JP4816050B2 - センサーパッケージおよびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、センサーパッケージに係り、特にセンサーのアクティブ面側に保護材を備えた気密封止型のセンサーパッケージと、このセンサーパッケージを簡便に製造する方法に関する。

従来から、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のイメージセンサー、加速度センサー等の各種ＭＥＭＳ（Micro Electromechanical System）センサーが種々の用途に用いられている。例えば、イメージセンサーは、半導体チップの一方の面が、光電変換を行う受光素子が配設されたアクティブ面となっている。このようなセンサーは、アクティブ面を保護したり、センサーの稼動を確保するために、センサー本体のアクティブ面に空隙部を設けるように保護材が配設され気密封止されたパッケージ構造となっている（特許文献１、２）。
特開平８−８８３３９号公報 特開平１０−１３５４３４号公報

しかしながら、従来のセンサーパッケージは、例えば、はんだ等の接合部材を所望の連続形状で保護材に予め形成し、この保護材をセンサー本体に当接させ、高温で接合部材を溶融させて保護材とセンサー本体とを接合したものである。したがって、接合時に密封された空間内の気体が膨張して、溶融状態にある接合部材に破損が生じることがあり、この場合、気密封止が不十分となって実用に供し得ないという問題があった。
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであり、信頼性が高いセンサーパッケージと、このようなセンサーパッケージを簡便に製造するための製造方法を提供することを目的とする。

このような目的を達成するために、本発明のセンサーパッケージは、センサー本体と、該センサー本体のアクティブ面に空隙部を介して対向する保護材と、前記センサー本体の前記アクティブ面の外側領域に環状に配設され前記空隙部を気密封止するように前記センサー本体と前記保護材とを接合する接合部材とを備え、前記センサー本体と前記保護材の対向する面の面積は、保護材の面積が小さく、前記保護材は前記空隙部に位置する部位に穿設された微細貫通孔と、該微細貫通孔内に配設された閉塞部材とを有し、さらに、前記保護材は前記アクティブ面対向部位の外側に前記センサー本体と当接する複数の係合用凸部を有し、前記保護材は前記センサー本体と対向する面の周縁角部において前記接合部材により前記センサー本体に接合されており、前記接合部材はろう材層の上下に金属層を積層した多層構造であり、前記保護材の前記センサー本体と対向する面に位置する金属層の面積は、ろう材層を介してこれと対向する部位にある金属層の面積よりも小さいような構成とした。

本発明の他の態様として、前記センサー本体は、前記アクティブ面の外側に複数の係合用凹部を有し、該係合用凹部内に前記係合用凸部が当接しているような構成とした。

また、本発明のセンサーパッケージは、センサー本体と、該センサー本体のアクティブ面に空隙部を介して対向する保護材と、前記センサー本体の前記アクティブ面の外側領域に環状に配設され前記空隙部を気密封止するように前記センサー本体と前記保護材とを接合する接合部材とを備え、前記センサー本体と前記保護材の対向する面の面積は、保護材の面積が小さく、前記センサー本体は前記アクティブ面の外側に前記保護材と当接する複数の係合用凸部を有し、前記保護材は前記空隙部に位置する部位に穿設された微細貫通孔と、該微細貫通孔内に配設された閉塞部材とを有し、前記保護材は前記センサー本体と対向する面の周縁角部において前記接合部材により前記センサー本体に接合されており、前記接合部材はろう材層の上下に金属層を積層した多層構造であり、前記保護材の前記センサー本体と対向する面に位置する金属層の面積は、ろう材層を介してこれと対向する部位にある金属層の面積よりも小さいような構成とした。
本発明の他の態様として、前記保護材は、前記アクティブ面対向部位の外側に複数の係合用凹部を有し、該係合用凹部内に前記係合用凸部が当接しているような構成とした。

また、本発明のセンサーパッケージは、センサー本体と、該センサー本体のアクティブ面に空隙部を介して対向する保護材と、前記センサー本体の前記アクティブ面の外側領域に環状に配設され前記空隙部を気密封止するように前記センサー本体と前記保護材とを接合する接合部材とを備え、前記センサー本体と前記保護材の対向する面の面積は、保護材の面積が小さく、前記センサー本体は前記アクティブ面の外側に前記保護材と当接する複数の係合用凸部を有し、前記保護材は前記空隙部に位置する部位に穿設された微細貫通孔と、該微細貫通孔内に配設された閉塞部材とを有し、かつ、前記アクティブ面対向部位の外側に前記センサー本体の前記係合用凸部と当接する複数の係合用凸部を有し、前記保護材は前記センサー本体と対向する面の周縁角部において前記接合部材により前記センサー本体に接合されており、前記接合部材はろう材層の上下に金属層を積層した多層構造であり、前記保護材の前記センサー本体と対向する面に位置する金属層の面積は、ろう材層を介してこれと対向する部位にある金属層の面積よりも小さいような構成とした。

本発明の他の態様として、前記センサー本体は、前記接合部材よりも外側の領域に複数の端子を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記センサー本体は、前記接合部材よりも内側の領域に凹部を有し、該凹部に前記アクティブ面を備えるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記保護材は、前記接合部材よりも内側の領域に凹部を有し、該凹部が前記アクティブ面と対向するような構成とした。

本発明の他の態様として、前記ろう材層は、Ｓｎ−Ａｕ合金、Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｉｎ合金、Ｉｎ−Ｐｂ合金等の二元系、あるいは該二元系に他の金属を添加した三元系以上の合金のいずれかであるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記金属層は、Ａｕ／Ｔｉ積層、Ａｕ／Ｃｒ積層、Ｃｕ／Ｔｉ積層、Ｃｕ／Ｃｒ積層、Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｔｉ積層、Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｃｒ積層のいずれかであるような構成とした。

本発明のセンサーパッケージの製造方法は、対向するセンサー本体よりも小さい対向面形状を有し、一方の面に複数の係合用凸部を有する保護材に微細貫通孔を穿設する工程と、センサー本体のアクティブ面と前記保護材の前記微細貫通孔とが環状の接合部位の内側となるように、前記保護材の前記係合用凸部を前記センサー本体に当接させ、前記保護材の前記センサー本体と対向する面の周縁角部において環状の接合部材を介して前記センサー本体と前記保護材とを接合する工程と、前記保護材の微細貫通孔を閉塞して、前記センサー本体、前記保護材および前記接合部材で囲まれた空隙部を気密封止する工程と、を有し、前記センサー本体と前記保護材の周縁角部の接合部位に、接合前に予め金属層を形成し、前記保護材の前記センサー本体と対向する面に形成する金属層の面積は、前記センサー本体に形成する金属層の面積よりも小さいものとし、前記センサー本体の金属層と前記保護材の周縁角部の金属層とをろう材層を介して接合することにより、ろう材層の上下に金属層を積層した多層構造の前記接合部材で前記センサー本体と前記保護材とを接合するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記保護材に微細貫通孔を穿設する工程において、前記保護材の係合用凸部に対応した複数の係合用凹部をセンサー本体のアクティブ面の外側に形成し、前記センサー本体と前記保護材とを接合する工程では、センサー本体の係合用凹部内に保護材の係合用凸部を当接させるような構成とした。

また、本発明のセンサーパッケージの製造方法は、対向するセンサー本体よりも小さい対向面形状を有する保護材に微細貫通孔を穿設し、センサー本体のアクティブ面の外側に複数の係合用凸部を形成する工程と、センサー本体のアクティブ面と前記保護材の前記微細貫通孔とが環状の接合部位の内側となるように、前記センサー本体の前記係合用凸部を前記保護材に当接させ、前記保護材の前記センサー本体と対向する面の周縁角部において環状の接合部材を介して前記センサー本体と前記保護材とを接合する工程と、前記保護材の微細貫通孔を閉塞して、前記センサー本体、前記保護材および前記接合部材で囲まれた空隙部を気密封止する工程と、を有し、前記センサー本体と前記保護材の周縁角部の接合部位に、接合前に予め金属層を形成し、前記保護材の前記センサー本体と対向する面に形成する金属層の面積は、前記センサー本体に形成する金属層の面積よりも小さいものとし、前記センサー本体の金属層と前記保護材の周縁角部の金属層とをろう材層を介して接合することにより、ろう材層の上下に金属層を積層した多層構造の前記接合部材で前記センサー本体と前記保護材とを接合するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記保護材に微細貫通孔を穿設する工程において、前記センサー本体の係合用凸部に対応した複数の係合用凹部を保護材に形成し、前記センサー本体と前記保護材とを接合する工程では、保護材の係合用凹部内にセンサー本体の係合用凸部を当接させるような構成とした。

また、本発明のセンサーパッケージの製造方法は、対向するセンサー本体よりも小さい対向面形状を有し、一方の面に複数の係合用凸部を有する保護材に微細貫通孔を穿設し、センサー本体のアクティブ面の外側に複数の係合用凸部を形成する工程と、センサー本体のアクティブ面と前記保護材の前記微細貫通孔とが環状の接合部位の内側となるように、前記保護材の前記係合用凸部を前記センサー本体の前記係合用凸部に当接させ、前記保護材の前記センサー本体と対向する面の周縁角部において環状の接合部材を介して前記センサー本体と前記保護材とを接合する工程と、前記保護材の微細貫通孔を閉塞して、前記センサー本体、前記保護材および前記接合部材で囲まれた空隙部を気密封止する工程と、を有し、前記センサー本体と前記保護材の周縁角部の接合部位に、接合前に予め金属層を形成し、前記保護材の前記センサー本体と対向する面に形成する金属層の面積は、前記センサー本体に形成する金属層の面積よりも小さいものとし、前記センサー本体の金属層と前記保護材の周縁角部の金属層とをろう材層を介して接合することにより、ろう材層の上下に金属層を積層した多層構造の前記接合部材で前記センサー本体と前記保護材とを接合するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記空隙部を気密封止する工程では、気密封止前に前記空隙部の雰囲気を不活性ガスまたは窒素ガスの雰囲気とするような構成とした。

本発明の他の態様として、前記空隙部を気密封止する工程では、気密封止前に真空チャンバー内において減圧することにより前記空隙部を減圧状態とするような構成とした。
本発明の他の態様として、前記微細貫通孔の壁面に金属層を形成するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記センサー本体と前記保護材とを接合する工程を真空チャンバー内で行うような構成とした。

このような本発明のセンサーパッケージは、アクティブ面が位置する空隙部の気密性が高いので、アクティブ面の汚染が確実に防止され、また、センサー本体、保護材の少なくとも一方に設けた係合用凸部により、空隙部が高い精度で維持され、センサー特性の精密な制御が可能となり、かつ、信頼性が高いものである。

また、本発明のセンサーパッケージの製造方法では、接合部材によるセンサー本体と保護材との接合の際、空隙部内の気体が膨脹しても、保護材が備える微細貫通孔を介して気体が外部に自由に逃げることができるので、気体膨脹による接合部材の破損が防止されるとともに、センサー本体と保護材との接合完了後に微細貫通孔が閉塞されることにより、確実な気密封止が可能である。また、センサー本体、保護材の少なくとも一方に設けた係合用凸部を接合対象と当接させた状態で接合を行うので、高い精度で空隙部を形成することができ、また、センサー本体、保護材の一方に係合用凸部を設け、他方に係合用凹部を設けた場合には、接合時のセンサー本体と保護材との位置合わせを高い精度で容易に行うことができ、ひいては、センサー特性の精密な制御が可能となる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
［センサーパッケージ］
図１は、本発明のセンサーパッケージの一実施形態を示す平面図であり、図２は図１に示されるセンサーパッケージのＡ−Ａ線での概略断面図である。図１及び図２において、本発明のセンサーパッケージ１は、センサー本体２と、このセンサー本体２のアクティブ面３に空隙部１９を介して対向する保護材１２と、アクティブ面３の外側領域に環状に配設され空隙部１９を気密封止するようにセンサー本体２と保護材１２とを接合する接合部材８とを備えている。

本発明のセンサーパッケージ１を構成するセンサー本体２は、凹部４にアクティブ面３を有していおり、また、接合部材８よりも外側の領域には複数の端子５を備えている。センサー本体２には特に制限はなく、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のイメージセンサーや、加速度センサー、圧力センサー、ジャイロセンサー等の各種ＭＥＭＳ（Micro Electromechanical System）センサー等であってよい。尚、上記のアクティブ面３は、例えば、光電変換を行う受光素子が複数の画素をなすように配列された領域等、センサーの所望の検知機能を発現する領域を意味する。
アクティブ面３が位置する凹部４の深さは、任意に設定することができ、例えば、５〜２００μｍの範囲で設定することができる。また、上記の端子５は、図示しない引き出し配線等によりアクティブ面の所望の部位と接続されている。

センサーパッケージ１を構成する保護材１２は、対向するセンサー本体２よりも小さい対向面形状を有しており、センサー本体２と対向する面の周縁角部において、接合部材８によりセンサー本体２に接合されている。また、保護材１２は、アクティブ面３との対向部位の外側であって空隙部１９に位置する部位に穿設された微細貫通孔１３と、この微細貫通孔１３内に配設された閉塞部材１６を有している。さらに、保護材１２は、センサー本体２との対向面に、４個の係合用凸部１４を備えており、これらの係合用凸部１４はセンサー本体２に当接している。

この保護材１２の材質は、センサーパッケージ１の用途に応じて適宜選択することができ、例えば、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のイメージセンサーの場合は、ガラス、サファイヤ等の無機透光性部材を挙げることができる。また、加速度センサー、圧力センサー、ジャイロセンサー等の各種ＭＥＭＳセンサーの場合は、熱膨張係数の整合を考慮して、センサー本体２と同じシリコンであってよく、また、各種金属、無機絶縁材料等であってもよい。このような保護材１２の厚みは、材質、光透過性等を考慮して、例えば、０．３〜１ｍｍの範囲で設定することができる。
保護材１２と、センサー本体２のアクティブ面３との間に存在する空隙部１９の厚みは、例えば、５〜２００μｍの範囲で設定することができる。この空隙部１９は、アクティブ面３の保護のために、不活性ガスや窒素ガスが充填されていてもよく、また、１０^-1〜１０^-6Ｐａ程度のやや低圧状態であってもよい。

また、上記の微細貫通孔１３は、図示例では１個であるが、複数個（例えば、２〜４個）であってもよい。また、微細貫通孔１３の形状は特に制限はなく、その開口径は、例えば、５〜２００μｍ程度とすることができる。
また、係合用凸部１４は、センサー本体２のアクティブ面３の外側に位置しており、図示例では、方形状の保護材の四隅近傍に形成されている。このような係合用凸部１４の高さは、空隙部１９の設定厚みに応じて適宜設定することができ、例えば、５〜１００μｍ程度とすることができる。また、係合用凸部１４の太さは、例えば、５〜１００μｍ程度とすることができる。このような係合用凸部１４の数は、３個以上であることが好ましい。

図３は、センサーパッケージ１を構成する接合部材８と、閉塞部材１６を説明するための部分拡大断面図である。
図３に示されるように、センサー本体２と保護材１２とを接合する接合部材８は、ろう材層９を挟持するように金属層１０，１１を積層したような多層構造である。
ろう材層９は、融点が４５０℃以下である、いわゆる「軟ろう」であり、例えば、Ｓｎ−Ａｕ合金、Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｉｎ合金、Ｉｎ−Ｐｂ合金等の二元系、あるいは該二元系に他の金属を添加した三元系以上の合金のいずれかからなる層であってよい。
金属層１０は、図示例では、金属層１０ａ、金属層１０ｂとの積層であり、例えば、Ａｕ／Ｔｉ積層、Ａｕ／Ｃｒ積層、Ｃｕ／Ｔｉ積層、Ｃｕ／Ｃｒ積層等とすることができる。さらに、酸化を防止し、ろう材層９との濡れ性を良好とするために、金属層１０をＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｔｉ積層、あるいは、Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｃｒ積層等の４層構造にしてもよい。この金属層１０の厚みは、例えば、０．０５〜０．３μｍ程度とし、金属層１０ａ、金属層１０ｂの各厚みは、例えば、３〜５０μｍ程度で設定することができる。

また、金属層１１は、保護材１２の周縁角部に形成されており、図示例では、金属層１１ａ、金属層１１ｂとの積層である。このような積層状態の金属層１１は、例えば、Ａｕ／Ｔｉ積層、Ａｕ／Ｃｒ積層、Ｃｕ／Ｔｉ積層、Ｃｕ／Ｃｒ積層等とすることができる。この金属層１１の厚みは、例えば、０．０５〜０．３μｍ程度とし、金属層１１ａ、金属層１１ｂの各厚みは、例えば、３〜５０μｍ程度で設定することができる。
尚、金属層１０，１１は単層でも、また、上記の４層構造を含む３層以上の積層でもよい。
図示例では、金属層１０の面積が、これと対向する部位にある金属層１１の面積よりも大きいものとなっている。これは、後述する本発明の製造方法において、センサー本体２と保護材１２とを接合する際に、ろう材層９の良好な端面形状の形成を可能とし、センサー本体２と保護材１２との位置合わせを容易とするためである。
一方、閉塞部材１６は、図３に示されるように、微細貫通孔１３の壁面に形成された金属層１７と、微細貫通孔１３内に充填されたろう材層１８からなっている。

閉塞部材１６をなす金属層１７は、図示例では、金属層１７ａ、金属層１７ｂの積層であり、例えば、Ａｕ／Ｔｉ積層、Ａｕ／Ｃｒ積層、Ｃｕ／Ｔｉ積層、Ｃｕ／Ｃｒ積層等とすることができる。金属層１７の厚みは、例えば、０．０５〜０．３μｍ程度とし、金属層１７ａ、金属層１７ｂの各厚みは、例えば、３〜５０μｍ程度で設定することができる。尚、金属層１７は単層でも、また、上記の４層構造（Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｔｉ積層、Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｃｒ積層）を含む３層以上の積層でもよい。
また、ろう材層１８は、融点が４５０℃以下である、いわゆる「軟ろう」であり、例えば、Ｓｎ−Ａｕ合金、Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｉｎ合金、Ｉｎ−Ｐｂ合金等の二元系、あるいは該二元系に他の金属を添加した三元系以上の合金のいずれかからなるものであってよい。

図４は、本発明のセンサーパッケージの他の実施形態を示す平面図であり、図５は図４に示されるセンサーパッケージのＢ−Ｂ線での概略断面図である。図４及び図５において、本発明のセンサーパッケージ２１は、センサー本体２２と、このセンサー本体２２のアクティブ面２３に空隙部３９を介して対向する保護材３２と、アクティブ面２３の外側領域に環状に配設され空隙部３９を気密封止するようにセンサー本体２２と保護材３２とを接合する接合部材２８とを備えている。
センサーパッケージ２１を構成するセンサー本体２２は、上述のセンサー本体２と同様であり、凹部２４にアクティブ面２３を有していおり、また、接合部材２８よりも外側の領域には複数の端子２５を備えている。

センサーパッケージ２１を構成する保護材３２は、対向するセンサー本体２２と同じ対向面形状を有している。また、保護材３２は、アクティブ面２３との対向部位の外側であって空隙部３９に位置する部位に穿設された微細貫通孔３３と、この微細貫通孔３３内に配設された閉塞部材３６を有している。さらに、保護材３２は、センサー本体２２との対向面に、４個の係合用凸部３４を備えており、これらの係合用凸部３４はセンサー本体２に当接している。
このような保護材３２の材質、厚みは、上述の保護材１２と同様である。また、上記の微細貫通孔３３は、図示例では１個であるが、複数個（例えば、２〜４個）であってもよい。微細貫通孔３３の形状は特に制限はなく、その開口径は、例えば、５〜２００μｍ程度とすることができる。

また、係合用凸部３４は、接合部材２８の中に位置しており、図示例では、方形状の保護材の四隅近傍に形成されている。このような係合用凸部３４の高さは、空隙部３９の設定厚みに応じて適宜設定することができ、例えば、５〜２００μｍの範囲で設定することができる。また、係合用凸部３４の太さは、例えば、５〜２００μｍ程度とすることができる。このような係合用凸部３４の数は、３個以上であることが好ましい。
保護材３２と、センサー本体２２のアクティブ面２３との間に存在する空隙部３９の厚みは、例えば、５〜２００μｍの範囲で設定することができる。この空隙部３０は、アクティブ面２３の保護のために、不活性ガスや窒素ガスが充填されていてもよく、また、１０^-1〜１０^-6Ｐａ程度のやや低圧状態であってもよい。

図６は、センサーパッケージ２１を構成する接合部材２８と、閉塞部材３６を説明するための部分拡大断面図である。図６に示されるように、センサー本体２２と保護材３２とを接合する接合部材２８は、ろう材層２９を挟持するように金属層３０，３１を積層したような多層構造である。
ろう材層２９の材質は、上述のろう材層９と同様とすることができる。また、金属層３０，３１は、図示例では、それぞれ金属層３０ａ、金属層３０ｂとの積層、金属層３１ａ、金属層３１ｂとの積層である。このような積層状態の金属層３０，３１は、例えば、Ａｕ／Ｔｉ積層、Ａｕ／Ｃｒ積層、Ｃｕ／Ｔｉ積層、Ｃｕ／Ｃｒ積層等とすることができる。金属層３０，３１の厚みは、例えば、０．０５〜０．３μｍ程度とし、金属層３０ａ、金属層３０ｂの各厚み、あるいは、金属層３１ａ、金属層３１ｂの各厚みは、例えば、３〜５０μｍ程度で設定することができる。尚、金属層３０，３１は単層でも、また、上述の４層構造（Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｔｉ積層、Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｃｒ積層）を含む３層以上の積層でもよい。

図示例では、ろう材層２９の上下に位置する金属層３０，３１の面積が異なっており、金属層３０が金属層３１よりも大きいものとなっている。これは、センサー本体２２と保護材３２とを接合する際に、ろう材層２９の良好な端面形状の形成を可能とし、また、センサー本体２２と保護材３２との位置合わせを容易とするためである。尚、金属層３１が金属層３０よりも大きいものであってもよい。
また、閉塞部材３６は、図６に示されるように、微細貫通孔３３の壁面に形成された金属層３７と、微細貫通孔３３に充填されたろう材層３８からなっている。このような金属層３７、ろう材層３８からなる閉塞部材３６は、上述の実施形態の閉塞部材１６、金属層１７、ろう材層１８と同様とすることができる。

図７は、本発明のセンサーパッケージの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。図７において、本発明のセンサーパッケージ４１は、センサー本体４２と、このセンサー本体４２のアクティブ面４３に空隙部５９を介して対向する保護材５２と、アクティブ面４３の外側領域に環状に配設され空隙部５９を気密封止するようにセンサー本体４２と保護材５２とを接合する接合部材４８とを備えている。
センサーパッケージ４１を構成するセンサー本体４２は、係合用凹部４６を有している点を除いて、上述のセンサー本体２と同様であり、接合部材４８よりも外側の領域には複数の端子４５を備えている。
センサーパッケージ４１を構成する保護材５２は、係合用凸部５４の高さが、センサー本体４２の係合用凹部４６内に当接した状態で所望の厚みの空隙部５９が得られるように設定されている他は、上述の保護材１２と同様である。

このような保護材５２の材質、厚みは、上述の保護材１２と同様である。また、上記の微細貫通孔５３の開口径は、例えば、５〜２００μｍ程度とすることができる。
また、センサーパッケージ４１を構成する接合部材４８、微細貫通孔５３を閉塞する閉塞部材５６は、上述の実施形態の接合部材８、閉塞部材１６と同様である。
空隙部５９は、アクティブ面４３の保護のために、不活性ガスや窒素ガスが充填されていてもよく、また、１０^-1〜１０^-6Ｐａ程度のやや低圧状態であってもよい。

図８は、本発明のセンサーパッケージの他の実施形態を示す図５相当の概略断面図である。図８において、本発明のセンサーパッケージ６１は、センサー本体６２と、このセンサー本体６２のアクティブ面６３に空隙部７９を介して対向する保護材７２と、アクティブ面６３の外側領域に環状に配設され空隙部７９を気密封止するようにセンサー本体６２と保護材７２とを接合する接合部材６８とを備えている。
センサーパッケージ６１を構成するセンサー本体６２は、係合用凹部６６を有している点を除いて、上述のセンサー本体２２と同様であり、接合部材６８よりも外側の領域には複数の端子６５を備えている。
また、センサーパッケージ６１を構成する保護材７２は、係合用凸部７４の高さが、センサー本体６２の係合用凹部６６内に当接した状態で所望の厚みの空隙部７９が得られるように設定されている他は、上述の保護材３２と同様である。

このような保護材７２の材質、厚みは、上述の保護材３２と同様である。また、上記の微細貫通孔７３の開口径は、例えば、５〜２００μｍ程度とすることができる。
また、センサーパッケージ６１を構成する接合部材６８、微細貫通孔７３を閉塞する閉塞部材７６は、上述の実施形態の接合部材２８、閉塞部材３６と同様である。
空隙部７９は、アクティブ面６３の保護のために、不活性ガスや窒素ガスが充填されていてもよく、また、１０^-1〜１０^-6Ｐａ程度のやや低圧状態であってもよい。

図９は、本発明のセンサーパッケージの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。図９において、本発明のセンサーパッケージ８１は、センサー本体８２と、このセンサー本体８２のアクティブ面８３に空隙部９９を介して対向する保護材９２と、アクティブ面８３の外側領域に環状に配設され空隙部９９を気密封止するようにセンサー本体８２と保護材９２とを接合する接合部材８８とを備えている。
センサーパッケージ８１を構成するセンサー本体８２は、係合用凸部８７を有している点を除いて、上述のセンサー本体２と同様であり、接合部材８８よりも外側の領域には複数の端子８５を備えている。

また、センサーパッケージ８１を構成する保護材９２は、係合用凸部を備えていない他は、上述の保護材１２と同様であり、微細貫通孔９３の開口径は、例えば、５〜２００μｍ程度とすることができる。
また、センサーパッケージ８１を構成する接合部材８８、微細貫通孔９３を閉塞する閉塞部材９６は、上述の実施形態の接合部材８、閉塞部材１６と同様である。
空隙部９９は、アクティブ面８３の保護のために、不活性ガスや窒素ガスが充填されていてもよく、また、１０^-1〜１０^-6Ｐａ程度のやや低圧状態であってもよい。

図１０は、本発明のセンサーパッケージの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。図１０において、本発明のセンサーパッケージ１０１は、センサー本体１０２と、このセンサー本体１０２のアクティブ面１０３に空隙部１１９を介して対向する保護材１１２と、アクティブ面１０３の外側領域に環状に配設され空隙部１１９を気密封止するようにセンサー本体１０２と保護材１１２とを接合する接合部材１０８とを備えている。
センサーパッケージ１０１を構成するセンサー本体１０２は、係合用凸部１０７を有している点を除いて、上述のセンサー本体２と同様であり、接合部材１０８よりも外側の領域には複数の端子１０５を備えている。

また、センサーパッケージ１０１を構成する保護材１１２は、係合用凸部の代わりに、係合用凹部１１５を備えている他は、上述の保護材１２と同様である。そして、センサー本体１０２の係合用凸部１０７は、保護材１１２の係合用凹部１１５内に当接している。また、微細貫通孔１１３の開口径は、例えば、５〜２００μｍ程度とすることができる。
センサーパッケージ１０１を構成する接合部材１０８、微細貫通孔１１３を閉塞する閉塞部材１１６は、上述の実施形態の接合部材８、閉塞部材１６と同様である。
空隙部１１９は、アクティブ面１０３の保護のために、不活性ガスや窒素ガスが充填されていてもよく、また、１０^-1〜１０^-6Ｐａ程度のやや低圧状態であってもよい。

図１１は、本発明のセンサーパッケージの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。図１１において、本発明のセンサーパッケージ１２１は、センサー本体１２２と、このセンサー本体１２２のアクティブ面１２３に空隙部１３９を介して対向する保護材１３２と、アクティブ面１２３の外側領域に環状に配設され空隙部１３９を気密封止するようにセンサー本体１２２と保護材１３２とを接合する接合部材１２８とを備えている。
センサーパッケージ１２１を構成するセンサー本体１２２は、係合用凸部１２７を有している点を除いて、上述のセンサー本体２と同様であり、接合部材１２８よりも外側の領域には複数の端子１２５を備えている。
また、センサーパッケージ１２１を構成する保護材１３２は、係合用凸部１３４の高さが、センサー本体１２２の係合用凸部１２７と当接した状態で所望の厚みの空隙部１３９が得られるように設定されている他は、上述の保護材１２と同様である。また、微細貫通孔１３３の開口径は、例えば、５〜２００μｍ程度とすることができる。

センサーパッケージ１２１を構成する接合部材１２８、微細貫通孔１３３を閉塞する閉塞部材１３６は、上述の実施形態の接合部材８、閉塞部材１６と同様である。
また、空隙部１３９は、アクティブ面１２３の保護のために、不活性ガスや窒素ガスが充填されていてもよく、また、１０^-1〜１０^-6Ｐａ程度のやや低圧状態であってもよい。

本発明では、図５に示される実施形態のセンサーパッケージにおいても、上述の図９〜図１１に示されるような係合用凸部、係合用凹部を備えたものとすることができる。例えば、図１２に示すような実施形態とすることができる。図１２は、本発明のセンサーパッケージの他の実施形態を示す図５相当の概略断面図であり、センサーパッケージ１４１は、センサー本体１４２と、このセンサー本体１４２のアクティブ面１４３に空隙部１５９を介して対向する保護材１５２と、アクティブ面１４３の外側領域に環状に配設され空隙部１５９を気密封止するようにセンサー本体１４２と保護材１５２とを接合する接合部材１４８とを備えている。

センサーパッケージ１４１を構成するセンサー本体１４２は、係合用凸部１４７を有している点を除いて、上述のセンサー本体２２と同様であり、接合部材１４８よりも外側の領域には複数の端子１４５を備えている。
また、センサーパッケージ１４１を構成する保護材１５２は、係合用凸部の代わりに、係合凹部１５５を備えている他は、上述の保護材３２と同様である。そして、センサー本体１４２の係合用凸部１４７は、保護材１５２の係合用凹部１５５内に当接している。また、微細貫通孔１５３の開口径は、例えば、５〜２００μｍ程度とすることができる。
このような保護材１５２の材質、厚みは、上述の保護材３２と同様である。また、センサーパッケージ１４１を構成する接合部材１４８、微細貫通孔１５３を閉塞する閉塞部材１５６は、上述の実施形態の接合部材２８、閉塞部材３６と同様である。
空隙部１５９は、アクティブ面６３の保護のために、不活性ガスや窒素ガスが充填されていてもよく、また、１０^-1〜１０^-6Ｐａ程度のやや低圧状態であってもよい。

また、上述の実施形態では、センサー本体が凹部内にアクティブ面を備えているが、本発明では、保護材がアクティブ面に対応した凹部を有するものであってもよい。図１３は、このような例を示す図２相当の概略断面図である。図１３に示されるセンサーパッケージ１′では、センサー本体２′は、凹部を有していない点を除いて、上述のセンサー本体２と同様である。また、保護材１２′は、アクティブ面３と対向する面に、アクティブ面３の形状に対応した凹部２０を備えている点を除いて、上述の保護材１２と同様である。凹部２０の深さは、任意に設定することができ、例えば、５〜２００μｍの範囲で設定することができる。

また、図１４は、センサー本体が凹部内にアクティブ面を備えているとともに、保護材がアクティブ面に対応した凹部を有する例を示す図５相当の概略断面図である。図１４に示されるセンサーパッケージ２１′では、センサー本体２２は、上述のセンサー本体２２と同様であり、保護材３２′は、アクティブ面２３と対向する面に、アクティブ面２３の形状に対応した凹部４０を備えている点を除いて、上述の実施形態の保護材３２と同様である。凹部４０の深さは、任意に設定することができ、例えば、５〜２００μｍの範囲で設定することができる。

上述のような本発明のセンサーパッケージは、センサー本体のアクティブ面が位置する空隙部の気密性が高く、例えば、Ｈｅリーク率が１０^-9ａｔｍ・ｃｃ／秒以下、好ましくは１０^-12ａｔｍ・ｃｃ／秒以下のような高い気密性が得られ、アクティブ面の汚染が保護材により確実に防止される。

上述のセンサーパッケージは、例示であり、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、上述の実施形態における保護材の微細貫通孔は、ＣＣＤやＣＭＯＳ等のイメージセンサーである場合を考慮して、環状の接合部材の内側で、かつ、対向するアクティブ面の外側となる位置としたが、センサー本体がイメージセンサーではなく、加速度センサー、圧力センサー、ジャイロセンサー等の各種ＭＥＭＳセンサーである場合には、微細貫通孔の位置は環状の接合部材の内側に位置すればよく、アクティブ面との対向部位に位置するものであってもよい。

［センサーパッケージの製造方法］
次に、本発明のセンサーパッケージの製造方法について説明する。
図１５及び図１６は、本発明のセンサーパッケージの製造方法の一実施形態を、上述の図１〜図３に示すセンサーパッケージ１を例として示す工程図である。
まず、センサー本体２を作製し、また、係合用凸部１４を備えた保護材１２に微細貫通孔１３を穿設する（図１５（Ａ））。センサー本体２の作製は、例えば、シリコンウエハを多面付けで区画し、各面付け毎に、例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electromechanical System）手法等を用いて作製する。作製したセンサー本体２は、凹部４にアクティブ面３を有し、また、後工程で環状の接合部材８が配設される部位の外側の領域に複数の端子５を有するものである。

また、係合用凸部１４を備えた保護材１２としては、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のイメージセンサーの場合は、ガラス、サファイヤ等の無機透光性部材を挙げることができる。また、加速度センサー、圧力センサー、ジャイロセンサー等の各種ＭＥＭＳセンサーの場合は、熱膨張係数の整合を考慮して、センサー本体２と同じシリコンであってよく、また、各種金属、無機絶縁材料等であってもよい。また、保護材１２への係合用凸部１４の形成は、例えば、保護材１２の一方の面に係合用凸部１４を形成するためのレジストパターンを形成し、このレジストパターンを介して保護材１２に対してサンドブラスト等の研削、あるいはウェットエッチング、ドライエッチングを施すことにより行うことができる。

また、保護材原料を溶融して金型内に射出し固化することにより、係合用凸部１４を備えた保護材１２を形成してもよい。保護材原料は、上述のように、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のイメージセンサーの場合は、ガラス、サファイヤ等の無機透光性材料を使用することができる。また、加速度センサー、圧力センサー、ジャイロセンサー等の各種ＭＥＭＳセンサーの場合は、熱膨張係数の整合を考慮して、センサー本体２と同じシリコンであってよく、また、各種金属、無機絶縁材料等であってもよい。また、使用する金型は特に制限はないが、保護材原料がガラス等の無機材料の場合、材料と金型の熱膨張率が近く、歪応力を内部に貯めることなく係合用凸部１４を形成できる点を考慮して、カーボン製金型を使用することが好ましい。
保護材１２に形成する係合用凸部１４の数は、センサー本体２と保護材１２との接合時に高い精度で空隙部１９を形成するために、適宜設定することができるが、例えば、３個以上とすることが好ましい。

また、保護材１２への微細貫通孔１３の形成は、例えば、保護材１２に所望の開口を有するマスクパターンを形成し、露出している部位に対して、プラズマを利用したドライエッチング法であるＩＣＰ−ＲＩＥ（Inductively Coupled Plasma − Reactive Ion Etching：誘導結合プラズマ−反応性イオンエッチング）法によりエッチングすることにより行うことができる。また、サンドブラスト法、ウェットエッチング法、フェムト秒レーザ法により微細貫通孔１４を形成することもできる。このような微細貫通孔１４の形成部位は、後述する環状の接合部材８の内側であり、かつ対向するアクティブ面３より外側となる位置である。但し、この例では、保護材１２の微細貫通孔１４は、ＣＣＤやＣＭＯＳ等のイメージセンサーである場合を考慮して、環状の接合部材８の内側で、かつ、対向するアクティブ面３の外側となる位置としたが、センサー本体２がイメージセンサーではなく、加速度センサー、圧力センサー、ジャイロセンサー等の各種ＭＥＭＳセンサーである場合には、微細貫通孔１４の位置は環状の接合部材８の内側に位置すればよく、アクティブ面３との対向部位に位置するものであってもよい。

この工程では、接合部材８を構成する金属層１０をセンサー本体２の所定部位に環状に形成し、また、接合部材８を構成する金属層１１を保護材１２の周縁角部に環状に形成することが好ましい。金属層１０，１１の形成方法には特に制限はなく、例えば、真空成膜法、無電解めっき法によりＴｉ薄膜等の下地導電薄膜を形成し、この下地導電薄膜上に接合部材形成部位に相当する開口を有するレジストパターンを形成した後、下地導電薄膜を給電層として電解めっき法によりＡｕ等の導電材料を析出させ、その後、レジストパターンと、露出している下地導電薄膜とを除去して形成することができる。また、センサー本体２や保護材１２に形成したレジストパターンをマスクとし、真空成膜法によりＴｉ層、Ａｕ層の積層膜等を形成し、その後、レジストパターンを除去して金属層１０，１１を形成してもよい。また、同様の方法により、金属層１０，１１を、Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｔｉ積層、あるいは、Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｃｒ積層等の４層構造にしてもよい。

また、この工程では、保護材１２に形成した微細貫通孔１３の壁面に、閉塞部材１６を構成する金属層１７を形成することが好ましい。この金属層１７の形成方法には特に制限はなく、例えば、真空成膜法、無電解めっき法によりＴｉ薄膜等の下地導電薄膜を、微細貫通孔１３の壁面を含む保護材１２に形成し、微細貫通孔１３の壁面に位置する下地導電薄膜を除く下地導電薄膜上にレジストパターンを形成した後、下地導電薄膜を給電層として電解めっき法によりＡｕ等の導電材料を析出させ、その後、レジストパターンと、露出している下地導電薄膜とを除去して形成することができる。また、保護材１２の微細貫通孔１３が露出するように形成したレジストパターンをマスクとし、真空成膜法によりＴｉ層、Ａｕ層の積層膜等を微細貫通孔１３の内壁面に形成し、その後、レジストパターンを除去して金属層１７を形成してもよい。また、同様の方法により、金属層１７を、Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｔｉ積層、あるいは、Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｃｒ積層等の４層構造にしてもよい。

次いで、多面付けのセンサー本体２の各面付けにおいて、係合用凸部１４がセンサー本体２に当接した状態で環状の接合部材８を介して保護材１２を個々に接合して、センサー本体２と保護材１２と接合部材８で囲まれた空隙部１９を形成する（図１５（Ｂ））。接合部材８は、上述のように、ろう材層９と金属層１０，１１からなる多層構造であり、環状の金属層１０，１１は前の工程において、それぞれセンサー本体２と保護材１２とに形成されている。したがって、例えば、センサー本体２に予め形成した金属層１０上にろう材層９を形成し、このろう材層９を加熱溶融した状態で、保護材１２を係合用凸部１４がセンサー本体２に当接するように対向させることにより、溶融状態のろう材層９に金属層１１（保護材１２の周縁角部）が所定の深さまで押し込まれ、その後、固化することにより接合部材８が形成される。

この接合工程において、本発明では、保護材１２の微細貫通孔１３が環状の接合部位の内側に存在するので、空隙部１９内の気体が膨張しても、微細貫通孔１３を介して気体が外部に自由に逃げることができ、溶融状態のろう材層９に気体膨脹の応力が作用することが防止される。また、保護材１２に設けた係合用凸部１４がセンサー本体２に当接することにより、高い精度で空隙部１９を形成することができ、ひいては、センサー特性の精密な制御が可能となる。
また、この接合工程では、センサー本体２に形成した金属層１０の面積が、保護材１２に形成した金属層１１のセンサー本体２に対向する部位の面積よりも大きいので、ろう材層９の溶融接合時に、端面形状の良好なろう材層９の形成が可能であり、センサー本体２と保護材１２との位置合わせが容易となる。

次に、接合部材８で接合したセンサー本体２と保護材１２を真空チャンバー２００内に載置し、真空チャンバー２００内を１０^-1〜１０^-6Ｐａ程度まで減圧する（図１５（Ｃ））。その後、真空チャンバー２００内に不活性ガス（例えば、Ｈｅ）、または窒素ガスを常圧まで導入する（図１６（Ａ））。これにより、空隙部１９の雰囲気を不活性ガスまたは窒素ガスの雰囲気とする。
次いで、真空チャンバー２００内にて、保護材１２の微細貫通孔１３を閉塞して空隙部１９を気密封止する（図１６（Ｂ））。微細貫通孔１３の閉塞は、壁面に金属層１７が形成されている微細貫通孔１３内に、溶融したろう材を注入し固化してろう材層１８を形成することにより行うことができる。このように、接合部材８によるセンサー本体２と保護材１２との接合が完了した後に、微細貫通孔１３を閉塞するので、空隙部１９の気密封止が確実なものとなる。尚、微細貫通孔１３の閉塞は常温（２０〜３０℃）下で行うことが好ましい。

次に、多面付けのセンサー本体をダイシングすることにより、本発明のセンサーパッケージ１が得られる。
また、センサーパッケージ１の空隙部１９を、不活性ガスまたは窒素ガスからなる雰囲気とせずに、低圧状態とする場合には、真空チャンバー２００内を減圧した状態（上述の図１５（Ｃ）に示される状態）で、保護材１２の微細貫通孔１３を閉塞して空隙部１９を気密封止する。
尚、本発明の製造方法では、環状の接合部材８を介してセンサー本体２と保護材１２とを接合する工程を、真空チャンバー２００内で行ってもよい。

また、図５に示されるセンサーパッケージ２１のように、センサー本体２２と保護材３２とが同じ対向面形状を有している場合には、多面付けのセンサー本体２２と多面付けの保護材３２とを接合部材２８で接合し、微細貫通孔３３を閉塞した後に、多面付けのセンサー本体２２と保護材３２とをダイシングすることができる。図１７は、本発明のセンサーパッケージの製造方法の一実施形態を、上述の図４〜図６に示すセンサーパッケージ２１を例として示す工程図である。
まず、センサー本体２２を作製し、また、係合用凸部３４を備えた保護材３２に微細貫通孔３３を穿設する（図１７（Ａ））。センサー本体２２の作製は、上述のセンサー本体２と同様に行うことができる。また、係合用凸部３４を備えた保護材３２の作製、および、この保護材３２への微細貫通孔３３の穿設は、上述の保護材１２の場合と同様に行うことができる。

この工程では、接合部材２８を構成する金属層３０をセンサー本体２２の所定部位に環状に形成し、また、接合部材２８を構成する金属層３１を保護材３２の所定部位（係合用凸部３４を含む部位）に環状に形成することが好ましい。金属層３０，３１の形成は、上述の金属層１０，１１の形成と同様に行うことができる。
また、この工程では、保護材３２に形成した微細貫通孔３３の壁面に、閉塞部材３６を構成する金属層３７を形成することが好ましい。この金属層３７の形成は、上述の金属層１７の形成と同様に行うことができる。

次いで、環状の接合部材２８を介してセンサー本体２２と保護材３２とを多面付けの状態で接合し、センサー本体２２と保護材３２と接合部材２８で囲まれた空隙部３９を形成する（図１７（Ｂ））。この接合は、各面付けにおいて、保護材３２の係合用凸部３４がセンサー本体２２に当接した状態で行われる。接合部材２８は、上述のように、ろう材層２９と金属層３０，３１からなる多層構造であり、環状の金属層３０，３１は前の工程において、それぞれセンサー本体２２と保護材３２とに形成されている。したがって、例えば、保護材３２に予め形成した金属層３１上にろう材層２９を形成し、このろう材層２９を加熱溶融した状態で、保護材３２を係合用凸部３４がセンサー本体２２に当接するように対向させ、その後、固化することにより接合部材２８を形成できる。

この接合工程において、本発明では、保護材３２の微細貫通孔３３が環状の接合部位の内側に存在するので、空隙部３９内の気体が膨張しても、微細貫通孔３３を介して気体が外部に自由に逃げることができ、溶融状態のろう材層２９に気体膨脹の応力が作用することが防止される。また、保護材３２に設けた係合用凸部３４がセンサー本体２２に当接することにより、高い精度で空隙部３９を形成することができ、ひいては、センサー特性の精密な制御が可能となる。
また、この接合工程では、センサー本体３２に形成した金属層３０の面積が、保護材３２に形成した金属層３１の面積よりも大きいので、ろう材層２９の溶融接合時に、端面形状の良好なろう材層２９の形成が可能であり、センサー本体２２と保護材３２との位置合わせが容易となる。

次に、上述の製造方法と同様にして、接合部材２８で接合したセンサー本体２２と保護材３２を真空チャンバー内に載置し、真空チャンバー２００内を１０^-1〜１０^-6Ｐａ程度まで減圧する。その後、真空チャンバー内に不活性ガス（例えば、Ｈｅ）、または窒素ガスを常圧まで導入して、空隙部３９の雰囲気を不活性ガスまたは窒素ガスの雰囲気とする。
次いで、真空チャンバー内にて、保護材３２の微細貫通孔３３を閉塞して空隙部３９を気密封止する。
次に、多面付けのセンサー本体２２と保護材３２をダイシングすることにより、本発明のセンサーパッケージ２１が得られる。
また、センサーパッケージ２１の空隙部３９を、不活性ガスまたは窒素ガスからなる雰囲気とせずに、低圧状態とする場合には、真空チャンバー内を減圧した状態で、保護材３２の微細貫通孔３３を閉塞して空隙部３９を気密封止する。
また、この製造方法でも、環状の接合部材２８を介してセンサー本体２２と保護材３２とを接合する工程を、真空チャンバー内で行ってもよい。

また、図７、図８に示されるセンサーパッケージ４１，６１のように、保護材５２，７２の係合用凸部５４，７４が、センサー本体４２，６２の係合用凹部４６，６６内に当接するような場合も、上述の製造方法と同様にして製造することができる。但し、センサー本体４２，６２に予め係合用凹部４６，６６を形成し、また、保護材５２，７２の係合用凸部５４，７４の高さを、係合用凹部４６，６６内に当接した状態で所望の厚みの空隙部５９，７９が得られるように設定する。センサー本体４２，６２への係合用凹部４６，６６の形成は、例えば、センサー本体４２，６２に所望の開口を有するマスクパターンを形成し、露出している部位に対して、プラズマを利用したドライエッチング法であるＩＣＰ−ＲＩＥ（Inductively Coupled Plasma − Reactive Ion Etching：誘導結合プラズマ−反応性イオンエッチング）法により所望の深さまでエッチングすることにより行うことができる。また、サンドブラスト法、ウェットエッチング法、フェムト秒レーザ法により係合用凹部４６，６６を形成することもできる。

このように、センサー本体４２，６２に係合用凹部４６，６６を設け、保護材５２，７２に係合用凸部７４，７４を設けた場合には、接合時のセンサー本体４２，６２と保護材５２，７２との位置合わせを高い精度で容易に行うことができ、ひいては、センサー特性の精密な制御が可能となる。

また、図９〜図１２に示されるセンサーパッケージ８１，１０１，１２１，１４１のように、センサー本体８２，１０２，１２２，１４２が係合用凸部８７，１０７，１２７，１４７を有し、これらが保護材９２表面、保護材１１２，１５２の係合用凹部１１５，１５５内、保護材１３２の係合用凸部１３４に当接するような場合も、上述の製造方法と同様にして製造することができる。但し、所望の厚みの空隙部９９，１１９，１３９，１５９が得られるように、接合対象となる保護材の当接部位形状を考慮したうえでセンサー本体８２，１０２，１２２，１４２にそれぞれ所望の高さで係合用凸部８７，１０７，１２７，１４７を形成する。センサー本体８２，１０２，１２２，１４２への係合用凸部８７，１０７，１２７，１４７の形成は、例えば、ウェットエッチング、もしくは、ドライエッチングにより行うことができる。また、保護材１１２，１５２の係合用凹部１１５，１５５の形成は、例えば、保護材１１２，１５２に所望の開口を有するマスクパターンを形成し、露出している部位に対して、プラズマを利用したドライエッチング法であるＩＣＰ−ＲＩＥ（Inductively Coupled Plasma − Reactive Ion Etching：誘導結合プラズマ−反応性イオンエッチング）法により所望の深さまでエッチングすることにより行うことができる。また、サンドブラスト法、ウェットエッチング法、フェムト秒レーザ法により係合用凹部１１５，１５５を形成することもできる。

尚、上述の本発明のセンサーパッケージの製造方法は例示であり、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。例えば、上述の実施形態における保護材の微細貫通孔の穿設位置は、ＣＣＤやＣＭＯＳ等のイメージセンサーである場合を考慮して、環状の接合部材の内側で、かつ、対向するアクティブ面の外側となる位置としたが、センサー本体がイメージセンサーではなく、加速度センサー、圧力センサー、ジャイロセンサー等の各種ＭＥＭＳセンサーである場合には、微細貫通孔の穿設位置は環状の接合部材の内側に位置すればよく、アクティブ面との対向部位に位置するものであってもよい。

次に、具体的実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
まず、厚み６２５μｍのシリコンウエハを準備し、一辺５ｍｍである正方形で多面付けに区画した。このシリコンウエハの両面に、プラズマＣＶＤ法により酸化珪素膜（厚み５μｍ）を成膜した。
次いで、このシリコンウエハの各面付け毎に、従来の手法によりセンサー本体（アクティブ面寸法：３５００μｍ×３５００μｍ、凹部寸法：４０００μｍ×４０００μｍ、深さ２０μｍ）を作製した。各センサー本体は、アクティブ面の周囲に２０個（１辺５個）の端子を備えるものであった。

次に、ポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）製 ＯＦＰＲ−８００）を塗布し、所望のフォトマスクを介して露光、現像し、各面付け毎にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとし、真空成膜法によりＴｉ層（厚み０．１μｍ）とＡｕ層（厚み０．２μｍ）の積層膜を形成した。これにより、センサー本体のアクティブ面の周囲であって、端子配列の内側に、Ｔｉ層とＡｕ層の積層である幅３００μｍの金属層を環状（金属層の幅方向の中心部の寸法：４５００μｍ×４５００μｍ）で形成した。
一方、厚み５００μｍのガラス基板を保護材として準備し、一辺４．５ｍｍである正方形で多面付けに区画した。

次いで、このガラス基板の両面に、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素膜（厚み５μｍ）を成膜した。次に、この窒化珪素膜上にポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）製 ＯＦＰＲ−８００）を塗布した。その後、一方の面を微細貫通孔形成用のフォトマスクを介し、他方の面を係合用凸部形成用のフォトマスクを介して露光、現像することによりレジストパターンを形成した。次で、ＣＦ₄をエッチングガスとして、レジストパターンから露出している窒化珪素膜をドライエッチングし、その後、レジストパターンを剥離して、窒化珪素膜からなるマスクパターンを形成した。上記のマスクパターンは、ガラス基板の一方の面では、各面付け毎に、中心部から１つの対角線方向に３０００μｍ離れた位置に直径３０μｍの円形開口を１個有し、他方の面では、各面付け毎に、中心部から各対角線方向に３１００μｍ離れた位置に直径３０μｍの円形部位をそれぞれ１個有するものであった。次に、各マスクパターン側から、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置によりエッチングガスにＳＦ₆を用いて、ガラス基板をドライエッチングした。これにより、各面付け毎に、一方の開口径が３０μｍであり、反対面の開口径が２５μｍであるテーパー形状の微細貫通孔を１個形成するとともに、一方の面（開口径が２５μｍである面）には直径３０μｍ、高さ２０μｍの円柱形状の係合用凸部を４個形成した。

次いで、多面付けのガラス基板をダイシングして、一辺４．５ｍｍである正方形の保護材を得た。
次に、この保護材の両面にポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）製 ＯＦＰＲ−８００）を塗布し、各面を所望のフォトマスクを介して露光、現像した。これにより、係合用凸部を有する面の周縁部には、幅１５０μｍの環状開口部を有するレジストパターンを形成した。この環状開口部は、保護材の側面にも５０μｍの幅で存在する。また、係合用凸部を有していない面には、上記の微細貫通孔が露出するレジストパターンを形成した。このレジストパターンをマスクとし、真空蒸着法によりＴｉ層（厚み０．１μｍ）とＡｕ層（厚み０．２μｍ）の積層膜を形成し、その後、レジストパターンを剥離した。これにより、保護材の微細貫通孔の壁面に、Ｔｉ層とＡｕ層の積層である金属層を形成するとともに、保護材の周縁角部に、Ｔｉ層とＡｕ層の積層である金属層（係合用凸部を有する面の周縁部で１５０μｍ幅、保護材側面で５０μｍ幅）を環状で形成した。

次いで、上記の保護材の係合用凸部を有する面の周縁部に形成した金属層上に、Ｓｎ−Ａｕ合金（融点３５０℃）を溶融押出して、幅１００μｍ、高さ２０μｍのろう材層を形成した。
次に、３７０℃のオーブン中で、個々の保護材を多面付けのセンサー本体に、係合用凸部がセンサー本体の金属層に当接するように位置合わせして圧着し、その後、室温まで冷却した。これにより、多面付けのセンサー本体の各面付け毎に保護材の接合が完了し、センサー本体のアクティブ面と保護材との間に、高さ約１５μｍの空隙部が形成された。
次いで、接合が完了した多面付けのセンサー本体と保護材を真空チャンバー内に載置し、真空チャンバー内を１０^-4Ｐａまで減圧した。次に、Ｈｅガスを真空チャンバーに供給して内部を常圧（１気圧）とした。

次に、真空チャンバー内を２５℃に設定し、溶融したＳｎ−Ａｕ合金を微細貫通孔に滴下して充填し、固化させることにより、微細貫通孔を閉塞した。その後、真空チャンバーから多面付け基板を取り出し、センサー本体ダイシングして、図２に示されるようなセンサーパッケージを得た。
このように作製したセンサーパッケージについて、下記の条件でＨｅリーク率を測定した結果、１０^-12ａｔｍ・ｃｃ／秒であり、高い気密性が確保されていることが確認された。
（Ｈｅリーク率の測定条件）
センサーパッケージを収納した容器を１０^-4Ｐａに減圧し、１２０分間放置し
た間にセンサーパッケージから漏れたＨｅ量をＨｅ検出器（アルカラル（株）
製 ＡＳＭ−１８０ＴＤ）で検出した。

［実施例２］
まず、実施例１と同様にして、厚み６２５μｍのシリコンウエハの各面付け毎に、従来の手法によりセンサー本体（アクティブ面寸法：３５００μｍ×３５００μｍ、凹部寸法：４０００μｍ×４０００μｍ、深さ３０μｍ）を作製した。各センサー本体は、アクティブ面の周囲に２０個（１辺５個）の端子を備えるものであった。
次に、実施例１と同様にして、センサー本体のアクティブ面の周囲であって、端子配列の内側に、Ｔｉ層とＡｕ層の積層である幅３００μｍの金属層を環状（金属層の幅方向の中心部の寸法：４３５０μｍ×４３５０μｍ）で形成した。
一方、厚み５００μｍのガラス基板を保護材として準備し、一辺５ｍｍである正方形で多面付けに区画した。

次いで、このガラス基板の両面に、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素膜（厚み２μｍ）を成膜した。次に、この窒化珪素膜上にポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）製 ＯＦＰＲ−８００）を塗布した。その後、一方の面を微細貫通孔形成用のフォトマスクを介し、他方の面を係合用凸部形成用のフォトマスクを介して露光、現像することによりレジストパターンを形成した。次で、ＣＦ₄をエッチングガスとして、レジストパターンから露出している窒化珪素膜をドライエッチングし、その後、レジストパターンを剥離して、窒化珪素膜からなるマスクパターンを形成した。上記のマスクパターンは、ガラス基板の一方の面では、各面付け毎に、中心部から１つの対角線方向に３０００μｍ離れた位置に直径３０μｍの円形開口を１個有し、他方の面では、各面付け毎に、中心部から各対角線方向に３１００μｍ離れた位置に直径３０μｍの円形部位をそれぞれ１個有するものであった。次に、各マスクパターン側から、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置によりエッチングガスにＳＦ₆を用いて、ガラス基板をドライエッチングした。これにより、各面付け毎に、一方の開口径が３０μｍであり、反対面の開口径が２５μｍであるテーパー形状の微細貫通孔を１個形成するとともに、一方の面（開口径が２５μｍである面）には直径３０μｍ、高さ２０μｍの円柱形状の係合用凸部を４個形成した。

次に、ガラス基板の両面にポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）製 ＯＦＰＲ−８００）を塗布し、各面を所望のフォトマスクを介して露光、現像した。これにより、係合用凸部を有する面には、各面付け毎に、幅２００μｍの環状開口部（開口部の幅方向の中心部の寸法：４３５０μｍ×４３５０μｍ）を有するレジストパターンを形成した。また、係合用凸部を有していない面には、各面付け毎に、上記の微細貫通孔が露出するレジストパターンを形成した。このレジストパターンをマスクとし、真空蒸着法によりＴｉ層（厚み０．１μｍ）とＡｕ層（厚み０．２μｍ）の積層膜を形成し、その後、レジストパターンを剥離した。これにより、保護材の各面付けの微細貫通孔の壁面に、Ｔｉ層とＡｕ層の積層である金属層を形成するとともに、保護材の一方の面に、Ｔｉ層とＡｕ層の積層である幅２００μｍの金属層を環状（金属層の幅方向の中心部の寸法：４３５０μｍ×４３５０μｍ）で形成した。尚、この幅２００μｍの環状の金属層には、上記のように作製した係合用凸部が存在する。

次いで、上記の保護材に形成した各金属層上に、Ｓｎ−Ａｕ合金（融点３５０℃）を溶融押出して、幅１００μｍ、高さ２０μｍのろう材層を形成した。
次に、３７０℃のオーブン中で、多面付けのセンサー本体と保護材とを、係合用凸部をセンサー本体の金属層に当接させるように位置合わせして圧着し、その後、室温まで冷却した。これにより、多面付けのセンサー本体と保護材との接合が完了し、センサー本体のアクティブ面と保護材との間に、高さ約２０μｍの空隙部が形成された。
次いで、接合が完了した多面付けのセンサー本体と保護材を真空チャンバー内に載置し、真空チャンバー内を１０^-4Ｐａまで減圧した。次に、Ｈｅガスを真空チャンバーに供給して内部を常圧（１気圧）とした。

次に、真空チャンバー内を２５℃に設定し、溶融したＳｎ−Ａｕ合金を微細貫通孔に滴下して充填し、固化させることにより、微細貫通孔を閉塞した。その後、真空チャンバーから多面付け基板を取り出し、ダイシングして、図５に示されるようなセンサーパッケージを得た。
このように作製したセンサーパッケージについて、実施例１と同様にＨｅリーク率を測定した結果、１０^-12ａｔｍ・ｃｃ／秒であり、高い気密性が確保されていることが確認された。

［比較例］
実施例２と同様にして、多面付けのセンサー本体を作製し、金属層を形成した。
また、保護材に微細貫通孔を形成しない他は、実施例２と同様にして、多面付けの保護材を作製し、金属層を形成した。
次に、Ｈｅ雰囲気中で行った他は、実施例２と同様にして、上記の多面付けのセンサー本体と保護材との接合を行い、その後、多面付け基板をダイシングして、センサーパッケージを得た。
このように作製したセンサーパッケージについて、実施例１と同様にＨｅリーク率を測定した結果、１０^-6ａｔｍ・ｃｃ／秒であり、実用レベルの気密性（１０^-9ａｔｍ・ｃｃ／秒以下）が得られていないことが確認された。

小型で高信頼性のセンサーが要求される種々の分野において適用できる。

本発明のセンサーパッケージの一実施形態を示す平面図である。 図１に示されるセンサーパッケージのＡ−Ａ線での概略断面図である。 図１に示されるセンサーパッケージを構成する接合部材と閉塞部材を説明するための部分拡大 本発明のセンサーパッケージの他の実施形態を示す平面図である。 図４に示されるセンサーパッケージのＢ−Ｂ線での概略断面図である。 図４に示されるセンサーパッケージを構成する接合部材と閉塞部材を説明するための部分拡大 本発明のセンサーパッケージの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。 本発明のセンサーパッケージの他の実施形態を示す図５相当の概略断面図である。 本発明のセンサーパッケージの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。 本発明のセンサーパッケージの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。 本発明のセンサーパッケージの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。 本発明のセンサーパッケージの他の実施形態を示す図５相当の概略断面図である。 本発明のセンサーパッケージの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。 本発明のセンサーパッケージの他の実施形態を示す図５相当の概略断面図である。 本発明のセンサーパッケージの製造方法の一実施形態を示す工程図である。 本発明のセンサーパッケージの製造方法の一実施形態を示す工程図である。 本発明のセンサーパッケージの製造方法の他の実施形態を示す工程図である。

符号の説明

１，１′，２１，２１′，４１，６１，８１，１０１，１２１，１４１…センサーパッケージ
２，２′，２２，４２，６２，８２，１０２，１２２，１４２…センサー本体
３，２３，４３，６３，８３，１０３，１２３，１４３…アクティブ面
８，２８，４８，６８，８８，１０８，１２８，１４８…接合部材
１２，１２′，３２，３２′，５２，７２，９２，１１２，１３２，１５２…保護材
１３，３３，５３，７３，９３，１１３，１３３，１５３…微細貫通孔
１４，３４，５４，７４，８７，１０７，１２７，１３４，１４７…係合用凸部
１９，３９，５９、７９，９９，１１９，１３９，１５９…空隙部
１６，３６，５６，７６，９６，１１６，１３６，１５６…閉塞部材
４６，６６，１１５，１５５…係合用凹部

Claims (19)

1. センサー本体と、該センサー本体のアクティブ面に空隙部を介して対向する保護材と、前記センサー本体の前記アクティブ面の外側領域に環状に配設され前記空隙部を気密封止するように前記センサー本体と前記保護材とを接合する接合部材とを備え、前記センサー本体と前記保護材の対向する面の面積は、保護材の面積が小さく、前記保護材は前記空隙部に位置する部位に穿設された微細貫通孔と、該微細貫通孔内に配設された閉塞部材とを有し、さらに、前記保護材は前記アクティブ面対向部位の外側に前記センサー本体と当接する複数の係合用凸部を有し、前記保護材は前記センサー本体と対向する面の周縁角部において前記接合部材により前記センサー本体に接合されており、前記接合部材はろう材層の上下に金属層を積層した多層構造であり、前記保護材の前記センサー本体と対向する面に位置する金属層の面積は、ろう材層を介してこれと対向する部位にある金属層の面積よりも小さいことを特徴とするセンサーパッケージ。
2. 前記センサー本体は、前記アクティブ面の外側に複数の係合用凹部を有し、該係合用凹部内に前記係合用凸部が当接していることを特徴とする請求項１に記載のセンサーパッケージ。
3. センサー本体と、該センサー本体のアクティブ面に空隙部を介して対向する保護材と、前記センサー本体の前記アクティブ面の外側領域に環状に配設され前記空隙部を気密封止するように前記センサー本体と前記保護材とを接合する接合部材とを備え、前記センサー本体と前記保護材の対向する面の面積は、保護材の面積が小さく、前記センサー本体は前記アクティブ面の外側に前記保護材と当接する複数の係合用凸部を有し、前記保護材は前記空隙部に位置する部位に穿設された微細貫通孔と、該微細貫通孔内に配設された閉塞部材とを有し、前記保護材は前記センサー本体と対向する面の周縁角部において前記接合部材により前記センサー本体に接合されており、前記接合部材はろう材層の上下に金属層を積層した多層構造であり、前記保護材の前記センサー本体と対向する面に位置する金属層の面積は、ろう材層を介してこれと対向する部位にある金属層の面積よりも小さいことを特徴とするセンサーパッケージ。
4. 前記保護材は、前記アクティブ面対向部位の外側に複数の係合用凹部を有し、該係合用凹部内に前記係合用凸部が当接していることを特徴とする請求項３に記載のセンサーパッケージ。
5. センサー本体と、該センサー本体のアクティブ面に空隙部を介して対向する保護材と、前記センサー本体の前記アクティブ面の外側領域に環状に配設され前記空隙部を気密封止するように前記センサー本体と前記保護材とを接合する接合部材とを備え、前記センサー本体と前記保護材の対向する面の面積は、保護材の面積が小さく、前記センサー本体は前記アクティブ面の外側に前記保護材と当接する複数の係合用凸部を有し、前記保護材は前記空隙部に位置する部位に穿設された微細貫通孔と、該微細貫通孔内に配設された閉塞部材とを有し、かつ、前記アクティブ面対向部位の外側に前記センサー本体の前記係合用凸部と当接する複数の係合用凸部を有し、前記保護材は前記センサー本体と対向する面の周縁角部において前記接合部材により前記センサー本体に接合されており、前記接合部材はろう材層の上下に金属層を積層した多層構造であり、前記保護材の前記センサー本体と対向する面に位置する金属層の面積は、ろう材層を介してこれと対向する部位にある金属層の面積よりも小さいことを特徴とするセンサーパッケージ。
6. 前記センサー本体は、前記接合部材よりも外側の領域に複数の端子を有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のセンサーパッケージ。
7. 前記センサー本体は、前記接合部材よりも内側の領域に凹部を有し、該凹部に前記アクティブ面を備えることを特徴する請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のセンサーパッケージ。
8. 前記保護材は、前記接合部材よりも内側の領域に凹部を有し、該凹部が前記アクティブ面と対向することを特徴する請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のセンサーパッケージ。
9. 前記ろう材層は、Ｓｎ−Ａｕ合金、Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｉｎ合金、Ｉｎ−Ｐｂ合金等の二元系、あるいは該二元系に他の金属を添加した三元系以上の合金のいずれかであることを特徴する請求項１乃至請求項８のいずれかに記載のセンサーパッケージ。
10. 前記金属層は、Ａｕ／Ｔｉ積層、Ａｕ／Ｃｒ積層、Ｃｕ／Ｔｉ積層、Ｃｕ／Ｃｒ積層、Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｔｉ積層、Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｃｒ積層のいずれかであることを特徴する請求項１乃至請求項９のいずれかに記載のセンサーパッケージ。
11. 対向するセンサー本体よりも小さい対向面形状を有し、一方の面に複数の係合用凸部を有する保護材に微細貫通孔を穿設する工程と、
    センサー本体のアクティブ面と前記保護材の前記微細貫通孔とが環状の接合部位の内側となるように、前記保護材の前記係合用凸部を前記センサー本体に当接させ、前記保護材の前記センサー本体と対向する面の周縁角部において環状の接合部材を介して前記センサー本体と前記保護材とを接合する工程と、
    前記保護材の微細貫通孔を閉塞して、前記センサー本体、前記保護材および前記接合部材で囲まれた空隙部を気密封止する工程と、を有し、
    前記センサー本体と前記保護材の周縁角部の接合部位に、接合前に予め金属層を形成し、前記保護材の前記センサー本体と対向する面に形成する金属層の面積は、前記センサー本体に形成する金属層の面積よりも小さいものとし、
    前記センサー本体の金属層と前記保護材の周縁角部の金属層とをろう材層を介して接合することにより、ろう材層の上下に金属層を積層した多層構造の前記接合部材で前記センサー本体と前記保護材とを接合することを特徴とするセンサーパッケージの製造方法。
12. 前記保護材に微細貫通孔を穿設する工程において、前記保護材の係合用凸部に対応した複数の係合用凹部をセンサー本体のアクティブ面の外側に形成し、前記センサー本体と前記保護材とを接合する工程では、センサー本体の係合用凹部内に保護材の係合用凸部を当接させることを特徴とする請求項１１に記載のセンサーパッケージの製造方法。
13. 対向するセンサー本体よりも小さい対向面形状を有する保護材に微細貫通孔を穿設し、センサー本体のアクティブ面の外側に複数の係合用凸部を形成する工程と、
    センサー本体のアクティブ面と前記保護材の前記微細貫通孔とが環状の接合部位の内側となるように、前記センサー本体の前記係合用凸部を前記保護材に当接させ、前記保護材の前記センサー本体と対向する面の周縁角部において環状の接合部材を介して前記センサー本体と前記保護材とを接合する工程と、
    前記保護材の微細貫通孔を閉塞して、前記センサー本体、前記保護材および前記接合部材で囲まれた空隙部を気密封止する工程と、を有し、
    前記センサー本体と前記保護材の周縁角部の接合部位に、接合前に予め金属層を形成し、前記保護材の前記センサー本体と対向する面に形成する金属層の面積は、前記センサー本体に形成する金属層の面積よりも小さいものとし、
    前記センサー本体の金属層と前記保護材の周縁角部の金属層とをろう材層を介して接合することにより、ろう材層の上下に金属層を積層した多層構造の前記接合部材で前記センサー本体と前記保護材とを接合することを特徴とするセンサーパッケージの製造方法。
14. 前記保護材に微細貫通孔を穿設する工程において、前記センサー本体の係合用凸部に対応した複数の係合用凹部を保護材に形成し、前記センサー本体と前記保護材とを接合する工程では、保護材の係合用凹部内にセンサー本体の係合用凸部を当接させることを特徴とする請求項１３に記載のセンサーパッケージの製造方法。
15. 対向するセンサー本体よりも小さい対向面形状を有し、一方の面に複数の係合用凸部を有する保護材に微細貫通孔を穿設し、センサー本体のアクティブ面の外側に複数の係合用凸部を形成する工程と、
    センサー本体のアクティブ面と前記保護材の前記微細貫通孔とが環状の接合部位の内側となるように、前記保護材の前記係合用凸部を前記センサー本体の前記係合用凸部に当接させ、前記保護材の前記センサー本体と対向する面の周縁角部において環状の接合部材を介して前記センサー本体と前記保護材とを接合する工程と、
    前記保護材の微細貫通孔を閉塞して、前記センサー本体、前記保護材および前記接合部材で囲まれた空隙部を気密封止する工程と、を有し、
    前記センサー本体と前記保護材の周縁角部の接合部位に、接合前に予め金属層を形成し、前記保護材の前記センサー本体と対向する面に形成する金属層の面積は、前記センサー本体に形成する金属層の面積よりも小さいものとし、
    前記センサー本体の金属層と前記保護材の周縁角部の金属層とをろう材層を介して接合することにより、ろう材層の上下に金属層を積層した多層構造の前記接合部材で前記センサー本体と前記保護材とを接合することを特徴とするセンサーパッケージの製造方法。
16. 前記空隙部を気密封止する工程では、気密封止前に前記空隙部の雰囲気を不活性ガスまたは窒素ガスの雰囲気とすることを特徴とする請求項１１乃至請求項１５のいずれかに記載のセンサーパッケージの製造方法。
17. 前記空隙部を気密封止する工程では、気密封止前に真空チャンバー内において減圧することにより前記空隙部を減圧状態とすることを特徴とする請求項１１乃至請求項１５のいずれかに記載のセンサーパッケージの製造方法。
18. 前記微細貫通孔の壁面に金属層を形成することを特徴とする請求項１１乃至請求項１７のいずれかに記載のセンサーパッケージの製造方法。
19. 前記センサー本体と前記保護材とを接合する工程を真空チャンバー内で行うことを特徴とする請求項１１乃至請求項１８のいずれかに記載のセンサーパッケージの製造方法。

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