JP2018157159A - パッケージ及びパッケージの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、図1から図6を参照し、本発明の第一実施形態のパッケージ1について説明する。
次に、図3から図5を参照して、本実施形態に係るパッケージの製造工程を説明する。
次に、パッケージ1の変形例を説明する。図7を参照して、第二実施形態に係るパッケージ101について説明する。第二実施形態は、第一実施形態のパッケージの構造で、下地層と接合膜を凹部の表面に直接形成した構造を有する。なお、構成は第一実施形態で説明した構成を適宜採用することが可能であるので、ここではその説明を省略する。
2・・・第一基板
3・・・第二基板
5・・・素子
10a・・・第二基板の上面
10b・・・第二基板の下面
11a,11b・・・下地膜
12a・・・第一の接合材
12b・・・第二の接合材
120・・・接合体
31a、31b、32a、32b・・・凹部
41a・・・第一の個片化補助材
41b・・・第二の個片化補助材
C・・・封止空間
S・・・スクライブライン
Claims (5)
- 第1基板と第2基板を接合する接合体により接合された封止空間を有し、
前記第1基板と前記第2基板とが接合されている面と反対側の面の外周部の斜面上に、前記第1基板および前記第2基板より熱膨張係数が大きな個片化用補助材と、を備えることを特徴とするパッケージ。 - 前記個片化用補助材が、金属材料であることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ。
- 前記第1基板および前記第2基板が、シリコン材料であることを特徴とする請求項1または2に記載のパッケージ。
- 請求項1から3のいずれか1項に記載のパッケージと、
前記パッケージの前記第2の基板にセンサ素子を有することを特徴とするセンサ。 - 第1基板の上面と下面のスクライブライン上に凹部を設ける工程と、
第2基板の上面と下面のスクライブライン上の凹部を設ける工程と、
前記第1基板と前記第2基板との接合面と反対側に設けられた前記凹部上に、前記第1基板および前記第2基板より熱膨張係数が大きな個片化用補助材を形成する工程と、
前記個片化用補助材料を局所的に熱する加熱工程と、
前記スクライブラインに沿って、前記第1基板および第2基板を切断する個片化工程と、を備えることを特徴とするパッケージの製造方法。
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