KR100850125B1 - 실록산 코폴리카보네이트의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 실록산 코폴리카보네이트의 제조를 위한 용융 축중합 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 방향족 디하이드록시 화합물, 탄산 디에스테르, 하이드록시아릴 종결된 폴리디오가노실록산 및 촉매를 염과 반응시킴을 포함한다.

Description

실록산 코폴리카보네이트의 제조방법{METHOD FOR MAKING SILOXANE COPOLYCARBONATES}
본 발명은 실록산 코폴리카보네이트의 제조방법에 관한 것이다. 더욱 특히, 본 발명은 실록산 코폴리카보네이트를 제조하기 위한 용융 축중합 방법에 관한 것이다.
실록산 코폴리카보네이트 및 그의 제조방법은 다년간 광범위하게 연구되었다. 실록산 코폴리카보네이트는 사출 성형 용도에서 양호한 유동 및 몰드 방출 특징을 갖는 잘 공지된 열가소성 수지이다. 실록산 코폴리카보네이트를 제조하는데 통상적으로 사용되는 합성법은 계면 포스겐화 방법이다.
계면 포스겐화 방법은 펠프스(Phelps) 등의 미국 특허 제 5,530,083호에 기술된 바와 같이 방향족 디하이드록시 화합물, 포스겐 및 촉매를 하이드록시아릴 종결된 디오가노폴리실록산과 반응시킴을 포함한다. 상기 방법은 실록산 단량체를 코폴리카보네이트중으로 성공적으로 통합시킨다. 불행하게도, 계면 포스겐화 방법은 화학적으로 위험한 포스겐 및 환경적으로 위험한 염소화된 용매를 사용한다.
용융 축중합은 코폴리카보네이트와 같은 중합체의 제조를 위한 잘 공지된 방법이다. 이 방법은 여전히 실록산 코폴리카보네이트를 제조하는데 이용되어야 한다. 전형적인 용융 공정 동안, 실록산 쇄가 절단된 후 실록산이 탈중합화됨을 통해 실록산 쇄의 심한 분해가 일어나 디메틸실록산 환식 사량체(D4)와 같은 환식 실록산이 수득된다. 실록산 쇄의 분해는 실록산 코폴리카보네이트의 생성을 억제하며, 따라서 상기 방법은 실록산 코폴리카보네이트를 제조하는데 이용되지 않는다.
계면 방법에서의 환경적인 우려 및 용융 축중합 방법에서의 실록산 쇄의 분해로 인해, 실록산 코폴리카보네이트를 합성하는 새로운 방법이 계속 모색되고 있다.
발명의 요약
본 발명은 방향족 디하이드록시 화합물, 탄산 디에스테르, 하이드록시아릴 종결된 폴리디오가노실록산 및 촉매를 염과 반응시킴을 포함하는, 실록산 코폴리카보네이트를 제조하기 위한 용융 중합 방법을 제공한다. 상기 염은 수용액중 약 0.1M에서 약 0 초과 7 이하의 pH를 갖는다.
용융 축중합 방법이 산성 또는 중성 염의 사용에 의해 실록산 코폴리카보네이트의 제조에 사용될 수 있다는 것이 밝혀졌다. 산성 또는 중성 염의 존재 없이 는, 하이드록시아릴 종결된 폴리디오가노실록산의 실록산 쇄는 전형적으로 분해된다. 게다가, 하이드록시아릴 종결된 폴리디오가노실록산의 실록산 쇄는 탈중합되어 환식 실리콘을 생성한다. 염을 첨가함으로써 실록산 쇄가 손상되지 않은 채로 효과적으로 유지되고 실록산 폴리카보네이트가 성공적으로 제조된다.
본 발명에 전형적으로 사용되는 염은 할로-산의 염뿐만 아니라 비휘발성 산의 염을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 할로-산의 염은 염산, 브롬화 수소산 또는 요오드화 수소산의 알칼리 금속염 또는 알칼리 토금속염이다. 비휘발성 산의 염은 아인산, 인산, 황함유 산의 알칼리 금속염 또는 알칼리 토금속염, 및 아황산과 같은 황함유 산의 저급 옥소-산염이다. 비휘발성 산의 염은 인산염, 아인산염, 황산염, 아황산염, 및 EDTA와 같은 킬레이팅형 카복실산의 염을 포함한다. 사용되는 전형적인 염은 인산염, 세슘염, 나트륨염, 할라이드염 및 이들의 조합물이다. 상기 염은 수용액중 약 0.1M에서 약 0 초과 7 이하의 pH를 갖는다. 바람직하게는, 상기 염은 수용액중 약 0.1M에서 약 5 내지 약 6의 pH를 갖는다.
용융 축중합 공정에 사용되는 전형적인 촉매는 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 화합물, 4급 암모늄 화합물 및 이들의 조합물을 포함하나 이에 한정되지 않는다.
촉매로서 유용한 알칼리 금속 화합물은 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 수산화 리튬, 탄산수소 나트륨, 탄산수소 칼륨, 탄산수소 리튬, 탄산 나트륨, 탄산 칼륨, 탄산 리튬, 아세트산 나트륨, 아세트산 칼륨, 아세트산 리튬, 스테아르산 나트륨, 스테아르산 칼륨, 스테아르산 리튬, 나트륨 보로하이드라이드, 리튬 보로하이드라 이드, 나트륨 보로페놀레이트, 나트륨 벤조에이트, 칼륨 벤조에이트, 리튬 벤조에이트, 인산수소 2나트륨, 인산수소 2칼륨, 인산수소 2리튬, 비스페놀 A의 2나트륨, 2칼륨 및 2리튬염, 및 페놀의 나트륨, 칼륨 및 리튬염을 포함한다.
촉매로서 유용한 알칼리 토금속 화합물은 수산화 칼슘, 수산화 바륨, 수산화 마그네슘, 수산화 스트론튬, 탄산수소 칼슘, 탄산수소 바륨, 탄산수소 마그네슘, 탄산수소 스트론튬, 탄산 칼슘, 탄산 바륨, 탄산 마그네슘, 탄산 스트론튬, 아세트산 칼슘, 아세트산 바륨, 아세트산 마그네슘, 아세트산 스트론튬, 스테아르산 칼슘, 스테아르산 바륨, 스테아르산 마그네슘 및 스테아르산 스트론튬을 포함한다.
촉매로서 유용한 4급 암모늄 화합물은 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 및 테트라에틸암모늄 하이드록사이드와 같은 테트라알킬암모늄 화합물을 포함한다.
바람직한 촉매는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 수산화 나트륨 및 이들의 혼합물을 포함한다.
염은 전형적으로 용융 축중합 공정의 시작 단계에서 첨가된다. 가장 전형적으로, 염은 실록산 쇄가 약 100℃보다 높은 온도에서 분해되므로 반응기의 온도가 약 100℃에 도달하기 전에 첨가된다. 염은 임의의 편리한 형태, 예를 들어 용액 또는 고체의 형태로 첨가될 수 있다.
탄산 디에스테르는 화학식 R2(CO3)으로 되어 있다(여기서, R은 알킬 또는 아릴기이다). 탄산 디에스테르의 전형적인 예는 디페닐 카보네이트, 디톨릴 카보네이트, 비스(클로로페닐) 카보네이트, m-크레실 카보네이트, 디나프틸 카보네이트, 디에틸 카보네이트, 디메틸 카보네이트, 디부틸 카보네이트, 디사이클로헥실 카보네이트 및 이들의 조합물을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 가장 전형적으로 사용되는 탄산 디에스테르는 디페닐 카보네이트이다.
본 발명의 실시에 사용될 수 있는 하이드록시아릴 종결된 폴리디오가노실록산중 일부는 하기 화학식 I의 페놀-실록산이다:
Figure 112002022833712-pct00001
상기 식에서,
R은 각각 수소, 할로겐, C(1-8) 알콕시, C(1-8) 알킬 및 C(6-13) 아릴로부터 선택된 동일하거나 상이한 라이칼이고,
R1은 C(2-8) 2가 지방족 라디칼이고,
R2는 독립적으로 동일하거나 상이한 C(1-13) 1가 유기 라디칼이고,
n은 통틀어 약 1 내지 약 100의 정수로서 평균값은 통틀어 약 10 내지 약 100이다. 바람직하게는, n은 약 5 내지 약 75의 값을 가지고, 더욱 전형적으로는 약 10 내지 약 60의 값을 갖는다.
하이드록시아릴 종결된 폴리디오가노실록산은 화학식 II의 실록산 하이드라 이드와 지방족 불포화 모노하이드릭 페놀 사이의 백금 촉매 첨가반응을 수행함으로써 제조될 수 있다:
Figure 112002022833712-pct00002
상기 식에서,
R2 및 n은 상기 정의된 바와 같다.
유사한 절차의 예는 미국 특허 제 5,357,022호 및 미국 특허 제 5,530,083호에 개시되어 있다.
화학식 I의 R의 범위에 포함되는 라디칼중 일부는 브로모 및 클로로와 같은 할로겐 라디칼; 메틸, 에틸 및 프로필과 같은 알킬 라디칼; 메톡시, 에톡시 및 프로폭시와 같은 알콕시 라디칼; 페닐, 클로로페닐 및 톨릴과 같은 아릴 라디칼이다. R1의 범위에 포함되는 라디칼은 예를 들어 디메틸렌, 트리메틸렌 및 테트라메틸렌이다. R2의 범위에 포함되는 라디칼은 예를 들어 C(1-8) 알킬 라디칼, 트리플루오로프로필과 같은 할로알킬 라디칼 및 시아노알킬 라디칼; 및 페닐, 클로로페닐 및 톨릴과 같은 아릴 라디칼이다. R2는 바람직하게는 메틸, 또는 메틸과 트리플루오로프로필의 혼합물, 또는 메틸과 페닐의 혼합물이다.
하이드록시아릴 종결된 폴리디오가노실록산을 제조하는데 사용될 수 있는 지방족 불포화 모노하이드록 페놀중 일부는 예를 들어 유제놀(eugenol), 2-알릴페놀, 4-알릴-2-메틸페놀, 4-알릴-2-페닐페놀, 4-알릴-2-브로모페놀, 4-알릴-2-t-부톡시페놀, 2-메틸-4-프로파길페놀, 2-알릴-4-브로모-6-메틸페놀, 2-알릴-6-메톡시-4-메틸페놀, 2-알릴-4,6-디메틸페놀, 4-비닐페놀 및 p-이소프로페닐페놀이다.
실록산 코폴리카보네이트를 제조하는데 적합한 방향족 디하이드록시 화합물은 하기 화학식 III으로 표시되는 것을 포함한다:
Figure 112002022833712-pct00003
상기 식에서,
D는 2가 방향족 라디칼이다. 바람직하게는, D는 하기 화학식 IV의 구조를 갖는다:
Figure 112002022833712-pct00004
상기 식에서,
A1은 페닐렌, 비페닐렌 및 나프틸렌과 같은 방향족기를 나타낸다.
E는 메틸렌, 에틸렌, 에틸리덴, 프로필렌, 프로필리덴, 이소프로필리덴, 부틸렌, 부틸리덴, 이소부틸리덴, 아밀렌, 아밀리덴 및 이소아밀리덴과 같은 알킬렌 또는 알킬리덴기일 수 있다. E가 알킬렌 또는 알킬리덴기일 경우, 알킬렌 또는 알킬리덴과는 상이한 부분, 예를 들어 방향족 결합; 3급 아미노 결합; 에테르 결합; 카보닐 결합; 실란 또는 실록시와 같은 규소-함유 결합; 설파이드, 설폭사이드 또는 설폰과 같은 황-함유 결합; 또는 포스피닐 또는 포스포닐과 같은 인-함유 결합에 의해 연결된 둘 이상의 알킬렌 또는 알킬리덴기로 구성될 수 있다. 또한, E는 사이클로펜틸리덴, 사이클로헥실리덴, 3,3,5-트리메틸사이클로헥실리덴, 메틸사이클로헥실리덴, 2-[2.2.1]-비사이클로헵틸리덴, 네오펜틸리덴, 사이클로펜타데실리덴, 사이클로도데실리덴 및 아다만틸리덴과 같은 지환족 기일 수 있다.
R5는 수소, 또는 알킬 라디칼, 아릴 라디칼, 아르알킬 라디칼, 알크아릴 라디칼, 사이클로알킬 라디칼, 또는 비사이클로알킬 라디칼과 같은 1가 탄화수소기를 나타낸다. "알킬 라디칼"이란 용어는 정규 알킬 및 분지 알킬 라디칼 둘 다를 지시하도록 의도된 것이다. 정규 및 분지 알킬 라디칼은 바람직하게는 탄소수가 약 2 내지 약 20인 것이며, 예시적이지만 비한정적인 예로서 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 3급-부틸, 펜틸, 네오펜틸, 헥실, 옥틸, 데실, 도데실을 포함한다. 아릴 라디칼은 페닐 및 톨릴과 같은 예를 포함한다. 표시된 사이클로- 또는 비사이클로알킬 라디칼은 바람직하게는 총 탄소수가 50 이하이고 고리 탄소수가 약 3 내지 약 12인 것이다. 상기 사이클로알킬 라디칼의 예시적이지만 비한정적인 예는 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 메틸사이클로헥실 및 사이클로헵틸을 포함한다. 바람직한 아르알킬 라디칼은 탄소수가 약 7 내지 약 14인 것으로, 벤질, 페닐부틸, 페닐프로필 및 페닐에틸을 포함하나 이에 한정되지 않는다.
Y1은 불소, 브롬, 염소 및 요오드와 같은 할로겐; 디메틸아미노와 같은 3급 질소기; 상기 R5와 같은 유기 기 또는 OR과 같은 알콕시기(여기서, R은 알킬 또는 아릴기이다)일 수 있고; 단지 Y1이 폴리에스테르 카보네이트를 제조하는데 사용되는 반응물 및 반응 조건에 대해 불활성이고 영향받지 않을 것만이 필요하다. "m"이란 문자는 0 내지 A1의 치환가능 위치의 개수의 정수를 나타내고, "p"는 0 내지 E의 치환가능 위치의 개수의 정수를 나타내고; "t"는 1 이상의 정수를 나타내고; "s"는 0 또는 1이고; "u"는 0을 포함한 임의의 정수를 나타낸다.
D가 상기 화학식 III에 의해 표시되는 방향족 디하이드록시 페놀 화합물에서, 하나 이상의 Y1 치환체가 존재하는 경우, Y1은 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, Y1 치환체는 상이한 할로겐의 조합물일 수 있다. 또한, R5 치환체는 하나 이상의 R5 치환체가 존재하는 경우 동일하거나 상이할 수 있다. 화학식 IV에서 "s"가 0이고 "u"가 0이 아닌 경우, 방향족 고리는 직접적으로 연결된다. 방향족 핵 잔기(A1) 상에서의 하이드록실기와 Y1의 위치는 오르토, 메타 또는 파라 위치로 변할 수 있고, 배치(grouping)도 인접, 비대칭 또는 대칭 관계일 수 있으며, 여기서 탄화수소 잔기의 둘 이상의 고리 탄소 원자는 Y1과 하이드록실기로 치환된다.
화학식 III의 방향족 디하이드록시 화합물의 예시적이지만 비한정적인 예는 미국 특허 제 4,217,438호에서 속 또는 종에 의해 개시된 디하이드록시-치환된 방향족 탄화수소이다. 방향족 디하이드록시 페놀의 바람직한 예는 4,4'-(3,3,5-트리메틸사이클로헥실리덴)디페놀; 2,2-비스(4-하이드록시페닐)프로판(통칭 비스페놀 A); 2,2-비스(4-하이드록시-3,5-디메틸페닐)프로판; 2,4'-디하이드록시디페닐메탄; 비스(2-하이드록시페닐)메탄; 비스(4-하이드록시페닐)메탄; 비스(4-하이드록시-5-니트로페닐)메탄; 비스(4-하이드록시-2,6-디메틸-3-메톡시페닐)메탄; 1,1-비스(4-하이드록시페닐)에탄; 1,1-비스(4-하이드록시-2-클로로페닐)에탄; 2,2-비스(3-페닐-4-하이드록시페닐)-프로판; 비스(4-하이드록시페닐)사이클로헥실메탄; 2,2-비스(4-하이드록시페닐)-1-페닐프로판; 2,2,2',2'-테트라하이드로-3,3,3',3'-테트라메틸-1,1'-스피로비[1H-인덴]-6,6'-디올(SBI); 레소시놀; 및 C1-3 알킬-치환된 레소시놀을 포함한다.
가장 전형적으로, 2,2-비스(4-하이드록시페닐)프로판이 가장 바람직한 방향족 디하이드록시 화합물로서 사용된다. 방향족 디하이드록시 화합물의 조합물도 사용될 수 있다.
실록산 코폴리카보네이트를 형성하기 위해, 방향족 디하이드록시 화합물 1몰당 탄산 디에스테르 1몰이 필요하다. 촉매는 방향족 디하이드록시 화합물 1몰당 약 10-8 몰 내지 약 10-3몰의 양으로 존재한다. 다른 실시양태에서, 촉매는 방향족 디하이드록시 화합물 1몰당 약 10-7몰 내지 약 10-5몰의 양으로 존재한다. 하이드록 시아릴 종결된 폴리디오가노실록산은 실록산 코폴리카보네이트의 약 0.1중량% 내지 약 40중량%의 양으로 존재한다.
용융 축중합 공정용 반응물은 약 180℃ 내지 약 330℃, 바람직하게는 약 200℃ 내지 약 300℃의 온도로 가열된다. 반응 용기는 전형적으로는 산소로 퍼징되고 질소와 같은 불활성 기체로 충전된다. 전형적으로 반응 용기는 약 0.5 내지 약 200torr의 압력을 갖는다. 반응은 회분식, 연속식 또는 반연속식으로 일어난다. 온도 대 압력비는 반응 진행 동안 저온 고압으로부터 고온 저압으로 변한다. 반응 과정의 전체 시간은 약 2 내지 약 7시간이다.
산성 또는 중성 염을 첨가함으로써 용융 축중합 방법을 통해 실록산 코폴리카보네이트를 성공적으로 제조할 수 있게 된다. 염을 첨가함으로써 실록산 부분의 분해를 효과적으로 방지할 수 있다. 염의 매우 높은 활성으로 인해, 전형적으로 사용되는 촉매량은 실질적으로 실록산 코폴리카보네이트의 분자량 손실 없이 100의 비율만큼 감소할 수 있다. 고분자량 중합체는 바람직하게는 약 20,000보다 큰 분자량을 갖는다.
당해 분야의 숙련자가 본 발명을 더 잘 실시할 수 있도록 하기 실시예가 제공되지만, 이는 설명을 위한 것이며 한정을 위한 것이 아니다.
실시예 1
내경 1인치의 평바닥 유리 반응기에 2,2-비스(4-하이드록시페닐)프로판(8.063g), 디페닐 카보네이트(8.054g) 및 유제놀-정지된(stopped) 실록산 유체(1.001g, 화학식 I에서 n이 10으로 반복 길이 11임)를 충전시켰다. 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(2.2mM 용액 39.0ml) 및 황산 세슘(1mM 용액 17.5ml)을 피펫으로 가하였다. 반응기에 유리 교반기 및 고진공 유지(high-vacuum bearing) 딘-스타크(Dean-Stark) 수용기, 및 45℃로 가열되고 기체-유입 유도관을 갖는 응축기를 장착하였다. 플라스크를 1torr 미만까지 진공화시키고 건조 질소 기체로 재충전하였다. 반응기를 진공화시키고 재충전하는 과정을 3회 반복하였다. 이후 플라스크를 180℃ 염욕에서 가열하였다. 10분 동안 물질을 용융시킨 후, 욕 온도 설정점을 210℃로 올리고 물질을 40rpm으로 교반하였다. 26분 동안 교반한 후, 욕의 온도를 210℃에 도달시키고 압력은 120torr로 감소시켰다. 다음 90분 동안, 페놀 4.2ml를 증류제거하고 압력을 점진적으로 95torr까지 감소시켰다. 욕 옥도를 다음 20분에 걸쳐 270℃까지 상승시키고, 압력을 40torr까지 감소시켰다. 이어서 염욕의 온도를 300℃로 상승시키고 압력을 1torr 미만으로 감소시켰다. 이 조건을 65분 동안 유지시키고, 이 시점에서 압력을 대기압까지 상승시키고 물질을 반응기로부터 제거하였다.
생성된 실록산 코폴리카보네이트는 시차 주사 열량계(DSC)로 측정된 Tg 128℃, 폴리스티렌 기준에 대해 겔 투과 크로마토그래피(GPC)으로 측정된 분자량 151,000을 가지며, 양성자 핵 자기 공명 분광기로 측정된 실록산 분해가 1% 미만이었다.
실시예 2
내경 1인치의 평바닥 유리 반응기에 2,2-비스(4-하이드록시페닐)프로판(5.025g), 디페닐 카보네이트(5.158g) 및 유제놀-정지된 실록산 유체(1.374g, 화학식 I에서 n이 10으로 반복 길이 11임)를 충전시켰다. 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(2.2mM 용액 25.78ml) 및 황산 세슘(1mM 용액 11.58ml)을 피펫으로 가하였다. 반응기에 유리 교반기 및 고진공 유지 딘-스타크 수용기, 및 45℃로 가열되고 기체-유입 유도관을 갖는 응축기를 장착하였다. 플라스크를 1torr 미만까지 진공화시키고 건조 질소 기체로 재충전하였다. 이 과정을 3회 반복한 후 플라스크를 180℃ 염욕에서 가열하였다. 15분 동안 물질을 용융시킨 후, 욕 온도 설정점을 210℃로 올리고 물질을 40rpm으로 교반하였다. 반응시킨지 25분 후, 압력을 260torr까지 감소시켰다. 30분 후, 욕의 온도를 214℃에 도달시키고, 욕 온도 설정점을 260℃로 상승시키고 압력을 210torr로 감소시켰다. 다음 15분 동안, 페놀 3.2ml를 증류제거하였다. 압력을 점진적으로 1torr 미만까지 감소시키고 욕 옥도를 다음 20분에 걸쳐 300℃까지 상승시켰다. 이 조건을 60분 동안 유지시키고, 이 시점에서 압력을 대기압까지 상승시키고 물질을 반응기로부터 제거하였다.
생성된 실록산 코폴리카보네이트는 시차 주사 열량계(DSC)로 측정된 Tg 118℃, 폴리스티렌 기준에 대해 겔 투과 크로마토그래피(GPC)으로 측정된 분자량 51,500을 가지며, 양성자 핵 자기 공명 분광기로 측정한 결과 실록산 부분의 분해가 없거나 거의 없을 뿐만 아니라 고분자량의 중합체를 갖는 실록산 코폴리카보네 이트임이 밝혀졌다.
실시예 3 내지 7
실시예 1에 따른 방법을 통해 10중량% 실록산 공중합체인 실록산 코폴리카보네이트를 제조하였다. 양성자 핵 자기 공명 분광기를 통해 분석한 결과 분해되었음이 밝혀졌다. 사용된 촉매는 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH) 및 수산화 나트륨(NaOH)이었다. 사용된 염은 황산 세슘(Cs2SO4)이었다. 촉매 및 염의 양뿐만 아니라 반응 시간을 변화시켜 생성된 실록산 코폴리카보네이트에 대한 효과를 분자량 및 실록산 분해 백분율로써 측정하였다. 생성된 실록산 코폴리카보네이트의 결과를 표 1에 나타낸다.
10중량% 실록산을 갖는 실록산 코폴리카보네이트 공중합체
TMAH(μL) NaOH(μL) Cs2SO4(μL) 반응 시간 (분) 분자량 %실록산 분해
0.039 0 17.5 245 151000 0
39 17.5 0 165 117000 37.2
0.039 17.5 0 185 46400 2.5
39 0 17.5 180 81900 8.13

표 1의 결과에 지시된 바와 같이, 수산화 나트륨 대신 황산 세슘을 사용하면 분해량이 감소하였다. 게다가, 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드를 100의 비율만큼 감소시키고 황산 세슘을 사용함으로써, 실록산 코폴리카보네이트가 어떤 검출가능한 분해없이 제조되었다.
설명 목적으로 전형적인 실시양태를 기술하였으나, 상기 기술내용은 본 발명의 범위를 한정하고자 함이 아니다. 따라서, 당해 분야의 숙련자에게는 본 발명의 사상 및 범위로부터 벗어남 없이 다양한 변형, 개작 및 대체물이 발생할 수 있다.

Claims (27)

  1. 수용액중 0.1M에서 0 초과 7 이하의 pH를 갖는 염 존재하에, 하나 이상의 방향족 디하이드록시 화합물, 탄산 디에스테르, 하이드록시아릴 종결된 폴리디오가노실록산 및 촉매를 반응시킴을 포함하는, 실록산 코폴리카보네이트의 제조를 위한 용융 중합 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 염이 할로-산의 염, 비휘발성 산의 염 및 이들의 조합물을 포함하는 실록산 코폴리카보네이트의 제조를 위한 용융 중합 방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    방향족 디하이드록시 화합물이 2,2-비스(4-하이드록시페닐)프로판을 포함하는 실록산 코폴리카보네이트의 제조를 위한 용융 중합 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    탄산 디에스테르가 디페닐 카보네이트를 포함하는 실록산 코폴리카보네이트의 제조를 위한 용융 중합 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    촉매가 4급 암모늄 화합물, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 화합물 또는 이들의 조합물인 실록산 코폴리카보네이트의 제조를 위한 용융 중합 방법.
  9. 삭제
  10. 제 1 항에 있어서,
    하이드록시아릴 종결된 폴리디오가노실록산이 유제놀(eugenol)-종결된 폴리디오가노실록산을 포함하는 실록산 코폴리카보네이트의 제조를 위한 용융 중합 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    180℃ 내지 330℃의 온도에서 반응시키는 실록산 코폴리카보네이트의 제조를 위한 용융 중합 방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 제 1 항에 있어서,
    방향족 디하이드록시 화합물이 탄산 디에스테르에 대해 1:1의 비율로 존재하는 실록산 코폴리카보네이트의 제조를 위한 용융 중합 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    하이드록시아릴 종결된 폴리디오가노실록산이 실록산 코폴리카보네이트의 0.1중량% 내지 40중량%의 양으로 존재하는 실록산 코폴리카보네이트의 제조를 위한 용융 중합 방법.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 촉매가 방향족 디하이드록시 화합물 1몰당 10-8몰 내지 10-3몰의 비로 존재하는 실록산 코폴리카보네이트의 제조를 위한 용융 중합 방법.
  18. 삭제
  19. 제 1 항에 있어서,
    0.5torr 내지 200torr의 압력에서 반응시키는 실록산 코폴리카보네이트의 제조를 위한 용융 중합 방법.
  20. 삭제
  21. 제 1 항의 방법에 의해 제조된 실록산 코폴리카보네이트.
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 삭제
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