JP4853477B2 - 異方形状セラミック粒子及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、異方形状セラミック粒子及びその製造方法に関し、より詳しくは結晶配向セラミックを作製するための異方形状セラミック粒子、及びその製造方法に関する。
従来より、圧電セラミック材料としては、チタン酸ジルコン酸鉛等の高い圧電性を有する鉛系ペロブスカイト型化合物が広く使用されてきた。
しかしながら、近年では、環境面への配慮から鉛を使用しない非鉛系圧電セラミック材料が好まれるようになってきており、例えば、ニオブ酸アルカリ金属系に代表される非鉛系のペロブスカイト型5価金属酸アルカリ化合物の研究・開発が盛んに行われている。
等方性ペロブスカイト型化合物は、結晶軸の方向によって圧電特性が異なることが知られており、結晶軸を配向させることによって高い圧電特性を得ることができる。したがって、ニオブ酸アルカリ金属系の圧電材料においても、結晶軸を配向させることにより、高い圧電特性が得られるものと期待される。
ところで、等方性ペロブスカイト型化合物の結晶軸を高い配向度で配向させる方法としては、特許文献1に記載された方法が知られている。
この特許文献1では、発達面(最も大きな面積を占める面)が所定の第1のペロブスカイト型5価金属酸アルカリ化合物の特定の結晶面と格子整合性を有する第1の異方形状粉末と、該第1の異方形状粉末と反応して、少なくとも前記第1のペロブスカイト型5価金属酸アルカリ化合物を生成する第1の反応原料とを混合する混合工程と、該混合工程で得られた混合物を前記第1の異方形状粉末が配向するように成形する成形工程と、該成形工程で得られた成形体を加熱し、前記第1の異方形状粉末と前記第1の反応原料とを反応させる熱処理工程とを備えた結晶配向セラミックスの製造方法が提案されている。
また、特許文献1では、前記第1の異方形状粉末は、以下の方法で製造されている。
{001}面を発達面とし、かつ一般式:(Bi)2+(Bi0.5AMm-1.5Nb3m+1)2-(ただし、mは2以上の整数、AMは、Na、K及びLiからなる群から選ばれる少なくとも1つのアルカリ金属元素である。)で表されるビスマス層状ペロブスカイト型化合物からなる第2の異方形状粉末と、該第2の異方形状粉末と反応して、少なくとも第2のペロブスカイト型5価金属酸アルカリ化合物を生成する第2の反応原料とをフラックス中において加熱し、これにより前記第1の異方形状粉末が製造されている。
すなわち、層状ペロブスカイト型化合物の板状粉末は、等方性ペロブスカイト型化合物を生成させるための反応性テンプレートとして機能する。ビスマス層状ペロブスカイト型化合物を反応性テンプレートとしてニオブ酸カリウム等のペロブスカイト型5価金属酸アルカリ化合物を作製した場合、得られたペロブスカイト型5価金属酸アルカリ化合物中には前記反応性テンプレートに含有されるBiなどのAサイト成分が不純物として不可避的に残留し、このため、所望の良好な圧電特性を得るのが困難となる。
しかるに、ビスマス層状ペロブスカイト型化合物(第2の異方形状粉末)及び第2の反応原料の組成を最適化してフラックス中で共晶点・融点に加熱すると、ビスマス層状ペロブスカイト型化合物に含まれるAサイト成分(余剰Aサイト成分)を余剰成分として排出することができる。
そこで、特許文献1では、まず、ビスマス層状ペロブスカイト型化合物を反応性テンプレートとして前記余剰Aサイト成分の除去された第1の異方形状粉末を作製し、該第1の異方形状粉末を反応性テンプレートとして配向性を有するペロブスカイト型5価金属酸アルカリ化合物を得ている。
また、前記ビスマス層状ペロブスカイト型化合物は、フラックス法や水熱合成法等、熱処理を含む方法で製造され、これにより組成の最適化されたビスマス層状ペロブスカイト型化合物を得ている。
特開2003−12373号公報(請求項2、3、段落番号〔0064〕、〔0070〕−〔0075〕等)
しかしながら、特許文献1では、上述したように余剰Aサイト成分を除去するために、ビスマス層状ペロブスカイト型化合物及び第2の反応原料の組成を最適化しているが、そのような最適化組成を見出すのは容易なことではない。すなわち、要求される圧電性能は用途等によって異なることから、最終生成物である結晶配向セラミックの最適組成は種々であり、このような種々の結晶配向セラミックに対応してビスマス層状ペロブスカイト型化合物や第2の反応原料の最適組成を見出すのは容易なことではない。
また、特許文献1では、ビスマス層状ペロブスカイト型化合物を製造するためにフラックス法や水熱合成法等で熱処理を行い、さらにビスマス層状ペロブスカイト型化合物を反応性テンプレートとして第1の異方形状粉末を得るために熱処理を行っている。したがって結晶配向セラミックの反応性テンプレートとなる第1の異方形状粉末を得るためには少なくとも2回の熱処理工程が必要となり、製造コストも高くなる。
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、非鉛系の結晶配向セラミックを作製するための異方形状セラミック粒子であって、煩雑な製造工程を要することなく、比較的安価な製造コストでもって得ることのできる異方形状セラミック粒子、及びその製造方法を提供することを目的とする。
反応性テンプレートとして機能する異方形状粉末が、最終生成物であるペロブスカイト型5価金属酸アルカリ化合物に必要な構成元素のみを含むようにすれば、Biなどの不要な成分がこれらペロブスカイト型5価金属酸アルカリ化合物中に含まれることもなくなり、したがって特許文献1のような組成の最適化等の煩雑な処理を行う必要がなくなる。
そこで、本発明者らは斯かる観点から、ニオブ酸アルカリ金属系セラミックを対象に鋭意研究を行ったところ、その主成分を構成するK、Na、Li、Nb、Ta等の配合モル量を所定範囲とし、かつ副成分として、前記主成分1モルに対し、特定の酸化物を所定範囲で添加することにより、結晶配向したニオブ酸アルカリ金属系セラミックの作製に好適な反応性テンプレートとしての異方形状セラミック粒子を得ることができるという知見を得た。
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る異方形状セラミック粒子は、板状の異方形状セラミック粒子であって、一般式{(K1-x-yNaLi(Nb1-zTa17+aMeO}(ただし、MeはSb、Cu、Mn、V、Si、Ti、及びWからなる群から選択される少なくとも1種の元素を示し、bはMeの価数によって決まる正の数を示す。)で表され、前記x、y、z、及びaは、0≦x≦0.5、0≦y≦0.3、0≦z≦0.3、0.001≦a≦0.1であることを特徴としている。
また、上記異方形状セラミック粒子について、平均粒径を測定したところ1〜100μmであり、また主面の最大径Dと該主面に対する垂直方向の厚みtとの比D/t、すなわちアスペクト比を調べたところ、2以上を確保することができ、これにより結晶配向したニオブ酸アルカリ金属系セラミックの作製に好適な反応性テンプレートを実現できることが分かった。
すなわち、本発明の異方形状セラミック粒子は、平均粒径が1〜100μmであって、主面の最大径Dと該主面に対する垂直方向の厚みtとの比D/tが2以上であることを特徴としている。
また、本発明に係る異方形状セラミック粒子の製造方法は、結晶配向セラミックを作製するための板状の異方形状セラミック粒子を製造する異方形状セラミック粒子の製造方法であって、主成分が一般式(K1-x-yNaLi(Nb1-zTa17(ただし、0≦x≦0.5、0≦y≦0.3、0≦z≦0.3)で表わされるように、主成分素原料を秤量して混合し、仮焼処理を施して仮焼粉末を得る仮焼工程と、Sb、Cu、Mn、V、Si、Ti、及びWからなる群から選択された少なくとも1種の元素を含有した酸化物からなる副成分が、前記主成分1モルに対し前記元素を基準に0.001〜0.1モルの割合で含有されるように、副成分素原料を秤量し、前記仮焼粉末と混合して混合粉末を得る混合工程と、前記混合粉末にフラックス成分を添加して熱処理を行う熱処理工程と、前記熱処理後に前記フラックス成分を除去するフラックス除去工程とを含むことを特徴としている。
また、本発明の異方形状セラミック粒子の製造方法は、前記フラックス成分は、KCl、NaCl、及びこれらの混合物のうちのいずれかであることを特徴としている。
上記異方形状セラミック粒子によれば、Bi等の不要な成分が含まれることはなく、主成分が最終生成物であるニオブ酸アルカリ金属系セラミックに必要な構成元素のみからなる異方形状セラミック粒子を得ることができる。しかも、副成分となるMeOの含有モル量aは、主成分1モルに対し0.001〜0.1モルと少量であるので、最終生成物であるニオブ酸アルカリ金属化合物系セラミックの圧電性への影響は実用上殆どないと考えられる。
また、平均粒径が1〜100μmであって、主面の最大径Dと、該主面に対する垂直方向の厚みtとの比D/t、すなわちアスペクト比が2以上であるので、ニオブ酸アルカリ金属系セラミックの作製時においても良好な分散性を確保することができ、所望の配向性を有するニオブ酸アルカリ金属系セラミックを得ることが可能となる。
すなわち、本発明の異方形状セラミック粒子を反応性テンプレートとして使用することにより、圧電特性の良好なKNbO等のニオブ酸アルカリ金属系セラミックを得ることが容易に可能となる。
また、本発明の異方形状セラミック粒子の製造方法によれば、上記異方形状セラミック粒子の製造過程における熱処理は、前記混合粉末にフラックス成分を添加して熱処理する場合のみであり、したがって熱処理は1回しか行う必要がなく、熱処理に要するコストが削減され、製造コストも低減することが可能となる。しかも、特許文献1のようなビスマス層状ペロブスカイト型化合物を使用していないので、Bi等の不要なAサイト成分が混入するおそれはなく、したがって組成の最適化を考慮することなく、所望の板状を有する異方形状セラミック粒子を容易に製造することができる。
また、前記フラックス成分は、KCl、NaCl、及びこれらの混合物のうちのいずれかであるので、これらフラックス成分はイオン交換水等で洗浄することにより容易に除去することができる。
試料番号の試料の一部を走査型電子顕微鏡で撮像した図である。 試料番号の試料の一部を走査型電子顕微鏡で撮像した図である。 試料番号6の試料を使用して得たセラミック粉末の一部を電子顕微鏡像で撮像した図ある。
次に、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
本発明に係る異方形状セラミック粒子は、組成が下記一般式(1)で表わされ、板状を有している。
尚、本発明において板状とは、主面の最大径と最小径との比が2以下であり、アスペクト比(主面の最大径Dと、該主面に対して垂直方向の厚みtとの比D/t)が2以上のものをいう。
(K1-x-yNaLi(Nb1-zTa17+aMeO …(1)
ここで、x、y、z、及びaは下記数式(2)〜(5)を満足している。
0≦x≦0.5 …(2)
0≦y≦0.3 …(3)
0≦z≦0.3 …(4)
0.001≦a≦0.1 …(5)
すなわち、本発明の異方形状セラミック粒子は、主成分が、一般式(K1-x-yNaLi(Nb1-zTa17で表わされると共に、該主成分1モルに対しaモル、すなわち0.001〜0.1モルの特定の酸化物MeOが含有されている。
また、元素Meとしては、主成分1モルに対し0.001〜0.1モルという少量の添加量でありながら、主成分と混合させて熱処理を行うことにより、平均粒径が1μm以上であり、かつ2以上、好ましくは5以上のアスペクト比を確保することが可能な元素が選択される。具体的には、Sb、Cu、Mn、V、Si、Wからなる群から選択された少なくとも1種の特定元素が使用される。
尚、MeO中のbは、使用されるMeの価数によって決まる正の数であり、例えば、Meが、価数3のSbの場合はbは3/2、価数2のCuの場合はbは1、価数5のVの場合は5/2となる。
また、上記異方形状セラミック粒子は、平均粒径が1〜100μmに形成されている。
すなわち、異方形状セラミック粒子の平均粒径が、1μm未満になると粒子同士の凝集が激しくなって取扱い上、支障が生じるおそれがあり、好ましくない。
また、平均粒径が100μmを超えた場合は粒子が粗くなり、混合過程で粒子の沈降が生じ、均一な分散が困難となり、好ましくない。
しかるに、本発明の異方形状セラミック粒子は、上述したように平均粒径が1〜100μmであり、結晶配向セラミックを得るための反応性テンプレートとして好適な所望の板状を有する異方形状セラミック粒子を実現することが可能となる。
このように本発明の異方形状セラミック粒子は、上記一般式(1)が数式(2)〜(5)を満たしているので、平均粒径が1〜100μmであって、アスペクト比が2以上、好ましくは5以上の結晶配向セラミックの作製に適した板状の異方形状セラミック粒子を得ることができる。
次に、x、y、z、及びaを上記範囲とした理由について説明する。
(i)[x]
Kの一部をNaで置換することにより、セラミック粒子の平均粒径やアスペクト比を大きくすることが可能であり、したがって必要に応じてKの一部をNaで置換するのも好ましい。しかしながら、Naの置換モル比xが0.5を超えると、平均粒径やアスペクト比は飽和し、これら平均粒径やアスペクト比の向上が期待できない。
そこで、本実施の形態では、Kの一部をNaで置換する場合であっても、Naの置換モル比xは0.5以下とし、好ましくは0.1以下としている。
(ii)[y]
Kの一部をLiで置換することにより、セラミック粒子の平均粒径やアスペクト比を大きくすることが可能であることから、必要に応じてKの一部をLiで置換するのも好ましい。しかしながら、Liの置換モル比yが0.3になると、平均粒径やアスペクト比は低下傾向となり、これ以上Liの含有モル量を増加させても平均粒径やアスペクト比を向上させるのが困難である。
そこで、本実施の形態では、Liの置換モル比yを0.3以下とし、好ましくは0.1以下としている。
(iii)[z]
Nbの一部をTaで置換することにより、セラミック粒子の平均粒径やアスペクト比を大きくすることが可能であることから、必要に応じてNbの一部をTaで置換するのも好ましい。しかしながら、Taの置換モル比zが0.3を超えた場合は、平均粒径やアスペクト比は飽和し、これら平均粒径やアスペクト比の向上が期待できない。
そこで、本実施の形態では、Taの置換モル比zを0.3以下としている。
(iv)[a]
副成分として特定の酸化物MeOをセラミック粒子に含有させることにより、該セラミック粒子の平均粒径やアスペクト比を大きくすることができる。しかしながら、特定の酸化物MeOの含有量が主成分1モルに対し0.001モル未満の場合は、特定の酸化物MeOの含有量が少なすぎるため、平均粒径やアスペクト比の向上効果を発揮することができない。一方、特定の酸化物MeOの含有量が主成分1モルに対し0.1モルを超えて含有させても平均粒径やアスペクト比は低下傾向となる。また、この異方形状セラミック粒子は、反応性テンプレートとして結晶配向セラミックの作製に使用されるため、該副成分の含有量は少ない方が好ましいと考えられる。
そこで、本実施の形態では、副成分である特定の酸化物MeOの含有モル量aを、主成分1モルに対し0.001〜0.1モルとし、好ましくは、0.01〜0.1モルとしている。
尚、副成分としての特定の酸化物MeOの存在形態としては、特定の酸化物MeOの全部が主成分に固溶している場合、或いは一部が主成分に固溶し、一部が結晶粒界や結晶三重点に存在する場合のいずれであってもよい。
次に、上記異方形状セラミック粒子の製造方法を説明する。
まず、主成分素原料としてKCO、Nb、必要に応じてNaCO、LiCO、及びTaを用意し、所定量秤量して混合し、700〜800℃の温度で2〜3時間仮焼処理を施し、主成分となるべき仮焼粉末を作製する。
次に、元素Meを含有したSb、CuO、MnCO、V、SiO、TiO、及びWOのうちの少なくとも1種の副成分素原料を用意する。
次いで、前記仮焼粉末主成分1モルに対し、特定の酸化物MeOの含有量が最終的に0.001〜0.1モルとなるように前記副成分素原料を秤量し、該副成分素原料と仮焼粉末とを混合し、混合物を得る。
次に、フラックスとしてKCl、NaCl、又はNaClとKClとの混合物を用意する。
そして、前記混合物とフラックスとが重量比で1:1となるように両者を混合し、次いでアルミナ製の坩堝に投入して熱処理を行い、その後冷却させて結晶を析出させる。ここで、熱処理温度としては900℃〜1100℃が好ましい。これは熱処理温度が900℃未満の場合は、温度が低いため結晶の成長が十分に進まず、板状のセラミック粒子を得ることができない場合があり、また1100℃以上の高温にしても不必要なエネルギーを消費することになるからである。
そしてその後、フラックス成分をイオン交換水で洗浄・除去し、これにより所望の板状を有する異方形状セラミック粒子が得られる。
このように本実施の形態では、異方形状セラミック粒子の製造過程における熱処理は、前記混合粉末にフラックス成分を添加して熱処理する場合のみであり、したがって熱処理は1回しか行う必要がなく、熱処理に要するコストが削減され、製造コストも低減させることが可能となる。しかも、異方形状セラミック粒子の出発原料としてビスマス層状ペロブスカイト型化合物を使用していないので、Bi等の不要なAサイト成分が混入するおそれはない。したがって特許文献1に示す従来技術のような組成の最適化を考慮する必要はなく、容易に所望の板状を有する異方形状セラミック粒子を製造することが可能となる。
そして、この異方形状セラミック粒子を反応性テンプレートとして使用することにより、以下のように結晶配向したペロブスカイト型のニオブ酸アルカリ金属系セラミックを得ることができる。
すなわち、一般式(K1-x-yNaLi(Nb1-zTa17(ただし、0≦x≦0.5、0≦y≦0.3、0≦z≦0.3)で表わされる異方形状セラミック粒子の主成分1モルに対し、KCO等のアルカリ金属化合物が1モルとなるように、上記異方形状セラミック粉末とアルカリ金属化合物とを混合する。そしてこの混合物をエタノールと共にボールミルに投入し、ボールミル中で所定時間、十分に湿式で混合し、混合粉末を得る。
そしてこの後、例えばフラックス法を適用してニオブ酸アルカリ金属系セラミックを得る。すなわち、混合粉末とフラックス(KCl、NaCl、或いはこれらの混合物等)との配合量が、重量比で例えば1:1となるように、フラックスと前記混合粉末とを混合し、続いてアルミナ製の坩堝内で1000℃程度の温度で約10時間の熱処理を行い、その後、冷却させて結晶を析出させる。そしてこの後、約80℃に加温されたイオン交換水で洗浄してフラックスを除去し、これによりニオブ酸アルカリ金属系セラミックを得ることができる。
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、副成分は熱処理後に酸化物MeOの状態となるものであればよく、したがって主成分との混合時に酸化物である必要はなく、上記実施の形態に示したMnCOのような炭酸塩や、水酸化物であってもよい。
また、本発明の異方形状セラミック粒子は、上述のようにKやNbの一部を所定の置換モル比でもって必要に応じてNa、Li、Taで置換することができることから、最終生成物であるニオブ酸アルカリ金属系セラミックの組成比率の設計自由度を比較的大きくすることが可能であるという利点がある。
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
まず、主成分素原料としてKCO、Nb、NaCO、LiCO及びTaを用意し、主成分(K1-x-yNaLi(Nb1-zTa17のx、y、zが表1の組成となるようにこれら主成分素原料を秤量し、この秤量物をエタノールと共にボールミルに投入し、約8時間湿式で混合し、混合物を作製した。
次いで、得られた混合物を乾燥させた後、750℃の温度で2時間仮焼し、仮焼粉末を得た。
次に、副成分素原料としてSb、CuO、MnCO、V、SiO、TiO及びWOを用意した。そして、副成分となる特定の酸化物MeOの含有量が最終的に表1の組成となるように、これら副成分素原料を秤量した。
そして、前記仮焼粉末と副成分素原料を混合し、エタノールと共にボールミル中で約8時間、湿式で混合し、混合物を得た。
次に、フラックスとしてKClを用意した。そして、この混合物とKClとの配合量が重量比で1:1となるように両者を混合し、アルミナ製の坩堝に投入し、900〜1100℃の温度で10時間の熱処理を行い、その後冷却させた。次いで、イオン交換水で洗浄してKClを除去し、試料番号1〜38のセラミック粒子を得た。
次に、これら試料番号1〜38のセラミック粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、主面の平均粒径を求めた。すなわち、セラミック粒子の最大面を主面として該主面の面積を求め、真円と見做して前記求められた面積から平均粒径を求めた。
また、アスペクト比は、主面の最大径D、及び主面に対し垂直方向の厚みtをそれぞれ測定し、最大径Dを厚みtで除算して求めた。
表1は、試料番号1〜38の組成成分、熱処理温度、平均粒径、及びアスペクト比を示している。
試料番号1、2は、平均粒径が0.8μmと小さく、アスペクト比も1.1〜1.2と小さかった。これはセラミック粒子中に特定の酸化物MeOが含有されていない上、熱処理温度が900〜1000℃と低いため、結晶の成長が十分になされず、所望の板状の異方形状セラミック粒子を得ることができなかったものと思われる。
試料番号3は、熱処理温度を1100℃まで上昇させているため、試料番号1、2に比べると結晶成長が促進されて平均粒径は1.2μmとなり、1μmを超えているものの、セラミック粒子中に特定の酸化物MeOが含有されていないため、アスペクト比は1.5と小さく、所望の異方形状セラミック粒子を得ることができないことが分かった。
試料番号4〜10は、特定の酸化物としてのSbが副成分としてセラミック粒子中に含有されている。
試料番号4は、セラミック粒子中にSbが含有されているものの、その含有モル量aが、主成分1モルに対し0.0005モルと少ないため、平均粒径が0.8μmと小さく、アスペクト比も1.4と小さく、所望の異方形状セラミック粒子を得ることができなかった。
これに対し試料番号5〜9は、セラミック粒子中のSbの含有モル量aが主成分1モルに対し0.001〜0.1モルであるので、平均粒径が1.0μm以上となり、アスペクト比も2.6以上となって所望の板状の異方形状セラミック粒子の得ことができた。しかも、含有モル量aがこの範囲ではSbの含有モル量が増加するに伴い、平均粒径やアスペクト比も大きくなることが確認された。
特に、試料番号6〜9は、Sbの含有モル量aが主成分1モルに対し0.01〜0.1モルであるので、平均粒径が28.0μm以上、アスペクト比が5.3以上と飛躍的に向上することが分かった。
また、試料番号8と試料番号9との対比から明らかなように、セラミック粒子が同一組成であれば、熱処理温度を高くした方が、平均粒径やアスペクト比が大きくなる傾向にあることも分かった。
一方、試料番号10は、セラミック粒子中のSbの含有モル量aが、主成分1モルに対し0.2モルと過剰であるため、同一の熱処理温度で得られた試料番号8と比べ平均粒径が小さくなっている。しかも、この異方形状セラミック粒子は、結晶配向セラミックの反応性テンプレートとして使用されることを考慮すると、平均粒径及びアスペクト比が所望値を確保できるのであれば、副成分としてのSbは極力少ない方が好ましい。
すなわち、セラミック粒子中のSbの含有モル量aは、主成分1モルに対する0.001〜0.1モルが好ましいことが分かった。
図1は試料番号のセラミック粒子を走査型電子顕微鏡で撮像した図であり、図2は試料番号のセラミック粒子を走査型電子顕微鏡で撮像した図を示している。
試料番号4は、Sbの含有モル量aが主成分1モルに対し0.0005モルと少なく、本発明範囲外であるので、図に示すように板状の異方形状セラミック粒子が得られないことが分かった。
これに対し試料番号6は、Sbの含有モル量aが主成分1モルに対し0.01モルであり、本発明範囲内であるので、図に示すように所望の板状を有する異方形状セラミック粒子が得られることが確認された。
試料番号11〜14は、MnOが副成分としてセラミック粒子中に含有されている。
試料番号11〜13は、セラミック粒子中のMnOの含有モル量aが主成分1モルに対し0.01〜0.1モルであるので、平均粒径が32.0〜48.0μm、アスペクト比が5.1〜6.1となり、試料番号6〜9と同様、所望の板状を有する異方形状セラミック粒子の得られることが分かった。
一方、試料番号14は、セラミック粒子中のMnOの含有モル量aが、主成分1モルに対し0.2モルと過剰であるため、同一の熱処理温度で得られた試料番号13と比べ、平均粒径やアスペクト比が却って小さくなっている。
したがって、セラミック粒子中のMnOの含有モル量aは、主成分1モルに対する0.1モル以下が好ましいことが確認された。
試料番号15〜17は、CuOが副成分としてセラミック粒子中に含有されている。
試料番号15、16は、セラミック粒子中のCuOの含有モル量aが主成分1モルに対し0.01〜0.1モルであるので、平均粒径が22.0〜26.0μm、アスペクト比が5.4〜6.5となり、試料番号6〜9と同様、所望の板状を有する異方形状セラミック粒子の得られることが分かった。
一方、試料番号17は、セラミック粒子中のCuOの含有モル量aが、主成分1モルに対し0.2モルと過剰であるため、同一の熱処理温度で得られた試料番号16と比べ、平均粒径やアスペクト比が却って小さくなっている。
したがって、セラミック粒子中のCuOの含有モル量aは、主成分1モルに対する0.1モル以下が好ましいことが確認された。
試料番号18〜20は、SiOが副成分としてセラミック粒子中に含有されている。
試料番号18、19は、セラミック粒子中のSiOの含有モル量aが主成分1モルに対し0.01〜0.1モルであるので、平均粒径が20.0〜23.0μm、アスペクト比が5.1〜5.9となり、試料番号6〜9と同様、所望の板状を有する異方形状セラミック粒子の得られることが分かった。
一方、試料番号20は、セラミック粒子中のSiOの含有モル量aが、主成分1モルに対し0.2モルと過剰であるため、同一の熱処理温度で得られた試料番号19と比べ、平均粒径やアスペクト比が却って小さくなっている。
したがって、セラミック粒子中のSiOの含有モル量aは、主成分1モルに対する0.1モル以下が好ましいことが確認された。
試料番号21〜23は、TiOが副成分としてセラミック粒子中に含有されている。
試料番号21、22は、セラミック粒子中のTiOの含有モル量aが主成分1モルに対し0.01〜0.1モルであるので、平均粒径が24.0〜26.0μm、アスペクト比が5.3〜5.5となり、試料番号6〜9と同様、所望の板状を有する異方形状セラミック粒子の得られることが分かった。
一方、試料番号23は、セラミック粒子中のTiOの含有モル量aが、主成分1モルに対し0.2モルと過剰であるため、同一の熱処理温度で得られた試料番号22と比べ、平均粒径やアスペクト比が却って小さくなっている。
したがって、セラミック粒子中のTiOの含有モル量aは、主成分1モルに対する0.1モル以下が好ましいことが確認された。
試料番号24〜26は、Vが副成分としてセラミック粒子中に含有されている。
試料番号24、25は、セラミック粒子中のVの含有モル量aが主成分1モルに対し0.01〜0.1モルであるので、平均粒径が38.0〜40.0μm、アスペクト比が6.4〜6.7となり、試料番号6〜9と同様、所望の板状を有する異方形状セラミック粒子の得られることが分かった。
一方、試料番号26は、セラミック粒子中のVの含有モル量aが、主成分1モルに対し0.2モルと過剰であるため、同一の熱処理温度で得られた試料番号22と比べ、平均粒径やアスペクト比が却って小さくなっている。
したがって、セラミック粒子中のVの含有モル量aは、主成分1モルに対する0.1モル以下が好ましいことが確認された。
試料番号27〜29は、WOが副成分としてセラミック粒子中に含有されている。
試料番号27、28は、セラミック粒子中のWOの含有モル量aが主成分1モルに対し0.01〜0.1モルであるので、平均粒径が19.0〜25.0μm、アスペクト比が5.1〜5.2となり、試料番号6〜9と同様、所望の板状を有する異方形状セラミック粒子の得られることが分かった。
一方、試料番号29は、セラミック粒子中のWOの含有モル量aが、主成分1モルに対し0.2モルと過剰であるため、同一の熱処理温度で得られた試料番号22と比べ、平均粒径やアスペクト比が却って小さくなっている。
したがって、セラミック粒子中のWOの含有モル量aは、主成分1モルに対する0.1モル以下が好ましいことが確認された。
以上、試料番号4〜29から明らかなように、副成分の含有モル量aは主成分1モルに対し0.001〜0.1モルが好ましく、0.01〜0.1モルがより好ましいことが確認された。
試料番号30〜32はKの一部をNaで置換したものである。
試料番号30は、Naの置換モル比xが0.1であり、置換モル比xが0以外は同一の組成である試料番号6と対比すると、平均粒径は28.0μmから32.0μmに、またアスペクト比は5.3から5.9に向上することが分かった。
試料番号31も、Naの置換モル比xが0.1であり、置換モル比xが0以外は同一の組成である試料番号8と対比すると、平均粒径及びアスペクト比は若干小さくなったが、十分な値を確保できることが分かった。
試料番号32は、Naの置換モル比xが0.5であり、これを試料番号30と対比すると、試料番号6と対比した場合に比べ、平均粒径やアスペクト比の改善幅が小さくなっている。つまり、Naの置換モル比xを、0.5を超えて大きくしても、同一組成、同一熱処理温度であれば、平均粒径やアスペクト比を大きくすることはできないことが分かった。したがって、Naの置換モル比xは0〜0.5とするのが好ましいと考えられる。
試料番号33〜35はKの一部をLiで置換したものである。
試料番号33は、Liの置換モル比yが0.1であり、置換モル比yが0以外は同一の組成である試料番号6と対比すると、平均粒径は28.0μmから32.0μmに、またアスペクト比は5.3から5.9に向上することが分かった。
試料番号34も、Liの置換モル比yが0.1であり、置換モル比yが0以外は同一の組成である試料番号8と対比すると、平均粒径やアスペクト比は小さくなったが、十分な値を確保できることが分かった。
試料番号35は、Liの置換モル比yが0.5であり、試料番号33と対比すると、平均粒径やアスペクト比が共に小さくなっている。つまり、Liの置換モル比yを、0.3を超えて大きくしても、同一組成、同一熱処理温度であれば、平均粒径やアスペクト比を大きくすることはできないことが分かった。したがって、Liの置換モル比yは0〜0.3とするのが好ましいと考えられる。
試料番号36〜38はNbの一部をTaで置換したものである。
試料番号36は、Taの置換モル比zが0.1であり、置換モル比zが0以外は同一の組成である試料番号6と対比すると、平均粒径は28.0μmから30.0μmに、またアスペクト比は5.3から5.4に向上することが分かった。
試料番号37も、Taの置換モル比zが0.1であり、置換モル比zが0以外は同一の組成である試料番号8と対比すると、平均粒径やアスペクト比は小さくなったが、十分な値を確保できることが分かった。
試料番号38は、Taの置換モル比zが0.3であり、試料番号36と対比すると、アスペクト比は大きくなっているものの平均粒径は同等である。すなわち、Taの置換モル比zを、0.3を超えて大きくしても、同一組成、同一熱処理温度であれば、平均粒径を大きくするのは困難であることが分かった。したがって、Taの置換モル比zは0〜0.3とするのが好ましいと考えられる。
表1の試料番号6の異方形状セラミック粉末(KNb17+0.01SbO3/2)を反応性テンプレートとして使用し、KNbOを主成分とするセラミック粉末を作製した。
すなわち、異方形状セラミック粒子の主成分であるKNb171モルに対しKCOが1モルとなるように、試料番号6の異方形状セラミック粉末とKCOとを混合し、この混合物をエタノールと共にボールミルに投入し、ボールミル中で8時間の湿式混合を行い、混合粉末を得た。
続いて、この混合粉末とKCl(フラックス)との配合量が重量比で1:1となるように両者を混合し、続いてアルミナ製の坩堝内で1000℃の温度で10時間の熱処理を行い、その後、冷却させて結晶を析出させた。そしてこの後、約80℃に加温されたイオン交換水で洗浄してKClを除去し、KNbOを主成分とするセラミック粉末を得た。
図3は、このセラミック粉末を走査型電子顕微鏡で撮像した図を示す。
この図3に示すように、本発明の異方形状セラミック粒子を反応性テンプレートとして得られたセラミック粉末は、板状を形成することが分かった。
また、図示は省略するが、この板状セラミック粒子を乳鉢で粉砕してX線回折を行ったところ、KNbOのピークプロファイルと一致することが確認された。

Claims (4)

  1. 板状の異方形状セラミック粒子であって、
    一般式{(K1-x-yNaLi(Nb1-zTa17+aMeO}(ただし、MeはSb、Cu、Mn、V、Si、Ti、及びWからなる群から選択される少なくとも1種の元素を示し、bはMeの価数によって決まる正の数を示す。)で表され、前記x、y、z、及びaは、
    0≦x≦0.5、
    0≦y≦0.3、
    0≦z≦0.3、
    0.001≦a≦0.1
    であることを特徴とする異方形状セラミック粒子。
  2. 平均粒径が1〜100μmであって、主面の最大径Dと該主面に対する垂直方向の厚みtとの比D/tが2以上であることを特徴とする請求項1記載の異方形状セラミック粒子。
  3. 板状の異方形状セラミック粒子を製造する異方形状セラミック粒子の製造方法であって、
    主成分が一般式(K1-x-yNaLi(Nb1-zTa17(ただし、0≦x≦0.5、0≦y≦0.3、0≦z≦0.3)で表わされるように、主成分素原料を秤量して混合し、仮焼処理を施して仮焼粉末を得る仮焼工程と、
    Sb、Cu、Mn、V、Si、Ti、及びWからなる群から選択された少なくとも1種の元素を含有した酸化物からなる副成分が、前記主成分1モルに対し前記元素を基準に0.001〜0.1モルの割合で含有されるように、副成分素原料を秤量し、前記仮焼粉末と混合して混合粉末を得る混合工程と、
    前記混合粉末にフラックス成分を添加して熱処理を行う熱処理工程と、
    前記熱処理後に前記フラックス成分を除去するフラックス除去工程とを含むことを特徴とする異方形状セラミック粒子の製造方法。
  4. 前記フラックス成分は、KCl、NaCl、及びこれらの混合物のうちのいずれかであることを特徴とする請求項3記載の異方形状セラミック粒子の製造方法。
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