JP4925953B2 - 記憶回路 - Google Patents
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Description
L.Chang et al.,"Stable SRAM Cell Design for the 32 nm Node and beyond,"IEEE Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers,pp.128-129(2005年)
また、請求項5に記載の本発明は、請求項4において、前記メモリセル電源線と電源線との間にスイッチを有し、前記データの書き込み時において、前記メモリセル電源線の電位を低減させた後に前記スイッチをOFFとして前記メモリセル電源線をハイインピーダンスとし、一方のビット線をGND状態としたまま、他方のビット線を緩やかに昇圧することにより前記書き込みを行う。
図1に本発明の第1の実施形態を示す。
図2に本発明の第2の実施形態を示す。
図4に本発明の第3の実施形態を示す。図4は、読み出し時にワード線の電圧を緩やかに変化させることを特徴とする回路構成である。この第3の実施の形態の構成では、ワード線WLの電圧を制御する制御回路C1と、所望のワード線WLの電圧においてビット線(bit線)の電圧をセンスアンプ2により読み出し、その出力結果を基に制御回路C2によりビット線の電位を設定する回路を備える。トランスファートランジスタのゲート電圧を断熱的に変化させることにより、トランスファートランジスタを通って流れる電流を低減させることができる。
図5に本発明の第4の実施形態を示す。
図6に本発明の第5の実施形態を示す。
図7に本発明の第6の実施形態を示す。
AS…断熱信号
C1、C2…制御回路
Cell…セル
BL、BL_N…ビット線
FF…フリップフロップ
WL…ワード線
SW…スイッチ
P1、P2、P31、P41、P42…pMOSトランジスタ
N1〜N10、N31、N41、N42、N53、N54、N58、N63〜N66…nMOSトランジスタ
IN,A,B…入力信号
OUT…出力信号
Claims (5)
- 二つのインバータからなり互いの出力を互いの入力とする一組のフリップフロップと、前記フリップフロップとビット線との間で信号を伝達するトランスファートランジスタと、を有するメモリセルを複数備えた記憶回路において、
それぞれ複数のメモリセルを有するメモリブロックを複数備え、
前記メモリブロック毎に、
読み出し回路として、メモリセルからの読み出し信号をソースを接地した第一のnMOSFETのゲートに入力し、この第一のnMOSFETのドレインとビット線とを第二のnMOSFETを介して接続した回路を、当該メモリブロック内の複数のメモリセル行において共有し、
書き込み回路として、メモリセルへの書き込み信号を前記ビット線から第三のnMOSFETを介して入力する回路を、当該メモリブロック内の複数のメモリセル行において共有し、
データの読み出し時には、
選択するメモリセルのトランスファートランジスタをオンとし、当該メモリセルが共有する読み出し回路における前記第二のnMOSFETをオンとし、前記ビット線の電位の変化の有無を検出し、
データの書き込み時には、
選択するメモリセルのトランスファートランジスタをオンとし、当該メモリセルが共有する書き込み回路における前記第三のnMOSFETをオンとし、前記ビット線の電位を当該メモリセルのフリップフロップに伝達する
ことを特徴とする記憶回路。 - 前記メモリブロック毎に、前記読み出し回路を2つ配置して、前記データの読み出し時に2つのビット線の信号のうちの一方がハイインピーダンスであり、他方がGND状態とされ、これらの前記信号を読み出すために2つのCMOSインバータから構成されたフリップフロップと、このフリップフロップをセンスアンプとして、該フリップフロップの電源電圧を緩やかに変化させる断熱信号を用いることにより、前記GND状態のビット線を前記GND状態としたまま、前記ハイインピーダンスのビット線を高電圧状態とし、これによりデータを読み出すこと
を特徴とする請求項1に記載の記憶回路。 - 読み出し信号を伝達するnMOSFETのワード線を緩やかにGNDから高い電圧に昇圧し、ビット線の状態を確かめながら読み出しを行うこと
を特徴とする請求項1に記載の記憶回路。 - 前記メモリセルは、
前記メモリセル電源線を通じて前記フリップフロップ内の各pMOSトランジスタのソース電極に、前記フリップフロップ回路の時定数よりも長い時間で、高電圧から低電圧へと変化する電圧を入力する第1の電圧入力手段と、
前記フリップフロップ回路の一方をGNDとし、前記フリップフロップ回路の一方の入力端に、前記フリップフロップ回路の時定数よりも長い時間で、低電圧から高電圧へと変化させる電圧を入力する第2の電圧入力手段と、
を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の記憶回路。 - 前記メモリセル電源線と電源線との間にスイッチを有し、前記データの書き込み時において、前記メモリセル電源線の電位を低減させた後に前記スイッチをOFFとして前記メモリセル電源線をハイインピーダンスとし、一方のビット線をGND状態としたまま、他方のビット線を緩やかに昇圧することにより前記書き込みを行うこと
を特徴とする請求項4に記載の記憶回路。
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