JP4836435B2 - 半導体メモリ装置およびこの装置のテストパターンデータ発生方法 - Google Patents
半導体メモリ装置およびこの装置のテストパターンデータ発生方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4836435B2 JP4836435B2 JP2004328201A JP2004328201A JP4836435B2 JP 4836435 B2 JP4836435 B2 JP 4836435B2 JP 2004328201 A JP2004328201 A JP 2004328201A JP 2004328201 A JP2004328201 A JP 2004328201A JP 4836435 B2 JP4836435 B2 JP 4836435B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- address
- data
- bit
- test pattern
- pattern data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/36—Data generation devices, e.g. data inverters
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/36—Data generation devices, e.g. data inverters
- G11C2029/3602—Pattern generator
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Dram (AREA)
Description
従って、従来の半導体メモリ装置は、並列ビットテストのために使われるMRSコードの数が多すぎ、他の用途に使用するためのMRSコードの数が不足するという問題点があった。
本発明の他の目的は、前記目的を達成するための半導体メモリ装置のテストパターンデータ発生方法を提供することにある。
前記半導体メモリ装置は、前記ライト命令および並列ビットテスト信号に応答して前記所定ビットのアドレスを前記テストパターンデータ発生回路として出力するためのスイッチをさらに備えることを特徴とする。
また、本発明は、テストパターンデータを発生するためのMRSコードを別途の設定をすることなく、多様な形態のテストパターンデータを発生することができる。
従って、本発明の半導体メモリ装置およびこの装置のテストパターンデータ発生方法によれば、既存の並列ビットテストのために使用されていたMRSコードを他の用途で使用することができる。
以下に、図1に示したブロックのそれぞれの機能を説明する。
図2で、信号P1BW,P2BW,P4BWは、図1のコードCODEに該当する。
転送回路40は、ライト命令WRおよび「1」のデータDに応答して並列ビットテスト信号PBTX1および信号P1BW,P2BW,P4BWをテストパターンデータTPDで転送する。反転および転送回路42は、ライト命令WRおよび「0」のデータDに応答して並列ビットテスト信号PBTX1および信号P1BW,P2BW,P4BWを反転してテストパターンデータTPDで転送する。
従って、図1に示す方法は少ない数のMRSコードを使用して多様なテストパターンデータを発生することはできるが、テスト時間が長くかかるという弱点がある。
図4で、図1に示すブロックと同一の参照番号を有するほとんどのブロックは、図1に示すブロックと同様な機能を実行するため、これらのブロックに対する説明は省略する。しかしながら、モード設定レジスタ12およびテストパターンデータ発生回路14は、図1に示すブロックと同一の参照番号を有するが、機能上に多少差がある。それで、ここではこれらのブロックの機能に関してだけ説明することにする。
第2の段階T12の動作は、図3に示した第3の段階T3の動作と同様であるため省略する。
12:モード設定レジスタ
14:テストパターンデータ発生回路
16:スイッチ
18:データ入力バッファ
20:スイッチ
22:アドレス入力バッファ
24:アドレスデコーダ
26:データマルチプレクサ
28:データ入力ドライブ
40:転送回路
42:反転および転送回路
50:スイッチ
100:メモリセルアレイ
Claims (11)
- モード設定命令に応答して外部から印加されるモード設定レジスタコードにより並列ビットテスト信号を設定するモード設定レジスタと、
ライト命令に応答して外部から印加される、少なくとも1ビットのデータを入力して出力するデータ入力回路と、
ライト命令に応答して外部から印加されるアドレスを入力して出力するアドレス入力回路と、
前記ライト命令および前記並列ビットテスト信号に応答して前記ライト命令と共に入力される、前記アドレスのうち一部の所定ビットアドレスおよび前記少なくとも1ビットのデータを組合せてテストパターンデータを発生するテストパターンデータ発生回路と、を備え、
前記テストパターンデータは、並列ビットテスト動作中、前記アドレスのうち前記所定ビットアドレス以外のアドレスによって選択されたメモリセル内に格納されることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記テストパターンデータ発生回路は、
前記少なくとも1ビットのデータに応答して前記並列ビットテスト信号および前記所定ビットアドレスをそのまま出力することによって前記テストパターンデータを発生する転送回路と、
前記少なくとも1ビットのデータに応答して前記並列ビットテスト信号および前記所定ビットアドレスを反転して出力することによって前記テストパターンデータを発生する反転および転送回路と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記所定ビットアドレスは、
並列ビットテスト時に、アドレスとしては使用されないビットのアドレスであることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記アドレスは、
コラムアドレスであることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記半導体メモリ装置は、
前記ライト命令および並列ビットテスト信号に応答して前記所定ビットアドレスを前記テストパターンデータ発生回路に出力するためのスイッチをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - モード設定命令に応答して外部から印加されるモード設定レジスタコードにより並列ビットテスト信号を設定するモード設定レジスタと、
ライト命令に応答して外部から印加されるデータを入力して出力するデータ入力回路と、
アクティブ命令に応答して外部から印加されるロウアドレスを入力して出力し、前記ライト命令に応答して外部から印加されるコラムアドレスを入力して出力するアドレス入力回路と、
前記アドレス入力回路に結合され、前記ライト命令および前記並列ビットテスト信号に応答して前記アドレス入力回路から前記コラムアドレスのうち一部の所定ビットアドレスを選択して出力するスイッチと、
前記スイッチと前記データ入力回路とに結合され、前記ライト命令および前記並列ビットテスト信号に応答して、前記所定ビットアドレスと前記データ入力回路から出力されるデータのうち少なくとも1ビットのデータとを組合せてテストパターンデータを発生するテストパターンデータ発生回路と、
前記テストパターンデータ、または前記データ入力回路から出力されるデータのいずれかを選択して出力するデータ選択回路と、
前記アドレス入力回路から出力されるアドレスのうち前記所定ビットアドレス以外のアドレスに応答して選択されたメモリセルに前記データ選択回路から出力されるデータを保存するメモリセルアレイと、
を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記所定ビットアドレスは、
並列ビットテスト時に、アドレスとして使用されないビットのアドレスであることを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ装置。 - モード設定命令に応答して外部から印加されるモード設定レジスタコードにより並列ビットテスト信号を設定する段階と、
ライト命令に応答して外部から印加される、少なくとも1ビットのデータおよびアドレスを入力する段階と、
ライト命令および前記並列ビットテスト信号に応答して、前記アドレスのうち一部の所定ビットアドレスおよび前記少なくとも1ビットのデータを組合せてテストパターンデータを発生する段階と、を備え、
前記テストパターンデータは、並列ビットテスト動作中、前記アドレスのうち前記所定ビットアドレス以外のアドレスによって選択されたメモリセル内に格納されることを特徴とする半導体メモリ装置のテストパターンデータ発生方法。 - 前記テストパターンデータを発生する段階は、
前記少なくとも1ビットのデータに応答して、前記並列ビットテスト信号および前記所定ビットアドレスをそのまま出力したり、
前記少なくとも1ビットのデータに応答して、前記並列ビットテスト信号および前記所定ビットアドレスを反転して出力することを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ装置のテストパターンデータ発生方法。 - 前記所定ビットアドレスは、
並列ビットテスト時に、アドレスとして使用されないビットのアドレスであることを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ装置のテストパターンデータ発生方法。 - 前記アドレスは、
コラムアドレスであることを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ装置のテストパターンデータ発生方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2003-080726 | 2003-11-14 | ||
KR1020030080726A KR100558492B1 (ko) | 2003-11-14 | 2003-11-14 | 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 테스트 패턴 데이터발생방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005149713A JP2005149713A (ja) | 2005-06-09 |
JP4836435B2 true JP4836435B2 (ja) | 2011-12-14 |
Family
ID=34567749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004328201A Expired - Fee Related JP4836435B2 (ja) | 2003-11-14 | 2004-11-11 | 半導体メモリ装置およびこの装置のテストパターンデータ発生方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7257754B2 (ja) |
JP (1) | JP4836435B2 (ja) |
KR (1) | KR100558492B1 (ja) |
TW (1) | TWI258147B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100630716B1 (ko) * | 2004-11-11 | 2006-10-02 | 삼성전자주식회사 | 다양한 패턴 데이터를 쓸 수 있는 반도체 메모리 소자 및그 전기적 검사방법 |
US7587645B2 (en) * | 2005-01-24 | 2009-09-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Input circuit of semiconductor memory device and test system having the same |
KR101287863B1 (ko) * | 2006-07-24 | 2013-07-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 입력회로, 및 이를 구비한 테스트시스템 |
US7958422B2 (en) * | 2006-03-27 | 2011-06-07 | Sapphire Infotech, Inc. | Method and apparatus for generating self-verifying device scenario code |
US7405992B2 (en) * | 2006-10-25 | 2008-07-29 | Qimonda North America Corp. | Method and apparatus for communicating command and address signals |
KR100791348B1 (ko) | 2006-12-15 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그 병렬 비트 테스트 방법 |
KR101097447B1 (ko) * | 2010-05-31 | 2011-12-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 데이터 전송 장치 |
KR20120003675A (ko) * | 2010-07-05 | 2012-01-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치에서의 테스트 모드 제어회로 및 테스트 모드 진입 방법 |
TWI602181B (zh) * | 2012-02-29 | 2017-10-11 | 三星電子股份有限公司 | 記憶體系統以及使用測試元件傳輸失效位址至記憶體元件的操作方法 |
KR102401182B1 (ko) * | 2018-01-19 | 2022-05-24 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 메모리 패키지 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5173906A (en) * | 1990-08-31 | 1992-12-22 | Dreibelbis Jeffrey H | Built-in self test for integrated circuits |
JPH04134700A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-08 | Nec Corp | ダイナミック型半導体記憶装置 |
US5883843A (en) * | 1996-04-30 | 1999-03-16 | Texas Instruments Incorporated | Built-in self-test arrangement for integrated circuit memory devices |
JPH10340599A (ja) * | 1997-06-05 | 1998-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US6006347A (en) * | 1997-09-17 | 1999-12-21 | Cypress Semiconductor Corporation | Test mode features for synchronous pipelined memories |
JPH11120796A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の検査方法 |
JP3842971B2 (ja) * | 1998-02-17 | 2006-11-08 | インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト | テスト装置およびデジタル半導体回路装置の検査方法 |
US6374370B1 (en) * | 1998-10-30 | 2002-04-16 | Hewlett-Packard Company | Method and system for flexible control of BIST registers based upon on-chip events |
KR100327136B1 (ko) * | 1999-10-20 | 2002-03-13 | 윤종용 | 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 병렬 비트 테스트 방법 |
JP2002025292A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
JP2003007097A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Nec Microsystems Ltd | 半導体記憶装置およびそのテスト方法 |
KR100464436B1 (ko) * | 2002-11-20 | 2004-12-31 | 삼성전자주식회사 | 병렬비트 테스트시 데이터 입출력 포맷을 변환하는 회로및 방법 |
-
2003
- 2003-11-14 KR KR1020030080726A patent/KR100558492B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-09-29 US US10/954,870 patent/US7257754B2/en active Active
- 2004-11-08 TW TW093134038A patent/TWI258147B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-11-11 JP JP2004328201A patent/JP4836435B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7257754B2 (en) | 2007-08-14 |
KR20050046461A (ko) | 2005-05-18 |
TW200523938A (en) | 2005-07-16 |
TWI258147B (en) | 2006-07-11 |
KR100558492B1 (ko) | 2006-03-07 |
US20050108607A1 (en) | 2005-05-19 |
JP2005149713A (ja) | 2005-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH01118297A (ja) | 不揮発性半導体メモリ | |
JP4836435B2 (ja) | 半導体メモリ装置およびこの装置のテストパターンデータ発生方法 | |
JP5020489B2 (ja) | リフレッシュの実行時に、リフレッシュするバンクの個数を可変できる半導体メモリ装置及びその動作方法 | |
US7733738B2 (en) | Semiconductor memory device and a data write and read method thereof | |
KR100560773B1 (ko) | 동작 모드의 재설정없이 버스트 길이를 제어할 수 있는반도체 메모리 장치 및 그것을 포함하는 메모리 시스템 | |
JP3822371B2 (ja) | 同時カラム選択ライン活性化回路を具備する半導体メモリ装置及びカラム選択ライン制御方法 | |
JP2009099202A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US20110119563A1 (en) | Semiconductor memory | |
KR100336955B1 (ko) | 반도체 기억 장치 | |
JP4327482B2 (ja) | 同期型半導体記憶装置 | |
JP3567318B2 (ja) | 半導体記憶装置およびその設計方法 | |
JPH0411959B2 (ja) | ||
JPH097399A (ja) | 半導体記憶回路装置 | |
JP3190781B2 (ja) | 半導体メモリ | |
JPH05166391A (ja) | メモリ装置 | |
JP3642420B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH10241352A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP3299176B2 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
JP2005032375A (ja) | 半導体記憶装置、及びそのテスト方法 | |
JPH06290584A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2002269999A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP4358003B2 (ja) | 半導体メモリ | |
JP2009146555A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2004241116A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JPH05325597A (ja) | メモリ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070516 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100223 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100524 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110531 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110607 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110906 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110927 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |