JP4850029B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
(1)半導体素子の能動面側に形成された複数のバンプ電極をフリップチップ実装にて実装基板に接合するベアチップもしくはウエハレベルパッケージタイプの半導体装置であって、前記半導体素子と前記実装基板とを接合する前記バンプ電極が半導体素子の能動領域面内および半導体素子の能動領域外のスクライブライン上に設けられることを特徴とする半導体装置とした。
(2)前記バンプ電極が電源,信号用バンプ電極およびダミーバンプ電極から成ることを特徴とする半導体装置とした。
(3)前記バンプ電極において、電源、信号用バンプ電極が半導体素子の前記能動領域面内に形成され、前記半導体素子の能動領域外のスクライブライン上にダミーバンプ電極が前記能動領域面内のバンプ電極を取り囲むように配置,形成されることを特徴とする半導体装置とした。
(4)前記バンプ電極において、電源、信号用バンプ電極に加えてダミーバンプ電極が半導体素子の能動領域面内に形成され、半導体素子の能動領域外のスクライブライン上にダミーバンプ電極が前記能動領域面内のバンプ電極を取り囲むように配置,形成されることを特徴とする半導体装置とした。
(5)前記バンプ電極において、電源、信号用バンプ電極に加えダミーバンプ電極が半導体素子の能動領域面内に形成され、半導体素子の能動領域外のスクライブライン上にダミーバンプ電極または電源、信号用バンプ電極が前記能動領域面内のバンプ電極を取り囲むように配置,形成されることを特徴とする半導体装置とした。
(6)前記半導体素子の能動領域外のスクライブライン上に形成される前記バンプ電極が複数個から成ることを特徴とする半導体装置とした。
(7)前記半導体素子の能動領域外のスクライブライン上に形成される前記バンプ電極が一つの連続体から成ることを特徴とする半導体装置とした。
(8)前記複数個から成るダミーバンプ電極において、半導体素子の4辺のコーナ部に形成されるバンプ電極の各々の体積が、コーナ部以外に形成される各々のバンプ電極よりも大きいことを特徴とする半導体装置とした。
(9)前記バンプ電極が球形、半球形もしくは四角柱に形成されることを特徴とする半導体装置とした。
(10)前記半導体素子の能動領域外のバンプ形成領域におけるスクライブラインの幅が50μm〜200μmとして成ることを特徴とする半導体装置とした。
(11)前記バンプ電極が半田、金、ニッケル,銅などの金属材料からなることを特徴とする半導体装置とした。
(12)前記バンプ電極がスクリーン印刷法、電解メッキ法、無電解メッキ法もしくはボールマウント法によって形成されることを特徴とする半導体装置とした。
2 電源、信号用アルミ電極
3 保護膜
4 能動領域内バンプ電極ランド
5 能動領域外バンプ電極ランド
6 応力緩衝膜
7 能動領域内バンプ電極
8 能動領域外バンプ電極
9 半導体素子の能動領域内
10 半導体素子の能動領域外(スクライブライン)
Claims (3)
- 半導体素子の能動面側に形成された複数のバンプ電極をフリップチップ実装にて実装基板に接合するベアチップもしくはウエハレベルパッケージタイプの半導体装置であって、
前記半導体素子の周囲を取り囲むスクライブラインの内側となる能動領域に設けられた第1のバンプ電極と、
前記半導体素子の周囲を取り囲む前記スクライブラインに隣接して設けられた複数の第2のバンプ電極と、を有し、
前記複数の第2のバンプ電極は前記能動領域を取り囲んで配置されており、それぞれ球形もしくは半球形の形状を有しており、前記半導体素子の4辺のコーナ部に形成される第2のバンプ電極の各々の体積が、コーナ部以外に形成される第2のバンプ電極の各々の体積よりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1のバンプ電極は電源もしくは信号用バンプ電極であり、前記複数の第2のバンプ電極はダミーバンプ電極であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記複数の第2のバンプ電極は各々前記第1のバンプ電極よりも小さい形状を有している請求項1に記載の半導体装置。
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