JP5085595B2 - コアシェル型磁性材料、コアシェル型磁性材料の製造方法、デバイス装置、およびアンテナ装置。 - Google Patents
コアシェル型磁性材料、コアシェル型磁性材料の製造方法、デバイス装置、およびアンテナ装置。 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5085595B2 JP5085595B2 JP2009063833A JP2009063833A JP5085595B2 JP 5085595 B2 JP5085595 B2 JP 5085595B2 JP 2009063833 A JP2009063833 A JP 2009063833A JP 2009063833 A JP2009063833 A JP 2009063833A JP 5085595 B2 JP5085595 B2 JP 5085595B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- magnetic
- magnetic metal
- core
- shell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 title claims description 279
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 title claims description 186
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 640
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 517
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 393
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 289
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 289
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 181
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 claims description 115
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 110
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 101
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 claims description 95
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 55
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 51
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 44
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 36
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 31
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 15
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 13
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 claims description 10
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 8
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 74
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 74
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 68
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 67
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 54
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 50
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 34
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 30
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 29
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 29
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 27
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 27
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 25
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 25
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 20
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 20
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 19
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 18
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 18
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 17
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 16
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 15
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 12
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 12
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 9
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 8
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 8
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 7
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 7
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 7
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 6
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 6
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 6
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 6
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 5
- 229910020647 Co-O Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910020704 Co—O Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- -1 for example Substances 0.000 description 4
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 4
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 3
- 230000005404 monopole Effects 0.000 description 3
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 2
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)iron;iron Chemical compound [Fe].O[Fe]=O.O[Fe]=O UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 2
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020639 Co-Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002520 CoCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002521 CoMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002441 CoNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020675 Co—Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020711 Co—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002555 FeNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 230000005350 ferromagnetic resonance Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000005551 mechanical alloying Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/33—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials mixtures of metallic and non-metallic particles; metallic particles having oxide skin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
- H01Q9/04—Resonant antennas
- H01Q9/16—Resonant antennas with feed intermediate between the extremities of the antenna, e.g. centre-fed dipole
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
- H01Q9/04—Resonant antennas
- H01Q9/30—Resonant antennas with feed to end of elongated active element, e.g. unipole
- H01Q9/42—Resonant antennas with feed to end of elongated active element, e.g. unipole with folded element, the folded parts being spaced apart a small fraction of the operating wavelength
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
Description
本実施の形態のコアシェル型磁性材料は、コアシェル型磁性粒子と、酸化物粒子、窒化物粒子または炭化物粒子とを含む。コアシェル型磁性粒子は、磁性金属粒子とこの磁性金属粒子の少なくとも一部の表面を被覆する被覆層(シェル)を含む。そして、磁性金属粒子が、Fe,Co,Niからなる群から選ばれる少なくとも1つの磁性金属を含む。また、被覆層が磁性金属粒子に含まれる磁性金属を少なくとも1つ含む酸化物、窒化物または炭化物からなる。そして、酸化物粒子、窒化物粒子または炭化物粒子は、磁性金属粒子間の少なくとも一部に存在し、Mg,Al,Si,Ca,Zr,Ti,Hf,Zn,Mn,希土類元素、BaおよびSrから選ばれる少なくとも1つの非磁性金属を含む。
本実施の形態のコアシェル型磁性材料の製造方法は、磁性金属と非磁性金属からなる磁性金属粒子を製造する工程と、磁性金属粒子を酸化、窒化または炭化する工程を備え、先の磁性金属が、Fe,Co,Niからなる群から選ばれる少なくとも1つの磁性金属であり、非磁性金属が、Mg,Al,Si,Ca,Zr,Ti,Hf,Zn,Mn,希土類元素、BaおよびSrから選ばれる少なくとも1つの非磁性金属であることを特徴とする。
尚、この酸化する工程においては、酸化条件を制御することによって、磁性金属粒子に含有する非磁性金属や、炭素、窒素などの元素の固溶状態を制御することが出来る。すなわち長時間かけてゆっくり酸化させればさせる程、非磁性金属や、炭素、窒素などの元素が磁性金属から吐き出されこれらの元素の固溶を抑制することができるし、逆に短時間でやや素早く酸化させると、非磁性金属や、炭素、窒素などの元素の固溶を保持することが出来る。
本実施の形態のコアシェル型磁性材料の製造方法は、磁性金属粒子を製造する工程において、磁性金属と非磁性金属とが固溶した平均粒径1以上10μm以下の磁性金属粉末と、平均粒径1以上10μm以下の非磁性金属粉末とを熱プラズマ中で同時噴霧し、磁性金属粒子と非磁性金属粒子を製造すること、および、磁性金属粉末中および非磁性金属粉末中の非磁性金属が、Mg,Al,Si,Ca,Zr,Ti,Hf,Zn,Mn,希土類元素、BaおよびSrから選ばれる少なくとも1つの非磁性金属であること以外は第2の実施の形態の製造方法と同様である。したがって、第2の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態のコアシェル型磁性材料の製造方法は、磁性金属粒子を製造する工程において、磁性金属粒子を合成し、一方で、非磁性金属粒子を合成し、その後、合成した磁性金属粒子と非磁性金属粒子を混合すること、以外は第2の実施の形態の製造方法と同様である。したがって、第2の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態のデバイス装置は、第1の実施の形態のコアシェル型磁性材料を有する高周波用デバイス装置である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。このデバイス装置は、例えば、インダクタ、チョークコイル、フィルター、トランス等の高周波磁性部品や電波吸収体である。
本実施の形態のアンテナ装置は、第1の実施の形態のコアシェル型磁性材料を有するアンテナ装置である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。本実施の形態のアンテナ装置は、給電端子と、一端に給電端子が接続されるアンテナエレメントと、このアンテナエレメントから放射される電磁波の伝送損失を抑制するためのコアシェル型磁性材料を備えている。
本実施の形態のアンテナ装置は、アンテナ装置が有限地板と、有限地板上方に設けられ、一辺が前記有限地板に接続され、この一辺と略平行な屈曲部を備える矩形導体板と、有限地板上方に有限地板と略平行に配置され、先の一辺に略垂直方向に延伸し、給電点が矩形導体板の先の一辺に対向する他辺の近傍に位置するアンテナと、有限地板とアンテナとの間の少なくとも一部の空間に設けられる磁性体とを有する。そして、この磁性体が第1の実施の形態に記載したコアシェル型磁性材料である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態のアンテナ装置は、配線基板と、配線基板に設けられた給電端子に接続される螺旋状のアンテナエレメントと、螺旋状のアンテナエレメントの内側に設けられる磁性体備える形態機器である。そして、この磁性体が、第1の実施の形態のコアシェル型磁性材料となっている。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
高周波誘導熱プラズマ装置のチャンバー内にプラズマ発生用ガスとしてアルゴンを40L/分で導入し、プラズマを発生させる。このチャンバー内のプラズマに原料である平均粒径10μmでFe:Co:Alが原子比で70:30:5であるFeCoAl固溶粉末(Al量はFeCoが100に対して5at%)と平均粒径3μmのAl粉末を固溶粉末中のFeCo100に対して5at%になるようにアルゴン(キャリアガス)と共に3L/分で噴射する(即ち、FeCoに対する全Al量は10at%で、その内5at%はFeCoAl固溶粉末として、残りの5at%はAl粉末として投入する)。これにより、磁性金属粒子と非磁性金属粒子を製造する。
高周波誘導熱プラズマ装置のチャンバー内にプラズマ発生用ガスとしてアルゴンを40L/分で導入し、プラズマを発生させる。このチャンバー内のプラズマに原料である平均粒径10μmのFe粉末と平均粒径10μmのCo粒子と、平均粒径3μmのAl粉末をFe:Co:Alが原子比で70:30:10になるようにアルゴン(キャリアガス)と共に3L/分で噴射する。同時に、チャンバー内に炭素被覆の原料としてアセチレンガスをキャリアガスと共に導入し、FeCoAl合金粒子を炭素で被覆された磁性金属粒子を得る。
高周波誘導熱プラズマ装置のチャンバー内にプラズマ発生用ガスとしてアルゴンを40L/分で導入し、プラズマを発生させる。このチャンバー内のプラズマに原料である平均粒径10μmでFe:Co:Siが原子比で70:30:2.5であるFeCoSi固溶粉末(Si量はFeCoが100に対して2.5at%)と平均粒径5μmのSi粉末を固溶粉末中のFeCo100に対して2.5at%になるようにアルゴン(キャリアガス)と共に3L/分で噴射する(即ち、FeCoに対する全Si量は5at%で、その内2.5at%はFeCoSi固溶粉末として、残りの2.5at%はSi粉末として投入する)。これにより、磁性金属粒子と非磁性金属粒子を製造する。
高周波誘導熱プラズマ装置のチャンバー内にプラズマ発生用ガスとしてアルゴンを40L/分で導入し、プラズマを発生させる。このチャンバー内のプラズマに原料である平均粒径10μmのFe粉末と平均粒径10μmのCo粒子と、平均粒径5μmのSi粉末をFe:Co:Siが原子比で70:30:5になるようにアルゴン(キャリアガス)と共に3L/分で噴射する。同時に、チャンバー内に炭素被覆の原料としてアセチレンガスをキャリアガスと共に導入し、FeCoSi合金粒子を炭素で被覆された磁性金属粒子を得る。
実施例1で作製したコアシェル型磁性材料とポリビニルブチラール樹脂(樹脂Aに相当)を100:10の割合で混合し、厚膜化する。その後この厚膜シートに、更に、エポキシ樹脂(樹脂Bに相当)を真空中(−0.08Mpa以下)で含浸し、乾燥・硬化させ、評価用試料とする。
高周波誘導熱プラズマ装置のチャンバー内にプラズマ発生用ガスとしてアルゴンを40L/分で導入し、プラズマを発生させる。このチャンバー内のプラズマに原料である平均粒径10μmのFe粉末と平均粒径10μmのCo粒子とをFe:Coが原子比で70:30になるようにアルゴン(キャリアガス)と共に3L/分で噴射して、FeCo粒子を得る。このFeCo粒子を酸素含有雰囲気中にて酸化させて酸化物被覆層を有するFeCo粒子を得る。また、同様の手法で、平均粒径3μmのAl粉末をアルゴン(キャリアガス)と共に3L/分で噴射して、Al粒子を得る。このAl粒子を酸素含有雰囲気中にて酸化させてAl酸化物粒子を得る。得られた2つの粒子、即ち、酸化物被覆層を有するFeCo粒子とAl酸化物粒子を、FeCo100に対してAlが10at%になるように混合し、コアシェル型磁性材料を製造する。
実施例6のAl粒子を得る工程の変わりに、Si粒子を得る工程を使う以外は同じである。即ち、Si粒子を得る工程においては、まず、平均粒径5μmのSi粉末をアルゴン(キャリアガス)と共に3L/分で噴射して、Si粒子を得る。このSi粒子を酸素含有雰囲気中にて酸化させてSi酸化物粒子を得る。得られた2つの粒子、即ち、酸化物被覆層を有するFeCo粒子とSi酸化物粒子をFeCo100に対してSiが5at%になるように混合し、コアシェル型磁性材料を製造する。
実施例6のAl粒子を得る工程の変わりに、FeCoが若干固溶したAl粒子を得る工程を使う以外は同じである。即ち、FeCoが若干固溶したAl粒子を得る工程においては、平均粒径3μmのAl粉末と平均粒径10μmのFe粉末と平均粒径10μmのCo粒子とをAl:Fe:Coが原子比で100:7:3になるようにアルゴン(キャリアガス)と共に3L/分で噴射して、FeCoが若干固溶したAl粒子を得る。このFeCoが若干固溶したAl粒子を酸素含有雰囲気中にて酸化させて、FeCoが若干固溶したAl酸化物粒子を得る。これら2つの粒子、即ち、酸化物被覆層を有するFeCo粒子と、FeCoが若干固溶したAl酸化物粒子をトータルのFeCo量100に対してAlが10at%になるように混合し、コアシェル型磁性材料を製造する。
実施例6のFeCo粒子を得る工程の変わりに、FeCoAl固溶合金粒子を得る工程を使う以外は同じである。即ち、FeCoAl固溶合金粒子を得る工程においては、チャンバー内のプラズマに原料である平均粒径10μmでFe:Co:Alが原子比で70:30:5であるFeCoAl固溶粉末(Al量はFeCoが100に対して5at%)をアルゴン(キャリアガス)と共に3L/分で噴射して、FeCoAl固溶合金粒子を得る。このFeCoAl固溶合金粒子を酸素含有雰囲気中にて1ヶ月程度の時間をかけてゆっくりと酸化させて、酸化物被覆層を有するFeCo粒子を得る。また、同様の手法で、平均粒径3μmのAl粉末を、アルゴン(キャリアガス)と共に3L/分で噴射して、Al粒子を得る。このAl粒子を酸素含有雰囲気中にて酸化させて、Al酸化物粒子を得る。これら2つの粒子、即ち、酸化物被覆層を有するFeCo粒子と、Al酸化物粒子をトータルのFeCo量100に対してAlが10at%になるように混合し、コアシェル型磁性材料を製造する。
実施例9のAl粒子を得る工程の変わりに、FeCoが若干固溶したAl粒子を得る工程を使う以外は同じである。即ち、FeCoが若干固溶したAl粒子を得る工程においては、平均粒径3μmのAl粉末と平均粒径10μmのFe粉末と平均粒径10μmのCo粒子とをAl:Fe:Coが原子比で100:7:3になるようにアルゴン(キャリアガス)と共に3L/分で噴射して、FeCoが若干固溶したAl粒子を得る。このFeCoが若干固溶したAl粒子を酸素含有雰囲気中にて酸化させて、FeCoが若干固溶したAl酸化物粒子を得る。これら2つの粒子、即ち、酸化物被覆層を有するFeCo粒子、FeCoが若干固溶したAl酸化物粒子をトータルのFeCo量100に対してAlが10at%になるように混合し、コアシェル型磁性材料を製造する。
実施例10のFeCoAl固溶合金粒子を酸化する際に、酸素含有雰囲気中にて取り出して1ヶ月程度の時間をかけてゆっくりと酸化する工程の変わりに、酸素含有雰囲気中にて取り出して1週間程度の時間をかけて酸化する工程を使う以外は同じである。得られた2つの粒子、即ち、酸化物被覆層を有するFeCoAl固溶粒子、FeCoが若干固溶したAl酸化物粒子を、トータルのFeCo量100に対してAlが10at%になるように混合し、コアシェル型磁性材料を製造する。
実施例11のFeCoAl固溶合金粒子、FeCoが若干固溶したAl粒子を得る工程の変わりに、FeCoSi固溶合金粒子、FeCoが若干固溶したSi粒子を得る工程を使う以外は同じである。即ち、まず、チャンバー内のプラズマに原料である平均粒径10μmでFe:Co:Siが原子比で70:30:2.5であるFeCoSi固溶粉末(Si量はFeCoが100に対して2.5at%)をアルゴン(キャリアガス)と共に3L/分で噴射して、FeCoSi固溶合金粒子を得る。このFeCoSi固溶合金粒子を酸素含有雰囲気中にて取り出して1週間程度の時間をかけて酸化させて、酸化物被覆層を有するFeCoSi粒子を得る。また、同様の手法で、平均粒径5μmのSi粉末と平均粒径10μmのFe粉末と平均粒径10μmのCo粒子とをSi:Fe:Coが原子比で100:7:3になるようにアルゴン(キャリアガス)と共に3L/分で噴射して、FeCoが若干固溶したSi粒子を得る。このFeCoが若干固溶したSi粒子を酸素含有雰囲気中にて酸化させて、FeCoが若干固溶したSi酸化物粒子を得る。これら2つの粒子、即ち、酸化物被覆層を有するFeCoSi粒子と、FeCoが若干固溶したSi酸化物粒子を、トータルのFeCo量100に対してSiが5at%になるように混合しコアシェル型磁性材料を製造する。
実施例1のFeCoAl固溶粉末の組成Fe:Co:Alが原子比で70:30:10で、Al粉末の量が固溶粉末中のFeCo100に対して10at%になるようにアルゴン(キャリアガス)と共に3L/分で噴射する(即ち、FeCoに対する全Al量は20at%で、その内10at%はFeCoAl固溶粉末として、残りの10at%はAl粉末として投入する)以外は同じである。これにより、磁性金属粒子と非磁性金属粒子を製造する。また噴射と同時に、チャンバー内に炭素被覆の原料としてアセチレンガスをキャリアガスと共に導入し、磁性金属粒子が炭素で被覆された粒子を得る。この炭素被覆磁性金属粒子を500mL/分、濃度99%の水素フロー下、600℃にて還元処理し、室温まで冷却した後、酸素含有雰囲気中にて取り出して酸化することにより、コアシェル型磁性材料を製造する。このとき、非磁性金属粒子も酸化され酸化物粒子が形成される。
高周波誘導熱プラズマ装置のチャンバー内にプラズマ発生用ガスとしてアルゴンを40L/分で導入し、プラズマを発生させる。このチャンバー内のプラズマに原料である平均粒径10μmでFe:Co:Alが原子比で70:30:10であるFeCoAl粉末をアルゴン(キャリアガス)と共に3L/分で噴射する。同時に、チャンバー内に炭素被覆の原料としてアセチレンガスをキャリアガスと共に導入し、FeCoAl合金粒子を炭素で被覆されたナノ粒子を得る。この炭素被覆FeCoAlナノ粒子を500mL/分、濃度99%の水素フロー下、600℃にて還元処理し、室温まで冷却した後、酸素含有雰囲気中にて取り出して酸化することにより、コアシェル型磁性粒子を有するコアシェル型磁性材料を製造する。
凌和電子(株)製PMM−9G1のシステムを用いて1GHz下において空気をバックグラウンドとした時と試料を配置した時との誘起電圧値およびインピーダンス値をそれぞれ測定し、これらの誘起電圧値とインピーダンス値とから透磁率実部μ′を導出する。なお、試料は4×4×0.5mmの寸法に加工したものを用いる。
評価用試料を温度60℃、湿度90%の高温恒湿槽内に100時間放置した後、再度、透磁率実部μ′を測定し、経時変化(100H放置後の透磁率実部μ′/放置前の透磁率実部μ′)を求める。
評価用試料の電磁波照射面とその反対の面に厚さ1mmで同面積の金属薄板を接着し、2GHzの電磁波下にて試料ネットワークアナライザーのS11モードを用いて、自由空間において反射電力法で測定する。反射電力法は、試料を接着していない金属薄板(完全反射体)の反射レベルと比較して試料からの反射レベルが何dB減少したかを測定する方法である。この測定に基づいて電磁波の吸収量を反射減衰量で定義し、比較例1の吸収量を1とした時の相対値で求める。
4 給電端子
6 アンテナエレメント
8 配線基板
10 有限地板
12 矩形導体板、櫛型線状導体
14 アンテナ
16 磁性体
16a 第1の磁性体層
16b 第2の磁性体層
18 屈曲部
20 同軸線路
22 給電点
24 コアシェル型磁性材料
26 配線基板
28 アンテナの給電端子
30 アンテナエレメント
32 アンテナ可動部
34 可動方向
36 アンテナカバー
36a 箱部
36b 蓋部
36c 空洞
Claims (21)
- 磁性金属粒子と前記磁性金属粒子の少なくとも一部の表面を被覆する被覆層を含み、前記磁性金属粒子が、Fe,Co,Niからなる群から選ばれる少なくとも1つの磁性金属を含み、前記被覆層が前記磁性金属粒子の構成成分である前記磁性金属の少なくとも1つと、Mg,Al,Si,Ca,Zr,Ti,Hf,Zn,Mn,希土類元素、BaおよびSrから選ばれる少なくとも1つの非磁性金属を含む酸化物、窒化物または炭化物からなる、コアシェル型磁性粒子;および
前記磁性金属粒子間の少なくとも一部に存在し、前記磁性金属粒子および前記被覆層の構成成分である前記磁性金属の少なくとも1つと、Mg,Al,Si,Ca,Zr,Ti,Hf,Zn,Mn,希土類元素、BaおよびSrから選ばれる少なくとも1つの非磁性金属を含む酸化物粒子、窒化物粒子または炭化物粒子;
を含み、
前記酸化物粒子、窒化物粒子または炭化物粒子中の非磁性金属/磁性金属(原子比)が、前記被覆層中の非磁性金属/磁性金属(原子比)よりも大きいことを特徴とするコアシェル型磁性材料。 - 前記磁性金属粒子が、Mg,Al,Si,Ca,Zr,Ti,Hf,Zn,Mn,希土類元素、BaおよびSrから選ばれる少なくとも1つの非磁性金属を含み、
前記被覆層が前記磁性金属粒子の構成成分である前記非磁性金属を少なくとも1つ含む酸化物、窒化物または炭化物からなることを特徴とする請求項1記載のコアシェル型磁性材料。 - 前記磁性金属粒子が、炭素および窒素から選ばれる少なくとも1つの元素を含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のコアシェル型磁性材料。
- 前記酸化物粒子、窒化物粒子または炭化物粒子が、前記磁性金属粒子と、前記酸化物粒子、窒化物粒子または炭化物粒子との合計体積に対して0.01vol%以上30vol%以下含まれることを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一項に記載のコアシェル型磁性材料
- 前記酸化物粒子、窒化物粒子または炭化物粒子に含まれる非磁性金属と前記被覆層に含まれる非磁性金属との合計を酸化物換算した体積が、前記磁性金属粒子と、前記酸化物粒子、窒化物粒子または炭化物粒子と前記被覆層との合計体積に対して0.01vol%以上30vol%以下含まれることを特徴とする請求項1ないし請求項4いずれか一項に記載のコアシェル型磁性材料
- 前記磁性金属粒子が、1nm以上1000nm以下の平均粒径を有し、
前記被覆層が、0.1nm以上100nm以下の厚さを有し、
前記酸化物粒子、窒化物粒子または炭化物粒子が1nm以上100nm以下の平均粒径を有することを特徴とする請求項1ないし請求項5いずれか一項に記載のコアシェル型磁性材料。 - 前記磁性金属粒子が、10nm以上30nm以下の平均粒径を有し、
前記被覆層が、0.1nm以上5nm以下の厚さを有することを特徴とする請求項1ないし請求項6いずれか一項に記載のコアシェル型磁性材料。 - 前記酸化物粒子、窒化物粒子または炭化物粒子が、1nm以上30nm以下の
平均粒径を有し、
前記酸化物粒子、窒化物粒子または炭化物粒子の平均粒径が、前記磁性金属粒子の平均粒径よりも小さいことを特徴とする請求項1ないし請求項7いずれか一項に記載のコアシェル型磁性材料。 - 前記コアシェル型磁性材料の保磁力が、15920A/m(200Oe)以上47750A/m(600Oe)以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項8いずれか一項に記載のコアシェル型磁性材料。
- 前記磁性金属粒子中に非磁性金属が磁性金属に対して0.001原子%以上20原子%以下含まれ、
前記磁性金属粒子中に炭素および窒素から選ばれる少なくとも1つの元素が磁性金属に対して0.001原子%以上20原子%以下含まれ、
前記磁性金属粒子中の磁性金属、前記磁性金属粒子中の非磁性金属、または前記元素のうちの少なくとも2つは互いに固溶していることを特徴とする請求項1ないし請求項9いずれか一項に記載のコアシェル型磁性材料。 - 前記磁性金属粒子がFeCoと、AlおよびSiから選ばれる少なくとも1つの元素と、炭素を含み、
CoがFeCo中に10原子%以上50原子%以下含まれ、
AlおよびSiから選ばれる少なくとも1つの元素がFeCoに対して0.001原子%以上5原子%以下含まれ、
炭素がFeCoに対して0.001原子%以上5原子%以下含まれることを特徴とする請求項1ないし請求項10いずれか一項に記載のコアシェル型磁性材料。 - 前記磁性金属粒子は、10以上のアスペクト比を有することを特徴とする請求項1ないし請求項11いずれか一項に記載のコアシェル型磁性材料。
- 前記被覆層が前記磁性金属粒子の構成成分の1つである非磁性金属を少なくとも1つ含む酸化物からなり、
前記磁性金属粒子間の少なくとも一部に存在する粒子が酸化物粒子であることを特徴とする請求項1ないし請求項12いずれか一項に記載のコアシェル型磁性材料。 - 磁性金属と非磁性金属からなる磁性金属粒子を製造する工程と、
前記磁性金属粒子を酸化、窒化または炭化する工程を備え、
前記磁性金属が、Fe,Co,Niからなる群から選ばれる少なくとも1つの磁性金属であり、前記非磁性金属が、Mg,Al,Si,Ca,Zr,Ti,Hf,Zn,Mn,希土類元素、BaおよびSrから選ばれる少なくとも1つの非磁性金属であるコアシェル型磁性材料の製造方法であって、
前記磁性金属粒子を製造する工程と、前記磁性金属粒子を酸化、窒化または炭化する工程との間に、
前記磁性金属粒子表面を炭素で被覆する工程と、炭素で被覆した前記磁性金属粒子を、還元雰囲気下において熱処理して炭素を炭化水素化する工程と、を有することを特徴とするコアシェル型磁性材料の製造方法。 - 前記磁性金属粒子を製造する工程が、熱プラズマ法により行われることを特徴とする請求項14記載のコアシェル型磁性材料の製造方法。
- 前記炭素で被覆する工程は、炭素を含む原料と前記磁性金属粒子となる原料との同時噴霧により行われることを特徴とする請求項14または請求項15記載のコアシェル型磁性材料の製造方法。
- 前記炭素で被覆する工程は、炭化水素ガスを原料とする反応により進められることを特徴とする請求項14ないし請求項16いずれか一項に記載のコアシェル型磁性材料の製造方法。
- 磁性金属と非磁性金属からなる磁性金属粒子を製造する工程と、
前記磁性金属粒子を酸化、窒化または炭化する工程を備え、
前記磁性金属が、Fe,Co,Niからなる群から選ばれる少なくとも1つの磁性金属であり、前記非磁性金属が、Mg,Al,Si,Ca,Zr,Ti,Hf,Zn,Mn,希土類元素、BaおよびSrから選ばれる少なくとも1つの非磁性金属であるコアシェル型磁性材料の製造方法であって、
前記磁性金属粒子を製造する工程において、磁性金属と非磁性金属とが固溶した平均粒径1以上10μm以下の磁性金属粉末と、平均粒径1以上10μm以下の非磁性金属粉末とを熱プラズマ中で同時噴霧し、磁性金属粒子と非磁性金属粒子を製造し、
前記磁性金属粉末中および前記非磁性金属粉末中の非磁性金属が、Mg,Al,Si,Ca,Zr,Ti,Hf,Zn,Mn,希土類元素、BaおよびSrから選ばれる少なくとも1つの非磁性金属であることを特徴とするコアシェル型磁性材料の製造方法。 - 請求項1ないし請求項13いずれか一項に記載のコアシェル型磁性材料を有することを特徴とするデバイス装置。
- 請求項1ないし請求項13いずれか一項に記載のコアシェル型磁性材料を有することを特徴とするアンテナ装置。
- 有限地板と、
前記有限地板上方に設けられ、一辺が前記有限地板に接続され、前記一辺と略平行な屈曲部を備える矩形導体板と、
前記有限地板上方に前記有限地板と略平行に配置され、前記一辺に略垂直方向に延伸し、給電点が前記矩形導体板の前記一辺に対向する他辺の近傍に位置するアンテナと、
前記有限地板と前記アンテナとの間の少なくとも一部の空間に設けられる磁性体と、
を有し、
前記磁性体が請求項1ないし請求項13いずれか一項に記載のコアシェル型磁性材料であることを特徴とするアンテナ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009063833A JP5085595B2 (ja) | 2008-09-08 | 2009-03-17 | コアシェル型磁性材料、コアシェル型磁性材料の製造方法、デバイス装置、およびアンテナ装置。 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008229296 | 2008-09-08 | ||
JP2008229296 | 2008-09-08 | ||
JP2009063833A JP5085595B2 (ja) | 2008-09-08 | 2009-03-17 | コアシェル型磁性材料、コアシェル型磁性材料の製造方法、デバイス装置、およびアンテナ装置。 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012190458A Division JP5481538B2 (ja) | 2008-09-08 | 2012-08-30 | 電波吸収体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010087462A JP2010087462A (ja) | 2010-04-15 |
JP5085595B2 true JP5085595B2 (ja) | 2012-11-28 |
Family
ID=41798812
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009063833A Active JP5085595B2 (ja) | 2008-09-08 | 2009-03-17 | コアシェル型磁性材料、コアシェル型磁性材料の製造方法、デバイス装置、およびアンテナ装置。 |
JP2012190458A Active JP5481538B2 (ja) | 2008-09-08 | 2012-08-30 | 電波吸収体 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012190458A Active JP5481538B2 (ja) | 2008-09-08 | 2012-08-30 | 電波吸収体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8305281B2 (ja) |
JP (2) | JP5085595B2 (ja) |
Families Citing this family (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104962214A (zh) * | 2008-04-30 | 2015-10-07 | 日立化成工业株式会社 | 连接材料和半导体装置 |
WO2010109561A1 (ja) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | 株式会社 東芝 | コアシェル型磁性材料、コアシェル型磁性材料の製造方法、デバイス装置、およびアンテナ装置 |
JP5175884B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2013-04-03 | 株式会社東芝 | ナノ粒子複合材料、それを用いたアンテナ装置及び電磁波吸収体 |
JP5389080B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2014-01-15 | 株式会社東芝 | 金属含有粒子集合体 |
JP2012101958A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ナノサイズ粒子、ナノサイズ粒子を含むリチウムイオン二次電池用負極材料、リチウムイオン二次電池用負極、リチウムイオン二次電池、ナノサイズ粒子の製造方法 |
JP5656570B2 (ja) * | 2010-11-08 | 2015-01-21 | 古河電気工業株式会社 | リチウムイオン二次電池用負極材料、リチウムイオン二次電池用負極、リチウムイオン二次電池、リチウムイオン二次電池用負極材料の製造方法 |
JP2012102354A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ナノサイズ粒子、ナノサイズ粒子を含むリチウムイオン二次電池用負極材料、リチウムイオン二次電池用負極、リチウムイオン二次電池、ナノサイズ粒子の製造方法 |
US8597420B2 (en) * | 2011-03-17 | 2013-12-03 | Xerox Corporation | Solvent-based inks comprising coated magnetic nanoparticles |
US8801954B2 (en) * | 2011-03-17 | 2014-08-12 | Xerox Corporation | Curable inks comprising coated magnetic nanoparticles |
US8646896B2 (en) * | 2011-03-17 | 2014-02-11 | Xerox Corporation | Phase change magnetic ink comprising surfactant coated magnetic nanoparticles and process for preparing same |
US20120236065A1 (en) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Xerox Corporation | Magnetic Curable Inks |
US20120236089A1 (en) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Xerox Corporation | Phase Change Magnetic Ink Comprising Coated Magnetic Nanoparticles And Process For Preparing Same |
US8409341B2 (en) * | 2011-03-17 | 2013-04-02 | Xerox Corporation | Solvent-based inks comprising coated magnetic nanoparticles |
US20120236064A1 (en) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Xerox Corporation | Solvent Based Magnetic Ink Comprising Carbon Coated Magnetic Nanoparticles And Process For Preparing Same |
US8657431B2 (en) * | 2011-03-17 | 2014-02-25 | Xerox Corporation | Phase change magnetic ink comprising carbon coated magnetic nanoparticles and process for preparing same |
US20120236090A1 (en) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Xerox Corporation | Phase Change Magnetic Ink Comprising Inorganic Oxide Coated Magnetic Nanoparticles And Process For Preparing Same |
US8702217B2 (en) * | 2011-03-17 | 2014-04-22 | Xerox Corporation | Phase change magnetic ink comprising polymer coated magnetic nanoparticles and process for preparing same |
KR101503104B1 (ko) * | 2011-08-01 | 2015-03-16 | 삼성전기주식회사 | 금속 자성 분말, 상기 금속 자성 분말을 포함하는 자성층 재료, 및 자성층 재료를 이용한 자성층을 포함하는 적층형 칩 부품 |
US8840800B2 (en) | 2011-08-31 | 2014-09-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic material, method for producing magnetic material, and inductor element |
JP5710427B2 (ja) | 2011-08-31 | 2015-04-30 | 株式会社東芝 | 磁性材料、磁性材料の製造方法および磁性材料を用いたインダクタ素子 |
US20150104664A1 (en) * | 2012-01-20 | 2015-04-16 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Magnetic component, and soft magnetic metal powder used therein and manufacturing method thereof |
WO2014141318A1 (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 磁性部品とそれに用いられる軟磁性金属粉末およびその製造方法 |
US8847840B1 (en) | 2012-02-28 | 2014-09-30 | General Atomics | Pseudo-conductor antennas |
US8847846B1 (en) * | 2012-02-29 | 2014-09-30 | General Atomics | Magnetic pseudo-conductor spiral antennas |
JP6242568B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2017-12-06 | Tdk株式会社 | 高周波用圧粉体、及びそれを用いた電子部品 |
JP5784537B2 (ja) | 2012-03-30 | 2015-09-24 | 株式会社東芝 | 電波吸収体 |
JP5548234B2 (ja) * | 2012-05-10 | 2014-07-16 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 磁性部品とそれに用いられる金属粉末およびその製造方法 |
US9138727B2 (en) * | 2012-12-12 | 2015-09-22 | The United States of America, as represented by the Secretary of Commerce, The National Institute of Standards and Technology | Iron—nickel core-shell nanoparticles |
CN103008674A (zh) * | 2013-01-08 | 2013-04-03 | 安徽工业大学 | 镍/铜氧化物复合纳米吸波材料及其制备方法 |
US10074468B2 (en) * | 2013-03-27 | 2018-09-11 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Powder magnetic core for reactor |
KR20150010519A (ko) * | 2013-07-19 | 2015-01-28 | 삼성전자주식회사 | 연자성 자기교환결합 복합 구조체 및 이를 포함한 고주파소자 부품, 안테나 모듈 및 자기저항소자 |
KR20150010520A (ko) * | 2013-07-19 | 2015-01-28 | 삼성전자주식회사 | 경자성 자기교환결합 복합 구조체 및 이를 포함한 수직자기기록매체 |
JP6352731B2 (ja) | 2013-09-20 | 2018-07-04 | 株式会社東芝 | 磁性金属粒子集合体及び電波吸収体 |
JP2015061000A (ja) | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 株式会社東芝 | 電波吸収体 |
KR102135359B1 (ko) * | 2013-11-14 | 2020-07-17 | 엘지전자 주식회사 | 고결정성 페라이트 자성분말 및 이를 포함하는 바이모달 페라이트 분말을 이용하여 제조한 소결자석 |
WO2015140978A1 (ja) * | 2014-03-20 | 2015-09-24 | 株式会社 東芝 | 磁性材料およびデバイス |
JP6653420B2 (ja) * | 2014-07-22 | 2020-02-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 複合磁性材料とこれを用いたコイル部品ならびに複合磁性材料の製造方法 |
TWI663896B (zh) | 2014-10-15 | 2019-06-21 | 美商羅傑斯公司 | 磁-電介質基板、製作該磁-電介質基板之方法及包含該磁-電介質基板之物件 |
JP6423705B2 (ja) * | 2014-12-16 | 2018-11-14 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 金属磁性粉末およびその製造方法並びにデバイス |
GB2550737B (en) | 2015-01-30 | 2021-11-24 | Rogers Corp | Mo-Doped Co2Z-Type Ferrite Composite Material For Use in Ultra-High Frequency Antennas |
CN105244620B (zh) * | 2015-07-23 | 2017-11-24 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 天线装置及具有该天线装置的移动终端 |
US10269566B2 (en) | 2016-04-29 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Etching substrates using ale and selective deposition |
US10566212B2 (en) | 2016-12-19 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Designer atomic layer etching |
US10832909B2 (en) | 2017-04-24 | 2020-11-10 | Lam Research Corporation | Atomic layer etch, reactive precursors and energetic sources for patterning applications |
US10494715B2 (en) * | 2017-04-28 | 2019-12-03 | Lam Research Corporation | Atomic layer clean for removal of photoresist patterning scum |
US10796912B2 (en) | 2017-05-16 | 2020-10-06 | Lam Research Corporation | Eliminating yield impact of stochastics in lithography |
CN107423506B (zh) * | 2017-07-24 | 2020-10-23 | 广东工业大学 | 一种磁致伸缩材料对外产生最大磁化强度的计算方法 |
CN107610864B (zh) * | 2017-10-11 | 2020-07-17 | 西昌锦前磁动机制造有限公司 | 单极磁铁的制造方法 |
JP7052648B2 (ja) * | 2018-09-05 | 2022-04-12 | Tdk株式会社 | 軟磁性体組成物、コア、およびコイル型電子部品 |
KR102220560B1 (ko) * | 2019-02-22 | 2021-02-25 | 엘지전자 주식회사 | 자기장 차폐시트 및 이의 제조 방법 |
DE112020003417T5 (de) | 2019-07-16 | 2022-03-31 | Rogers Corporation | Magneto-dielektrische Materialien, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendungen |
US11679991B2 (en) | 2019-07-30 | 2023-06-20 | Rogers Corporation | Multiphase ferrites and composites comprising the same |
GB2602205B (en) | 2019-08-30 | 2023-10-04 | Rogers Corp | Magnetic particles, methods of making, and uses thereof |
TW202116700A (zh) | 2019-09-24 | 2021-05-01 | 美商羅傑斯公司 | 鉍釕m型六方晶系鐵氧體、包含彼之組合物及複合物、及製造方法 |
US11783975B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-10-10 | Rogers Corporation | Nanocrystalline cobalt doped nickel ferrite particles, method of manufacture, and uses thereof |
KR20220141305A (ko) | 2020-02-21 | 2022-10-19 | 로저스코포레이션 | 나노결정질 구조를 갖는 z형 헥사페라이트 |
KR20220085649A (ko) * | 2020-12-15 | 2022-06-22 | 현대자동차주식회사 | 인덕터용 자성체 및 이를 포함하는 인덕터용 자성소재의 제조방법 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0269904A (ja) * | 1988-09-05 | 1990-03-08 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 改質磁性金属粉末の製造法 |
JPH0294406A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-05 | Tdk Corp | 圧粉コア |
JP3030590B2 (ja) * | 1992-06-15 | 2000-04-10 | 京セラ株式会社 | 平板型アンテナ |
JP2003303711A (ja) * | 2001-03-27 | 2003-10-24 | Jfe Steel Kk | 鉄基粉末およびこれを用いた圧粉磁心ならびに鉄基粉末の製造方法 |
JP2003332116A (ja) * | 2002-05-15 | 2003-11-21 | Hitachi Powdered Metals Co Ltd | 圧粉磁心およびその製造方法 |
JP3713476B2 (ja) * | 2002-09-10 | 2005-11-09 | 株式会社東芝 | 移動通信端末 |
JP4392649B2 (ja) * | 2003-08-20 | 2010-01-06 | 日立金属株式会社 | アモルファス合金部材及びその製造方法並びにそれを用いた部品 |
JP2005220438A (ja) * | 2004-01-06 | 2005-08-18 | Hitachi Metals Ltd | Fe−Cr−Al系磁性粉末と、Fe−Cr−Al系磁性粉末成形体およびその製造方法 |
US7285329B2 (en) | 2004-02-18 | 2007-10-23 | Hitachi Metals, Ltd. | Fine composite metal particles and their production method, micro-bodies, and magnetic beads |
JP4560784B2 (ja) | 2004-02-24 | 2010-10-13 | 日立金属株式会社 | 金属微粒子およびその製造方法ならびに磁気ビーズ |
JP2005347511A (ja) | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3935190B2 (ja) * | 2005-05-26 | 2007-06-20 | 株式会社東芝 | アンテナ装置 |
JP4372118B2 (ja) * | 2006-05-18 | 2009-11-25 | 株式会社東芝 | 高周波磁性材料 |
US7515111B2 (en) | 2006-05-26 | 2009-04-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Antenna apparatus |
JP4585493B2 (ja) * | 2006-08-07 | 2010-11-24 | 株式会社東芝 | 絶縁性磁性材料の製造方法 |
JP4868583B2 (ja) * | 2006-09-04 | 2012-02-01 | Necトーキン株式会社 | インダクタ及びその製造方法 |
JP2008069431A (ja) | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Hitachi Metals Ltd | 磁性粒子の製造方法および磁性粒子 |
JP4379470B2 (ja) | 2006-12-28 | 2009-12-09 | ソニー株式会社 | 広帯域アンテナ装置 |
US8703282B2 (en) | 2007-03-09 | 2014-04-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Core-shell type magnetic particle and high-frequency magnetic material |
JP2009027450A (ja) | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Toshiba Corp | ハイインピーダンス基板 |
JP2008172257A (ja) * | 2008-01-28 | 2008-07-24 | Mitsubishi Steel Mfg Co Ltd | 絶縁軟磁性金属粉末成形体の製造方法 |
-
2009
- 2009-03-17 JP JP2009063833A patent/JP5085595B2/ja active Active
- 2009-03-26 US US12/412,249 patent/US8305281B2/en active Active
-
2012
- 2012-08-30 JP JP2012190458A patent/JP5481538B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010087462A (ja) | 2010-04-15 |
JP2013016833A (ja) | 2013-01-24 |
US20100060539A1 (en) | 2010-03-11 |
US8305281B2 (en) | 2012-11-06 |
JP5481538B2 (ja) | 2014-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5481538B2 (ja) | 電波吸収体 | |
JP5085471B2 (ja) | コアシェル型磁性材料、コアシェル型磁性材料の製造方法、デバイス装置、およびアンテナ装置。 | |
JP5058031B2 (ja) | コアシェル型磁性粒子、高周波磁性材料および磁性シート | |
JP5175884B2 (ja) | ナノ粒子複合材料、それを用いたアンテナ装置及び電磁波吸収体 | |
JP5368281B2 (ja) | コアシェル型磁性材料、コアシェル型磁性材料の製造方法、デバイス装置、およびアンテナ装置 | |
JP5710427B2 (ja) | 磁性材料、磁性材料の製造方法および磁性材料を用いたインダクタ素子 | |
JP6215163B2 (ja) | 複合磁性材料の製造方法 | |
JP5389080B2 (ja) | 金属含有粒子集合体 | |
JP5065960B2 (ja) | 高周波磁性材料およびその製造方法。 | |
CN102969105B (zh) | 磁性材料、磁性材料的制造方法及感应器元件 | |
JP5214335B2 (ja) | アンテナ装置 | |
JP4686494B2 (ja) | 高周波磁性材料及びその製造方法 | |
JPWO2016152270A1 (ja) | Fe基合金組成物、軟磁性体粉末、成形部材、圧粉コア、電気・電子部品、電気・電子機器、磁性シート、通信部品、通信機器および電磁干渉抑制部材 | |
US7763094B2 (en) | Method of manufacturing high frequency magnetic material | |
JP4836837B2 (ja) | コアシェル型磁性ナノ粒子の製造方法 | |
JP5085470B2 (ja) | コアシェル型磁性材料、デバイス装置、およびアンテナ装置。 | |
JP2016023340A (ja) | Fe基合金組成物、成形部材、成形部材の製造方法、圧粉コア、電子部品、電子機器、磁性シート、通信部品、通信機器および電磁干渉抑制部材 | |
JP2009290067A (ja) | 高周波用磁性材料及び高周波用磁性材料の製造方法 | |
JP5788376B2 (ja) | 金属含有粒子集合体及びその製造方法 | |
JP2009239021A (ja) | 高周波磁性材料、アンテナ装置および高周波磁性材料の製造方法。 | |
JP2010010237A (ja) | 磁性材、人工媒質および磁性材の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110324 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120807 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120905 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5085595 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150914 Year of fee payment: 3 |