JP5091243B2 - Ｅｕｖ光源のための駆動レーザ送出システム - Google Patents

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Description

関連出願への相互参照
本出願は、代理人整理番号第２００６−００２５−０１号である２００６年１０月１３日出願の「ＥＵＶ光源のための駆動レーザ送出システム」という名称の米国特許出願第１１／５８０、４１４号に対する優先権を請求するものであり、かつ代理人整理番号第２００５−００８１−０１号である２００６年２月２１日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中で本出願人所有の米国特許出願出願番号第１１／３５８、９９２号にも関するものであり、これらの特許の開示内容全体は、本明細書において引用により組み込まれている。
本出願は、代理人整理番号第２００５−００４４−０１号である２００５年６月２９日出願の「ＬＬＰ−ＥＵＶ光源駆動レーザシステム」という名称の現在特許出願中で本出願人所有の米国特許出願出願番号第１１／１７４、２９９号にも関するものであり、この特許の開示内容全体は、本明細書において引用により組み込まれている。
本出願は、代理人整理番号第２００６−００１−０１号である２００６年６月１４日出願の「ＥＵＶ光源のための駆動レーザ」という名称の現在特許出願中で本出願人所有の米国特許出願出願番号第１１／４５２、５５８号にも関するものであり、この特許の開示内容全体は、本明細書において引用により組み込まれている。
本出願は、ターゲット材料から創生され、かつ極紫外線（ＥＵＶ）光源チャンバ外での利用に向けて、例えば、約５０ｎｍ及びそれ未満の波長で、例えば、半導体集積回路製造フォトリソグラフィに向けて集光されて誘導されるプラズマからＥＵＶ光を供給する極紫外線（ＥＵＶ）光源に関する。
極紫外線（ＥＵＶ）光、例えば、約５０ｎｍ及びそれ未満の波長を有し、かつ約１３ｎｍの波長の光を含む電磁放射線（軟Ｘ線ということもある）をフォトリソグラフィ処理において使用して、基板、例えば、シリコンウェーハ内に極めて小さな特徴部を生成することができる。
ＥＵＶ光を生成する方法には、輝線がＥＵＶ範囲にあって、元素、例えば、キセノン、リチウム、又は錫を有する材料をプラズマ状態に変換することがあるが必ずしもこれに限定されるわけではない。レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）いうことが多い１つのこのような方法においては、材料の液滴、流れ、又はクラスターの形態のターゲット材料にレーザビームを照射することにより所要のプラズマを生成することができる。
この処理に対しては、一般的にプラズマを密封容器（例えば、真空チャンバ）で生成し、様々な測定機器を使用してモニタする。これらのプラズマ処理では、ＥＵＶ放射線を生成することに加えて、一般的に、帯域外放射線、高エネルギイオン及びデブリ、例えば、ターゲット材料の原子及び／又は塊／ミクロ液滴を含む可能な好ましくない副産物をプラズマチャンバ内で生成する。
これらのプラズマ形成副産物は、垂直入射及び／又は斜入射でのＥＵＶ反射が可能な多層ミラー（ＭＬＭ）を含む集光ミラー、測定検出器の表面、プラズマ形成体処理を撮像するのに使用される窓、及びレーザ入力窓を含むがこれらの限定されない様々なプラズマチャンバ光学要素の作動効率に潜在的に損なうか又は低減する可能性がある。熱、高エネルギイオン及び／又はデブリは、光透過率を低減する材料で光学要素を被覆すること、光学要素に浸入して、例えば、構造的一体性及び／又は光学特性、例えば、このような短波長で光を反射するミラーの機能に損害を与えること、光学要素を腐食又は浸食し、及び／又は光学要素内に拡散することを含むいくつかの点で光学要素に有害である場合がある。一部のターゲット材料、例えば、錫に対しては、プラズマチャンバにエッチング液、例えば、ＨＢｒを導入して、材料、例えば、光学要素上に堆積したデブリをエッチングすることが望ましいであろう。影響を受けた要素表面を加熱してエッチング液の反応率を増大させることができることが更に考えられている。
上述のように、ＥＵＶ光を生成する１つの技術は、ターゲット材料に照射することを伴っている。この点に関しては、ＣＯ2レーザ、例えば、１０．６μｍ波長で光を出力することによりＬＰＰ処理においてターゲット材料を照射する駆動レーザとしてある一定の利点を得ることができる。これは、特に、ある一定のターゲット材料、例えば、錫を含む材料に当て嵌まると考えられる。例えば、１つの利点には、駆動レーザ入力電力と出力ＥＵＶ電力の間で比較的高い変換効率を生成することができる点を含むことができる。ＣＯ2駆動レーザの別の利点は、錫デブリで被覆した反射光学要素のような比較的粗い表面から比較的波長が長い光（例えば１９８ｎｍの深紫外線と比較して）を反射することができる点を含むことができる。１０．６μｍ放射線のこの特性は、例えば、駆動レーザビームの誘導、集束、及び／又は駆動レーザビームの集束力の調節に反射ミラーをプラズマの近くで使用することを可能にすることができる。しかし、１０．６μｍ駆動レーザに対しては、プラズマチャンバにレーザを入力する窓は、一般的に、ＺｎＳｅから作られ、かつ反射防止膜で被覆されている。残念ながら、これらの材料は、ある一定のエッチング液、例えば、臭化物の影響を受けやすい場合がある。
プラズマ生成デブリの問題に加えて、パルスレーザビームを一連の移動液滴に一貫してかつ正確に当てることは困難である可能性がある。例えば、一部の高容量ＥＵＶ光源では、約２０〜５０μｍの直径を有し、かつ約５０〜１００ｍ／ｓの速度で移動する液滴の照射が必要であると考えられる。
米国特許出願第１１／５８０、４１４号 米国特許出願出願番号第１１／３５８、９９２号 米国特許出願出願番号第１１／１７４、２９９号 米国特許出願出願番号第１１／４５２、５５８号 米国特許第６、６２５、１９１号 米国特許第６、５４９、５５１号 米国特許第６、５６７、４５０号
以上を念頭において、本出願人は、ＥＵＶ光源内の選択した位置にレーザビームを有効に送出して集束させるシステム及び方法を開示する。
本出願の実施形態の態様では、ＥＵＶ光源は、ターゲット材料と、レーザ装置、例えば、ＣＯ2レーザ装置と、プラズマチャンバと、プラズマチャンバ内に位置決めされ、その中で生成されたＥＵＶ光を反射する光学器械とを含むことができる。この態様に対しては、ＥＵＶ光源は、第１の圧力ｐ1でプラズマチャンバ内に配置されたガス状エッチング液と、レーザ装置からビーム送出チャンバにレーザビームを通過させる入力窓を有するビーム送出チャンバとを含むことができる。この光源に対しては、送出チャンバには、ターゲット材料と相互作用してＥＵＶ発光プラズマを作り出すためにレーザビームを出力する開口部と共に形成することができ、送出チャンバは、ｐ1＞ｐ2でガス状エッチング液圧ｐ2を有することができる。
一実施形態では、ＥＵＶ光源は、送出チャンバ内に配置された集束光学器械を更に含むことができる。一構成においては、集束光学器械は、送出チャンバ開口部で焦点にレーザビームを集束させ、別の構成においては、集束光学器械は、送出チャンバ内のある一定の位置で焦点にレーザビームを集束させる。特定の構成においては、焦点位置は、送出チャンバ開口部の近くである。
特定的な実施形態では、ＥＵＶ光源は、プラズマチャンバに配置されてプラズマチャンバ内で焦点にレーザビームを集束させる集束光学器械、例えば、集束ミラーを更に含むことができる。この光源に対しては、入力窓は、ＺｎＳｅ製とすることができ、かつ反射防止膜で被覆することができ、ターゲット材料は、錫を含み、エッチング液は、ＨＢｒ、ＨＩ、Ｂｒ2、Ｃｌ2、ＨＣｌ、Ｈ2、又はその組合せとすることができる。
一設定においては、送出チャンバからレーザビームを受光するために中間チャンバが設けられる。この設定に対しては、中間チャンバには、プラズマチャンバにレーザビームを通過させるための開口部を形成することができる。送出チャンバ内で圧力ｐ1を維持する減圧ポンプを設置することができ、一部の実施例に対しては、可飽和吸収性材料、例えば、レーザビーム波長に適切なガスを送出チャンバ内に配置することができる。
本出願の実施形態の別の態様では、ＥＵＶ光源は、ターゲット材料と、レーザビームを出力するレーザ装置と、プラズマチャンバと、ターゲット材料と相互作用してＥＵＶ発光プラズマを作り出すためにプラズマチャンバにレーザビームを出力する開口部と共に形成された中間チャンバとを含むことができる。この態様に対しては、レーザ光源は、レーザ装置からビーム送出チャンバにレーザビームを通過させる入力窓を有するビーム送出チャンバを含むことができる。この光源に対しては、送出チャンバには、中間チャンバにレーザビームを出力するための開口部を形成することができ、光学器械を送出チャンバ内に配置して中間チャンバ内で焦点にレーザビームを集束させることができる。
一実施形態では、中間チャンバ内にガスカーテンを確立するノズルを設置することができる。一構成においては、ガス状エッチング液をプラズマチャンバ内に配置することができ、減圧ポンプを設置して、送出チャンバからガス状エッチング液を除去することができる。特定の用途においては、エッチング液は、Ｂｒ、例えば、ＨＢｒ、Ｂｒ2などを含み、入力窓は、ＺｎＳｅ製とし、かつ反射防止膜で被覆することができる。
本出願の実施形態の更に別の態様では、ＥＵＶ光源は、レーザ入力窓を有する容器と、レーザビームを出力するレーザ装置と、レーザビームと相互作用してＥＵＶ発光プラズマを作り出すために容器内に配置された材料とを含むことができる。この態様に対しては、光源は、容器内に位置決めされてＥＵＶ光を反射する光学器械と、実質的に低減された濃度のガス状エッチング液に入力窓を露出している間に光学器械からのプラズマによって生成されたデブリをエッチングするのに十分な濃度でガス状エッチング液に光学器械を露出する手段とを含むことができる。一実施形態では、露出する手段は、容器内のビーム送出チャンバと、容器内のプラズマチャンバとを含むことができ、送出チャンバには、プラズマチャンバ内でのターゲット材料との相互作用ためにレーザビームを出力する開口部が形成される。特定的な実施形態では、露出する手段は、送出チャンバからガス状エッチング液を除去するために減圧ポンプを更に含むことができる。
本出願の実施形態の更に別の態様では、ＥＵＶ光源は、ターゲット材料と、ターゲット材料でビーム経路を確立する少なくとも１つの光学器械と、ビーム経路に沿って位置決めされ、ターゲット材料と相互作用して、ビーム経路に出力光子を供給するシードレーザなしで、ＥＵＶ発光プラズマを生成するための増幅光子ビームを生成する光学利得媒体とを含むことができる。
この態様の一実施形態では、少なくとも１つの光学器械及びターゲット材料は、協働して光学発振器を確立することができ、少なくとも１つの光学器械は、平面ミラー、曲面ミラー、コーナ反射器、及び位相共役ミラーから成る光学器械の群から選択される。この態様の別の実施形態では、少なくとも１つの光学器械及びターゲット材料は、協働してリング形状部分を有するビーム経路を確立することができ、少なくとも１つの光学器械は、３つの回転ミラーを含むことができる。
この態様に対しては、ターゲット材料は、液滴の形とすることができ、錫を含むことができ、増幅器は、ＣＯ2レーザ増幅器とすることができ、又は固体円盤型利得媒体を含むことができる。
この態様の一実施例では、ＥＵＶ光源は、ターゲット材料と増幅器の間でビーム経路に沿って位置決めされた光アイソレータを更に含むことができ、特定的な実施例では、増幅器は、１次偏光方向を有し、光アイソレータは、位相遅延光学器械及び偏光子を含むことができる。
この態様のＥＵＶ光源に対しては、増幅器は、複数の増幅チャンバを含むことができ、平行化光学器械をターゲット材料と増幅器の間に配置することができ、ターゲット材料がビーム経路上にない期間の少なくとも一部分の間に光学利得媒体を維持するスイッチを設置することができる。
この態様の一構成においては、少なくとも１つの光学器械及びターゲット材料は、協働してリング形状部分を有するビーム経路を確立し、ＥＵＶ光源は、ファラデーアイソレータ及び／又は減衰器、及び／又はターゲット材料がビーム経路上にない期間の少なくとも一部分の間に光学利得媒体を維持するスイッチ、及び／又は空間フィルタ及び／又は光アイソレータを更に含むことができる。
本出願の実施形態の別の態様では、ＥＵＶ光源は、ターゲット材料と、ターゲット材料を有するビーム経路を確立する少なくとも１つの光学器械と、ターゲット材料との初期の光子相互作用を行うためにビーム経路に結合した発振器利得媒体を有する光学発振器と、初期の光子相互作用後に増幅光子ビームを生成する、ビーム経路に沿って位置決めされた光学利得媒体とを含むことができ、増幅光子ビームは、ターゲット材料と相互作用してＥＵＶ発光プラズマを生成するためのものである。
この態様の一実施形態では、少なくとも１つの光学器械及びターゲット材料は、協働して光学発振器を確立することができ、少なくとも１つの光学器械は、平面ミラー、曲面ミラー、コーナ反射器、及び位相共役ミラーから成る光学器械の群から選択される。この態様の別の実施形態では、少なくとも１つの光学器械及びターゲット材料は、協働してリング形状部分を有するビーム経路を確立することができ、例えば、少なくとも１つの光学器械は、３つの回転ミラーを含むことができる。
この態様に対しては、ターゲット材料は、液滴の形とすることができ、錫を含むことができ、増幅器は、ＣＯ2レーザ増幅器とすることができ、又は固体円盤型利得媒体を含むことができる。
この態様の一実施形態では、ＥＵＶ光源は、ターゲット材料と増幅器の間でビーム経路に沿って位置決めされた光アイソレータを更に含むことができ、特定的な実施例では、増幅器は、１次偏光方向を有することができ、光アイソレータは、位相遅延光学器械及び偏光子を含むことができる。
この態様のＥＵＶ光源に対しては、増幅器は、複数の増幅チャンバを含むことができ、平行化光学器械をターゲット材料と増幅器の間に配置することができ、ターゲット材料がビーム経路上にない期間の少なくとも一部分の間に光学利得媒体を維持するスイッチを設置することができる。
この態様の一構成においては、少なくとも１つの光学器械及びターゲット材料は、協働してリング形状部分を有するビーム経路を確立し、ＥＵＶ光源は、ファラデーアイソレータ及び／又は減衰器、及び／又はターゲット材料がビーム経路上にない期間の少なくとも一部分の間に光学利得媒体を維持するスイッチ、及び／又は空間フィルタ及び／又は光アイソレータを更に含むことができる。
本出願の実施形態の別の態様では、ＥＵＶ光源は、ビーム経路に沿ってビーム経路上で光との第１の相互作用に参加するように位置決め可能であるターゲット材料と、光増幅器と、ＥＵＶ発光プラズマを生成するためにターゲット材料とのその後の相互作用ためにビーム経路上でレーザビームを生成するように第１の相互作用から散乱した光子を光増幅器に誘導する少なくとも１つの光学器械とを含むことができる。
本出願の態様によるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源の概略の概念レベルの図である。 レーザ生成プラズマＥＵＶ光源のためのビーム送出システムの概略断面図である。 レーザ生成プラズマＥＵＶ光源のためのビーム送出システムの別の実施形態の概略断面図である。 レーザ生成プラズマＥＵＶ光源のための自己ターゲット式駆動レーザの概略断面図である。 レーザ生成プラズマＥＵＶ光源のための自己ターゲット式駆動レーザの別の実施形態の概略断面図である。 光アイソレータを有するレーザ生成プラズマＥＵＶ光源のための自己ターゲット式駆動レーザの別の実施形態の概略断面図である。 電気光学スイッチを有するレーザ生成プラズマＥＵＶ光源のための自己ターゲット式駆動レーザの別の実施形態の概略断面図である。 駆動レーザに結合された放射エネルギ供給部を有するレーザ生成プラズマＥＵＶ光源のための自己ターゲット式駆動レーザの別の実施形態の概略断面図である。 リング形状部分を有するビーム経路とファラデーアイソレータとを有するレーザ生成プラズマＥＵＶ光源のための自己ターゲット式駆動レーザの別の実施形態の概略断面図である。 リング形状部分を有するビーム経路、ファラデーアイソレータ、及び電気光学スイッチを有するレーザ生成プラズマＥＵＶ光源のための自己ターゲット式駆動レーザの別の実施形態の概略断面図である。 ＥＵＶ光源が、図１０に示す光源と共通の１つ又はそれよりも多くの構成要素を有し、かつ光がリング形状部分において単一の方向に沿って進行することを可能にするファラデーアイソレータ及びファラデーアイソレータとスイッチの間でビーム経路上に位置決めされた半位相差板も含む本出願の実施形態の別の態様を示す図である。 リング形状部分を有するビーム経路、ファラデーアイソレータ、電気光学スイッチ、及び空間フィルタを有するレーザ生成プラズマＥＵＶ光源のための自己ターゲット式駆動レーザの別の実施形態の概略断面図である。 ＥＵＶ光源が、図１１に示す光源と共通の１つ又はそれよりも多くの構成要素を有し、かつ光がリング形状部分において単一の方向に沿って進行することを可能にするファラデーアイソレータ及びファラデーアイソレータとスイッチの間でビーム経路上に位置決めされた半位相差板も含む本出願の実施形態の別の態様を示す図である。 リング形状部分を有するビーム経路とビーム経路に結合された放射エネルギ供給部とを有するレーザ生成プラズマＥＵＶ光源のための自己ターゲット式駆動レーザの別の実施形態の概略断面図である。 図１２に示す駆動レーザに関する液滴反射タイミング曲線、音響光学変調器タイミング曲線、電気光学スイッチタイミング曲線１２７４、及びシードレーザパルスタイミング曲線の例を示す図である。 リング形状部分を有するビーム経路とリング上で光進行方向を定めるための部分反射型出力カプラ及びミラーとを有するレーザ生成プラズマＥＵＶ光源のための自己ターゲット式駆動レーザの別の実施形態の概略断面図である。 リング形状部分を有するビーム経路、リング上で光進行方向を定める部分反射型出力カプラ及びミラー、及び光アイソレータを有するレーザ生成プラズマＥＵＶ光源のための自己ターゲット式駆動レーザの別の実施形態の概略断面図である。 振動空洞をＥＵＶ線放出材料の２つの液滴の間に確立することができるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源のための自己ターゲット式駆動レーザの別の実施形態の概略断面図である。 単一の液滴が振動空洞の両端で反射器としての役割を果たすことができるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源のための自己ターゲット式駆動レーザの別の実施形態の概略断面図である。
最初に図１を参照すると、例示的なＥＵＶ光源、例えば、本発明の一態様によるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源２０の概略図が示されている。図示のように、ＥＵＶ光源２０は、パルスレーザ装置２２、例えば、高電力かつ高パルス繰返し数で作動するパルスガス放電ＣＯ2レーザ装置、エキシマレーザ装置、又は分子フッ素レーザ装置を含むことができる。用途によっては、他の形式のレーザも適切とすることができる。例えば、本発明の一部の態様に対しては、例えば、米国特許第６、６２５、１９１号、米国特許第６、５４９、５５１号、及び米国特許第６、５６７、４５０号に示すような固体レーザ、２チャンバ、発振器−増幅器、例えば、ＭＯＰＡ構成エキシマレーザ装置、単一のチャンバを有するエキシマレーザ、２つ又はそれよりも多いチャンバ、例えば、発振チャンバ、及び１つ又はそれよりも多くの増幅チャンバ（増幅チャンバは並列又は直列）を有するエキシマレーザ、主発振器／電力発振器（ＭＯＰＯ）構成、電力発振器／電力増幅器（ＰＯＰＡ）構成、又は１つ又はそれよりも多くのエキシマ又は分子フッ素増幅器又は発振器チャンバにシード光を供給する固体レーザが適切とすることができる。他のデザインも可能である。
ＥＵＶ光源２０は、例えば、液滴、液流、固形物粒子又は塊、液滴又は液流内に含まれた固形物粒子、液流内に含まれた固体粒子の形態でターゲット材料を送出するターゲット材料送出システム２４を含むことができる。ターゲット材料は、例えば、水、錫、リチウム、キセノンなどを含むことができる。例えば、元素錫は、純粋な錫として、錫化合物、例えば、ＳｎＢｒ4、ＳｎＢｒ2、ＳｎＨ4として、錫合金、例えば、錫ガリウム合金、錫インジウム合金、錫インジウムガリウム合金、又はその組合せとして使用することができる、ターゲット材料は、ターゲット材料送出システム２４により、例えば、ターゲット材料が照射されるとプラズマを生成する照射部位２８に至るチャンバ２６の内部に送出することができる。
ビーム送出システム５０を設置して、レーザ光軸５２に沿って照射部位２８に至るプラズマチャンバ２６内にレーザ装置２２からのレーザビーム、例えば、レーザパルスのビームを送出することができる。照射部位で、適切に集光されたレーザを用いてターゲット材料の組成に依存する特定の特性を有するプラズマを作り出すことができる。これらの特性には、プラズマによって生成されるＥＵＶ光の波長及びプラズマから放出されるデブリの形式及び量を含むことができる。図示のように、ビームシステム５０は、プラズマチャンバ２６へのその後の入力のためにレーザ装置２２からビーム送出システム５０内にレーザビームを通過させる入力窓５４を有することができる。
引き続き図１に対しては、ＥＵＶ光源２０は、集光ミラー３０、例えば、レーザ光が通過して照射部位２８に達することを可能にする開口部を有する楕円面の形態の例えば反射器を含むことができる。集光器３０は、例えば、照射部位２８で第１の焦点と、ＥＵＶ光を光源２０から出力して、例えば、集積回路リソグラフィツール（図示せず）に入力することができるいわゆる中間点４０（中間焦点４０とも呼ばれる）で第２の焦点とを有する楕円ミラーとすることができる。図１は、ＥＵＶ光源が、ビーム送出システム５０に入るプラズマによって生成されたデブリの量を低減するために、集光器３０から照射部位２８に向けてテーパが付けられると同時にレーザビームが照射部位に達することを可能にする開放端中空円錐覆い５６（すなわち、いわゆるガス円錐）を含むことができることも示している。この目的のために、照射部位２８に向けて誘導されるガス流動を覆い内で達成することができる。
光源２０は、ＥＵＶ光源制御システム６０を含むことができ、ＥＵＶ光源制御システム６０は、例えば、レーザビーム位置決めシステムコントローラ６６と共に、例えば、液滴検出フィードバックシステム６２及びレーザ発射制御システム６５を含むことができる。光源２０は、例えば、照射部位２８に対して液滴の位置を示す出力を供給し、かつこの出力を液滴位置検出フィードバックシステム６２に供給することができる１つ又はそれよりも多くの液滴撮像器７０を含むことができる液滴位置検知システムを含むことができ、液滴位置検出フィードバックシステム６２は、例えば、液滴単位ではない場合は平均して液滴位置誤差を計算することができ、例えば、液滴位置及び軌道を計算することができる。液滴位置誤差は、次に、光源コントローラ６０への入力として供給することができ、光源コントローラ６０は、例えば、レーザタイミング回路を制御するために、及び／又はレーザビーム位置及び成形システム（図示せず）を制御するために、例えば、チャンバ２６内でのレーザビーム焦点の位置及び／又は集束力を変えるために、例えば、レーザ位置、方向、及びタイミング補正信号を、例えばレーザビーム位置決めシステムを使用することができるレーザビーム位置決めコントローラ６６に供給することができる。
図１に示すように、ＥＵＶ光源２０は、例えば、望ましい照射部位２８に到達する液滴の誤差を補正するように送出機構９２により放出されるような液滴の解放点を修正するためにシステムコントローラ６０からの信号に応答して作動可能であるターゲット材料送出制御システム９０を含むことができる。ＥＵＶ光源検出器１００を設置して、パルスエネルギ、波長の関数としてエネルギ分布、波長の特定の帯域内のエネルギ、波長の特定の帯域外のエネルギ、ＥＵＶ強度及び／又は平均電力の角分布を含むがこれらの限定されない１つ又はそれよりも多くのＥＵＶ光パラメータを測定し、かつ有効かつ効率的なＥＵＶ発光に向けて適切な位置及び時間に適切に液滴を受け取るために、例えば、レーザパルスのタイミング及び焦点のようなパラメータで誤差を示すことができるシステムコントローラ６０によって使用されるフィードバック信号を生成することができる。検出器１００は、照射部位２８から直接に光を受光するように位置決めされるように示されているが、中間焦点４０で又はその下流側で又は何らかの他の位置で光をサンプリングするように位置決めすることができることは認められるものとする。
図１に示す光源２０に対しては、ターゲット材料の照射によりプラズマを生成することができ、一部の場合には、集光器ミラー３０を含むがこれに限定されない光学器械の表面を汚す場合があるデブリが照射部位２８で生成される場合がある。図示のように、ターゲット材料の構成成分との反応が可能なガス状エッチング液の供給源１０２をチャンバ２６内に導入して光学器械表面に堆積した汚染物質を一掃することができる。例えば、数トルのＨＢｒ濃度を用いることができる。１つの用途においては、ターゲット材料は、Ｓｎを含むことができ、エッチング液は、ＨＢｒ、Ｂｒ2、Ｃｌ2、ＨＣｌ、Ｈ2、ＨＣＦ3、又はその組合せとすることができる。
引き続き図１に対しては、ＥＵＶ光源２０は、光学器械表面の堆積ターゲット材料とエッチング液間の化学反応を開始し、及び／又はその速度を増大させるために、１つ又はそれよりも多くの加熱器１０４を含むことができる。例えば、ＨＢｒエッチング液と共に使用されるＳｎを含むターゲット材料に対しては、加熱器１０４は、１５０〜４００℃の範囲の温度まで、一部の用途に対しては４００℃を超える温度まで、光学器械、例えば、レーザ入力窓５４の汚れた表面を加熱することができる。Ｌｉを含むプラズマターゲット材料に対しては、加熱器１０４は、約４００〜５５０℃の範囲の温度まで１つ又はそれよりも多くの光学器械の表面を加熱して、表面から（すなわち、必ずしもエッチング液を使用しないとは限らない）Ｌｉを蒸発させるように設計することができる。適切とすることができる加熱器の形式には、放射加熱器、マイクロ波加熱器、ＲＰ加熱器、オーム加熱器、及びその組合せを含むことができるがこれらに限定されない。加熱器は、特定の光学器械表面に向けることができ、従って、指向性とすることができ、又は全指向性であってチャンバ全体又はその実質的な部分を加熱することができる。
図２は、容器２００が２つの部分、すなわち、ビーム送出システム５０’及びＥＵＶプラズマチャンバ２６’を含む実施形態の態様を示している。図示のように、ビーム送出システム５０’は、レーザ装置（図１を参照されたい）からビーム送出チャンバ２０２にレーザビーム２０４を通過させる入力窓５４’を有するビーム送出チャンバ２０２を含むことができる。図２に更に示すように、送出チャンバ２０２には、ターゲット材料との相互作用ためにチャンバ２６’にレーザビーム２０４を通過させてＥＵＶ発光プラズマを作り出すために、開口部２０６、例えば、比較的狭い開口部を形成することができる。この配置で、ガス状エッチング液差圧をチャンバ２６’とビーム送出チャンバ２０２の間に確立することができる。従って、一実施形態では、各チャンバ２６’、２０２内の全圧は、チャンバ２６’内で維持される比較的高いガス状エッチング液分圧（供給源１０２’により導入）及びビーム送出チャンバ２０２内で維持される比較的低いガス状エッチング液分圧とほぼ等しいとすることができる。例えば、チャンバ２０２は、チャンバ２６’よりも大きな量の不活性種を有することができる。代替的に、各チャンバ２６’、２０２は、ほぼ同じ化学組成を有することができ、比較的高い全圧が、チャンバ２６内で維持され（供給源１０２’により導入）、比較的低い全圧は、ビーム送出チャンバ２０２内で維持される。異なる全圧及び異なる化学組成を有する第３の実施形態も適切とすることができる。
図２が示すように、特殊用途に必要とされる場合、チャンバ２６’とビーム送出チャンバ２０２間でガス状エッチング液差圧を維持する際に開口部２０６を増大させるために減圧ポンプ２０８を設置することができる。ビーム送出システム５０’に対しては、集束光学器械２１０をビーム送出チャンバ２０２内に配置して、開口部２０６に近い送出チャンバ２０２内の位置で焦点２１２にレーザビーム２０４を集束させることができる。ビーム２０４の強度及びチャンバ２６’及び送出チャンバ２０２内の圧力によっては、焦点２１２を開口部２０６に近づけて、一部の場合には、開口部２０６で設置することができる。この点に関しては、一般的に、設計により、ガスの実質的な光学的破壊が発生しないように焦点を設置することができる。単一の反射型ミラーが図２の集束光学器械２１０に対して示されているが、送出チャンバ２０２内のデブリの存在が重大ではない場合に対しては、集束光学器械２１０は、その代わりに１つ又はそれよりも多くのプリズム、レンズ、ミラーなどとすることができることは認められるものとする。上述の構造で、反射防止膜で被覆される入力窓５４’は、ＺｎＳｅ製とすることができ、エッチング液、例えば、ＨＢｒ、ＨＩ、Ｂｒ2、Ｃｌ2、ＨＣｌ、Ｈ2、又はその組合せを有効濃度で（すなわち、光学器械２１４から堆積物をエッチングするのに十分な濃度）、入力窓５４’に悪影響を与えることなくチャンバ２６内に配置することができる。
引き続き図２に対しては、ビーム２０４は、図示のように焦点２１２から拡張し、開口部２０６を通過し、反射型集束光学器械２１４に入射することができることを見ることができる。図２は、集束光学器械２１４は、照射部位２８’で集光器ミラー３０’の開口部を通過して誘導される集束ビームを生成するように構成及び整列させることができることを示している。光学器械２１４は、図２では単一のミラーとして示されているが、光学器械２１４は、１つよりも多いミラーを含むことができ、かつビーム２０４を集束させることに加えて、光学器械２１４は、制御信号に応答してビーム２０４を活発に進めてチャンバ２６’内で選択的に焦点を移動させることができることは認められるものとする。例えば、光学器械２１４は、ビーム軸に垂直な方向での焦点の移動に向けて先が上向きに反ったアクチュエータ上に取り付けられたミラーの１つでビーム軸に沿って焦点を移動するように共に移動可能である複数のミラーを含むことができる。このような構成は、代理人整理番号第２００５−００８１−０１号である２００６年２月２１日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中で本出願人所有の米国特許出願出願番号第１１／３５８、９９２号に開示されて特許請求されており、この特許の開示内容全体は、引用により本明細書に組み込まれている。
一部の実施例では、比較的波長が長い、例えば１０．６μｍの光の光学器械反射率に実質的に影響を及ぼすことなく、錫含有ターゲット材料からの比較的少量の錫を光学器械２１４上に堆積させることができる。例えば、錫の比較的滑らかな層で被覆したミラーは、１０．６μｍ放射線の約９６％を反射することができる。この点に関して、光学器械の回転を利用して錫の滑らかな堆積を保証することができる。錫で若干被覆されたミラーの使用及び回転ミラーの使用は、代理人整理番号第２００５−００４４−０１号である２００５年６月２９日出願の「ＬＬＰ−ＥＵＶ光源駆動レーザシステム」という名称の現在特許出願中で本出願人所有の米国特許出願出願番号第１１／１７４、２９９号に開示されており、この特許の開示内容全体は、引用により本明細書に組み込まれている。
図３は、容器３００が２つの部分、すなわち、ビーム送出システム５０’及びＥＵＶプラズマチャンバ２６’を含む実施形態の別の態様を示している。図示のように、ビーム送出システム５０’’は、ビーム送出チャンバ３０２及び中間チャンバ３０３を含むことができる。送出チャンバ３０２は、レーザ装置（図１を参照されたい）からビーム送出チャンバ３０２にレーザビーム３０４を通過させる入力窓５４’’を有することができる。
図３に更に示すように、送出チャンバ３０２には、中間チャンバ３０３にレーザビーム３０４を通すために開口部３０６、例えば、比較的狭い開口部を形成することができる。また、中間チャンバ３０３には、ターゲット材料との相互作用ためにプラズマチャンバ２６’’にレーザビーム３０４を出力してＥＵＶ発光プラズマを作り出すために、開口部３０７、例えば、比較的狭い開口部を形成することができる。図３は、中間チャンバ３０３内で、例えば、開口部３０６にわたってガスカーテンを確立して、例えば、ガス及び／又はデブリが送出チャンバ３０２に入るのを防止するノズル３０９を設置することができることも示している。図示のように、ガスカーテンは、減圧ポンプ３１１を通って中間チャンバ３０３を出ることができる。この構成で、比較的高いガス状エッチング液圧（供給源１０２’’により導入）をチャンバ２６’’内で維持してその中の光学器械を実質的に一掃することができ、比較的低いガス状エッチング液圧をビーム送出チャンバ３０２内で維持することができる。従って、この構成で、レーザ入力窓５４’’は、窓又は窓の反射防止コーティングを劣化する場合がある比較的高い濃度のエッチング液に露出される恐れはない。図３が更に示すように、特殊用途に必要とされる場合、減圧ポンプ３０８を設置して、開口部３０６及びガスカーテンを増大させることにより相当量のエッチング液及び／又はデブリがビーム送出チャンバ３０２に入るのを防止することができる。上述の構造で、反射防止膜で被覆される入力窓５４’’は、ＺｎＳｅ製とすることができ、更に、光学器械３１４からの堆積物をエッチングするのに十分な有効濃度でエッチング液、例えば、ＨＢｒ、ＨＩ、Ｂｒ2、Ｃｌ2、ＨＣｌ、Ｈ2、又はその組合せをチャンバ２６’’内に配置することができる。
引き続き図３に対しては、中間チャンバ３０３内の位置で焦点３１２にレーザビーム３０４を集束させる集束光学器械３１０をビーム送出チャンバ３０２内に配置することができる。単一の反射型ミラーが、図３の集束光学器械３１０に対して示されているが、送出チャンバ３０２内のデブリの存在が重大ではない場合に対しては、集束光学器械３１０は、その代わりに１つ又はそれよりも多くのプリズム、レンズ、ミラーなどとすることができることは認められるものとする。
図３から、ビーム３０４は、図示のように、焦点３１２から拡張し、開口部３０７を通過して、反射型集束光学器械３１４で入射することができるということを見ることができる。図３は、集束光学器械３１４は、照射部位２８’’で集光器ミラー３０’’の開口部を通過して誘導される集束ビームを生成するように構成及び整列させることができることを示している。光学器械３１４は、図３では単一のミラーとして示されているが、光学器械３１４は、１つよりも多いミラーを含むことができ、ビーム３０４を集束させることに加えて、光学器械３１４は、制御信号に応答してビーム３０４を能動的に誘導してチャンバ２６’’内で選択的に焦点を移動させることができることは認められるものとする。例えば、光学器械３１４は、ビーム軸に垂直な方向での焦点の移動に向けて先が上向きに反ったアクチュエータ上に取り付けられたミラーの１つでビーム軸に沿って焦点を移動するように共に移動可能である複数のミラーを含むことができる。このような構成は、代理人整理番号第２００５−００８１−０１号である２００６年２月２１日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中で本出願人所有の米国特許出願出願番号第１１／３５８、９９２号に開示して特許請求されており、この特許の開示内容全体は、引用により本明細書に組み込まれている。
一部の実施例では、比較的波長が長い、例えば１０．６μｍの光の光学器械反射率に実質的に影響を及ぼすことなく、錫含有ターゲット材料からの比較的少量の錫を光学器械３１４上に堆積させることができる。例えば、錫の比較的滑らかな層で被覆したミラーは、１０．６μｍ放射線の約９６％を反射することができる。この点に関しては、錫で若干被覆されたミラーの使用及び回転ミラーの使用は、代理人整理番号第２００５−００４４−０１号である２００５年６月２９日出願の「ＬＬＰ−ＥＵＶ光源駆動レーザシステム」という名称の現在特許出願中で本出願人所有の米国特許出願出願番号第１１／１７４、２９９号に開示されており、この特許の開示内容全体は、引用により本明細書に組み込まれている。
図４は、ＥＵＶ光源が、放射エネルギ供給部４００、例えば、望ましい波長λの光を放出するランプ又はレーザ装置を含むことができる本出願の実施形態の別の態様を示している。また、図示のＥＵＶ光源は、ターゲット材料４０２、例えば、液滴発生器から線形軌道で移動する錫液滴を含むことができる。図示のように、集束素子４０４を設置して、放射エネルギ供給部４００からの光をターゲット材料４０２上へ集束させることができる。ＥＵＶ光源は、望ましい波長（λ）を光学的に増幅することができる利得媒体を有する光増幅器４０６ａ、ｂ、ｃ、例えば、１０．６μｍの波長で光を増幅する高利得（Ｇ≧１、０００、及び一部の場合には、１０、０００）ＣＷ供給ＣＯ2レーザ増幅器を更に含むことができる。図示のように、増幅器４０６は、各チャンバが固有の活性媒体及び加振源（例えば電極）を有する直列に配置された一続きの増幅チャンバ４０６ａ〜ｃを含むことができる。３つの増幅チャンバ４０６ａ〜ｃが示されているが、３つよりも多い、及び僅か１つの増幅チャンバを図４〜図１４に示す実施形態において使用することができることは認められるものとする。
使用時には、ターゲット材料４０２の液滴は、増幅器４０６を通過するビーム経路４１０を通過するか、又はビーム経路４１０近くの軌道上に配置される。一実施形態では、放射エネルギ供給部４００からの光子は、液滴により散乱させることができ、一部の散乱光子は、これらの光子が増幅器４０６を通過する経路４１０上に配置することができる。図示のように、光学器械４０８は、経路４１０上の増幅器を出る光子を受光して、ＥＵＶ発光プラズマを生成するためにターゲット材料４０２とのその後の相互作用ために再び増幅器４０６を通過するように光子を誘導するように位置決めすることができる。増幅光子は、線放出材料４０２から再び増幅器４０６へ散乱又は反射させることができ、従って、光学器械４０８及び線放出材料４０２は、発振空洞を確立することができる。図４に示す構成に対しては、光学器械４０８は、例えば、平面ミラー、曲面ミラー、位相共役ミラー、又はコーナ反射器とすることができる。光学器械４１４、例えば、レンズは、図示のように、経路４１０上の増幅器４０６に入る光を平行にして経路４１２上で光を集束させるように位置決めすることができる。
ターゲット材料４０２の照射により、材料吸収率、サイズ、及び曲率半径（例えば、液滴が拡大する時）、例えば金属、蒸気として、次にプラズマとしての自由電子数の変化のためにビーム経路に沿って材料反射率が変わることが、当業者により認められるであろう。従って、図４に示す実施形態の一実施形態では、ＥＵＶ光源は、ターゲット材料４０２の液滴が最初にビーム経路４１０に到達した時、その反射率は低く、空洞損失は、増幅器４０６の利得を超えるように構成することができる。放射エネルギ供給部４００による液滴の照射により、利得が増幅空洞内の損失を超えると共に出力が比較的高いレーザビームがターゲット材料４０２と相互作用するビーム経路４１０上で生成されるまで液滴の反射率が変わる。ターゲット材料４０２は、その後に経路４１０を出て、この処理は、別の液滴に対して繰り返される。図４に示す構成は、液滴がビーム経路４１０近くで、又はビーム経路４１０を通過する範囲で自己ターゲット式式であるという点で有利であると考えられる。従って、図４に示すＥＵＶ光源に対しては、放射エネルギ供給部４００は、増幅器４０６の利得帯域内の波長で光を生成することができ（その場合、液滴から散乱した光子は、増幅器においてレーザ発振を開始することができる）、又は放射エネルギ供給部４００は、増幅器４０６の利得帯域外である波長で光を生成することができ（その場合、放射エネルギ供給部４００は、液滴の反射率を増大させる例えばプラズマミラーを点火するように機能することができる）、かつ増幅器利得媒体によって生成される自発的に放出された光子は、増幅器４０６内でレーザ発振を開始することができる。
図４に示す実施形態に対しては、放射エネルギ供給部４００によるターゲット材料の照射は、ターゲット材料を拡張し、及び／又はターゲット材料を蒸発させ、及び／又はターゲット材料の部分的なプラズマ、例えば、プレパルスを作り出すのに十分であろう。特定の用途によっては、プレパルス、次に１つ又はそれよりも多くの主パルスの利用により、変換効率の改善及び／又は発生したデブリの量の低減をもたらすと考えられる。
図５は、ＥＵＶ光源が光増幅器５０６ａ、５０６ｂ、５０６ｃ及びターゲット材料５０２、例えば、液滴発生器からの線形軌道で移動する錫液滴を含むことができる本出願の実施形態の別の態様を示している。例えば、光増幅器５０６は、１０．６μｍの波長で光を増幅し、かつ比較的高い複光路利得（例えば約１０、０００の複光路利得）を有するＣＷ供給多チャンバＣＯ2レーザ増幅器とすることができる。図示のように、増幅器５０６は、直列に配置された一続きの増幅チャンバ５０６ａ〜ｃを含むことができる。図示のように、増幅器５０６は、各々が固有の活性媒体及び加振源、例えば電極を有する直列に配置された一続きの増幅チャンバ５０６ａ〜ｃを含むことができる。
使用時には、ターゲット材料５０２の液滴は、増幅器５０６を通過するビーム経路５１０を通過するか、又はビーム経路５１０近くの軌道上に配置される。増幅器５０６からの自発的に放出された光子は、液滴により散乱させることができ、一部の散乱光子は、これらの光子が増幅器５０６を通過する経路５１０上に配置することができる。図示のように、光学器械５０８は、増幅器５０６から経路５１０上で光子を受光して、ターゲット材料との相互作用ために再び増幅器５０６を通過するように光子を誘導してＥＵＶ発光プラズマを生成するように位置決めすることができる。この構成で、光学器械５０８は、例えば、平面ミラー、曲面ミラー、位相共役ミラー、又はコーナ反射器とすることができる。光学器械５１４、例えば、レンズは、液滴から増幅器５０６に入る光を平行にして、増幅器５０６から液滴に進む光を集束させるように位置決めすることができる。
図６は、ＥＵＶ光源が光増幅器６０６及びターゲット材料６０２、例えば、液滴発生器からの線形軌道で移動する錫液滴を含むことができる本出願の実施形態の別の態様を示している。例えば、光増幅器６０６は、１０．６μｍの波長で光を増幅し、かつ比較的高い複光路利得（例えば約１０、０００の複光路利得）を有するＣＷ供給多チャンバＣＯ2レーザ増幅器とすることができる。図示のように、増幅器６０６は、直列に配置された一続きの増幅チャンバ６０６ａ〜ｃを含むことができる。図示のように、増幅器６０６は、各々が固有の活性媒体及び加振源（例えば電極）を有する直列に配置された一続きの増幅チャンバ６０６ａ〜ｃを含むことができる。増幅器を出る光が１次偏光方向を有するように増幅器６０６内に偏光子及び／又はブルースターの窓を使用することができる。図６は、ＥＵＶ光源が光遮断器６１２を更に含むことも示しており、これは、増幅器６０６を通るビーム経路６１０に沿って位置決めされ、増幅器６０６と、液滴がビーム経路６１０と交差する照射部位との間に挿入することができる。アイソレータ６１２は、例えば、１次偏光方向から９０度外れるように再び反射光を回転させる位相遅延ミラーと、回転偏光で光を吸収するアイソレータミラーとを含むことができる。例えば、ＣＯ2レーザと共に使用される適切な装置は、商品名「Ｑｕｅｌｌｅｒ」及び／又は「アイソレータボックス」の下でドイツ国Ｓａｌｅｍ、８８６８２、Ｈｅｉｌｉｇｅｎｂｅｒｇｅｒ通り１００の「Ｋｕｇｌｅｒ ＧｍｂＨ」から取得することができる。一般的に、光アイソレータ６１２は、光が実質的に妨げられずに増幅器６０６から液滴に流動することを可能にすると同時に、光アイソレータ６１２を通じて漏れて増幅器６０６に達する後方反射光が僅かに約１パーセントであることを可能にするように機能する。
使用時には、ターゲット材料６０２の液滴は、ビーム経路６１０を通過するか、又はビーム経路６１０近くの軌道上に配置される。ビーム経路６１０上に液滴がない場合、光アイソレータ６１２は、時機を逸した光子から増幅器利得媒体を守って液滴がビーム経路６１０に到達するまで利得媒体の逆転を維持する。次に、液滴がビーム経路６１０上又はビーム経路６１０近くにある状態で、増幅器６０６からの自発的に放出された光子は、液滴により散乱させることができ、一部の散乱光子が、光アイソレータを通して漏れて、次に、増幅器６０６通過する場合がある。この漏れで、利得は、増幅器空洞における損失を超える場合がある。図示のように、光学器械６０８は、増幅器６０６から経路６１０上で光子を受光して、ＥＵＶ発光プラズマを生成するためにターゲット材料６０２との相互作用ために再び増幅器６０６を通過するように光子を誘導するように位置決めすることができる。この構成に対しては、光学器械６０８は、例えば、平面ミラー、曲面ミラー、位相共役ミラー、又はコーナ反射器とすることができる。光学器械６１４、例えば、レンズは、液滴から増幅器６０６に入る光を平行にして、増幅器６０６から液滴に進む光を集束させるように位置決めすることができる。代替的に又は光アイソレータ６１２に加えて、可飽和吸収材料、例えば、光透過率が光度と共に増加する材料のようなパルス成形要素をターゲット材料６０２と増幅器６０６の間に配置することができ、例えば、１０．６μｍの波長の光と共に使用するＳＦ6ガスを使用して、時機を逸した光子から増幅器利得媒体を守って液滴がビーム経路６１０に到達するまで利得媒体の逆転を維持することができる。
図７は、ＥＵＶ光源が、図６に示す光源と共通の１つ又はそれよりも多くの構成要素を有し、かつ電気光学セル及び偏光子を有するスイッチ７２０も含む本出願の実施形態の別の態様を示している。詳しくは、図７に示すＥＵＶ光源は、光増幅器（対応する増幅器に対して上述したように、増幅器を出る光が１次偏光方向を有するように偏光子及び／又はブルースターの窓を有する）と、ターゲット材料７０２、例えば、錫液滴（上述のような）と、光学器械７０８が増幅器７０６から経路７１０上で光子を受光して、ＥＵＶ発光プラズマを生成するためにターゲット材料７０２とのその後の相互作用ために再び増幅器７０６を通過するように光子を誘導するように位置決めすることができる光アイソレータ７１２（上述のような例えば１００：１の効率を有する）と、集束光学器械７１４（上述のような）とを含む。
図７に示すＥＵＶ光源に対しては、スイッチ７２０（概略的に図示）は、電気光学スイッチ、例えば、Ｐｏｃｋｅｌ製又はＫｅｒｒセルと、増幅器７０６によって定められる１次偏光方向と平行に整列した透過軸を有する偏光子とを含むことができる。従って、スイッチが切られた時、光は、増幅器７０６と光学器械７０８の間で通過することができ、スイッチが通電された時、光は、光学器械７０８から増幅器７０６に通過することができない。より定量的には、一般的な設定は、出力電力＝１０ｋＷをもたらすように構成することができる。この設定に対しては、液滴からの反射は、約０．０１とすることができ、Ｑｕｅｌｌｅｒ効率は、約１００：１とすることができる。従って、レーザへの後方反射電力＝１０ｋＷ*０．０１／１００＝１Ｗ、複光路方式利得＝１０ｋＷ／１Ｗ＝１０、０００、単光路利得＝Ｓｑｒｔ（１０、０００）＝１００、及びＥ／Ｏスイッチでの電力＝１Ｗ*１００＝１００Ｗである。
使用時には、ターゲット材料７０２の液滴は、ビーム経路７１０を通過するか、又はビーム経路７１０近くの軌道上に配置される。液滴がビーム経路７１０に到達する前に、スイッチ７２０は、時機を逸した光子から増幅器利得媒体を守って、液滴がビーム経路７１０に到達するまで利得媒体の逆転を維持するように通電される。次に、液滴がビーム経路７１０上又はビーム経路７１０近くにある状態で、スイッチ７２０は切られ、光子は、液滴と光学器械７０８の間で振動することができる。スイッチタイミングは、当業技術で公知の様々な技術を用いて達成することができる。１つの設定においては、補助レーザ／検出器対（図示せず）、例えば、ＨｅＮｅレーザを使用して、例えば、ビーム経路から離れた位置で液滴の位置を検出して、スイッチ７２０を起動させる際に使用される出力信号を供給することができる。図７に示す構成に対しては、選択された液滴、例えば、１つ置きの液滴を照射なくビーム経路を通過させることができる。このような方法により、これらの不参加液滴は、プラズマの影響から参加液滴を保護することができ、次の参加液滴により達成される変換効率が増大する。
図８は、ＥＵＶ光源が、図４に示す光源と共通の１つ又はそれよりも多くの構成要素を有し、かつ放射エネルギ供給部８００、例えば、ランプ又はレーザ装置からの光子を増幅器８０６を通過するビーム経路８１０上に結合する光学器械８２２も含む本出願の実施形態の別の態様を示している。より具体的には、図８に示すＥＵＶ光源は、光増幅器８０６（対応する増幅器４０６に対して上述したように、例えば、増幅器を出る光が１次偏光方向を有するように約１０、０００の複光路利得及び偏光子及び／又はブルースターの窓を有する）を含む。更に、ＥＵＶ光源は、ターゲット材料７０２、例えば、錫液滴（上述のような）と、増幅器８０６から経路８１０上で光子を受光して、ＥＵＶ発光プラズマを生成するためにターゲット材料８０２との相互作用ために再び増幅器８０６を通過するように光子を誘導するように位置決めされた光学器械８０８と、集束光学器械８１４（上述のような）とを含む。
図８のいくつかの変形が可能である。例えば、放射エネルギ供給部８００は、増幅器８０６の利得帯域内の波長を有する光を生成することができ、例えば、増幅器８０６及び供給部８００は、共にＣＯ2活性媒体を含むことができる。この場合に対しては、放射エネルギ供給部８００は、放射エネルギ供給部８００を出る光が増幅器８０６の１次偏光方向に直交して偏光されるように整列した偏光子及び／又はブルースターの窓を含むことができる。この配置においては、光学器械８２２は、放射エネルギ供給部８００からの光を反射して増幅器８０６からの光を透過するように整列した透過軸を有する偏光子とすることができる。別の設定においては、放射エネルギ供給部８００は、増幅器８０６の利得帯域内の波長を有する光を生成することができ、例えば、増幅器８０６は、ＣＯ2活性媒体を含むことができ、供給部はＮｄ：ＹＡＧとすることができる。この場合に対しては、光学器械８２２は、放射エネルギ供給部８００からの光を反射して増幅器８０６からの光を透過するように構成されたダイクロイックビームスプリッタとすることができる。いずれにせよ、放射エネルギ供給部８００からの光は、増幅器８０６に直接に到達することができない。
図８に示す実施形態に対しては、ＥＵＶ光源は、ターゲット材料８０２の液滴が最初にビーム経路８１０に到達した時、その反射率は低く、空洞損失は、増幅器８０６の利得を超えるように構成することができる。放射エネルギ供給部８００による液滴の照射により、利得が増幅空洞内の損失をよりも大きく、出力が比較的高いレーザビームがターゲット材料８０２と相互作用するビーム経路８１０上で生成されるまで液滴の反射率が増大する。ターゲット材料８０２は、次に、経路４１０を出て、この処理は、別の液滴に対して繰り返される。図４に示す構成は、液滴がビーム経路４１０近くで又はビーム経路４１０を通過する範囲で自己ターゲット式式であるという点で有利であると考えられる。図８に示す実施形態に対しては、放射エネルギ供給部８００によるターゲット材料の初期の照射は、ターゲット材料を拡張し、及び／又はターゲット材料を蒸発させ、及び／又はターゲット材料の部分的なプラズマ、例えば、プレパルスを作り出すのに十分であろう。特定の用途によっては、プレパルス、次に１つ又はそれよりも多くの主パルスの利用により、変換効率の改善及び／又は発生したデブリの量の低減をもたらすと考えられる。
当業者は、図８の実施形態に関するいくつかの変形を使用することができることを直ちに認めるであろう。例えば、放射エネルギ供給部８００は、位置８２４、８２６、又は８２８でビーム経路８１０に結合することができる。また、スイッチ、例えば、図７を参照して上述したようなスイッチ７２０、及び／又は光アイソレータ、すなわち、図６を参照して上述したような光アイソレータ６１２などを図８の実施形態において使用して、増幅器利得媒体を時機を逸した光子から保護することができる。
図９は、ＥＵＶ光源が、図６に示す光源と共通の１つ又はそれよりも多くの構成要素を有し、かつ増幅器９０６と協働してリング形状部分９３６を有するビーム経路９１０を確立する光学器械（例えば、最大反射率回転ミラー９３０、９３２、９３４）、及び光がリング形状部分９３６内で単一の方向（矢印９４０）に沿って移動することを可能にするファラデーアイソレータ９３８も含む本出願の実施形態の別の態様を示している。また、図示のように、一部の実施例に対しては、減衰器９４２を設置することができる。
より具体的には、図９に示すＥＵＶ光源は、光増幅器９０６（対応する増幅器６０６に対して上述したように、増幅器を出る光が１次偏光方向を有するように偏光子及び／又はブルースターの窓を有する）と、ターゲット材料９０２、例えば、錫液滴（上述のような）と、光アイソレータ９１２（上述のように、例えば１００：１の効率を有する）と、集束光学器械９１４（上述のような）とを含む。
図９に示すＥＵＶ光源に対しては、ファラデーアイソレータ９３８は、増幅器９０６によって定められる１次偏光方向と直交して整列した透過軸を有する第１の偏光子９４４と、増幅器９０６によって定められる１次偏光方向と平行に整列した透過軸を有する第２の偏光子９４６と、光偏光を９０度回転させるファラデー回転子９４８とを含む。構造のこの協働により、増幅器９０６からの光は、光アイソレータにより９０度回転されて液滴から散乱し、更に９０度回転されて、アイソレータ９１２によりビーム経路９１０のリング部分内に反射される。より定量的には、一般的な設定は、約１０ｋＷの出力電力を取得するように構成することができる。この設定に対しては、液滴からの反射は、約０．０１とすることができ、プラズマからのほぼ全ての反射光は、ミラー９３０に向かうことができる（減衰器９４２を通じて）。従って、ミラー９３０上の後方反射電力＝１０ｋＷ*０．０１＝１００Ｗである。１００Ｘ減衰器が使用された場合、電力は、１Ｗに低減される。この設定に対しては、単光路利得には、減衰器なしでは１００Ｘ、１００Ｘ減衰器有りで１０、０００Ｘが必要であった。
図１０は、ＥＵＶ光源が、図９に示す光源と共通の１つ又はそれよりも多くの構成要素を有し、かつ電気光学セル及び偏光子を有するスイッチ１０２０も含む本出願の実施形態の別の態様を示している。より具体的には、図１０に示すＥＵＶ光源は、光増幅器１００６ａ、１００６ｂ、１００６ｃ（対応する増幅器９０６に対して上述したように、増幅器を出る光が１次偏光方向を有するように偏光子及び／又はブルースターの窓を有する）と、ターゲット材料１００２、例えば、錫液滴（上述のような）と、光アイソレータ１０１２（上述のように、例えば１００：１の効率を有する）と、増幅器１００６と協働してリング形状部分１０３６を有するビーム経路１０１０を確立する光学器械（例えば、回転ミラー１０３０、１０３２、１０３４）と、集束光学器械１０１４（上述のような）とを含む。また、図示のように、一部の実施例に対しては、減衰器１０４２を設置することができる。
図１０に示すＥＵＶ光源に対しては、スイッチ１０２０（概略的に図示）は、電気光学スイッチ、例えば、Ｐｏｃｋｅｌ製又はＫｅｒｒセルと、増幅器１００６によって定められる１次偏光方向と平行に整列した透過軸を有する偏光子とを含むことができる。従って、スイッチが切られた時、光は、光アイソレータ１０１２から光学器械１０３２に通過することができない。
より定量的には、一般的な設定は、出力電力＝１０ｋＷ、液滴からの反射＝０．０１であり、プラズマからの全ての反射光は、ミラー１０３０（減衰器１０４２を通じて）に向かうことができ、ミラー１０３０上の後方反射電力＝１０ｋＷ*０．０１＝１００Ｗであるように構成することができる。１００Ｘ減衰器が使用された場合、電力は、１Ｗに低減される。この設定に対しては、必要とされる単光路利得は、減衰器なしでは１００Ｘ、１００Ｘ減衰器有りで１０、０００Ｘである。
使用時には、ターゲット材料１００２の液滴は、ビーム経路１０１０を通過するか、又はビーム経路１０１０近くの軌道上に配置される。液滴がビーム経路１０１０に到達する前に、スイッチ１０２０は、時機を逸した光子から増幅器利得媒体を守って、液滴がビーム経路１０１０に到達するまで利得媒体の逆転を維持するように切られる。次に、液滴がビーム経路１０１０上又はビーム経路１０１０近くにある状態で、スイッチ１０２０は通電されて、光子は、リング形状部分１０３６内で循環することができる。図７を参照して上述したように、スイッチタイミング及び不参加液滴を使用して保護する機能は、図１０にも適用可能である。
図１０Ａは、ＥＵＶ光源が、図１０に示す光源と共通の１つ又はそれよりも多くの構成要素を有し、かつ光がリング形状部分１０３６’内で単一の方向（矢印１０４０’）に沿って移動することを可能にするファラデーアイソレータ１０３８’（上述のような）、及びファラデーアイソレータ１０３８’とスイッチ１０２０’の間でビーム経路上に位置決めされた半位相差板１０５０’も含む本出願の実施形態の別の態様を示している。
より具体的には、図１０Ａに示すＥＵＶ光源は、光増幅器１００６ａ’、１００６ｂ’、１００６ｃ’（対応する増幅器９０６ａ、９０６ｂ、９０６ｃに対して上述したように、増幅器を出る光が１次偏光方向を有するように偏光子及び／又はブルースターの窓を有する）と、ターゲット材料１００２’、例えば、錫液滴（上述のような）と、光アイソレータ１０１２’（上述のように、例えば１００：１の効率を有する）と、増幅器１００６’と協働してリング形状部分１０３６’を有するビーム経路１０１０’を確立する光学器械（例えば、回転ミラー１０３０’、１０３２’、１０３４’）と、電気光学セル及び偏光子（増幅器１００６によって定められる１次偏光方向と平行に整列した透過軸を有する）を有するスイッチ１０２０’（上述のような）と、集束光学器械１０１４’（上述のような）とを含む。また、図示のように、一部の実施例に対しては、減衰器１０４２’を設置することができる。
使用時には、ターゲット材料１００２’の液滴は、ビーム経路１０１０’を通過するか、又はビーム経路１０１０’近くの軌道上に配置される。液滴がビーム経路１０１０’に到達する前に、スイッチ１０２０’は、時機を逸した光子から増幅器利得媒体を守って、液滴がビーム経路１０１０’に到達するまで利得媒体の逆転を維持するように切られる。次に、液滴がビーム経路１０１０’上又はビーム経路１０１０’近くにある状態で、スイッチ１０２０’は通電され、光子は、リング形状部分１０３６’内で循環することができる。図７を参照して上述したように、スイッチタイミング及び不参加液滴を使用して保護する機能は、図１０Ａにも適用可能である。
図１１は、ＥＵＶ光源が、図１０に示す光源と共通の１つ又はそれよりも多くの構成要素を有し、かつそうでなければ利得媒体を浪費すると考えられる一部の逸れた光子を排除する空間フィルタ１１５２を含む本出願の実施形態の別の態様を示している。図示のように、空間フィルタ１１５２は、例えば、ある一定の位置での点にビームを集束させる第１のレンズ１１５４と、開口を通過しない光子を反射、屈折、及び／又は吸収するその位置に位置決めされた開口、例えば、円形開口が形成されたストップ１１５６と、平行化レンズ１１５８とを含むことができる。
より具体的には、図１１Ａに示すＥＵＶ光源は、光増幅器１００６ａ、１００６ｂ、１００６ｃ（対応する増幅器９０６に対して上述したように、増幅器を出る光が１次偏光方向を有するように偏光子及び／又はブルースターの窓を有する）と、ターゲット材料１１０２、例えば、錫液滴（上述のような）と、光アイソレータ１１１２（上述のように、例えば１００：１の効率を有する）と、増幅器１１０６と協働してリング形状部分１１３６を有するビーム経路１１１０を確立する光学器械（例えば、回転ミラー１１３０、１１３２、１１３４）と、集束光学器械１１１４（上述のような）と、電気光学スイッチ、例えば、Ｐｏｃｋｅｌ製又はＫｅｒｒセルと、増幅器１１０６によって定められる１次偏光方向と平行に整列した透過軸を有する偏光子とを含むスイッチ１１２０（概略的に図示）とを含むことができる。また、図示のように、一部の実施例に対しては、減衰器１１４２を設置することができる。より定量的には、一般的な設定は、出力電力＝１０ｋＷ、液滴からの反射＝０．０１、プラズマからの全ての反射光がミラー１１３０に向かうことができ（減衰器１１４２を通じて）、ミラー１１３０上の後方反射電力＝１０ｋＷ*０．０１＝１００Ｗであるように構成することができる。１００Ｘ減衰器が使用された場合、電力は、１Ｗに低減される。単光路利得には、減衰器なしでは１００Ｘ、１００Ｘ減衰器有りで１０、０００Ｘが必要であった。
図１１Ａは、ＥＵＶ光源が、図１１に示す光源と共通の１つ又はそれよりも多くの構成要素を有し、かつ光がリング形状部分１１３６’内で単一の方向（矢印１１４０’）に沿って移動することを可能にするファラデーアイソレータ１１３８’（上述のような）、及びファラデーアイソレータ１１３８’とスイッチ１１２０’の間でビーム経路上に位置決めされた半位相差板１１５０’も含む本出願の実施形態の別の態様を示している。
より具体的には、図１１Ａに示すＥＵＶ光源は、光増幅器１１０６ａ’、１１０６ｂ’、１１０６ｃ’（対応する増幅器に対して上述したように、増幅器を出る光が１次偏光方向を有するように偏光子及び／又はブルースターの窓を有する）と、ターゲット材料１１０２’、例えば、錫液滴（上述のような）と、光アイソレータ１１１２’（上述のように、例えば１００：１の効率を有する）と、増幅器１１０６’と協働してリング形状部分１１３６’を有するビーム経路１１１０’を確立する光学器械（例えば、回転ミラー１１３０’、１１３２’、１１３４’）と、集束光学器械１１１４’（上述のような）と、空間フィルタ１１５２’（上述のような）と、電気光学スイッチ、例えばＰｏｃｋｅｌ製又はＫｅｒｒセルと増幅器１１０６’によって定められる１次偏光方向と平行に整列した透過軸を有する偏光子とを含むことができるスイッチ１１２０’（概略的に図示）とを含む。また、図示のように、一部の実施例に対しては、減衰器１１４２’を設置することができる。より定量的には、一般的な設定は、出力電力＝１０ｋＷ、液滴からの反射＝０．０１、プラズマからの全ての反射光がミラー１１３０に向かうことができ（減衰器１１４２を通じて）、ミラー１１３０上の後方反射電力＝１０ｋＷ*０．０１＝１００Ｗであるように構成することができる。１００Ｘ減衰器が使用された場合、電力は、１Ｗに低減される。単光路利得には、減衰器なしでは１００Ｘ、１００Ｘ減衰器有りで１０、０００Ｘが必要であった。
図１２は、ＥＵＶ光源が、図１１に示す光源と共通の１つ又はそれよりも多くの構成要素を有し、かつターゲット材料１２０２との初期の光子相互作用を行うためにビーム経路１２１０のリング形状部分１２３６上へ光子を導入するように１２１０をビーム経路に結合されたシードレーザ１２６０、例えば、光学発振器も含む本出願の実施形態の別の態様を示している。より具体的には、図１２に示すＥＵＶ光源は、光増幅器１２０６ａ’、１２０６ｂ’、１２０６ｃ’（対応する増幅器に対して上述したように、増幅器を出る光が１次偏光方向を有するように偏光子及び／又はブルースターの窓を有する）と、ターゲット材料１２０２、例えば、錫液滴（上述のような）と、光アイソレータ１２１２（上述のように、例えば１００：１の効率を有する）と、増幅器１２０６と協働してリング形状部分１２３６を有するビーム経路１２１０を確立する光学器械（例えば、回転ミラー１２３０、１２３２、１２３４）と、集束光学器械１１１４（上述のような）と、電気光学スイッチ、例えばＰｏｃｋｅｌ製又はＫｅｒｒセルと増幅器１２０６によって定められる１次偏光方向と平行に整列した透過軸を有する偏光子とを含むことができるスイッチ１２２０（概略的に図示）と、空間フィルタ１１５２’（上述のような）とを含む。また、図示のように、一部の実施例に対しては、減衰器１２４２を設置することができる。
図１２に示す実施形態に対しては、シードレーザ１２６０は、シードレーザ１２６０を出る光が、増幅器１２０６によって定められる１次偏光方向に対して角度をなす、例えば、９０度である偏光方向を有するように偏光子及び／又はブルースターの窓を含むことができる。図１２に示すＥＵＶ光源は、音響光学変調器１２６２と、最大反射率回転ミラー１２６４と、増幅器１２０６によって定められる１次偏光方向と直交して整列した透過軸を有する偏光子１２２６とを含むことができることを見ることができる。この構成で、音響光学変調器１２６２は、光パルスが増幅器１２０６を通過して増幅された後にターゲット材料１２０２との初期の光子相互作用を行ってターゲット材料１２０２の反射率を変えるビーム経路１２１０のリング形状部分１２３６上にシードレーザ１２６０を出る１つ又はそれよりも多くの光パルスを配置するように通電することができる。
使用時には、ターゲット材料１２０２の液滴は、ビーム経路１２１０を通過するか、又はビーム経路１２１０近くの軌道上に配置される。液滴がビーム経路１２１０に到達する前に、スイッチ１２２０は、時機を逸した光子から増幅器利得媒体を守って、液滴がビーム経路１２１０に到達するまで利得媒体の逆転を維持するように切られる。次に、液滴がビーム経路１２１０上又はビーム経路１２１０近くにある状態で、スイッチ１２５０及び音響光学変調器１２６２は、通電され（一般的に、変調器１２６２は、より遅い応答のために最初に通電される）、光子は、リング形状部分１２３６内で循環することができる。図７を参照して上述したように、スイッチタイミング及び不参加液滴を使用して保護する機能は、図１２にも適用可能にすることができる。
図１２Ａは、液滴反射タイミング曲線１２７０、音響光学変調器タイミング曲線１２７２（曲線１２７０に対して図示）、電気光学スイッチタイミング曲線１２７４（曲線１２７０及び１２７２に対して図示）、及びシードレーザパルスタイミング曲線１２７６（曲線１２７０、１２７２、及び１２７４に対して図示）を示している。図１２Ａにより示すと共にある程度上述したように、スイッチ１２５０及び音響光学変調器１２６２に通電すると、その結果、１つ又はそれよりも多くの増幅パルスが、ターゲット材料１２０２との初期の光子相互作用をもたらし、ターゲット材料１２０２の反射率が変わることになる。音響光学変調器１２６２は、その後電源を切ることができ、リング形状部分１２３６からシードレーザ１２６０が除去される。次に、液滴反射率の増大で、利得は、リング増幅器内での損失を超えることになり、光子ビームの増幅をもたらし、光子ビームは、ターゲット材料と相互作用してＥＵＶ発光プラズマを生成する（注：シードレーザ１２６０は、リングレーザの主要な方向を設定する）。
図１３は、ＥＵＶ光源が、図１１に示す光源と共通の１つ又はそれよりも多くの構成要素を有し、かつビーム経路１３１０のリング形状部分１３３６のための出力カプラとして作動可能な部分反射器１３７８、及びビーム経路１３１０のリング形状部分１３３６内での光進行方向を定める反射器１３８０、例えば、最大反射率ミラーも含む本出願の実施形態の別の態様を示している。
より具体的には、図１３に示すＥＵＶ光源は、光増幅器１３０６ａ、１３０６ｂ、１３０６ｃ（対応する増幅器１１０６に対して上述したように、増幅器を出る光が１次偏光方向を有するように偏光子及び／又はブルースターの窓を有する）と、ターゲット材料１３０２、例えば、錫液滴（上述のような）と、増幅器１３０６と協働してリング形状部分１３３６を有するビーム経路１３１０を確立する光学器械（例えば、回転ミラー１３３０、１３３２、１３３４）と、集束光学器械１３１４（上述のような）と、空間フィルタ１３５２（上述のような）と、各々が増幅器１３０６によって定められる１次偏光方向と平行に整列した透過軸を有する２つの偏光子の間に配置された電気光学スイッチ、例えばＰｏｃｋｅｌ製又はＫｅｒｒセルを含むことができるスイッチ１３８４（概略的に図示）とを含む。また、図示のように、一部の実施例に対しては、減衰器１３４２を設置することができる。
図１３に示す実施形態に対しては、部分反射器１３７８は、増幅器１３０６ａ、１３０６ｂ、１３０６ｃとターゲット材料１３０２の間でビーム経路１３１０上に位置決めすることができる。増幅器からのビームの一部分は、ターゲット材料１３０２との相互作用ために部分反射器１３７８を透過し、残りは、ビーム経路１３１０のリング形状部分１３３６上に反射される。ターゲット材料１３０２から反射した光は、経路１３８２上へ反射される。図示のように、反射器１３８０は、光の一部がターゲット材料１３０２に向けて反射され、光の一部がビーム経路１３１０のリング形状部分１３３６に伝達される部分反射器１３７８に向けて再び光を反射するように経路１３８２上に位置決めすることができる。
使用時には、ターゲット材料１３０２の液滴は、ビーム経路１３１０を通過するか、又はビーム経路１３１０近くの軌道上に配置される。液滴がビーム経路１３１０に到達する前に、スイッチ１３８４は、時機を逸した光子から増幅器利得媒体を守って、液滴がビーム経路１３１０に到達するまで利得媒体の逆転を維持するように通電される。次に、液滴がビーム経路１３１０上又はビーム経路１３１０近くにある状態で、スイッチ１３８４は切られ、光子は、リング形状部分１３３６内で循環することができる。図７を参照して上述したように、スイッチタイミング及び不参加液滴を使用して保護する機能は、図１３にも適用可能にすることができる。
図１４は、ＥＵＶ光源が、図１３に示す光源と共通の１つ又はそれよりも多くの構成要素を有し、かつ部分反射器１４７８とターゲット材料１４０２の間にビーム経路１４１０に沿って位置決めされた光アイソレータ１４１２（上述のように、例えば１００：１の効率を有する）も含む本出願の実施形態の別の態様を示している。
より具体的には、図１４に示すＥＵＶ光源は、光増幅器１４０６ａ、１４０６ｂ、１４０６ｃ（対応する増幅器１１０６に対して上述したように、増幅器を出る光が１次偏光方向を有するように偏光子及び／又はブルースターの窓を有する）と、ターゲット材料１４０２、例えば、錫液滴（上述のような）と、増幅器１４０６と協働してリング形状部分１４３６を有するビーム経路１４１０を確立する光学器械（例えば、回転ミラー１４３０、１４３２、１４３４）と、集束光学器械１４１４（上述のような）と、ビーム経路１４１０のリング形状部分１４３６のための出力カプラとして作動可能な空間フィルタ１４７８（上述のような）と、ビーム経路１４１０のリング形状部分１４３６内での光進行方向を定める反射器１４８０（上述のような）と、スイッチ１４８４（スイッチ１３８４に対して上述したような）と、空間フィルタ１４５２（上述のような）とを含む。また、図示のように、一部の実施例に対しては、減衰器１４４２を設置することができる。
使用時には、ターゲット材料１４０２の液滴は、ビーム経路１４１０を通過するか、又はビーム経路１４１０近くの軌道上に配置される。液滴がビーム経路１４１０に到達する前に、スイッチ１４８４は、時機を逸した光子から増幅器利得媒体を守って、液滴がビーム経路１４１０に到達するまで利得媒体の逆転を維持するように通電される。次に、液滴がビーム経路１４１０上又はビーム経路１４１０近くにある状態で、スイッチ１４８４は切られ、光子は、リング形状部分１４３６内で循環することができる。図７を参照して上述したように、スイッチタイミング及び不参加液滴を使用して保護する機能は、図１４にも適用可能にすることができる。
図１５は、ＥＵＶ光源が、２つのターゲット材料１５０２、１５０２’（上述のような）、例えば、２つの錫液滴の間でビーム経路１５１０上に振動空洞を確立することができる本出願の実施形態の別の態様を示している。より具体的には、図１５に示すＥＵＶ光源は、光増幅器１５０６ａ、１５０６ｂ（上述のようなもの、注：２つよりも多い及び僅か１つの増幅チャンバを図１５の実施形態において使用することができる）と、光学器械１５９２、１５９４、例えば、最大反射率回転ミラーと、集束光学器械１５１４、１５１４’（上述のような）とを含むことができる。
図１６は、ＥＵＶ光源が、単一のターゲット材料１５０２（上述のような）、例えば、錫液滴の間でビーム経路１６１０上に振動空洞を確立することができる本出願の実施形態の別の態様を示している。より具体的には、図１５に示すＥＵＶ光源は、光増幅器１５０６ａ（上述のようなもの、注：１つよりも多い増幅チャンバを図１６の実施形態において使用することができる）と、光学器械１６９２、１６９４、例えば、最大反射率回転ミラーと、集束光学器械１６１４（上述のような）とを含むことができる。
図１５及び図１６に示す実施形態は、１つ又はそれよりも多くの空間フィルタ（上述のような）、光アイソレータ（上述のような）、スイッチ（上述のようなもの、例えば、スイッチ７２０）、減衰器（上述のような）、及びターゲット材料１２０２との初期の光子相互作用を行うようにビーム経路１６１０に結合されたファラデーアイソレータ（上述のような）及び／又はシードレーザ（上述のような）の使用を含むように修正することができることは認められるものとする。
上述の実施形態（すなわち、図４〜図１６）に対しては、適切な増幅器は、連続ポンピングである利得媒体を有する１つ又はそれよりも多くの増幅チャンバ（例えばＣＷ）を含むがこれらに限定されないと説明した。しかし、これらの実施形態（すなわち、図４から図１６）の各々は、上述の電気光学スイッチの機能に類似したスイッチとして機能するように、増幅チャンバの１つ又はそれよりも多くは、選択的ポンピング式、例えば、パルス式であるように修正することができる。更に、これら（すなわち、図４から図１６）に対しては、増幅器利得媒体には、ファイバ、ディスクのような形態のガス放電利得媒体、例えば、エキシマ、ＣＯ2など、及び／又は固体、例えば、Ｅｒ：ＹＡＧを含むことができるが、これらに限定されない。
上記で開示した主題の実施形態の態様は、各請求項の主題の少なくとも１つの権能付与的な実施形態を開示する要件を満たし、かつ１つ又はそれよりも多くのこのような例示的な実施形態のみであることを意図しており、いかなる点においても特許請求の範囲のいずれをも限定せず、特に、特定の開示した実施形態だけに限定しないことは当業者によって理解されるであろう。開示した特許請求の範囲の主題の実施形態の開示した態様には、特に、均等の原則の目的に対する特許請求の範囲の解釈に関して、当業者によって理解及び認められるような多くの変更及び修正を行うことができる。特許請求の範囲は、その範囲及び意味において、特許請求する主題の実施形態の開示した態様だけではなく、当業者には明らかになると思われる均等物及び他の修正及び変更も包含するものとする。上述の本発明の開示した主題の開示かつ特許請求する態様に対する変更及び修正に加えて、他のものも実施することができると考えられる。
「３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１２」を満足するために必要とされる詳細において本特許出願において説明しかつ例示した「ＥＵＶ光源のための駆動レーザ送出システム」の実施形態の特定の態様は、上述の実施形態の態様のあらゆる上述の目的、及び上述の実施形態の態様により又はその目的のあらゆる他の理由で又はその目的にために解決すべき問題を完全に達成することができるが、特許請求した主題の上述の実施形態のここで説明した態様は、特許請求した主題によって広く考察された内容を単に例示し、解説し、かつ代表することは、当業者によって理解されるものとする。実施形態のここで説明しかつ主張する態様の範囲は、本明細書の教示内容に基づいて当業者に現在明らかであると考えられるか又は明らかになると考えられる他の実施形態を漏れなく包含するものである。本発明の「ＥＵＶ光源のための駆動レーザ送出システム」の範囲は、単独にかつ完全に特許請求の範囲によってのみ限定され、いかなるものも特許請求の範囲の詳細説明を超えるものではない。単数形でのこのような請求項における要素への言及は、解釈において、明示的に説明していない限り、このような要素が「１つ及び１つのみ」であることを意味するように意図しておらず、かつ意味しないものとし、「１つ又はそれよりも多い」を意味する意図とし、かつ意味するものとする。当業者に公知か又は後で公知になる実施形態の上述の態様の要素のいずれかに対する全ての構造的及び機能的均等物は、引用により本明細書に明示的に組み込まれると共に、特許請求の範囲によって包含されるように意図されている。本明細書及び／又は本出願の請求項に使用され、かつ本明細書及び／又は本出願の請求項に明示的に意味を与えられたあらゆる用語は、このような用語に関するあらゆる辞書上の意味又は他の一般的に使用される意味によらず、その意味を有するものとする。実施形態のいずれかの態様として本明細書で説明した装置又は方法は、それが特許請求の範囲によって包含されるように本出願において開示する実施形態の態様によって解決するように求められる各及び全て問題に対処することを意図しておらず、また必要でもない。本発明の開示内容におけるいかなる要素、構成要素、又は方法段階も、その要素、構成要素、又は方法段階が特許請求の範囲において明示的に詳細に説明されているか否かに関係なく、一般大衆に捧げられることを意図したものではない。特許請求の範囲におけるいかなる請求項の要素も、その要素が「〜のための手段」という語句を使用して明示的に列挙されるか又は方法の請求項の場合にはその要素が「作用」ではなく「段階」として列挙されていない限り、「３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１２」第６項の規定に基づいて解釈されないものとする。
２６’ ＥＵＶプラズマチャンバ
５０’ ビーム送出システム
２００ 容器
２０２ ビーム送出チャンバ
２０４ レーザビーム

Claims (18)

  1. ターゲット材料と、
    前記ターゲット材料を有するビーム経路を確立する少なくとも１つの光学器械と、
    前記ビーム経路に沿って位置決めされ、ビーム経路に出力光子を供給するシードレーザなしで、前記ターゲット材料と相互作用してＥＵＶ発光プラズマを生成する増幅光子ビームを生成する光学利得媒体と、
    を含むことを特徴とするＥＵＶ光源。
  2. 前記少なくとも１つの光学器械及び前記ターゲット材料は、協働して光学発振器を確立することを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光源。
  3. 前記少なくとも１つの光学器械及び前記ターゲット材料は、協働してリング形状部分を有するビーム経路を確立することを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光源。
  4. 前記ターゲット材料は、液滴の形態であることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光源。
  5. 前記少なくとも１つの光学器械は、平面ミラー、曲面ミラー、コーナ反射器、及び位相共役ミラーから成る光学器械の群から選択されることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光源。
  6. 前記ターゲット材料は、錫を含み、増幅器が、ＣＯ2レーザ増幅器であることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光源。
  7. 前記ターゲット材料と増幅器の間に前記ビーム経路に沿って位置決めされた光アイソレータを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光源。
  8. 前記増幅器は、１次偏光方向を有し、前記光アイソレータは、位相遅延光学器械及び偏光子を含むことを特徴とする請求項７に記載のＥＵＶ光源。
  9. 前記増幅器は、１次偏光方向を有し、前記光アイソレータは、位相遅延ミラー及び偏光ミラーを含むことを特徴とする請求項７に記載のＥＵＶ光源。
  10. 増幅器が、複数の増幅チャンバを含むことを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光源。
  11. 前記ターゲット材料と増幅器の間に配置された平行化光学器械を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光源。
  12. ターゲット材料が前記ビーム経路上にない期間の少なくとも一部分の間に前記光学利得媒体を維持するためのスイッチを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光源。
  13. ＥＵＶ光を発生させる方法であって、
    照射部位を確立する工程、
    光学器械を所定の位置に設置して、前記照射部位を有するビーム経路を確立する工程、 前記ビーム経路に沿って光学利得媒体を配置する工程、及び
    ターゲット材料を前記照射部位に位置決めして、ビーム経路に出力光子を供給するシードレーザなしで、前記ターゲット材料と相互作用してＥＵＶ発光プラズマを生成する増幅光子ビームを生成するする工程、
    を含むことを特徴とする方法。
  14. 前記ビーム経路に沿って前記ターゲット材料と光学利得媒体との間に光アイソレータを位置決めする工程、
    を更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
  15. 前記光アイソレータが可飽和吸収材料を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
  16. ビーム経路上の光を反射するように位置決めされた光学器械と、
    前記光学器械とともに発振空洞を確立するように前記ビーム経路上に位置決め可能なターゲット材料と、
    前記ビーム経路に結合され、前記発振空洞内の光学利得が光学損失を超えるように、外部シードなしに励起可能な光学利得媒体と、
    を含むことを特徴とするＥＵＶ光源。
  17. 前記ターゲット材料は、液滴の形態であることを特徴とする請求項１６に記載のＥＵＶ光源。
  18. 前記ビーム経路に沿って前記ターゲット材料と利得媒体の間に位置決めされた光学器械を更に含み、該光学器械は前記ビーム経路上の光を前記ターゲット材料に収束させることを特徴とする請求項１６に記載のＥＵＶ光源。
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