JP3381872B2 - ポリカーボネートの製造方法 - Google Patents
ポリカーボネートの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリカーボネートの製造
方法に関する。詳しくは、二価フェノールと炭酸ジエス
テルからエステル交換反応によるポリカーボネートの製
造において、著しく着色の少ないポリカーボネートを製
造する方法に関するものである。
方法に関する。詳しくは、二価フェノールと炭酸ジエス
テルからエステル交換反応によるポリカーボネートの製
造において、著しく着色の少ないポリカーボネートを製
造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ポリカーボネート（以下、ＰＣ
と記すことがある。）の製造方法としては、ビスフェノ
ールＡなどの芳香族ジヒドロキシ化合物とホスゲンとを
直接反応させる方法（界面重縮合法）、あるいはビスフ
ェノールＡなどの芳香族ジヒドロキシ化合物とジフェニ
ルカーボネートなどの炭酸ジエステルとを溶融状態でエ
ステル交換反応させる溶融重合法が知られている。これ
らの方法のうち、上記界面重縮合法は、有毒なホスゲ
ンを用いなければならないこと、副生する塩化水素や
塩化ナトリウムなどの含塩素化合物によって製造装置が
腐蝕すること、樹脂中に混入する水酸化ナトリウムな
どポリマーの物性に悪影響を及ぼす不純物の分離が困難
なこと、などの諸問題を有している。一方、溶融重合法
は、界面重縮合法と比較して、安価にＰＣを製造するこ
とができる利点を有しているものの、通常、２８０〜３
１０℃の高温下で長時間反応させるために、樹脂の着色
という問題を避けられないという大きな欠点を有してい
る。
と記すことがある。）の製造方法としては、ビスフェノ
ールＡなどの芳香族ジヒドロキシ化合物とホスゲンとを
直接反応させる方法（界面重縮合法）、あるいはビスフ
ェノールＡなどの芳香族ジヒドロキシ化合物とジフェニ
ルカーボネートなどの炭酸ジエステルとを溶融状態でエ
ステル交換反応させる溶融重合法が知られている。これ
らの方法のうち、上記界面重縮合法は、有毒なホスゲ
ンを用いなければならないこと、副生する塩化水素や
塩化ナトリウムなどの含塩素化合物によって製造装置が
腐蝕すること、樹脂中に混入する水酸化ナトリウムな
どポリマーの物性に悪影響を及ぼす不純物の分離が困難
なこと、などの諸問題を有している。一方、溶融重合法
は、界面重縮合法と比較して、安価にＰＣを製造するこ
とができる利点を有しているものの、通常、２８０〜３
１０℃の高温下で長時間反応させるために、樹脂の着色
という問題を避けられないという大きな欠点を有してい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような溶融重合法
において、上記着色を低減させるために、種々の改良技
術が提案されている。例えば、特公昭６１−３９９７２
号公報，特開昭６３−２２３０３６号公報には、特定の
触媒を使用する方法が開示されている。また、特開昭６
１−１５１２３６号公報，特開昭６２−１５８７１９号
公報には、反応後期に酸化防止剤を添加する方法が開示
されている。そして、特開昭６１−６２５２２号公報及
び特開平２−１５３９２５号公報には、それぞれ反応後
期に２軸ベント式混練押出機、横型攪拌重合槽を使用す
るなどプロセス的な改良技術が開示されている。さら
に、特開平２−１７５７２２号公報には、モノマー中の
加水分解可能な塩素含有量を一定以下にする方法が開示
されている。しかし、未だ前記の樹脂の着色の問題は完
全には解決されておらず、満足すべきＰＣを得るには至
っていないのが実状である。従って、本発明の目的は、
溶融重合法において、着色が少なく品質の優れたポリカ
ーボネートを製造する方法を提供することにある。
において、上記着色を低減させるために、種々の改良技
術が提案されている。例えば、特公昭６１−３９９７２
号公報，特開昭６３−２２３０３６号公報には、特定の
触媒を使用する方法が開示されている。また、特開昭６
１−１５１２３６号公報，特開昭６２−１５８７１９号
公報には、反応後期に酸化防止剤を添加する方法が開示
されている。そして、特開昭６１−６２５２２号公報及
び特開平２−１５３９２５号公報には、それぞれ反応後
期に２軸ベント式混練押出機、横型攪拌重合槽を使用す
るなどプロセス的な改良技術が開示されている。さら
に、特開平２−１７５７２２号公報には、モノマー中の
加水分解可能な塩素含有量を一定以下にする方法が開示
されている。しかし、未だ前記の樹脂の着色の問題は完
全には解決されておらず、満足すべきＰＣを得るには至
っていないのが実状である。従って、本発明の目的は、
溶融重合法において、着色が少なく品質の優れたポリカ
ーボネートを製造する方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記状況
に鑑み、着色が少なく品質の優れたＰＣを効率よく製造
することができるポリカーボネートの製造方法を開発す
べく鋭意検討を重ねた結果、ＰＣを二価フェノールと炭
酸ジエステルとのエステル交換により製造する方法にお
いて、特定の二価フェノールを特定量で組み合わせ用い
ることにより、反応時の溶融粘度を低下させ、反応速度
を向上させることにより短時間で重合を終了させ、これ
により着色を防ぎ、上記の課題を解決し得ることを見出
した。すなわち、本発明は、（１）二価フェノールと炭
酸ジエステルとからのエステル交換反応によってポリカ
ーボネートを製造するにあたり、二価フェノールとして
下記一般式 (Ｉ) で表される二価フェノール及び下記一
般式 (II) で表される二価フェノールを用い、かつ全二
価フェノールに対する一般式 (Ｉ) で表される二価フェ
ノールの割合が0.５〜８０モル％であることを特徴とす
るポリカーボネートの製造方法、
に鑑み、着色が少なく品質の優れたＰＣを効率よく製造
することができるポリカーボネートの製造方法を開発す
べく鋭意検討を重ねた結果、ＰＣを二価フェノールと炭
酸ジエステルとのエステル交換により製造する方法にお
いて、特定の二価フェノールを特定量で組み合わせ用い
ることにより、反応時の溶融粘度を低下させ、反応速度
を向上させることにより短時間で重合を終了させ、これ
により着色を防ぎ、上記の課題を解決し得ることを見出
した。すなわち、本発明は、（１）二価フェノールと炭
酸ジエステルとからのエステル交換反応によってポリカ
ーボネートを製造するにあたり、二価フェノールとして
下記一般式 (Ｉ) で表される二価フェノール及び下記一
般式 (II) で表される二価フェノールを用い、かつ全二
価フェノールに対する一般式 (Ｉ) で表される二価フェ
ノールの割合が0.５〜８０モル％であることを特徴とす
るポリカーボネートの製造方法、
【０００５】
【化３】
式中、Ａは
【０００６】
【化４】
【０００７】を表す。ここで、ｉは７〜２０の数を示
し、ｊは０〜６の数を示す。また、Ｂは単結合、炭素数
１〜１５のアルキリデン基あるいはアルキレン基、炭素
数５〜２０のシクロアルキリデン基あるいはシクロアル
キレン基、炭素数６〜１５のアリーレン基、炭素数７〜
１５のアリールアルキレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ
−又は−ＳＯ2−を表し、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3及びＲ4は各々
炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基またはハロゲン
原子を表し、それぞれ同じであっても異なるものであっ
てもよい。ｍ、ｎ、ｐ及びｑは各々０〜４の数を示す。
（２）一般式（Ｉ）で表される二価フェノールが、2,2-
ビス(4-ヒドロキシフェニル)デカン、2,2-ビス(4-ヒド
ロキシフェニル)ドデカン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェ
ニル)テトラデカン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)
ヘキサデカン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)オクタ
デカン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)エイコサン、
2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)ドコサン、3,3-ビス(4
-ヒドロキシフェニル)ドデカン、3,3-ビス(4-ヒドロキ
シフェニル)ヘキサデカン及び3,3-ビス(4-ヒドロキシフ
ェニル)オクタデカンから選ばれることを特徴とする上
記（１）記載のポリカーボネートの製造方法、（３）一
般式（II）で表される二価フェノールが2,2-ビス(4-ヒ
ドロキシフェニル）プロパンであることを特徴とする上
記（１）記載のポリカーボネートの製造方法、（４）全
二価フェノールに対する一般式 (Ｉ) で表される二価フ
ェノールの割合が１〜５０モル％であることを特徴とす
る上記（１）記載のポリカーボネートの製造方法、及び
（５）反応温度が１８０〜３００℃の範囲であり、かつ
反応の進行に合わせて温度を次第に上昇させることを特
徴とする上記（１）記載のポリカーボネートの製造方
法、を提供するものである。
し、ｊは０〜６の数を示す。また、Ｂは単結合、炭素数
１〜１５のアルキリデン基あるいはアルキレン基、炭素
数５〜２０のシクロアルキリデン基あるいはシクロアル
キレン基、炭素数６〜１５のアリーレン基、炭素数７〜
１５のアリールアルキレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ
−又は−ＳＯ2−を表し、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3及びＲ4は各々
炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基またはハロゲン
原子を表し、それぞれ同じであっても異なるものであっ
てもよい。ｍ、ｎ、ｐ及びｑは各々０〜４の数を示す。
（２）一般式（Ｉ）で表される二価フェノールが、2,2-
ビス(4-ヒドロキシフェニル)デカン、2,2-ビス(4-ヒド
ロキシフェニル)ドデカン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェ
ニル)テトラデカン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)
ヘキサデカン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)オクタ
デカン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)エイコサン、
2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)ドコサン、3,3-ビス(4
-ヒドロキシフェニル)ドデカン、3,3-ビス(4-ヒドロキ
シフェニル)ヘキサデカン及び3,3-ビス(4-ヒドロキシフ
ェニル)オクタデカンから選ばれることを特徴とする上
記（１）記載のポリカーボネートの製造方法、（３）一
般式（II）で表される二価フェノールが2,2-ビス(4-ヒ
ドロキシフェニル）プロパンであることを特徴とする上
記（１）記載のポリカーボネートの製造方法、（４）全
二価フェノールに対する一般式 (Ｉ) で表される二価フ
ェノールの割合が１〜５０モル％であることを特徴とす
る上記（１）記載のポリカーボネートの製造方法、及び
（５）反応温度が１８０〜３００℃の範囲であり、かつ
反応の進行に合わせて温度を次第に上昇させることを特
徴とする上記（１）記載のポリカーボネートの製造方
法、を提供するものである。
【０００８】以下に、本発明を更に詳細に説明する。本
発明の製造方法においては、二価フェノールと炭酸ジエ
ステルとからエステル交換反応によってポリカーボネー
トを製造するにあたり、二価フェノールとして上記一般
式 (Ｉ) で表される二価フェノール及び上記一般式 (I
I) で表される二価フェノールを用いる。一般式 (Ｉ)
で表される二価フェノールとしては、種々の化合物を使
用することができるが、例えば、2,2-ビス(4-ヒドロキ
シフェニル)デカン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)
ドデカン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)テトラデカ
ン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)ヘキサデカン、2,
2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)オクタデカン、2,2-ビス
(4-ヒドロキシフェニル)エイコサン、2,2-ビス(4-ヒド
ロキシフェニル)ドコサン、3,3-ビス(4-ヒドロキシフェ
ニル)ドデカン、3,3-ビス(4-ヒドロキシフェニル)ヘキ
サデカン、3,3-ビス(4-ヒドロキシフェニル)オクタデカ
ン等及びこれらの芳香族ハロゲン置換化合物が挙げられ
る。これらのモノマーは単独で用いても、２種以上の混
合物として用いてもよい。
発明の製造方法においては、二価フェノールと炭酸ジエ
ステルとからエステル交換反応によってポリカーボネー
トを製造するにあたり、二価フェノールとして上記一般
式 (Ｉ) で表される二価フェノール及び上記一般式 (I
I) で表される二価フェノールを用いる。一般式 (Ｉ)
で表される二価フェノールとしては、種々の化合物を使
用することができるが、例えば、2,2-ビス(4-ヒドロキ
シフェニル)デカン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)
ドデカン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)テトラデカ
ン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)ヘキサデカン、2,
2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)オクタデカン、2,2-ビス
(4-ヒドロキシフェニル)エイコサン、2,2-ビス(4-ヒド
ロキシフェニル)ドコサン、3,3-ビス(4-ヒドロキシフェ
ニル)ドデカン、3,3-ビス(4-ヒドロキシフェニル)ヘキ
サデカン、3,3-ビス(4-ヒドロキシフェニル)オクタデカ
ン等及びこれらの芳香族ハロゲン置換化合物が挙げられ
る。これらのモノマーは単独で用いても、２種以上の混
合物として用いてもよい。
【０００９】また、一般式 (II) で表される二価のフェ
ノールとしては、種々の化合物を使用することができる
が、例えば、4,4-ジヒドロキシジフェニル、ビス(4-ヒ
ドロキシフェニル)メタン、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェ
ニル)エタン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)ブタン、ビス(4-
ヒドロキシフェニル）シクロアルカン、ビス(4-ヒドロ
キシフェニル）オキシド、ビス(4-ヒドロキシフェニ
ル）スルフィド、ビス(4-ヒドロキシフェニル)スルホ
ン、ビス(4-ヒドロキシフェニル）ケトン等及びこれら
のハロゲン置換化合物が挙げられる。中でも、2,2-ビス
(4-ヒドロキシルフェニル)プロパン（ビスフェノール
Ａ）が適している。これらのモノマーは単独で用いて
も、２種以上の混合物として用いてもよい。本発明にお
いては、上記一般式 (Ｉ) で表される二価フェノール及
び一般式 (II) で表される二価フェノールはいずれもモ
ノエステルまたはジエステルの誘導体として用いること
もできる。
ノールとしては、種々の化合物を使用することができる
が、例えば、4,4-ジヒドロキシジフェニル、ビス(4-ヒ
ドロキシフェニル)メタン、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェ
ニル)エタン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)ブタン、ビス(4-
ヒドロキシフェニル）シクロアルカン、ビス(4-ヒドロ
キシフェニル）オキシド、ビス(4-ヒドロキシフェニ
ル）スルフィド、ビス(4-ヒドロキシフェニル)スルホ
ン、ビス(4-ヒドロキシフェニル）ケトン等及びこれら
のハロゲン置換化合物が挙げられる。中でも、2,2-ビス
(4-ヒドロキシルフェニル)プロパン（ビスフェノール
Ａ）が適している。これらのモノマーは単独で用いて
も、２種以上の混合物として用いてもよい。本発明にお
いては、上記一般式 (Ｉ) で表される二価フェノール及
び一般式 (II) で表される二価フェノールはいずれもモ
ノエステルまたはジエステルの誘導体として用いること
もできる。
【００１０】本発明の製造方法においては、全二価フェ
ノールに対する一般式 (Ｉ) で表される二価フェノール
の使用割合が0.５〜８０モル％、好ましくは１〜５０モ
ル％である。上記割合が0.５モル％未満である場合は溶
融時の粘度の低下がみられず、また８０モル％を越える
場合は得られるポリマーの機械的強度が低下することが
あり好ましくない。
ノールに対する一般式 (Ｉ) で表される二価フェノール
の使用割合が0.５〜８０モル％、好ましくは１〜５０モ
ル％である。上記割合が0.５モル％未満である場合は溶
融時の粘度の低下がみられず、また８０モル％を越える
場合は得られるポリマーの機械的強度が低下することが
あり好ましくない。
【００１１】本発明の製造方法において用いられる炭酸
ジエステルとしては各種のものがあり、好ましくは炭酸
ジアリールエステル化合物、炭酸ジアルキルエステル化
合物又は炭酸アルキルアリールエステル化合物が挙げら
れる。炭酸ジアリールエステル化合物としては、ジフェ
ニルカーボネート、ジトリルカーボネート、ビス（クロ
ロフェニル）カーボネート、ジナフチルカーボネート、
ビスフェノールＡビスフェニルカーボネート等が挙げら
れる。炭酸ジアルキルエステル化合物としては、ジメチ
ルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカー
ボネート、ジシクロヘキシルカーボネート、ビスフェノ
ールＡビスメチルカーボネート等が挙げられる。炭酸ア
ルキルアリールエステル化合物としては、メチルフェニ
ルカーボネート、エチルフェニルカーボネート、ブチル
フェニルカーボネート、シクロヘキシルフェニルカーボ
ネート、ビスフェノールＡメチルフェニルカーボネート
等が挙げられる。使用される炭酸ジエステルの量は二価
フェノールに対し、モル比で好ましくは1.０〜2.５、更
に好ましくは1.０５〜2.０である。
ジエステルとしては各種のものがあり、好ましくは炭酸
ジアリールエステル化合物、炭酸ジアルキルエステル化
合物又は炭酸アルキルアリールエステル化合物が挙げら
れる。炭酸ジアリールエステル化合物としては、ジフェ
ニルカーボネート、ジトリルカーボネート、ビス（クロ
ロフェニル）カーボネート、ジナフチルカーボネート、
ビスフェノールＡビスフェニルカーボネート等が挙げら
れる。炭酸ジアルキルエステル化合物としては、ジメチ
ルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカー
ボネート、ジシクロヘキシルカーボネート、ビスフェノ
ールＡビスメチルカーボネート等が挙げられる。炭酸ア
ルキルアリールエステル化合物としては、メチルフェニ
ルカーボネート、エチルフェニルカーボネート、ブチル
フェニルカーボネート、シクロヘキシルフェニルカーボ
ネート、ビスフェノールＡメチルフェニルカーボネート
等が挙げられる。使用される炭酸ジエステルの量は二価
フェノールに対し、モル比で好ましくは1.０〜2.５、更
に好ましくは1.０５〜2.０である。
【００１２】本発明の製造方法においては、上記の成分
に加えて末端停止剤を使用することができる。使用でき
る末端停止剤としては、p-tert-ブチルフェノール、p-t
ert-オクチルフェノール、p-クミルフェノール、p-ブロ
モフェノール、トリブロモフェノール、ノニルフェノー
ル等の一価のフェノールを用いることができる。さら
に、本発明では、必要に応じてフロログルシン；トリメ
リット酸；１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン；１−〔α−メチル−α−（４’−ヒドロキ
シフェニル）エチル〕−４−〔α’，α’−ビス（４”
−ヒドロキシフェニル）エチル〕ベンゼン；α，α’，
α”−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５
−トリイソプロピルベンゼン；イサチンビス（ｏ−クレ
ゾール）等の官能基を３つ以上有する化合物を分岐剤と
して用いることもできる。本発明の製造方法において用
いることのできる二価フェノール，炭酸ジエステル，末
端停止剤，分岐剤等の原料化合物は、再結晶等によって
精製されたものである。
に加えて末端停止剤を使用することができる。使用でき
る末端停止剤としては、p-tert-ブチルフェノール、p-t
ert-オクチルフェノール、p-クミルフェノール、p-ブロ
モフェノール、トリブロモフェノール、ノニルフェノー
ル等の一価のフェノールを用いることができる。さら
に、本発明では、必要に応じてフロログルシン；トリメ
リット酸；１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン；１−〔α−メチル−α−（４’−ヒドロキ
シフェニル）エチル〕−４−〔α’，α’−ビス（４”
−ヒドロキシフェニル）エチル〕ベンゼン；α，α’，
α”−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５
−トリイソプロピルベンゼン；イサチンビス（ｏ−クレ
ゾール）等の官能基を３つ以上有する化合物を分岐剤と
して用いることもできる。本発明の製造方法において用
いることのできる二価フェノール，炭酸ジエステル，末
端停止剤，分岐剤等の原料化合物は、再結晶等によって
精製されたものである。
【００１３】また、本発明では、必要に応じて、酸化防
止剤を使用することができる。具体的には、トリス（ノ
ニルフェニル）ホスファイト，２−エチルヘキシルジフ
ェニルホスファイトの他、トリメチルホスファイト，ト
リエチルホスファイト，トリブチルホスファイト，トリ
オクチルホスファイト，トリノニルホスファイト，トリ
デシルホスファイト，トリオクタデシルホスファイト，
ジステアリルペンタエリスチルジホスファイト，トリス
（２−クロロエチル）ホスファイト，トリス（２，３−
ジクロロプロピル）ホスファイトなどのトリアルキルホ
スファイト；トリシクロヘキシルホスファイトなどのト
リシクロアルキルホスファイト；トリフェニルホスファ
イト，トリクレジルホスファイト，トリス（エチルフェ
ニル）ホスファイト，トリス（ブチルフェニル）ホスフ
ァイト，トリス（ヒドロキシフェニル）ホスファイトな
どのトリアリールホスファイト；トリメチルホスフェー
ト，トリエチルホスフェート，トリブチルホスフェー
ト，トリオクチルホスフェート，トリデシルホスフェー
ト，トリオクタデシルホスフェート，ジステアリルペン
タエリスリチルジホスフェート，トリス（２−クロロエ
チル）ホスフェート，トリス（２，３−ジクロロプロピ
ル）ホスフェートなどのトリアルキルホスフェート；ト
リシクロヘキシルホスフェートなどのトリシクロアルキ
ルホスフェート；トリフェニルホスフェート，トリクレ
ジルホスフェート，トリス（ノニルフェニル）ホスフェ
ート，２−エチルフェニルジフェニルホスフェートなど
のトリアリールホスフェートなどのリン系酸化防止剤が
好ましく用いられる。また、本発明によって得られるＰ
Ｃは、本発明の目的を阻害しない限り、各種の添加剤、
例えば可塑剤，顔料，潤滑剤，離型剤，難燃剤，難燃助
剤，着色剤，紫外線吸収剤，無機充填剤などの周知の添
加剤を配合して使用することができる。
止剤を使用することができる。具体的には、トリス（ノ
ニルフェニル）ホスファイト，２−エチルヘキシルジフ
ェニルホスファイトの他、トリメチルホスファイト，ト
リエチルホスファイト，トリブチルホスファイト，トリ
オクチルホスファイト，トリノニルホスファイト，トリ
デシルホスファイト，トリオクタデシルホスファイト，
ジステアリルペンタエリスチルジホスファイト，トリス
（２−クロロエチル）ホスファイト，トリス（２，３−
ジクロロプロピル）ホスファイトなどのトリアルキルホ
スファイト；トリシクロヘキシルホスファイトなどのト
リシクロアルキルホスファイト；トリフェニルホスファ
イト，トリクレジルホスファイト，トリス（エチルフェ
ニル）ホスファイト，トリス（ブチルフェニル）ホスフ
ァイト，トリス（ヒドロキシフェニル）ホスファイトな
どのトリアリールホスファイト；トリメチルホスフェー
ト，トリエチルホスフェート，トリブチルホスフェー
ト，トリオクチルホスフェート，トリデシルホスフェー
ト，トリオクタデシルホスフェート，ジステアリルペン
タエリスリチルジホスフェート，トリス（２−クロロエ
チル）ホスフェート，トリス（２，３−ジクロロプロピ
ル）ホスフェートなどのトリアルキルホスフェート；ト
リシクロヘキシルホスフェートなどのトリシクロアルキ
ルホスフェート；トリフェニルホスフェート，トリクレ
ジルホスフェート，トリス（ノニルフェニル）ホスフェ
ート，２−エチルフェニルジフェニルホスフェートなど
のトリアリールホスフェートなどのリン系酸化防止剤が
好ましく用いられる。また、本発明によって得られるＰ
Ｃは、本発明の目的を阻害しない限り、各種の添加剤、
例えば可塑剤，顔料，潤滑剤，離型剤，難燃剤，難燃助
剤，着色剤，紫外線吸収剤，無機充填剤などの周知の添
加剤を配合して使用することができる。
【００１４】以下に、本発明の製造方法の手順及び条件
を具体的に示す。本発明でエステル交換反応を行うにあ
たって、反応温度は、特に限定されないが、通常１００
℃〜３３０℃の範囲であり、好ましくは１８０℃〜３０
０℃である。更に、１８０〜３００℃の範囲内で反応の
進行に合わせて次第に温度を上げていく方法が好まし
い。該エステル交換反応は１００℃未満では、反応の進
行が遅く、３３０℃を超えると、ポリマーの熱劣化が起
こり好ましくない。また、反応圧力は、使用するモノマ
ーの蒸気圧や反応温度に応じて、反応が効率良く行われ
るように設定することが出来る。通常、反応初期におい
ては約５０ｍｍＨｇ程度の減圧状態から約５０気圧程度
の加圧状態までの間の圧力で行うことが好ましく、反応
後期においては減圧状態で行うことが好ましく、最終的
には0.０１〜１００ｍｍＨｇとすることが好ましい。さ
らに、反応時間は、目標の分子量となるまで行えばよ
く、通常、全体で１０分〜１０時間程度である。
を具体的に示す。本発明でエステル交換反応を行うにあ
たって、反応温度は、特に限定されないが、通常１００
℃〜３３０℃の範囲であり、好ましくは１８０℃〜３０
０℃である。更に、１８０〜３００℃の範囲内で反応の
進行に合わせて次第に温度を上げていく方法が好まし
い。該エステル交換反応は１００℃未満では、反応の進
行が遅く、３３０℃を超えると、ポリマーの熱劣化が起
こり好ましくない。また、反応圧力は、使用するモノマ
ーの蒸気圧や反応温度に応じて、反応が効率良く行われ
るように設定することが出来る。通常、反応初期におい
ては約５０ｍｍＨｇ程度の減圧状態から約５０気圧程度
の加圧状態までの間の圧力で行うことが好ましく、反応
後期においては減圧状態で行うことが好ましく、最終的
には0.０１〜１００ｍｍＨｇとすることが好ましい。さ
らに、反応時間は、目標の分子量となるまで行えばよ
く、通常、全体で１０分〜１０時間程度である。
【００１５】上記の反応は、溶剤の不存在下で行われる
が、必要に応じて、得られるＰＣの１〜１５０重量％の
不活性溶剤の存在下において行ってもよい。ここで、不
活性溶剤としては、例えば、ジフェニルエーテル，ハロ
ゲン化ジフェニルエーテル，ジフェニルスルホン，ベン
ゾフェノン，ポリフェニルエーテル，ジクロロベンゼ
ン，メチルナフタレン等の芳香族化合物、二酸化炭素，
一酸化二窒素，窒素などのガス、クロロフロロ炭化水
素、エタン，プロパン等のアルカン、シクロヘキサン，
トリシクロ（５，２，１０）−デカン，シクロオクタ
ン，シクロデカン等のシクロアルカン、エテン，プロペ
ンのようなアルケンまたは六フッ化イオウ等各種のもの
が挙げられる。
が、必要に応じて、得られるＰＣの１〜１５０重量％の
不活性溶剤の存在下において行ってもよい。ここで、不
活性溶剤としては、例えば、ジフェニルエーテル，ハロ
ゲン化ジフェニルエーテル，ジフェニルスルホン，ベン
ゾフェノン，ポリフェニルエーテル，ジクロロベンゼ
ン，メチルナフタレン等の芳香族化合物、二酸化炭素，
一酸化二窒素，窒素などのガス、クロロフロロ炭化水
素、エタン，プロパン等のアルカン、シクロヘキサン，
トリシクロ（５，２，１０）−デカン，シクロオクタ
ン，シクロデカン等のシクロアルカン、エテン，プロペ
ンのようなアルケンまたは六フッ化イオウ等各種のもの
が挙げられる。
【００１６】本発明の製造方法は、バッチ式でまたは連
続的に行うことができ、かつ任意の装置を使用すること
ができる。本発明で用いられる反応器は、その材質及び
その構造は特に制限はされないが、通常の攪拌機能を有
していればよい。さらに、反応器の形状は槽型のみなら
ず、押出機型のリアクター等でもよい。
続的に行うことができ、かつ任意の装置を使用すること
ができる。本発明で用いられる反応器は、その材質及び
その構造は特に制限はされないが、通常の攪拌機能を有
していればよい。さらに、反応器の形状は槽型のみなら
ず、押出機型のリアクター等でもよい。
【００１７】また本発明の製造方法においては、必要に
応じて、エステル交換反応において通常使用される触媒
を用いることができる。ここで、用いることのできるエ
ステル交換触媒としては、例えば、水酸化リチウム，水
酸化ナトリウム，水酸化カリウム等のアルカリ金属化合
物、アルカリ土類金属化合物、アミン類，四級アンモニ
ウム塩類等の含窒素塩基性化合物あるいは硼素化合物等
が挙げられる。併用する場合、これらの中では、特に、
含窒素塩基性化合物が、塩基性を示し、反応系中に比較
的残留しない特徴を有するので好ましく用いられる。
応じて、エステル交換反応において通常使用される触媒
を用いることができる。ここで、用いることのできるエ
ステル交換触媒としては、例えば、水酸化リチウム，水
酸化ナトリウム，水酸化カリウム等のアルカリ金属化合
物、アルカリ土類金属化合物、アミン類，四級アンモニ
ウム塩類等の含窒素塩基性化合物あるいは硼素化合物等
が挙げられる。併用する場合、これらの中では、特に、
含窒素塩基性化合物が、塩基性を示し、反応系中に比較
的残留しない特徴を有するので好ましく用いられる。
【００１８】重合触媒を併用する場合、好ましく用いら
れる前記含窒素塩基性化合物としては、例えば、トリメ
チルアミン，トリエチルアミン，トリプロピルアミン，
トリブチルアミン，トリペンチルアミン，トリヘキシル
アミン，ジメチルベンジルアミン等の脂肪族第３級アミ
ン化合物、トエフェニルアミン等の芳香族第３級アミン
化合物が挙げられる。また、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−ア
ミノピリジン，４−ジエチルアミノピリジン，４−ピロ
リジノピリジン，４−アミノピリジン，２−アミノピリ
ジン，２−ヒドロキシピリジン，４−ヒドロキシピリジ
ン，２−メトキシピリジン，４−メトキシピリジン，イ
ミダゾール，２−メチルイミダゾール，４−メチルイミ
ダゾール，２−ジメチルアミノイミダゾール，２−メト
キシイミダゾール，２−メルカプトイミダゾール，アミ
ノキノリン，ジアザビシクロオクタン（ＤＡＢＣＯ）等
の含窒素複素環化合物も挙げることができる。さらに、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｍｅ4 ＮＯ
Ｈ），テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（Ｅｔ4
ＮＯＨ），テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（Ｂ
ｕ4 ＮＯＨ），トリメチルベンジルアンモニウムヒドロ
キシド〔Ｃ6 Ｈ5 ＣＨ 2(Ｍｅ)3ＮＯＨ〕等のアルキル
基，アリール基，アラルキル基などを有するアンモニウ
ムヒドロキシド類が挙げられる。その他、テトラメチル
アンモニウムボロハイドライド（Ｍｅ4 ＮＢＨ4)，テト
ラブチルアンモニウムボロハイドライド（Ｂｕ4 ＮＢＨ
4)，テトラブチルアンモニウムフェニルボレート（Ｂｕ
4 ＮＢＰｈ 4)，テトラメチルアンモニウムテトラフェニ
ルボレート（Ｍｅ4 ＮＢＰｈ4)等の塩基性塩が挙げられ
る。
れる前記含窒素塩基性化合物としては、例えば、トリメ
チルアミン，トリエチルアミン，トリプロピルアミン，
トリブチルアミン，トリペンチルアミン，トリヘキシル
アミン，ジメチルベンジルアミン等の脂肪族第３級アミ
ン化合物、トエフェニルアミン等の芳香族第３級アミン
化合物が挙げられる。また、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−ア
ミノピリジン，４−ジエチルアミノピリジン，４−ピロ
リジノピリジン，４−アミノピリジン，２−アミノピリ
ジン，２−ヒドロキシピリジン，４−ヒドロキシピリジ
ン，２−メトキシピリジン，４−メトキシピリジン，イ
ミダゾール，２−メチルイミダゾール，４−メチルイミ
ダゾール，２−ジメチルアミノイミダゾール，２−メト
キシイミダゾール，２−メルカプトイミダゾール，アミ
ノキノリン，ジアザビシクロオクタン（ＤＡＢＣＯ）等
の含窒素複素環化合物も挙げることができる。さらに、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｍｅ4 ＮＯ
Ｈ），テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（Ｅｔ4
ＮＯＨ），テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（Ｂ
ｕ4 ＮＯＨ），トリメチルベンジルアンモニウムヒドロ
キシド〔Ｃ6 Ｈ5 ＣＨ 2(Ｍｅ)3ＮＯＨ〕等のアルキル
基，アリール基，アラルキル基などを有するアンモニウ
ムヒドロキシド類が挙げられる。その他、テトラメチル
アンモニウムボロハイドライド（Ｍｅ4 ＮＢＨ4)，テト
ラブチルアンモニウムボロハイドライド（Ｂｕ4 ＮＢＨ
4)，テトラブチルアンモニウムフェニルボレート（Ｂｕ
4 ＮＢＰｈ 4)，テトラメチルアンモニウムテトラフェニ
ルボレート（Ｍｅ4 ＮＢＰｈ4)等の塩基性塩が挙げられ
る。
【００１９】これらの含窒素塩基性化合物の中では、ト
リヘキシルアミン，テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド，テトラブチルアンモニウムヒドロキシド，ジメチ
ルアミノピリジンが好ましく用いられる。また、硼素化
合物としては、例えば、硼酸，硼酸トリメチル，硼酸ト
リエチル，硼酸トリブチル，硼酸トリヘプチル，硼酸ト
リフェニル，硼酸トリナフチル等が挙げられる。
リヘキシルアミン，テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド，テトラブチルアンモニウムヒドロキシド，ジメチ
ルアミノピリジンが好ましく用いられる。また、硼素化
合物としては、例えば、硼酸，硼酸トリメチル，硼酸ト
リエチル，硼酸トリブチル，硼酸トリヘプチル，硼酸ト
リフェニル，硼酸トリナフチル等が挙げられる。
【００２０】更に本発明の製造方法においては、アルカ
リ金属またはアルカリ土類金属の単体，酸化物，水酸化
物，アミド化合物，アルコラート，フェノラート，ある
いは酸化鉛，酸化アンチモンのような塩基性金属酸化
物，有機チタン化合物，可溶性マンガン化合物，Ｃａ，
Ｍｇ，Ｚｎ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｍｎ，Ｃｄ，Ｃｏの酢酸塩ま
たは含窒素塩基性化合物と硼素化合物，含窒素塩基性化
合物とアルカリ（土類）金属化合物，含窒素塩基性化合
物とアルカリ（土類）金属化合物と硼素化合物などの併
用型触媒を用いることもできる。
リ金属またはアルカリ土類金属の単体，酸化物，水酸化
物，アミド化合物，アルコラート，フェノラート，ある
いは酸化鉛，酸化アンチモンのような塩基性金属酸化
物，有機チタン化合物，可溶性マンガン化合物，Ｃａ，
Ｍｇ，Ｚｎ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｍｎ，Ｃｄ，Ｃｏの酢酸塩ま
たは含窒素塩基性化合物と硼素化合物，含窒素塩基性化
合物とアルカリ（土類）金属化合物，含窒素塩基性化合
物とアルカリ（土類）金属化合物と硼素化合物などの併
用型触媒を用いることもできる。
【００２１】本発明にかかる製造方法における上記触媒
の使用量は、二価フェノール１モルに対して１×１０-2
〜１×１０-8モル、好ましくは１×１０-3〜１×１０-7
モルである。この触媒の添加量が１×１０-8モル未満で
は、触媒効果が発現されない恐れがある。また、１０-2
モルを超えると、最終製品であるポリカーボネートの物
性、特に、耐熱性, 耐加水分解性の低下を招く恐れがあ
り、また、コストアップに繋がるので、これを超えてま
で添加する必要はない。以上のようにして得られたＰＣ
は、そのまま造粒しても良く、また、押出機等を用いて
成形することもできる。
の使用量は、二価フェノール１モルに対して１×１０-2
〜１×１０-8モル、好ましくは１×１０-3〜１×１０-7
モルである。この触媒の添加量が１×１０-8モル未満で
は、触媒効果が発現されない恐れがある。また、１０-2
モルを超えると、最終製品であるポリカーボネートの物
性、特に、耐熱性, 耐加水分解性の低下を招く恐れがあ
り、また、コストアップに繋がるので、これを超えてま
で添加する必要はない。以上のようにして得られたＰＣ
は、そのまま造粒しても良く、また、押出機等を用いて
成形することもできる。
【００２２】また、本発明によって得られるＰＣは可塑
剤，顔料，潤滑剤，離型剤，安定剤，無機充填剤などの
ような周知の添加剤を配合して使用することができる。
さらに、得られるＰＣは、ポリオレフィン，ポリスチレ
ン，ポリエステル，ポリスルホネート，ポリアミド，ポ
リフェニレンオキシド等の重合体とブレンドすることが
可能である。特に、ＯＨ基，ＣＯＯＨ基，ＮＨ2 基など
を末端に有するポリフェニレンエーテル，ポリエーテル
ニトリル，末端変性ポリシロキサン化合物，変性ポリプ
ロピレン，変性ポリスチレン等と併用すると力学物性上
効果的である。
剤，顔料，潤滑剤，離型剤，安定剤，無機充填剤などの
ような周知の添加剤を配合して使用することができる。
さらに、得られるＰＣは、ポリオレフィン，ポリスチレ
ン，ポリエステル，ポリスルホネート，ポリアミド，ポ
リフェニレンオキシド等の重合体とブレンドすることが
可能である。特に、ＯＨ基，ＣＯＯＨ基，ＮＨ2 基など
を末端に有するポリフェニレンエーテル，ポリエーテル
ニトリル，末端変性ポリシロキサン化合物，変性ポリプ
ロピレン，変性ポリスチレン等と併用すると力学物性上
効果的である。
【００２３】
【実施例】以下に、本発明を実施例により更に具体的に
説明する。なお、本発明は下記の実施例により限定され
るものではない。 製造例１ ケトンの合成 α−オレフィンをWacker法を用いて酸化し、ケトンを合
成した。第１表に原料のα−オレフィンと生成したケト
ンの種類を示す（α−オレフィンは出光石油化学（株）
製リニアレンを用いた）。
説明する。なお、本発明は下記の実施例により限定され
るものではない。 製造例１ ケトンの合成 α−オレフィンをWacker法を用いて酸化し、ケトンを合
成した。第１表に原料のα−オレフィンと生成したケト
ンの種類を示す（α−オレフィンは出光石油化学（株）
製リニアレンを用いた）。
【００２４】
【表１】
【００２５】尚、上記のWacker法の実験は文献 Synthes
is, 1984, p369 (Jiro Tsuji著) を参照して行った。一
例として1-ドデセンから2-ドデカノンの合成法を以下に
示す。 2-ドデカノンの合成 １リットルのフラスコにＰｄＣｌ2５３ｇ、ＣｕＣｌ２
9.７ｇ、水３０ミリリットル及びＤＭＦ２１０ミリリッ
トルを入れ、酸素気流下、室温で攪拌した。１時間後激
しく攪拌しながら室温で1-ドデセン５0.５ｇの水１０ミ
リリットル−ＤＭＦ７０ミリリットル溶液を滴下する。
滴下後２時間で攪拌を止め、２４時間放置した。これを
１リットルの３ＮＨＣｌに注ぎ、エ−テル抽出した。抽
出液を飽和炭酸ナトリウム水溶液及び食塩水で洗い、無
水の硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧蒸留し2-ドデカ
ノンを得た。
is, 1984, p369 (Jiro Tsuji著) を参照して行った。一
例として1-ドデセンから2-ドデカノンの合成法を以下に
示す。 2-ドデカノンの合成 １リットルのフラスコにＰｄＣｌ2５３ｇ、ＣｕＣｌ２
9.７ｇ、水３０ミリリットル及びＤＭＦ２１０ミリリッ
トルを入れ、酸素気流下、室温で攪拌した。１時間後激
しく攪拌しながら室温で1-ドデセン５0.５ｇの水１０ミ
リリットル−ＤＭＦ７０ミリリットル溶液を滴下する。
滴下後２時間で攪拌を止め、２４時間放置した。これを
１リットルの３ＮＨＣｌに注ぎ、エ−テル抽出した。抽
出液を飽和炭酸ナトリウム水溶液及び食塩水で洗い、無
水の硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧蒸留し2-ドデカ
ノンを得た。
【００２６】製造例２−１
2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)ドデカンの合成
2-ドデカノン２００ｇ（1.０９モル）、ドデシルチオー
ル6.０７ｇ（0.０３モル）、フェノール４１０ｇ（4.３
６モル）を２リットルの３つ口フラスコに入れ、攪拌し
ながらＨＣｌガスを８０ミリリットル／時間の割合で２
時間吹き込んだ。さらに５時間、２５℃で攪拌した。サ
ンプルを一部取り、2-ドデカノンがほぼ完全に消費され
たことをガスクロマトグラフで確認したのち、水５００
ミリリットルを加え８０℃で３０分、加温攪拌した。水
を除いたあと、さらに水５００ミリリットルを加え、同
様の操作を４回くり返した。冷却しながら攪拌を続ける
と析出物が得られた。続いて温ヘキサンで洗浄し、冷却
したのち１０−２０ｍｍＨｇで１８０℃まで加熱し、フ
ェノールを留去した。残渣を取り出し、ｎ−ヘキサンに
て再結晶して純度９9.４％以上の2,2-ビス(4-ヒドロキ
シルフェニル)ドデカンを得た。
ル6.０７ｇ（0.０３モル）、フェノール４１０ｇ（4.３
６モル）を２リットルの３つ口フラスコに入れ、攪拌し
ながらＨＣｌガスを８０ミリリットル／時間の割合で２
時間吹き込んだ。さらに５時間、２５℃で攪拌した。サ
ンプルを一部取り、2-ドデカノンがほぼ完全に消費され
たことをガスクロマトグラフで確認したのち、水５００
ミリリットルを加え８０℃で３０分、加温攪拌した。水
を除いたあと、さらに水５００ミリリットルを加え、同
様の操作を４回くり返した。冷却しながら攪拌を続ける
と析出物が得られた。続いて温ヘキサンで洗浄し、冷却
したのち１０−２０ｍｍＨｇで１８０℃まで加熱し、フ
ェノールを留去した。残渣を取り出し、ｎ−ヘキサンに
て再結晶して純度９9.４％以上の2,2-ビス(4-ヒドロキ
シルフェニル)ドデカンを得た。
【００２７】製造例２−２
2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)テトラデカンの合成
製造例２−１において2-ドデカノンの代わりに、2-テト
ラデカノンを用いた他は、製造例２−１と同様に行ない
2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)テトラデカンを得
た。 製造例２−３ 2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)ヘキサデカンの合成 製造例２−１において2-ドデカノンの代わりに、2-ヘキ
サデカノンを用いた他は、製造例２−１と同様に行な
い、2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)ヘキサデカンを
得た。 製造例２−４ 2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)オクタデカンの合成 製造例２−１において2-ドデカノンの代わりに、2-オク
タデカノンを用いた他は、製造例２−１と同様に行な
い、2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)オクタデカンを
得た。
ラデカノンを用いた他は、製造例２−１と同様に行ない
2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)テトラデカンを得
た。 製造例２−３ 2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)ヘキサデカンの合成 製造例２−１において2-ドデカノンの代わりに、2-ヘキ
サデカノンを用いた他は、製造例２−１と同様に行な
い、2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)ヘキサデカンを
得た。 製造例２−４ 2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)オクタデカンの合成 製造例２−１において2-ドデカノンの代わりに、2-オク
タデカノンを用いた他は、製造例２−１と同様に行な
い、2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)オクタデカンを
得た。
【００２８】製造例２−５
3,3-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)オクタデカンの合成
製造例２−１において2-ドデカノンの代わりに、3-オク
タデカノン(Lancaster製）を用いた他は、製造例２−１
と同様に行ない、3,3-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)オ
クタデカンを得た。 製造例２−６ 2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)ノナンの合成 製造例２−１において2-ドデカノンの代わりに、2-ノナ
ノン（東京化成工業製）を用いた他は、製造例２−１と
同様に行ない、2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)ノナ
ンを得た。
タデカノン(Lancaster製）を用いた他は、製造例２−１
と同様に行ない、3,3-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)オ
クタデカンを得た。 製造例２−６ 2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)ノナンの合成 製造例２−１において2-ドデカノンの代わりに、2-ノナ
ノン（東京化成工業製）を用いた他は、製造例２−１と
同様に行ない、2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)ノナ
ンを得た。
【００２９】実施例１
ポリカーボネートＡの製造
１４００ミリリットルのニッケル鋼製オートクレーブ
（アンカー翼付き）に、ビスフェノールＡ２１2.３２ｇ
（0.９３モル）、2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)ド
デカン２4.８２ｇ（0.０７モル）及びジフェニルカーボ
ネート（メタノールにて再結晶された残留塩素分が６ｐ
ｐｍ以下としたもの）２２4.９３ｇ（1.０５モル）を入
れ、十分窒素で置換した。混合物を１８０℃まで加熱
し、攪拌を開始し３０分放置した。その後、２１０℃ま
で昇温し、２００ｍｍＨｇまで減圧した。その状態で４
５分放置し、２４０℃まで昇温し、１５ｍｍＨｇとし、
さらに４５分間放置した。その後２７０℃まで昇温する
と同時に、0.５ｍｍＨｇまで減圧し、１８０分間反応さ
せ、目的のポリカーボネートＡを得た。
（アンカー翼付き）に、ビスフェノールＡ２１2.３２ｇ
（0.９３モル）、2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)ド
デカン２4.８２ｇ（0.０７モル）及びジフェニルカーボ
ネート（メタノールにて再結晶された残留塩素分が６ｐ
ｐｍ以下としたもの）２２4.９３ｇ（1.０５モル）を入
れ、十分窒素で置換した。混合物を１８０℃まで加熱
し、攪拌を開始し３０分放置した。その後、２１０℃ま
で昇温し、２００ｍｍＨｇまで減圧した。その状態で４
５分放置し、２４０℃まで昇温し、１５ｍｍＨｇとし、
さらに４５分間放置した。その後２７０℃まで昇温する
と同時に、0.５ｍｍＨｇまで減圧し、１８０分間反応さ
せ、目的のポリカーボネートＡを得た。
【００３０】実施例２
ポリカーボネートＢの製造
実施例１において、2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)
ドデカン２4.８２ｇの代わりに2,2-ビス(4-ヒドロキシ
ルフェニル)テトラデカン２6.７８ｇ（0.０７モル）を
用いた他は実施例１と同様に行ない、ポリカーボネート
Ｂを得た。
ドデカン２4.８２ｇの代わりに2,2-ビス(4-ヒドロキシ
ルフェニル)テトラデカン２6.７８ｇ（0.０７モル）を
用いた他は実施例１と同様に行ない、ポリカーボネート
Ｂを得た。
【００３１】実施例３
ポリカーボネートＣの製造
実施例１において、2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)
ドデカン２4.８２ｇの代わりに2,2-ビス(4-ヒドロキシ
ルフェニル)ヘキサデカン２8.７５ｇ（0.０７モル）を
用いた他は実施例１と同様に行ない、ポリカーボネート
Ｃを得た。
ドデカン２4.８２ｇの代わりに2,2-ビス(4-ヒドロキシ
ルフェニル)ヘキサデカン２8.７５ｇ（0.０７モル）を
用いた他は実施例１と同様に行ない、ポリカーボネート
Ｃを得た。
【００３２】実施例４
ポリカーボネートＤの製造
実施例１において、2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)
ドデカン２4.８２ｇの代わりに2,2-ビス(4-ヒドロキシ
ルフェニル)オクタデカン３0.７１ｇ（0.０７モル）を
用いた他は実施例１と同様に行ない、ポリカーボネート
Ｄを得た。
ドデカン２4.８２ｇの代わりに2,2-ビス(4-ヒドロキシ
ルフェニル)オクタデカン３0.７１ｇ（0.０７モル）を
用いた他は実施例１と同様に行ない、ポリカーボネート
Ｄを得た。
【００３３】実施例５
ポリカーボネートＥの製造
実施例１において、2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)
ドデカン２4.８２ｇの代わりに3,3-ビス(4-ヒドロキシ
ルフェニル)オクタデカン２6.７８ｇ（0.０７モル）を
用いた他は実施例１と同様に行ない、ポリカーボネート
Ｅを得た。
ドデカン２4.８２ｇの代わりに3,3-ビス(4-ヒドロキシ
ルフェニル)オクタデカン２6.７８ｇ（0.０７モル）を
用いた他は実施例１と同様に行ない、ポリカーボネート
Ｅを得た。
【００３４】実施例６
ポリカーボネートＦの製造
実施例１において、ビスフェノールＡ２１2.３２ｇを１
９4.０６ｇ（0.８５モル）に代え、2,2-ビス(4-ヒドロ
キシルフェニル)ドデカン２4.８２ｇを2,2-ビス(4-ヒド
ロキシルフェニル)オクタデカン６5.８０ｇ（0.１５モ
ル）に代えた他は実施例１と同様に行ない、ポリカーボ
ネートＦを得た。
９4.０６ｇ（0.８５モル）に代え、2,2-ビス(4-ヒドロ
キシルフェニル)ドデカン２4.８２ｇを2,2-ビス(4-ヒド
ロキシルフェニル)オクタデカン６5.８０ｇ（0.１５モ
ル）に代えた他は実施例１と同様に行ない、ポリカーボ
ネートＦを得た。
【００３５】実施例７
ポリカーボネートＧの製造
実施例４において、原料と同時に触媒として、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド（１５重量％水溶液）0.
１４６ミリリットル(2.4×10-4モル)及び水酸化ナトリ
ウム（５重量％水溶液）0.０４０ミリリットル（1.０×
10-5モル)加え、２７０℃、0.５ｍｍＨｇで６０分間反
応させた他は実施例４と同様に行ない、ポリカーボネー
トＧを得た。
チルアンモニウムヒドロキシド（１５重量％水溶液）0.
１４６ミリリットル(2.4×10-4モル)及び水酸化ナトリ
ウム（５重量％水溶液）0.０４０ミリリットル（1.０×
10-5モル)加え、２７０℃、0.５ｍｍＨｇで６０分間反
応させた他は実施例４と同様に行ない、ポリカーボネー
トＧを得た。
【００３６】比較例１
ポリカーボネートＨの製造
実施例１において、二価フェノールとしてビスフェノー
ルＡ２２8.３ｇのみを用いた他は実施例１と同様に行な
い、ポリカーボネートＨを得た。 比較例２ ポリカーボネートＩの製造 比較例１において、２７０℃、0.５ｍｍＨｇで７６０分
反応を行った他は比較例１と同様に行ない、ポリカーボ
ネートＩを得た。
ルＡ２２8.３ｇのみを用いた他は実施例１と同様に行な
い、ポリカーボネートＨを得た。 比較例２ ポリカーボネートＩの製造 比較例１において、２７０℃、0.５ｍｍＨｇで７６０分
反応を行った他は比較例１と同様に行ない、ポリカーボ
ネートＩを得た。
【００３７】比較例３
ポリカーボネートＪの製造
実施例７において、二価フェノールとしてビスフェノー
ルＡ２２8.３ｇのみを用いた他は実施例１と同様に行な
った。 比較例４ ポリカーボネートＫの製造 実施例１において、2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)
ドデカン２4.８２ｇの代わりに2,2-ビス(4-ヒドロキシ
ルフェニル)ノナン３0.７１ｇ（0.０７モル）を用いた
他は実施例１と同様に行ない、ポリカーボネートＫを得
た。得られたポリカーボネートＡ〜Ｋの各々の粘度平均
分子量及びＹＩを下記の方法で測定した結果を第２表に
示す。
ルＡ２２8.３ｇのみを用いた他は実施例１と同様に行な
った。 比較例４ ポリカーボネートＫの製造 実施例１において、2,2-ビス(4-ヒドロキシルフェニル)
ドデカン２4.８２ｇの代わりに2,2-ビス(4-ヒドロキシ
ルフェニル)ノナン３0.７１ｇ（0.０７モル）を用いた
他は実施例１と同様に行ない、ポリカーボネートＫを得
た。得られたポリカーボネートＡ〜Ｋの各々の粘度平均
分子量及びＹＩを下記の方法で測定した結果を第２表に
示す。
【００３８】
【表２】
【００３９】粘度平均分子量（Ｍｖ）：ウベローデ型粘
度管を用い、塩化メチレン溶液２０℃で測定した。極限
粘度と粘度平均分子量の関係式は下記のものを用いた。 ［η］＝１.２３×１０-5・Ｍｖ0.83 ＹＩ：厚み３ｍｍのプレス品（２９０℃）でＪＩＳ Ｋ
７１０３−７７に準拠して測定した。（但し、比較例１
はプレス不可であった）
度管を用い、塩化メチレン溶液２０℃で測定した。極限
粘度と粘度平均分子量の関係式は下記のものを用いた。 ［η］＝１.２３×１０-5・Ｍｖ0.83 ＹＩ：厚み３ｍｍのプレス品（２９０℃）でＪＩＳ Ｋ
７１０３−７７に準拠して測定した。（但し、比較例１
はプレス不可であった）
【００４０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の製
造方法により、著しく着色が少なく品質の優れたポリカ
ーボネートを効率よく製造することができる。したがっ
て、本発明は、溶融重合法でポリカーボネートを工業的
に有利に製造する方法として有効かつ幅広く利用するこ
とができる。
造方法により、著しく着色が少なく品質の優れたポリカ
ーボネートを効率よく製造することができる。したがっ
て、本発明は、溶融重合法でポリカーボネートを工業的
に有利に製造する方法として有効かつ幅広く利用するこ
とができる。
─────────────────────────────────────────────────────
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(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C08G 64/00 - 64/42
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (5)
- 【請求項１】 二価フェノールと炭酸ジエステルからエ
ステル交換反応によってポリカーボネートを製造するに
あたり、二価フェノールとして下記一般式 (Ｉ) で表さ
れる二価フェノール及び下記一般式 (II) で表される二
価フェノールを用い、かつ全二価フェノールに対する一
般式 (Ｉ) で表される二価フェノールの割合が0.５〜８
０モル％であることを特徴とするポリカーボネートの製
造方法 【化１】 式中、Ａは 【化２】 を表す。ここで、ｉは７〜２０の数を示し、ｊは０〜６
の数を示す。また、Ｂは単結合、炭素数１〜１５のアル
キリデン基あるいはアルキレン基、炭素数５〜２０のシ
クロアルキリデン基あるいはシクロアルキレン基、炭素
数６〜１５のアリーレン基、炭素数７〜１５のアリール
アルキレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−又は−ＳＯ2
−を表し、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3及びＲ4は各々炭素数１〜６の
アルキル基、フェニル基またはハロゲン原子を表し、そ
れぞれ同じであっても異なるものであってもよい。ｍ、
ｎ、ｐ及びｑは各々０〜４の数を示す。 - 【請求項２】 一般式（Ｉ）で表される二価フェノール
が、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)デカン、2,2-ビス
(4-ヒドロキシフェニル)ドデカン、2,2-ビス(4-ヒドロ
キシフェニル)テトラデカン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフ
ェニル)ヘキサデカン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニ
ル)オクタデカン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)エ
イコサン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)ドコサン、
3,3-ビス(4-ヒドロキシフェニル)ドデカン、3,3-ビス(4
-ヒドロキシフェニル)ヘキサデカン及び3,3-ビス(4-ヒ
ドロキシフェニル)オクタデカンから選ばれることを特
徴とする請求項１記載のポリカーボネートの製造方法。 - 【請求項３】 一般式（II）で表される二価フェノール
が2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル）プロパンであるこ
とを特徴とする請求項１記載のポリカーボネートの製造
方法。 - 【請求項４】 全二価フェノールに対する一般式 (Ｉ)
で表される二価フェノールの割合が１〜５０モル％であ
ることを特徴とする請求項１記載のポリカーボネートの
製造方法。 - 【請求項５】 反応温度が１８０〜３００℃の範囲であ
り、かつ反応の進行に合わせて温度を次第に上昇させる
ことを特徴とする請求項１記載のポリカーボネートの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02171694A JP3381872B2 (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | ポリカーボネートの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02171694A JP3381872B2 (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | ポリカーボネートの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07228682A JPH07228682A (ja) | 1995-08-29 |
| JP3381872B2 true JP3381872B2 (ja) | 2003-03-04 |
Family
ID=12062805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02171694A Expired - Fee Related JP3381872B2 (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | ポリカーボネートの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3381872B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6706847B2 (en) * | 2002-03-22 | 2004-03-16 | General Electric Company | Copolycarbonate compositions, and related articles and processes |
| JP5034906B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2012-09-26 | 日立化成工業株式会社 | 熱可塑性樹脂及び接着剤 |
| JP6984311B2 (ja) * | 2016-11-11 | 2021-12-17 | 三菱ケミカル株式会社 | １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ドデカンの結晶体およびその製造方法 |
| JP2019001861A (ja) * | 2017-06-13 | 2019-01-10 | 三菱ケミカル株式会社 | 熱可塑性樹脂組成物 |
| WO2024071045A1 (ja) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 富士フイルム株式会社 | ポリカーボネート樹脂及びこれを含む成形品 |
-
1994
- 1994-02-21 JP JP02171694A patent/JP3381872B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07228682A (ja) | 1995-08-29 |
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