JP5106553B2 - 電子機器 - Google Patents

電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP5106553B2
JP5106553B2 JP2010028291A JP2010028291A JP5106553B2 JP 5106553 B2 JP5106553 B2 JP 5106553B2 JP 2010028291 A JP2010028291 A JP 2010028291A JP 2010028291 A JP2010028291 A JP 2010028291A JP 5106553 B2 JP5106553 B2 JP 5106553B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
transistor
emitting element
light emitting
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010028291A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010103128A (ja
Inventor
寛子 安部
光明 納
彩 宮崎
優 小島
好文 棚田
舜平 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP2010028291A priority Critical patent/JP5106553B2/ja
Publication of JP2010103128A publication Critical patent/JP2010103128A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5106553B2 publication Critical patent/JP5106553B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • AHUMAN NECESSITIES
    • A47FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47JKITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
    • A47J36/00Parts, details or accessories of cooking-vessels
    • A47J36/06Lids or covers for cooking-vessels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • G02F1/133603Direct backlight with LEDs
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A47FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47JKITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
    • A47J27/00Cooking-vessels
    • A47J27/56Preventing boiling over, e.g. of milk
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133342Constructional arrangements; Manufacturing methods for double-sided displays
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439Pixel structures
    • G09G2300/046Pixel structures with an emissive area and a light-modulating area combined in one pixel
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0251Precharge or discharge of pixel before applying new pixel voltage
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10Triplet emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3031Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Description

本発明は、発光装置を用いた電子機器、特に携帯用電子機器に関する。
携帯電話や電子手帳などに代表される携帯用電子機器には、画像を表示するための表示
装置の他、メールの送受信、音声認識、小型カメラによる映像の取り込みなど様々な機能
が要求されている一方、小型化、軽量化に対するユーザーニーズも依然根強い。そのため
、回路規模やメモリ容量のより大きいICを、携帯用電子機器の限られた容積の中により
多く搭載する必要性に迫られている。ICを収容するためのスペースを確保して高機能化
を図り、なおかつ携帯用電子機器を小型化、軽量化するためには、搭載するフラットパネ
ルディスプレイを如何に薄く、軽く作るかが重要なポイントとなる。
例えば携帯用電子機器に比較的多く用いられている液晶表示装置の場合、透過型だと光
源や導光板等が必要となるので、薄型化、軽量化が妨げられる。また外光を利用するタイ
プの反射型だと、暗所での画像の認識が難しく、場所を選ばずに使用できるという携帯用
電子機器のメリットをいまいち生かしきれない。そこで近年では、発光素子を表示素子と
して用いた発光装置の、携帯用電子機器への搭載が検討され、実用化されつつある。発光
素子は自ら発光するため、液晶表示装置を用いる場合と異なり、光源を設けずとも暗所で
の鮮明な画像の表示が可能である。よって、光源や導光板などのバックライト用の部品の
使用を省くことができ、表示装置を薄型化、軽量化することができる。
このように発光装置を用いることで、携帯用電子機器の高機能化、小型化、軽量化を進
めることができるが、一方で、如何に表示する画面を大型化できるかという課題も生じて
いる。携帯用電子機器の高機能化に伴って、より多くの情報を表示する必要が生じている
ことが、その理由の一つである。その他に、表示する文字のサイズを大きくできる年配者
向けの携帯用電子機器の需要が、高齢者の人口増加により伸びていることも、大画面化に
拍車をかける理由になっている。
上述した問題に鑑み本発明は、軽量化、小型化を図りつつ大画面化を実現することがで
きる電子機器、特に携帯用電子機器の提案を課題とする。
本発明では、上記課題を解決するために、以下の手段を講じる。発光装置の両面から発
光素子の光が発せられる構成を用い、画像の表示が可能な領域を表と裏で合わせて2倍に
する。そして両面で互いに異なる画像の表示を行なう場合には、2画面に対応するビデオ
信号を交互に入力する。このように両面において表示が可能な発光装置を用いることで、
発光装置の小型化、軽量化を進めつつ、画像を表示できる領域を広げることができる。
なお発光装置とは、発光素子が封止された状態にある発光パネルと、該パネルにコント
ローラを含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。
そしてさらに、上記発光装置の少なくとも一方の画面に、フルカラーの画像の表示を行
なう。具体的には、各画素に白色発光の発光素子を用い、発光素子から発せられる光をカ
ラーフィルタに通すことで、フルカラーの画像を得る。カラーフィルタによるフルカラー
表示は液晶表示装置で確立されている既存の技術であり、発光装置に転用することが容易
であるという利点を有する。そして、3原色それぞれに対応する発光素子を用いてフルカ
ラー化を行なう方式に比べて、シャドウマスクによる電界発光材料の精緻な塗り分けが不
要であり、輝度の経時変化が全ての色で均一であるという利点もある。青色の光を蛍光材
料からなる色変換材料(CCM)によって緑色あるいは赤色に変換するCCM方式のよう
に、色変換効率の低さに起因して赤色の純度が低かったり、色変換材料自体が蛍光体であ
るため、太陽光などの外光によって画素が発光してしまい、コントラストが低下したりす
るという問題点もない。
また白色発光の発光素子を用いる場合、一方の画面にのみカラーフィルタを設けること
で、一方の画面にフルカラーの画像を、もう一方の画面にモノクロの画像を表示すること
ができる。そしてこの場合、他のフルカラー表示の方式に比べて、モノクロを表示するた
めの画素数を3倍にすることができる。なお、カラーフィルタの透過率が各色毎に異なっ
ているために、カラーフィルタを通して得られる発光素子の輝度が各色毎にばらつく場合
がある。この場合、色を補正するために各色ごとに発光素子に印加する電圧を変えると、
最も印加する電圧が高い発光素子において劣化が促進されやすく、最も印加する電圧が低
い発光素子において劣化が抑えられるため、発光時間の経過と共に輝度がばらつきやすく
なる。そこで本発明では、カラーフィルタを設けた面とは逆の面においてモノクロの画像
を表示する場合は、最も印加する電圧の低い発光素子を用いて画像を表示する。上記構成
によって、印加する電圧の違いに起因する発光素子の劣化のバラツキを抑えることができ
る。
ところで、ポリシリコンを用いたTFTは、結晶粒界に形成される欠陥に起因して、そ
の特性にばらつきが生じやすいという問題がある。TFTの閾値電圧がばらつくと、流れ
る電流が該TFTによって制御される発光素子の輝度もばらついてしまう。また、電界発
光材料の劣化に伴って、発光素子の輝度が低下するという問題がある。たとえ発光素子に
供給する電流が一定であっても、電界発光材料が劣化すると輝度は低くなる。そしてその
劣化の度合いは、発光時間や流れる電流の量に依存するため、表示する画像によって画素
毎の階調が異なると、各画素の発光素子の劣化に差が生じ、輝度にばらつきが生じてしま
う。
また発光素子に供給する電流値を制御するトランジスタを飽和領域で動作させることで
、電界発光層の劣化に伴う輝度の低下をある程度抑えることもできる。しかし、飽和領域
におけるドレイン電流はゲート・ソース間の電圧Vgsの僅かな変化に対して、流れる電
流に大きく影響するため、発光素子が発光している期間に該ゲート・ソース間の電圧Vg
sが変化しないように注意する必要がある。そのためには該トランジスタのゲート・ソー
ス間に設けられた容量素子の容量を大きくしたり、画素へのビデオ信号の入力を制御する
トランジスタのオフ電流を低く抑えたりする必要がある。また、他のトランジスタのスイ
ッチングや信号線、走査線の電位の変化等に伴い、発光素子に供給する電流値を制御する
トランジスタのVgsが変化してしまうという問題もある。これは、該トランジスタのゲ
ートにつく寄生容量によるものである。
そこで本発明は、上記手段に加え、以下に示す画素構成を発光装置に用いても良い。
まず発光素子に電流を供給するためのトランジスタ(駆動用トランジスタ)に加え、ス
イッチング素子として機能するトランジスタ(電流制御用トランジスタ)を駆動用トラン
ジスタに直列に接続する。そして駆動用トランジスタのゲートの電位は固定し、駆動用ト
ランジスタは飽和領域で動作させ、常に電流を流せる状態にしておく。また電流制御用ト
ランジスタは線形領域で動作させ、ビデオ信号を電流制御用トランジスタのゲートに入力
する。
電流制御用トランジスタは線形領域で動作するため、そのソース・ドレイン間電圧(ド
レイン電圧)Vdsは発光素子に加わる電圧Velに対して非常に小さく、ゲート・ソー
ス間電圧(ゲート電圧)Vgsの僅かな変動は、発光素子に流れる電流に影響しない。そ
して駆動用トランジスタは飽和領域で動作するので、ドレイン電流がドレイン電圧Vds
によって変化せず、Vgsのみによって定まる。つまり、電流制御用トランジスタは発光
素子への電流の供給の有無を選択するのみであって、発光素子に流れる電流の値は、飽和
領域で動作する駆動用トランジスタにより決定される。よって、前記電流制御用トランジ
スタのゲート・ソース間に設けられた容量素子の容量を大きくしたり、画素へのビデオ信
号の入力を制御するトランジスタのオフ電流を低く抑えたりしなくても、発光素子に流れ
る電流に影響しない。また発光素子に流れる電流は、電流制御用トランジスタのゲートに
つく寄生容量による影響も受けない。このため、ばらつき要因が減り、画質を大いに高め
ることができる。また駆動用トランジスタは飽和領域で動作させることで、発光素子の劣
化に伴ってVelが大きくなる代わりにVdsが小さくなっても、ドレイン電流の値は比
較的一定に保たれる。よって発光素子が劣化しても輝度の低下を抑えることができる。ま
た、画素へのビデオ信号の入力を制御するトランジスタのオフ電流を低く抑えるためにプ
ロセスを最適化しなくとも良いので、トランジスタ作製プロセスを簡略化することができ
、コスト削減、歩留まり向上に大きく貢献することができる。
また、駆動用トランジスタのLをWより長く、電流制御用トランジスタのLをWと同じ
か、それより短くしてもよい。より望ましくは、駆動用トランジスタのWに対するLの比
が5以上にするとよい。上記構成によって、駆動用トランジスタの特性の違いに起因する
、画素間における発光素子の輝度のばらつきを抑えることができる。
なお本発明の発光装置において用いられるトランジスタは、単結晶シリコンを用いて形
成されたトランジスタであっても良いし、SOIを用いたトランジスタであっても良いし
、多結晶シリコンやアモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタであっても良い。ま
た、有機半導体を用いたトランジスタであっても良いし、カーボンナノチューブを用いた
トランジスタであってもよい。また本発明の発光装置の画素に設けられたトランジスタは
、シングルゲート構造を有していても良いし、ダブルゲート構造やそれ以上のゲート電極
を有するマルチゲート構造であっても良い。
本発明の用に両面において表示が可能な発光装置を用いることで、発光装置の小型化、
軽量化を進めつつ、画像を表示できる領域を広げることができる。また、カラーフィルタ
によるフルカラー表示は液晶表示装置で確立されている既存の技術であり、発光装置に転
用することが容易であるという利点を有する。そして、3原色それぞれに対応する発光素
子を用いてフルカラー化を行なう方式に比べて、シャドウマスクによる電界発光材料の精
緻な塗り分けが不要であり、輝度の経時変化が全ての色で均一であるという利点もある。
青色の光を蛍光材料からなる色変換材料(CCM)によって緑色あるいは赤色に変換する
CCM方式のように、色変換効率の低さに起因して赤色の純度が低かったり、色変換材料
自体が蛍光体であるため、太陽光などの外光によって画素が発光してしまい、コントラス
トが低下したりするという問題点もない。
発光装置の断面構造を示す図。 偏光板を用いた発光装置の構造を示す図。 液晶パネルを用いた発光装置の構造を示す図。 発光装置の画素の回路図。 発光素子の断面構造を示す図。 発光装置の画素の回路図。 発光装置の画素の断面構造を示す図。 発光装置の構成を示すブロック図。 走査方向の切り替えを示す図。 信号線駆動回路の回路図。 信号線駆動回路の回路図。 走査線駆動回路の回路図。 携帯電話に備えられた発光装置のモジュールの構成を示す図。 可撓性を有する基板を用いた発光パネルの図。 本発明の電子機器の図。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多く
の異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱すること
なくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従っ
て、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
(実施の形態1)
図1を用い、本発明の具体的な構成について説明する。図1(A)に、本発明の発光装
置の断面構造の一形態を示す。図1(A)に示す本発明の発光装置は、発光素子を各画素
に備えた発光パネル101と、該発光パネル101を間に挟んで存在する2つのカラーフ
ィルタ102、103と、発光パネル101及びカラーフィルタ102、103を間に挟
んで存在する2つの偏光板104、105を有する。
発光パネル101は、白抜きの矢印で示すように、発光素子の光が両方の面から発せら
れるような構成を有しており、具体的に各発光素子は、光を透過させる性質(透光性)を
有する電極を、陽極及び陰極として用いる。また発光素子は、その発光色が白であること
を特徴とする。発光パネル101の両面からそれぞれ発せられた光のうち、カラーフィル
タ102、103において特定の波長領域の光が透過し、さらに偏光板104、105に
おいて特定の偏向成分の光のみが透過する。
偏光板104、105は、互いに透過する偏向の角度が異なるように、より望ましくは
偏向の角度が90度異なるように配置し、外光が発光パネルを透過するのを防ぐ。図2(
A)に、偏光板を設けていない場合において、発光パネル201を透過する外光の向きを
示す。また、図2(B)に、偏向の角度が異なる2つの偏光板202、203で発光パネ
ル201を挟んだ場合において、発光パネル201から発せられる光の向きを示す。
図2(A)に示すように偏光板を設けない場合、発光パネル201が有する発光素子は
、陽極、陰極ともに透光性を有する。よって、外光は発光パネル201を透過するので、
人の目には発光パネル201の向こう側が透けて見える。一方、図2(B)に示すよう偏
光板202、203を設けた場合、外光は2つの偏光板202、203のいずれか一方の
みしか透過しない。よって、発光パネル201の向こう側が透けて見えるのを防ぐことが
でき、画像のコントラストを高めることができる。しかし発光パネル201から発せられ
た光は、偏光板202、203においてそれぞれ特定の偏向成分が透過するので、両方の
面から光を得ることができる。
図1(B)に、本発明の発光装置の断面構造の、図1(A)とは異なる一形態を示す。
図1(B)に示す本発明の発光装置は、発光素子を各画素に備えた発光パネル111と、
該発光パネル111を間に挟んで存在する2つのカラーフィルタ112、113と、発光
パネル111及びカラーフィルタ112、113を間に挟んで存在する2つの液晶パネル
114、115を有する。
発光パネル111は、図1(A)と同様に、発光素子の光が両方の面から発せられるよ
うな構成を有しており、具体的に各発光素子は、透光性を有する電極を陽極及び陰極とし
て用いる。また発光素子は、その発光色が白であることを特徴とする。発光パネル111
の両面からそれぞれ発せられた光のうち、カラーフィルタ112、113において特定の
波長領域の光が透過し、さらに液晶パネル114、115において一方の面側にのみ光が
透過する。
液晶パネル114、115は、画素電極と、対向電極と、画素電極と対向電極の間に設
けられた液晶とを有しており、またその他に偏光板等を有している。液晶パネル114、
115は、画素電極と対向電極の間に印加する電圧により、光の透過率が制御される。そ
して、2つの液晶パネル114、115は、一方が光を透過する間、他方が光を透過しな
いように、その駆動を制御する。上記構成によって、発光パネル111を外光が透過する
のを防ぐことができる。
なお図1(A)、図1(B)では、発光パネル101、111とは別個にカラーフィル
タを設けているが、発光パネルの内部にカラーフィルタとして機能する膜を設ける様にし
ても良い。
図3(A)に、発光パネル301を間に挟んで存在する2つの液晶パネル302、30
3のうち、液晶パネル302において光を透過させた発光装置の様子を示す。また図3(
B)に、発光パネル301を間に挟んで存在する2つの液晶パネル302、303のうち
、液晶パネル303において光を透過させた発光装置の様子を示す。
図3(A)、図3(B)に示すように、液晶パネル302、303は、一方が光を透過
する場合、他方が光を遮蔽するように駆動する。よって、発光パネル301の発光素子3
04から発せられた光は、それぞれ白抜きの矢印で示すように、一方の面側においてのみ
透過する。上記構成によって、外光が透過することで、人の目に発光パネル301の向こ
う側が透けて見えるという事態を防ぐことができ、コントラストを高めることができる。
また、液晶パネル302、303の透過率の切り替えに同期して、ビデオ信号の切り替え
を行なっても良い。具体的には、光を透過するのがどちらの液晶パネルであっても、必ず
、光が透過する側の画像情報を有するビデオ信号を、発光パネル301に入力するように
する。上記構成によって、発光パネル301の両面に、異なる画像を並行して表示するこ
とができる。
なお、図1(A)、図1(B)のいずれの場合においてもカラーフィルタを発光パネル
の両面に設けているが、一方の面側にのみ設けるようにしても良い。この場合、発光パネ
ルのカラーフィルタを設けない面側では、モノクロの画像が表示される。フルカラーの表
示の場合、例えば赤(R)、緑(G)、青(B)の三原色に対応した3つの画素で間色を
表現するが、モノクロの表示の場合は、無彩色であるので基本的には1つの画素で表示を
行なうことができる。しかし三原色それぞれに対応する発光素子を用いてフルカラー化を
行なう方式や、CCM方式では、無彩色を1つの画素で表現することができない。したが
ってこれら2つの方式では、フルカラー表示を行なう面と同様に、モノクロ表示を行なう
面でも3つの画素を一単位として画像を表示する。一方本発明では、白色発光の発光素子
を用いているので、一方の面側にカラーフィルタを設けずにおくことで、1つの画素でモ
ノクロの表示を行なうことができる。
なお本実施の形態において、発光パネルはアクティブマトリクス型であっても、パッシ
ブマトリクス型であっても、どちらでも良い。
本実施の形態で示したように本発明の発光装置は、発光パネルの両面に画像を表示する
ことができるので、発光装置の小型化、軽量化を進めつつ、画像を表示できる領域を広げ
ることができる。本発明の構成は、小型化、軽量化に重点が置かれている携帯用電子機器
に特に有効である。
(実施の形態2)
図4(A)に、本発明の発光装置が有する画素の一形態を示す。図4(A)に示す画素
は、発光素子401と、画素へのビデオ信号の入力を制御するためのスイッチング素子と
して用いるトランジスタ(スイッチング用トランジスタ)402と、発光素子401に流
れる電流値を制御する駆動用トランジスタ403と、発光素子401への電流の供給の有
無を選択する電流制御用トランジスタ404とを有している。さらに本実施の形態のよう
に、ビデオ信号の電位を保持するための容量素子405を画素に設けても良い。
駆動用トランジスタ403及び電流制御用トランジスタ404は同じ極性を有する。図
4(A)では共にp型としたが、共にn型であっても良い。また本発明では、駆動用トラ
ンジスタ403を飽和領域で、電流制御用トランジスタ404を線形領域で動作させる。
また、駆動用トランジスタ403のチャネル長Lをチャネル幅Wより長く、電流制御用ト
ランジスタ404のLをWと同じか、それより短くてもよい。より望ましくは、駆動用ト
ランジスタ403のWに対するLの比が5以上にするとよい。また、駆動用トランジスタ
403にはエンハンスメント型トランジスタを用いてもよいし、ディプリーション型トラ
ンジスタを用いてもよい。
スイッチング用トランジスタ402のゲートは、走査線Gj(j=1〜y)に接続され
ている。スイッチング用トランジスタ402のソースとドレインは、一方が信号線Si(
i=1〜x)に、もう一方が電流制御用トランジスタ404のゲートに接続されている。
駆動用トランジスタ403のゲートは第2の電源線Wi(i=1〜x)に接続されている
。そして駆動用トランジスタ403及び電流制御用トランジスタ404は、第1の電源線
Vi(i=1〜x)から供給される電流が、駆動用トランジスタ403及び電流制御用ト
ランジスタ404のドレイン電流として発光素子401に供給されるように、第1の電源
線Vi(i=1〜x)、発光素子401と接続されている。本実施の形態では、電流制御
用トランジスタ404のソースが第1の電源線Vi(i=1〜x)に接続され、駆動用ト
ランジスタ403のドレインが発光素子401の画素電極に接続される。
なお駆動用トランジスタ403のソースを第1の電源線Vi(i=1〜x)に接続し、
電流制御用トランジスタ404のドレインを発光素子401の画素電極に接続してもよい
。この場合駆動用トランジスタ403はディプリーション型トランジスタとする。
発光素子401は陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられた電界発光層とからなる
。図4(A)のように、陽極が駆動用トランジスタ403と接続している場合、陽極が画
素電極、陰極が対向電極となる。発光素子401の対向電極と、第1の電源線Vi(i=
1〜x)のそれぞれには、発光素子401に順バイアス方向の電流が供給されるように、
電位差が設けられている。
容量素子405が有する2つの電極は、一方は第1の電源線Vi(i=1〜x)に接続
されており、もう一方は電流制御用トランジスタ404のゲートに接続されている。容量
素子405はスイッチング用トランジスタ402が非選択状態(オフ状態)にある時、容
量素子405の電極間の電位差を保持するために設けられている。なお図4(A)では容
量素子405を設ける構成を示したが、本発明はこの構成に限定されず、容量素子405
を設けない構成にしても良い。
図4(A)では駆動用トランジスタ403および電流制御用トランジスタ404をpチ
ャネル型トランジスタとし、駆動用トランジスタ403のドレインと発光素子401の陽
極とを接続する。逆に駆動用トランジスタ403および電流制御用トランジスタ404を
nチャネル型トランジスタとするならば、駆動用トランジスタ403のソースと発光素子
401の陰極とを接続する。この場合、発光素子401の陰極が画素電極、陽極が対向電
極となる。
次に、図4(A)に示した画素の駆動方法について説明する。図4(A)に示す画素は
、その動作を書き込み期間、保持期間とに分けて説明することができる。まず書き込み期
間において走査線Gj(j=1〜y)が選択されると、走査線Gj(j=1〜y)にゲー
トが接続されているスイッチング用トランジスタ402がオンになる。そして、信号線S
1〜Sxに入力されたビデオ信号が、スイッチング用トランジスタ402を介して電流制
御用トランジスタ404のゲートに入力される。なお、駆動用トランジスタ403はゲー
トが第1の電源線Vi(i=1〜x)に接続されているため、常にオン状態である。
ビデオ信号によって電流制御用トランジスタ404がオンになる場合は、第1の電源線
Vi(i=1〜x)を介して電流が発光素子401に供給される。このとき電流制御用ト
ランジスタ404は線形領域で動作しているため、発光素子401に流れる電流は、飽和
領域で動作する駆動用トランジスタ403と発光素子401の電圧電流特性によって決ま
る。そして発光素子401は、供給される電流に見合った高さの輝度で発光する。またビ
デオ信号によって電流制御用トランジスタ404がオフになる場合は、発光素子401へ
の電流の供給は行なわれず、発光素子401は発光しない。
保持期間では、走査線Gj(j=1〜y)の電位を制御することでスイッチング用トラ
ンジスタ402をオフにし、書き込み期間において書き込まれたビデオ信号の電位を保持
する。書き込み期間において電流制御用トランジスタ404をオンにした場合、ビデオ信
号の電位は容量素子405によって保持されているので、発光素子401への電流の供給
は維持されている。逆に、書き込み期間において電流制御用トランジスタ404をオフに
した場合、ビデオ信号の電位は容量素子405によって保持されているので、発光素子4
01への電流の供給は行なわれていない。
電流制御用トランジスタ404は線形領域で動作するため、そのソース・ドレイン間電
圧(ドレイン電圧)Vdsは発光素子に加わる電圧Velに対して非常に小さく、ゲート
・ソース間電圧(ゲート電圧)Vgsの僅かな変動は、発光素子401に流れる電流に影
響しない。そして駆動用トランジスタ403は飽和領域で動作するので、ドレイン電流が
ドレイン電圧Vdsによって変化せず、Vgsのみによって定まる。このため、電流制御
用トランジスタ404は発光素子401への電流の供給の有無を選択するのみであって、
発光素子401に流れる電流の値は、飽和領域で動作する駆動用トランジスタ403によ
り決定される。よって、電流制御用トランジスタ404のゲート・ソース間に設けられた
容量素子405の容量を大きくしたり、スイッチング用トランジスタ402のオフ電流を
低く抑えたりしなくても、発光素子401に流れる電流の変化を抑えることができる。ま
た駆動用トランジスタ403は飽和領域で動作させることで、発光素子401の劣化に伴
ってVelが大きくなる代わりにVdsが小さくなっても、ドレイン電流の値は比較的一
定に保たれる。よって発光素子401が劣化しても輝度の低下を抑えることができる。
また、駆動用トランジスタのLをWより長く、電流制御用トランジスタのLをWと同じ
か、それより短くしてもよい。より望ましくは、駆動用トランジスタのWに対するLの比
が5以上にするとよい。上記構成によって、駆動用トランジスタの特性の違いに起因する
、画素間における発光素子の輝度のばらつきを抑えることができる。
なお白色のバランスを図るために、駆動用トランジスタ403のゲートの電位を、R、
G、Bごとに変えても良い。また駆動用トランジスタ403のゲートの電位が全ての画素
で同じであっても良い場合、第2の電源線を走査線と並列に形成し、走査線を共有してい
る画素が第2の電源線をも共有するようにしても良い。
(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の発光装置が有する画素の、図4(A)とは異なる形態につ
いて説明する。
図4(B)に示す画素は、発光素子411と、スイッチング用トランジスタ412と、
駆動用トランジスタ413と、電流制御用トランジスタ414と、書き込まれたビデオ信
号の電位を消去するためのトランジスタ(消去用トランジスタ)416とを有している。
上記素子に加えて容量素子415を画素に設けても良い。駆動用トランジスタ413及び
電流制御用トランジスタ414は同じ極性を有する。本発明では、駆動用トランジスタ4
13を飽和領域で、電流制御用トランジスタ414を線形領域で動作させる。また、駆動
用トランジスタ413のLをWより長く、電流制御用トランジスタ414のLをWと同じ
か、それより短くてもよい。より望ましくは、駆動用トランジスタ413のWに対するL
の比が5以上にするとよい。
また、駆動用トランジスタ413にはエンハンスメント型トランジスタを用いてもよい
し、ディプリーション型トランジスタを用いてもよい。
スイッチング用トランジスタ412のゲートは、第1走査線Gaj(j=1〜y)に接
続されている。スイッチング用トランジスタ412のソースとドレインは、一方が信号線
Si(i=1〜x)に、もう一方が電流制御用トランジスタ414のゲートに接続されて
いる。また消去用トランジスタ416のゲートは、第2走査線Gbj(j=1〜y)に接
続されており、ソースとドレインは、一方が第1の電源線Vi(i=1〜x)に、他方が
電流制御用トランジスタ414のゲートに接続されている。駆動用トランジスタ413の
ゲートは第2の電源線Wi(i=1〜x)に接続されている。そして駆動用トランジスタ
413及び電流制御用トランジスタ414は、第1の電源線Vi(i=1〜x)から供給
される電流が、駆動用トランジスタ413及び電流制御用トランジスタ414のドレイン
電流として発光素子411に供給されるように、第1の電源線Vi(i=1〜x)、発光
素子411と接続されている。本実施の形態では、電流制御用トランジスタ414のソー
スが第1の電源線Vi(i=1〜x)に接続され、駆動用トランジスタ413のドレイン
が発光素子411の画素電極に接続される。なお駆動用トランジスタ413のソースを第
1の電源線Vi(i=1〜x)に接続し、電流制御用トランジスタ414のドレインを発
光素子411の画素電極に接続してもよい。
発光素子411は陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられた電界発光層とからなる
。図4(B)のように陽極が駆動用トランジスタ413と接続している場合、陽極が画素
電極、陰極が対向電極となる。発光素子411の対向電極と、第1の電源線Vi(i=1
〜x)のそれぞれには、発光素子411に順バイアス方向の電流が供給されるように、電
位差が設けられている。
容量素子415が有する2つの電極は、一方は第1の電源線Vi(i=1〜x)に接続
されており、もう一方は電流制御用トランジスタ414のゲートに接続されている。
図4(B)では駆動用トランジスタ413および電流制御用トランジスタ414をpチ
ャネル型トランジスタとし、駆動用トランジスタ413のドレインと発光素子411の陽
極とを接続する。逆に駆動用トランジスタ413および電流制御用トランジスタ414を
nチャネル型トランジスタとするならば、駆動用トランジスタ413のソースと発光素子
411の陰極とを接続する。この場合、発光素子411の陰極が画素電極、陽極が対向電
極となる。
図4(B)に示す画素は、その動作を書き込み期間、保持期間、消去期間とに分けて説
明することができる。書き込み期間と保持期間におけるスイッチング用トランジスタ41
2、駆動用トランジスタ413及び電流制御用トランジスタ414の動作については、図
4(A)の場合と同様である。
消去期間では、第2走査線Gbj(j=1〜y)が選択されて消去用トランジスタ41
6がオンになり、第1の電源線V1〜Vxの電位が消去用トランジスタ416を介して電
流制御用トランジスタ414のゲートに与えられる。よって、電流制御用トランジスタ4
14がオフになるため、発光素子411に強制的に電流が供給されない状態を作り出すこ
とができる。
本実施例では、本発明の表示装置に用いる発光素子の構成の一例について説明する。
図5(A)に、本発明の発光装置が有する発光素子の断面構造を、模式的に示す。素子
の構成としては、透明導電膜であるITOで形成された陽極501上に、ホール注入層5
02として銅フタロシアニン(CuPc)、第1発光層503として4,4'−ビス[N
−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]−ビフェニル(略称α−NPD)、第2発
光層504としてゲスト材料である4,4’−N,N’−ジカルバゾリル−ビフェニル(
略称CBP)、ホスト材料であるPt(ppy)acac、電子輸送層505としてBC
P、電子注入層506としてCaF2、Alからなる陰極507が順に積層されている。
なお、Pt(ppy)acacは以下の構造式1で表される。
本発明では、陰極507が光を透過する程度の薄い膜厚、具体的には20nm程度の膜
厚とすることで、両面発光を実現することができる。
図5(A)に示す発光素子の第2発光層504は、ホスト材料であるPt(ppy)a
cacに燐光材料であるCBPがゲスト材料として10wt%以上の濃度で分散されてお
り、燐光材料からの燐光発光と燐光材料のエキシマー状態からの発光とを共に発する。具
体的に燐光材料は、500nm以上700nm以下の領域に2つ以上のピークを有する発
光を示し、かつ、前記2つ以上のピークのいずれかがエキシマー発光であることが好まし
い。そして第1発光層503は、発光スペクトルの最大ピークが400nm以上500n
m以下の領域に位置する青色発光を呈し、該青色発光が第2発光層からの発光と混ざるこ
とで、色の純度がより0に近い白色光を得ることができる。また、ドープする材料を一種
類しか用いていないため、電流密度を変化させたときや、あるいは連続駆動した場合にお
いても、発光スペクトルの形状が変化したりせず、安定な白色光を供給できる。なお第一
発光層は、発光スペクトルの最大ピークが400nm以上500nm以下の領域に位置す
る、青色発光を呈するゲスト材料をホスト材料に分散させた構成でもよい。
次に図5(B)に、本発明の発光装置が有する発光素子の、図5(A)とは異なる断面
構造を、模式的に示す。素子の構成としては、透明導電膜であるITOで形成された陽極
511上に、ホール注入層512としてポリチオフェン、ホール輸送層513としてN,
N'−ビス(3−メチルフェニル)−N,N'−ジフェニル−1,1'−ビフェニル−4,
4'−ジアミン(略称TPD)、第1発光層514としてゲスト材料であるルブレン、ホ
スト材料であるTPD、第2発光層515としてゲスト材料であるクマリン6、ホスト材
料であるAlq3、Alからなる陰極516が順に積層されている。
図5(B)においても、陰極516が光を透過する程度の薄い膜厚、具体的には20n
m程度の膜厚とすることで、白色の両面発光を実現することができる。
次に図5(C)に、本発明の発光装置が有する発光素子の、図5(A)とは異なる断面
構造を、模式的に示す。素子の構成としては、透明導電膜であるITOで形成された陽極
521上に、ホール注入層522としてHIM34、ホール輸送層523としてテトラア
リルベンジジン誘導体、第1発光層524としてゲスト材料であるナフタセン誘導体、ホ
スト材料であるテトラアリルベンジジン誘導体及びフェニルアントラセン誘導体、第2発
光層525としてゲスト材料であるスチリルアミン誘導体、ホスト材料であるテトラアリ
ルベンジジン誘導体及びフェニルアントラセン誘導体、電子輸送層526としてフェニル
アントラセン誘導体、電子注入層527としてAlq3、第1陰極528としてCsI、
第2陰極529としてMgAgが順に積層されている。
図5(C)においても、第1陰極528、第2陰極529のトータルの膜厚が光を透過
する程度の薄さ、具体的には20nm程度の膜厚とすることで、白色の両面発光を実現す
ることができる。
なお本実施例における発光素子の積層構造は、図5に示した構成に限定されない。なお
陰極側から光を得るためには、膜厚を薄くする方法の他に、Liを添加することで仕事関
数が小さくなったITOを用いる方法もある。本発明で用いる発光素子は、陽極側と陰極
側の両方から光が発せられる構成であれば良い。
本実施例では、実施の形態1に示した本発明の発光装置の、画素の1実施例について説
明する。
図6(A)に、本実施例の画素の回路図を示す。図6(A)において、601はスイッ
チング用トランジスタである。スイッチング用トランジスタ601のゲートは、走査線G
j(j=1〜y)に接続されている。スイッチング用トランジスタ601のソースとドレ
インは、一方が信号線Si(i=1〜x)に、もう一方が駆動用トランジスタ602のゲ
ートに接続されている。駆動用トランジスタ602のソースとドレインは、一方が電源線
Vi(i=1〜x)に接続され、もう一方は発光素子603の画素電極に接続される。
発光素子603は陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられた電界発光層とからなる
。陽極が駆動用トランジスタ602のソースまたはドレインと接続している場合、陽極が
画素電極、陰極が対向電極となる。逆に陰極が駆動用トランジスタ602のソースまたは
ドレインと接続している場合、陰極が画素電極、陽極が対向電極となる。なお、駆動用ト
ランジスタ602のソースまたはドレインが発光素子603の陽極に接続されている場合
、駆動用トランジスタ602はpチャネル型トランジスタであることが望ましい。また、
駆動用トランジスタ602のソースまたはドレインが発光素子603の陰極と接続されて
いる場合、駆動用トランジスタ602はnチャネル型トランジスタであることが望ましい
発光素子603の対向電極と、電源線Viには、それぞれ電源から電圧が与えられてい
る。そして対向電極と電源線の電圧差は、駆動用トランジスタがオンになったときに発光
素子に順方向バイアスの電圧が印加されるような値に保たれている。
容量素子604が有する2つの電極は、一方は電源線Viに接続されており、もう一方
は駆動用トランジスタ602のゲートに接続されている。容量素子604はスイッチング
用トランジスタ601が非選択状態(オフ状態)にある時、駆動用トランジスタ602の
ゲート電圧を保持するために設けられている。なお図6(A)では容量素子604を設け
る構成を示したが、本発明はこの構成に限定されず、容量素子604を設けない構成にし
ても良い。
走査線Gjの電位によりスイッチング用トランジスタ601がオンになると、信号線S
iに入力されたビデオ信号の電位が駆動用トランジスタ602のゲートに与えられる。こ
の入力されたビデオ信号の電位に従って、駆動用トランジスタ602のゲート電圧(ゲー
トとソース間の電圧差)が定まる。そして、該ゲート電圧によって流れる駆動用トランジ
スタ602のドレイン電流は、発光素子603に供給され、発光素子603は供給された
電流によって発光する。
次に、図6(A)とは異なる画素の構成を図6(B)に示す。図6(B)において、6
11はスイッチング用トランジスタである。スイッチング用トランジスタ611のゲート
は、第1走査線Gaj(j=1〜y)に接続されている。スイッチング用トランジスタ6
11のソースとドレインは、一方が信号線Si(i=1〜x)に、もう一方が駆動用トラ
ンジスタ612のゲートに接続されている。消去用トランジスタ614のゲートは、第2
走査線Gbj(j=1〜y)に接続されている。消去用トランジスタ614のソースとド
レインは、一方が電源線Vi(i=1〜x)に、もう一方が駆動用トランジスタ612の
ゲートに接続されている。駆動用トランジスタ612のソースとドレインは、一方は電源
線Viに、もう一方は発光素子613が有する画素電極に接続されている。
発光素子613は陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に設けられた電界発光層とからな
る。陽極が駆動用トランジスタ612のソースまたはドレインと接続している場合、陽極
が画素電極、陰極が対向電極となる。逆に陰極が駆動用トランジスタ612のソースまた
はドレインと接続している場合、陰極が画素電極、陽極が対向電極となる。陽極が画素電
極の場合、駆動用トランジスタ612はpチャネル型トランジスタであることが望ましい
。また、陰極が画素電極の場合、駆動用トランジスタ612はnチャネル型トランジスタ
であることが望ましい。発光素子613の対向電極と電源線Viには、それぞれ電源から
電圧が与えられている。そして対向電極と電源線の電圧差は、駆動用トランジスタがオン
になったときに発光素子に順方向バイアスの電圧が印加されるような値に保たれている。
容量素子615が有する2つの電極は、一方は電源線Viに接続されており、もう一方
は駆動用トランジスタ612のゲートに接続されている。容量素子615はスイッチング
用トランジスタ611が非選択状態(オフ状態)にある時、駆動用トランジスタ612の
ゲート電圧を保持するために設けられている。なお図6(B)では容量素子615を設け
る構成を示したが、本発明はこの構成に限定されず、容量素子615を設けない構成にし
ても良い。
第1走査線Gajの電位によりスイッチング用トランジスタ611がオンになると、信
号線Siに入力されたビデオ信号の電位が駆動用トランジスタ612のゲートに与えられ
る。この入力されたビデオ信号の電位に従って、駆動用トランジスタ612のゲート電圧
(ゲートとソース間の電圧差)が定まる。そして、該ゲート電圧によって流れる駆動用ト
ランジスタ612のドレイン電流は、発光素子613に供給され、発光素子613は供給
された電流によって発光する。
さらに、第2走査線Gbjの電位により消去用トランジスタ614がオンになると、電
源線Viの電位が駆動用トランジスタ612のゲートとソースの両方に与えられ、よって
駆動用トランジスタ612がオフし、発光素子613の発光が強制的に終了する。
なお図6に示した画素を用いた場合、ビデオ信号はアナログでもデジタルでも良い。デ
ジタルの場合、発光素子の発光する期間(発光期間)を制御することで、階調を表示する
ことが可能である。ただし、図5(A)に示した発光素子は、電流密度を変化させた場合
においても、発光スペクトルの形状が変化したりせず、安定な白色光を供給できるので、
アナログ駆動に有利であるといえる。
なお本実施例で示した構成は、本発明の発光装置の一例であり、本発明はこの構成に限
定されない。また、図6では、ビデオ信号を電圧で入力するタイプであるが、ビデオ信号
を電流で入力するタイプの発光装置にも用いることが可能である。
図7を用いて、本発明の発光装置の、画素の断面構造について説明する。図7では、基
板6000上にトランジスタ6001が形成されている。トランジスタ6001は第1の
層間絶縁膜6002で覆われており、第1の層間絶縁膜6002上には樹脂等で形成され
たカラーフィルタ6003と、コンタクトホールを介してトランジスタ6001と電気的
に接続されている配線6004が形成されている。
そしてカラーフィルタ6003及び配線6004を覆うように、第1の層間絶縁膜60
02上に、第2の層間絶縁膜6005が形成されている。なお、第1の層間絶縁膜600
2または第2の層間絶縁膜6005は、プラズマCVD法またはスパッタ法を用い、酸化
珪素、窒化珪素または酸化窒化珪素膜を単層でまたは積層して用いることができる。また
酸素よりも窒素のモル比率が高い酸化窒化珪素膜上に、窒素よりも酸素のモル比率が高い
酸化窒化珪素膜を積層した膜を第1の層間絶縁膜6002または第2の層間絶縁膜600
5として用いても良い。或いは第1の層間絶縁膜6002または第2の層間絶縁膜600
5として、有機樹脂膜を用いても良いし、シロキサン系材料を出発材料として形成された
Si−O−Si結合を含む絶縁膜(以下、シロキサン系絶縁膜と呼ぶ)等を用いても良い
。シロキサン系絶縁膜は、置換基に水素の他、フッ素、アルキル基、または芳香族炭化水
素のうち少なくとも1種を有していても良い。
第2の層間絶縁膜6005上には、コンタクトホールを介して配線6004に電気的に
接続されている配線6006と、該配線6006と電気的に接続されている陽極6007
が形成されている。陽極6007は、第2の層間絶縁膜6005を間に挟んで、カラーフ
ィルタ6003と重なる位置に形成する。
また第2の層間絶縁膜6005上には隔壁として用いる有機樹脂膜6008が形成され
ている。有機樹脂膜6008は開口部を有しており、該開口部において陽極6007と電
界発光層6009と陰極6010が重なり合うことで発光素子6011が形成されている
。電界発光層6009は、発光層単独かもしくは発光層を含む複数の層が積層された構成
を有している。なお、有機樹脂膜6008及び陰極6010上に、保護膜を成膜しても良
い。この場合、保護膜は水分や酸素などの発光素子の劣化を促進させる原因となる物質を
、他の絶縁膜と比較して透過させにくい膜を用いる。代表的には、例えばDLC膜、窒化
炭素膜、RFスパッタ法で形成された窒化珪素膜等を用いるのが望ましい。また上述した
水分や酸素などの物質を透過させにくい膜と、該膜に比べて水分や酸素などの物質を透過
させやすい膜とを積層させて、保護膜として用いることも可能である。
また有機樹脂膜6008は、電界発光層6009が成膜される前に、吸着した水分や酸
素等を除去するために真空雰囲気下で加熱しておく。具体的には、100℃〜200℃、
0.5〜1時間程度、真空雰囲気下で加熱処理を行なう。望ましくは3×10-7Torr
以下とし、可能であるならば3×10-8Torr以下とするのが最も望ましい。そして、
有機樹脂膜に真空雰囲気下で加熱処理を施した後に電界発光層を成膜する場合、成膜直前
まで真空雰囲気下に保つことで、信頼性をより高めることができる。
また有機樹脂膜6008の開口部における端部は、有機樹脂膜6008上に一部重なっ
て形成されている電界発光層6009に、該端部において穴があかないように、丸みを帯
びさせることが望ましい。具体的には、開口部における有機樹脂膜の断面が描いている曲
線の曲率半径が、0.2〜2μm程度であることが望ましい。
上記構成により、後に形成される電界発光層や陰極のカバレッジを良好とすることがで
き、陽極6007と陰極6010が電界発光層6009に形成された穴においてショート
するのを防ぐことができる。また電界発光層6009の応力を緩和させることで、発光領
域が減少するシュリンクとよばれる不良を低減させることができ、信頼性を高めることが
できる。
なお図7では、有機樹脂膜6008として、ポジ型の感光性のアクリル樹脂を用いた例
を示している。感光性の有機樹脂には、光、電子、イオンなどのエネルギー線が露光され
た箇所が除去されるポジ型と、露光された箇所が残るネガ型とがある。本発明ではネガ型
の有機樹脂膜を用いても良い。また感光性のポリイミドを用いて有機樹脂膜6008を形
成しても良い。ネガ型のアクリルを用いて有機樹脂膜6008を形成した場合、開口部に
おける端部が、S字状の断面形状となる。このとき開口部の上端部及び下端部における曲
率半径は、0.2〜2μmとすることが望ましい。
陽極6007は透明導電膜を用いることができる。ITOの他、酸化インジウムに2〜
20%の酸化亜鉛(ZnO)を混合した透明導電膜、ITO及び酸化珪素を含む酸化イン
ジウムスズなどを用いても良い。図7では陽極6007としITOを用いている。陽極6
007は、その表面が平坦化されるように、CMP法、ポリビニルアルコール系の多孔質
体を用いた拭浄で研磨しても良い。またCMP法を用いた研磨後に、陽極6007の表面
に紫外線照射、酸素プラズマ処理などを行ってもよい。
また陰極6010は、光が透過する程度の膜厚とし、仕事関数の小さい導電膜であれば
公知の他の材料を用いる。例えば、Ca、Al、CaF、MgAg、AlLi等が望まし
い。なお陰極側から光を得るためには、膜厚を薄くする方法の他に、Liを添加すること
で仕事関数が小さくなったITOを用いる方法もある。本発明で用いる発光素子は、陽極
側と陰極側の両方から光が発せられる構成であれば良い。
なお、実際には図7まで完成したら、さらに外気に曝されないように気密性が高く、脱
ガスの少ない保護フィルム(ラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等)や透光性
のカバー材6012でパッケージング(封入)することが好ましい。その際、カバー材の
内部を不活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材料(例えば酸化バリウム)を配置したりす
るとOLEDの信頼性が向上する。そして本発明では、カバー材6012にカラーフィル
タ6013を設ける。
なお、本発明は上述した作製方法に限定されず、公知の方法を用いて作製することが可
能である。
本実施例では、本発明の発光装置の構成について説明する。図8(A)に本実施例の発
光装置のブロック図を示す。図8(A)に示す発光装置は、発光素子を備えた画素を複数
有する画素部801と、各画素を選択する走査線駆動回路802と、選択された画素への
ビデオ信号の入力を制御する信号線駆動回路803とを有する。
図8(A)において信号線駆動回路803は、シフトレジスタ804、レベルシフタ8
05と、バッファ806とを有している。シフトレジスタ804には、クロック信号(C
LK)、スタートパルス信号(SP)、切り替え信号(L/R)が入力されている。クロ
ック信号(CLK)とスタートパルス信号(SP)が入力されると、シフトレジスタ80
4においてタイミング信号が生成され、レベルシフタ805に入力される。また切り替え
信号(L/R)によって、タイミング信号のパルスの出現する順序が切り替わる。
タイミング信号は、レベルシフタ805においてそのパルスの高さが調整され、バッフ
ァ806に入力される。バッファ806では、入力されたタイミング信号のパルスに同期
して、ビデオ信号(video signal)をサンプリングし、信号線を介して画素部801に入
力する。
次に、走査線駆動回路802の構成について説明する。走査線駆動回路802は、シフ
トレジスタ807、バッファ808を有している。また場合によってはレベルシフタを有
していても良い。走査線駆動回路802において、シフトレジスタ807にクロックCL
K及びスタートパルス信号SPが入力されることによって、選択信号が生成される。生成
された選択信号はバッファ808において緩衝増幅され、対応する走査線に供給される。
走査線には、1ライン分の画素のトランジスタのゲートが接続されている。そして、1ラ
イン分の画素のトランジスタを一斉にONにしなくてはならないので、バッファ808は
大きな電流を流すことが可能なものが用いられる。
なお、シフトレジスタ804、806の代わりに、例えばデコーダ回路のような信号線
の選択ができる別の回路を用いても良い。
本発明の発光装置を駆動する信号線駆動回路は、本実施例で示す構成に限定されない。
本実施例では、本発明の発光装置の構成について説明する。図8(B)に本実施例の発
光装置のブロック図を示す。図8(B)に示す発光装置は、発光素子を備えた画素を複数
有する画素部811と、各画素を選択する走査線駆動回路812と、選択された画素への
ビデオ信号の入力を制御する信号線駆動回路813とを有する。
図8(B)において信号線駆動回路813は、シフトレジスタ814、ラッチA815
、ラッチB816を有している。シフトレジスタ814には、クロック信号(CLK)、
スタートパルス信号(SP)、切り替え信号(L/R)が入力されている。クロック信号
(CLK)とスタートパルス信号(SP)が入力されると、シフトレジスタ814におい
てタイミング信号が生成される。また切り替え信号(L/R)によって、タイミング信号
のパルスの出現する順序が切り替わる。生成したタイミング信号は、一段目のラッチA8
15に順に入力される。ラッチA815にタイミング信号が入力されると、該タイミング
信号のパルスに同期して、ビデオ信号が順にラッチA815に書き込まれ、保持される。
なお、本実施例ではラッチA815に順にビデオ信号を書き込んでいるが、本発明はこの
構成に限定されない。複数のステージのラッチA815をいくつかのグループに分け、グ
ループごとに並行してビデオ信号を入力する、いわゆる分割駆動を行っても良い。なおこ
のときのグループの数を分割数と呼ぶ。例えば4つのステージごとにラッチをグループに
分けた場合、4分割で分割駆動すると言う。
ラッチA815の全てのステージのラッチへの、ビデオ信号の書き込みが一通り終了す
るまでの時間を、ライン期間と呼ぶ。実際には、上記ライン期間に水平帰線期間が加えら
れた期間をライン期間に含むことがある。
1ライン期間が終了すると、2段目のラッチB816にラッチ信号(Latch Signal)が
供給され、該ラッチ信号に同期してラッチA815に保持されているビデオ信号が、ラッ
チB816に一斉に書き込まれ、保持される。ビデオ信号をラッチB816に送出し終え
たラッチA815には、再びシフトレジスタ814からのタイミング信号に同期して、次
のビデオ信号の書き込みが順次行われる。この2順目の1ライン期間中には、ラッチB8
16に書き込まれ、保持されているビデオ信号が、信号線を介して画素部811に入力さ
れる。
なお、シフトレジスタ814の代わりに、例えばデコーダ回路のような信号線の選択が
できる別の回路を用いても良い。
本発明の発光装置を駆動する信号線駆動回路は、本実施例に示す構成に限定されない。
次に、一方の面から他方の面へ表示を切り替える際の、走査方向とビデオ信号の切り替
えについて説明する。
一般的に、複数の画素がマトリックス状に配置された発光パネルでは、画素が1行づつ
選択されて、ビデオ信号が入力される。選択された1行の画素に順にビデオ信号を入力す
る駆動方法を、点順次駆動と呼ぶ。また、1行の画素の全てに同時にビデオ信号を入力す
る駆動方法を、線順次駆動と呼ぶ。いずれの駆動方法においても、各画素に入力されるビ
デオ信号は、必ず該画素に対応した画像情報を有している。
図9(A)に、発光パネルにマトリックス状に設けられた複数の画素と、各画素に入力
される画像情報(D1〜D35)を示す。そして、図9(A)に示す発光パネルは点順次
駆動をしているものと仮定し、走査線の走査方向を行走査方向として実線の矢印で、ビデ
オ信号が入力される画素の順番を列走査方向として破線の矢印で示す。
そして、図9(A)に示す発光パネルを反対側の面から見た様子を、図9(B)に示す
。図9(A)では列走査方向が右から左へ向かっているのに対し、反対側の面では図9(
B)に示すように、列走査方向が左から右へと反対の方向に向かっている。よって、1行
の画素においてビデオ信号の入力される順番が逆になる。
従って、表示する画面を切り替える際には、列走査方向を反対に切り替えるか、または
列走査方向に合わせてビデオ信号が有する画像情報を左右反転するように変更するか、い
ずれかの手段を講ずる必要がある。
なお、画像情報を左右反転するように切り替える場合、駆動回路の構成を単純にするこ
とができる。また、列走査方向を反対に切り替える場合は、発光パネルの走査方向に合わ
せてビデオ信号を処理するコントローラの構成をより単純にすることができ、また駆動の
際のコントローラの負担をより軽減させることができる。
なお、例えば発光パネルの反対側の面に画像を表示するために、発光パネルを行走査方
向において反転させたとする。このとき、反対側の面では図9(C)に示すように、行走
査方向が図9(A)と反対の方向に向かっている。よって、1行の画素においてビデオ信
号が入力される順番が逆になる。この場合も図9(B)の場合と同様に、行走査方向を反
対に切り替えるか、行走査方向に合わせてビデオ信号が有する画像情報を上下に反転する
ように変更するか、いずれかの手段を講ずる必要がある。
なお本実施の形態では点順次駆動の場合について説明したが、線順次駆動の場合も同様
に、画面の切り替えの際に、走査方向を切り替えたり、またはビデオ信号が有する画像情
報を左右または上下に反転させたりすれば良い。
本実施例では、走査方向を切り替える機能を有する信号線駆動回路と走査線駆動回路の
具体的な構成について説明する。
図10に、本実施例の信号線駆動回路の回路図を示す。図10に示す信号線駆動回路は
アナログのビデオ信号に対応している。図10において1201はシフトレジスタであり
、クロック信号CKと、クロック信号CKを反転させた反転クロック信号CKbと、スタ
ートパルス信号SPによって、ビデオ信号をサンプリングするタイミングを決めるタイミ
ング信号を生成している。
またシフトレジスタ1201には、複数のフリップフロップ1210と、各フリップフ
ロップ1210に2つづつ対応している複数のトランスミッションゲート1211、12
12が設けられている。トランスミッションゲート1211、1212は、切り替え信号
L/Rによってそのスイッチングが制御され、一方がオンのときに他方はオフとなる。
トランスミッションゲート1211がオンのとき、スタートパルス信号は最も左側のフ
リップフロップ1210に与えられるので、右シフト型のシフトレジスタとして機能する
。逆にトランスミッションゲート1212がオンのとき、スタートパルス信号は最も右側
のフリップフロップ1210に与えられるので、左シフト型のシフトレジスタとして機能
する。
シフトレジスタ1201で生成されたタイミング信号は複数のインバータ1202によ
って緩衝増幅され、トランスミッションゲート1203に送られる。なお図10では、シ
フトレジスタの出力の1つについてのみ、後段の回路(ここではインバータ1202、ト
ランスミッションゲート1203)を示しているが、実際には他の出力に対応する後段の
回路が複数設けられている。
トランスミッションゲート1203は緩衝増幅されたタイミング信号によってスイッチ
ングが制御される。そして、トランスミッションゲート1203がオンのときにビデオ信
号がサンプリングされて、画素部の各画素に供給される。シフトレジスタ1201が右シ
フト型として機能している場合は、列走査方向は左から右に向かっており、シフトレジス
タ1201が左シフト型として機能している場合は、列走査方向は右から左に向かってい
る。
次に図11に、本実施例の信号線駆動回路の回路図を示す。図11に示す信号線駆動回
路はデジタルのビデオ信号に対応している。図11において1301はシフトレジスタで
あり、図10に示したシフトレジスタ1201と同じ構成を有しており、走査方向の切り
替えが、切り替え信号L/Rによって制御されている。
シフトレジスタ1301において生成されたタイミング信号は、インバータ1302に
おいて緩衝増幅された後、ラッチ1303に入力される。なお図11では、シフトレジス
タ1301の出力の1つについてのみ、後段の回路(ここではインバータ1302、ラッ
チ1303、ラッチ1304)を示しているが、実際には他の出力に対応する後段の回路
が複数設けられている。
ラッチ1303はタイミング信号に従ってビデオ信号をラッチする。図11ではラッチ
1303を1つだけ示しているが、実際にはラッチ1303は複数設けられており、ビデ
オ信号のラッチはタイミング信号に従って順に行なわれる。そしてこのラッチの順番は切
り替え信号L/Rによって、左から右のラッチ1303へ、または右から左のラッチ13
03へ方向を切り替えることができる。
全てのラッチ1303においてビデオ信号がラッチされたら、ラッチ信号LATとその
反転信号LATbに従って、ラッチ1303に保持されたビデオ信号が一斉に後段のラッ
チ1304に送出され、ラッチされる。そしてラッチ1304にラッチされているビデオ
信号が、対応する画素に供給される。
次に図12に、本実施例の走査線駆動回路の回路図を示す。図12において1401は
シフトレジスタであり、図10に示したシフトレジスタ1201と同じ構成を有しており
、走査方向の切り替えが、切り替え信号L/Rによって制御されている。ただしシフトレ
ジスタ1401において生成されたタイミング信号は、各行の画素を選択するために用い
られる。
シフトレジスタ1401において生成されたタイミング信号は、インバータ1402に
おいて緩衝増幅された後、画素に入力される。なお図12では、シフトレジスタ1401
の出力の1つについてのみ、後段の回路(ここではインバータ1402)を示しているが
、実際には他の出力に対応する後段の回路が複数設けられている。
なお、本実施例で示す駆動回路は本発明の発光装置に用いることができる駆動回路の一
実施例であり、本発明はこれに限定されない。
図13(A)に、本発明の電子機器の1つである携帯電話の構成を示す。図13(A)
に示す携帯電話のモジュールは、プリント配線基板930に、コントローラ901、CP
U902、メモリ911、電源回路903、音声処理回路929及び送受信回路904や
、その他、抵抗、バッファ、容量素子等の素子が実装されている。また、発光パネル90
0がFPC908によってプリント配線基板930に実装されている。発光パネル900
には、発光素子が各画素に設けられた画素部905と、前記画素部905が有する画素を
選択する走査線駆動回路906と、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回
路907とが設けられている。
プリント配線基板930への電源電圧及びキーボードなどから入力された各種信号は、
複数の入力端子が配置されたプリント配線基板用のインターフェース(I/F)909を介
して供給される。また、アンテナとの間の信号の送受信を行なうためのアンテナ用ポート
910が、プリント配線基板930に設けられている。
なお、本実施例では発光パネル900にプリント配線基板930がFPC908を用い
て実装されているが、必ずしもこの構成に限定されない。COG(Chip on Glass)方式を
用い、コントローラ901、音声処理回路929、メモリ911、CPU902または電
源回路903を発光パネル900に直接実装させるようにしても良い。
また、プリント配線基板930において、引きまわしの配線間に形成される容量や配線
自体が有する抵抗等によって、電源電圧や信号にノイズがのったり、信号の立ち上がりが
鈍ったりすることがある。そこで、プリント配線基板930に容量素子、バッファ等の各
種素子を設けることで、電源電圧や信号にノイズがのったり、信号の立ち上がりが鈍った
りするのを防ぐことができる。
図13(B)に、図13(A)に示したモジュールのブロック図を示す。
本実施例では、メモリ911としてVRAM932、DRAM925、フラッシュメモ
リ926などが含まれている。VRAM932には発光パネル900に表示する画像のデ
ータが、DRAM925には画像データまたは音声データが、フラッシュメモリ926に
は各種プログラムが記憶されている。
電源回路903では、発光パネル900、コントローラ901、CPU902、音声処
理回路929、メモリ911、送受信回路904に与える電源電圧が生成される。また発
光パネル900の仕様によっては、電源回路903に電流源が備えられている場合もある
CPU902は、制御信号生成回路920、デコーダ921、レジスタ922、演算回
路923、RAM924、CPU用のインターフェース935などを有している。インタ
ーフェース935を介してCPU902に入力された各種信号は、一旦レジスタ922に
保持された後、演算回路923、デコーダ921などに入力される。演算回路923では
、入力された信号に基づき演算を行ない、各種命令を送る場所を指定する。一方デコーダ
921に入力された信号はデコードされ、制御信号生成回路920に入力される。制御信
号生成回路920は入力された信号に基づき、各種命令を含む信号を生成し、演算回路9
23において指定された場所、具体的にはメモリ911、送受信回路904、音声処理回
路929、コントローラ901などに送る。
メモリ911、送受信回路904、音声処理回路929、コントローラ901は、それ
ぞれ受けた命令に従って動作する。以下その動作について簡単に説明する。
キーボード931から入力された信号は、インターフェース909を介してプリント配
線基板930に実装されたCPU902に送られる。制御信号生成回路920は、キーボ
ード931から送られてきた信号に従い、VRAM932に格納してある画像データを所
定のフォーマットに変換し、コントローラ901に送付する。
コントローラ901は、発光パネル900の仕様に合わせてCPU902から送られて
きた画像データを含む信号にデータ処理を施し、発光パネル900に供給する。またコン
トローラ901は、電源回路903から入力された電源電圧やCPUから入力された各種
信号をもとに、Hsync信号、Vsync信号、クロック信号CLK、交流電圧(AC C
ont)、切り替え信号L/Rを生成し、発光パネル900に供給する。
送受信回路904では、アンテナ933において電波として送受信される信号が処理さ
れており、具体的にはアイソレータ、バンドパスフィルタ、VCO(Voltage Controlled Os
cillator)、LPF(Low Pass Filter)、カプラ、バランなどの高周波回路を含んでいる。
送受信回路904において送受信される信号のうち音声情報を含む信号が、CPU902
からの命令に従って、音声処理回路929に送られる。
CPU902の命令に従って送られてきた音声情報を含む信号は、音声処理回路929
において音声信号に復調され、スピーカー928に送られる。またマイク927から送ら
れてきた音声信号は、音声処理回路929において変調され、CPU902からの命令に
従って、送受信回路904に送られる。
コントローラ901、CPU902、電源回路903、音声処理回路929、メモリ9
11を、本発明のパッケージとして実装することができる。本発明は、アイソレータ、バ
ンドパスフィルタ、VCO(Voltage Controlled Oscillator)、LPF(Low Pass Filter)、
カプラ、バランなどの高周波回路以外であれば、どのような回路にも応用することができ
る。
本実施例では、可撓性を有する基板を用いた本発明の発光装置について説明する。可撓
性を有する基板を用いた発光装置は、厚みが薄く軽量であるということに加えて、曲面を
有するディスプレイや、ショーウィンドウ等などにも用いることができる。よって、その
用途は携帯機器のみに限られず、応用範囲は多岐にわたる。
図14に、可撓性を有する基板を用いて形成された発光装置を、湾曲させた様子を示す
。基板5001には、画素部5002、走査線駆動回路5003及び信号線駆動回路50
04が形成されている。基板5001には、後の工程における処理温度に耐え得る素材を
用いる。
なお直接基板5001上に、画素部5002、走査線駆動回路5003及び信号線駆動
回路5004に用いられる各種半導体素子を形成せずに、一旦、耐熱性を有する基板上に
形成してから、別途用意した可撓性を有する基板上に転写しても良い。この場合転写は、
基板と半導体素子の間に金属酸化膜を設け、該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して半導
体素子を剥離し、転写する方法、基板と半導体素子の間に水素を含む非晶質珪素膜を設け
、レーザ光の照射またはエッチングにより該非晶質珪素膜を除去することで基板と半導体
素子とを剥離し、転写する方法、半導体素子が形成された基板を機械的に削除または溶液
やガスによるエッチングで除去することで半導体素子を基板から切り離し、転写する方法
等、様々な方法を用いることができる。
本発明の発光装置は様々な電子機器に用いることが可能であるが、特に携帯用の電子機
器の場合、軽量化、小型化を図りつつ大画面化することで使い勝手が飛躍的に良くなるた
め、本発明の発光装置を用いることは非常に有用である。図15に、本発明の電子機器の
一例を示す。
図15(A)は携帯情報端末(PDA)であり、本体2101、筐体2102、表示部
2103、操作キー2104、アンテナ2105等を含む。図15(A)に示すように、
表示部2103には本発明の両面発光の発光装置が用いられており、ヒンジ2106を軸
にして筐体2102を回転させる事で、表示部2103の裏側を露出させることができる
。また本体2101の筐体2102と重なる部分に、別の発光装置を用いた表示部210
7を設けておいても良い。
図15(B)は携帯電話であり、本体2201、筐体2202、表示部2203、22
04、音声入力部2205、音声出力部2206、操作キー2207、アンテナ2208
等を含む。図15(B)では、表示部2203、2204に本発明の両面発光の発光装置
を用いることができる。
図15(C)は電子ブックであり、本体2301、筐体2302、表示部2303、操
作キー2304等を含む。またモデムが本体2301に内蔵されていても良い。表示部2
303には本発明の両面発光の発光装置が用いられている。
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが
可能である。また、本実施例の電子機器は実施例1〜9に示したいずれの構成の発光装置
を用いても良い。
101 発光パネル
102 カラーフィルタ
103 カラーフィルタ
104 偏光板
105 偏光板
111 発光パネル
112 カラーフィルタ
113 カラーフィルタ
114 液晶パネル
115 液晶パネル

Claims (15)

  1. 発光素子を有する発光パネルと、前記発光素子が有する陽極または陰極側のいずれか一方に設けられたカラーフィルタと、前記発光パネル及び前記カラーフィルタを間に挟んで存在する2つの液晶パネルとを有しており、
    前記陽極及び前記陰極は透光性を有しており、
    前記発光素子から得られる光は白色であり、
    前記発光パネルの一方の画面には前記カラーフィルタを介してフルカラーの画像が表示され、もう一方の画面にはモノクロの画像が表示され
    前記2つの液晶パネルは、一方が前記発光パネルからの光を透過する間、他方は前記光を遮蔽するように駆動されることを特徴とする発光装置。
  2. 発光素子を有する発光パネルと、前記発光素子に流れる電流値を決定する第1のトランジスタと、前記発光素子の発光の有無を選択する第2のトランジスタと、前記発光素子が有する陽極または陰極側のいずれか一方に設けられたカラーフィルタと、前記発光パネル及び前記カラーフィルタを間に挟んで存在する2つの液晶パネルとを有しており、
    前記陽極及び前記陰極は透光性を有しており、
    前記発光素子から得られる光は白色であり、
    前記発光パネルの一方の画面には前記カラーフィルタを介してフルカラーの画像が表示され、もう一方の画面にはモノクロの画像が表示され、
    前記2つの液晶パネルは、一方が前記発光パネルからの光を透過する間、他方は前記光を遮蔽するように駆動され、
    前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、前記発光素子と第1の電源の間に直列に電気的に接続されており、
    前記第1のトランジスタのゲートは第2の電源に電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
  3. 請求項2において、
    前記第1のトランジスタは飽和領域で動作し、前記第2のトランジスタは線形領域で動作することを特徴とする発光装置。
  4. 請求項2または3のいずれか一において、
    前記第2のトランジスタは、前記第1のトランジスタを介して前記発光素子に電気的に接続することを特徴とする発光装置。
  5. 請求項2乃至請求項4のいずれか一において、
    前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、同じ極性を有することを特徴とする発光装置。
  6. 請求項2乃至請求項5のいずれか一において、
    前記第1のトランジスタのチャネル長は前記第1のトランジスタのチャネル幅より長く、前記第2のトランジスタのチャネル長は前記第2のトランジスタのチャネル幅と同じか、前記第2のトランジスタのチャネル幅よりも短いことを特徴とする発光装置。
  7. 請求項2乃至請求項6のいずれか一において、
    前記第1のトランジスタは、常にオン状態であることを特徴とする発光装置。
  8. 請求項2乃至請求項7のいずれか一において、
    前記発光素子へ流れる電流値は、前記第1のトランジスタのゲート・ソース間電圧によって決まることを特徴とする発光装置。
  9. 請求項1乃至請求項のいずれか一において、
    前記発光素子は、青色発光を呈する第一発光層と、ホスト材料に燐光材料が10wt%以上の濃度で分散され、かつ前記燐光材料からの燐光発光と前記燐光材料のエキシマー状態からの発光とを共に発する第二発光層と、を有することを特徴とする発光装置。
  10. 請求項において、
    前記第一発光層からの発光スペクトルの最大ピークは、400nm以上500nm以下の領域に位置することを特徴とする発光装置。
  11. 請求項または10において、
    前記燐光材料は500nm以上700nm以下の領域に2つ以上のピークを有する発光を示し、かつ、前記2つ以上のピークのいずれかがエキシマー発光であることを特徴とする発光装置。
  12. 請求項1乃至請求項11のいずれか一において、
    前記発光パネルは、可撓性を有する基板上に形成されていることを特徴とする発光装置。
  13. 請求項1乃至請求項12のいずれか一において、
    前記2つの液晶パネルの透過率の切り替えに同期して、前記発光パネルに入力されるビデオ信号の切り替えが行われ、
    前記発光パネルからの光が前記2つの液晶パネルへ透過する側において表示される画像の画像情報を有するビデオ信号が、前記発光パネルに入力されることを特徴とする発光装置。
  14. 請求項1乃至請求項13のいずれか一において、
    前記発光装置を一つ又は複数有することを特徴とする電子機器。
  15. 請求項14において、
    前記電子機器は、携帯情報端末、携帯電話、電子ブック又はディスプレイであることを特徴とする電子機器。
JP2010028291A 2003-04-07 2010-02-11 電子機器 Expired - Fee Related JP5106553B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010028291A JP5106553B2 (ja) 2003-04-07 2010-02-11 電子機器

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003103114 2003-04-07
JP2003103114 2003-04-07
JP2010028291A JP5106553B2 (ja) 2003-04-07 2010-02-11 電子機器

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004110616A Division JP4477400B2 (ja) 2003-04-07 2004-04-05 発光装置及び電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010103128A JP2010103128A (ja) 2010-05-06
JP5106553B2 true JP5106553B2 (ja) 2012-12-26

Family

ID=33524447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010028291A Expired - Fee Related JP5106553B2 (ja) 2003-04-07 2010-02-11 電子機器

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20040263066A1 (ja)
JP (1) JP5106553B2 (ja)
KR (1) KR101069332B1 (ja)
CN (1) CN100356249C (ja)
TW (2) TWI363573B (ja)

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4531342B2 (ja) * 2003-03-17 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 白色有機発光素子および発光装置
TWI363573B (en) * 2003-04-07 2012-05-01 Semiconductor Energy Lab Electronic apparatus
US7862906B2 (en) 2003-04-09 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescent element and light-emitting device
JP2004327634A (ja) * 2003-04-23 2004-11-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ発振器
JP4754772B2 (ja) 2003-05-16 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び該発光装置を用いた電子機器
JP4425574B2 (ja) * 2003-05-16 2010-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 素子基板及び発光装置
US7161185B2 (en) * 2003-06-27 2007-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US8552933B2 (en) * 2003-06-30 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and driving method of the same
JP4316960B2 (ja) * 2003-08-22 2009-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US8884845B2 (en) * 2003-10-28 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and telecommunication system
US8048251B2 (en) 2003-10-28 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing optical film
JP4485184B2 (ja) * 2003-12-15 2010-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
US8681140B2 (en) 2004-05-21 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus having the same
KR101215860B1 (ko) * 2004-05-21 2012-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자 및 그 소자를 사용하는 발광 장치
KR100581913B1 (ko) * 2004-05-22 2006-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치
US7488849B2 (en) * 2004-06-10 2009-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Benzidine derivative, and light-emitting device and electric appliance using the benzidine derivative as the hole transporting material
US9070647B2 (en) * 2004-08-05 2015-06-30 Au Optronics Corporation Dual emitting method and device for active matrix organic electroluminescence
JP4363319B2 (ja) * 2004-12-14 2009-11-11 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4640085B2 (ja) * 2005-09-30 2011-03-02 カシオ計算機株式会社 表示パネル
EP1784055A3 (en) * 2005-10-17 2009-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting system
US20070090385A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI398705B (zh) * 2005-11-04 2013-06-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置
WO2007063782A1 (en) * 2005-11-30 2007-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2007072766A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1804115A1 (en) * 2005-12-28 2007-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1804114B1 (en) * 2005-12-28 2014-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1832915B1 (en) * 2006-01-31 2012-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with improved contrast
EP1826604B1 (en) * 2006-01-31 2015-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2007088954A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1816508A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI298234B (en) * 2006-02-23 2008-06-21 Ind Tech Res Inst A structure and method for improving contact resistance in an organic light emitting diode integrated with a color filter
EP1826605A1 (en) 2006-02-24 2007-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1826606B1 (en) 2006-02-24 2012-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4809087B2 (ja) * 2006-03-14 2011-11-02 セイコーエプソン株式会社 エレクトロルミネッセンス装置、電子機器、およびエレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP5030742B2 (ja) * 2006-11-30 2012-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
CN101978784B (zh) * 2008-03-18 2012-12-05 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置及电子装置
WO2009116547A1 (en) 2008-03-18 2009-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device and electronic device
KR102549916B1 (ko) 2008-07-10 2023-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
US8581237B2 (en) * 2008-12-17 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
JP2011204671A (ja) * 2010-03-02 2011-10-13 Canon Inc 有機el素子およびそれを用いた発光装置
US8519735B2 (en) * 2011-08-25 2013-08-27 International Business Machines Corporation Programming the behavior of individual chips or strata in a 3D stack of integrated circuits
CN103576357B (zh) * 2012-07-24 2016-12-21 上海天马微电子有限公司 一种透明显示器
KR20140118770A (ko) 2013-03-27 2014-10-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102132697B1 (ko) 2013-12-05 2020-07-10 엘지디스플레이 주식회사 휘어진 디스플레이 장치
TWI679624B (zh) * 2014-05-02 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10535292B2 (en) 2014-06-17 2020-01-14 Nato Pirtskhlava One way display
US20160267851A1 (en) * 2014-06-17 2016-09-15 Nato Pirtskhlava One Way Display
CN104061495B (zh) * 2014-06-24 2016-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 用于双面显示的直下式背光结构
CN104297968B (zh) * 2014-10-24 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其驱动方法、显示装置
WO2017064593A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
WO2017081575A1 (en) 2015-11-11 2017-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US9929217B2 (en) 2016-01-27 2018-03-27 Au Optronics Corporation Array substrate of display and method of manufacturing the same
JP7050460B2 (ja) 2016-11-22 2022-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN109817688B (zh) * 2019-02-19 2020-12-29 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示面板、其制备方法及显示装置

Family Cites Families (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US539606A (en) * 1895-05-21 Car-coupling
JPS61137804A (ja) * 1984-12-11 1986-06-25 Nippon Ekishiyou Kk 防殺虫効果を有する植物育成用具の製造方法
US4769292A (en) * 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
JP2661804B2 (ja) * 1991-03-13 1997-10-08 シャープ株式会社 白色有機el素子
WO1994011980A1 (en) 1992-11-09 1994-05-26 Patoroma Research Yugenkaisha Portable communicator
US5396406A (en) 1993-02-01 1995-03-07 Display Technology Industries Thin high efficiency illumination system for display devices
JPH07244267A (ja) 1994-03-04 1995-09-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 両面表示可能なディスプレイ及び該ディスプレイを用いた情報表示装置
US6011580A (en) * 1994-06-07 2000-01-04 Terumo Kabushiki Kaisha Image display apparatus
JPH09127885A (ja) 1995-10-30 1997-05-16 Sony Corp 表示素子
JPH09204155A (ja) 1996-01-25 1997-08-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 携帯型情報処理装置
US5856819A (en) * 1996-04-29 1999-01-05 Gateway 2000, Inc. Bi-directional presentation display
JPH10255976A (ja) 1997-03-11 1998-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子およびその製造方法
FI104658B (fi) * 1997-05-26 2000-03-15 Nokia Mobile Phones Ltd Kahden näytön näyttöjärjestely ja päätelaite
US6097147A (en) * 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6830828B2 (en) * 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US6656608B1 (en) * 1998-12-25 2003-12-02 Konica Corporation Electroluminescent material, electroluminescent element and color conversion filter
US7821065B2 (en) * 1999-03-02 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a thin film transistor comprising a semiconductor thin film and method of manufacturing the same
US7001536B2 (en) * 1999-03-23 2006-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
TWI232595B (en) * 1999-06-04 2005-05-11 Semiconductor Energy Lab Electroluminescence display device and electronic device
US6521360B2 (en) 1999-06-08 2003-02-18 City University Of Hong Kong White and colored organic electroluminescent devices using single emitting material by novel color change technique
TW543206B (en) 1999-06-28 2003-07-21 Semiconductor Energy Lab EL display device and electronic device
TW516244B (en) * 1999-09-17 2003-01-01 Semiconductor Energy Lab EL display device and method for manufacturing the same
GB9923261D0 (en) * 1999-10-02 1999-12-08 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display device
TW587239B (en) 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
JP4831862B2 (ja) 1999-11-30 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 電子装置
JP2001175198A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2001181617A (ja) 1999-12-27 2001-07-03 Fuji Photo Film Co Ltd オルトメタル化白金錯体からなる発光素子材料および発光素子
US6621508B1 (en) * 2000-01-18 2003-09-16 Seiko Epson Corporation Information processing system
KR100329571B1 (ko) * 2000-03-27 2002-03-23 김순택 유기 전자 발광소자
JP3670192B2 (ja) 2000-03-30 2005-07-13 京セラ株式会社 携帯無線機および表示内容変更方法
US6661029B1 (en) * 2000-03-31 2003-12-09 General Electric Company Color tunable organic electroluminescent light source
AU2001255360A1 (en) 2000-04-14 2001-10-30 C-360, Inc. Illuminated viewing assembly, viewing system including the illuminated viewing assembly, and method of viewing therefor
JP2001332392A (ja) 2000-05-19 2001-11-30 Sony Corp 両面発光型有機エレクトロルミネッセンス素子、両面発光型有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器
US6291255B1 (en) * 2000-05-22 2001-09-18 Industrial Technology Research Institute TFT process with high transmittance
JP2001343908A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Nitto Denko Corp タッチ式el表示装置及び入力検出方法
JP2001356714A (ja) 2000-06-12 2001-12-26 Alpine Electronics Inc 表示装置
JP3479266B2 (ja) 2000-08-04 2003-12-15 埼玉日本電気株式会社 無線通信機
US6911271B1 (en) * 2000-08-11 2005-06-28 The University Of Southern California Organometallic platinum complexes for phosphorescence based organic light emitting devices
US6939624B2 (en) 2000-08-11 2005-09-06 Universal Display Corporation Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
JP2002072930A (ja) * 2000-08-28 2002-03-12 Toshiba Corp 表示素子及びその駆動方法
JP2002156920A (ja) 2000-09-05 2002-05-31 Nitto Denko Corp タッチパネル付el表示装置
US6893743B2 (en) * 2000-10-04 2005-05-17 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device
US6970144B1 (en) * 2000-11-16 2005-11-29 Vrex, Inc. Kiosk for 3D display
JP4119085B2 (ja) * 2000-12-20 2008-07-16 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置、及び立体視表示装置
JP4011292B2 (ja) * 2001-01-15 2007-11-21 株式会社日立製作所 発光素子、及び表示装置
JP2002304136A (ja) 2001-01-17 2002-10-18 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備えた電子機器
SG118118A1 (en) 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same
SG160191A1 (en) * 2001-02-28 2010-04-29 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4655410B2 (ja) 2001-03-09 2011-03-23 ソニー株式会社 有機電界発光素子
JP2002334787A (ja) 2001-03-09 2002-11-22 Sony Corp 有機電界発光素子
US6744198B2 (en) 2001-03-19 2004-06-01 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing display device, display device, and electronic apparatus
KR100480769B1 (ko) 2001-06-13 2005-04-06 삼성에스디아이 주식회사 백색 전계발광 고분자 및 이를 이용한 유기 전계발광 소자
JP2003005710A (ja) * 2001-06-25 2003-01-08 Nec Corp 電流駆動回路及び画像表示装置
JP2003029240A (ja) 2001-07-16 2003-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像表示装置およびその駆動方法並びにその選択表示方法
JP2003036974A (ja) 2001-07-23 2003-02-07 Victor Co Of Japan Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
US20030035755A1 (en) * 2001-08-16 2003-02-20 Shu-Hui Chen Organic electroluminescence (OEL)-based biochips
JP2003058069A (ja) 2001-08-21 2003-02-28 Sharp Corp 自発光型画像表示装置
JP3760900B2 (ja) 2001-09-06 2006-03-29 セイコーエプソン株式会社 導光装置、電気光学装置及び電子機器
KR100469240B1 (ko) 2001-09-06 2005-02-02 엘지전자 주식회사 유기 전계발광소자
JP3941561B2 (ja) * 2001-09-14 2007-07-04 三菱電機株式会社 両面表示型液晶表示装置および情報機器
US6778229B2 (en) * 2001-10-02 2004-08-17 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display device and method of fabricating the same
JP4011325B2 (ja) 2001-10-31 2007-11-21 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7064740B2 (en) 2001-11-09 2006-06-20 Sharp Laboratories Of America, Inc. Backlit display with improved dynamic range
KR20030038522A (ko) * 2001-11-09 2003-05-16 산요 덴키 가부시키가이샤 광학 소자의 휘도 데이터를 초기화하는 기능을 갖는 표시장치
JP3837488B2 (ja) * 2001-11-30 2006-10-25 独立行政法人産業技術総合研究所 メカノルミネッセンス材料
US6869695B2 (en) 2001-12-28 2005-03-22 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
US6863997B2 (en) * 2001-12-28 2005-03-08 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
JP3841695B2 (ja) * 2002-02-06 2006-11-01 富士写真フイルム株式会社 有機el素子及び有機elディスプレイ
US6872472B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
JP3977669B2 (ja) * 2002-03-07 2007-09-19 双葉電子工業株式会社 有機el素子
US6951694B2 (en) 2002-03-29 2005-10-04 The University Of Southern California Organic light emitting devices with electron blocking layers
US6995816B2 (en) * 2002-04-12 2006-02-07 Eastman Kodak Company Optical devices comprising high performance polarizer package
JP4042516B2 (ja) 2002-04-26 2008-02-06 カシオ計算機株式会社 表示装置
JP3902981B2 (ja) * 2002-06-04 2007-04-11 キヤノン株式会社 有機発光素子及び表示装置
JP2004014316A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Rohm Co Ltd 両面表示有機エレクトロルミネセンスディスプレイモジュール及び情報端末
US6911772B2 (en) * 2002-06-12 2005-06-28 Eastman Kodak Company Oled display having color filters for improving contrast
US7064760B2 (en) * 2002-06-19 2006-06-20 Nokia Corporation Method and apparatus for extending structured content to support streaming
JP4236637B2 (ja) * 2002-06-20 2009-03-11 シャープ株式会社 表示装置
JP2004095340A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Seiko Instruments Inc 自発光型表示装置
JP4178882B2 (ja) * 2002-08-30 2008-11-12 セイコーエプソン株式会社 表示ユニット、電子機器および光学素子
US7368145B2 (en) * 2002-09-19 2008-05-06 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method and apparatus for manufacturing organic EL display and color filter by ink jet method
US7102162B2 (en) * 2002-12-12 2006-09-05 Che-Kuei Mai Plane light source structure for planar display
CN101510589B (zh) * 2002-12-26 2013-01-23 株式会社半导体能源研究所 有机发光元件
JP2004220888A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Shoen Kagi Kofun Yugenkoshi 透明有機発光ダイオードの両面表示構造及びその製造方法
US6822257B2 (en) 2003-01-29 2004-11-23 Ritdisplay Corporation Organic light emitting diode device with organic hole transporting material and phosphorescent material
US20040151829A1 (en) * 2003-01-31 2004-08-05 Eastman Kodak Company Optimizing OLED emission
WO2004077386A1 (ja) * 2003-02-28 2004-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 表示装置、折り畳み型携帯端末
JP4531341B2 (ja) 2003-02-28 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
JP4531342B2 (ja) * 2003-03-17 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 白色有機発光素子および発光装置
EP1607931B1 (en) * 2003-03-26 2014-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device substrate and light-emitting device
JP4526776B2 (ja) * 2003-04-02 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
TWI363573B (en) 2003-04-07 2012-05-01 Semiconductor Energy Lab Electronic apparatus
JP4614633B2 (ja) 2003-04-09 2011-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
US7862906B2 (en) * 2003-04-09 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescent element and light-emitting device
US7161185B2 (en) 2003-06-27 2007-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US7211823B2 (en) * 2003-07-10 2007-05-01 Universal Display Corporation Organic light emitting device structure for obtaining chromaticity stability
JP2005092180A (ja) * 2003-09-12 2005-04-07 Giantplus Technology Co Ltd デュアル表示モードの液晶ディスプレイ
US20050123791A1 (en) * 2003-12-05 2005-06-09 Deaton Joseph C. Organic electroluminescent devices
JP4352008B2 (ja) * 2004-03-10 2009-10-28 富士フイルム株式会社 発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
TWI363573B (en) 2012-05-01
TW200505257A (en) 2005-02-01
KR101069332B1 (ko) 2011-10-05
TWI363574B (en) 2012-05-01
US20090179549A1 (en) 2009-07-16
TW201212698A (en) 2012-03-16
JP2010103128A (ja) 2010-05-06
CN100356249C (zh) 2007-12-19
CN1536393A (zh) 2004-10-13
US8242683B2 (en) 2012-08-14
KR20040087897A (ko) 2004-10-15
US20040263066A1 (en) 2004-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5106553B2 (ja) 電子機器
JP4754772B2 (ja) 発光装置及び該発光装置を用いた電子機器
TW522374B (en) Electro-optical device and driving method of the same
TW554558B (en) Light emitting device
JP2022081592A (ja) 発光装置
US8907868B2 (en) Display device and electronic apparatus
US7230591B2 (en) Display device and method of driving the same
TWI444952B (zh) 顯示裝置
JP4712397B2 (ja) 表示装置
TWI260784B (en) Semiconductor element, electric circuit, display device and light-emitting device
JP4425571B2 (ja) 発光装置及び素子基板
TW201239854A (en) Display device, driving method of display device, and electronic appliance
JP2001222240A (ja) El表示装置及び電気器具
JP2001242827A (ja) 電子装置
JP4477400B2 (ja) 発光装置及び電子機器
JP2004054200A (ja) 半導体装置
JP5147150B2 (ja) 発光装置及び電子機器
JP4675584B2 (ja) 発光装置の駆動方法
JP4755293B2 (ja) 発光装置及び電子機器
JP4731846B2 (ja) 表示装置
JP4932209B2 (ja) 発光装置及び電子機器
JP2020064309A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111223

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120925

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121002

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees