CN114512412A - 一种声表面波滤波器晶圆封装方法及芯片 - Google Patents
一种声表面波滤波器晶圆封装方法及芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114512412A CN114512412A CN202210413031.4A CN202210413031A CN114512412A CN 114512412 A CN114512412 A CN 114512412A CN 202210413031 A CN202210413031 A CN 202210413031A CN 114512412 A CN114512412 A CN 114512412A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- acoustic wave
- wafer
- wave filter
- cutting
- surface acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 102
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 13
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- QUCZBHXJAUTYHE-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au].[Au] QUCZBHXJAUTYHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
本发明涉及声表面波滤波器技术领域，尤其涉及一种声表面波滤波器晶圆封装方法，包括：声表面波滤波器晶圆的第一表面上设置有电极和关键功能区，声表面波滤波器晶圆设置有切割区域，电极和关键功能区不在切割区域内，采用隐形激光切割工艺在切割区域内加工形成改质层，改质层不延伸到表面。盖板晶圆的第二表面上设置有待切区域，待切区域与切割区域相对应，采用光刻工艺在待切区域内间隔均匀加工多个凸块。采用点胶或印胶工艺在第二表面上形成胶水区，胶水区对应电极所在区域，且不对应关键功能区，将声表面波滤波器晶圆与盖板晶圆键合，以使第一表面与第二表面相对设置。本发明还提供了使用上述声表面波滤波器晶圆封装方法制造的芯片。
Description
技术领域
本发明涉及声表面波滤波器技术领域，尤其涉及一种声表面波滤波器晶圆封装方法及芯片。
背景技术
现有的声表面波滤波器晶圆级封装工艺大多先对声表面波滤波器晶圆进行切割，再进行键合等一系列工艺操作。由于声表面波滤波器晶圆与盖板晶圆的材料不同，二者的CTE(coefficient of thermal expansion，热膨胀系数)相差较大，在键合过程中容易破片，造成封装失败或是良率损失。另外，现有的封装工艺中常采用金与金的倒装焊接的工艺形成声表面波滤波器晶圆与盖板晶圆之间的空腔，不仅成本高，而且工艺复杂。
因此，亟需一种声表面波滤波器晶圆封装方法及芯片，以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种声表面波滤波器晶圆封装方法，能够防止键合过程中形成破片，有利于保证芯片质量，且能降低制造成本。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一种声表面波滤波器晶圆封装方法，包括以下步骤：
S01：形成改质层：声表面波滤波器晶圆包括第一表面，所述第一表面上设置有电极和关键功能区，所述声表面波滤波器晶圆设置有切割区域，所述电极和所述关键功能区不在所述切割区域内，采用隐形激光切割工艺，在所述切割区域内加工形成所述改质层，所述改质层不延伸到所述声表面波滤波器晶圆的表面；
S02：加工凸块：盖板晶圆包括第二表面，所述第二表面上设置有待切区域，所述待切区域与所述切割区域相对应，采用光刻工艺，在所述待切区域内间隔均匀加工多个所述凸块；
S03：键合：采用点胶或印胶工艺，在所述第二表面上形成胶水区，所述胶水区对应所述电极所在区域，且不对应所述关键功能区，将所述声表面波滤波器晶圆与所述盖板晶圆键合，以使所述第一表面与所述第二表面相对设置。
作为一种声表面波滤波器晶圆封装方法的优选方案，在步骤S03之后，还包括：
S04：一次减薄：所述声表面波滤波器晶圆包括与所述第一表面相对的第三表面，采用研磨抛光工艺对所述第三表面进行减薄，同时去掉所述第三表面的黑化层，达到第一预设厚度，形成第四表面，所述第四表面能够透光。
作为一种声表面波滤波器晶圆封装方法的优选方案，在步骤S04之后，还包括：
S05：一次切割：采用机械或激光灯切割工艺，切除所述切割区域并延伸至所述盖板晶圆内，形成切割槽，所述盖板晶圆内的切割深度超过所述盖板晶圆减薄后的剩余厚度。
作为一种声表面波滤波器晶圆封装方法的优选方案，在步骤S05之后，还包括：
S06：一次塑封：采用晶圆级塑封工艺，对所述第四表面及所述切割槽进行包裹密封。
作为一种声表面波滤波器晶圆封装方法的优选方案，在步骤S06之后，还包括：
S07：二次减薄：所述盖板晶圆包括与所述第二表面相对的第五表面，采用研磨工艺对所述第五表面减薄，达到第二预设厚度，形成第六表面，并使一次密封的塑封料露出。
作为一种声表面波滤波器晶圆封装方法的优选方案，在步骤S07之后，还包括：
S08：暴露所述电极：采用光刻、刻蚀或激光烧蚀工艺加工所述第六表面，形成互联孔，同时打开键合胶水，以使所述电极露出；
S09：形成互联金属：采用物理气相沉积、光刻或电镀工艺，将所述电极引出，在所述互联孔内形成所述互联金属，所述互联金属超出所述第六表面预设高度。
作为一种声表面波滤波器晶圆封装方法的优选方案，在步骤S09之后，还包括：
S10：二次塑封：采用晶圆级塑封工艺，对所述第六表面进行塑封，形成塑封层。
作为一种声表面波滤波器晶圆封装方法的优选方案，在步骤S10之后，还包括：
S11：三次减薄：采用研磨工艺减薄所述塑封层，并露出所述互联金属；
S12：加工保护层：采用化学镀工艺，在所述互联金属的顶部加工所述保护层，所述保护层用于后续焊接；
S13：二次切割：采用切割工艺，沿所述切割槽切割得到芯片。
本发明的另一个目的在于提供一种芯片，该芯片具有较低的生产成本和稳定的产品质量。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一种芯片，使用上述的声表面波滤波器晶圆封装方法制造而成。
作为一种芯片的优选方案，所述盖板晶圆的厚度大于1μm，所述第一表面和所述第二表面的距离大于0.1μm，互联金属的顶部超过第六表面的高度大于1μm，保护层的厚度大于1μm。
本发明的有益效果：
本发明提供了一种声表面波滤波器晶圆封装方法，包括以下步骤：S01：形成改质层：声表面波滤波器晶圆包括第一表面，第一表面上设置有电极和关键功能区，声表面波滤波器晶圆设置有切割区域，电极和关键功能区不在切割区域内，采用隐形激光切割工艺，在切割区域内加工形成改质层，改质层不延伸到声表面波滤波器晶圆的表面。S02：加工凸块：盖板晶圆包括第二表面，第二表面上设置有待切区域，待切区域与切割区域相对应，采用光刻工艺，在待切区域内间隔均匀加工多个凸块。S03：键合：采用点胶或印胶工艺，在第二表面上形成胶水区，胶水区对应电极所在区域，且不对应关键功能区，将声表面波滤波器晶圆与盖板晶圆键合，以使第一表面与第二表面相对设置。在键合过程中，声表面波滤波器晶圆与盖板晶圆的CTE差异所造成的内部应力，会集中作用在改质层处，改质层处将容易出现裂痕，且其他区域不会发生无规则碎裂。由于后续会将改质层去除，就不会影响成品芯片的质量。并且采用光刻工艺加工多个凸块，即可在键合之后形成声表面波滤波器晶圆与盖板晶圆之间的空腔，这种实现方式较现有技术工艺更简单，成本更低。所以该声表面波滤波器晶圆封装方法能够有效保证芯片质量，且能降低制造成本。
本发明还提供了使用上述的声表面波滤波器晶圆封装方法制造而成的芯片，该芯片具有较低的生产成本和稳定的产品质量。
附图说明
图1是本发明实施例所提供的声表面波滤波器晶圆封装方法的步骤S01制备得到的中间体的结构示意图；
图2是本发明实施例所提供的声表面波滤波器晶圆封装方法的步骤S02制备得到的中间体的结构示意图；
图3是本发明实施例所提供的声表面波滤波器晶圆封装方法的步骤S03制备得到的中间体的结构示意图；
图4是本发明实施例所提供的声表面波滤波器晶圆封装方法的步骤S04制备得到的中间体的结构示意图；
图5是本发明实施例所提供的声表面波滤波器晶圆封装方法的步骤S05制备得到的中间体的结构示意图；
图6是本发明实施例所提供的声表面波滤波器晶圆封装方法的步骤S06制备得到的中间体的结构示意图；
图7是本发明实施例所提供的声表面波滤波器晶圆封装方法的步骤S07制备得到的中间体的结构示意图；
图8是本发明实施例所提供的声表面波滤波器晶圆封装方法的步骤S08制备得到的中间体的结构示意图；
图9是本发明实施例所提供的声表面波滤波器晶圆封装方法的步骤S09制备得到的中间体的结构示意图；
图10是本发明实施例所提供的声表面波滤波器晶圆封装方法的步骤S10制备得到的中间体的结构示意图；
图11是本发明实施例所提供的声表面波滤波器晶圆封装方法的步骤S11制备得到的中间体的结构示意图；
图12是本发明实施例所提供的声表面波滤波器晶圆封装方法的步骤S12制备得到的中间体的结构示意图；
图13是本发明实施例所提供的声表面波滤波器晶圆封装方法的步骤S13制备得到的中间体的结构示意图；
图14是本发明实施例所提供的芯片的透视图。
图中：
1、声表面波滤波器晶圆；11、改质层；12、第一表面；13、第三表面；14、第四表面；
2、电极；3、关键功能区；
4、盖板晶圆；41、第二表面；42、第五表面；43、第六表面；
5、凸块；6、胶水区；7、塑封料；8、互联金属；9、塑封层；10、保护层；
100、切割槽；200、互联孔。
具体实施方式
下面结合附图和实施方式进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
由于声表面波滤波器晶圆与盖板晶圆的材料不同，二者的CTE(coefficient ofthermal expansion，热膨胀系数)相差较大，在键合过程中容易破片，造成封装失败或是良率损失。另外，现有的封装工艺中常采用金与金的倒装焊接的工艺形成声表面波滤波器晶圆与盖板晶圆之间的空腔，不仅成本高，而且工艺复杂。
因此，本实施例提供了一种声表面波滤波器晶圆封装方法，以解决上述问题。
如图1-图13所示，该声表面波滤波器晶圆封装方法包括以下步骤：
S01：形成改质层11。
如图1所示，声表面波滤波器晶圆1包括第一表面12，第一表面12上设置有电极2和关键功能区3，声表面波滤波器晶圆1设置有切割区域，电极2和关键功能区3不在切割区域内。采用隐形激光切割工艺，在切割区域内加工形成改质层11，改质层11不延伸到声表面波滤波器晶圆1的表面。可选地，在进行隐形激光切割时，选用半透明波长的激光，以适应声表面波滤波器晶圆1的厚度，保证在声表面波滤波器晶圆1内部形成厚度合适的改质层11，且不延伸至表面。
在后续的键合过程中，声表面波滤波器晶圆1与盖板晶圆4的CTE差异所造成的内部应力，会集中作用在改质层11处，改质层11处将容易出现裂痕，且其他区域不会发生无规则碎裂。由于后续会将改质层11去除，就不会影响成品芯片的质量。且改质层11不延伸至表面，即可保证键合步骤之后，声表面波滤波器晶圆1仍是一个整体，以便于后续的加工操作。
S02：加工凸块5。
如图2所示，盖板晶圆4包括第二表面41，第二表面41上设置有待切区域，待切区域与切割区域相对应，采用光刻工艺，在待切区域内间隔均匀加工多个凸块5。可选地，这里也可选用点胶工艺形成凸块5。凸块5的高度大于0.1μm，以保证声表面波滤波器晶圆1与盖板晶圆4之间的空腔高度合适。
采用光刻工艺加工多个凸块5，即可在键合之后形成声表面波滤波器晶圆1与盖板晶圆4之间的空腔，这种实现方式较现有技术工艺更简单，成本更低。所以该声表面波滤波器晶圆封装方法能够有效保证芯片质量，且能降低制造成本。
S03：键合。
如图3所示，采用点胶或印胶工艺，在第二表面41上形成胶水区6，胶水区6对应电极2所在区域，且不对应关键功能区3。即键合之后，电极2将处在胶水区6内，关键功能区3与胶水区6相间隔，且关键功能区3处在胶水区6和盖板晶圆4形成的空腔内，被良好保护。
将声表面波滤波器晶圆1与盖板晶圆4键合，以使第一表面12与第二表面41相对设置。可选地，采用永久键合工艺对声表面波滤波器晶圆1与盖板晶圆4进行键合。键合后的胶水区6的厚度大于0.1μm，以配合声表面波滤波器晶圆1与盖板晶圆4之间的空腔高度。
S04：一次减薄。
如图4所示，声表面波滤波器晶圆1包括与第一表面12相对的第三表面13，采用研磨抛光工艺对第三表面13进行减薄，同时去掉第三表面13的黑化层，达到第一预设厚度，形成第四表面14。且由于黑化层被去除，第四表面14具有透光性。
S05：一次切割。
如图5所示，采用机械或激光灯切割工艺，切除切割区域并延伸至盖板晶圆4内，形成切割槽100，盖板晶圆4内的切割深度超过盖板晶圆4减薄后的剩余厚度。
S06：一次塑封。
如图6所示，采用晶圆级塑封工艺，对第四表面14及切割槽100进行包裹密封。
S07：二次减薄。
如图7所示，盖板晶圆4包括与第二表面41相对的第五表面42，采用研磨工艺对第五表面42减薄，达到第二预设厚度，形成第六表面43，并使一次密封的塑封料7露出。可选地，减薄后盖板晶圆4的厚度大于1μm。
S08：暴露电极2。
如图8所示，采用光刻、刻蚀或激光烧蚀工艺加工第六表面43，形成互联孔200，同时打开键合胶水，以使电极2露出，为后续步骤做准备。
S09：形成互联金属8。
如图9所示，采用物理气相沉积、光刻或电镀工艺，将电极2引出，在互联孔200内形成互联金属8，互联金属8超出第六表面43预设高度。可选地，互联金属8超出第六表面43的预设高度大于1μm。
S10：二次塑封。
如图10所示，采用晶圆级塑封工艺，对第六表面43进行塑封，形成塑封层9。
S11：三次减薄。
如图11所示，采用研磨工艺减薄塑封层9，并露出互联金属8。
S12：加工保护层10。
如图12所示，采用化学镀工艺，在互联金属8的顶部加工保护层10，保护层10用于后续焊接。可选地，加工保护层10的材质为NiAu、NiPdAu等材料。可选地，保护层10的厚度大于1μm，以满足焊接需要。
S13：二次切割。
如图13所示，采用切割工艺，沿切割槽100切割得到单颗的芯片。
本实施例还提供了使用上述的声表面波滤波器晶圆封装方法制造而成的芯片，如图14所示，该芯片具有较低的生产成本和稳定的产品质量。
优选地，芯片的盖板晶圆4的厚度大于1μm，第一表面12和第二表面41的距离大于0.1μm，互联金属8的顶部超过第六表面43的高度大于1μm，保护层10的厚度大于1μm。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为了清楚说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种声表面波滤波器晶圆封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
S01：形成改质层(11)：声表面波滤波器晶圆(1)包括第一表面(12)，所述第一表面(12)上设置有电极(2)和关键功能区(3)，所述声表面波滤波器晶圆(1)设置有切割区域，所述电极(2)和所述关键功能区(3)不在所述切割区域内，采用隐形激光切割工艺，在所述切割区域内加工形成所述改质层(11)，所述改质层(11)不延伸到所述声表面波滤波器晶圆(1)的表面；
S02：加工凸块(5)：盖板晶圆(4)包括第二表面(41)，所述第二表面(41)上设置有待切区域，所述待切区域与所述切割区域相对应，采用光刻工艺，在所述待切区域内间隔均匀加工多个所述凸块(5)；
S03：键合：采用点胶或印胶工艺，在所述第二表面(41)上形成胶水区(6)，所述胶水区(6)对应所述电极(2)所在区域，且不对应所述关键功能区(3)，将所述声表面波滤波器晶圆(1)与所述盖板晶圆(4)键合，以使所述第一表面(12)与所述第二表面(41)相对设置。
2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器晶圆封装方法，其特征在于，在步骤S03之后，还包括：
S04：一次减薄：所述声表面波滤波器晶圆(1)包括与所述第一表面(12)相对的第三表面(13)，采用研磨抛光工艺对所述第三表面(13)进行减薄，同时去掉所述第三表面(13)的黑化层，达到第一预设厚度，形成第四表面(14)，所述第四表面（14）能够透光。
3.根据权利要求2所述的声表面波滤波器晶圆封装方法，其特征在于，在步骤S04之后，还包括：
S05：一次切割：采用机械或激光灯切割工艺，切除所述切割区域并延伸至所述盖板晶圆(4)内，形成切割槽(100)，所述盖板晶圆(4)内的切割深度超过所述盖板晶圆(4)减薄后的剩余厚度。
4.根据权利要求3所述的声表面波滤波器晶圆封装方法，其特征在于，在步骤S05之后，还包括：
S06：一次塑封：采用晶圆级塑封工艺，对所述第四表面(14)及所述切割槽(100)进行包裹密封。
5.根据权利要求4所述的声表面波滤波器晶圆封装方法，其特征在于，在步骤S06之后，还包括：
S07：二次减薄：所述盖板晶圆(4)包括与所述第二表面(41)相对的第五表面(42)，采用研磨工艺对所述第五表面(42)减薄，达到第二预设厚度，形成第六表面(43)，并使一次密封的塑封料(7)露出。
6.根据权利要求5所述的声表面波滤波器晶圆封装方法，其特征在于，在步骤S07之后，还包括：
S08：暴露所述电极(2)：采用光刻、刻蚀或激光烧蚀工艺加工所述第六表面(43)，形成互联孔(200)，同时打开键合胶水，以使所述电极(2)露出；
S09：形成互联金属(8)：采用物理气相沉积、光刻或电镀工艺，将所述电极(2)引出，在所述互联孔(200)内形成所述互联金属(8)，所述互联金属(8)超出所述第六表面(43)预设高度。
7.根据权利要求6所述的声表面波滤波器晶圆封装方法，其特征在于，在步骤S09之后，还包括：
S10：二次塑封：采用晶圆级塑封工艺，对所述第六表面(43)进行塑封，形成塑封层(9)。
8.根据权利要求7所述的声表面波滤波器晶圆封装方法，其特征在于，在步骤S10之后，还包括：
S11：三次减薄：采用研磨工艺减薄所述塑封层(9)，并露出所述互联金属(8)；
S12：加工保护层(10)：采用化学镀工艺，在所述互联金属(8)的顶部加工所述保护层(10)，所述保护层(10)用于后续焊接；
S13：二次切割：采用切割工艺，沿所述切割槽(100)切割得到芯片。
9.一种芯片，其特征在于，使用如权利要求1-8任一项所述的声表面波滤波器晶圆封装方法制造而成。
10.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述盖板晶圆(4)的厚度大于1μm，所述第一表面(12)和所述第二表面(41)的距离大于0.1μm，互联金属(8)的顶部超过第六表面(43)的高度大于1μm，保护层(10)的厚度大于1μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210413031.4A CN114512412B (zh) | 2022-04-20 | 2022-04-20 | 一种声表面波滤波器晶圆封装方法及芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210413031.4A CN114512412B (zh) | 2022-04-20 | 2022-04-20 | 一种声表面波滤波器晶圆封装方法及芯片 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114512412A true CN114512412A (zh) | 2022-05-17 |
| CN114512412B CN114512412B (zh) | 2022-07-12 |
Family
ID=81555070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210413031.4A Active CN114512412B (zh) | 2022-04-20 | 2022-04-20 | 一种声表面波滤波器晶圆封装方法及芯片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114512412B (zh) |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1642688A (zh) * | 2002-03-12 | 2005-07-20 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法 |
| JP2011176069A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Casio Computer Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2013005470A1 (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-10 | 古河電気工業株式会社 | 接着フィルム、並びにダイシングダイボンディングフィルム及びそれを用いた半導体加工方法 |
| US20130095581A1 (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Thick window layer led manufacture |
| CN105810590A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-07-27 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 声表面波滤波器晶圆键合封装工艺 |
| JP2017028259A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、製造方法、基板分割方法 |
| JP2018157159A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-04 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージ及びパッケージの製造方法 |
| CN111696968A (zh) * | 2019-03-14 | 2020-09-22 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构的制造方法 |
| US20200343878A1 (en) * | 2019-04-23 | 2020-10-29 | Disco Corporation | Saw filter manufacturing method and saw filter |
| CN112567500A (zh) * | 2018-09-04 | 2021-03-26 | 株式会社村田制作所 | Mems器件的制造方法以及mems器件 |
| CN112652700A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-13 | 苏州科阳半导体有限公司 | 滤波器芯片封装结构及其封装工艺 |
| CN112688655A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-04-20 | 苏州科阳半导体有限公司 | 一种滤波器晶圆级封装工艺及滤波器晶圆级封装结构 |
| CN113725161A (zh) * | 2021-09-02 | 2021-11-30 | 东莞记忆存储科技有限公司 | 一种3d晶圆的加工工艺方法 |
| CN114078713A (zh) * | 2020-08-19 | 2022-02-22 | 铠侠股份有限公司 | 半导体装置的制造方法及半导体装置 |
-
2022
- 2022-04-20 CN CN202210413031.4A patent/CN114512412B/zh active Active
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1642688A (zh) * | 2002-03-12 | 2005-07-20 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法 |
| JP2011176069A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Casio Computer Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2013005470A1 (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-10 | 古河電気工業株式会社 | 接着フィルム、並びにダイシングダイボンディングフィルム及びそれを用いた半導体加工方法 |
| US20130095581A1 (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Thick window layer led manufacture |
| JP2017028259A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、製造方法、基板分割方法 |
| CN105810590A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-07-27 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 声表面波滤波器晶圆键合封装工艺 |
| JP2018157159A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-04 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージ及びパッケージの製造方法 |
| CN112567500A (zh) * | 2018-09-04 | 2021-03-26 | 株式会社村田制作所 | Mems器件的制造方法以及mems器件 |
| US20210147224A1 (en) * | 2018-09-04 | 2021-05-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Mems device manufacturing method and mems device |
| CN111696968A (zh) * | 2019-03-14 | 2020-09-22 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构的制造方法 |
| US20200343878A1 (en) * | 2019-04-23 | 2020-10-29 | Disco Corporation | Saw filter manufacturing method and saw filter |
| CN114078713A (zh) * | 2020-08-19 | 2022-02-22 | 铠侠股份有限公司 | 半导体装置的制造方法及半导体装置 |
| CN112688655A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-04-20 | 苏州科阳半导体有限公司 | 一种滤波器晶圆级封装工艺及滤波器晶圆级封装结构 |
| CN112652700A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-13 | 苏州科阳半导体有限公司 | 滤波器芯片封装结构及其封装工艺 |
| CN113725161A (zh) * | 2021-09-02 | 2021-11-30 | 东莞记忆存储科技有限公司 | 一种3d晶圆的加工工艺方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114512412B (zh) | 2022-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3662260B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US7045385B2 (en) | Method for fabricating surface acoustic wave filter packages and package sheet used therein | |
| US20080002460A1 (en) | Structure and method of making lidded chips | |
| US7202563B2 (en) | Semiconductor device package having a semiconductor element with resin | |
| WO2001015223A1 (fr) | Dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication | |
| KR20050050570A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP6810599B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| CN110649909B (zh) | 一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构 | |
| JP2001284497A (ja) | 半導体装置及びその製造方法及び半導体チップ及びその製造方法 | |
| CN105632911A (zh) | 降低边缘应力的晶圆级封装方法 | |
| KR20090131258A (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP2022522049A (ja) | チップのパッケージング方法及びパッケージング構造 | |
| CN114512412B (zh) | 一种声表面波滤波器晶圆封装方法及芯片 | |
| JP2021180338A (ja) | 半導体装置及びダイシング方法 | |
| CN108233890A (zh) | Fbar滤波器封装结构及封装方法 | |
| KR20090123280A (ko) | 반도체 칩 패키지의 제조 방법, 반도체 웨이퍼 및 그 절단방법 | |
| CN112688655A (zh) | 一种滤波器晶圆级封装工艺及滤波器晶圆级封装结构 | |
| CN111900081B (zh) | 一种硅基led芯片的切割方法 | |
| US20210013176A1 (en) | Pre-stacking mechanical strength enhancement of power device structures | |
| JP3501959B2 (ja) | レーザー溶断方式半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| CN105655311A (zh) | 晶圆级芯片封装背面互连结构及其制作方法 | |
| WO2012120694A1 (ja) | ウエハレベルパッケージの製造方法、及びウエハレベルパッケージ | |
| CN114726333A (zh) | 声表面波器件、封装模组及声表面波器件的制作方法 | |
| CN111463138B (zh) | 半导体器件及其制备方法 | |
| JP7042195B2 (ja) | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |