JP2004521177A5

JP2004521177A5 -

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Publication number: JP2004521177A5
Application number: JP2002564989A
Authority: JP
Filing date: 2001-12-28
Publication date: 2005-12-22

Claims

ポリカーボネートの製造方法であって、ポリカーボネート溶融重合条件下において、次式の化合物の存在下、任意にはテトラアルキルアンモニウム及びテトラアルキルホスホニウム塩から選択される助触媒の存在下で、ジアリールオキシ化合物を二価フェノール化合物と接触させることを含んでなる方法。
Ｃｓ⁺Ａｎ^-
式中、Ａｎは弱酸の陰イオン又は遷移金属酸化物陰イオンである。
Ａｎ^-が、ＣＨ₃ＳＯ₃ ^-、ＮＨ₂ＳＯ₃ ^-、Ｃ₂Ｈ₂Ｏ₄ ^-、ＢＦ₄ ^-、Ｂ（Ｃ₆Ｈ₅ＣＨ₃）₄ ^-及びＣＨ₃Ｃ₆Ｈ₄ＳＯ₃ ^-からなる群から選択される、請求項１記載の方法。
ジアリールオキシ化合物が次式の化合物である、請求項１記載の方法。

式中、Ｒはハロゲン、一価炭化水素及び一価炭化水素オキシ基から独立に選択され、
Ｒ¹はハロゲン、一価炭化水素及び一価炭化水素オキシ基から独立に選択され、
ｎ及びｎ¹は０〜４の値を有する整数から独立に選択される。
ジアリールオキシ化合物が、ジアリールカーボネート化合物、ジアルキルカーボネート化合物及びアルキルアリールカーボネート化合物から選択される、請求項３記載の方法。
ジアリールオキシ化合物が、ジフェニルカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）カーボネート、ビス（２，４−ジクロロフェニル）カーボネート、ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）カーボネート、ビス（２−シアノフェニル）カーボネート、ビス（ｏ−ニトロフェニル）カーボネート、ビス（ｏ−メトキシカルボニルフェニル）カーボネート、ジトリルカーボネート、ｍ−クレゾールカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジブチルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネート及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項３記載の方法。
二価フェノール化合物が次式の化合物である、請求項１記載の方法。
ＨＯ−Ｄ−ＯＨ
式中、Ｄは二価芳香族基である。
Ｄが次式を有する、請求項６記載の方法。

式中、Ａ¹はフェニレン、ビフェニレン及びナフタレンから選択される芳香族基を表し、
Ｅは、メチレン、エチレン、エチリデン、プロピレン、プロピリデン、イソプロピリデン、ブチレン、イソブチレン、アミレン及びイソアミリデンから選択されるアルキレンもしくはアルキリデン基、シクロペンチリデン、シクロヘキシリデン、３，３，５−トリメチルシクロヘキシリデン、メチルシクロヘキシリデン、２−［２．２．１］−ビシクロヘプチリデン、ネオペンチリデン、シクロペンタデシリデン、シクロデシリデン及びアダマンチリデンから選択される環式脂肪族基、スルフィド、スルホキシドもしくはスルホンから選択される含イオウ結合、ホスフィニルもしくはホスホニル基、エーテル結合、カルボニル基、第三窒素基、又はシランもしくはシロキシから選択される含ケイ素結合を表し、
Ｒ²は水素、又はアルキル、アリール、アラルキル、アルカリールもしくはシクロアルキルから選択される一価炭化水素基を表し、
Ｙ¹はハロゲン、ニトロ、上記で定義したＲ²、又は式−ＯＲ²の基から選択され、
ｓ、ｔ及びｕは各々独立に零又は正の整数である。
二価フェノールが次式のスピロビインダン化合物から選択される、請求項６記載の方法。

式中、各Ｒ³は一価炭化水素基及びハロゲン基から独立に選択され、各Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁷は独立にＣ₁〜Ｃ₆アルキルであり、各Ｒ⁸及びＲ⁹は独立にＨ又はＣ₁〜Ｃ₆アルキルであり、各ｎは０〜３の値を有する正の整数から独立に選択される。
さらに、フェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノール、ｐ−クミルフェノールカーボネート、ウンデカン酸、ラウリン酸、ステアリン酸、フェニルクロロホルメート、ｔ−ブチルフェニルクロロホルメート、ｐ−クミルクロロホルメート、クロマンクロロホルメート、オクチルフェニルクロロホルメート、ノニルフェニルクロロホルメート又はこれらの混合物からなる群から選択される１種以上の末端封鎖モノマーを利用することを含む、請求項１記載の方法。
ポリカーボネートの製造方法であって、
（ａ）二価フェノール及びジアリールオキシ化合物を、メルトが形成するのに十分な時間溶融させた後、任意にはテトラアルキルアンモニウム及びテトラアルキルホスホニウム塩基から選択される助触媒の存在下で、触媒有効量の次式の化合物を含む触媒組成物を導入する段階、
Ｃｓ⁺Ａｎ^-
（式中、Ａｎは弱酸の陰イオン又は遷移金属酸化物陰イオンである。）
（ｂ）段階（ａ）の生成物を、温度約２１０〜約２９０℃で運転される直列の１以上の連続反応器を含む反応系でオリゴマー化する段階であって、該反応器から得られる生成物が約１０００〜約５５００の数平均分子量を有する段階、及び
（ｃ）段階（ｂ）の生成物を、温度約２８０〜３１５℃で運転される直列の１以上の連続重合反応器を含む反応系で重合する段階であって、該段階（ｃ）で得られる生成物が約６５００以上の数平均分子量を有する段階
を含んでなる方法。