JP4960867B2 - 損失の小さい電気音響素子 - Google Patents
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Description
r ≧ (π/2)(Δf/f0)
を満たすべきである。これは(電極の材料が与えられかつメタライゼーション比が与えられた場合)、所定の限界値(h/λ)minを上回る相対層厚h/λによって達成可能である。例えばアルミニウムからなる電極の場合、Δf/f0 > 5.5%,r > 8.63%およびh/λ > 7%〜9%である。依存性r(h/λ)は、電極および基板の材料に依存する関数である。メタライゼーション比は、有利には範囲0.6<η<0.7から選択され、例えばη=0.65である。小さい相対層厚が有利である。
図1は、本発明の素子を概略断面図で示しており、ここで層厚が異なる素子構造は、1つの音響トラックに配置される変換器であり、
図2は、本発明の素子を概略断面図で示しており、ここで層厚が異なる素子構造は、相異なる音響トラックに配置されており、
図3は、本発明の素子を概略断面図で示しており、ここで1つの音響トラックに配置されかつ層厚の異なる素子構造は、1つ変換器および2つの反射器であり、
図4は、本発明の素子(断面図)を示しており、ここで組成の異なる素子構造は、付加的にメタライゼーション比が異なっており、
図5は、2つの素子構造と1つの給電線路を有する素子を示しており(断面図)、
図6は、素子構造がそれぞれ複数の部分層を有する素子を示しており(断面図)、
図7a,7bはそれぞれ、1つの音響トラックに2つの変換器を有する素子を上から見た平面図を示しており、
図8a,8bはそれぞれ、ラダー形構造のフィルタを示しており、
図9は、給電線路を有する素子を上から見た図を示しており、
図10は、ガイド音響波で作動する素子を示している(断面図)。
図1〜9には本発明の素子が1つずつ示されており、この素子は2つの素子構造BS1およびBS2を有する。素子構造BS1,BS2は実施例に応じて、互いに異なる金属、金属合金または層状の金属構造から形成されている。素子構造BS1,BS2は、圧電基板SUに配置されている。2つ素子構造BS1,BS2は、同一のフィルタの構成部分である。
Claims (8)
- 音響波によって作動する素子において、
フィルタが設けられた該素子は、少なくとも1つの第1素子構造(BS1)および少なくとも1つの第2素子構造(BS2)が配置された基板(SU)を有しており、
該フィルタは、複数の第1音響トラックおよび複数の第2音響トラックを含んでおり、
前記第1音響トラックはそれぞれ1つの変換器(W1)および反射器(RF)を含み、前記第2音響トラックはそれぞれ1つの変換器(W2)および反射器(RF)を含んでおり、
ここで前記少なくとも1つの第1素子構造(BS1)の層厚(h1)および組成が統一され、前記少なくとも1つの第2素子構造(BS2)の層厚(h2)および組成が統一されており、
当該の少なくとも1つの第1素子構造(BS1)と少なくとも1つの第2素子構造(BS2)とは、前記の各層厚(h1,h2)および組成の特徴のうちの少なくとも1つが互い異なり、
前記少なくとも1つの第1素子構造(BS1)および少なくとも1つの第2素子構造(BS2)は、複数の導電性部分層(M1,M2)からなる層構造をそれぞれ有し、
前記少なくとも1つの第1素子構造(BS1)と少なくとも1つの第2素子構造(BS2)とをそれぞれ構成する各層の組成、順番および数は同じであるが、当該の同じ層の組成、順番および数を有する層構造の厚さが該少なくとも1つの第1素子構造(BS1)と少なくとも1つの第2素子構造(BS2)とでそれぞれ互いに異なり、
前記少なくとも1つの第1素子構造(BS1)は、各第1音響トラックにおいて直列共振器であり、統一されたメタライゼーション比η1を有しており、
前記少なくとも1つの第2素子構造(BS2)は、各第2音響トラックにおいて並列共振器であり、統一されたメタライゼーション比η2を有しており、
前記メタライゼーション比η1とメタライゼーション比η2とは互いに異なっており、
前記並列共振器におけるメタライゼーション比η2は、前記直列共振器におけるメタライゼーション比η1よりも小さい
ことを特徴とする、
音響波によって作動する素子。 - 前記少なくとも1つの第1素子構造(BS1)と少なくとも1つの第2素子構造(BS2)とは層厚(h1,h2)が互いに異なる、
請求項1に記載の素子。 - 前記少なくとも1つの第1素子構造(BS1)は第1の材料から構成され、前記少なくとも1つの第2素子構造(BS2)は第2の材料から構成される、
請求項1または2に記載の素子。 - 前記少なくとも1つの第1素子構造(BS1)および少なくとも1つの第2素子構造(BS2)は同じ材料から構成される、
請求項1または2に記載の素子。 - 前記少なくとも1つの第1素子構造(BS1)と少なくとも1つ第2素子構造(BS2)との最小相対層厚h/λは5%以上であり、
ここでhは絶対層厚、λは音響波の波長である、
請求項1から4までのいずれか1項に記載の素子。 - 5% ≦ h/λ ≦ 14%が成り立つ、
請求項5に記載の素子。 - 協働して1つのデュプレクサを実現する2つのフィルタを有しており、
該デュプレクサの各フィルタの素子構造は、層構造および層厚が統一されており、
2つのフィルタの素子構造は層厚が互いに異なる、
請求項1から6までのいずれか1項に記載の素子。 - 別の基板(SU1)を有しており、
2つの基板(SU,SU1)の間に層系(SS)が配置されており、
該層系は、圧電層(PS)を有しており、
該圧電層に音響波がガイドされ、
前記の層系(SS)は、圧電層に配置された金属層を有しており、
該金属層に前記少なくとも1つの第1素子構造(BS1)および少なくとも1つの第2素子構造(BS2)が形成され、
前記の層系(SS)は、誘電体層を有しており、
該誘電体層は、前記少なくとも1つの第1素子構造(BS1)及び少なくとも1つの第2素子構造(BS2)を覆い、圧電層(PS)の表面で密接して終端している、
請求項1から7までのいずれか1項に記載の素子。
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