JP2004526005A - 溶融法ポリカーボネート触媒系 - Google Patents

溶融法ポリカーボネート触媒系 Download PDF

Info

Publication number
JP2004526005A
JP2004526005A JP2002556647A JP2002556647A JP2004526005A JP 2004526005 A JP2004526005 A JP 2004526005A JP 2002556647 A JP2002556647 A JP 2002556647A JP 2002556647 A JP2002556647 A JP 2002556647A JP 2004526005 A JP2004526005 A JP 2004526005A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bis
hydroxyphenyl
group
alkyl
propane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002556647A
Other languages
English (en)
Inventor
レモン，ジョン・パトリック
ブロチンスキー，ロナルド・ジェームズ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JP2004526005A publication Critical patent/JP2004526005A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G64/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbonic ester link in the main chain of the macromolecule
    • C08G64/20—General preparatory processes
    • C08G64/30—General preparatory processes using carbonates
    • C08G64/307—General preparatory processes using carbonates and phenols

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polyesters Or Polycarbonates (AREA)

Abstract

本発明は、一般式Ａx +y［（ポルフィン−Ｔｍ）Ｂy -x］（式中、Ａは特定のアルカリ金属であり、Ｂは電荷均衡用のスルホン酸基、カルボン酸基又はホスホン酸基を含み、Ｔｍは遷移金属である。）で表され、ポリカーボネート溶融重合触媒として有用な大環状ポリピロールの塩である重縮合触媒を用いるポリカーボネートの製造方法を提供する。我々は、この新しい種類の触媒がジフェニルカーボネートとビスフェノールＡの溶融重合によるビスフェノールＡポリカーボネートの製造に関して優れた重合速度を与えることを見出した。その上、本発明の触媒は、溶融ポリカーボネートプロセスに通常付随する枝分れ副反応（すなわち、フリース生成物の生成）のレベルを実質的に低下させる点で極めて選択的であることも判明した。

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばジアリールカーボネートと芳香族ビスヒドロキシ化合物とのエステル交換反応によるポリカーボネートの製造方法に関する。具体的には、本発明は、ポリカーボネート製造のための溶融重合反応並びに特定のポルフィン及びフタロシアニン化合物からなる新規なポリカーボネート触媒に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリカーボネートの溶融重合に応用するための触媒系が多数検討されている。これらの方法の多くは、各種の助触媒を必要とするか、ポリマーの安定性を確保するため触媒奪活剤の後添加を必要とする。高純度・高品質の熱可塑性樹脂に対するニーズから、最終樹脂中の残留不純物を低減することが必要とされている。こうした極めて低い残留不純物に対するニーズは、光学品質（ＯＱ）グレードのポリカーボネート樹脂で特に顕著である。残留溶剤不純物、特に塩化メチレンをなくすための一つのアプローチは、無溶剤プロセス（すなわち、溶融プロセス）の実施である。
【０００３】
溶融法は、一般に、例えばジフェニルカーボネートとビスフェノールＡのようなジヒドロキシ化合物の塩基触媒重縮合を含んでいる。この反応は原料モノマーと生成物が溶融状態に保たれるような十分高い温度で実施され、反応器の圧力は重縮合反応の副生物であるフェノールが効果的に除去されるように設定される。
【０００４】
現在の大半の溶融技術では二成分触媒系が用いられている。第一の成分は、メルト中でのオリゴマー生成の開始に用いられる水酸化テトラアルキルアンモニウム（ＴＭＡＨ）助触媒である。第二の触媒はアルカリ金属水酸化物（すなわち、「α触媒」）であり、触媒系全体の第二の部分をなす。アルカリ金属塩は、その本来的な熱安定性のため、重合終了時に奪活しなければならない。奪活プロセスでは、ポリマー生成系にさらに別の成分の添加する必要がある。奪活プロセスに由来する物質はすべて最終樹脂中に残留し、最終的な性質を損なう。
【０００５】
アルカリ金属水酸化物は一般に優れた溶融重合触媒であるが、以下に示す繰返し単位を有する枝分れポリカーボネート種（通例、フリース生成物と呼ばれる）である不都合な副生物を相当量を生成する傾向がある。溶融法ポリカーボネート重合時にフリース生成物が生成すると、ポリマーの延性及び概してレオロジー特性に変化を生じる。溶融法で製造したポリカーボネートは、通例、界面法で製造したポリカーボネートよりもフリース含有量が高い。本明細書中で用いる「フリース（Ｆｒｉｅｓ）」という用語はポリカーボネート中の次式の繰返し単位をいう。
【０００６】
【化１】
Figure 2004526005
【０００７】
式中、Ｘ基は次式で表される。
【０００８】
【化２】
Figure 2004526005
【０００９】
式中、基Ｒc及びＲdは各々独立に水素原子又は一価炭化水素基を表し、環構造を形成していてもよい。そこで、従来の触媒系よりもフリース生成物の生成量の少ない別の溶融法ポリカーボネート重合触媒を開発するニーズが存在する。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、一般式Ａx +y［（ポルフィン−Ｔｍ）Ｂy -x］又はＡx +y［（フタロシアニン−Ｔｍ）Ｂy -x］で表される大環状ポリピロールの塩である重縮合触媒を用いるポリカーボネートの製造方法を提供する。上記式中、Ａは特定のアルカリ金属であり、Ｂは電荷均衡用のスルホン酸基、カルボン酸基又はホスホン酸基を含み、Ｔｍは遷移金属である。かかる触媒は、ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）とビスフェノールＡ（ＢＰＡ）の溶融重合によるＢＰＡポリカーボネートの製造で優れた重合速度を与える。場合によっては、これらの塩は溶融プロセスに伴う枝分れ副反応のレベルを大幅に低下させる点で極めて選択的でもある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明は、ポリカーボネートの製造方法であって、溶融法ポリカーボネート重合条件下で、以下の式（Ｉ）又は（II）の１種以上の化合物の存在下、任意にはテトラアルキルアンモニウム塩及びテトラアルキルホスホニウム塩から選択される助触媒の存在下で、ジアリールオキシ化合物を二価フェノール化合物と接触させることを含んでなる方法を提供する。
【００１２】
Ａx +y［（ポルフィン−Ｔｍ）Ｂy -x］ （Ｉ）、又は
Ａx +y［（フタロシアニン−Ｔｍ）Ｂy -x］ （II）
式中、Ａはリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムからなる群から選択されるアルカリ金属を表し、Ｂは電荷均衡用のスルホン酸基、カルボン酸基又はホスホン酸基を含み、Ｔｍは遷移金属を表し、ｘは１〜４の整数であり、ｙは１〜４の整数である。
【００１３】
「遷移金属」という用語は、周期表第３族〜第１２族に属する金属をいい、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、カドミウム、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金、水銀及びランタンが包含される。
【００１４】
特に好ましい遷移金属には、銅、ニッケル、白金、ルテニウム及びタングステンがある。
【００１５】
特に好ましい式（Ｉ）の触媒には、以下の式（III）及び（IV）で表されるものがある。
【００１６】
【化３】
Figure 2004526005
【００１７】
【化４】
Figure 2004526005
【００１８】
式中、式（III）又は（IV）の化合物がスルホン酸基、カルボン酸基又はホスホン酸基のアルカリ金属塩から選択される１以上の基を含むことを条件として、
各Ｒ10は
水素、
Ｃ1〜Ｃ6アルキル、
Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、
アリール、
Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたＣ1〜Ｃ6アルキル、
Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたＣ1〜Ｃ6アルコキシ、及び
Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたアリール
からなる群から独立に選択され、
各Ｒ11は
水素、
Ｃ1〜Ｃ6アルキル、
Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、
アリール、
Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたＣ1〜Ｃ6アルキル、
Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたＣ1〜Ｃ6アルコキシ、及び
Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたアリール
からなる群から独立に選択され、
或いは、２つのＲ11基が一体としてそれらに結合した炭素原子と共に六員芳香族環を形成していてもよく、該芳香族環は任意にはＣ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩で置換され、
Ｍは第３族〜第１２族金属であり、
ｖは１である。
【００１９】
特に好ましい式（II）の触媒には、以下の式（Ｖ）及び（VI）で表されるものがある。
【００２０】
【化５】
Figure 2004526005
【００２１】
【化６】
Figure 2004526005
【００２２】
式中、式（Ｖ）又は（VI）の化合物がスルホン酸基、カルボン酸基又はホスホン酸基のアルカリ金属塩から選択される１以上の基を含むことを条件として、
Ｍは第３族〜第１２族金属であり、
ｖは１であり、
各Ｒ12は
水素、
Ｃ1〜Ｃ6アルキル、
Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、
アリール、
Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたＣ1〜Ｃ6アルキル、
Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたＣ1〜Ｃ6アルコキシ、及び
Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたアリール
からなる群から独立に選択され、
Ｘはスルホン酸基、カルボン酸基又はホスホン酸基であり、
Ｑはアルカリ金属塩陽イオンであり、
各ｔは独立に１〜４の整数である。
【００２３】
上記の式において、好ましいアリール基にはフェニル及びナフチルがある。
【００２４】
本発明の方法において、本発明のポリカーボネートの製造に有用な幾つかのジアリールオキシ化合物は次の一般式で表すことができる。
【００２５】
【化７】
Figure 2004526005
【００２６】
式中、
Ｒはハロゲン、一価炭化水素基及び一価炭化水素オキシ基から独立に選択され、
Ｒ1はハロゲン、一価炭化水素基及び一価炭化水素オキシ基から独立に選択され、
ｎ及びｎ1は０〜４の整数から独立に選択される。
【００２７】
Ｒ及びＲ1で表される一価炭化水素基には、アルキル、シクロアルキル、アリール、アラルキル及びアルカリール基がある。好ましいアルキル基は炭素原子数１〜約１２のものである。好ましいシクロアルキル基は炭素原子数４〜約８のものである。好ましいアリール基は環炭素原子数６〜１２のもの、つまりフェニル、ナフチル及びビフェニルである。好ましいアルカリール及びアラルキル基は炭素原子数７〜約１４のものである。
【００２８】
Ｒ及びＲ1で表される好ましいハロゲン原子は塩素及び臭素である。
【００２９】
で表される二価炭化水素基には、アルキレン、アルキリデン、シクロアルキレン及びシクロアルキリデン基がある。好ましいアルキレン基は炭素原子数２〜約３０のものである。好ましいアルキリデン基は炭素原子数１〜約３０のものである。好ましいシクロアルキレン及びシクロアルキリデン基は環炭素原子数６〜約１６のものである。
【００３０】
Ｒ及びＲ1で表される一価炭化水素オキシ基は式−ＯＲ1′で表すことができ、この式のＲ1′は本明細書に記載した種類の一価炭化水素基である。好ましい一価炭化水素オキシ基はアルコキシ及びアリールオキシ基である。
【００３１】
特に好ましいジエステルは炭酸のジエステルである。炭酸のジエステルとしては、特に限定されないが、ジアリールカーボネート化合物、ジアルキルカーボネート化合物及びアルキルアリールカーボネート化合物を始めとする様々な化合物を使用し得る。好ましい炭酸のジエステルには、特に限定されないが、ジフェニルカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）カーボネート、ビス（２，４−ジクロロフェニル）カーボネート、ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）カーボネート、ビス（２−シアノフェニル）カーボネート、ビス（ｏ−ニトロフェニル）カーボネート、ビス（ｏ−メトキシカルボニルフェニル）カーボネート、ジトリルカーボネート、ｍ−クレゾールカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジブチルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネート及びこれらの混合物がある。これらのうち、ジフェニルカーボネートが好ましい。これらの化合物の２種以上を使用する場合には、少なくとも１種はジフェニルカーボネートであるのが好ましい。
【００３２】
好ましい二価フェノールには、次式で表されるものがある。
【００３３】
ＨＯ−Ｄ−ＯＨ
式中、Ｄは二価芳香族基である。好ましくは、Ｄは次式で表される。
【００３４】
【化８】
Figure 2004526005
【００３５】
式中、Ａ1はフェニレン、ビフェニレン、ナフタレンなどの芳香族基を表し、Ｅはメチレン、エチレン、エチリデン、プロピレン、プロピリデン、イソプロピリデン、ブチレン、イソブチレン、アミレン、イソアミリデンなどのアルキレン又はアルキリデン基を表す。Ｅがアルキレン又はアルキリデン基のときは、Ｅは２以上のアルキレン又はアルキリデン基がアルキレン又はアルキリデンとは異なる原子団、例えば芳香族結合、第三アミノ結合、エーテル結合、カルボニル結合、含ケイ素結合、含イオウ結合（スルフィド、スルホキシド、スルホンなど）又は含リン結合（ホスフィニル、ホスホニルなど）で連結したものであってもよい。さらに、Ｅは、脂環式基（例えば、シクロペンチリデン、シクロヘキシリデン、３，３，５−トリメチルシクロヘキシリデン、メチルシクロヘキシリデン、２−［２．２．１］−ビシクロへプチリデン、ネオペンチリデン、シクロペンタデシリデン、シクロデシリデン、アダマンチリデンなど）、スルフィド、スルホキシド、スルホンのような含イオウ結合、ホスフィニル、ホスホニルのような含リン結合、エーテル結合、カルボニル基、第三窒素基、又はシラン、シロキシのような含ケイ素結合であってもよい。Ｒ2は水素、又はアルキル、アリール、アラルキル、アルカリール若しくはシクロアルキルのような一価炭化水素基を表す。Ｙ1は、ハロゲン（フッ素、臭素、塩素又はヨウ素）のような無機原子、ニトロのような無機基、上述のＲ2のような有機基、又は−ＯＲ2のようなオキシ基であればよく、唯一必要とされることはＹ1がポリエステルカーボネートの製造に用いられる反応体及び反応条件に対して不活性でそれらの影響を受けないことである。添字ｍは零からＡ1上で置換可能な部位の数までの整数を表し、ｐは零からＥ上で置換可能な部位の数までの整数を表し、ｔは１以上の整数を表し、ｓは０又は１であり、ｕは０を含めた整数を表す。
【００３６】
Ｄが上記の式で表される二価フェノール化合物で、２以上のＹ置換基が存在する場合、Ｙは同一でも異なるものでもよい。Ｒ2置換基についても同様である。上記式におけるｓが零で、ｕが零でないときは、芳香族環同士がアルキリデンその他の橋かけ基又は結合を介さずに直接結合する。炭化水素残基の２以上の環炭素原子がＹ1基及びヒドロキシル基で置換されている場合、芳香核残基Ａ1上のヒドロキシル基とＹ1の位置はオルト位、メタ位又はパラ位で種々異なっていてもよく、これらの基同士は隣接、対称又は非対称のいずれの関係にあってもよい。
【００３７】
その他の二価フェノールの具体例には、米国特許第４２１７４３８号に開示されたジヒドロキシ置換芳香族炭化水素があり、その開示内容は援用によって本明細書の内容の一部をなす。
【００３８】
さらに好ましい二価フェノールには、以下のものがある。
レゾルシノール、
４−ブロモレゾルシノール、
ヒドロキノン、
４，４′−ジヒドロキシビフェニルエーテル、
４，４−チオジフェノール、
１，６−ジヒドロキシナフタレン、
２，６−ジヒドロキシナフタレン、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−ナフチルメタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、
１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ」）、
２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）イソブタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）デカン、
１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロドデカン、
１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロドデカン、
ｔｒａｎｓ−２，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブテン、
４，４−ジヒドロキシ−３，３−ジクロロジフェニルエーテル、
４，４−ジヒドロキシ−２，５−ジヒドロキシジフェニルエーテル、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、
α，α′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）トルエン、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）アセトニトリル、
２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−エチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−ｎ−プロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（２，３，５，６−テトラメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（２，６−ジブロモ−３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
α，α−ビス（４−ヒドロキシフェニル）トルエン、
α，α，α′，α′−テトラメチル−α，α′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−キシレン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
１，１−ジクロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチレン、
１，１−ジブロモ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチレン、
１，１−ジクロロ−２，２−ビス（５−フェノキシ−４−ヒドロキシフェニル）エチレン、
４，４′−ジヒドロキシベンゾフェノン、
３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブタノン、
１，６−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，６−ヘキサンジオン、
エチレングリコールビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、
ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、
９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、
２，７−ジヒドロキシピレン、
６，６′−ジヒドロキシ−３，３，３′，３′−テトラメチルスピロ（ビス）インダン（「スピロビインダンビスフェノール」）、
３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フタリド、
２，６−ジヒドロキシジベンゾ−ｐ−ジオキシン、
２，６−ジヒドロキシチアントレン、
２，７−ジヒドロキシフェノキサチイン、
２，７−ジヒドロキシ−９，１０−ジメチルフェナジン、
３，６−ジヒドロキシジベンゾフラン、
３，６−ジヒドロキシジベンゾチオフェン、
２，７−ジヒドロキシカルバゾール。
【００３９】
その他の適当な二価フェノールの例として、次式で表されるもののようなスピロビインダン構造単位を含むものがある。
【００４０】
【化９】
Figure 2004526005
【００４１】
式中、Ｒ3は各々独立に一価炭化水素基及びハロゲン原子から選択され、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は各々独立にＣ1〜Ｃ6アルキルであり、Ｒ8及びＲ9は各々独立にＨ又はＣ1〜Ｃ6アルキルであり、ｎは各々独立に０〜３の正の整数から選択される。Ｒ3で表される一価炭化水素基は好ましくは炭素原子数約１〜１２のものであり、枝分れアルキル基及び直鎖アルキル基がある。アルキル基の非限定的な具体例を幾つか挙げると、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ネオペンチル及びヘキシルがある。Ｒ3で表されるシクロアルキル基は好ましくは環炭素原子数約３〜約１２のものである。シクロアルキル基の非限定的な具体例を幾つか挙げると、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル及びシクロヘプチルがある。Ｒ3で表されるアリール基は好ましくは環炭素原子数６〜１２のものである。アリール基の非限定的な具体例を幾つか挙げると、フェニル、ビフェニル及びナフチルがある。Ｒ3で表される好ましいアラルキル及びアルカリール基は炭素原子数７〜約１４のものである。これらには、特に限定されないが、ベンジル、エチルフェニル、フェニルブチル、フェニルプロピル、プロピルフェニル及びフェニルエチルがある。Ｒ3で表される好ましいハロゲン原子はフッ素、塩素及び臭素である。
【００４２】
上記の式の二価フェノールにおいて、２以上のＲ3置換基が存在する場合、それらは同一でも異なるものでもよい。芳香核残基上のヒドロキシル基とＲ3の相対的な位置はオルト位又はメタ位と異なることがある。各ヒドロキシ基の位置は独立に各芳香族環上のいずれかの非置換部位にある。さらに好ましくは、各ヒドロキシ基は独立に各芳香族環の５位又は６位並びに５′位及び６′位にある。
【００４３】
上記式のスピロビインダン二価フェノールは当技術分野で公知の化合物であって、市販されているし、公知の方法で容易に製造できる。製造方法には、米国特許第４７０１５６６号、Ｒ．Ｆ．Ｃｕｒｔｉｓ及びＫ．Ｏ．Ｌｅｗｉｓ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ（Ｅｎｇｌａｎｄ），１９６２，ｐ．４２０、及びＲ．Ｆ．Ｃｕｒｔｉｓ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ（Ｅｎｇｌａｎｄ），１９６２，ｐ．４１７に記載されたものがある。一つ非限定的な具体例では、これらのスピロ二価フェノールは、（ｉ）フェノール化合物２モルをアセトンのような含カルボニル化合物１モルと反応させ、（ii）しかる後、（ｉ）の生成物３モルを酸性条件下で共反応させてスピロ二価フェノールと４モルのフェノール化合物を生成させることで簡便に製造できる。（ii）で使用し得る酸には、無水メタンスルホン酸、無水塩酸などの酸がある。
【００４４】
ポリカーボネート製造に最も好ましいスピロ二価フェノールは６，６′−ジヒドロキシ−３，３，３′，３′−テトラメチル−１，１′−スピロビインダン（「ＳＢＩ」）であるが、これは上記の式におけるｎが０で、ポリマー分子の残りの部分との結合が芳香族環上の特定位置にあるものである。
【００４５】
上記二価フェノールは単独で使用してもよいし、２種以上の二価フェノールの混合物として使用してもよい。入手が容易で数多くの最終用途に特に適していることから、好ましい二価フェノールは好ましい二価フェノールはビスフェノールＡ又は「ＢＰＡ」としても知られる２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンである。
【００４６】
任意には、所望生成物が枝分れポリカーボネートであるときは多官能性化合物を使用してもよい。かかる枝分れ材料は、例えば包装用フィルムのような幾つかの用途に好ましい。枝分れポリカーボネートの重合に使用される適当な多官能性化合物には、特に限定されないが、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、４−［４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−エチル］−ジメチルベンジル］、トリメリト酸無水物、トリメリト酸又はその酸塩化物誘導体、トリメチロールプロパン、グリセロールなどがある。
【００４７】
本発明の方法においては、任意成分として末端封鎖剤を使用してもよい。適当な末端封鎖剤には、一価芳香族ヒドロキシ化合物、一価芳香族ヒドロキシ化合物のハロホルメート誘導体、一価カルボン酸、一価カルボン酸のハロゲン化誘導体及びこれらの混合物がある。
【００４８】
適当な末端封鎖剤には、特に限定されないが、フェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノール、ｐ−クミルフェノールカーボネート、ウンデカン酸、ラウリン酸、ステアリン酸、フェニルクロロホルメート、ｔ−ブチルフェニルクロロホルメート、ｐ−クミルクロロホルメート、クロマンクロロホルメート、オクチルフェニルクロロホルメート、ノニルフェニルクロロホルメート及びこれらの混合物がある。
【００４９】
末端封鎖剤が存在する場合、二価フェノール１モル当たり約０．０１〜約０．２０モル、好ましくは約０．０２〜約０．１５モル、さらに一段と好ましくは約０．０２〜約０．１０モルの量で存在するのが好ましい。
【００５０】
式Ａx +y［（ポルフィン−Ｔｍ）Ｂy -x］又はＡx +y［（フタロシアニン−Ｔｍ）Ｂy -x］の化合物からなる触媒系は、水酸化ナトリウムのようなアルカリ金属水酸化物に匹敵する重合速度を与える一方で、枝分れ副生物が少ないことが判明した。枝分れ副生物には、特に限定されないが、フリース生成物がある。触媒系は、上記触媒に加えて、任意成分として第四アンモニウム塩及び／又はホスホニウム助触媒を含んでいてもよい。適当な第四アンモニウム塩の例には、特に限定されないが、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）及び水酸化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＨ）のように、アルキル基、アリール基及びアルカリール基を有するアンモニウムの水酸化物がある。適当なホスホニウム塩としては、特に限定されないが、水酸化テトラエチルホスホニウム及び水酸化テトラブチルホスホニウムがある。
【００５１】
好ましい実施形態では、ジエステルと二価フェノール化合物の実質的に等モル、好ましくはモル基準で１．０〜１．２、最も好ましくは１．０４〜１．１４の混合物を、実質的に不活性な雰囲気中で、大気圧において１５０〜２１０℃の温度に加熱する。成分が溶融し始めたら直ちに混合物の攪拌を開始してもよい。良好な熱交換を促すべく系をゆっくりと攪拌してもよい。系を熱平衡に至らしめた後、任意には上記助触媒の存在下で、本発明の触媒を有効量加えればよい。助触媒はポリカーボネートオリゴマーの生成を触媒し、このオリゴマーが後でさらに重縮合して本発明のポリカーボネートを形成する。これに関して、式Ａx +y［（ポルフィン−Ｔｍ）Ｂy -x］又はＡx +y［（フタロシアニン−Ｔｍ）Ｂy -x］の触媒は、重縮合反応の開始時、後段又は重合段階において、一回又は数回に分けて添加し得る。有効量はＢＰＡ１モル当たり触媒約１×１０-6モル比以上、好ましくはＢＰＡ１モル当たり触媒約１×１０-6〜１×１０-5モル比である。
【００５２】
得られた溶液は触媒が分散するまで攪拌すればよく、混合物の反応温度を１８０〜２１０℃に上げて、圧力を１７５〜２５０Ｔｏｒｒに下げればよい。芳香族ヒドロキシ化合物（つまり重縮合副生物）の留去を行ってもよく、芳香族ヒドロキシ化合物をさらに分離すべく圧力を連続的に下げてもよい。温度を２２０〜２５０℃に高めながら反応の圧力をさらに７０〜１３０Ｔｏｒｒに下げてもよい。反応の最終段階は、縮合生成物を０．１〜５Ｔｏｒｒの高真空下２７０〜３５０℃の温度に０．５〜３時間に付すことによって開始できる。理論量の芳香族モノヒドロキシ化合物が回収されたら、最終ポリカーボネートの回収を行えばよい。
【００５３】
溶融重合の反応条件に特に制限はなく、広範な作業条件下で実施できる。そのため、「ポリカーボネート溶融重合条件」という用語は、ジアリールオキシ化合物と二価フェノール化合物と反応を起こすのに必要な条件を意味する。反応温度は通例約１００〜約３５０℃、さらに好ましくは約１８０〜約３１０℃である。圧力は大気圧でもよいし、或いは反応の初期段階では大気圧〜約１５Ｔｏｒｒの加圧とし、後段では例えば約０．２〜約１５Ｔｏｒｒの減圧としてもよい。反応時間は一般に約０．１〜約１０時間である。
【００５４】
溶融重合は、他の触媒に関して当該技術分野で公知の通り、１以上の段階で実施できる。溶融重合を２以上の段階で実施する場合、本発明の触媒は同一の段階で添加してもよいし、異なる段階で添加してもよい。任意成分の助触媒はどの段階で加えてもよいが、プロセスの初期に添加するのが好ましい。塩基性助触媒を利用する場合、好ましくは、使用する触媒のモル数を基準にして１〜５００倍モル当量で使用される。
【００５５】
さらに好ましい実施形態では、このプロセスは二段階プロセスとして実施される。この実施形態の第一段階では、二価フェノール化合物とジアリールオキシ化合物を含む反応系に本発明の触媒を導入する。第一段階は、２９０℃以下、好ましくは８０〜２５０℃、さらに好ましくは１００〜２３０℃の温度で実施される。第一段階の期間は、大気圧〜１００Ｔｏｒｒの圧力下で好ましくは０〜５時間、さらに一段と好ましくは０〜３時間であり、窒素雰囲気が好ましい。
【００５６】
第二段階では、第一段階の生成物中に触媒を導入し、さらに重縮合を実施する。触媒はその全量を第二段階で添加してもよいし、或いは全量が上記範囲に収まるように幾つかのバッチに分けて第二段階とそれ以降の段階で添加してもよい。
【００５７】
重縮合の第二段階及びそれ以降の段階では、反応系を第一段階よりも圧力を下げ反応温度を上げて二価フェノール化合物とジアリールオキシ化合物との反応を引き起こし、最終的には二価フェノールとジアリールオキシ化合物を５ｍｍＨｇ以下、好ましくは１ｍｍＨｇ以下の減圧下で２４０〜３２０℃で重縮合反応させるのが好ましい。
【００５８】
上述の通り溶融重合を２以上の段階で実施する場合、水酸化テトラメチルアンモニウムのような助触媒塩基は本発明の触媒よりも早い段階で加えるのが好ましい。特に、温度が２２０℃に達する前、好ましくは２００℃に到達する前に、反応器に塩基を添加するのが好ましい。
【００５９】
そこで、別の実施形態では、本発明は、ポリカーボネートの製造方法であって、
（ａ）二価フェノールとジアリールオキシ化合物をメルトを形成するのに十分な時間溶融させた後、任意にはテトラアルキルアンモニウム塩及びテトラアルキルホスホニウム塩から選択される助触媒の存在下で、触媒有効量の下記の式（Ｉ）又は（II）の化合物を含む触媒組成物を導入する段階、
Ａx +y［（ポルフィン−Ｔｍ）Ｂy -x］ （Ｉ）、又は
Ａx +y［（フタロシアニン−Ｔｍ）Ｂy -x］ （II）
（式中、Ａはリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムからなる群から選択されるアルカリ金属を表し、Ｂは電荷均衡用のスルホン酸基、カルボン酸基又はホスホン酸基を含み、Ｔｍは遷移金属を表し、ｘは１〜４の整数であり、ｙは１〜４の整数である。）
（ｂ）段階（ａ）の生成物を、約２１０〜約２９０℃の温度で運転される直列の１以上の連続反応器を含む反応系でオリゴマー化する段階であって、該反応器から得られる生成物が約１０００〜約５５００の数平均分子量を有する段階、及び
（ｃ）段階（ｂ）の生成物を、約２８０〜３１５℃の温度で運転される直列の１以上の連続重合反応器を含む反応系で重合する段階であって、該段階（ｃ）で得られる生成物が約６５００以上の数平均分子量を有する段階
を含んでなる方法を提供する。
【００６０】
生成物の性状に悪影響を与えない限り、ポリカーボネート生成物に添加剤を添加してもよい。添加剤には、様々な目的のためポリカーボネートに通常添加されている広範な物質が包含される。具体例としては、熱安定剤、エポキシ化合物、紫外線吸収剤、離型剤、着色剤、帯電防止剤、スリップ剤、粘着防止剤、滑剤、曇り防止剤、天然油、合成油、ワックス、有機充填材、難燃剤、無機充填材その他公知の種類の添加剤が挙げられる。
【００６１】
反応は回分法としても、連続法としても実施できる。反応にはあらゆる所望の装置を使用できる。本発明で用いる反応器の材料及び構造は、反応器が通常の攪拌能力を有する限り、特に制限はない。反応系の粘度は反応後期に増大するので、反応器は高粘度条件下で攪拌できるものが好ましい。
【実施例】
【００６２】
幾つかの触媒はＮａＯＨよりもフリース生成物の生成量が格段に低く、分子量の増加は僅かに低い。トシル酸ナトリウムと対比すると、銅(II)フタロシアニンテトラスルホン酸四ナトリウム塩を除いて、表１に示す触媒はすべて分子量にみられる通り反応速度が大きく増大する。触媒として銅クロロフィリン三ナトリウム塩を用いると、触媒分子における陰イオン及び構造の変化に対するフリース及び分子量の依存性が劇的に認められた。ＮａＯＨを用いたときの結果と対比すると、この触媒は高分子量のポリマーを生成し、フリース生成物が大幅に高く、この触媒はポリカーボネート架橋用途における有望な候補となる。ＮａＯＨと対比したときのこれらの触媒のもう一つの魅力的な特徴は、溶液中で中性乃至弱酸性であるので、ＮａＯＨの腐食性がないことである。幾つかの触媒についてフリース及び分子量を対比した結果を表１に示す。
【００６３】
【表１】
Figure 2004526005
【００６４】
【化１０】
Figure 2004526005
【００６５】
図１ａ
四ナトリウム−メソ−テトラ（４−スルホナトフェニル）ポルフィン
【００６６】
【化１１】
Figure 2004526005
【００６７】
図１ｂ
ニッケル(II)フタロシアニンテトラスルホン酸四ナトリウム塩
【００６８】
【化１２】
Figure 2004526005
【００６９】
図１ｃ
銅(II)フタロシアニンテトラスルホン酸四ナトリウム塩
【００７０】
【化１３】
Figure 2004526005
【００７１】
図１ｄ
銅クロロフィリン三ナトリウム塩
【００７２】
一般手順
観察を容易にし、純度を確保するため、中実ニッケル製螺旋式撹拌機を備えた１リットルガラス製回分式反応器で溶融エステル交換反応を行った。反応器の底には最終メルトを取り出すための離脱式ガラスニップルが備えてあった。ガラスからナトリウムをすべて除去するため、反応器を３ＮのＨＣｌに１２時間以上浸漬し、続いて１８ＭΩの水に１２時間以上浸漬した。次いで、オーブンで反応器を一晩乾燥し、使用時まで覆いをして保存した。ＰＩＤコントローラ付流動式砂浴を用いて反応器の温度を維持し、温度は反応器と砂浴の境界付近で測定した。反応器の圧力は、留出液回収用フラスコの下流の真空ポンプへの窒素抽気によって制御し、高圧（７６０〜４０ｍｍＨｇ）では水銀気圧計で測定し、低圧（４０〜１ｍｍＨｇ）ではＥｄｗａｒｄｓ製ピラニ真空計で測定した。
【００７３】
反応器を組み立てる前に、反応器に固体ビスフェノールＡ（日本ＧＥプラスチックス株式会社、０．６５７０モル）と固体ジフェニルカーボネート（日本ＧＥプラスチックス株式会社、０．７０９６モル）を仕込んだ。次いで、反応器を組み立てて密閉し、雰囲気を窒素で３回交換した。最後の窒素交換で反応器をほぼ大気圧とし、１８０℃の流動浴に沈めた。５分後に、２５０ｒｐｍで攪拌を開始した。さらに１０分後、反応体は完全に溶融し、均質混合物をなしていると思われた。水酸化テトラメチルアンモニウム（Ｓａｃｈｅｍ社製原液、１．３２×１０-4モル）及び本発明の触媒を表２に示す適正な濃度に希釈した後、順次添加した。
【００７４】
【表２】
Figure 2004526005
【００７５】
最後の触媒を加えた後、時間計測を開始し、温度を５分間で２１０℃に上げた。この温度に達した時点で圧力を１８０ｍｍＨｇに下げると、直ちにフェノールが留出した。２５分後に、再び圧力を１００ｍｍＨｇに下げ、４５分間維持した。次いで、温度を５分間で２４０℃に上げ、圧力を１５ｍｍＨｇに下げた。この条件を４５分間維持した。次いで、温度を５分間で２７０℃に上げ、圧力を２ｍｍＨｇに下げた。この条件を１０分間維持した。次いで、温度を５分間で仕上げ温度に上げ、圧力を１．１ｍｍＨｇに下げた。仕上げ温度は３１０℃であった。３０分後、反応器を砂浴から取り出し、メルトを液体窒素中に押出して反応を停止させた。
【００７６】
フリースの測定値（ｐｐｍ）は、溶融縮合で製造したポリカーボネートのＫＯＨ触媒メタノリシスの液体クロマトグラフィー分析で求めた。
【００７７】
Ｍｎ（数平均分子量）は、溶融重合で製造したポリカーボネートのＧＰＣ分析で得た。ポリスチレン標準を用いて汎用検量線を作成し、この検量線にＭａｒｋ−Ｈｏｕｗｉｎｋ式を用いればポリカーボネートの分子量を求めることができる。カラムの温度は２５℃、移動相はクロロホルムであった。

Claims (34)

  1. ポリカーボネートの製造方法であって、ポリカーボネート溶融重合条件下で、以下の式（Ｉ）又は（II）の１種以上の化合物の存在下、任意にはテトラアルキルアンモニウム塩及びテトラアルキルホスホニウム塩から選択される助触媒の存在下で、ジアリールオキシ化合物を二価フェノール化合物と接触させることを含んでなる方法。
    Ａx +y［（ポルフィン−Ｔｍ）Ｂy -x］、 （Ｉ）
    Ａx +y［（フタロシアニン−Ｔｍ）Ｂy -x］ （II）
    式中、Ａはリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムからなる群から選択されるアルカリ金属を表し、Ｂは電荷均衡用のスルホン酸基、カルボン酸基又はホスホン酸基を含み、Ｔｍは遷移金属を表し、ｘは１〜４の整数であり、ｙは１〜４の整数である。
  2. 式（Ｉ）の化合物が以下の式（III）又は（IV）の化合物である、請求項１記載の方法。
    Figure 2004526005
    Figure 2004526005
    式中、式（III）又は（IV）の化合物が、スルホン酸基、カルボン酸基又はホスホン酸基のアルカリ金属塩から選択される１以上の基を含むことを条件として、
    各Ｒ10は
    水素、
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、
    Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、
    アリール、
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたＣ1〜Ｃ6アルキル、
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたＣ1〜Ｃ6アルコキシ、及び
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたアリール
    からなる群から独立に選択され、
    各Ｒ11は
    水素、
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、
    Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、
    アリール、
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたＣ1〜Ｃ6アルキル、
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたＣ1〜Ｃ6アルコキシ、及び
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたアリール
    からなる群から独立に選択され、
    或いは、２つのＲ11基が一体としてそれらに結合した炭素原子と共に六員芳香族環を形成していてもよく、該芳香族環は任意にはＣ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩で置換され、
    Ｍは第３族〜第１２族金属であり、
    ｖは１である。
  3. 式（II）の化合物が以下の式（Ｖ）又は（VI）の化合物である、請求項１記載の方法。
    Figure 2004526005
    Figure 2004526005
    式中、式（Ｖ）又は（VI）の化合物がスルホン酸基、カルボン酸基又はホスホン酸基のアルカリ金属塩から選択される１以上の基を含むことを条件として、
    Ｍは第３族〜第１２族金属であり、
    ｖは１であり、
    各Ｒ12は
    水素、
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、
    Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、
    アリール、
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたＣ1〜Ｃ6アルキル、
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたＣ1〜Ｃ6アルコキシ、及び
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたアリール
    からなる群から独立に選択され、
    Ｘはスルホン酸基、カルボン酸基又はホスホン酸基であり、
    Ｑはアルカリ金属塩陽イオンであり、
    各ｔは１〜４の整数から独立に選択される。
  4. 前記遷移金属が銅、ニッケル、白金、ルテニウム及びタングステンからなる群から選択される、請求項１記載の方法。
  5. 式（Ｉ）又は（II）の化合物が、
    四ナトリウム−メソ−テトラ（４−スルホナトフェニル）ポルフィン、
    ニッケル(II)フタロシアニンテトラスルホン酸四ナトリウム塩、
    銅(II)フタロシアニンテトラスルホン酸四ナトリウム塩、及び
    銅クロロフィリン三ナトリウム塩
    からなる群から選択される、請求項１記載の方法。
  6. 前記ジアリールオキシ化合物が次式の化合物である、請求項１記載の方法。
    Figure 2004526005
    式中、
    Ｒはハロゲン、一価炭化水素基及び一価炭化水素オキシ基から独立に選択され、
    Ｒ1はハロゲン、一価炭化水素基及び一価炭化水素オキシ基から独立に選択され、
    ｎ及びｎ1は０〜４の整数から独立に選択される。
  7. Ｒ及びＲ1がＣ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ4〜Ｃ8シクロアルキル、フェニル、ナフチル及びビフェニルから選択される、請求項６記載の方法。
  8. Ｒ及びＲ1が塩素及び臭素から選択される、請求項６記載の方法。
  9. 前記ジアリールオキシ化合物がジアリールカーボネート化合物、ジアルキルカーボネート化合物及びアルキルアリールカーボネート化合物から選択される、請求項６記載の方法。
  10. 前記ジアリールオキシ化合物が、ジフェニルカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）カーボネート、ビス（２，４−ジクロロフェニル）カーボネート、ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）カーボネート、ビス（２−シアノフェニル）カーボネート、ビス（ｏ−ニトロフェニル）カーボネート、ビス（ｏ−メトキシカルボニルフェニル）カーボネート、ジトリルカーボネート、ｍ−クレゾールカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジブチルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネート及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項６記載の方法。
  11. 前記二価フェノール化合物が次式の化合物である、請求項１記載の方法。
    ＨＯ−Ｄ−ＯＨ
    式中、Ｄは二価芳香族基である。
  12. Ｄが次式で表される、請求項１１記載の方法。
    Figure 2004526005
    式中、Ａ1はフェニレン、ビフェニレン及びナフタレンから選択される芳香族基を表し、
    Ｅは、メチレン、エチレン、エチリデン、プロピレン、プロピリデン、イソプロピリデン、ブチレン、イソブチレン、アミレン及びイソアミリデンから選択されるアルキレン又はアルキリデン基、シクロペンチリデン、シクロヘキシリデン、３，３，５−トリメチルシクロヘキシリデン、メチルシクロヘキシリデン、２−［２．２．１］ビシクロヘプチリデン、ネオペンチリデン、シクロペンタデシリデン、シクロデシリデン及びアダマンチリデンから選択される脂環式基、スルフィド、スルホキシド及びスルホンから選択される含イオウ結合、ホスフィニル又はホスホニル基、エーテル結合、カルボニル基、第三窒素基、又はシラン及びシロキシから選択される含ケイ素結合を表し、
    Ｒ2は、水素又はアルキル、アリール、アラルキル、アルカリール及びシクロアルキルから選択される一価炭化水素基を表し、
    Ｙ1は、ハロゲン、ニトロ、上記で定義したＲ2及び式−ＯＲ2の基から選択され、
    ｓ、ｔ及びｕは各々独立に零又は正の整数である。
  13. 前記二価フェノールが
    レゾルシノール、
    ４−ブロモレゾルシノール、
    ヒドロキノン、
    ４，４′−ジヒドロキシビフェニルエーテル、
    ４，４−チオジフェノール、
    １，６−ジヒドロキシナフタレン、
    ２，６−ジヒドロキシナフタレン、
    ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、
    ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、
    ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−ナフチルメタン、
    １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
    １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    １，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
    １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、
    １，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、
    ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
    １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）イソブテン、
    １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）デカン、
    １，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
    １，１−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
    １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
    １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロドデカン、
    １，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロドデカン、
    ｔｒａｎｓ−２，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブテン、
    ４，４−ジヒドロキシ−３，３−ジクロロジフェニルエーテル、
    ４，４−ジヒドロキシ−２，５−ジヒドロキシジフェニルエーテル、
    ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンチン、
    α，α′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）トルエン、
    ビス（４−ヒドロキシフェニル）アセトニトリル、
    ２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３−エチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３−ｎ−プロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（２，３，５，６−テトラメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（２，６−ジブロモ−３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    α，α−ビス（４−ヒドロキシフェニル）トルエン、
    α，α，α′，α′−テトラメチル−α，α′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−キシレン、
    ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
    １，１−ジクロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチレン、
    １，１−ジブロモ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチレン、
    １，１−ジクロロ−２，２−ビス（５−フェノキシ−４−ヒドロキシフェニル）エチレン、
    ４，４′−ジヒドロキシベンゾフェノン、
    ３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブタノン、
    １，６−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，６−ヘキサンジオン、
    エチレングリコールビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、
    ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、
    ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、
    ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、
    ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、
    ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、
    ９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、
    ２，７−ジヒドロキシピレン、
    ６，６′−ジヒドロキシ−３，３，３′，３′−テトラメチルスピロ（ビス）インダン、
    ３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フタリド、
    ２，６−ジヒドロキシジベンゾ−ｐ−ジオキシン、
    ２，６−ジヒドロキシチアントレン、
    ２，７−ジヒドロキシフェノキサチイン、
    ２，７−ジヒドロキシ−９，１０−ジメチルフェナジン、
    ３，６−ジヒドロキシジベンゾフラン、
    ３，６−ジヒドロキシジベンゾチオフェン、及び
    ２，７−ジヒドロキシカルバゾール
    からなる群から選択される、請求項１１記載の方法。
  14. 前記二価フェノールが次式のスピロビインダン化合物から選択される、請求項１１記載の方法。
    Figure 2004526005
    式中、各Ｒ3は一価炭化水素基及びハロゲン基から独立に選択され、各Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は独立にＣ1〜Ｃ6アルキルであり、各Ｒ8及びＲ9は独立にＨ又はＣ1〜Ｃ6アルキルであり、各ｎは０〜３の正の整数から独立に選択される。
  15. 前記二価フェノール化合物が６，６′−ジヒドロキシ−３，３，３′，３′−テトラメチル−１，１′−スピロビインダンである、請求項１１記載の方法。
  16. 前記ジアリールオキシ化合物がジフェニルカーボネートであり、前記二価フェノール化合物が２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンである、請求項１記載の方法。
  17. さらに、フェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノール、ｐ−クミルフェノールカーボネート、ウンデカン酸、ラウリン酸、ステアリン酸、フェニルクロロホルメート、ｔ−ブチルフェニルクロロホルメート、ｐ−クミルクロロホルメート、クロマンクロロホルメート、オクチルフェニルクロロホルメート、ノニルフェニルクロロホルメート及びこれらの混合物からなる群から選択される１種以上の末端封鎖用モノマーを使用することを含む、請求項１記載の方法。
  18. ポリカーボネートの製造方法であって、
    （ａ）二価フェノールとジアリールオキシ化合物をメルトを形成するのに十分な時間溶融させた後、任意にはテトラアルキルアンモニウム塩及びテトラアルキルホスホニウム塩から選択される助触媒の存在下で、触媒有効量の下記の式（Ｉ）又は（II）の化合物を含む触媒組成物を導入する段階、
    Ａx +y［（ポルフィン−Ｔｍ）Ｂy -x］ （Ｉ）、又は
    Ａx +y［（フタロシアニン−Ｔｍ）Ｂy -x］ （II）
    （式中、Ａはリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムからなる群から選択されるアルカリ金属を表し、Ｂは電荷均衡用のスルホン酸基、カルボン酸基又はホスホン酸基を含み、Ｔｍは遷移金属を表し、ｘは１〜４の整数であり、ｙは１〜４の整数である。）
    （ｂ）段階（ａ）の生成物を、約２１０〜約２９０℃の温度で運転される直列の１以上の連続反応器を含む反応系でオリゴマー化する段階であって、該反応器から得られる生成物が約１０００〜約５５００の数平均分子量を有する段階、及び
    （ｃ）段階（ｂ）の生成物を、約２８０〜３１５℃の温度で運転される直列の１以上の連続重合反応器を含む反応系で重合する段階であって、該段階（ｃ）で得られる生成物が約６５００以上の数平均分子量を有する段階
    を含んでなる方法。
  19. 式（Ｉ）の化合物が以下の式（III）又は（IV）の化合物である、請求項１８記載の方法。
    Figure 2004526005
    Figure 2004526005
    式中、式（III）又は（IV）の化合物がスルホン酸基、カルボン酸基又はホスホン酸基のアルカリ金属塩から選択される１以上の基を含むことを条件として、
    各Ｒ10は
    水素、
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、
    Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、
    アリール、
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたＣ1〜Ｃ6アルキル、
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたＣ1〜Ｃ6アルコキシ、及び
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたアリール
    からなる群から独立に選択され、
    各Ｒ11は
    水素、
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、
    Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、
    アリール、
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたＣ1〜Ｃ6アルキル、
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたＣ1〜Ｃ6アルコキシ、及び
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたアリール
    からなる群から独立に選択され、
    或いは、２つのＲ11基が一体としてそれらに結合した炭素原子と共に六員芳香族環を形成していてもよく、該芳香族環は任意にはＣ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩で置換され、
    Ｍは第３族〜第１２族金属であり、
    ｖは１である。
  20. 式（II）の化合物が以下の式（Ｖ）又は（VI）の化合物である、請求項１８記載の方法。
    Figure 2004526005
    Figure 2004526005
    式中、式（Ｖ）又は（VI）の化合物がスルホン酸基、カルボン酸基又はホスホン酸基のアルカリ金属塩から選択される１以上の基を含むことを条件として、
    Ｍは第３族〜第１２族金属であり、
    ｖは１であり、
    各Ｒ12は
    水素、
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、
    Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、
    アリール、
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたＣ1〜Ｃ6アルキル、
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたＣ1〜Ｃ6アルコキシ、及び
    Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、又はスルホン酸基、カルボン酸基若しくはホスホン酸基のアルカリ金属塩の１以上で置換されたアリール
    からなる群から独立に選択され、
    Ｘはスルホン酸基、カルボン酸基又はホスホン酸基であり、
    Ｑはアルカリ金属塩陽イオンであり、
    各ｔは独立に１〜４の整数である。
  21. 前記遷移金属が銅、ニッケル、白金、ルテニウム及びタングステンからなる群から選択される、請求項１８記載の方法。
  22. 式（Ｉ）又は（II）の化合物が、
    四ナトリウム−メソ−テトラ（４−スルホナトフェニル）ポルフィン、
    ニッケル(II)フタロシアニンテトラスルホン酸四ナトリウム塩、
    銅(II)フタロシアニンテトラスルホン酸四ナトリウム塩、及び
    銅クロロフィリン三ナトリウム塩
    からなる群から選択される、請求項１８記載の方法。
  23. 前記ジアリールオキシ化合物が次式の化合物である、請求項１８記載の方法。
    Figure 2004526005
    式中、
    Ｒはハロゲン、一価炭化水素基及び一価炭化水素オキシ基から独立に選択され、
    Ｒ1はハロゲン、一価炭化水素基及び一価炭化水素オキシ基から独立に選択され、
    ｎ及びｎ1は０〜４の整数から独立に選択される。
  24. Ｒ及びＲ1がＣ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ4〜Ｃ8シクロアルキル、フェニル、ナフチル及びビフェニルから選択される、請求項２３記載の方法。
  25. Ｒ及びＲ1が塩素及び臭素から選択される、請求項２３記載の方法。
  26. 前記ジアリールオキシ化合物がジアリールカーボネート化合物、ジアルキルカーボネート化合物及びアルキルアリールカーボネート化合物から選択される、請求項２３記載の方法。
  27. 前記ジアリールオキシ化合物が、ジフェニルカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）カーボネート、ビス（２，４−ジクロロフェニル）カーボネート、ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）カーボネート、ビス（２−シアノフェニル）カーボネート、ビス（ｏ−ニトロフェニル）カーボネート、ビス（ｏ−メトキシカルボニルフェニル）カーボネート、ジトリルカーボネート、ｍ−クレゾールカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジブチルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネート及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項２４記載の方法。
  28. 前記二価フェノール化合物が次式の化合物である、請求項２３記載の方法。
    ＨＯ−Ｄ−ＯＨ
    式中、Ｄは二価芳香族基である。
  29. Ｄが次式で表される、請求項２８記載の方法。
    Figure 2004526005
    式中、Ａ1はフェニレン、ビフェニレン及びナフタレンから選択される芳香族基を表し、
    Ｅは、メチレン、エチレン、エチリデン、プロピレン、プロピリデン、イソプロピリデン、ブチレン、イソブチレン、アミレン及びイソアミリデンから選択されるアルキレン又はアルキリデン基、シクロペンチリデン、シクロヘキシリデン、３，３，５−トリメチルシクロヘキシリデン、メチルシクロヘキシリデン、２−［２．２．１］ビシクロヘプチリデン、ネオペンチリデン、シクロペンタデシリデン、シクロデシリデン及びアダマンチリデンから選択される脂環式基、スルフィド、スルホキシド及びスルホンから選択される含イオウ結合、ホスフィニル又はホスホニル基、エーテル結合、カルボニル基、第三窒素基、又はシラン及びシロキシから選択される含ケイ素結合を表し、
    Ｒ2は、水素又はアルキル、アリール、アラルキル、アルカリール及びシクロアルキルから選択される一価炭化水素基を表し、
    Ｙ1は、ハロゲン、ニトロ、上記で定義したＲ2及び式−ＯＲ2の基から選択され、
    ｓ、ｔ及びｕは各々独立に零又は正の整数である。
  30. 前記二価フェノールが
    レゾルシノール、
    ４−ブロモレゾルシノール、
    ヒドロキノン、
    ４，４′−ジヒドロキシビフェニルエーテル、
    ４，４−チオジフェノール、
    １，６−ジヒドロキシナフタレン、
    ２，６−ジヒドロキシナフタレン、
    ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、
    ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、
    ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−ナフチルメタン、
    １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
    １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    １，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
    １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、
    １，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、
    ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
    １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）イソブテン、
    １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）デカン、
    １，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
    １，１−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
    １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
    １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロドデカン、
    １，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロドデカン、
    ｔｒａｎｓ−２，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブテン、
    ４，４−ジヒドロキシ−３，３−ジクロロジフェニルエーテル、
    ４，４−ジヒドロキシ−２，５−ジヒドロキシジフェニルエーテル、
    ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンチン、
    α，α′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）トルエン、
    ビス（４−ヒドロキシフェニル）アセトニトリル、
    ２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３−エチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３−ｎ−プロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（２，３，５，６−テトラメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    ２，２−ビス（２，６−ジブロモ−３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
    α，α−ビス（４−ヒドロキシフェニル）トルエン、
    α，α，α′，α′−テトラメチル−α，α′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−キシレン、
    ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
    １，１−ジクロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチレン、
    １，１−ジブロモ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチレン、
    １，１−ジクロロ−２，２−ビス（５−フェノキシ−４−ヒドロキシフェニル）エチレン、
    ４，４′−ジヒドロキシベンゾフェノン、
    ３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブタノン、
    １，６−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，６−ヘキサンジオン、
    エチレングリコールビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、
    ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、
    ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、
    ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、
    ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、
    ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、
    ９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、
    ２，７−ジヒドロキシピレン、
    ６，６′−ジヒドロキシ−３，３，３′，３′−テトラメチルスピロ（ビス）インダン、
    ３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フタリド、
    ２，６−ジヒドロキシジベンゾ−ｐ−ジオキシン、
    ２，６−ジヒドロキシチアントレン、
    ２，７−ジヒドロキシフェノキサチイン、
    ２，７−ジヒドロキシ−９，１０−ジメチルフェナジン、
    ３，６−ジヒドロキシジベンゾフラン、
    ３，６−ジヒドロキシジベンゾチオフェン、及び
    ２，７−ジヒドロキシカルバゾール
    からなる群から選択される、請求項２８記載の方法。
  31. 前記二価フェノールが次式のスピロビインダン化合物から選択される、請求項２８記載の方法。
    Figure 2004526005
    式中、各Ｒ3は一価炭化水素基及びハロゲン基から独立に選択され、各Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は独立にＣ1〜Ｃ6アルキルであり、各Ｒ8及びＲ9は独立にＨ又はＣ1〜Ｃ6アルキルであり、各ｎは０〜３の正の整数から独立に選択される。
  32. 前記二価フェノール化合物が６，６′−ジヒドロキシ−３，３，３′，３′−テトラメチル−１，１′−スピロビインダンである、請求項２８記載の方法。
  33. 前記ジアリールオキシ化合物がジフェニルカーボネートであり、前記二価フェノール化合物が２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンである、請求項１８記載の方法。
  34. さらに、フェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノール、ｐ−クミルフェノールカーボネート、ウンデカン酸、ラウリン酸、ステアリン酸、フェニルクロロホルメート、ｔ−ブチルフェニルクロロホルメート、ｐ−クミルクロロホルメート、クロマンクロロホルメート、オクチルフェニルクロロホルメート、ノニルフェニルクロロホルメート及びこれらの混合物からなる群から選択される１種以上の末端封鎖用モノマーを使用することを含む、請求項１８記載の方法。
JP2002556647A 2001-01-12 2001-06-27 溶融法ポリカーボネート触媒系 Withdrawn JP2004526005A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/760,053 US6291631B1 (en) 2001-01-12 2001-01-12 Melt polycarbonate catalyst systems
PCT/US2001/020525 WO2002055584A1 (en) 2001-01-12 2001-06-27 Melt polycarbonate catalyst systems

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004526005A true JP2004526005A (ja) 2004-08-26

Family

ID=25057941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002556647A Withdrawn JP2004526005A (ja) 2001-01-12 2001-06-27 溶融法ポリカーボネート触媒系

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6291631B1 (ja)
EP (1) EP1360221B1 (ja)
JP (1) JP2004526005A (ja)
CN (1) CN1232562C (ja)
DE (1) DE60131898T2 (ja)
WO (1) WO2002055584A1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003062300A1 (fr) * 2002-01-23 2003-07-31 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Resine de polycarbonate aromatique, procede de production de celle-ci, materiau de moulage d'element optique et element optique
US20030214070A1 (en) * 2002-05-08 2003-11-20 General Electric Company Multiwall polycarbonate sheet and method for its production
US20040106713A1 (en) * 2002-12-03 2004-06-03 Avakian Roger W. Use of additives in compounds containing macrocyclic poly(alkylene dicarboxylate) oligomers
GB2426978A (en) * 2005-06-08 2006-12-13 Yen Cheng Tsai Novel Phthalocyanine Derivatives, Synthetic Process thereof and their application in optical recording media
US7759456B2 (en) * 2006-06-30 2010-07-20 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Branched polycarbonate resins and processes to prepare the same
KR101346516B1 (ko) * 2013-01-18 2013-12-31 아주대학교산학협력단 염기 촉매를 이용하여 제조된 고분자량의 지방족 폴리카보네이트
EP3515968A1 (en) * 2016-09-20 2019-07-31 Dow Global Technologies LLC Polymers having intrinsic microporosity including sub-units with troger's base and spirobisindane moieties
CN106947072A (zh) * 2017-04-20 2017-07-14 宁波浙铁大风化工有限公司 一种聚碳酸酯的制备工艺

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5191038A (en) 1989-06-01 1993-03-02 General Electric Company Preparation of branched polycarbonate composition from cyclic aromatic polycarbonate oligomer, polyhydric phenol and polycarbonate
US5344908A (en) 1993-05-04 1994-09-06 General Electric Company Process for the manufacture of polycarbonate-oligomers without solvent
US5319066A (en) 1993-05-27 1994-06-07 General Electric Company Method for making polycarbonates
US5373083A (en) * 1993-06-17 1994-12-13 General Electric Company Thermoplastic resin and method using heterocyclic amine catalyst
US5412061A (en) 1994-03-07 1995-05-02 General Electric Company Polycarbonate melt condensation synthesis using a tetraorganophosphonium carboxylate salt catalyst
DE19504622A1 (de) * 1995-02-13 1996-08-14 Bayer Ag Zweistufen-Verfahren zur Herstellung von thermoplastischem Polycarbonat
JPH11158261A (ja) 1997-12-01 1999-06-15 Mitsubishi Chemical Corp 芳香族ポリカーボネート樹脂の製造方法
US5973103A (en) 1998-10-22 1999-10-26 General Electric Company Continuous interfacial method for preparing aromatic polycarbonates

Also Published As

Publication number Publication date
US6291631B1 (en) 2001-09-18
WO2002055584A1 (en) 2002-07-18
CN1232562C (zh) 2005-12-21
EP1360221A1 (en) 2003-11-12
DE60131898D1 (de) 2008-01-24
CN1500105A (zh) 2004-05-26
DE60131898T2 (de) 2008-12-04
EP1360221B1 (en) 2007-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4057420B2 (ja) 溶融ポリカーボネート触媒系
KR100589111B1 (ko) 고분자량 폴리카보네이트의 제조방법
JP2655675B2 (ja) スピロビインダンポリカーボネートの製造法及びその生成物及びそれから得られる製品
JP2005514466A (ja) ポリカーボネート製造方法
EP0289826A2 (en) Method for preparing polycarbonates of controlled molecular weight
JPH073001A (ja) ポリカーボネートの製造方法
US6608163B2 (en) Polycarbonate copolymers having improved hydrolytic stability
JP2686061B2 (ja) 環状ポリカ―ボネ―トオリゴマ―からのポリカーボネート樹脂の製造方法
US6291631B1 (en) Melt polycarbonate catalyst systems
JP4048241B2 (ja) 溶融ポリカーボネート触媒系
KR100838914B1 (ko) 용융 폴리카보네이트 촉매 시스템
JP4080881B2 (ja) 溶融法ポリカーボネート触媒系
US6323303B1 (en) Melt polycarbonate catalyst systems
JP2004502848A (ja) 重合触媒として１種類以上のセシウム等価物を含有する硫酸の混合二アルカリ金属塩
US4722994A (en) Method of preparing cyclic oligomeric polycarbonates

Legal Events

Date Code Title Description
RD13 Notification of appointment of power of sub attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433

Effective date: 20070903

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080610

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20081110

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20090105

A072 Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination]

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072

Effective date: 20090519

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20090519

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090529