JP4824892B2

JP4824892B2 - シロキサンコポリカーボネートの製造方法

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Publication number: JP4824892B2
Application number: JP2001553845A
Authority: JP
Inventors: バナッハ，ティモシー・エドワード; デービス，ゲーリー・チャールズ; スミゲルスキー，ポール・マイケル，ジュニア; マックロスキー，パトリック・ジョセフ
Original assignee: モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・インク
Priority date: 2000-01-18
Filing date: 2000-10-17
Publication date: 2011-11-30
Anticipated expiration: 2020-10-17
Also published as: EP1272543B1; US6252013B1; ES2280255T3; KR20030031882A; DE60033061D1; DE60033061T2; AU2001210921A1; EP1272543A1; JP2003524031A; KR100850125B1; WO2001053380A1; CN1451022A; CN1252126C; TWI226344B

Description

【０００１】
【発明の技術的背景】
本発明はシロキサンコポリカーボネートの製造方法に関する。さらに具体的には、本発明はシロキサンコポリカーボネートを製造するための溶融縮重合法に関する。
【０００２】
シロキサンコポリカーボネート及びその製造法は長年にわたり広く研究されてきた。シロキサンコポリカーボネートは周知の熱可塑性樹脂であり、射出成形用途で良好な流動特性及び離型性を有する。シロキサンコポリカーボネートの製造に一般に用いられている合成法は界面ホスゲン化法である。
【０００３】
Ｐｈｅｌｐｓらの米国特許第５５３００８３号に記載された界面ホスゲン化法では、芳香族ジヒドロキシ化合物とホスゲンと触媒をヒドロキシアリール末端ジオルガノポリシロキサンと反応させる。この方法ではシロキサンモノマーはコポリカーボネート中に順調に組み込まれる。残念なことに、この界面ホスゲン化では化学的に有害なホスゲン及び環境面で有害な塩素化溶媒を使用する。
【０００４】
溶融縮重合はコポリカーボネートのようなポリマーの周知の製造方法である。この方法はシロキサンコポリカーボネートの製造には未だ利用されていない。典型的な溶融プロセスに際して、シロキサン鎖の切断とそれに続くシロキサンの解重合によりシロキサン鎖の激しい分解が起こり、ジメチルシロキサン環状四量体（Ｄ₄）のような環状シロキサンを生じる。シロキサン鎖の分解のためシロキサンコポリカーボネートの生成が阻害されるため、この方法はシロキサンコポリカーボネートの製造には利用されていない。
【０００５】
界面法についての環境上の懸念及び溶融縮重合法でのシロキサン鎖の分解のため、新たなシロキサンコポリカーボネート合成法は絶えず求められてきた。
【０００６】
【発明の概要】
本発明は、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとヒドロキシアリール末端ポリジオルガノシロキサンと触媒を塩と共に反応させることからなるシロキサンコポリカーボネート製造用の溶融重合法を提供する。塩は約０．１Ｍ水溶液中で約０〜約７のｐＨを有する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
今般、酸性又は中性塩を用いることで溶融縮重合法をシロキサンコポリカーボネートの製造に使用できることが判明した。酸性又は中性塩が存在しないと、ヒドロキシアリール末端ポリジオルガノシロキサンのシロキサン鎖は通例分解する。さらに、ヒドロキシアリール末端ポリジオルガノシロキサンのシロキサン鎖が解重合して環状シリコーンを生ずる。塩の添加はシロキサン鎖を無傷のまま保つのに有効で、シロキサンポリカーボネートを首尾よく製造できる。
【０００８】
本発明で典型的に用いられる塩としては、特に限定されないが、ハロ酸の塩及び不揮発性の酸の塩がある。ハロ酸の塩は塩酸、臭化水素酸又はヨウ化水素酸のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩である。不揮発性酸の塩は、亜リン酸、リン酸、イオウ酸のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩、及び亜硫酸のようなイオウ酸の低級オキソ酸塩である。不揮発性酸の塩としては、リン酸塩、亜リン酸塩、硫酸塩、亜硫酸塩、及びＥＤＴＡのようなキレート型カルボン酸の塩がある。使用される典型的な塩は、リン酸塩、セシウム塩、ナトリウム塩、ハロゲン化物塩及びこれらの組合せである。塩は約０．１Ｍ水溶液中で約０〜約７のｐＨを有する。好ましくは、塩は約０．１Ｍ水溶液中で約５〜約６のｐＨを有する。
【０００９】
溶融縮重合法で使用する典型的な触媒としては、特に限定されないが、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、第四級アンモニウム化合物及びこれらの組合せがある。
【００１０】
触媒として有用なアルカリ金属化合物には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム、ステアリン酸リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、フェニル化ホウ素ナトリウム、安息香酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安息香酸リチウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸水素二リチウム、ビスフェノールＡの二ナトリウム塩、二カリウム塩及び二リチウム塩、並びにフェノールのナトリウム塩、カリウム塩及びリチウム塩がある。
【００１１】
触媒として有用なアルカリ土類金属化合物には、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カルシウム、炭酸水素バリウム、炭酸水素マグネシウム、炭酸水素ストロンチウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、酢酸カルシウム、酢酸バリウム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロンチウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸マグネシウム及びステアリン酸ストロンチウムがある。
【００１２】
触媒として有用な第四級アンモニウム化合物には、水酸化テトラメチルアンモニウムや水酸化テトラエチルアンモニウムのようなテトラアルキルアンモニウム化合物がある。
【００１３】
好ましい触媒としては水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化ナトリウム及びこれらの混合物がある。
【００１４】
塩は通例溶融縮重合プロセスの所期段階で添加する。最も典型的には、塩は反応器の温度が約１００℃に達する前に添加される。この温度を超えるとシロキサン鎖の分解が起こるからである。塩は、溶液又は固体の形態など、どんな形態で添加してもよい。
【００１５】
炭酸ジエステルは一般式Ｒ₂（ＣＯ₃）のものであり、式中、Ｒはアルキル基又はアリール基である。炭酸ジエステルの典型例としては、炭酸ジフェニル、炭酸ジトリル、炭酸ビス（クロロフェニル）、炭酸ｍ−クレジル、炭酸ジナフチル、炭酸ジエチル、炭酸ジメチル、炭酸ジブチル、炭酸ジシクロヘキシル及びこれらの組合せがあるが、これらに限定されない。最も多用される炭酸ジエステルは炭酸ジフェニルである。
【００１６】
本発明の実施に使用し得るヒドロキシアリール末端ポリジオルガノシロキサンとして、次の式（Ｉ）に包含されるフェノール−シロキサンがある。
【００１７】
【化１】

【００１８】
式中、Ｒは水素から選択され、各Ｒは独立にハロゲン、Ｃ_(1-8)アルコキシ、Ｃ_(1-8)アルキル及びＣ_(6-13)アリールから選択される同一又は異なる基であり、Ｒ¹はＣ_(2-8)二価脂肪族基であり、Ｒ²は独立に同一又は異なるＣ_(1-13)一価有機基から選択され、ｎは約１〜約１００の範囲内の整数であって約１０〜約１００の平均値を有する。好ましくは、ｎは約５〜約７５の値を有し、さらに典型的には約１０〜約６０の値を有する。
【００１９】
ヒドロキシアリール末端ポリジオルガノシロキサンは、次の式（II）の水素化シロキサンと脂肪族性不飽和一価フェノールとの白金触媒による付加反応を実施することで製造できる。
【００２０】
【化２】

【００２１】
式中、Ｒ²及びｎは既に定義した通りである。類似の方法の例は米国特許第５３５７０２２号及び同第５５３００８３号に開示されている。
【００２２】
式ＩのＲに包含される基には、ブロモ及びクロロのようなハロゲン原子、メチル、エチル及びプロピルのようなアルキル基、メトキシ、エトキシ及びプロポキシのようなアルコキシ基、フェニル、クロロフェニル及びトリルのようなアリールがある。Ｒ¹に包含される基は、例えば、ジメチレン、トリメチレン及びテトラメチレンである。Ｒ²に包含される基は、例えば、Ｃ_(1-8)アルキル基、トリフルオロプロピルのようなハロアルキル基、及びシアノアルキル基、並びにフェニル、クロロフェニル及びトリルのようなアリール基である。Ｒ²は好ましくはメチル又はメチルとトリフルオロプロピルの混合物又はメチルとフェニルの混合物である。
【００２３】
ヒドロキシアリール末端ポリジオルガノシロキサンの製造に使用し得る脂肪族性不飽和一価フェノールには、例えば、オイゲノール、２−アリルフェノール、４−アリル−２−メチルフェノール、４−アリル−２−フェニルフェノール、４−アリル−２−ブロモフェノール、４−アリル−２−ｔ−ブトキシフェノール、２−メチル−４−プロパルギルフェノール、２−アリル−４−ブロモ−６−メチルフェノール、２−アリル−６−メトキシ−４−メチルフェノール、２−アリル−４，６−ジメチルフェノール、４−ビニルフェノール及びｐ−イソプロフェニルフェノールがある。
【００２４】
シロキサンコポリカーボネートの製造に適した芳香族ジヒドロキシ化合物としては、次の式（III）で表されるものがある。
（III）ＨＯ−Ｄ−ＯＨ
式中、Ｄは二価芳香族基である。好ましくは、Ｄは次式（IV）の構造を有する。
【００２５】
【化３】

【００２６】
式中、Ａ¹はフェニレン、ビフェニレン及びナフチレンなどの芳香族基を表す。Ｅはメチレン、エチレン、エチリデン、プロピレン、プロピリデン、イソプロピリデン、ブチレン、ブチリデン、イソブチリデン、アミレン、アミリデン及びイソアミリデンのようなアルキレン基又はアルキリデン基とし得る。Ｅがアルキレン基又はアルキリデン基の場合、アルキレンやアルキリデンとは異なる芳香族結合、第三級アミノ結合、エーテル結合、カルボニル結合、シランやシロキシなどの含ケイ素結合、スルフィド、スルホキシドもしくはスルホンなどの含イオウ結合、又はホスフィニルやホスホニルなどの含リン結合などの部分で連結された２以上のアルキレン基又はアルキリデン基からなるものでもよい。さらに、Ｅは、シクロペンチリデン、シクロヘキシリデン、３，３，５−トリメチルシクロヘキシリデン、メチルシクロヘキシリデン、２−［２．２．１］−ビシクロへプチリデン、ネオペンチリデン、シクロペンタデシリデン、シクロドデシリデン及びアダマンチリデンなどの環式脂肪族基でもよい。Ｒ⁵は水素、又は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルカリール基、シクロアルキル基もしくはビシクロアルキル基のような一価炭化水素基を表す。「アルキル基」という用語は直鎖アルキル基及び枝分れアルキル基を意味する。直鎖及び枝分れアルキル基は好ましくは炭素原子数が約２〜約２０のもので、非限定的な具体例としては、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシルがある。アリール基の具体例としてはフェニルやトリルなどがある。シクロアルキル基又はビシクロアルキル基は、好ましくは環炭素原子数が約３〜約１２で全炭素原子数が約５０以下のものである。これらのシクロアルキル基の非限定的な具体例としては、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル及びシクロヘプチルが挙げられる。好ましいアラルキル基は好ましくは炭素原子数が約７〜約１４のものであり、具体例として、ベンジル、フェニルブチル、フェニルプロピル及びフェニルエチルが挙げられるが、これらに限定されない。
【００２７】
Ｙ¹は、フッ素、臭素、塩素及びヨウ素のようなハロゲン、ジメチルアミノのような第三級窒素基、上述のＲ⁵のような有機基、又はＯＲのようなアルコキシ基（Ｒはアルキル基又はアリール基）であればよく、唯一必要とされることはＹ¹がポリエステルカーボネートの製造に用いられる反応体及び反応条件に対して不活性で反応体及び反応条件によって影響を受けないことである。添字「ｍ」は零からＡ¹上で置換可能な部位の数までの整数を表し、「ｐ」は零からＥ上で置換可能な部位の数までの整数を表し、「ｔ」は１以上の整数を表し、「ｓ」は０又は１であり、「ｕ」は０を含めた整数を表す。
【００２８】
Ｄが上記の式（III）で表される芳香族ジヒドロキシフェノール化合物で、２以上のＹ¹置換基が存在する場合、Ｙ¹は同一でも異なるものでもよい。例えば、Ｙ¹置換基は異なるハロゲンの組合せであってもよい。また、Ｒ⁵置換基も２以上存在する場合、同一でも異なるものでもよい。式（IV）における「ｓ」が０で、「ｕ」が０でないときは、芳香族環同士が直接結合している。炭化水素残基の２以上の環炭素原子がＹ¹基及びヒドロキシ基で置換されている場合、芳香核残基Ａ¹上のヒドロキシ基とＹ¹の位置はオルト位、メタ位又はパラ位と変更でき、これらの基同士は隣接、対称又は非対称のいずれの関係にあってもよい。
【００２９】
式（III）の芳香族ジヒドロキシ化合物の非限定的な具体例を幾つか挙げると、米国特許第４２１７４３８号に上位概念又は下位概念で開示されたジヒドロキシ置換芳香族炭化水素がある。芳香族ジヒドロキシフェノールの好ましい具体例を幾つか挙げると、４，４′−（３，３，５−トリメチルシクロヘキシリデン）ジフェノール、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（一般にビスフェノールＡとして知られる。）、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパン、２，４′−ジヒドロキシジフェニルメタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−５−ニトロフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，６−ジメチル−３−メトキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−２−クロロフェニル）エタン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシルメタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルプロパン、２，２，２′，２′−テトラヒドロ−３，３，３′，３′−テトラメチル−１，１−スピロビ［１Ｈ−インデン］−６，６′−ジオール（ＳＢＩ）、レゾルシノール及びＣ_1-3アルキル置換レゾルシノール類がある。
【００３０】
最も典型的には、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンが好ましい芳香族ジヒドロキシ化合物である。複数の芳香族ジヒドロキシ化合物の組合せも使用できる。
【００３１】
シロキサンコポリカーボネートの形成には、芳香族ジヒドロキシ化合物１モル当たり１モルの炭酸ジエステルが必要とされる。触媒は、芳香族ジヒドロキシ化合物のモル数に対して約１０^-8〜約１０^-3モル存在する。別の実施形態では、触媒が、芳香族ジヒドロキシ化合物のモル数に対して約１０^-7〜約１０^-5モル存在する。ヒドロキシアリール末端ポリジオルガノシロキサンは、シロキサンコポリカーボネートの約０．１〜約４０重量％存在する。
【００３２】
溶融縮重合プロセスでは、上記反応体を約１８０〜約３３０℃の範囲内の温度、さらに好ましくは約２００〜約３００℃の範囲内の温度に加熱する。反応容器は通例酸素でパージし、窒素のような不活性ガスで満たす。反応容器の圧力は通例約０．５〜約２００ｔｏｒｒである。反応は回分式、連続式又は半連続式に実施される。温度／圧力比は、反応中、低温・高圧から高温・低圧へと変化する。反応プロセスの合計時間は約２〜約７時間である。
【００３３】
酸性塩又は中性塩の添加によって、溶融縮重合法でのシロキサンコポリカーボネートの製造がうまくいく。塩の添加はシロキサン部分の分解を有効に防止する。塩の高い活性により、シロキサンコポリカーボネートの分子量を損なうことなく、触媒の使用量を大幅に１００倍も減らすことができる。高分子量ポリマーは好ましくは約２００００を超える分子量を有する。
【００３４】
【実施例】
当業者が本発明を容易に実施できるように以下に実施例を挙げるが、実施例は例示のためのものであって限定のためのものではない。
【００３５】
実施例１
内径１インチの平底ガラス反応器に、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（８．０６３ｇ）、炭酸ジフェニル（８．０５４ｇ）及びオイゲノール末端シロキサン流体（１．００１ｇ、繰返し単位数が１１で式Ｉのｎが１０に等しいもの。）を仕込んだ。水酸化テトラメチルアンモニウム（２．２ｍＭ溶液３９．０μｌ）と硫酸セシウム（１ｍＭ溶液１７．５μｌ）をピペットで加えた。反応器に、ガラス攪拌機と耐高真空Ｄｅａｎ−Ｓｔａｒｋ受け器と４５℃に加熱した凝縮器（ガス導入用アダプタを取り付けたもの）を装着した。フラスコを１ｔｏｒｒ未満に排気し、乾燥窒素ガスを再充填した。反応器の排気及び再充填プロセスを３度繰り返した。次いでフラスコを１８０℃の塩浴で加熱した。、材料を１０分間溶融させた後、浴温の設定値を２１０℃に上げ、材料を４０ｒｐｍで攪拌した。２６分間攪拌後に浴は２１０℃に達し、圧力を１２０ｔｏｒｒに下げた。次の９０分間でフェノール４．２ｍｌが留去し、圧力が次第に９５ｔｏｒｒに下がった。次の２０分間浴温を２７０℃に上げたところ、圧力は４０ｔｏｒｒに下がった。次に浴温を３００℃に上げ、圧力を１ｔｏｒｒ未満に下げた。この条件に６５分間維持し、しかる後圧力を大気圧に上げ、反応器から材料を取り出した。
【００３６】
得られたシロキサンコポリカーボネートは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）で測定して１２８℃のＴ_g、及びゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）でポリスチレン標準に対して測定して１５１０００の分子量を有しており、プロトン核磁気分光法で求めたシロキサン分解率は１％未満であった。
【００３７】
実施例２
内径１インチの平底ガラス反応器に、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（５．０２５ｇ）、炭酸ジフェニル（５．１５８ｇ）及びオイゲノール末端シロキサン流体（１．３７４ｇ、繰返し単位数が１１で式Ｉのｎが１０に等しいもの。）を仕込んだ。水酸化テトラメチルアンモニウム（２．２ｍＭ溶液２５．７８μｌ）と硫酸セシウム（１ｍＭ溶液１１．５８μｌ）をピペットで加えた。反応器に、ガラス攪拌機と耐高真空Ｄｅａｎ−Ｓｔａｒｋ受け器と４５℃に加熱した凝縮器（ガス導入用アダプタを取り付けたもの）を装着した。フラスコを１ｔｏｒｒ未満に排気し、乾燥窒素ガスを再充填した。この工程を３度繰り返した後、フラスコを１８０℃の塩浴で加熱した。材料を１５分間溶融させた後、浴温の設定値を２１０℃に上げ、材料を４０ｒｐｍで攪拌した。２５分間反応後、圧力は２６０ｔｏｒｒに下がった。３０分後に浴は２１４℃に達し、浴温の設定値を２６０℃に上げ、圧力は２１０ｔｏｒｒに下げた。次の１５分間でフェノール３．２ｍｌが留去した。圧力は次第に１ｔｏｒｒ未満に下がり、次の２０分間浴を３００℃に上げた。この条件を６０分間維持し、しかる後に圧力を大気圧に上げ、反応器から材料を取り出した。
【００３８】
得られたシロキサンコポリカーボネートは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）で測定して１１８℃のＴ_g、及びゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）でポリスチレン標準に対して測定して５１５００の分子量を有しており、プロトン核磁気共鳴分光法による分析でシロキサンコポリカーボネートには高分子量ポリマーの他にシロキサン部分の分解率がほとんど或いは全くみられないことが判明した。
【００３９】
実施例３〜７
実施例１の方法でシロキサンコポリマーが１０重量％であるシロキサンコポリカーボネートを作成した。分解はプロトン核磁気共鳴分光法で分析した。使用した触媒は水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）及び水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）であった。使用した塩は硫酸セシウム（Ｃｓ₂ＳＯ₄）であった。反応時間に加えて触媒及び塩の量を変化させて、分子量及びシロキサン分解率に関して生成シロキサンコポリカーボネートに与える影響を検討した。生成シロキサンコポリカーボネートの結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】

【００４１】
表１の結果に示す通り、水酸化ナトリウムに代えて硫酸セシウムを使用すると分解の量が減る。さらに、水酸化テトラメチルアンモニウムを百分の一に減らして、硫酸セシウムを使用すると、分解が全くみられないシロキサンコポリカーボネートが生成した。
【００４２】
例示のため典型的な実施形態を開示してきたが、以上の説明は本発明の技術的範囲を限定するものではない。当業者には、本発明の技術的思想及び範囲から逸脱せずに、様々な修正、適応及び変更が可能であろう。

Claims

シロキサンコポリカーボネートを製造するための溶融重合法であって、当該方法は塩存在下で１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとヒドロキシアリール末端ポリジオルガノシロキサンと触媒を反応させることを含んでなり、
前記触媒は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム、ステアリン酸リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、フェニル化ホウ素ナトリウム、安息香酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安息香酸リチウム、ビスフェノールＡの二リチウム塩、フェノールのナトリウム塩、フェノールのカリウム塩、フェノールのリチウム塩、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カルシウム、炭酸水素バリウム、炭酸水素マグネシウム、炭酸水素ストロンチウム、酢酸カルシウム、酢酸バリウム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロンチウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸ストロンチウム、水酸化テトラアルキルアンモニウム、水酸化テトラアルキルホスホニウム、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる少なくとも１種であり、
前塩は塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、亜リン酸、リン酸、硫酸、及び亜硫酸のアルカリ金属塩；塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、亜リン酸、リン酸、硫酸、及び亜硫酸のアルカリ土類金属塩；及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる少なくとも１種である、方法。
前記塩が０．１Ｍの水溶液中で０〜７の範囲のｐＨを有する、請求項１記載の方法。
前記塩が０．１Ｍの水溶液中で５〜６のｐＨを有する、請求項１記載の方法。
前記塩がリン酸塩、亜リン酸塩、セシウム塩、ナトリウム塩、ハロゲン化物塩又はこれらの組合せを含んでなる、請求項２記載の方法。
前記塩が硫酸セシウムを含んでなる、請求項１記載の方法。
前記芳香族ジヒドロキシ化合物が２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンを含んでなる、請求項１記載の方法。
前記炭酸ジエステルが炭酸ジフェニルを含んでなる、請求項１記載の方法。
前記触媒が水酸化テトラアルキルアンモニウムである、請求項１記載の方法。
前記触媒が水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化ナトリウム、又はこれらの組み合わせを含んでなる、請求項１記載の方法。
前記ヒドロキシアリール末端ポリジオルガノシロキサンがオイゲノール末端ポリジオルガノシロキサンを含んでなる、請求項１記載の方法。
前記反応を１８０〜３３０℃の温度で実施する、請求項１記載の方法。
前記反応を２００〜３００℃の温度で実施する、請求項１１記載の方法。
前記反応を回分式で実施する、請求項１記載の方法。
前記反応を連続式で実施する、請求項１記載の方法。
前記芳香族ジヒドロキシ化合物が炭酸ジエステルに対して１：１の比で存在する、請求項１記載の方法。
前記ヒドロキシアリール末端ポリジオルガノシロキサンがシロキサンコポリカーボネートの０．１〜４０重量％存在する、請求項１記載の方法。
前記触媒が芳香族ジヒドロキシ化合物のモル数に対して１０^−８〜１０^−３モルの比で存在する、請求項１記載の方法。
前記触媒が芳香族ジヒドロキシ化合物のモル数に対して１０^−７〜１０^−５モルの比で存在する、請求項１記載の方法。
前記反応を０．５〜２００ｔｏｒｒの圧力で実施する、請求項１記載の方法。
シロキサンコポリカーボネートを製造するための溶融重合法であって、硫酸セシウム存在下で２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンと炭酸ジフェニルとオイゲノール末端ポリジオルガノシロキサンと水酸化テトラメチルアンモニウムを反応させることを含んでなる方法。