JP2007214441A - 複合センサーパッケージ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複合センサーパッケージ1を、表面側にアクティブ面3を有するセンサー本体2と、このセンサー本体2のアクティブ面3に空隙部10を介して対向する保護材11と、センサー本体2の前記アクティブ面3よりも外側領域に環状に配設され空隙部10を気密封止するようにセンサー本体2と保護材11とを接合する接合部材8と、センサー本体2の裏面側に実装された電子部品17と、この電子部品17を封止する樹脂部材18と、を備えたものとする。
【選択図】図1
Description
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであり、所望のセンサーと電子部品とを有する複合センサーパッケージを提供することを目的とする。
本発明の他の態様として、前記センサー本体は、前記接合部材よりも外側領域に複数の端子を有し、前記保護材は複数の表裏導通ビアを有し、該表裏導通ビアはバンプを介して前記センサー本体の端子に接続されているような構成とした。
本発明の他の態様として、前記センサー本体は、前記接合部材よりも外側領域に複数の端子を有し、かつ、該端子に接続した表裏導通ビアを有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記センサー本体は、前記接合部材よりも内側の領域に凹部を有し、該凹部に前記アクティブ面を備えるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記保護材は、前記接合部材よりも内側の領域に凹部を有し、該凹部が前記アクティブ面と対向するような構成とした。
図1は、本発明の複合センサーパッケージの一実施形態を示す概略断面図である。図1において、本発明の複合センサーパッケージ1は、表面に凹部4aとアクティブ面3を有するセンサー本体2と、このセンサー本体2のアクティブ面3に空隙部10を介して対向する保護材11とを備えている。保護材11は、アクティブ面3よりも外側領域に環状に配設された接合部材8により、空隙部10を気密封止するようにセンサー本体2に接合されている。また、センサー本体2の裏面には、電子部品17と、この電子部品17を封止する樹脂部材18とを備えている。
アクティブ面3が位置する凹部4aの深さは、任意に設定することができ、例えば、3〜100μmの範囲で設定することができる。また、上記の端子5は、図示しない引き出し配線等によりアクティブ面の所望の部位と接続されている。端子5の材質は、例えば、銅、銀、金、錫等とすることができる。
また、保護材11の表裏導通ビア12の材質は、銅、銀、金、錫等の導電材料、あるいは、これらの導電材料を含有する導電ペーストとすることができる。また、バンプ9、端子13,14の材質は、銅、銀、金、錫等の導電材料とすることができる。
尚、本発明では、表裏導通ビア12は接合部材8よりも内側であって、アクティブ面3よりも外側の領域に位置するものであってもよい。
このような接合部材8の高さ、幅は空隙部10の厚みを考慮して設定することができ、例えば、高さは3〜100μm、幅は20〜200μmの範囲で適宜設定することができる。
センサー本体2の裏面に実装される電子部品17は、特に制限はなく、ICチップ、LSIチップ、LCR回路部品等のいずれか1種または2種以上とすることができる。また、センサー本体2への電子部品17の実装方式は特に制限はない。上記の電子部品17は、図示しない配線、貫通ビア等によりアクティブ面の所望の部位、あるいは、端子5等に接続されている。
また、樹脂部材18は、従来から樹脂封止に用いられる樹脂を使用することができ、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を挙げることができる。
センサー本体22の表裏導通ビア26の材質は、銅、銀、金、錫等の導電材料、あるいは、これらの導電材料を含有する導電ペーストとすることができる。
複合センサーパッケージ21を構成する接合部材28、端子25,27の材質は、上述の複合センサーパッケージ1を構成する接合部材8、端子13,14と同様とすることができる。
さらに、センサー本体22のアクティブ面23と保護材31の間に存在する空隙部30の厚みは、上述の複合センサーパッケージ1を構成する空隙部10と同様に、例えば、3〜100μmの範囲で設定することができる。この空隙部30も、アクティブ面23の保護のために、不活性ガス、窒素ガスが充填されていてもよく、また、10-2〜10-5Pa程度の低圧状態であってもよい。
上記のセンサー本体42は接合部材48よりも外側の領域に複数の端子45を備えており、また、これらの端子45に接続した複数の表裏導通ビア46を接合部材48よりも外側領域に備えている。さらに、センサー本体42の裏面の凹部44bには、電子部品57が実装され、この電子部品57を封止するように凹部44bに充填された樹脂部材58は、センサー本体42の裏面と同一面をなしている。
このような複合センサーパッケージ41を構成するセンサー本体42は、上述の複合センサーパッケージ21を構成するセンサー本体22と同様とすることができる。また、保護材51は、上述の複合センサーパッケージ1を構成する保護材11と同様とすることができる。
また、複合センサーパッケージ41を構成する接合部材48、バンプ49の材質は、上述の複合センサーパッケージ1を構成する接合部材8、バンプ9と同様とすることができる。
さらに、センサー本体42のアクティブ面43と保護材51の間に存在する空隙部50の厚みは、上述の複合センサーパッケージ1を構成する空隙部10と同様に、例えば、3〜100μmの範囲で設定することができる。この空隙部50も、アクティブ面43の保護のために、不活性ガス、窒素ガスが充填されていてもよく、また、10-2〜10-5Pa程度の低圧状態であってもよい。
上述の複合センサーパッケージは、例示であり、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、図示例では、センサー本体の裏面に実装される電子部品は1個であるが、2個以上の電子部品を実装するものであってもよい。
さらに、図6に示される複合センサーパッケージ1″のように、保護材11として、アクティブ面3と対向する面に、アクティブ面3の形状に対応した凹部15を備えたものを使用し、センサー本体2の表面には凹部を有していないものであってもよい。この例では、センサー本体2は裏面に凹部4bを有し、この凹部4bに電子部品17が実装され、これを封止するように凹部4bに充填された樹脂部材18は、センサー本体2の裏面と同一面をなしている。
また、センサー本体と保護材は同じ対向面形状、同じ寸法であってもよく、異なる対向面形状、異なる寸法であってもよい。
また、図2、図3、図4、図6において、電子部品37,57,17を封止すべく凹部24b,44b,4bに充填された樹脂部材38,58,18は、センサー本体22,42,2の裏面と同一面となっているが、本発明では、樹脂部材38,58,18がセンサー本体22,42,2の裏面よりも多少凹形状となってもよい。
さらに、保護材11の端子14、センサー本体22の端子27、センサー本体42の端子47、保護材51の端子54に、はんだボールを備えるものであってもよい。
[実施例1]
まず、厚み625μmのシリコンウエハを準備し、一辺5mmである正方形で多面付けに区画した。
次いで、このシリコンウエハの各面付け毎に、表面側に、4000μm×4000μm、深さ300μmの凹部を形成した。この凹部は、シリコンウエハの両面にポジ型フォトレジスト(東京応化工業(株)製 OFPR−800)を塗布し、凹部形成用フォトマスクを介して露光、現像することによりレジストパターンを形成し、次いで、レジストパターンをマスクとし、ウエットエッチングにより形成した。
次いで、各センサー本体の裏面側に、電子部品を実装するための端子と配線を形成した。次に、上記の端子に電子部品としてのキャパシター素子(厚み280μm)をダイボンド方式により実装した。その後、各センサー本体の裏面側の電子部品を被覆するように、エポキシ樹脂をディスペンサーにより供給し、硬化処理を施して樹脂封止を行った。
次に、各面付け毎に、センサー本体の端子にAu線を用いてスタッドバンプ法により接続用のAuバンプを形成した。また、センサー本体のアクティブ面を有する凹部と端子が配設されている領域との中間の領域に、樹脂組成物(協立化学産業(株)製 ワールドロック)をスクリーン印刷により塗布し、半硬化させて、接合部材(幅30μm、高さ20μm)を形成した。
一方、厚み550μmのガラス基板を保護材として準備し、多面付けに区画(1辺7mmである正方形)した。次に、このガラス基板の両面にポジ型フォトレジスト(東京応化工業(株)製 OFPR−800)を塗布し、表裏導通ビア形成用フォトマスクを介して露光、現像することによりレジストパターンを形成した。次いで、レジストパターンをマスクとし、ウエットエッチングにより微細貫通孔を形成した。この微細貫通孔の開口径は、ガラス基板面で70μm、中央部で50μmであった。
次に、レジストパターン上からガラス基板の一方の面にスパッタリング法により銅薄膜を形成して下地導電層とした。この下地導電層は微細貫通孔の内壁面にも形成された。次いで、下地導電層を給電層として電解銅めっきにより微細貫通孔内に銅を充填し、その後、不要なレジストパターン、下地導電層、銅層を除去して、表裏導通ビアを形成した。この表裏導通ビアは、上記の各センサー本体の複数の端子に対応した位置に配設した。
次に、上述の多面付けのガラス基板をダイシングして、電子部品を備えたセンサー本体とガラス基板(保護材)が一体化された図1に示されるような本発明のセンサーパッケージを得た。このセンサーパッケージは、厚みが約1mmであり、ガラス基板の寸法は、5mm×5mmであった。
まず、厚み625μmのシリコンウエハを準備し、一辺5mmである正方形で多面付けに区画した。
次いで、このシリコンウエハの各面付け毎に、表面側および裏面側に、4000μm×4000μm、深さ400μmの凹部を形成した。この凹部は、シリコンウエハの両面にポジ型フォトレジスト(東京応化工業(株)製 OFPR−800)を塗布し、凹部形成用フォトマスクを介して露光、現像することによりレジストパターンを形成し、次いで、レジストパターンをマスクとし、ウエットエッチングにより形成した。
次いで、各センサー本体の裏面側の凹部内に、電子部品を実装するための端子を形成し、また、各端子と所望の表裏導通ビアと接続する配線を形成した。次に、上記の凹部内の端子に電子部品としてのレジスタ(厚み380μm)をダイボンド方式により実装した。その後、各センサー本体の裏面側の凹部にエポキシ樹脂をディスペンサーにより供給して充填し、レベリングさせ、硬化処理を施した。これにより、センサー本体の裏面に電子部品を樹脂封止し、かつ、センサー本体の裏面は平坦面をなすものとした。
一方、厚み550μmのガラス基板を保護材として準備し、多面付けに区画(1辺7mmである正方形)した。
次に、ガラス基板の各面付け毎に、センサー本体を、接合部材をガラス基板面に固着させて接合した。
次に、上述の多面付けのガラス基板をダイシングして、電子部品を内蔵したセンサー本体とガラス基板(保護材)が一体化された図2に示されるような本発明の複合センサーパッケージを得た。この複合センサーパッケージは、厚みが約0.8mmであり、ガラス基板の寸法は、6mm×6mmであった。
2,22,42…センサー本体
3,23,43…アクティブ面
4a,24a,44a…凹部
4b,24b,44b…凹部
5,25,45…端子
8,28,48…接合部材
10,30,50…空隙部
11,31,51…保護材
12,26,46,52…表裏導通ビア
17,37,57…電子部品
18,38,58…樹脂部材
Claims (7)
- 表面側にアクティブ面を有するセンサー本体と、該センサー本体のアクティブ面に空隙部を介して対向する保護材と、前記センサー本体の前記アクティブ面よりも外側領域に環状に配設され前記空隙部を気密封止するように前記センサー本体と前記保護材とを接合する接合部材と、前記センサー本体の裏面側に実装された電子部品と、該電子部品を封止する樹脂部材と、を備えることを特徴とする複合センサーパッケージ。
- 前記センサー本体は、裏面側に凹部を有し、前記電子部品は該凹部に実装され、前記樹脂部材は前記センサー本体の裏面と同一面をなすことを特徴とする請求項1に記載の複合センサーパッケージ。
- 前記センサー本体は、前記接合部材よりも外側領域に複数の端子を有し、前記保護材は複数の表裏導通ビアを有し、該表裏導通ビアはバンプを介して前記センサー本体の端子に接続されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の複合センサーパッケージ。
- 前記センサー本体は、前記接合部材よりも外側領域に複数の端子を有し、かつ、該端子に接続した表裏導通ビアを有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の複合センサーパッケージ。
- 前記センサー本体は、前記接合部材よりも外側領域に複数の端子を有し、かつ、該端子に接続した表裏導通ビアを有し、前記保護材は複数の表裏導通ビアを有するとともに、該表裏導通ビアはバンプを介して前記センサー本体の端子に接続されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の複合センサーパッケージ。
- 前記センサー本体は、前記接合部材よりも内側の領域に凹部を有し、該凹部に前記アクティブ面を備えることを特徴する請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の複合センサーパッケージ。
- 前記保護材は、前記接合部材よりも内側の領域に凹部を有し、該凹部が前記アクティブ面と対向することを特徴する請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の複合センサーパッケージ。
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