JP5089907B2 - 充填された凹部領域を用いた音響共振器の性能向上 - Google Patents
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Description
本発明は、音響共振器に関する。
関連出願に対する相互参照
本特許出願は、本発明と同じ譲受人に譲渡され、２００４年６月１４に出願され、「ACOUSTIC RESONATOR PERFORMANCE ENHANCEMENT USING SELECTIVE METAL ETCH」と題する米国特許出願第１０／８６７，５４０号（代理人整理番号第１００４０８７８−１号）に関連する。
本特許出願は、本発明と同じ譲受人に譲渡され、２００４年６月１４に出願され、「ACOUSTIC RESONATOR PERFORMANCE ENHANCEMENT USING SELECTIVE METAL ETCH」と題する米国特許出願第１０／８６７，５４０号（代理人整理番号第１００４０８７８−１号）に関連する。
電子装置のコストとサイズを低減する必要性によって、より小さな単一のフィルタリング素子の必要性が生じた。圧電薄膜共振器（Thin-Film Bulk Acoustic Resonator（ＦＢＡＲ））及び積層型圧電薄膜共振器（Stacked Thin-Film Bulk Wave Acoustic Resonator（ＳＢＡＲ））は、これらの必要性を満たす可能性を有する１つの部類のフィルタ素子に相当する。これらのフィルタは、総称してＦＢＡＲと呼ばれ得る。ＦＢＡＲは、薄膜の圧電（ＰＺ）材料においてバルク縦方向超音波を使用する音響共振器である。一般に、ＦＢＡＲは、２つの金属電極間に挟まれたＰＺ材料の層を含む。ＰＺ材料と電極との組み合わせ体は、その周辺部の周りでその組み合わせ体を支持することにより空気中に浮かされるか、又は音響ミラー上に配置される。
２つの電極間に電界が生成される場合、ＰＺ材料は、電気エネルギの一部を音波の形態の機械的エネルギに変換する。音波は一般に、電界と同じ方向に伝播し、共振周波数を含む何らかの周波数で、電極／空気、又は電極／音響ミラーの共有領域（interface：界面）から反射する。共振周波数において、デバイスは電子共振器として使用され得る。それぞれがＲＦフィルタの素子であるように、複数のＦＢＡＲを組み合わせることができる。
理想的には、フィルタ素子の共振エネルギは、共振器中に完全に「トラップ」される。しかしながら、実際には、分散モードが存在する。これらのモードは、フィルタのＱ（quality factor）の低減をもたらす可能性がある。
これらの、及び他の理由のために、本発明が必要とされている。
本発明の一態様は、基板、第１の電極、圧電材料の層、第２の電極、及び充填領域を含む音響共振器を提供する。第１の電極は基板に隣接し、第１の電極は外側周辺部を有する。圧電層は、第１の電極に隣接する。第２の電極は圧電層に隣接し、第２の電極は外側周辺部を有する。充填領域は、第１及び第２の電極の一方にある。
本発明によれば、音響共振器の性能が改善される。
以下の詳細な説明において、明細書の一部を形成し、本発明が実施され得る例示的な特定の実施形態として示される添付図面を参照する。この点に関して、「上側」、「下側」、「正面」、「背面」、「前部」、「後部」等のような方向性の用語は、記載された図面の向きを基準として使用される。本発明の実施形態のコンポーネントが多数の異なる向きで配置され得るので、方向性の用語は例示のために使用され、決して制限しない。理解されるべきは、他の実施形態を利用することができ、構造的又は論理的な変更が、本発明の範囲から逸脱せずに行われ得ることである。従って、以下の詳細な説明は、制限する意味に解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲によって規定される。
図１及び図２はそれぞれ、ＦＢＡＲ１０の平面図及び断面図を示す。ＦＢＡＲ１０は、基板１２、くぼみ１４、第１の電極１６、圧電（ＰＺ）層１８、及び第２の電極２０を含む。図１において、ＰＺ層１８、及びくぼみ１４は視界から隠されている。第２の電極２０は、図１に五角形として示され、エッジ２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、及び２０ｅを備える周辺部を有する。２つのエッジ２０ｂと２０ｅが、図２の断面図に示される。一般に、コンタクト（図示せず）が第１の電極１６、及び第２の電極２０に結合され、パッシベーション層（図示せず）が電極２０の上面を覆うことができる。コンタクトは、第１及び第２の電極１６、２０を電圧源に接続することを容易にする。
第１の電極１６、ＰＺ層１８、及び第２の電極２０は、トータルでＦＢＡＲ膜を形成する。ＦＢＡＲ膜は基板１２に隣接し、くぼみ１４の上に浮かされて、電極／空気の共有領域を提供する。一実施形態において、くぼみ１４は、基板１２の一部をエッチングによって除去することにより形成される。くぼみ１４は、十分な電極／空気の共有領域がＦＢＡＲ膜の下に形成されるように十分に深い。
代替の実施形態において、ＦＢＡＲ膜は、基板１２内に形成された音響ミラー（図１と図２には示されない）に隣接して配置され得る。このように、電極／音響ミラーの共有領域が形成される。かくして、形成された共振器は、ＳＭＲ（Solid Mounted Resonator）型である。
一実施形態において、基板１２はシリコン（Ｓｉ）から作成され、ＰＺ層１８は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から作成される。代案として、ＰＺ層１８に他の圧電材料を使用することができる。一実施形態において、第１及び第２の電極１６、２０は、モリブデン（Ｍｏ）から作成され得る。代案として、電極に他の材料を使用することができる。一実施形態において、コンタクトは金（Ａｕ）から作成され得る。代案として、コンタクトに他の材料を使用することができる。
図１と図２に示されたＦＢＡＲ１０は、ＰＺ層１８において、縦方向に又は剪断するように伝播する音波を使用するように構成される。印加された電圧によって、第１の電極１６と第２の電極２０との間に電界が生成される場合、ＰＺ層１８の圧電材料は、電気エネルギの一部を音波の形態の機械的エネルギに変換する。そのように構成される場合、ＦＢＡＲ１０は、ＦＢＡＲ１０のＱ（quality factor）の損失をもたらす分散モードを呈する。
図３は、本発明の一実施形態によるＦＢＡＲ４０の断面図を示す。ＦＢＡＲ４０は、基板４２、くぼみ４４、第１の電極４６、圧電（ＰＺ）層４８、第２の電極５０、及び充填領域６０を含む。一般に、コンタクト（図３に示されず）が第１及び第２の電極４６、５０に結合され、パッシベーション層が第２の電極を覆う（同様に図３に示されない）。コンタクトは、第１及び第２の電極４６、５０を電圧源に接続することを容易にする。第１の電極４６、ＰＺ層４８、及び第２の電極５０は、トータルでＦＢＡＲ膜を形成し、上述したようにＦＢＡＲ膜は、くぼみ４４の上に、又は音響ミラーの上に配置され得る。ＦＢＡＲ膜は図示されるように、基板４２に隣接して、くぼみ４４の上に浮かされて、電極／空気の共有領域を提供する。先の実施形態と同様に、本発明に従って、ＳＭＲ設計を用いて電極／音響ミラーの共有領域を得ることもできる。
第２の電極５０、及びＦＢＡＲ膜の他の層は、種々の構成からなることができる周辺部を有する。例えば、それぞれの周辺部は、上記のＦＢＡＲ１０と同様に、五角形とすることができる。また、それらは、任意の種々の多角形形状、円形、又は種々の不揃いな形とすることができる。図３に示された断面図は、第２の電極５０の周辺部に沿った２つの場所、エッジ５０ｂと５０ｅを示す。一実施形態において、ＰＺ層４８のエッジは、図３に示されるように、ＦＢＡＲ４０の垂直方向において第２の電極５０のエッジ５０ｂと概して揃えられる。
図３に示されたＦＢＡＲ４０において、充填領域６０は、第２の電極５０のエッジ５０ｂに隣接して、及びエッジ５０ｅの近く（例えば、エッジから数十マイクロメートル離れて）で第２の電極５０内へ付加されている。一実施形態において、充填領域６０は、くぼみ４４の周辺部の直ぐ外側に配置される。このように、くぼみ４４の周辺部、又は外径が、（図３の図面の中に向けられるような）垂直方向に延びる場合、充填領域６０はくぼみ４４の周辺部の直ぐ「外側」にある。
他の実施形態において、充填領域６０は、充填領域６０の一部がくぼみ４４の周辺部の「内側」にあり、且つ一部が「外側」にあるように、くぼみ４４の周辺部に重なる。更に他の実施形態では、充填領域６０は、くぼみ４４の周辺部の「内側」に完全に位置する。
充填領域６０は、ＦＢＡＲ４０の性能を改善し、結果としてＦＢＡＲ４０の挿入損失の改善、及び共振器のＱの改善がもたらされる。ＦＢＡＲ４０の全体的なＱは、Ｒｐと呼ばれる抵抗のパラメータに比例して依存する。ＦＢＡＲ４０において、Ｒｐは充填領域６０によって改善され得る。
印加された電圧によって、電界が第１の電極４６と第２の電極５０との間に生成される。ＰＺ層４８の圧電材料は、電気エネルギの一部を音波の形態の機械的エネルギに変換する。ＦＢＡＲ４０の音波の一部は、任意のモードタイプの縦音波であるが、他の部分は、圧縮モードタイプ、剪断モードタイプ、又はドラムモードタイプの横音波である。ＦＢＡＲ４０は、所望の共振器モードとして、ＰＺ層４８において厚さの伸長方向に伝播する縦音波を使用するように設計される。しかしながら、充填領域６０を設けるＦＢＡＲ４０は、エネルギ損失を低減、又は抑制し、それによりフィルタのＱが改善される。一実施形態において、充填領域６０は、ＦＢＡＲ４０の横方向モードからエネルギをトラップするのに役立つ。
一実施形態において、充填領域６０は、第２の電極５０に使用される材料とは異なる材料で充填される。その場合、充填領域６０の材料は、１つの場合にＭｏである、第２の電極５０の残りの材料とは異なる分散特性を有する。異なる分散特性を有するこの材料を加えることにより、挿入損失が改善され、ＦＢＡＲ４０の共振器のＱが改善され得る。一実施形態において、充填領域６０の材料は、エッジにおいてＦＢＡＲ膜の剛性を増加させる。１つの場合に、充填領域６０の材料は、充填領域６０の音響インピーダンスをＦＢＡＲ膜の中心部における音響インピーダンスに対して増加させるようになっている。係る材料は、電極材料より高密度とすることができる。例えば、充填領域６０の材料は、Ｗとすることができる一方で、第２の電極５０はＭｏから作成され得る。他の実施形態において、第１及び第２の電極４６、５０は、Ｐｔ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、又はＡｇなどの金属とすることができる。代替の実施形態において、充填領域６０の材料は、ポリイミド、ＢＣＢ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、又は他の誘電体、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＬｉＮｂＯ３、ＰＺＴ、ＬｉＴａＯ３、Ａｌ２Ｏ３、又は他の圧電材料、Ｐｔ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、又は他の金属、又は金属の合金などの材料からも作成され得る。
一実施形態において、充填領域６０は、数百〜数千オングストロームのオーダである、第２の電極５０における深さ、及び１マイクロメートル〜数十マイクロメートル以下のオーダの幅、又は更に大きく、くぼみ４４の周辺部を超えて又はその周辺部の外側に延びる第２の電極５０の幅の部分までの幅を有する。一実施形態において、第２の電極５０は選択的にエッチングされて凹部要素を形成し、次いで凹部要素は、充填領域６０を形成するように材料で充填される。一実施形態において、第２の電極５０は、充填領域６０を形成するために材料で充填される凹部要素を形成するために、リフトオフ技術を用いて構成される。
図４と図５は、本発明の代替の実施形態に従って、図３のＦＢＡＲ４０の平面図を示す。図４と図５に示されるように、ＦＢＡＲ４０は、基板４２、第１の電極４６、及び第２の電極５０を含む。図４と図５において、圧電（ＰＺ）層４８とくぼみ４４は視界から隠されている。一般に、コンタクト（図面に示されない）が第１及び第２の電極４６、５０に結合され、パッシベーション層（同様に図面に示されない）が第２の電極５０を覆う。
図４と図５において、充填領域６０は、第２の電極５０の周辺部に隣接して延在しているように示される。図面において、第２の電極５０の周辺部は、５つの比較的直線のエッジ（５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ、及び５０ｅ）を有する概して五角形であるが、本質的に任意の多角形、円形とすることもでき、又は任意の他の滑らかな又は不揃いの形状を有することもできる。
図５において、充填領域６０は、五角形の電極の５つの全エッジに沿って、即ちエッジ５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ、及び５０ｅに隣接して第２の電極５０の周辺部に隣接して延在するように示される。図４は、ＦＢＡＲ４０の代替の実施形態を示し、この場合、充填領域６０は、五角形の電極の５つのエッジのうち４つに沿って、即ちエッジ５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ、及び５０ｅに隣接して第２の電極５０の周辺部に隣接して延在する。一実施形態において、コンタクトが第２の電極５０の５番目のエッジ５０ａに取り付けられ、そのため充填領域６０はその実施形態において、そのエッジに沿って延在しない。
当業者には理解されるように、本発明による第２の電極５０のエッジに隣接して、任意の数の代替の充填領域６０を設けることができる。充填領域６０は、図示されるように、第２の電極５０のいくつかのエッジ又は全エッジに沿って連続的に延在することができ、充填領域６０はエッジに沿って連続していない小さなセグメントを有することができ、及び充填領域６０の他の形状と構成を用いることができ、特にこの場合、第２の電極５０は五角形以外の形状である。
図６は、スミスチャート上にプロットされた２つの例示的なＦＢＡＲのＱの円を示し、１つのＦＢＡＲにおいてＲｐの改善、それ故にＱの改善を示す。当該技術で知られているように、スミスチャートは、複素インピーダンスの極図表である（拡散パラメータｓ１１とｓ２２の測定値を示すために図６で使用される）。これらのｓ１１とｓ１２の拡散パラメータは、後進波と前進波の複素振幅の比を表す。スミスチャートは、反射係数をインピーダンスに変換する助けになり、それは、配置されたインピーダンスの部分を単位円にマッピングする。ＦＢＡＲ４０の改善された性能は、図６に示されたＱの円により実証される。図６は、充填領域６０を備えるＦＢＡＲ４０のような、例示的な充填デバイスのＳパラメータの測定値を示す。図示されるように、充填領域６０を備えるＦＢＡＲ４０の充填デバイス（実線で表記されたｓ１１）は、チャートの上側半分において、図２に示されたような対照デバイス（波線で表記されたｓ２２）と対比してより改善されたＲｐを有する。
一般に、単位円を通過する水平軸は、実インピーダンスを表し、その軸の上の領域は誘導性リアクタンスを表し、下の領域は容量性リアクタンスを表す。リアクタンスのゼロにおけるチャートの左側部分は、直列共振周波数（ｆｓ）を表し、Ｑの円がスミスチャートの左側で実軸を横切る場所で生じる。また、チャートの左側部分は、抵抗Ｒｓのパラメータも示す。リアクタンスのゼロにおけるチャートの右側部分は、並列共振周波数（ｆｐ）を表し、Ｑの円がスミスチャートの右側で実軸を横切る場所で生じる。また、チャートの右側部分は、抵抗Ｒｐのパラメータも示す。スミスチャート上でＦＢＡＲフィルタの特性のプロットがスミスチャートの周辺部に対してより接近すればするほど、そのＦＢＡＲのＱはより高くなる。また、曲線が滑らかになればなるほど、ＦＢＡＲのノイズはより低くなる。
図６において、フィルタとしてのＦＢＡＲ４０の性能は、実線のＱの円ｓ１１によって示され、電極に充填領域を備えていない従来技術のＦＢＡＲの性能は、波線のＱの円ｓ２２によって示される。明らかなように、ＦＢＡＲ４０は、周波数ｆｐの近くでフィルタの品質を改善する。ＦＢＡＲ４０はＱの円ｓ１１によって示され、そのＱの円ｓ１１が単位円の上側半分において単位円にいっそう厳密に似ており、その領域において損失の少ないデバイスを表しており、それによりフィルタで使用される場合にＦＢＡＲ４０の性能が改善される。
また、図６は、単位円の左下側、即ち「南西」の象限で示されるように、フィルタとして使用されるＦＢＡＲ４０が、直列共振周波数ｆｓ未満でスプリアスモードを実際に高めることも示す。この周波数領域のノイズの増加がデバイスの性能を損なわない用途で、ＦＢＡＲ４０が使用される場合、単位円の他の領域で示された改善を利用することができる。例えば、いくつかの実施形態において、ＦＢＡＲ４０は、ハーフラダーのトポロジーを使用するフィルタ用途において共振器として使用される。フィルタの性能は、改善されたＲｐから恩恵を受け、増加したスプリアスモードによってもたらされる任意のノイズは、フィルタの通過帯域の外側にある。
図７は、本発明の代替の実施形態によるＦＢＡＲ４０の断面図を示す。ＦＢＡＲ４０は、本質的に図３に示されたものと同様であり、基板４２、くぼみ４４、第１の電極４６、圧電（ＰＺ）層４８、第２の電極５０、及び充填領域６０を含む。また、第２の電極５０の周辺部の２つのエッジ５０ｂと５０ｅも示される。また、図７に示されたＦＢＡＲ４０は充填領域６０を有するが、その充填領域６０は、図３において充填領域６０が形成された表面とは反対側にある、第２の電極５０の表面に形成されている。ＦＢＡＲ４０が図３に示される場合には、充填領域６０は第２の電極５０の「上側」表面にあり、それに対してＦＢＡＲ４０が図７に示される場合には、充填領域６０は第２の電極５０の「下側」表面にある。また、一実施形態において、図７に示された充填領域６０は、くぼみ４４の周辺部のエッジの外側にある。代替の実施形態において、充填領域６０はくぼみ４４の周辺部に部分的に重なり、他の実施形態において、充填領域６０はくぼみ４４の周辺部の内側に完全に位置する。
一実施形態において、図７に示されたようなＦＢＡＲ４０の性能は、図３に示されたようなＦＢＡＲ４０に関して上述したようなことと本質的に同様である。第２の電極５０の「下側」表面の充填領域６０は、当業者により知られている種々の態様で達成され得る。例えば、図７に示された構造は、圧電物質の堆積の後にリフトオフプロセス（即ち、マスク、材料の堆積、そしてリフトオフ）、その後に上部電極材料の堆積を用いることにより、構成され得る。
図８と図９は、本発明の代替の実施形態によるＦＢＡＲ７０の断面図を示す。ＦＢＡＲ７０は、基板７２、くぼみ７４、第１の電極７６、圧電（ＰＺ）層７８、第２の電極８０、及び充填材料（充填領域）９０を含む。一般に、コンタクト（図面に示されない）が第１及び第２の電極７６、８０に結合される。また、任意のパッシベーション層（図面に示されない）を用いて、第２の電極８０が覆われてもよい。コンタクトは、第１及び第２の電極７６、８０を電圧源に接続することを容易にする。第１の電極７６、ＰＺ層７８、及び第２の電極８０は、トータルでＦＢＡＲ膜を形成し、上述したようにＦＢＡＲ膜は、くぼみ７４の上に配置されるか、又は音響ミラーの上に配置され得る。ＦＢＡＲ膜は図示されるように、基板７２に隣接し、くぼみ７４の上に浮かされて、電極／空気の共有領域を提供する。また、先の実施形態と同様に、本発明の実施形態に従ってＳＭＲ設計を用いて、電極／音響ミラーの共有領域を得ることもできる。
ＦＢＡＲ７０は、図３に示されたＦＢＡＲ３０に類似しているが、ＦＢＡＲ７０は、上述したように第２の電極にではなくて、第１の電極７６に挿入された充填領域９０を有する。また、第１の電極７６に挿入された充填領域９０は、ＦＢＡＲ７０の性能も改善し、結果としてＦＢＡＲ７０の挿入損失の改善、及び共振器のＱ（quality factor）の改善をもたらす。図８において、充填領域９０は第１の電極７６の「上側表面」に隣接して示され、図９において、充填領域９０は第１の電極７６の「下側表面」に隣接して示される。それぞれの場合に、充填領域９０は、くぼみ７４の周辺部の直ぐ外側に示される。このように、くぼみ７４の周辺部、又は外径が、（図８と図９の図面の中に向けられるような）垂直方向に延びる場合、充填領域９０は、くぼみ７４の周辺部の直ぐ「外側」にある。代替の実施形態において、充填領域９０は、くぼみ７４の周辺部に部分的に重なり、他の実施形態において、充填領域９０は、くぼみ７４の周辺部の内側に完全に位置する。ＦＢＡＲ４０に関して前述した充填領域６０と同様に、充填領域９０はＦＢＡＲ７０の性能を改善し、結果としてＦＢＡＲ７０のノイズ低減の改善、及び共振器のＱ（quality factor）の改善をもたらす。
上記の実施形態と同様に、充填領域９０は、第２の電極８０に使用される材料とは異なる材料で充填される。その場合、充填領域９０の材料は、１つの場合にＭｏである、第２の電極８０の残りの材料とは異なる分散特性を有する。異なる分散特性を有するこの材料を加えることにより、ＦＢＡＲ７０の挿入損失、及び共振器のＱ（quality factor）を改善することができる。一実施形態において、充填領域９０の材料は、そのエッジにおいてＦＢＡＲ膜の剛性を増加させる。１つの場合に、充填領域９０の材料は、充填領域９０の音響インピーダンスをＦＢＡＲ膜の中心部における音響インピーダンスに対して増加させるようになっている。係る材料は、電極材料より高密度とすることができる。例えば、充填領域９０の材料は、Ｗとすることができる一方で、第２の電極８０はＭｏから作成され得る。他の実施形態において、第１及び第２の電極７６、８０は、Ｐｔ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、又はＡｇなどの金属とすることができる。代替の実施形態において、充填領域９０の材料は、ポリイミド、ＢＣＢ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、又は他の誘電体、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＬｉＮｂＯ３、ＰＺＴ、ＬｉＴａＯ３、Ａｌ２Ｏ３、又は他の圧電材料、Ｐｔ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、又は他の金属、又は金属の合金などの材料からも作成され得る。
ＦＢＡＲ４０、７０は、本発明に従って、種々の態様で製造され得る。一実施形態において、例えば、凹部領域は、所望の厚さよりもわずかに少ない厚さまで電極金属を最初に堆積することにより、上側電極に形成される。次いで、フォトマスクを用いて、共振器の中央領域をパターニングする。次いで、残りの厚さの電極金属が堆積され、リフトオフプロセスを用いて、凹部領域に残ったレジストが除去される。次いで、追加のフォトマスクを用いて充填領域をパターニングする。充填材料が充填領域に堆積されて、マスク及び充填領域の外側の充填材料がリフトオフプロセスで除去される。別の実施形態において、凹部領域は、電極金属を所望の厚さまで最初に堆積し、電極をフォトマスクでパターニングし、凹部領域をエッチングすることにより作成され得る。別の実施形態において、充填領域は、充填材料を最初に堆積し、充填領域をフォトマスクでパターニングし、充填領域の外側の充填材料をエッチングにより除去することによって、作成され得る。
図１０Ａ〜図１０Ｆは、本発明の一実施形態によるＦＢＡＲ１００の製造に関する種々の中間的な段階を示す断面図である。ＦＢＡＲ１００は、図３〜図９に示されたものと類似しており、基板１０２、くぼみ１０４、第１の電極１０６、圧電（ＰＺ）層１０８、及び第２の電極１１０を含み、第１の電極１０６、圧電（ＰＺ）層１０８、及び第２の電極１１０は、トータルでＦＢＡＲ膜を形成する。図１０Ａは、充填領域１２０（図１０Ｆに示され、上述した充填領域６０と９０に類似する）を形成する前のＦＢＡＲ１００を示す。
図１０Ｂは、フォトマスク１０９がＦＢＡＲ膜の上に堆積された状態のＦＢＡＲ１００を示す。フォトマスク１０９を用いて、リフトオフプロセスを使用する凹部領域をパターニングする。図１０Ｃは、追加の電極材料の金属１１０が堆積された後であるが、リフトオフプロセスの前の状態である、図１０ＢのＦＢＡＲ１００を示す。図１０Ｄは、リフトオフプロセス後のＦＢＡＲ１００を示す。リフトオフプロセスは、フォトマスク１０９、及びフォトマスク１０９上にある全ての金属１１０を除去する。このように、リフトオフプロセスは、凹部領域１１１を画定する。
次に、図１０Ｅは、フォトマスク１１３がＦＢＡＲ膜の上に堆積されて、充填領域がパターニングされた状態のＦＢＡＲ１００を示す。図１０Ｆは、充填材料１２０が堆積された後であるが、リフトオフプロセスの前の状態である、図１０ＥのＦＢＡＲ１００を示す。リフトオフプロセスの後は、図３のＦＢＡＲ４０が結果としての構造を示す。いくつかの実施形態において、ＦＢＡＲは更に、少なくとも１つのパッシベーション層を利用することができる。
下側電極上の充填された凹部領域は、同様に作成され得る。更に、充填領域の上部は、充填領域が上側電極、又は下側電極に存在するか否かに関わらず、必ずしも電極の表面と揃えられる必要はない。ＦＢＡＲの凹部は、リフトオフプロセスによって生じることができるが、エッチング工程でもって作成されてもよい。充填材料は、フォトマスクで最初にマスキングすることにより凹部領域にパターニングされ、メタライゼーションを堆積し、次いでリフトオフを用いて凹部領域に充填材料が残される。また、充填材料は、最初に金属堆積を使用し、後にフォトマスクとエッチングが続くことにより、追加され得る。
本明細書において、特定の実施形態が例示されて説明されたが、当業者には認識されるように、種々の代案、及び／又は等価な具現化形態が、本発明の範囲から逸脱せずに、図示され説明された特定の実施形態に置き換えられ得る。本出願は、本明細書に説明された特定の実施形態の任意の改作形態、又は変形形態を網羅するように意図されている。従って、本発明は、特許請求の範囲、及びその等価物によってのみ制限されることが意図されている。
40、70 ＦＢＡＲ
42、72、102 基板
44、74、104 くぼみ
46、76、106 第１の電極
48、78、108 圧電（ＰＺ）層
50、80 第２の電極
60、90 充填領域
109、113 フォトマスク
110 電極材料
111 凹部領域
120 充填材料
42、72、102 基板
44、74、104 くぼみ
46、76、106 第１の電極
48、78、108 圧電（ＰＺ）層
50、80 第２の電極
60、90 充填領域
109、113 フォトマスク
110 電極材料
111 凹部領域
120 充填材料
Claims (22)
- 基板と、
前記基板に隣接し、外側周辺部を有する第１の電極と、
前記第１の電極に隣接する圧電層と、
前記圧電層に隣接し、外側周辺部を有する第２の電極とを含み、
前記第１の電極、及び前記第２の電極のうちの一方が、充填領域を形成するために材料で充填された凹部要素を含み、
前記第１の電極、及び前記第２の電極のうちの一方にある前記充填領域が、前記外側周辺部に隣接し、前記充填領域の材料が、前記第２の電極に使用される材料とは異なる分散特性を有する、音響共振器。 - くぼみが前記基板に形成され、前記くぼみが、くぼみ周辺部を有し、前記第１の電極が前記くぼみにまたがっている、請求項１に記載の音響共振器。
- 前記第１の電極、及び前記第２の電極のうちの一方にある前記充填領域が、前記くぼみ周辺部の外側にある、請求項２に記載の音響共振器。
- 前記第１の電極、及び前記第２の電極のうちの一方にある前記充填領域が、前記くぼみ周辺部の内側にある、請求項２に記載の音響共振器。
- 前記第１の電極、及び前記第２の電極のうちの一方にある前記充填領域が、前記くぼみ周辺部に部分的に重なる、請求項２に記載の音響共振器。
- 音響ミラーが前記基板に形成され、前記第１の電極が前記音響ミラーにまたがる、請求項１に記載の音響共振器。
- 前記第２の電極に隣接するパッシベーション層を更に含み、前記パッシベーション層が、第１の平面に平行である第２の平面内に位置する、請求項１〜６の何れかに記載の音響共振器。
- 前記充填材料が、誘電体、金属、金属合金、圧電物質、Ｍｏ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、ポリイミド、ＢＣＢ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＬｉＮｂＯ３、ＰＺＴ、ＬｉＴａＯ３、及びＡｌ２Ｏ３からなるグループから選択された材料である、請求項１に記載の音響共振器。
- 前記充填領域が、前記第１の電極、及び前記第２の電極のうちの一方の外側周辺部の大部分の周りに延在する、請求項１〜８の何れかに記載の音響共振器。
- 前記充填領域が、前記第１の電極、及び前記第２の電極のうちの一方において、数百〜数千オングストロームのオーダである深さ、及び１マイクロメートル〜数十マイクロメートル以下のオーダの幅を有する、請求項１〜９の何れかに記載の音響共振器。
- 前記充填領域が、前記第１及び第２の電極の一方の外側周辺部から、ゼロ〜数十マイクロメートルだけオフセットしている、請求項１〜１０の何れかに記載の音響共振器。
- 第１の表面を有する基板と、
前記基板の前記第１の表面に隣接する第１の電極と、
前記第１の電極に隣接する圧電材料の層と、
前記圧電材料の層に隣接し、第１の平面内に位置すると共に外側周辺部を有する第２の電極とを含み、
前記第２の電極が、充填領域を形成するために材料で充填された凹部要素を含み、
前記第２の電極にある前記充填領域が、前記外側周辺部に隣接し、前記第２の電極が、前記充填領域の材料とは異なる材料からなり、前記充填領域の材料が、前記音響共振器の中心部における音響インピーダンスに比べて前記充填領域の音響インピーダンスを増加させるように、電極材料より高密度である、音響共振器。 - くぼみ周辺部を有するくぼみが、前記基板の第１の表面に形成され、前記第１の電極が前記くぼみにまたがっている、請求項１２に記載の音響共振器。
- 音響ミラーが前記基板の第１の表面に形成され、前記第１の電極が前記音響ミラーにまたがっている、請求項１２に記載の音響共振器。
- 前記第２の電極の前記充填領域が、前記くぼみ周辺部の外側にある、請求項１２又は１３に記載の音響共振器。
- 前記第２の電極の前記充填領域が、前記くぼみ周辺部の内側にある、請求項１２又は１３に記載の音響共振器。
- 前記第２の電極の前記充填領域が、前記くぼみ周辺部に部分的に重なる、請求項１２又は１３に記載の音響共振器。
- 基板を準備し、
前記基板に隣接する第１の電極を製造し、
前記第１の電極に隣接する圧電層を製造し、
前記圧電層に隣接し、第１の厚さまでの第２の電極を形成するように、電極材料を堆積し、
前記第２の電極の上に第１のフォトマスクを堆積し、
第２の厚さまでの前記第２の電極を形成するように、追加の電極材料を堆積し、
前記フォトマスクを除去して、前記第２の電極に凹部領域を露呈し、及び
前記凹部領域を充填材料で充填することを含み、
前記第２の電極が外側周辺部を有し、前記凹部領域が、前記外側周辺部に隣接し、前記充填材料が、前記第２の電極に使用される材料とは異なる分散特性を有する、音響共振器を製造するための方法。 - 前記凹部領域を充填する前に、前記第２の電極の上に第２のフォトマスクを堆積することを更に含む、請求項１８に記載の方法。
- 前記基板にくぼみを形成することを更に含む、請求項１８又は１９に記載の方法。
- 前記凹部領域を充填することが、誘電体、金属、金属合金、圧電物質、Ｍｏ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、ポリイミド、ＢＣＢ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＬｉＮｂＯ３、ＰＺＴ、ＬｉＴａＯ３、及びＡｌ２Ｏ３からなるグループから選択された材料で充填することを更に含む、請求項１８〜２０の何れかに記載の方法。
- 基板を準備し、
前記基板に隣接する第１の電極を製造し、
前記第１の電極に隣接する圧電層を製造し、
第２の電極を形成するために電極材料を堆積し、
前記第２の電極の上に第１のフォトマスクを堆積し、
前記第２の電極に凹部領域を形成するために、前記第２の電極をエッチングし、及び
前記凹部領域を充填材料で充填することを含み、
前記第２の電極が外側周辺部を有し、前記凹部領域が、前記外側周辺部に隣接し、前記充填材料が、前記第２の電極に使用される材料とは異なる分散特性を有する、音響共振器を製造するための方法。
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| US7795781B2 (en) * | 2008-04-24 | 2010-09-14 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator with reduced energy loss |
| US7855618B2 (en) | 2008-04-30 | 2010-12-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers |
| AU2009202863B2 (en) * | 2008-07-14 | 2012-02-16 | Aristocrat Technologies Australia Pty Limited | Gaming system and method of gaming |
| EP2890007A1 (en) | 2008-11-07 | 2015-07-01 | Greenray Industries, Inc. | Crystal oscillator with reduced acceleration sensitivity |
| CN101477083B (zh) * | 2009-01-09 | 2010-12-01 | 重庆大学 | 具有主动抑制声能损失功能的薄膜体声波传感器及方法 |
| US8291559B2 (en) * | 2009-02-24 | 2012-10-23 | Epcos Ag | Process for adapting resonance frequency of a BAW resonator |
| US8248185B2 (en) | 2009-06-24 | 2012-08-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure comprising a bridge |
| US9520856B2 (en) | 2009-06-24 | 2016-12-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| US8902023B2 (en) | 2009-06-24 | 2014-12-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| US9673778B2 (en) | 2009-06-24 | 2017-06-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Solid mount bulk acoustic wave resonator structure comprising a bridge |
| US8427337B2 (en) * | 2009-07-10 | 2013-04-23 | Aclara RF Systems Inc. | Planar dipole antenna |
| US8692631B2 (en) * | 2009-10-12 | 2014-04-08 | Hao Zhang | Bulk acoustic wave resonator and method of fabricating same |
| US8456257B1 (en) * | 2009-11-12 | 2013-06-04 | Triquint Semiconductor, Inc. | Bulk acoustic wave devices and method for spurious mode suppression |
| US9450561B2 (en) | 2009-11-25 | 2016-09-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave (BAW) resonator structure having an electrode with a cantilevered portion and a piezoelectric layer with varying amounts of dopant |
| US9219464B2 (en) | 2009-11-25 | 2015-12-22 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave (BAW) resonator structure having an electrode with a cantilevered portion and a piezoelectric layer with multiple dopants |
| US8193877B2 (en) | 2009-11-30 | 2012-06-05 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Duplexer with negative phase shifting circuit |
| US9243316B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation |
| US8796904B2 (en) | 2011-10-31 | 2014-08-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer |
| US8673121B2 (en) | 2010-01-22 | 2014-03-18 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric materials with opposite C-axis orientations |
| WO2011099381A1 (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 |
| US9479139B2 (en) | 2010-04-29 | 2016-10-25 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Resonator device including electrode with buried temperature compensating layer |
| US8962443B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
| US9148117B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-29 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements |
| US9083302B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator |
| US9154112B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-10-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge |
| US9048812B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer |
| US9425764B2 (en) * | 2012-10-25 | 2016-08-23 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features |
| US9099983B2 (en) * | 2011-02-28 | 2015-08-04 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator device comprising a bridge in an acoustic reflector |
| US9203374B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-12-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator comprising a bridge |
| US9571064B2 (en) * | 2011-02-28 | 2017-02-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator device with at least one air-ring and frame |
| US9136818B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked acoustic resonator comprising a bridge |
| US9991871B2 (en) * | 2011-02-28 | 2018-06-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator comprising a ring |
| US10284173B2 (en) * | 2011-02-28 | 2019-05-07 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Acoustic resonator device with at least one air-ring and frame |
| US9246473B2 (en) * | 2011-03-29 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising collar, frame and perimeter distributed bragg reflector |
| US9590165B2 (en) | 2011-03-29 | 2017-03-07 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising aluminum scandium nitride and temperature compensation feature |
| US9444426B2 (en) * | 2012-10-25 | 2016-09-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature |
| US8575820B2 (en) | 2011-03-29 | 2013-11-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator |
| US9748918B2 (en) | 2013-02-14 | 2017-08-29 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising integrated structures for improved performance |
| US9917567B2 (en) | 2011-05-20 | 2018-03-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising aluminum scandium nitride |
| US8350445B1 (en) | 2011-06-16 | 2013-01-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge |
| US8922302B2 (en) | 2011-08-24 | 2014-12-30 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator formed on a pedestal |
| US8896395B2 (en) * | 2011-09-14 | 2014-11-25 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having multiple lateral features |
| US9577603B2 (en) | 2011-09-14 | 2017-02-21 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Solidly mounted acoustic resonator having multiple lateral features |
| KR101856060B1 (ko) | 2011-12-01 | 2018-05-10 | 삼성전자주식회사 | 체적 음향 공진기 |
| JP2013138425A (ja) | 2011-12-27 | 2013-07-11 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte Ltd | ブリッジを備えるソリッドマウントバルク音響波共振器構造 |
| US9608592B2 (en) | 2014-01-21 | 2017-03-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic wave resonator (FBAR) having stress-relief |
| DE102014101805B4 (de) * | 2013-02-14 | 2020-07-02 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Akustischer Resonator mit integriertem seitlichen Merkmal und Temperaturkompensationsmerkmal |
| US9608192B2 (en) | 2013-03-28 | 2017-03-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Temperature compensated acoustic resonator device |
| US9450167B2 (en) * | 2013-03-28 | 2016-09-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Temperature compensated acoustic resonator device having an interlayer |
| JP5591977B2 (ja) * | 2013-04-30 | 2014-09-17 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置 |
| US10804877B2 (en) | 2014-01-21 | 2020-10-13 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Film bulk acoustic wave resonator (FBAR) having stress-relief |
| US10404231B2 (en) | 2014-02-27 | 2019-09-03 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Acoustic resonator device with an electrically-isolated layer of high-acoustic-impedance material interposed therein |
| US9401691B2 (en) * | 2014-04-30 | 2016-07-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator device with air-ring and temperature compensating layer |
| US9621126B2 (en) | 2014-10-22 | 2017-04-11 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator device including temperature compensation structure comprising low acoustic impedance layer |
| US20160191015A1 (en) | 2014-12-27 | 2016-06-30 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Split current bulk acoustic wave (baw) resonators |
| US9318692B1 (en) * | 2015-02-24 | 2016-04-19 | International Business Machines Corporation | Self-limited crack etch to prevent device shorting |
| US10367471B2 (en) | 2015-05-21 | 2019-07-30 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Resonator package and method of manufacturing the same |
| US10084425B2 (en) | 2015-05-29 | 2018-09-25 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having comprising a plurality of connection-side contacts |
| US10177736B2 (en) | 2015-05-29 | 2019-01-08 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Bulk acoustic wave resonator comprising multiple acoustic reflectors |
| JP6441761B2 (ja) | 2015-07-29 | 2018-12-19 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器及びフィルタ |
| US9762208B2 (en) | 2015-09-30 | 2017-09-12 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Very wide bandwidth composite bandpass filter with steep roll-off |
| US9893713B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-02-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Wide bandwidth muliplexer based on LC and acoustic resonator circuits for performing carrier aggregation |
| US10778180B2 (en) * | 2015-12-10 | 2020-09-15 | Qorvo Us, Inc. | Bulk acoustic wave resonator with a modified outside stack portion |
| DE102017101602B4 (de) | 2016-01-29 | 2022-06-09 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Ein Multiplexer mit breiter Bandbreite auf der Basis von LC und akustischen Resonator-Schaltkreisen zum Ausführen von Carrier-Aggregation |
| JP6469601B2 (ja) * | 2016-02-05 | 2019-02-13 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ |
| US10396755B2 (en) * | 2016-02-17 | 2019-08-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Resonator having frame and method of manufacturing the same |
| KR101843244B1 (ko) | 2016-02-17 | 2018-05-14 | 삼성전기주식회사 | 음향 공진기 및 그 제조 방법 |
| US10128813B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-11-13 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Bulk acoustic wave (BAW) resonator structure |
| JP2017201050A (ja) | 2016-05-06 | 2017-11-09 | 学校法人早稲田大学 | 圧電体薄膜及びそれを用いた圧電素子 |
| US10886888B2 (en) | 2016-10-27 | 2021-01-05 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Bulk acoustic wave resonator having openings in an active area and a pillar beneath the opening |
| US10284168B2 (en) | 2016-10-27 | 2019-05-07 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Bulk acoustic wave resonator |
| US10263601B2 (en) | 2016-10-31 | 2019-04-16 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Tunable bulk acoustic resonator device with improved insertion loss |
| US10263587B2 (en) | 2016-12-23 | 2019-04-16 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Packaged resonator with polymeric air cavity package |
| US10511285B1 (en) | 2017-02-28 | 2019-12-17 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Anchored polymeric package for acoustic resonator structures |
| US10256788B2 (en) | 2017-03-31 | 2019-04-09 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Acoustic resonator including extended cavity |
| US10804875B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-10-13 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Polymer lid wafer-level package with an electrically and thermally conductive pillar |
| US10700660B2 (en) | 2017-10-25 | 2020-06-30 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Bulk acoustic wave resonator |
| KR102455391B1 (ko) | 2018-01-19 | 2022-10-17 | 우한 양시 마이크로 컴포넌츠 컴퍼니 리미티드 | 필름 벌크 음향 공진기 |
| CN108134588B (zh) * | 2018-01-19 | 2020-01-14 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 一种抑制横波效应的薄膜体声波谐振器 |
| US11018651B2 (en) | 2018-04-19 | 2021-05-25 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Bulk acoustic wave resonators having doped piezoelectric material and an adhesion and diffusion barrier layer |
| US11152909B2 (en) | 2018-04-19 | 2021-10-19 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Bulk acoustic wave resonators having low atomic weight metal electrodes |
| US10944372B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-03-09 | David Woolsey | Acoustic resonator |
| US11082023B2 (en) | 2018-09-24 | 2021-08-03 | Skyworks Global Pte. Ltd. | Multi-layer raised frame in bulk acoustic wave device |
| CN110868186B (zh) * | 2019-04-23 | 2023-03-14 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 体声波谐振器、其制作方法和半导体器件 |
| CN110868184A (zh) * | 2019-04-23 | 2020-03-06 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 体声波谐振器和半导体器件 |
| US20230124437A1 (en) * | 2020-03-18 | 2023-04-20 | Epicmems (Xiamen) Co., Ltd. | Solidly mounted resonator and manufacturing method thereof |
| CN113659957B (zh) * | 2020-04-29 | 2024-04-12 | 华为技术有限公司 | 声波谐振器及无线通信设备 |
| CN113555495B (zh) * | 2021-07-20 | 2024-03-19 | 广东工业大学 | 一种薄膜压力传感器及其制备方法与应用 |
Family Cites Families (329)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1670365A (en) | 1928-05-22 | And herman g | ||
| FR1307476A (fr) | 1960-12-12 | 1962-10-26 | U S Sonics Corp | Amplificateur sélecteur de fréquences |
| US3189851A (en) | 1962-06-04 | 1965-06-15 | Sonus Corp | Piezoelectric filter |
| US3321648A (en) | 1964-06-04 | 1967-05-23 | Sonus Corp | Piezoelectric filter element |
| GB1207974A (en) | 1966-11-17 | 1970-10-07 | Clevite Corp | Frequency selective apparatus including a piezoelectric device |
| US3422371A (en) | 1967-07-24 | 1969-01-14 | Sanders Associates Inc | Thin film piezoelectric oscillator |
| US3826931A (en) | 1967-10-26 | 1974-07-30 | Hewlett Packard Co | Dual crystal resonator apparatus |
| US3582839A (en) | 1968-06-06 | 1971-06-01 | Clevite Corp | Composite coupled-mode filter |
| US3607761A (en) | 1968-12-09 | 1971-09-21 | Continental Oil Co | Soap bars containing salts of fatty acids derived from the guerbet reaction |
| US3610969A (en) | 1970-02-06 | 1971-10-05 | Mallory & Co Inc P R | Monolithic piezoelectric resonator for use as filter or transformer |
| US3845402A (en) | 1973-02-15 | 1974-10-29 | Edmac Ass Inc | Sonobuoy receiver system, floating coupler |
| FR2380666A1 (fr) | 1977-02-14 | 1978-09-08 | Cii Honeywell Bull | Systeme de commande de decoupage pour convertisseur dans une alimentation electrique continue |
| US4084217A (en) | 1977-04-19 | 1978-04-11 | Bbc Brown, Boveri & Company, Limited | Alternating-current fed power supply |
| GB2013343B (en) | 1978-01-26 | 1982-05-12 | Page Eng Co Ltd | Apparatus for detecting liquid |
| GB2033185B (en) | 1978-09-22 | 1983-05-18 | Secr Defence | Acoustic wave device with temperature stabilisation |
| US4281299A (en) | 1979-11-23 | 1981-07-28 | Honeywell Inc. | Signal isolator |
| ZA81781B (en) | 1980-02-13 | 1982-03-31 | Int Computers Ltd | Digital systems |
| US4344004A (en) | 1980-09-22 | 1982-08-10 | Design Professionals Financial Corp. | Dual function transducer utilizing displacement currents |
| US4320365A (en) | 1980-11-03 | 1982-03-16 | United Technologies Corporation | Fundamental, longitudinal, thickness mode bulk wave resonator |
| JPS58137317A (ja) | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Nec Corp | 圧電薄膜複合振動子 |
| JPS5923612A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-07 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子の製造方法 |
| GB2137056B (en) | 1983-03-16 | 1986-09-03 | Standard Telephones Cables Ltd | Communications apparatus |
| US4640756A (en) | 1983-10-25 | 1987-02-03 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method of making a piezoelectric shear wave resonator |
| US4608541A (en) | 1984-08-10 | 1986-08-26 | Analog Devices, Kk | Isolation amplifier |
| US4625138A (en) | 1984-10-24 | 1986-11-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Piezoelectric microwave resonator using lateral excitation |
| US4719383A (en) | 1985-05-20 | 1988-01-12 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Piezoelectric shear wave resonator and method of making same |
| US4819215A (en) * | 1986-01-31 | 1989-04-04 | Showa Electric Wire & Cable Co., Ltd. | Electric signal transfer element |
| SE465946B (sv) | 1986-09-11 | 1991-11-18 | Bengt Henoch | Anordning foer oeverfoering av elektrisk energi till elektrisk utrustning genom omagnetiska och elektriskt isolerande material |
| US4769272A (en) | 1987-03-17 | 1988-09-06 | National Semiconductor Corporation | Ceramic lid hermetic seal package structure |
| JPH01157108A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-20 | Victor Co Of Japan Ltd | 圧電薄膜共振子 |
| US4906840A (en) | 1988-01-27 | 1990-03-06 | The Board Of Trustees Of Leland Stanford Jr., University | Integrated scanning tunneling microscope |
| US4841429A (en) | 1988-03-24 | 1989-06-20 | Hughes Aircraft Company | Capacitive coupled power supplies |
| US4836882A (en) | 1988-09-12 | 1989-06-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of making an acceleration hardened resonator |
| US5214392A (en) * | 1988-11-08 | 1993-05-25 | Murata Mfg. Co., Ltd. | Multilayered ceramic type electromagnetic coupler apparatus |
| US5118982A (en) | 1989-05-31 | 1992-06-02 | Nec Corporation | Thickness mode vibration piezoelectric transformer |
| US5048036A (en) | 1989-09-18 | 1991-09-10 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Heterostructure laser with lattice mismatch |
| US5048038A (en) | 1990-01-25 | 1991-09-10 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Ion-implanted planar-buried-heterostructure diode laser |
| DE69129879T2 (de) | 1990-05-22 | 1999-02-18 | Canon Kk | Datenaufzeichnungsgerät |
| US5241456A (en) | 1990-07-02 | 1993-08-31 | General Electric Company | Compact high density interconnect structure |
| JP2995076B2 (ja) | 1990-07-24 | 1999-12-27 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
| US5075641A (en) | 1990-12-04 | 1991-12-24 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | High frequency oscillator comprising cointegrated thin film resonator and active device |
| US5066925A (en) | 1990-12-10 | 1991-11-19 | Westinghouse Electric Corp. | Multi push-pull MMIC power amplifier |
| US5162691A (en) | 1991-01-22 | 1992-11-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Cantilevered air-gap type thin film piezoelectric resonator |
| US5233259A (en) | 1991-02-19 | 1993-08-03 | Westinghouse Electric Corp. | Lateral field FBAR |
| US5111157A (en) * | 1991-05-01 | 1992-05-05 | General Electric Company | Power amplifier for broad band operation at frequencies above one ghz and at decade watt power levels |
| US5185589A (en) * | 1991-05-17 | 1993-02-09 | Westinghouse Electric Corp. | Microwave film bulk acoustic resonator and manifolded filter bank |
| US5262347A (en) | 1991-08-14 | 1993-11-16 | Bell Communications Research, Inc. | Palladium welding of a semiconductor body |
| JPH0555438A (ja) | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Rohm Co Ltd | 電子部品のリード端子構造 |
| US5294898A (en) | 1992-01-29 | 1994-03-15 | Motorola, Inc. | Wide bandwidth bandpass filter comprising parallel connected piezoelectric resonators |
| DE69321745T2 (de) | 1992-02-04 | 1999-10-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Direktkontakt-Bildsensor und Herstellungsverfahren dafür |
| US5548189A (en) | 1992-03-26 | 1996-08-20 | Linear Technology Corp. | Fluorescent-lamp excitation circuit using a piezoelectric acoustic transformer and methods for using same |
| US5361077A (en) | 1992-05-29 | 1994-11-01 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Acoustically coupled antenna utilizing an overmoded configuration |
| US5382930A (en) | 1992-12-21 | 1995-01-17 | Trw Inc. | Monolithic multipole filters made of thin film stacked crystal filters |
| US5384808A (en) | 1992-12-31 | 1995-01-24 | Apple Computer, Inc. | Method and apparatus for transmitting NRZ data signals across an isolation barrier disposed in an interface between adjacent devices on a bus |
| US5448014A (en) | 1993-01-27 | 1995-09-05 | Trw Inc. | Mass simultaneous sealing and electrical connection of electronic devices |
| US5465725A (en) | 1993-06-15 | 1995-11-14 | Hewlett Packard Company | Ultrasonic probe |
| JPH0767200A (ja) | 1993-08-04 | 1995-03-10 | Motorola Inc | 音響的絶縁方法 |
| JP3337535B2 (ja) | 1993-09-24 | 2002-10-21 | システム．ユニークス株式会社 | 非接触型回転結合器 |
| US5587620A (en) | 1993-12-21 | 1996-12-24 | Hewlett-Packard Company | Tunable thin film acoustic resonators and method for making the same |
| US5633574A (en) * | 1994-01-18 | 1997-05-27 | Sage; George E. | Pulse-charge battery charger |
| US5594705A (en) | 1994-02-04 | 1997-01-14 | Dynamotive Canada Corporation | Acoustic transformer with non-piezoelectric core |
| US5427382A (en) | 1994-05-09 | 1995-06-27 | Pate; Elvis O. | Repair kit for three-dimensional animal targets |
| DE19514307A1 (de) * | 1994-05-19 | 1995-11-23 | Siemens Ag | Duplexer für ein Ultraschallabbildungssystem |
| US5864261A (en) | 1994-05-23 | 1999-01-26 | Iowa State University Research Foundation | Multiple layer acoustical structures for thin-film resonator based circuits and systems |
| JPH0819097A (ja) | 1994-06-23 | 1996-01-19 | Motorola Inc | 音響絶縁器 |
| JPH0878786A (ja) | 1994-09-02 | 1996-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 歪量子井戸の構造 |
| JPH08148968A (ja) | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜圧電素子 |
| US5567334A (en) * | 1995-02-27 | 1996-10-22 | Texas Instruments Incorporated | Method for creating a digital micromirror device using an aluminum hard mask |
| FR2734424B1 (fr) * | 1995-05-19 | 1997-06-13 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif d'alimentation electronique |
| US5696423A (en) | 1995-06-29 | 1997-12-09 | Motorola, Inc. | Temperature compenated resonator and method |
| US5692279A (en) | 1995-08-17 | 1997-12-02 | Motorola | Method of making a monolithic thin film resonator lattice filter |
| JP2778554B2 (ja) | 1995-10-12 | 1998-07-23 | 日本電気株式会社 | 圧電トランス駆動回路 |
| JPH09119943A (ja) | 1995-10-24 | 1997-05-06 | Wako:Kk | 加速度センサ |
| US6219032B1 (en) * | 1995-12-01 | 2001-04-17 | Immersion Corporation | Method for providing force feedback to a user of an interface device based on interactions of a controlled cursor with graphical elements in a graphical user interface |
| US5729008A (en) * | 1996-01-25 | 1998-03-17 | Hewlett-Packard Company | Method and device for tracking relative movement by correlating signals from an array of photoelements |
| US6001664A (en) | 1996-02-01 | 1999-12-14 | Cielo Communications, Inc. | Method for making closely-spaced VCSEL and photodetector on a substrate |
| CN1074843C (zh) | 1996-03-20 | 2001-11-14 | 陈美雍 | 游标定位装置 |
| CN1183587C (zh) | 1996-04-08 | 2005-01-05 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 用于把两个集成电路直流上相互隔离的方法和设备 |
| EP0818882A3 (en) | 1996-07-10 | 1999-12-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Energy trapping piezoelectric device and producing method thereof |
| JP2842526B2 (ja) | 1996-08-01 | 1999-01-06 | 日本電気株式会社 | 圧電トランスの駆動回路 |
| US5714917A (en) | 1996-10-02 | 1998-02-03 | Nokia Mobile Phones Limited | Device incorporating a tunable thin film bulk acoustic resonator for performing amplitude and phase modulation |
| JPH10163772A (ja) | 1996-10-04 | 1998-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 電力増幅器およびチップキャリヤ |
| US6051907A (en) * | 1996-10-10 | 2000-04-18 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for performing on-wafer tuning of thin film bulk acoustic wave resonators (FBARS) |
| US5873154A (en) | 1996-10-17 | 1999-02-23 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for fabricating a resonator having an acoustic mirror |
| JP3031265B2 (ja) | 1996-10-24 | 2000-04-10 | 日本電気株式会社 | 圧電トランスの駆動回路および駆動方法 |
| KR20000070971A (ko) | 1997-02-12 | 2000-11-25 | 카니테크 에이/에스 | 컴퓨터용 입력 장치 |
| US6111341A (en) | 1997-02-26 | 2000-08-29 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Piezoelectric vibrator and method for manufacturing the same |
| US6087198A (en) | 1998-02-12 | 2000-07-11 | Texas Instruments Incorporated | Low cost packaging for thin-film resonators and thin-film resonator-based filters |
| US5872493A (en) | 1997-03-13 | 1999-02-16 | Nokia Mobile Phones, Ltd. | Bulk acoustic wave (BAW) filter having a top portion that includes a protective acoustic mirror |
| US5853601A (en) | 1997-04-03 | 1998-12-29 | Northrop Grumman Corporation | Top-via etch technique for forming dielectric membranes |
| US6339048B1 (en) * | 1999-12-23 | 2002-01-15 | Elementis Specialties, Inc. | Oil and oil invert emulsion drilling fluids with improved anti-settling properties |
| US6040962A (en) | 1997-05-14 | 2000-03-21 | Tdk Corporation | Magnetoresistive element with conductive films and magnetic domain films overlapping a central active area |
| US5910756A (en) | 1997-05-21 | 1999-06-08 | Nokia Mobile Phones Limited | Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators |
| US5932953A (en) | 1997-06-30 | 1999-08-03 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Method and system for detecting material using piezoelectric resonators |
| US5894647A (en) | 1997-06-30 | 1999-04-20 | Tfr Technologies, Inc. | Method for fabricating piezoelectric resonators and product |
| JP3378775B2 (ja) | 1997-07-07 | 2003-02-17 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子およびその周波数調整方法 |
| WO1999013343A1 (fr) | 1997-09-10 | 1999-03-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capteur d'acceleration et procede de fabrication |
| US5982297A (en) | 1997-10-08 | 1999-11-09 | The Aerospace Corporation | Ultrasonic data communication system |
| US6873065B2 (en) * | 1997-10-23 | 2005-03-29 | Analog Devices, Inc. | Non-optical signal isolator |
| KR100253092B1 (ko) | 1997-12-05 | 2000-06-01 | 윤종용 | 반도체 제조설비의 진공 흡착 장치 |
| DE19755893C2 (de) | 1997-12-08 | 2001-01-25 | Claus Rein | Verfahren und Anordnung zur Energie- und Informationsübertragung mittels Ultraschall |
| CN1171382C (zh) | 1998-01-16 | 2004-10-13 | 三菱电机株式会社 | 薄膜压电元件 |
| JP3230052B2 (ja) | 1998-03-23 | 2001-11-19 | 有限会社フィデリックス | 電源装置 |
| US6026876A (en) * | 1998-03-25 | 2000-02-22 | Snyder; Frank L. | Tire traction enhancement system |
| US6016052A (en) * | 1998-04-03 | 2000-01-18 | Cts Corporation | Pulse frequency modulation drive circuit for piezoelectric transformer |
| US5936150A (en) | 1998-04-13 | 1999-08-10 | Rockwell Science Center, Llc | Thin film resonant chemical sensor with resonant acoustic isolator |
| US5953479A (en) | 1998-05-07 | 1999-09-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Tilted valance-band quantum well double heterostructures for single step active and passive optical waveguide device monolithic integration |
| KR100328807B1 (ko) * | 1998-05-08 | 2002-03-14 | 가네코 히사시 | 제조비용이 저렴하고 충분한 접착 강도가 수득될 수 있는 수지구조물 및 이의 제조 방법 |
| WO1999059244A2 (de) | 1998-05-08 | 1999-11-18 | Infineon Technologies Ag | Dünnfilm-piezoresonator |
| JPH11345406A (ja) | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Sony Corp | マスクパターンの形成方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US6060818A (en) | 1998-06-02 | 2000-05-09 | Hewlett-Packard Company | SBAR structures and method of fabrication of SBAR.FBAR film processing techniques for the manufacturing of SBAR/BAR filters |
| DE19826152A1 (de) | 1998-06-12 | 1999-12-16 | Thomson Brandt Gmbh | Anordnung mit einem Schaltnetzteil und einem Mikroprozessor |
| US6150703A (en) | 1998-06-29 | 2000-11-21 | Trw Inc. | Lateral mode suppression in semiconductor bulk acoustic resonator (SBAR) devices using tapered electrodes, and electrodes edge damping materials |
| US6252229B1 (en) | 1998-07-10 | 2001-06-26 | Boeing North American, Inc. | Sealed-cavity microstructure and microbolometer and associated fabrication methods |
| US6118181A (en) | 1998-07-29 | 2000-09-12 | Agilent Technologies, Inc. | System and method for bonding wafers |
| US6090687A (en) | 1998-07-29 | 2000-07-18 | Agilent Technolgies, Inc. | System and method for bonding and sealing microfabricated wafers to form a single structure having a vacuum chamber therein |
| US6335548B1 (en) * | 1999-03-15 | 2002-01-01 | Gentex Corporation | Semiconductor radiation emitter package |
| AU1108500A (en) | 1998-10-08 | 2000-04-26 | Richard Patten Bishop | Fluorescent lamp excitation circuit having a multi-layer piezoelectric acoustic transformer and methods for using the same |
| US6229247B1 (en) | 1998-11-09 | 2001-05-08 | Face International Corp. | Multi-layer piezoelectric electrical energy transfer device |
| JP3414381B2 (ja) | 1998-12-22 | 2003-06-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電力給電装置、電力受電装置、電力伝送システム、電力伝送方法、携帯機器および時計装置 |
| FI113211B (fi) | 1998-12-30 | 2004-03-15 | Nokia Corp | Balansoitu suodatinrakenne ja matkaviestinlaite |
| US6215375B1 (en) | 1999-03-30 | 2001-04-10 | Agilent Technologies, Inc. | Bulk acoustic wave resonator with improved lateral mode suppression |
| JP3531522B2 (ja) | 1999-04-19 | 2004-05-31 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子 |
| JP4327942B2 (ja) * | 1999-05-20 | 2009-09-09 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜圧電素子 |
| US6262637B1 (en) | 1999-06-02 | 2001-07-17 | Agilent Technologies, Inc. | Duplexer incorporating thin-film bulk acoustic resonators (FBARs) |
| DE19931297A1 (de) | 1999-07-07 | 2001-01-11 | Philips Corp Intellectual Pty | Volumenwellen-Filter |
| FI107660B (fi) | 1999-07-19 | 2001-09-14 | Nokia Mobile Phones Ltd | Resonaattorirakenne |
| JP4420538B2 (ja) | 1999-07-23 | 2010-02-24 | アバゴ・テクノロジーズ・ワイヤレス・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド | ウェーハパッケージの製造方法 |
| US6228675B1 (en) | 1999-07-23 | 2001-05-08 | Agilent Technologies, Inc. | Microcap wafer-level package with vias |
| US6265246B1 (en) | 1999-07-23 | 2001-07-24 | Agilent Technologies, Inc. | Microcap wafer-level package |
| US6107721A (en) | 1999-07-27 | 2000-08-22 | Tfr Technologies, Inc. | Piezoelectric resonators on a differentially offset reflector |
| US6617750B2 (en) | 1999-09-21 | 2003-09-09 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Microelectricalmechanical system (MEMS) electrical isolator with reduced sensitivity to inertial noise |
| US6292336B1 (en) | 1999-09-30 | 2001-09-18 | Headway Technologies, Inc. | Giant magnetoresistive (GMR) sensor element with enhanced magnetoresistive (MR) coefficient |
| US6738267B1 (en) * | 1999-10-19 | 2004-05-18 | Alcatel | Switched power supply converter with a piezoelectric transformer |
| KR100413789B1 (ko) * | 1999-11-01 | 2003-12-31 | 삼성전자주식회사 | 고진공 패키징 마이크로자이로스코프 및 그 제조방법 |
| JP2001196883A (ja) | 1999-11-01 | 2001-07-19 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振素子の周波数調整方法 |
| US6307447B1 (en) | 1999-11-01 | 2001-10-23 | Agere Systems Guardian Corp. | Tuning mechanical resonators for electrical filter |
| US6580159B1 (en) | 1999-11-05 | 2003-06-17 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit device packages and substrates for making the packages |
| US6441539B1 (en) | 1999-11-11 | 2002-08-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator |
| JP2001244778A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-09-07 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 高周波圧電振動子 |
| ATE442614T1 (de) * | 2000-01-10 | 2009-09-15 | Eta Sa Mft Horlogere Suisse | Vorrichtung um ein signal zu erzeugen,dessen frequenz wesentlich temperatur unabhängig ist |
| US6452310B1 (en) | 2000-01-18 | 2002-09-17 | Texas Instruments Incorporated | Thin film resonator and method |
| US6479320B1 (en) | 2000-02-02 | 2002-11-12 | Raytheon Company | Vacuum package fabrication of microelectromechanical system devices with integrated circuit components |
| US6521477B1 (en) * | 2000-02-02 | 2003-02-18 | Raytheon Company | Vacuum package fabrication of integrated circuit components |
| US6466418B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-10-15 | Headway Technologies, Inc. | Bottom spin valves with continuous spacer exchange (or hard) bias |
| US6262600B1 (en) | 2000-02-14 | 2001-07-17 | Analog Devices, Inc. | Isolator for transmitting logic signals across an isolation barrier |
| DE10007577C1 (de) | 2000-02-18 | 2001-09-13 | Infineon Technologies Ag | Piezoresonator |
| JP2001257560A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 超薄板圧電振動素子の電極構造 |
| DE10014300A1 (de) | 2000-03-23 | 2001-10-04 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| CN1383610B (zh) * | 2000-04-06 | 2010-05-26 | Nxp股份有限公司 | 包括谐振器的可调谐滤波器装置 |
| US6441481B1 (en) | 2000-04-10 | 2002-08-27 | Analog Devices, Inc. | Hermetically sealed microstructure package |
| US6384697B1 (en) | 2000-05-08 | 2002-05-07 | Agilent Technologies, Inc. | Cavity spanning bottom electrode of a substrate-mounted bulk wave acoustic resonator |
| GB0012439D0 (en) | 2000-05-24 | 2000-07-12 | Univ Cranfield | Improvements to filters |
| KR100370398B1 (ko) * | 2000-06-22 | 2003-01-30 | 삼성전자 주식회사 | 전자 및 ｍｅｍｓ 소자의 표면실장형 칩 규모 패키징 방법 |
| JP2002033628A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Hitachi Ltd | 高周波電力増幅器 |
| US6355498B1 (en) | 2000-08-11 | 2002-03-12 | Agere Systems Guartian Corp. | Thin film resonators fabricated on membranes created by front side releasing |
| US6420820B1 (en) | 2000-08-31 | 2002-07-16 | Agilent Technologies, Inc. | Acoustic wave resonator and method of operating the same to maintain resonance when subjected to temperature variations |
| US6377137B1 (en) | 2000-09-11 | 2002-04-23 | Agilent Technologies, Inc. | Acoustic resonator filter with reduced electromagnetic influence due to die substrate thickness |
| US6486751B1 (en) | 2000-09-26 | 2002-11-26 | Agere Systems Inc. | Increased bandwidth thin film resonator having a columnar structure |
| US6530515B1 (en) | 2000-09-26 | 2003-03-11 | Amkor Technology, Inc. | Micromachine stacked flip chip package fabrication method |
| US6621137B1 (en) | 2000-10-12 | 2003-09-16 | Intel Corporation | MEMS device integrated chip package, and method of making same |
| US6542055B1 (en) | 2000-10-31 | 2003-04-01 | Agilent Technologies, Inc. | Integrated filter balun |
| EP1202455A3 (en) * | 2000-10-31 | 2004-09-15 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | A packaging methodology for duplexers using fbars |
| ATE295632T1 (de) | 2000-11-03 | 2005-05-15 | Paratek Microwave Inc | Verfahren zur kanalfrequenzzuteilung für hf- und mikrowellenduplexer |
| US6515558B1 (en) | 2000-11-06 | 2003-02-04 | Nokia Mobile Phones Ltd | Thin-film bulk acoustic resonator with enhanced power handling capacity |
| GB0029090D0 (en) * | 2000-11-29 | 2001-01-10 | Univ Cranfield | Improvements in or relating to filters |
| KR100398363B1 (ko) | 2000-12-05 | 2003-09-19 | 삼성전기주식회사 | Ｆｂａｒ 소자 및 그 제조방법 |
| US6550664B2 (en) * | 2000-12-09 | 2003-04-22 | Agilent Technologies, Inc. | Mounting film bulk acoustic resonators in microwave packages using flip chip bonding technology |
| US6366006B1 (en) | 2000-12-15 | 2002-04-02 | Clark Davis Boyd | Composite piezoelectric transformer |
| US6424237B1 (en) | 2000-12-21 | 2002-07-23 | Agilent Technologies, Inc. | Bulk acoustic resonator perimeter reflection system |
| US6496085B2 (en) | 2001-01-02 | 2002-12-17 | Nokia Mobile Phones Ltd | Solidly mounted multi-resonator bulk acoustic wave filter with a patterned acoustic mirror |
| US6518860B2 (en) | 2001-01-05 | 2003-02-11 | Nokia Mobile Phones Ltd | BAW filters having different center frequencies on a single substrate and a method for providing same |
| US6407649B1 (en) | 2001-01-05 | 2002-06-18 | Nokia Corporation | Monolithic FBAR duplexer and method of making the same |
| US6469909B2 (en) | 2001-01-09 | 2002-10-22 | 3M Innovative Properties Company | MEMS package with flexible circuit interconnect |
| US6512300B2 (en) * | 2001-01-10 | 2003-01-28 | Raytheon Company | Water level interconnection |
| JP2002217676A (ja) | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電フィルタ |
| CA2369060C (en) | 2001-01-24 | 2005-10-04 | Nissin Electric Co., Ltd. | Dc-dc-converter and bi-directional dc-dc converter and method of controlling the same |
| US6462631B2 (en) | 2001-02-14 | 2002-10-08 | Agilent Technologies, Inc. | Passband filter having an asymmetrical filter response |
| US6583374B2 (en) * | 2001-02-20 | 2003-06-24 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Microelectromechanical system (MEMS) digital electrical isolator |
| US6714102B2 (en) * | 2001-03-01 | 2004-03-30 | Agilent Technologies, Inc. | Method of fabricating thin film bulk acoustic resonator (FBAR) and FBAR structure embodying the method |
| US6787048B2 (en) | 2001-03-05 | 2004-09-07 | Agilent Technologies, Inc. | Method for producing thin bulk acoustic resonators (FBARs) with different frequencies on the same substrate by subtracting method and apparatus embodying the method |
| US6617249B2 (en) | 2001-03-05 | 2003-09-09 | Agilent Technologies, Inc. | Method for making thin film bulk acoustic resonators (FBARS) with different frequencies on a single substrate and apparatus embodying the method |
| US6566979B2 (en) * | 2001-03-05 | 2003-05-20 | Agilent Technologies, Inc. | Method of providing differential frequency adjusts in a thin film bulk acoustic resonator (FBAR) filter and apparatus embodying the method |
| US6483229B2 (en) | 2001-03-05 | 2002-11-19 | Agilent Technologies, Inc. | Method of providing differential frequency adjusts in a thin film bulk acoustic resonator (FBAR) filter and apparatus embodying the method |
| US6874211B2 (en) * | 2001-03-05 | 2005-04-05 | Agilent Technologies, Inc. | Method for producing thin film bulk acoustic resonators (FBARs) with different frequencies on the same substrate by subtracting method and apparatus embodying the method |
| US6469597B2 (en) | 2001-03-05 | 2002-10-22 | Agilent Technologies, Inc. | Method of mass loading of thin film bulk acoustic resonators (FBAR) for creating resonators of different frequencies and apparatus embodying the method |
| JP4058970B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2008-03-12 | セイコーエプソン株式会社 | ニオブ酸カリウム圧電薄膜を有する表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器 |
| KR100489851B1 (ko) | 2001-03-23 | 2005-05-17 | 노키아 코포레이션 | 필터디바이스 |
| JP3973915B2 (ja) | 2001-03-30 | 2007-09-12 | 株式会社日立メディアエレクトロニクス | 高周波フィルタ、高周波回路、アンテナ共用器及び無線端末 |
| DE10118285A1 (de) | 2001-04-12 | 2002-11-07 | Philips Corp Intellectual Pty | Schaltung zur Umwandlung von Wechselspannung in Gleichspannung |
| US6548943B2 (en) * | 2001-04-12 | 2003-04-15 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Method of producing thin-film bulk acoustic wave devices |
| US6668618B2 (en) | 2001-04-23 | 2003-12-30 | Agilent Technologies, Inc. | Systems and methods of monitoring thin film deposition |
| US6472954B1 (en) | 2001-04-23 | 2002-10-29 | Agilent Technologies, Inc. | Controlled effective coupling coefficients for film bulk acoustic resonators |
| US6441702B1 (en) | 2001-04-27 | 2002-08-27 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Method and system for wafer-level tuning of bulk acoustic wave resonators and filters |
| US6476536B1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-05 | Nokia Corporation | Method of tuning BAW resonators |
| US6489688B1 (en) | 2001-05-02 | 2002-12-03 | Zeevo, Inc. | Area efficient bond pad placement |
| JP2005236337A (ja) * | 2001-05-11 | 2005-09-02 | Ube Ind Ltd | 薄膜音響共振器及びその製造方法 |
| US6601276B2 (en) | 2001-05-11 | 2003-08-05 | Agere Systems Inc. | Method for self alignment of patterned layers in thin film acoustic devices |
| US7545532B2 (en) | 2001-06-07 | 2009-06-09 | Fujifilm Corporation | Image processing apparatus and image processing program storage medium |
| KR100398365B1 (ko) * | 2001-06-25 | 2003-09-19 | 삼성전기주식회사 | 폭방향 파동이 억제되는 박막 공진기 |
| US7135809B2 (en) * | 2001-06-27 | 2006-11-14 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Ultrasound transducer |
| JP3903842B2 (ja) * | 2001-07-03 | 2007-04-11 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子、フィルタおよび電子通信機器 |
| US6710681B2 (en) * | 2001-07-13 | 2004-03-23 | Agilent Technologies, Inc. | Thin film bulk acoustic resonator (FBAR) and inductor on a monolithic substrate and method of fabricating the same |
| US6958566B2 (en) | 2001-08-16 | 2005-10-25 | The Regents Of The University Of Michigan | Mechanical resonator device having phenomena-dependent electrical stiffness |
| US6936954B2 (en) | 2001-08-29 | 2005-08-30 | Honeywell International Inc. | Bulk resonator |
| US6803835B2 (en) | 2001-08-30 | 2004-10-12 | Agilent Technologies, Inc. | Integrated filter balun |
| US6559530B2 (en) * | 2001-09-19 | 2003-05-06 | Raytheon Company | Method of integrating MEMS device with low-resistivity silicon substrates |
| DE10147075A1 (de) | 2001-09-25 | 2003-04-30 | Infineon Technologies Ag | Piezoelektrisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE10149542A1 (de) | 2001-10-08 | 2003-04-17 | Infineon Technologies Ag | BAW-Resonator |
| JP3922428B2 (ja) | 2001-10-16 | 2007-05-30 | Ｔｄｋ株式会社 | 圧電振動子、圧電振動部品及びそれらの製造方法 |
| US6593870B2 (en) | 2001-10-18 | 2003-07-15 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | MEMS-based electrically isolated analog-to-digital converter |
| GB0125529D0 (en) * | 2001-10-24 | 2001-12-12 | The Technology Partnership Plc | Sensing apparatus |
| US6630753B2 (en) | 2001-10-29 | 2003-10-07 | International Business Machines Corporation | Low cost redundant AC to DC power supply |
| US6808955B2 (en) | 2001-11-02 | 2004-10-26 | Intel Corporation | Method of fabricating an integrated circuit that seals a MEMS device within a cavity |
| US6720844B1 (en) * | 2001-11-16 | 2004-04-13 | Tfr Technologies, Inc. | Coupled resonator bulk acoustic wave filter |
| US6710508B2 (en) * | 2001-11-27 | 2004-03-23 | Agilent Technologies, Inc. | Method for adjusting and stabilizing the frequency of an acoustic resonator |
| TWI281277B (en) * | 2001-11-29 | 2007-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Driving circuit of piezoelectric transformer, cold cathode tube light-emitting device, liquid crystal panel and electronic machine mounted with liquid crystal panel |
| DE10160617A1 (de) | 2001-12-11 | 2003-06-12 | Epcos Ag | Akustischer Spiegel mit verbesserter Reflexion |
| US6970365B2 (en) | 2001-12-12 | 2005-11-29 | Jpmorgan Chase Bank, N.A. | Controlled frequency power factor correction circuit and method |
| US6600390B2 (en) | 2001-12-13 | 2003-07-29 | Agilent Technologies, Inc. | Differential filters with common mode rejection and broadband rejection |
| US20030111439A1 (en) | 2001-12-14 | 2003-06-19 | Fetter Linus Albert | Method of forming tapered electrodes for electronic devices |
| US6906451B2 (en) | 2002-01-08 | 2005-06-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator, piezoelectric filter, duplexer, communication apparatus, and method for manufacturing piezoelectric resonator |
| US6670866B2 (en) | 2002-01-09 | 2003-12-30 | Nokia Corporation | Bulk acoustic wave resonator with two piezoelectric layers as balun in filters and duplexers |
| US20030132809A1 (en) | 2002-01-17 | 2003-07-17 | Chinnugounder Senthilkumar | Oscillator with tunable capacitor |
| US20030141946A1 (en) | 2002-01-31 | 2003-07-31 | Ruby Richard C. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) and the method of making the same |
| JP2003222636A (ja) | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Fujitsu Media Device Kk | 加速度センサ |
| US6873529B2 (en) * | 2002-02-26 | 2005-03-29 | Kyocera Corporation | High frequency module |
| US6603182B1 (en) | 2002-03-12 | 2003-08-05 | Lucent Technologies Inc. | Packaging micromechanical devices |
| CN1292533C (zh) * | 2002-03-15 | 2006-12-27 | 松下电器产业株式会社 | 平衡高频器件，平衡特性的改进方法和采用此类器件的平衡高频电路 |
| US6549394B1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-04-15 | Agilent Technologies, Inc. | Micromachined parallel-plate variable capacitor with plate suspension |
| US6673697B2 (en) | 2002-04-03 | 2004-01-06 | Intel Corporation | Packaging microelectromechanical structures |
| US6635509B1 (en) | 2002-04-12 | 2003-10-21 | Dalsa Semiconductor Inc. | Wafer-level MEMS packaging |
| TW540173B (en) | 2002-05-03 | 2003-07-01 | Asia Pacific Microsystems Inc | Bulk acoustic device having integrated fine-tuning and trimming devices |
| KR100506729B1 (ko) | 2002-05-21 | 2005-08-08 | 삼성전기주식회사 | 박막 벌크 어코스틱 공진기（ＦＢＡＲｓ）소자 및 그제조방법 |
| US7276994B2 (en) | 2002-05-23 | 2007-10-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric thin-film resonator, piezoelectric filter, and electronic component including the piezoelectric filter |
| JP2004072715A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-03-04 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜共振子、圧電フィルタ、およびそれを有する電子部品 |
| JP3940932B2 (ja) | 2002-06-20 | 2007-07-04 | 宇部興産株式会社 | 薄膜圧電共振器、薄膜圧電デバイスおよびその製造方法 |
| AU2003250294A1 (en) | 2002-07-19 | 2004-03-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Device and method for detecting a substance with the aid of a high frequency piezo-acoustic thin film resonator |
| JP4039322B2 (ja) * | 2002-07-23 | 2008-01-30 | 株式会社村田製作所 | 圧電フィルタ、デュプレクサ、複合圧電共振器および通信装置、並びに、圧電フィルタの周波数調整方法 |
| US20040017130A1 (en) * | 2002-07-24 | 2004-01-29 | Li-Peng Wang | Adjusting the frequency of film bulk acoustic resonators |
| US20040016995A1 (en) * | 2002-07-25 | 2004-01-29 | Kuo Shun Meen | MEMS control chip integration |
| US6828713B2 (en) | 2002-07-30 | 2004-12-07 | Agilent Technologies, Inc | Resonator with seed layer |
| EP1547189A4 (en) | 2002-08-03 | 2006-11-08 | Siverta Inc | INTEGRATED AND SEALED SWITCH FOR MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEMS |
| US6713314B2 (en) * | 2002-08-14 | 2004-03-30 | Intel Corporation | Hermetically packaging a microelectromechanical switch and a film bulk acoustic resonator |
| JP3879643B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2007-02-14 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子、圧電フィルタ、通信装置 |
| JP4128836B2 (ja) | 2002-09-27 | 2008-07-30 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜圧電共振子、それを用いたフィルタ及びデュプレクサ |
| DE10246791B4 (de) | 2002-10-08 | 2017-10-19 | Snaptrack, Inc. | Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator und Schaltung mit dem Resonator |
| JP2004147246A (ja) | 2002-10-28 | 2004-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電振動子、それを用いたフィルタ及び圧電振動子の調整方法 |
| US6944432B2 (en) * | 2002-11-12 | 2005-09-13 | Nokia Corporation | Crystal-less oscillator transceiver |
| FR2848036B1 (fr) * | 2002-11-28 | 2005-08-26 | St Microelectronics Sa | Support pour resonateur acoustique, resonateur acoustique et circuit integre correspondant |
| DE10256937B4 (de) | 2002-12-05 | 2018-02-01 | Snaptrack, Inc. | Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit unsymmetrisch/symmetrischer Beschaltung |
| JP3889351B2 (ja) * | 2002-12-11 | 2007-03-07 | Ｔｄｋ株式会社 | デュプレクサ |
| DE10258422A1 (de) * | 2002-12-13 | 2004-06-24 | Epcos Ag | Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit gekoppelten Resonatoren |
| JP3841049B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2006-11-01 | ヤマハ株式会社 | 電源回路 |
| JP4342174B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-10-14 | 新光電気工業株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
| DE10301261B4 (de) * | 2003-01-15 | 2018-03-22 | Snaptrack, Inc. | Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
| KR100455127B1 (ko) | 2003-01-24 | 2004-11-06 | 엘지전자 주식회사 | 박막 용적 탄성파 공진기를 이용한 물질 센서 모듈 |
| US7026876B1 (en) * | 2003-02-21 | 2006-04-11 | Dynalinear Technologies, Inc. | High linearity smart HBT power amplifiers for CDMA/WCDMA application |
| KR100486627B1 (ko) * | 2003-02-21 | 2005-05-03 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 패키지 |
| US20040166603A1 (en) | 2003-02-25 | 2004-08-26 | Carley L. Richard | Micromachined assembly with a multi-layer cap defining a cavity |
| US7275292B2 (en) | 2003-03-07 | 2007-10-02 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate |
| US6922102B2 (en) | 2003-03-28 | 2005-07-26 | Andrew Corporation | High efficiency amplifier |
| JP2004304704A (ja) | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜音響共振子、及び、薄膜音響共振子回路 |
| DE10317969B4 (de) | 2003-04-17 | 2005-06-16 | Epcos Ag | Duplexer mit erweiterter Funktionalität |
| EP1469599B1 (en) | 2003-04-18 | 2010-11-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Air gap type FBAR, duplexer using the FBAR, and fabricating methods thereof |
| KR100599083B1 (ko) | 2003-04-22 | 2006-07-12 | 삼성전자주식회사 | 캔틸레버 형태의 압전 박막 공진 소자 및 그 제조방법 |
| DE10319554B4 (de) * | 2003-04-30 | 2018-05-09 | Snaptrack, Inc. | Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit gekoppelten Resonatoren |
| US6943648B2 (en) | 2003-05-01 | 2005-09-13 | Intel Corporation | Methods for forming a frequency bulk acoustic resonator with uniform frequency utilizing multiple trimming layers and structures formed thereby |
| FR2854745B1 (fr) | 2003-05-07 | 2005-07-22 | Centre Nat Rech Scient | Circuit electronique a transformateur piezo-electrique integre |
| US6927651B2 (en) | 2003-05-12 | 2005-08-09 | Agilent Technologies, Inc. | Acoustic resonator devices having multiple resonant frequencies and methods of making the same |
| US6954121B2 (en) | 2003-06-09 | 2005-10-11 | Agilent Technologies, Inc. | Method for controlling piezoelectric coupling coefficient in film bulk acoustic resonators and apparatus embodying the method |
| US6853534B2 (en) * | 2003-06-09 | 2005-02-08 | Agilent Technologies, Inc. | Tunable capacitor |
| EP1489740A3 (en) * | 2003-06-18 | 2006-06-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component and method for manufacturing the same |
| US6924717B2 (en) | 2003-06-30 | 2005-08-02 | Intel Corporation | Tapered electrode in an acoustic resonator |
| JP4757026B2 (ja) * | 2003-08-04 | 2011-08-24 | 株式会社村田製作所 | 加速度センサの特性調整方法 |
| JP2005057332A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Tdk Corp | フィルタ装置およびそれを用いた分波器 |
| US6777263B1 (en) | 2003-08-21 | 2004-08-17 | Agilent Technologies, Inc. | Film deposition to enhance sealing yield of microcap wafer-level package with vias |
| EP1517443B1 (en) | 2003-09-12 | 2011-06-29 | Panasonic Corporation | Thin film bulk acoustic resonator, method for producing the same, filter, composite electronic component device, and communication device |
| JP2005117641A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電体共振器、それを用いたフィルタ及び共用器 |
| US7400217B2 (en) * | 2003-10-30 | 2008-07-15 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Decoupled stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwith |
| US7358831B2 (en) | 2003-10-30 | 2008-04-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with simplified packaging |
| US7242270B2 (en) | 2003-10-30 | 2007-07-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Decoupled stacked bulk acoustic resonator-based band-pass filter |
| US7019605B2 (en) * | 2003-10-30 | 2006-03-28 | Larson Iii John D | Stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwidth |
| US6946928B2 (en) * | 2003-10-30 | 2005-09-20 | Agilent Technologies, Inc. | Thin-film acoustically-coupled transformer |
| DE602004000851T2 (de) * | 2003-10-30 | 2007-05-16 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Akustisch gekoppelter Dünnschicht-Transformator mit zwei piezoelektrischen Elementen, welche entgegengesetzte C-Axen Orientierung besitzten |
| DE602004002363T2 (de) | 2003-10-30 | 2007-09-20 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Akustisch gekoppelter Dünnschicht-Transformator mit piezoelektrischem Material, welches entgegengesetzte C-Axen Orientierung besitzt |
| US7294919B2 (en) | 2003-11-26 | 2007-11-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Device having a complaint element pressed between substrates |
| TWI228869B (en) | 2003-12-30 | 2005-03-01 | Ind Tech Res Inst | Noise reduction method of filter |
| JP2006166390A (ja) | 2004-02-05 | 2006-06-22 | Seiko Epson Corp | 圧電振動片、圧電振動子及び圧電発振器 |
| GB0403481D0 (en) | 2004-02-17 | 2004-03-24 | Transense Technologies Plc | Interrogation method for passive sensor monitoring system |
| JP2005286992A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-10-13 | Seiko Epson Corp | 圧電振動片、圧電振動子および圧電発振器 |
| US7084553B2 (en) | 2004-03-04 | 2006-08-01 | Ludwiczak Damian R | Vibrating debris remover |
| DE602004013534D1 (de) | 2004-03-09 | 2008-06-19 | Infineon Technologies Ag | Akustischer Volumenwellen - Filter und Verfahren zur Vermeidung unerwünschter Seitendurchgänge |
| JP4078555B2 (ja) | 2004-03-17 | 2008-04-23 | セイコーエプソン株式会社 | ニオブ酸カリウム堆積体の製造方法 |
| US6963257B2 (en) | 2004-03-19 | 2005-11-08 | Nokia Corporation | Coupled BAW resonator based duplexers |
| JP3875240B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2007-01-31 | 株式会社東芝 | 電子部品の製造方法 |
| US7161448B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-01-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator performance enhancements using recessed region |
| WO2006018788A1 (en) | 2004-08-20 | 2006-02-23 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Narrow band bulk acoustic wave filter |
| US7280007B2 (en) * | 2004-11-15 | 2007-10-09 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Thin film bulk acoustic resonator with a mass loaded perimeter |
| US7388454B2 (en) * | 2004-10-01 | 2008-06-17 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure |
| TWI365603B (en) * | 2004-10-01 | 2012-06-01 | Avago Technologies Wireless Ip | A thin film bulk acoustic resonator with a mass loaded perimeter |
| US20060087199A1 (en) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Larson John D Iii | Piezoelectric isolating transformer |
| US7098758B2 (en) | 2004-11-03 | 2006-08-29 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustically coupled thin-film resonators having an electrode with a tapered edge |
| DE102004054895B4 (de) | 2004-11-12 | 2007-04-19 | Infineon Technologies Ag | Dünnschicht-BAW-Filter sowie Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-BAW-Filters |
| US8981876B2 (en) | 2004-11-15 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
| US7791434B2 (en) * | 2004-12-22 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric |
| TWI256194B (en) * | 2004-12-30 | 2006-06-01 | Delta Electronics Inc | Filter assembly with unbalanced to balanced conversion |
| US7427819B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-09-23 | Avago Wireless Ip Pte Ltd | Film-bulk acoustic wave resonator with motion plate and method |
| US7138889B2 (en) | 2005-03-22 | 2006-11-21 | Triquint Semiconductor, Inc. | Single-port multi-resonator acoustic resonator device |
| US7369013B2 (en) * | 2005-04-06 | 2008-05-06 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region |
| WO2006134959A1 (ja) | 2005-06-17 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 多重モード薄膜弾性波共振器フィルタ |
| US7562429B2 (en) | 2005-06-20 | 2009-07-21 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Suspended device and method of making |
| DE102005028927B4 (de) | 2005-06-22 | 2007-02-15 | Infineon Technologies Ag | BAW-Vorrichtung |
| US7875483B2 (en) * | 2005-08-10 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of microelectromechanical system |
| US7391286B2 (en) * | 2005-10-06 | 2008-06-24 | Avago Wireless Ip Pte Ltd | Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters |
| US7737807B2 (en) * | 2005-10-18 | 2010-06-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators |
| US20070085632A1 (en) * | 2005-10-18 | 2007-04-19 | Larson John D Iii | Acoustic galvanic isolator |
| US7425787B2 (en) * | 2005-10-18 | 2008-09-16 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating single insulated decoupled stacked bulk acoustic resonator with acoustically-resonant electrical insulator |
| US7525398B2 (en) * | 2005-10-18 | 2009-04-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustically communicating data signals across an electrical isolation barrier |
| US7423503B2 (en) * | 2005-10-18 | 2008-09-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating film acoustically-coupled transformer |
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| US7600371B2 (en) * | 2005-10-18 | 2009-10-13 | The Boeing Company | Thrust reversers including support members for inhibiting deflection |
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