JPH0819097A - 音響絶縁器 - Google Patents
音響絶縁器Info
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- JPH0819097A JPH0819097A JP7176954A JP17695495A JPH0819097A JP H0819097 A JPH0819097 A JP H0819097A JP 7176954 A JP7176954 A JP 7176954A JP 17695495 A JP17695495 A JP 17695495A JP H0819097 A JPH0819097 A JP H0819097A
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- piezoelectric
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/40—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and electrical output, e.g. functioning as transformers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電力転送効率が高く、小型、低コストであ
り、しかも規制パラメータを満足する音響絶縁器を提供
する。 【構成】音響絶縁器は、回路基板12を介して音響的に
結合されると共に電気的に絶縁された第1圧電素子14
と、第2圧電素子16とを含む。これにより、小型で安
価なパッケージにおいて、比較的高い電力転送効率を得
ると共に、電気的絶縁構造を形成することができる。
り、しかも規制パラメータを満足する音響絶縁器を提供
する。 【構成】音響絶縁器は、回路基板12を介して音響的に
結合されると共に電気的に絶縁された第1圧電素子14
と、第2圧電素子16とを含む。これにより、小型で安
価なパッケージにおいて、比較的高い電力転送効率を得
ると共に、電気的絶縁構造を形成することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本願は、本願と同一発明者である
Horst Gempeによって1994年8月4日に米国出願さ
れ、本願と同一譲受人に譲渡された、先願Ser.No. 08/1
02,174 の一部継続出願である。この先願の内容は一語
一句そのまま本願にも含まれており、前記先願が全て完
全に記載されているかのように、同一の効果を有するも
のとする。
Horst Gempeによって1994年8月4日に米国出願さ
れ、本願と同一譲受人に譲渡された、先願Ser.No. 08/1
02,174 の一部継続出願である。この先願の内容は一語
一句そのまま本願にも含まれており、前記先願が全て完
全に記載されているかのように、同一の効果を有するも
のとする。
【0002】本発明は、一般的に、半導体素子に関し、
更に特定すれば絶縁素子(isolatordevices)に関するも
のである。
更に特定すれば絶縁素子(isolatordevices)に関するも
のである。
【0003】
【従来の技術】電子回路においては、時として電子素子
を互いに相互作用させつつ、これらを電気的に絶縁させ
ることが必要な場合がある。従来、これを達成するため
に、光電アレイ光絶縁器(photovoltaic array otical i
solator)またはパルス変換器(pulse transformer)を用
いていた。光電絶縁器29の一例を図1の断面図に示
す。典型的に、入力信号は入力リード30に導入され
る。入力リード30は、ワイヤ・ボンド32を介して、
光電素子34に結合されている。光電素子34は、矢印
36によって表されるように、入力リード30からの電
気エネルギを光エネルギに変換する。光エネルギは光電
素子38によって受信される。光電素子38は、この光
エネルギを電気エネルギに再変換し、ワイヤ・ボンド4
2を介して、出力リード40に電気信号を供給する。結
果として、入力リード30に結合された第1回路は、出
力リード40に結合された第2回路と相互作用しつつ、
これら2つの回路を互いに電気的に絶縁することができ
る。この素子は、図示のように、典型的に、プラスチッ
ク製デュアル・イン・ライン・パッケージ(dual-in-lin
epackage)に封入処理される。
を互いに相互作用させつつ、これらを電気的に絶縁させ
ることが必要な場合がある。従来、これを達成するため
に、光電アレイ光絶縁器(photovoltaic array otical i
solator)またはパルス変換器(pulse transformer)を用
いていた。光電絶縁器29の一例を図1の断面図に示
す。典型的に、入力信号は入力リード30に導入され
る。入力リード30は、ワイヤ・ボンド32を介して、
光電素子34に結合されている。光電素子34は、矢印
36によって表されるように、入力リード30からの電
気エネルギを光エネルギに変換する。光エネルギは光電
素子38によって受信される。光電素子38は、この光
エネルギを電気エネルギに再変換し、ワイヤ・ボンド4
2を介して、出力リード40に電気信号を供給する。結
果として、入力リード30に結合された第1回路は、出
力リード40に結合された第2回路と相互作用しつつ、
これら2つの回路を互いに電気的に絶縁することができ
る。この素子は、図示のように、典型的に、プラスチッ
ク製デュアル・イン・ライン・パッケージ(dual-in-lin
epackage)に封入処理される。
【0004】絶縁器は、用いられる用途によっては、規
制パラメータ(regulatory parameter)を満足しなければ
ならない。例えば、絶縁バリア距離、即ち光電素子3
4,38間の距離44は、少なくとも0.4ミリメート
ルなければならない。内部沿面距離(internal creepag
e)、即ち、点線46で表された、一方の側から他方の側
までの不接合内部縫合(non-bonded internal seam)に沿
った最短距離は、少なくとも4.0ミリメートルなけれ
ばならない。また、外部沿面距離(external creepag
e)、即ち、点線48で表された、絶縁されたリード間の
パッケージの外縁に沿った最短距離は、少なくとも8.
0ミリメートルなければならない。外部隙間(external
clearnace)、即ち、絶縁されたリード間の直線距離は、
少なくとも8ミリメートルなければならない。更に、入
出力絶縁耐圧(input/output isolation withstand volt
ge)は、少なくとも3750ボルトrmsでなければな
らない。直流500ボルトにおける絶縁抵抗は、10E
−12アンペアなければならない。小さく効果的なパッ
ケージにおいてこれら規制パラメータを満足するのは容
易ではない。
制パラメータ(regulatory parameter)を満足しなければ
ならない。例えば、絶縁バリア距離、即ち光電素子3
4,38間の距離44は、少なくとも0.4ミリメート
ルなければならない。内部沿面距離(internal creepag
e)、即ち、点線46で表された、一方の側から他方の側
までの不接合内部縫合(non-bonded internal seam)に沿
った最短距離は、少なくとも4.0ミリメートルなけれ
ばならない。また、外部沿面距離(external creepag
e)、即ち、点線48で表された、絶縁されたリード間の
パッケージの外縁に沿った最短距離は、少なくとも8.
0ミリメートルなければならない。外部隙間(external
clearnace)、即ち、絶縁されたリード間の直線距離は、
少なくとも8ミリメートルなければならない。更に、入
出力絶縁耐圧(input/output isolation withstand volt
ge)は、少なくとも3750ボルトrmsでなければな
らない。直流500ボルトにおける絶縁抵抗は、10E
−12アンペアなければならない。小さく効果的なパッ
ケージにおいてこれら規制パラメータを満足するのは容
易ではない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】図1に例示したような
光電絶縁器には、比較的高価であり、電力転送能力およ
び効率が非常に低いという重大な欠点がある。典型的な
光学絶縁器の転送能力は、約1マイクロワットに過ぎな
い。
光電絶縁器には、比較的高価であり、電力転送能力およ
び効率が非常に低いという重大な欠点がある。典型的な
光学絶縁器の転送能力は、約1マイクロワットに過ぎな
い。
【0006】更に、パルス変換器が個々の素子を電気的
に絶縁するために用いられている。しかしながら、規制
パラメータを満足する小型のパルス変換器は、入手不可
能である。加えて、パルス変換器は非常に高価である。
また、これらパルス変換器は用途によっては大きすぎ
て、電子回路に集積することは容易ではない。
に絶縁するために用いられている。しかしながら、規制
パラメータを満足する小型のパルス変換器は、入手不可
能である。加えて、パルス変換器は非常に高価である。
また、これらパルス変換器は用途によっては大きすぎ
て、電子回路に集積することは容易ではない。
【0007】結果として、電力転送効率が高く、小型
で、低コストであり、しかも規制パラメータを満足する
絶縁器を提供することが望まれている。
で、低コストであり、しかも規制パラメータを満足する
絶縁器を提供することが望まれている。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の一実施例によれ
ば、2つの圧電素子間に音響媒体として回路基板を用い
ることによって、音響絶縁素子が提供される。この回路
基板は、音響媒体であると共に、2つの圧電素子間の電
気的絶縁としても作用する。本発明の好適実施例は、小
さく作成が容易なパッケージで比較的高い電力効率を達
成する、小型で安価な絶縁器を提供する。また、本実施
例は、簡単な設計で規制要件を満足するものである。
ば、2つの圧電素子間に音響媒体として回路基板を用い
ることによって、音響絶縁素子が提供される。この回路
基板は、音響媒体であると共に、2つの圧電素子間の電
気的絶縁としても作用する。本発明の好適実施例は、小
さく作成が容易なパッケージで比較的高い電力効率を達
成する、小型で安価な絶縁器を提供する。また、本実施
例は、簡単な設計で規制要件を満足するものである。
【0009】
【実施例】次に図面を参照して本発明の好適実施例をよ
り詳細に説明する。図2は、音響絶縁素子を表わす側断
面図である。図2は、音響絶縁素子10を示す。本実施
例では、音響絶縁素子10は回路基板12を有する。こ
の回路基板は、酸化チタンのようなセラミック材料、ポ
リイミッドのような可撓性材料、またはアルミナで作る
ことができる。絶縁器10は、第1圧電素子14と第2
圧電素子16とを有する。第1圧電素子14は、回路基
板12の第1側18上に実装されている。また、第2圧
電素子16は、回路基板12の第2側20に実装されて
いる。実装は、Loctite Corporationによって製造され
ているSpeed BonderTM324のような接着剤によって行う
ことができる。これらの圧電素子は、2つの電気接点1
7,19間にいかなる圧電材料15を含んでもよい。電
気接点は、圧電材料上にメッキまたはスパッタリングで
形成することができる。第1圧電素子14および第2圧
電素子16を回路基板12の対向側に実装することによ
って、電気的に絶縁することができると共に、第1およ
び第2圧電素子間に音響結合媒体を設けることができ
る。回路基板の厚さ22によって、圧電素子14,16
間の絶縁バリア距離が決められる。絶縁バリア距離に関
する規制パラメータを満足するためには、回路基板の厚
さ22が少なくとも0.4ミリメートルとなるように作
成すればよい。
り詳細に説明する。図2は、音響絶縁素子を表わす側断
面図である。図2は、音響絶縁素子10を示す。本実施
例では、音響絶縁素子10は回路基板12を有する。こ
の回路基板は、酸化チタンのようなセラミック材料、ポ
リイミッドのような可撓性材料、またはアルミナで作る
ことができる。絶縁器10は、第1圧電素子14と第2
圧電素子16とを有する。第1圧電素子14は、回路基
板12の第1側18上に実装されている。また、第2圧
電素子16は、回路基板12の第2側20に実装されて
いる。実装は、Loctite Corporationによって製造され
ているSpeed BonderTM324のような接着剤によって行う
ことができる。これらの圧電素子は、2つの電気接点1
7,19間にいかなる圧電材料15を含んでもよい。電
気接点は、圧電材料上にメッキまたはスパッタリングで
形成することができる。第1圧電素子14および第2圧
電素子16を回路基板12の対向側に実装することによ
って、電気的に絶縁することができると共に、第1およ
び第2圧電素子間に音響結合媒体を設けることができ
る。回路基板の厚さ22によって、圧電素子14,16
間の絶縁バリア距離が決められる。絶縁バリア距離に関
する規制パラメータを満足するためには、回路基板の厚
さ22が少なくとも0.4ミリメートルとなるように作
成すればよい。
【0010】本実施例は、入力回路24も有する。この
入力回路はワイヤ・ボンド13を介してリード11に電
気的に接続されている。一実施例では、入力回路24
は、圧電素子14,16の共振周波数に等しい周波数の
発信器を含む。用いる周波数は、圧電素子14,16の
厚さモード発振(thickness mode oscillation)に対する
共振周波数であれば最適である。厚さモード発振は、回
路基板12を通じて最も効率的な電力転送を可能にする
ことは理解されよう。
入力回路はワイヤ・ボンド13を介してリード11に電
気的に接続されている。一実施例では、入力回路24
は、圧電素子14,16の共振周波数に等しい周波数の
発信器を含む。用いる周波数は、圧電素子14,16の
厚さモード発振(thickness mode oscillation)に対する
共振周波数であれば最適である。厚さモード発振は、回
路基板12を通じて最も効率的な電力転送を可能にする
ことは理解されよう。
【0011】入力回路24は、ワイヤ・ボンド25およ
びトレース(trace)27を介して、第1圧電素子14に
電気的に接続されている。同様に、第2圧電素子16
は、ワイヤ・ボンド29およびトレース31を介して、
出力回路26に電気的に接続されている。出力回路は、
ワイヤ・ボンド35を介して、リード33に電気的に接
続されている。出力回路26は種々の異なるタイプの素
子を含む可能性があり、これらのために本発明の絶縁素
子によって絶縁構造が形成されることは、当業者には理
解されよう。例えば、出力回路は整流電圧レギュレータ
を含み、絶縁されたDC/DC変換器として用いられる
こともある。また、出力回路はFET駆動回路を含むこ
ともある。更に、出力回路はFETを含み、ソリッド・
ステート・リレーとして用いられることもある。音響絶
縁素子10は、回路基板ならびに第1および第2圧電素
子を封入する封入材28も含む。封入材28は、エポキ
シのような当技術において公知の封入材であればいずれ
でもよい。
びトレース(trace)27を介して、第1圧電素子14に
電気的に接続されている。同様に、第2圧電素子16
は、ワイヤ・ボンド29およびトレース31を介して、
出力回路26に電気的に接続されている。出力回路は、
ワイヤ・ボンド35を介して、リード33に電気的に接
続されている。出力回路26は種々の異なるタイプの素
子を含む可能性があり、これらのために本発明の絶縁素
子によって絶縁構造が形成されることは、当業者には理
解されよう。例えば、出力回路は整流電圧レギュレータ
を含み、絶縁されたDC/DC変換器として用いられる
こともある。また、出力回路はFET駆動回路を含むこ
ともある。更に、出力回路はFETを含み、ソリッド・
ステート・リレーとして用いられることもある。音響絶
縁素子10は、回路基板ならびに第1および第2圧電素
子を封入する封入材28も含む。封入材28は、エポキ
シのような当技術において公知の封入材であればいずれ
でもよい。
【0012】圧電素子はパッケージ内で物理的に発振す
るように自由でなければならないことは、当業者には理
解されよう。即ち、圧電素子を封入材28から離隔した
少量の空間がなければならない。このために、成形に先
だって、圧電素子と封入材との間にダイ皮膜(die coat)
30を設ける。図から認められるように、ダイ皮膜30
は封入材28および圧電素子14,16と比較して非常
に薄いので、図では別個の細部として示されていない。
製造中にダイ皮膜を用いることによって、封入材28と
圧電素子14,16との間にギャップを形成し、そこで
圧電素子が発振可能となる。圧電素子14,16にギャ
ップを設ける方法は、他にもいくつかある。例えば、圧
電素子14,16と封入材28との間に予め形成された
ダイ・キャップ(die cap)を配置することもできる。
るように自由でなければならないことは、当業者には理
解されよう。即ち、圧電素子を封入材28から離隔した
少量の空間がなければならない。このために、成形に先
だって、圧電素子と封入材との間にダイ皮膜(die coat)
30を設ける。図から認められるように、ダイ皮膜30
は封入材28および圧電素子14,16と比較して非常
に薄いので、図では別個の細部として示されていない。
製造中にダイ皮膜を用いることによって、封入材28と
圧電素子14,16との間にギャップを形成し、そこで
圧電素子が発振可能となる。圧電素子14,16にギャ
ップを設ける方法は、他にもいくつかある。例えば、圧
電素子14,16と封入材28との間に予め形成された
ダイ・キャップ(die cap)を配置することもできる。
【0013】次に図3に進む。図3は、音響絶縁素子を
表わす側断面図である。規制パラメータを満足するため
に、点線50で示される外部沿面距離、即ちリード33
と11との間の封入材周囲の最短距離が8ミリメートル
以上となるように、素子10を設計し、封入材28を成
形する。加えて、音響絶縁素子10は、内部沿面路(int
ernal creepage path)、即ち絶縁された両側間の不接合
縫合(non-bonded seam)間の距離が、少なくとも4ミリ
メートルの内部沿面距離を要求する規制パラメータを、
満足するように設計されている。本実施例では、点線5
2で示される、入力回路から出力リードまでの内部沿面
距離、および点線54によって示される出力回路から入
力リードまでの内部沿面距離は、双方とも4ミリメート
ル以上である。音響絶縁素子は、リード11と33との
間の直線距離である外部隙間(external clearance)56
が、8ミリメートルの外部隙間を要求する規制パラメー
タを、満足するように設計されている。加えて、500
ボルトにおいて10E−12アンペアの絶縁抵抗、およ
び3750ボルトの入出力絶縁耐圧のような規制パラメ
ータは、本実施例を用いることによって満足されること
は認められよう。
表わす側断面図である。規制パラメータを満足するため
に、点線50で示される外部沿面距離、即ちリード33
と11との間の封入材周囲の最短距離が8ミリメートル
以上となるように、素子10を設計し、封入材28を成
形する。加えて、音響絶縁素子10は、内部沿面路(int
ernal creepage path)、即ち絶縁された両側間の不接合
縫合(non-bonded seam)間の距離が、少なくとも4ミリ
メートルの内部沿面距離を要求する規制パラメータを、
満足するように設計されている。本実施例では、点線5
2で示される、入力回路から出力リードまでの内部沿面
距離、および点線54によって示される出力回路から入
力リードまでの内部沿面距離は、双方とも4ミリメート
ル以上である。音響絶縁素子は、リード11と33との
間の直線距離である外部隙間(external clearance)56
が、8ミリメートルの外部隙間を要求する規制パラメー
タを、満足するように設計されている。加えて、500
ボルトにおいて10E−12アンペアの絶縁抵抗、およ
び3750ボルトの入出力絶縁耐圧のような規制パラメ
ータは、本実施例を用いることによって満足されること
は認められよう。
【0014】以上の説明から、高い電力転送効率、低コ
スト、小型という利点が得られ、規制要件を満足するよ
うに容易に適合可能な、音響絶縁素子が提供されたこと
が認められよう。例えば、本実施例は、50%の効率で
100ミリワットの電力転送を行いつつ、10,000
ボルトrmsの絶縁電圧を有することができる。
スト、小型という利点が得られ、規制要件を満足するよ
うに容易に適合可能な、音響絶縁素子が提供されたこと
が認められよう。例えば、本実施例は、50%の効率で
100ミリワットの電力転送を行いつつ、10,000
ボルトrmsの絶縁電圧を有することができる。
【0015】本発明の好適実施例について特定して示し
かつ説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱する
ことなく、形状や細部に対する上述のおよびその他の変
更が可能であることは当業者には理解されよう。
かつ説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱する
ことなく、形状や細部に対する上述のおよびその他の変
更が可能であることは当業者には理解されよう。
【図1】従来技術の光学絶縁素子を表わす側断面図。
【図2】音響絶縁素子を表わす側断面図。
【図3】音響絶縁素子を表わす側断面図。
10 音響絶縁素子 11,33 リード 12 回路基板 14 第1圧電素子 15 圧電材料 16 第2圧電素子 17,19 電気接点 18 第1側 20 第2側 24 入力回路 26 出力回路 28 封入材 30 ダイ皮膜
Claims (4)
- 【請求項1】音響絶縁素子(10)であって:第1側
(18)と第2側(20)とを有する音響媒体回路基板
(12);前記音響媒体回路基板(12)の第1側(1
8)に取り付けられた入力回路(24);前記音響媒体
回路基板(12)の第2側(20)に取り付けられた出
力回路(26);前記音響媒体回路基板(12)の第1
側(18)に取り付けられると共に、前記入力回路(2
4)に電気的に接続された第1圧電素子(14);およ
び前記音響媒体回路基板(12)の第2側(20)に取
り付けられると共に、前記出力回路(26)に電気的に
接続された第2圧電素子(16);から成り、 前記第1および第2圧電素子(14,16)は、前記音
響媒体回路基板(12)を介して音響的に結合されるこ
とを特徴とする音響絶縁素子。 - 【請求項2】音響絶縁パッケージ(10)であって:第
1側(18)と第2側(20)とを有する音響媒体回路
基板(12);前記音響媒体回路基板(12)の第1側
(18)に取り付けられた第1圧電素子(14);前記
音響媒体回路基板(12)の第2側(20)に取り付け
られると共に、前記音響媒体回路基板(12)を介して
前記第1圧電素子(14)に音響的に結合された第2圧
電素子(16);および前記音響媒体回路基板(12)
ならびに前記第1および第2圧電素子(14,16)を
封入する封入材(28);から成ることを特徴とする音
響絶縁パッケージ。 - 【請求項3】音響絶縁素子(10)であって:第1側
(18)および第2側(20)を有する回路基板(1
2);前記回路基板(12)の第1側(18)に取り付
けられた第1圧電素子(14);前記回路基板(12)
の第2側(20)に取り付けられた第2圧電素子(1
6);前記第1および第2圧電素子(14,16)の共
振発振周波数に等しい周波数の発信器を含む入力回路
(24)であって、前記回路基板(12)の第1側(1
8)に取り付けられると共に、前記第1圧電素子(1
4)に電気的に接続された前記入力回路(24);前記
回路基板(12)の第2側(20)に取り付けられると
共に、前記第2圧電素子(16)に電気的に接続された
出力回路(26);および前記回路基板(12)ならび
に前記第1および第2圧電素子(14,16)を封入す
る封入材(28);から成ることを特徴とする音響絶縁
素子。 - 【請求項4】音響絶縁素子(10)であって:第1端部
(18)と第2端部(20)とを有する音響媒体(1
2);前記音響媒体回路基板(12)の第1端部(1
8)に取り付けられた第1圧電素子(14);前記音響
媒体(12)の第2端部(20)に取り付けられると共
に、前記音響媒体(12)を介して前記第1圧電素子
(14)に音響的に結合され、更に前記第1圧電素子
(14)から電気的に絶縁された第2圧電素子(1
6);から成り、少なくとも3750ボルトrmsの電
圧に耐え得る入出力絶縁性を有することを特徴とする音
響絶縁素子。
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-
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