JP4848563B2 - マルチ−ポートメモリ素子 - Google Patents
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Description
(数1)
1310 基準電圧発生器
1320 レベルシフタ
Claims (24)
- 複数のバスラインを備えるグローバルデータバスと、
該グローバルデータバスとデータを交換するための電流センサ方式の送/受信機を備える複数のデータ送受信ブロックと、
アクティブモード信号に応答して、前記グローバルデータバスのスイング幅を接地電圧より高い第1の電圧VNと電源電圧より低い第2の電圧VPとに制限して駆動するためのターミネーション手段と、
前記第1の電圧VN及び前記第2の電圧VPを生成するための電圧生成手段と
を備えることを特徴とするマルチ−ポートメモリ素子。 - 前記ターミネーション手段は、
ドレインが電源電圧端に接続され、VN+VTNをゲート入力とする第1のNMOSトランジスタ(前記VTNは、前記第1のNMOSトランジスタのしきい電圧である)と、
該第1のNMOSトランジスタのソースと前記グローバルデータバスとの間に接続され、前記アクティブモード信号の反転信号をゲート入力とする第1のPMOSトランジスタと、
ドレインが接地電圧端に接続され、VP−|VTP|をゲート入力とする第2のPMOSトランジスタ(前記VTPは、前記第2のPMOSトランジスタのしきい電圧である)と、
該第2のPMOSトランジスタのソースと前記グローバルデータバスとの間に接続され、前記アクティブモード信号をゲート入力とする第2のNMOSトランジスタとを備えることを特徴とする請求項1に記載のマルチ−ポートメモリ素子。 - 前記ターミネーション手段は、
ソースが電源電圧端に接続され、前記アクティブモード信号の反転信号をゲート入力とする第1のPMOSトランジスタと、
該第1のPMOSトランジスタのドレインと前記グローバルデータバスとの間に接続され、VN+VTNをゲート入力とする第1のNMOSトランジスタ(前記VTNは、前記第1のNMOSトランジスタのしきい電圧である)と、
ソースが接地電圧端に接続され、前記アクティブモード信号をゲート入力とする第2のNMOSトランジスタと、
該第2のNMOSトランジスタのドレインと前記グローバルデータバスとの間に接続され、VP−|VTP|をゲート入力とする第2のPMOSトランジスタ(前記VTPは、前記第2のPMOSトランジスタのしきい電圧である)とを備えることを特徴とする請求項1に記載のマルチ−ポートメモリ素子。 - 前記電圧生成手段は、
前記電源電圧を受け取って、定電圧基準電圧を生成するための基準電圧発生器と、
前記定電圧基準電圧を受け取って、前記第1の電圧VN及び前記第2の電圧VPを生成するためのレベルシフタとを備えることを特徴とする請求項1または3に記載のマルチ−ポートメモリ素子。 - 前記レベルシフタは、
前記接地電圧端に接続され、バイアス電圧をゲート入力とするシンクNMOSトランジスタと、
該シンクNMOSトランジスタと第1のノードとの間に接続され、前記定電圧基準電圧をゲート入力とする第1の差動入力NMOSトランジスタと、
前記シンクNMOSトランジスタと第2のノードとの間に接続され、フィードバック基準電圧をゲート入力とする第2の差動入力NMOSトランジスタと、
前記第1のノードと前記電源電圧端との間に接続され、前記第2のノードにかかった電圧をゲート入力とする第1のロードPMOSトランジスタと、
前記第2のノードと前記電源電圧端との間に接続され、第2のノードにかかった電圧をゲート入力とする第2のロードPMOSトランジスタ(前記第1のロードPMOSトランジスタと電流ミラーとを構成する)と、
第3のノードと前記電源電圧端との間に接続され、前記第1のノードにかかった電圧をゲート入力とする駆動PMOSトランジスタと、
前記第3のノードと前記接地電圧端との間に接続され、前記フィードバック基準電圧を提供するための電圧ディバイダーを備え、
前記第3のノードに前記第1の電圧VNを出力し、前記電圧ディバイダーの出力端に前記第2の電圧VPを出力することを特徴とする請求項4に記載のマルチ−ポートメモリ素子。 - 前記基準電圧発生器は、ワイドラー型またはバンドキャップ型の基準電圧発生回路で具現することを特徴とする請求項4に記載のマルチ−ポートメモリ素子。
- それぞれの前記データ送受信ブロックに備えられた前記送信機は、
前記グローバルデータバスと前記接地電圧端との間に順に接続され、それぞれデータ信号及びデータ駆動パルスをゲート入力とする第3及び第4のNMOSトランジスタを備えることを特徴とする請求項2または3に記載のマルチ−ポートメモリ素子。 - それぞれの前記データ送受信ブロックに備えられた前記受信機は、
ソースが前記電源電圧端に接続され、ドレインとゲートとがダイオード接続された第3のPMOSトランジスタと、
ソースが前記電源電圧端に接続され、ドレインが出力ノードに接続された第4のPMOSトランジスタと、
ドレインが前記第3のPMOSトランジスタのドレインに接続され、ソースが前記グローバルデータバスに接続され、ゲートを介して前記基準電圧を受け取る第5のNMOSトランジスタと、
ドレインが前記第4のPMOSトランジスタのドレイン(出力ノード)に接続され、ゲートを介して前記基準電圧を受け取る第6のNMOSトランジスタと、
ドレインが前記第6のNMOSトランジスタのソースに接続され、ソースが前記接地電圧端に接続され、ゲートを介してデータ評価信号を受け取る第7のNMOSトランジスタとを備えることを特徴とする請求項7に記載のマルチ−ポートメモリ素子。 - 複数のバスラインを備えるグローバルデータバスと、
該グローバルデータバスとデータとを交換するための電流センサ方式の送/受信器を備える複数のデータ送受信ブロックと、
アクティブモード信号に応答して、前記グローバルデータバスのスイング幅を接地電圧と第1の電圧VP(電源電圧より低いレベルである)に制限して駆動するためのターミネーション手段と、
前記第1の電圧VPを生成するための電圧生成手段と
を備えることを特徴とするマルチ−ポートメモリ素子。 - 前記ターミネーション手段は、
ドレインが接地電圧端に接続され、VP−|VTP|をゲート入力とする第1のPMOSトランジスタ(前記VTPは、前記第1のPMOSトランジスタのしきい電圧である)と、
前記第1のPMOSトランジスタのソースと前記グローバルデータバスとの間に接続され、前記アクティブモード信号をゲート入力とする第1のNMOSトランジスタとを備えることを特徴とする請求項9に記載のマルチ−ポートメモリ素子。 - 前記ターミネーション手段は、
ソースが接地電圧端に接続され、前記アクティブモード信号をゲート入力とする第1のNMOSトランジスタと、
前記第1のNMOSトランジスタのドレインと前記グローバルデータバスとの間に接続され、VP−|VTP|をゲート入力とする第1のPMOSトランジスタ(前記VTPは、前記第1のPMOSトランジスタのしきい電圧である)とを備えることを特徴とする請求項9に記載のマルチ−ポートメモリ素子。 - 前記電圧生成手段は、
前記電源電圧を受け取って定電圧基準電圧を生成するための基準電圧発生器と、
前記定電圧基準電圧を受け取って、前記第1の電圧VPを生成するためのレベルシフタとを備えることを特徴とする請求項10または11に記載のマルチ−ポートメモリ素子。 - 前記レベルシフタは、
前記接地電圧端に接続され、バイアス電圧をゲート入力とするシンクNMOSトランジスタと、
該シンクNMOSトランジスタと第1のノードとの間に接続され、前記定電圧基準電圧をゲート入力とする第1の差動入力NMOSトランジスタと、
前記シンクNMOSトランジスタと第2のノードとの間に接続され、フィードバック基準電圧をゲート入力とする第2の差動入力NMOSトランジスタと、
前記第1のノードと前記電源電圧端との間に接続され、前記第2のノードにかかった電圧をゲート入力とする第1のロードPMOSトランジスタと、
前記第2のノードと前記電源電圧端との間に接続され、第2のノードにかかった電圧をゲート入力とする第2のロードPMOSトランジスタ(前記第1のロードPMOSトランジスタと電流ミラーとを構成する)と、
第3のノードと前記電源電圧端との間に接続され、前記第1のノードにかかった電圧をゲート入力とする駆動PMOSトランジスタと、
前記第3のノードと前記接地電圧端との間に接続され、前記フィードバック基準電圧を提供するための電圧ディバイダーとを備え、
該電圧ディバイダーの出力端に前記第1の電圧VPを出力することを特徴とする請求項12に記載のマルチ−ポートメモリ素子。 - 前記基準電圧発生器は、ワイドラー型またはバンドキャップ型の基準電圧発生回路で具現することを特徴とする請求項12に記載のマルチ−ポートメモリ素子。
- それぞれの前記データ送受信ブロックに備えられた前記送信機は、
前記グローバルデータバスと前記接地電圧端との間に順に接続され、それぞれデータ信号及びデータ駆動パルスをゲート入力とする第2及び第3のNMOSトランジスタを備えることを特徴とする請求項10または11に記載のマルチ−ポートメモリ素子。 - それぞれの前記データ送受信ブロックに備えられた前記受信機は、
ソースが前記電源電圧端に接続され、ドレインとゲートとがダイオード接続された第2のPMOSトランジスタと、
ソースが前記電源電圧端に接続され、ドレインが出力ノードに接続された第3のPMOSトランジスタと、
ドレインが前記第2のPMOSトランジスタのドレインに接続され、ソースが前記グローバルデータバスに接続され、ゲートを介して前記基準電圧を受け取る第4のNMOSトランジスタと、
ドレインが前記第3のPMOSトランジスタのドレイン(出力ノード)に接続され、ゲートを介して前記基準電圧を受け取る第5のNMOSトランジスタと、
ドレインが前記第5のNMOSトランジスタのソースに接続され、ソースが前記接地電圧端に接続され、ゲートを介してデータ評価信号を受け取る第6のNMOSトランジスタとを備えることを特徴とする請求項15に記載のマルチ−ポートメモリ素子。 - 複数のバスラインを備えるグローバルデータバスと、
該グローバルデータバスとデータとを交換するための電流センサ方式の送/受信機を備える複数のデータ送受信ブロックと、
アクティブモード信号に応答して、前記グローバルデータバスのスイング幅を第1の電圧VN(接地電圧より高いレベルである)と電源電圧とに制限して駆動するためのターミネーション手段と、
前記第1の電圧VNを生成するための電圧生成手段と
を備えることを特徴とするマルチ−ポートメモリ素子。 - 前記ターミネーション手段は、
ドレインが電源電圧端に接続され、 VN+ VTNをゲート入力とする第1のNMOSトランジスタ(前記VTNは、前記第1のNMOSトランジスタのしきい電圧である)と、
該第1のNMOSトランジスタのソースと前記グローバルデータバスとの間に接続され、前記アクティブモード信号の反転信号をゲート入力とする第1のPMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項17に記載のマルチ−ポートメモリ素子。 - 前記ターミネーション手段は、
ソースが電源電圧端に接続され、前記アクティブモード信号の反転信号をゲート入力とする第1のPMOSトランジスタと、
該第1のPMOSトランジスタのドレインと前記グローバルデータバスとの間に接続され、VN+ VTNをゲート入力とする第1のNMOSトランジスタ(前記VTNは、前記第1のNMOSトランジスタのしきい電圧である)と
を備えることを特徴とする請求項17に記載のマルチ−ポートメモリ素子。 - 前記電圧生成手段は、
前記電源電圧を受け取って、定電圧基準電圧を生成するための基準電圧発生器と、
前記定電圧基準電圧を受け取って、前記第1の電圧VNを生成するためのレベルシフタと
を備えることを特徴とする請求項18または19に記載のマルチ−ポートメモリ素子。 - 前記レベルシフタは、
前記接地電圧端に接続され、バイアス電圧をゲート入力とするシンクNMOSトランジスタと、
該シンクNMOSトランジスタと第1のノードとの間に接続され、前記定電圧基準電圧をゲート入力とする第1の差動入力NMOSトランジスタと、
前記シンクNMOSトランジスタと第2のノードとの間に接続され、フィードバック基準電圧をゲート入力とする第2の差動入力NMOSトランジスタと、
前記第1のノードと前記電源電圧端との間に接続され、前記第2のノードにかかった電圧をゲート入力とする第1のロードPMOSトランジスタと、
前記第2のノードと前記電源電圧端との間に接続され、第2のノードにかかった電圧をゲート入力とする第2のロードPMOSトランジスタ(前記第1のロードPMOSトランジスタと電流ミラーとを構成する)と、
第3のノードと前記電源電圧端との間に接続され、前記第1のノードにかかった電圧をゲート入力とする駆動PMOSトランジスタと、
前記第3のノードと前記接地電圧端との間に接続され、前記フィードバック基準電圧を提供するための電圧ディバイダーを備え、
前記第3のノードに前記第1の電圧VNを出力することを特徴とする請求項20に記載のマルチ−ポートメモリ素子。 - 前記基準電圧発生器は、ワイドラー型またはバンドキャップ型の基準電圧発生回路で具現することを特徴とする請求項20に記載のマルチ−ポートメモリ素子。
- それぞれの前記データ送受信ブロックに備えられた前記送信機は、
前記グローバルデータバスと前記接地電圧端との間に順に接続され、それぞれデータ信号及びデータ駆動パルスをゲート入力とする第2及び第3のNMOSトランジスタを備えることを特徴とする請求項18または19に記載のマルチ−ポートメモリ素子。 - それぞれの前記データ送受信ブロックに備えられた前記受信機は、
ソースが前記電源電圧端に接続され、ドレインとゲートとがダイオード接続された第2のPMOSトランジスタと、
ソースが前記電源電圧端に接続され、ドレインが出力ノードに接続された第3のPMOSトランジスタと、
ドレインが前記第2のPMOSトランジスタのドレインに接続され、ソースが前記グローバルデータバスに接続され、ゲートを介して前記基準電圧を受け取る第4のNMOSトランジスタと、
ドレインが前記第3のPMOSトランジスタのドレイン(出力ノード)に接続され、ゲートを介して前記基準電圧を受け取る第5のNMOSトランジスタと、
ドレインが前記第5のNMOSトランジスタのソースに接続され、ソースが前記接地電圧端に接続され、ゲートを介してデータ評価信号を受け取る第6のNMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項23に記載のマルチ−ポートメモリ素子。
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