる高導電性金属を同じ工程で形成するようにしたから、配線抵抗の少ない信号入力用配線と画素電極とを同時に容易に形成することができる。また上記高導電性金層の表面は凹凸を有するので、その凹凸により反射光が散乱して反射効率が向上すると共に、その高導電性金層の表面に透明導電体層を形成したことによって反射効率を更に向上させることができる。特に、透明導電体層としてITOを用い、その膜厚は100〜1500オングストロームの範囲内としたことによって、光の干渉により最も反射率をかせぐことが可能となるものである。また上記の膜厚の範囲内とすることによって、干渉効果を利用して反射光の色調を適宜コントロールすることも可能であり、例えば透明導電体層を構成するITOの膜厚を500オングストロームにすれば反射光は薄青色、1000オングストロームにすれば黄色、1500オングストロームにすれば茶色の反射光が得られる等の効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による電気光学装置に適用可能な素子基板の一例を示す平面図。
【図2】図1におけるA−A線拡大断面図。
【図3】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図4】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図5】上記の素子基板を用いた電気光学装置の縦断面図。
【図6】本発明による電気光学装置に適用可能な素子基板の他の例を示す平面図。
【図7】図6におけるA−A線拡大断面図。
【図8】本発明による電気光学装置に適用可能な素子基板の更に他の例を示す平面図。
【図9】図8におけるA−A線拡大断面図。
【図10】本発明による電気光学装置に適用可能な素子基板の更に他の例を示す平面図。
【図11】図10におけるA−A線拡大断面図。
【図12】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図13】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図14】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図15】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図16】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図17】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図18】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図19】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図20】上記素子基板を用いた電気光学装置の縦断面図。
【図21】本発明による電気光学装置に適用可能な素子基板の更に他の例を示す平面図。
【図22】図21におけるA−A線拡大断面図。
【図23】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図24】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図25】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図26】本発明による電気光学装置に適用可能な素子基板の更に他の例を示す平面図。
【図27】図26におけるA−A線拡大断面図。
【図28】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図29】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図30】上記素子基板を用いた電気光学装置の縦断面図。
【図31】本発明による電気光学装置に適用可能な素子基板の更に他の例を示す平面図。
【図32】図31におけるA−A線拡大断面図。
【図33】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図34】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図35】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図36】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図37】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図38】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図39】本発明による電気光学装置に適用可能な素子基板の更に他の例を示す平面図。
【図40】図39におけるA−A線拡大断面図。
【図41】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図42】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図43】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図44】本発明による電気光学装置に適用可能な素子基板の更に他の例を示す平面図。
【図45】図44におけるA−A線拡大断面図。
【図46】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図47】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図48】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図49】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図50】本発明による電気光学装置に適用可能な素子基板の更に他の例を示す平面図。
【図51】図50におけるA−A線拡大断面図。
【図52】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図53】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図54】上記素子基板を用いた電気光学装置の縦断面図。
【図55】本発明による電気光学装置に用いる素子基板の一例を示す平面図。
【図56】図55におけるA−A線拡大断面図。
【図57】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図58】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図59】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図60】本発明による電気光学装置に用いる素子基板の他の例を示す平面図。
【図61】図60におけるA−A線拡大断面図。
【図62】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図63】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図64】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図65】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図66】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図67】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図68】従来の素子基板の一例を示す平面図。
【図69】図68におけるA−A線拡大断面図。
【図70】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図71】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図72】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図73】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図74】従来の素子基板の他の例を示す平面図。
【図75】図74におけるA−A線拡大断面図。
【図76】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図77】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図78】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図79】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図80】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図81】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図82】上記従来例における素子基板の製造工程の他の例を示すプロセス説明図。
【図83】上記従来例における素子基板の製造工程の他の例を示すプロセス説明図。
【図84】上記従来例における素子基板の製造工程の他の例を示すプロセス説明図。
【図85】従来の素子基板の他の例を示す平面図。
【図86】図85におけるA−A線拡大断面図。
【図87】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図88】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図89】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図90】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図91】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図92】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図93】従来の素子基板の更に他の例を示す平面図。
【図94】図93におけるA−A線拡大断面図。
【図95】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図96】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図97】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図98】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図99】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図100】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【図101】上記従来例における素子基板の製造工程の一例を示すプロセス説明図。
【符号の説明】
1 基板
2 配線
3 画素電極
11、13、21、23 導電体
12、22 非線形電気伝導体
4 高導電性金属層
S、S1、S2 非線形素子
Claims (1)
- 画素電極を有する素子基板を備えた電気光学装置の製造方法において、前記素子基板の信号入力用配線となる金属層と前記画素電極となる反射機能を有する高導電性金属を同じ工程にて形成する工程と、前記高導電性金属の表面に透明導電体層を形成する工程とを有し、前記高導電性金属の表面は凹凸を有すると共に、前記透明導電体層としてITOを用い、該ITOの膜厚は100〜1500オングストロームの範囲内であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
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