JP2005093645A - 電子デバイス装置及び電子デバイス装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】気密封止のための構造体の形成に手間がかからず、しかも高い気密性を得ることができる電子デバイス装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面にデバイス機能部３を有するチップ１をベース基板２にフリップチップ方式で実装してなる電子デバイス装置の製造方法として、チップ１の一方の面にデバイス機能部３を取り囲む状態でゴム状弾性を有する平面視環状の突起部４を形成する第１の工程と、チップ１とベース基板２との間で突起部４を圧縮変形させた状態で、チップ１とベース基板２とをバンプ９で接続する第２の工程とを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、一方の面にデバイス機能部を有するチップをベース基板にフリップチップ方式で実装してなる電子デバイス装置とその製造方法に関する。

近年、電波を利用して通信を行う電子デバイス用の周波数フィルタ、遅延線、発信器等の電子デバイス装置として、弾性表面波(Surface Acoustic Wave)装置が用いられている。また、各種のスイッチ類（光スイッチ、マイクロスイッチ等）やセンサ類（加速度センサ、圧力センサ等）などには、ＭＥＭＳ(Micro-Electro-Mechanical system)と呼ばれる電子デバイス装置が利用されている。

弾性表面波装置やＭＥＭＳなどの電子デバイス装置に組み込まれるチップ（素子）は振動や可動などの機械的な動きを伴うため、チップ上で実質的なデバイス機能を奏する部分（以下、デバイス機能部）を樹脂で封止することはできない。そのため、従来ではセラミックや金属のケース内にチップを実装して気密封止する構造が採られていたが、この場合にチップの電気的な接続をワイヤボンディングで行うと、ワイヤとの接触を避けるためにケース内に大きな空間を確保する必要が生じる。

そこで近年においては、電子デバイス装置の小型軽量化や低コスト化を目的として、チップをフェースダウンでベース基板（パッケージ基板）に実装するフリップチップ方式が採用されている。このフリップチップ方式では、デバイス機能部を下向きにした、いわゆるフェースダウンの状態でチップをベース基板に実装するとともに、この実装状態でチップとベース基板の間に所望の空間を確保する。フリップチップ方式を採用した技術としては、特許文献１，２に記載された技術が知られている。

特許第３２０７２２２号公報 特開２００１−２４４７８６号公報

しかしながら、特許文献１に記載された技術では、ベース基板上に実装したチップの外側を樹脂で覆うとともに、この樹脂がチップのデバイス機能部側に流れ込まないよう、その周囲をダムで囲んで所望の空間を確保しているものの、基本的な封止構造は樹脂封止構造となっている。そのため、デバイス機能部が配置される空間の気密性に難点がある。また、気密性を高めるために、チップを覆う樹脂の表面にコーティング処理を施して水分等の浸入を阻止するなどの改善策も提案されているが、これに伴うコストアップを考えると必ずしも得策とは言えない。

一方、特許文献２に記載された技術では、弾性表面波素子となるチップ上に凹状枠体を形成するとともに、この凹状枠体の凹部内に封止材（半田，樹脂等）を充填し、この封止材でチップとベース基板とを接着し封止しているため、上述した樹脂封止構造に比較して高い気密性が得られるものの、チップの励振電極上に所望の気密空間を確保（形成）する場合に、チップ上にフォトリソグラフィ技術を利用して凹状枠体を形成し、かつその凹部内にディスペンサ等を用いて封止材を充填する必要がある。そのため、気密封止のための構造体（凹状枠体等）を形成するのに手間がかかり、製造プロセスも複雑化してしまう。

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、気密封止のための構造体の形成に手間がかからず、しかも高い気密性を得ることができる電子デバイス装置とその製造方法を提供することにある。

本発明は、一方の面にデバイス機能部を有するチップをベース基板にフリップチップ方式で実装してなる電子デバイス装置の製造方法に係るもので、チップの一方の面又はこれに対向するベース基板のチップ実装面に、デバイス機能部を取り囲む状態となるように、ゴム状弾性を有する平面視環状の突起部を形成する第１の工程と、チップとベース基板との間で突起部を圧縮変形させた状態で、チップとベース基板とを接続する第２の工程とを有するものである。

本発明の電子デバイス装置の製造方法においては、チップの一方の面又はこれに対向するベース基板のチップ実装面にゴム状弾性を有する突起部を形成した後、チップとベース基板との間で突起部を圧縮変形させることにより、突起部で取り囲まれた密閉空間が形成されるとともに、この空間内にデバイス機能部が配置される。

また本発明は、一方の面にデバイス機能部を有するチップをベース基板にフリップチップ方式で実装してなる電子デバイス装置に係るもので、チップとベース基板との間にデバイス機能部を取り囲む状態でゴム状弾性を有する突起部を介装するとともに、突起部を圧縮変形させた状態でチップとベース基板とを接続してなるものである。

本発明の電子デバイス装置においては、チップとベース基板との間にゴム状弾性を有する突起部を介装し、この突起部を圧縮変形させた状態でチップとベース基板とを接続した構成とすることにより、突起部で取り囲まれた空間が密閉空間となり、この空間内にデバイス機能部が配置される。

本発明によれば、気密封止のための構造体として、ゴム状弾性を有する突起部をチップ又はベース基板に設けるだけで、デバイス機能部を封止するための密閉空間を容易に形成することができる。また、突起部は自身の圧縮変形による反力をもってチップ又はベース基板に圧接した状態に保持されるため、デバイス機能部が配置される空間の気密性を高めることができる。

以下、本発明の具体的な実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。

図１は本発明の第１実施形態に係る電子デバイス装置の構成を示す断面図である。図示した電子デバイス装置は、例えば、表面弾性波装置やＭＥＭＳなどを構成するもので、チップ１をフリップチップ方式（フェースダウン構造）でベース基板２に実装した構造となっている。チップ１は、例えば、タンタル酸リチウム単結晶基板、シリコン基板等をベースに構成されるものである。チップ１の一方の面（主面）にはデバイス機能部３が設けられている。

デバイス機能部３は、電子デバイス装置が電子デバイスとしての機能を発揮する部分である。例えば、電子デバイス装置が表面弾性波装置である場合は、圧電基板上に形成される櫛歯型電極の形成部位がデバイス機能部３となる。また、電子デバイス装置がＭＥＭＳである場合は、半導体基板（シリコン基板等）上に形成された可動素子や振動板の形成部分がデバイス機能部３となる。このデバイス機能部３は、チップ１面のほぼ中央に平面視略矩形状に形成されている。また、チップ１の一方の面には、上述したデバイス機能部３とともに、図示しない複数の電極部（以下、チップ電極）が形成されている。このチップ電極は、デバイス機能部３よりもチップ１の外周側に形成されている。

さらに、チップ１とこれに対向するベース基板２との間には突起部４が介装されている。突起部４は、デバイス素子部３を取り囲む状態で平面視環状に形成されている。この突起部４は、例えばシリコーンゴム等のようなゴム状弾性を有するもので、チップ１とベース基板２との間で圧縮変形（弾性変形）した状態となっている。また、電子デバイス装置の高さ方向（図１の上下方向）において、突起部４の一端（上端）はチップ１の一方の面に固着されている。また、突起部４の他端（下端）は、自身の圧縮変形による反力でベース基板２のチップ実装面（図の上面）に圧接されている。そして、この突起部４で取り囲まれた内側の空間５にデバイス機能部３が気密状態に封止されている。チップ実装面とは、ベース基板２の両面（表裏面）のうち、チップ１が実装される側の面をいう。

ベース基板２は、絶縁性の材料を用いて平面視矩形状（例えば、正方形）に形成されている。ベース基板２の材料には、チップ１と同等の熱膨張率を有する材料を用いることが望ましい。また、チップ１のデバイス機能部３を封止する際に、高い気密性が要求される場合は、耐候性等の信頼性に優れるセラミック等の基板材料を用いることが好ましく、それほど高い気密性が要求されない場合は、エポキシなどの安価な樹脂系の基板材料を用いることが好ましい。ベース基板２の外形寸法はチップ１の外形寸法とほぼ同じ寸法に設定されている。また、ベース基板２のチップ実装面には、チップ１との電気的接続のための複数の内部電極６が形成されている。また、ベース基板２のチップ実装面と反対側の面には、外部接続用の複数の外部電極７が形成されている。これら複数の内部電極６と複数の外部電極７とは１：１の関係で対応している。そして、相対応する内部電極６と外部電極７とがスルーホール配線８によって電気的に接続（導通）されている。スルーホール配線８は、ベース基板２の厚み方向に沿って当該ベース基板２を貫通する状態で形成されている。

また、チップ１とベース基板２とは、上述のように突起部４を圧縮変形させた状態で、複数のバンプ（突起電極）９により電気的かつ機械的に接続（バンプ接合）されている。各々のバンプ９は、チップ１の一方の面に形成されたチップ電極（不図示）とこれに対応してベース基板２のチップ実装面に形成された内部電極（後述）とを、電気的に接続（導通）しかつ機械的に接続（接合）している。

続いて、本発明の第１実施形態に係る電子デバイス装置の製造方法について説明する。

先ず、デバイス機能部３を有するチップ１に対して、図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、チップ１の一方の面に突起部４とバンプ９とを形成する。バンプ９は、予めチップ１の一方の面に形成されたチップ電極１０上に形成する。具体的なバンプ形成方法としては、デバイス機能部３の特性や機能に悪影響を及ぼさないように、メッキ、エッチング等の化学的な表面処理を必要としない方法、例えば、ワイヤボンディング（ボールボンディング）用のキャピラリでワイヤ先端のボールをチップ電極１０に圧着した後、ボール部分から立ち上がるワイヤの根元部分を切断してバンプ（スタッドバンプ）を形成する方法や、チップ電極１０に接着剤を用いて半田ボールを供給、接着してバンプを形成する方法などを用いることが望ましい。

突起部４は、チップ１の一方の面にデバイス機能部３を完全に取り囲む状態で平面視四角形（図例ではほぼ正方形）の環状に形成する。このとき、チップ１上では、バンプ９の形成部位となるチップ電極１０よりも内側の領域（換言すると、デバイス機能部３とチップ電極１０の間の領域）に突起部４を形成する。突起部４の形成材料としては、未硬化の状態では適度な粘性を有する液状又はスラリー状をなし、これを硬化（乾燥）したときにゴム状弾性を奏する高分子材料（例えば、シリコーンゴム等の弾性材料）を用いる。また、突起部４の形成方法としては、突起部４の形成材料をノズル（ニードル）の先端から押し出して塗布するディスペンス法などの塗布法を用いることができる。突起部４の形成材料を塗布した後は、これを加熱等によって硬化（熱硬化）させることにより、突起部４にゴム状弾性をもたせる。このとき、チップ１の一方の面を基準とした突起部４の高さ（突出）寸法とバンプ９の高さ寸法の大小関係は、後述するバンプ接合時にバンプ９の高さがどのように変化するか（使用するバンプ材質、接合材、接合方法）によって適宜設定を変える必要がある（詳細は後述）。

なお、図２においては、チップ１上の四隅部（各コーナー部分）に１つずつバンプ９を形成しているが、バンプ９の形成個数は任意に変更可能である。また、突起部４とバンプ９は、どちらを先に形成してもかまわない。また、チップ１に突起部４やバンプ９を形成する処理は、チップ１が個片に分割（ダイシング等）される前の大径基板（ウエハ等）の状態で行ってもよいし、大径基板からチップ１を個片に分割した後に行ってもよい。

続いて、チップ１の機能や用途に適した所定の雰囲気下（例えば、乾燥雰囲気下、減圧雰囲気下、窒素雰囲気下など）で、チップ１のデバイス機能部３を下向き（フェースダウン）にして、図３に示すように、チップ１とベース基板２とを対向させる。このとき、ベース基板２に予め内部電極６、外部電極７及びスルーホール配線８を形成しておく。そして、チップ１及びベース基板２の少なくともいずれか一方を水平方向（ＸＹ方向）に適宜移動することにより、チップ１のチップ電極１０上に形成したバンプ９と、これに対応するベース基板２の内部電極６との位置を合わせ、この状態の下で例えばチップ１をベース基板２側に接近移動させる。

そうすると、チップ１上に形成した突起部４及びバンプ９のうちの少なくとも一方がベース基板２のチップ実装面に接触（当接）した状態となる。このとき、突起部４がバンプ９よりも先にベース基板２に接触する場合、すなわち上記突起部４の高さ寸法がバンプ９の高さ寸法よりも大きい場合は、この状態から更にチップ１を矢印方向に加圧しながら接近移動させることにより、突起部４に続いてバンプ９をベース基板２に接触させる。このとき、突起部４がベース基板２に接触してからバンプ９がベース基板２に接触するまでチップ１を矢印方向に加圧しながら移動すると、突起部４の先端がベース基板２のチップ実装面に押し付けられて密着するとともに、この押し付けによって突起部４がチップ１とベース基板２との間に挟み込まれて圧縮変形した状態となる。こうして突起部４を圧縮変形させると、これによる反力（突起部４が元の形状に戻ろうとする力）が発生し、この反力によって突起部４の先端がベース基板２のチップ実装面に圧接した状態となる。この状態でチップ１のチップ電極１０とこれに対応するベース基板２の内部電極６とを、バンプ９を介して電気的かつ機械的に接続する。具体的な接続方法としては、導電性接着剤を用いた方法やリフローソルダリング法などを用いることができる。その結果、チップ１とベース基板２の間に、ゴム状弾性を有する突起部４で取り囲まれた密閉状態の空間５（図１参照）が形成されるとともに、この空間５内でチップ１のデバイス機能部３が気密状態に封止される。

また、バンプ９が突起部４よりも先にベース基板２に接触する場合、すなわち突起部４の高さ寸法がバンプ９の高さ寸法よりも小さい場合は、バンプ９をリフローソルダリング法等によって接合（バンプ接合）するときのバンプ高さの変化（低下）に伴って、突起部４がベース基板２に接触した状態となる。このとき、突起部４がベース基板２に接触してから所定の寸法だけチップ１を矢印方向に加圧しながら接近移動させると、突起部４の先端がベース基板２のチップ実装面に押し付けられて密着するとともに、この押し付けによって突起部４がチップ１とベース基板２との間で圧縮変形した状態となる。したがって、この状態でチップ１のチップ電極１０とこれに対応するベース基板２の内部電極６とを、バンプ９を介して電気的かつ機械的に接続することにより、上記同様にチップ１とベース基板２の間に、ゴム状弾性を有する突起部４で取り囲まれた密閉状態の空間５（図１参照）が形成されるとともに、この空間５内でチップ１のデバイス機能部３が気密状態に封止される。また、突起部４とバンプ９がほぼ同時にベース基板２に接触する場合、すなわち突起部４の高さ寸法とバンプ９の高さ寸法がほぼ同じ寸法である場合も、これと同様の処理動作でチップ１をベース基板２上にフェースダウンで実装する。

以上の製造方法によって本発明の第１実施形態に係る電子デバイス装置（図１参照）が得られる。この電子デバイス装置の製造方法においては、チップ１の一方の面（又はこれに対向するベース基板２のチップ実装面）にゴム状弾性を有する平面視環状の突起部４を形成し、この突起部４をチップ１とベース基板２との間で加圧により圧縮変形させることにより、チップ１のデバイス機能部３を封止するための空間５を容易に形成することができる。また、圧縮変形による反力をもって突起部４がベース基板２のチップ実装面（又はチップ１の一方の面）に所定の圧力で密着（圧接）した状態に保持されるため、デバイス機能部３が配置される空間５内の気密性を十分に高めることができる。その結果、信頼性の高い気密封止構造を低コストにて実現することが可能となる。

また、チップ１をフェースダウンでベース基板２に実装（フリップチップ実装）するときに、突起部４によって気密状態の空間５が形成されるため、チップ１をベース基板２に実装する処理と、チップ１のデバイス機能部３を封止する処理を、一つの工程（チップ実装工程）で行うことができる。したがって、一連の製造工程の中に封止工程を別途設ける必要がないため、他のデバイス素子との複合構成（例えば、マルチチップモジュール構成）を採用する場合でも、簡単かつ適切に対応することが可能となる。

なお、上記第１実施形態においては、チップ１をベース基板３に実装したときに突起部４がデバイス機能部３を取り囲む状態となるように、チップ１側に突起部４を形成するものとしたが、ベース基板２側に突起部４を形成することも可能である。ただし、ベース基板２側に突起部４を形成した場合は、この突起部４の先端が接触（圧接）するチップ１上の面が、デバイス機能部３とチップ電極１０をつなぐ配線パターンの形成面に相当するものとなる。したがって、突起部４の先端が押し付けられるチップ１上の面が、配線パターンの形成によって凹凸状（段付き状）となり、突起部４の先端をチップ１の一方の面に密着させることが困難になることも懸念される。これに対して、チップ１側に突起部４を形成した場合は、この突起部４の先端が接触する部分でベース基板２に配線パターンを形成する必要がない。そのため、ベース基板２のチップ実装面においては、突起部４の先端を、配線パターンが形成されていない平坦な面に押し付けることができる。したがって、突起部４の先端をベース基板２のチップ実装面に確実に密着させることができる。

また、上記第１実施形態においては、チップ１の一方の面にバンプ９を形成するものとしたが、本発明はこれに限らず、図４に示すように、ベース基板２のチップ実装面の内部電極６上にバンプ９を形成するものとしてもよい。

続いて、本発明の第２実施形態について説明する。この第２実施形態においては、図５に示すように、チップ１の一方の面（又はこれに対向するベース基板２のチップ実装面）にデバイス機能部３を取り囲む状態となるように、ゴム状弾性を有する平面視環状の突起部４を形成する点は上記第１実施形態と同様であるが、その際にチップ１とベース基板２との電気的かつ機械的な接続部位となるチップ電極（不図示）上のバンプ９の形成部位を取り囲む状態となるように突起部４を形成する。ちなみに、ベース基板２のチップ実装面に突起部４を形成する場合は、当該チップ実装面において内部電極６の形成部位を取り囲むように突起部４を形成することになる。また、チップ１とベース基板２の電気的な接続と機械的な接続が、別々の部位で行われる場合は、両者の電気的な接続部位と機械的な接続部位のうちのいずれか一方のみを取り囲む状態となるように突起部４を形成することもあり得る。

このように突起部４を形成して上記第１実施形態と同様にチップ１をベース基板２にフェースダウンで実装（バンプ接合）すると、チップ１とベース基板２との間で突起部４を加圧により圧縮変形させたときに、図６に示すように、突起部４で取り囲まれた密閉状態の空間５が形成されるとともに、この空間５内にデバイス機能部３とバンプ接合部の両方が配置されるようになる。したがって、突起部４により形成される密閉状態の空間５内に、デバイス機能部３とバンプ接合部の両方を気密状態に封止することができる。

なお、この第２実施形態においても、突起部４とバンプ９のどちらを先に形成してもかまわない。また、チップ１のチップ電極（不図示）上にバンプ９を形成する代わりに、ベース基板２の内部電極６上にバンプ９を形成してもよい。

また、上記第１、第２実施形態においては、チップ１とベース基板２とをバンプ接合によって機械的に接続するものとしたが、バンプ接合だけで十分な接合強度が得られない場合は、バンプ接合が完了した後に、図７及び図８に示すように、チップ１とベース基板２との間の領域でかつ突起部４よりも外側の領域に接合剤１１を充填することにより、所望の接合強度を確保するようにしてもよい。接合材１１としては、樹脂系の接着剤などを用いることができる。その場合、突起部４の外側が樹脂封止された状態となる。そのため、デバイス機能部３が配置される空間５を、突起部４と接合材１１で二重に封止することができる。したがって、チップ１とベース基板２との間に、より高い気密空間を形成することが可能となる。

さらに、本発明の応用例として、チップ１をベース基板２に実装するにあたって、図９に示すように、加圧による圧縮変形によって突起部４の先端が押し付けられるベース基板２の所定部位に予め溝加工によって凹状部１２を形成しておき、実際にチップ１をベース基板２に実装する際に、突起部４の先端を凹状部１２に係合させることにより、ベース基板２に対してより強固に突起部４を密着させることができる。凹状部１２は、突起部４の平面形状に倣って平面視環状に形成されるものである。凹状部１２の断面形状としては、Ｕ字形、Ｖ字形などを採用することができる。

ちなみに、図９においては、突起部４の先端が係合する溝部１２内に微小な隙間が生じた状態になっているが、溝部１２の深さや幅の寸法を最適化すれば、突起部４の先端が溝部１２の形状に倣って変形するようになるため、突起部４の先端を隙間なく溝部１２に密着させることができる。その場合は、より広い面積で突起部４をベース基板２に密着させることができるため、突起部４によって形成される空間５の気密性を高めることが可能となる。

また、チップ１の一方の面に突起部４を形成するとともに、突起部４が押し付けられるベース基板２の所定部位に凹状部１２を形成する場合は、図１０に示すように、ベース基板２上に電極形成用の導電材料を用いて凹状部１２を形成することが望ましい。例えば、ベース基板２にアルミニウム等の金属材料を用いて内部電極６を形成する場合は、この内部電極６の形成に用いられる金属材料を使ったパターニングにより、ベース基板２上に平面視二重（２本）の環状パターン１３で凹状部を形成し、この凹状部に突起部４の先端を係合させる。これにより、ベース基板２に溝加工等を施さなくても、ベース基板２上で内部電極６と同時に凹状部（環状パターン１３）を形成することができる。そのため、電子デバイス装置の製造工程を簡素化することが可能となる。

本発明の第１実施形態に係る電子デバイス装置の構成を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る電子デバイス装置の製造方法を説明する図（その１）である。 本発明の第１実施形態に係る電子デバイス装置の製造方法を説明する図（その２）である。 本発明の変形例を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る電子デバイス装置の製造方法を説明する図である。 本発明の第２実施形態に係る電子デバイス装置の構成を示す断面図である。 本発明の第１実施形態の他の例を説明する図である。 本発明の第２実施形態の他の例を説明する図である。 本発明の応用例を説明する図（その１）である。 本発明の応用例を説明する図（その２）である。

符号の説明

１…チップ、２…ベース基板、３…デバイス機能部、４…突起部、９…バンプ、１１…接合材

Claims (10)

1. 一方の面にデバイス機能部を有するチップをベース基板にフリップチップ方式で実装してなる電子デバイス装置の製造方法であって、
   前記チップの一方の面又はこれに対向する前記ベース基板のチップ実装面に、前記デバイス機能部を取り囲む状態となるように、ゴム状弾性を有する平面視環状の突起部を形成する第１の工程と、
   前記チップと前記ベース基板との間で前記突起部を加圧により圧縮変形させた状態で、前記チップと前記ベース基板とを接続する第２の工程と
   を有することを特徴とする電子デバイス装置の製造方法。
2. 前記第１の工程において、前記チップと前記ベース基板との接続部位を取り囲む状態となるように前記突起部を形成する
   ことを特徴とする請求項１記載の電子デバイス装置の製造方法。
3. 前記チップと前記ベース基板との間の領域でかつ前記突起部よりも外側の領域に接合材を充填する第３の工程を有する
   ことを特徴とする請求項１記載の電子デバイス装置の製造方法。
4. 前記加圧による圧縮変形によって前記突起部の先端が押し付けられる前記チップ又は前記ベース基板の所定部位に予め凹状部を形成しておき、前記チップを前記ベース基板２に実装する際に前記凹状部に前記突起部の先端を係合させる
   ことを特徴とする請求項１記載の電子デバイス装置の製造方法。
5. 前記チップの一方の面に前記突起部を形成するとともに、前記突起部が押し付けられる前記ベース基板の所定部位に導電材料を用いて前記凹状部を形成する
   ことを特徴とする請求項４記載の電子デバイス装置の製造方法。
6. 一方の面にデバイス機能部を有するチップをベース基板にフリップチップ方式で実装してなる電子デバイス装置であって、
   前記チップと前記ベース基板との間に前記デバイス機能部を取り囲む状態でゴム状弾性を有する突起部を介装するとともに、前記突起部を圧縮変形させた状態で前記チップと前記ベース基板とを接続してなる
   ことを特徴とする電子デバイス装置。
7. 前記チップと前記ベース基板との接続部位を取り囲む状態で前記突起部を介装してなる
   ことを特徴とする請求項６記載の電子デバイス装置。
8. 前記チップと前記ベース基板との間の領域でかつ前記突起部よりも外側の領域に接合材を充填してなる
   ことを特徴とする請求項６記載の電子デバイス装置。
9. 前記チップ又は前記ベース基板の所定部位に形成された凹状部に前記突起部の先端を係合してなる
   ことを特徴とする請求項６記載の電子デバイス装置。
10. 前記ベース基板の所定部位に導電材料を用いて前記凹状部を形成してなる
    ことを特徴とする請求項９記載の電子デバイス装置。
    

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