JP5005759B2 - 蛍光粉及びその製造方法並びにそれを用いた発光器具 - Google Patents
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Description
本発明のもう一つの目的は、紫外、紫又は青色LEDにより効率よく励起される蛍光粉の製造方法を提供することである。
本発明の更なる目的は、このような蛍光粉を利用して製造された発光器具を提供することである。
希土類、ケイ素、アルカリ土類金属、ハロゲン族元素、酸素及びアルミニウム又はガリウムを同時に含有する蛍光粉において、前記希土類が、Sc、Y、La、Pr、Nd、Gd、Ho、Yb及びSmのうちの少なくとも1種、並びにCe、Eu及びTbのうちの少なくとも1種であり、前記アルカリ土類金属が、Mg、Ca、Sr及びBaのうちの少なくとも1種であり、前記ハロゲン族元素が、F及びClのうちの少なくとも1種である蛍光粉。本発明のLED蛍光粉の転換効率は高く、そのため白色LEDの発光効率の向上に役立つ。
式中、LnはSc、Y、La、Pr、Nd、Gd、Ho、Yb及びSmのうちの少なくとも1種であり、
MはCa、Sr及び Baのうちの少なくとも1種であり、
M'はAl及びGaのうちの少なくとも1種であり、
AはLi、Na、K、Mg、Ca、Sr及びBaのうちの少なくとも1種であり、
XはF及びClのうちの少なくとも1種であり、
RはCe、Eu、Tb及びMnのうちの少なくとも1種であり、
0.01≦a≦2、0.35≦b≦4、0.01≦c≦1、0.01≦d≦0.3、0.01≦f≦3、 0.6≦e≦2.4である。
(1)化学式:
aLn2O3・MO・bM'2O3・fSiO2・cAXe: dR、式中、LnはSc、Y、La、Pr、Nd、Gd、Ho、Yb及びSm のうちの少なくとも1種であり、MはCa、Sr及び Baのうちの少なくとも1種であり、M'はAl及びGaのうちの少なくとも1種であり、AはLi、Na、K、Mg、Ca、Sr及び Baのうちの少なくとも1種であり、XはF及びClのうちの少なくとも1種であり、RはCe、Eu、Tb及びMnのうちの少なくとも1種であり、0.01≦a≦2、0.35≦b≦4、0.01≦c≦1、0.01≦d≦0.3、0.01≦f≦3、 0.6≦e≦2.4である。
該一般式に従って、原料を配合し、Lnを含む金属又は化合物又は塩、M及びM'を含む金属又は化合物又は塩、Aを含むハロゲン化合物、Rを含む化合物又は塩、ケイ素の化合物又は塩を原料とし、且つ過量のSiO2又は/及びAXeを助溶剤として適当に添加し、細かく研磨し、均一に混合して、混合物を形成する。
(3)工程(2)において得られる焙焼産物を後処理する過程を経て、そのまま本発明の蛍光粉を得る。
前記工程(1)において、製造しようとした蛍光粉の総重量と比較して、助溶剤の含有量が0.001-20wt%である。
前記工程(1)において、研磨が、アルコール、アセトンなどの溶液中で行われてもよい。
前記工程(2)において、毎回の高温焙焼の温度が、500〜1600℃である。
前記工程(2)において、毎回の高温焙焼の時間が、0.5〜15時間である。
前記工程(3)において、後処理中の雑物除去の過程が、酸洗い、アルカリ洗い又は水洗いを含む。
前記工程(3)において、後処理中の分級の過程において、沈降法、篩い分け法、水力分級、気流分級などの方法のうちの一つ又はいくつかを用いてもよい。
式中、LnはSc、Y、La、Pr、Nd、Gd、Ho、Yb及びSm のうちの少なくとも1種であり、
MはCa、Sr及び Baのうちの少なくとも1種であり、
M'はAl及びGaのうちの少なくとも1種であり
AはLi、Na、K、Mg、Ca、Sr及び Baのうちの少なくとも1種であり、
XはF及びClのうちの少なくとも1種であり、
RはCe、Eu、Tb及びMnのうちの少なくとも1種であり、
0.01≦a≦2、0.35≦b≦4、0.01≦c≦1、0.01≦d≦0.3、0.01≦f≦3、 0.6≦e≦2.4である。
1.新しい蛍光粉組成が提供された。該蛍光粉は、性質が安定であり、且つ発光効率が高い。
2.該蛍光粉の製造方法が提供された。該方法は操作しやすく、汚染がなく、コストが低い。
3.該蛍光粉を利用して製造した発光器具が提供された。該発光器具は、寿命が長く、発光効率が高い。
本発明の製品及び製造方法をさらに理解させることに役立つために、次に実施例によって、本発明の蛍光粉及びその製造方法並びにそれを用いた発光器具をさらに説明するが、本発明の保護範囲は、これらの実施例によって何ら限定されるものではない。本発明の保護範囲は特許請求の範囲によって決まる。
本実施例のLED蛍光粉の製品は、その化学式が1.47Y2O3・BaO・2.48Al2O3・1.03SiO2・0.03BaF2:0.03Ce、0.01Euであると分析される。その製造方法としては、適切な化学量論比に従って、原料、Y2O3(4N)、BaO(4N)、Al2O3 (4 N)、CeO2 (4N)、Eu2O3 (4N)、SiO2 (4N)、及びBaF2 (AR)を計り取り、そのうち、SiO2 とBaF2は、反応助溶剤の一部かつ蛍光粉の組成の一部となる。反応助溶剤の添加量は、製造しようとする蛍光粉の総重量の18wt%であり、そのうち、反応助溶剤SiO2とBaF2の重量比は1:1である。前記原料を均一混合後に、還元雰囲気中で1450℃で3時間保温し、得られた製品を破砕、洗浄、篩い分け、乾燥、分級する過程を経て、本発明の蛍光粉が得られる。その発射スペクトルと励起スペクトルを図1に示す。図1から分かるように、該蛍光粉は350-480nmの波長範囲の光により効率よく励起され、ピーク波長544nmの黄光を放出できる。その相対発射強度を表1に示す。
本実施例のLED蛍光粉の製品は、その化学式が1.47Y2O3・BaO・2.47Al2O3・1.03SiO2・0.06BaF2:0.04Ce、0.03Euであると分析される。化学量論比に従って、Y2O3(4N)、BaO(4N)、Al2O3 (4N)、CeO2 (4N)、Eu2O3 (4N)、SiO2 (4N)、BaF2 (AR)を計り取り、そのうち、SiO2 とBaF2は、反応助溶剤の一部かつ蛍光粉組成の一部となる。反応助溶剤の添加量は、製造しようとする蛍光粉の総重量の10wt%であり、そのうち、反応助溶剤SiO2とBaF2の重量比は1:1である。その製造方法において、焙焼回数、焙焼温度、時間及び二回焙焼の間に行われた破砕と篩い分けは実施例1と異なっており、それ以外の他の工程の全ては実施例1と同様である。即ち二回焙焼を行い、一回目は、1400℃で、還元雰囲気中で2時間保温し、それから破砕と篩い分けを行った後、再びるつぼに入れて二回目の焙焼を行い、焙焼条件は、還元雰囲気中で、1550℃で2時間保温する条件であり、得られた製品を破砕、洗浄、篩いかけ、乾燥、分級する過程を経て、本発明の蛍光粉が得られる。その相対発光強度を表1に示す。
これらの実施例のLED蛍光粉の製品は、その化学式が表1に示すようとおり分析される。実施例3-実施例72において、それぞれの実施例に記載の化学式組成と化学式によって示されるモル比に従って、Lnを含む相応の酸化物、M及びM'を含む酸化物、Aを含むハロゲン化合物(AXe)、Rを含む酸化物、ケイ素を含む酸化物(SiO2)を計り取って原料とし、そのうち、ケイ素を含む酸化物とAを含むハロゲン化合物は、反応助溶剤の一部かつ蛍光粉組成の一部とし、反応助溶剤の添加量は、製造しようとする蛍光粉の総重量の10wt%であり、そのうち、反応助溶剤のケイ素を含む酸化物とAを含むハロゲン化合物の重量比は1:1である。それ以外の工程は、いずれも実施例2と同様である。即ち、二回焙焼を行い、一回目は1400℃で、還元雰囲気中で2時間保温し、それから破砕と篩い分けを行った後、再びるつぼに入れて二回目の焙焼を行い、焙焼条件は、還元雰囲気中で、1550℃で2時間保温する条件であり、得られた製品を破砕、洗浄、篩い分け、乾燥、分級する過程を経て、本発明の蛍光粉が得られる。これらの蛍光粉の相対発光強度を表1に示す。
実施例1の蛍光粉を用いて白色LED発光器具を製造する実施例。
実施の過程において、実施例1によって得られた蛍光粉を計り取ってベースト化した後、青色チップ上に塗布し、電気回路を溶接し、樹脂封止した後、得られた器具は即ち本発明の白色LED発光器具である。
上記内容を総括してみると、本発明の蛍光粉は、波長励起範囲が広く、高効率、均一、雑相無し、安定などの特徴を有しており、その製造方法は簡単で、汚染がなく、コストが低い。本発明の蛍光粉を用いて紫外、紫又は青色LEDと組み合わせて新型発光器具を製造できる。
Claims (11)
- 化学式、aLn2O3・MO・bM'2O3・fSiO2・cAXe: dRで表される蛍光粉:
式中、LnはSc、Y、La、Pr、Nd、Gd、Ho、Yb及びSmのうちの少なくとも1種であり、
MはCa、Sr及び Baのうちの少なくとも1種であり、
M'はAl及びGaのうちの少なくとも1種であり、
AはLi、Na、K、Mg、Ca、Sr及びBaのうちの少なくとも1種であり、
XはF及びClのうちの少なくとも1種であり、
RはCe、Eu、Tb及びMnのうちの少なくとも1種であり、
0.01≦a≦2、0.35≦b≦4、0.01≦c≦1、0.01≦d≦0.3、0.01≦f≦3、0.6≦e≦2.4である。 - 以下の工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の白色LED用蛍光粉の製造方法:
(1)Lnを含む金属又は化合物又は塩、M及びM'を含む金属又は化合物又は塩、Aを含むハロゲン化合物、Rを含む化合物又は塩、ケイ素の化合物又は塩を原料とし、且つ前記材料の化学式組成と化学式によって示されるモル比に従って相応の原料を計り取り、且つ過量のSiO2、AXe中の一種又は数種を助溶剤として添加し、細かく研磨し、均一に混合して、混合材料を形成する;
(2)工程(1)において得られる混合物を還元雰囲気中で高温焙焼する;
(3)工程(2)において得られる焙焼産物を後処理する過程を経て、本発明の蛍光粉を得る。 - 前記工程(1)において、前記化合物が、相応の酸化物、または水酸化物を含み、前記塩が、相応の炭酸塩、硝酸塩、または有機酸塩を含むことを特徴とする請求項2に記載の白色LED用蛍光粉の製造方法。
- 前記工程(1)において、製造しようとする蛍光粉の総重量と比較して、助溶剤の含有量が、0.001-20wt%であることを特徴とする請求項2または3に記載の白色LED用蛍光粉の製造方法。
- 前記工程(2)において、高温焙焼が、一回又は2回以上行われてもよいことを特徴とする請求項2〜4のいずれか一項に記載の白色LED用蛍光粉の製造方法。
- 前記工程(2)において、高温焙焼の温度が、500〜1600℃であることを特徴とする請求項5に記載の白色LED用蛍光粉の製造方法。
- 前記工程(2)において、高温焙焼の時間が、0.5〜15時間であることを特徴とする請求項5又は6に記載の白色LED用蛍光粉の製造方法。
- 前記工程(3)において、後処理過程が、破砕、気流粉砕、雑物除去、篩い分け、乾燥、分級を含むことを特徴とする請求項2〜7のいずれか一項に記載の白色LED用蛍光粉の製造方法。
- 雑物除去の過程が、酸洗い、アルカリ洗い又は水洗いを含むことを特徴とする請求項8に記載の白色LED用蛍光粉の製造方法。
- 前記分級の過程において、沈降法、篩い分け法、水力分級、および気流分級の方法のうちの少なくとも一つを用いることを特徴とする請求項8に記載の白色LED用蛍光粉の製造方法。
- 紫外、紫又は青色LEDチップと、下記の化学式で表される蛍光粉とを、少なくとも含むことを特徴とする発光器具:
aLn2O3・MO・bM'2O3・fSiO2・cAXe: dR
式中、LnはSc、Y、La、Pr、Nd、Gd、Ho、Yb及びSm のうちの少なくとも1種であり、
MはCa、Sr及び Baのうちの少なくとも1種であり、
M'はAl及びGaのうちの少なくとも1種であり
AはLi、Na、K、Mg、Ca、Sr及び Baのうちの少なくとも1種であり、
XはF及びClのうちの少なくとも1種であり、
RはCe、Eu、Tb及びMnのうちの少なくとも1種であり、
0.01≦a≦2、0.35≦b≦4、0.01≦c≦1、0.01≦d≦0.3、0.01≦f≦3、0.6≦e≦2.4である。
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KR20100070731A (ko) | 2008-12-18 | 2010-06-28 | 삼성전자주식회사 | 할로실리케이트 형광체, 이를 포함하는 백색 발광 소자 |
JP5391946B2 (ja) * | 2009-09-07 | 2014-01-15 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法 |
CN101705095B (zh) * | 2009-09-21 | 2011-08-10 | 四川新力光源有限公司 | 黄光余辉材料及其制备方法和使用它的led照明装置 |
KR101098006B1 (ko) * | 2009-09-29 | 2011-12-23 | 한국화학연구원 | (할로)실리케이트계 형광체 및 이의 제조방법 |
KR101774434B1 (ko) | 2010-03-31 | 2017-09-04 | 오스람 실바니아 인코포레이티드 | 형광체 및 이를 함유한 led |
US8932486B2 (en) | 2011-04-07 | 2015-01-13 | Performance Indicator, Llc | Persistent phosphors of alkaline earths modified by halides and 3d ions |
CN104342156B (zh) * | 2013-07-30 | 2016-08-10 | 宁波升谱光电股份有限公司 | 一种荧光粉及其制备方法和含该荧光粉的发光器件 |
CN103980900B (zh) * | 2014-06-04 | 2015-05-20 | 重庆理工大学 | 一种硅酸盐蓝光荧光粉及其制备方法 |
CN105670626B (zh) * | 2015-12-21 | 2017-11-10 | 厦门百嘉祥微晶材料科技股份有限公司 | 一种超大粒径YAG:Ce3+黄色荧光粉及其制备方法 |
WO2021199677A1 (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体電解質材料、それを用いた電池、および固体電解質材料の製造方法 |
CN116875303A (zh) * | 2023-06-02 | 2023-10-13 | 常熟理工学院 | 一种铝酸盐基红发光材料及其制备方法、应用 |
Family Cites Families (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US446538A (en) * | 1891-02-17 | Cultivator | ||
GB1326868A (en) | 1971-04-16 | 1973-08-15 | Tokyo Shibaura Electric Co | Cathode ray tube for a flying spot scanner |
BE786655A (fr) | 1971-07-24 | 1973-01-24 | Philips Nv | Tube a rayons cathodiques muni d'un silicate luminescent |
BE789747A (fr) | 1971-10-07 | 1973-04-05 | Philips Nv | Ecran luminescent |
JP2897355B2 (ja) * | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
US5591958A (en) * | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
JP3412704B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
JP3555230B2 (ja) * | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH08250402A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Nikon Corp | 走査型露光方法及び装置 |
TW370559B (en) | 1996-01-22 | 1999-09-21 | Kasei Optonix | Light-storage fluorophor |
CN1244018C (zh) * | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光方法和曝光装置 |
DE69735016T2 (de) * | 1996-12-24 | 2006-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern |
JPH1116816A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
US6381013B1 (en) * | 1997-06-25 | 2002-04-30 | Northern Edge Associates | Test slide for microscopes and method for the production of such a slide |
DE19730005C2 (de) | 1997-07-12 | 1999-11-25 | Walter Tews | Silikat-Borat-Leuchtstoffe |
US6208407B1 (en) * | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
US6819414B1 (en) * | 1998-05-19 | 2004-11-16 | Nikon Corporation | Aberration measuring apparatus, aberration measuring method, projection exposure apparatus having the same measuring apparatus, device manufacturing method using the same measuring method, and exposure method |
US6036586A (en) * | 1998-07-29 | 2000-03-14 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for reducing removal forces for CMP pads |
WO2001022480A1 (fr) * | 1999-09-20 | 2001-03-29 | Nikon Corporation | Mecanisme a attelages paralleles, systeme d'exposition et procede de fabrication, et procede de fabrication de dispositifs |
US6627112B2 (en) * | 1999-12-24 | 2003-09-30 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Phosphor for vacuum ultraviolet excited light emitting device |
US20020041377A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
AT410266B (de) | 2000-12-28 | 2003-03-25 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element |
EP1231514A1 (en) * | 2001-02-13 | 2002-08-14 | Asm Lithography B.V. | Measurement of wavefront aberrations in a lithographic projection apparatus |
KR100724135B1 (ko) * | 2001-10-05 | 2007-06-04 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 퍼플루오로폴리에테르-변성 실란, 표면처리제, 및반사방지 필터 |
US6828542B2 (en) * | 2002-06-07 | 2004-12-07 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
JP4099116B2 (ja) * | 2002-06-14 | 2008-06-11 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 自己集合単分子層を伴う光学エレメントを備えたeuvリソグラフィ投影装置、自己集合単分子層を伴う光学エレメント、自己集合単分子層を適用する方法、デバイス製造法 |
JP4263453B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2009-05-13 | パナソニック株式会社 | 無機酸化物及びこれを用いた発光装置 |
US7383843B2 (en) * | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
KR20110086130A (ko) * | 2002-12-10 | 2011-07-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP2004231786A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Tosoh Corp | 蛍光体及び発光素子 |
KR101729866B1 (ko) * | 2003-06-13 | 2017-04-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
JP4343597B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005019616A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
EP1498778A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3862678B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
DE60308161T2 (de) * | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
EP1494074A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN1470598A (zh) * | 2003-07-08 | 2004-01-28 | 重庆上游发光材料有限公司 | 一种晶格缺陷可调控型长余辉发光材料 |
SG109000A1 (en) * | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1500982A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1503244A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7779781B2 (en) * | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005057294A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Asml Netherlands Bv | インタフェースユニット、該インタフェースユニットを含むリソグラフィ投影装置、及びデバイス製造方法 |
TWI245163B (en) * | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10339839A1 (de) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | General Electric Co. | Leuchtstoffmischungen für Leuchtstofflampen |
TWI263859B (en) * | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
JP4378136B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
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US7158211B2 (en) * | 2003-09-29 | 2007-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005136374A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法 |
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EP1524558A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7352433B2 (en) * | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411653B2 (en) * | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
EP1531362A3 (en) * | 2003-11-13 | 2007-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
DE10355301B3 (de) * | 2003-11-27 | 2005-06-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Abbildung einer Struktur auf einen Halbleiter-Wafer mittels Immersionslithographie |
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JP4308638B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2009-08-05 | パナソニック株式会社 | パターン形成方法 |
CN100594430C (zh) * | 2004-06-04 | 2010-03-17 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 用于测量光学成像系统的图像质量的系统 |
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JP2006270057A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Canon Inc | 露光装置 |
TWI267944B (en) * | 2005-08-03 | 2006-12-01 | Ind Tech Res Inst | Non-volatile memory device and fabricating method thereof |
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