JP4792396B2 - 界面活性剤 - Google Patents

Description

本発明は、界面活性剤に関するものである。さらに詳しくは、電子材料・電子部品などの製造工程中、洗浄工程において使用される洗浄剤用として好適な界面活性剤に関する。

近年、超ＬＳＩなどに代表される微細加工技術の進歩につれて、基板上に残存する微量の不純物（金属イオンや、金属などの無機物およびレジスト樹脂などの有機物のパーティクル）がデバイスの性能や歩留まりに大きく影響するため、不純物の管理が極めて重要になってきている。特に洗浄対象であるパーティクル自体が、より微粒子化することでさらに界面へ付着しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となっている。
このため従来から、このパーティクルによる汚染を防止するために、界面活性剤を添加してパーティクル表面のゼータ電位を下げ、パーティクルの付着を低減する方法が提案されている（特許文献１、２）。

しかし上記特許文献１で提案されている界面活性剤は、非イオン界面活性剤であるため、パーティクル表面のゼータ電位を十分に下げることができず、再付着防止性が不十分である。また上記特許文献２で提案されている界面活性剤は、アニオン性界面活性剤であり、確かにパーティクル表面のゼータ電位を下げることでパーティクルの再付着防止効果はある程度改善できるものの性能的に不十分である。また、使用しているアニオン性界面活性剤の対イオンにはナトリウムイオンなどのアルカリ金属が使用されており、洗浄後の残存アルカリ金属が引き起こす基板表面の潜傷やヤケ、基板内部へのアルカリ金属の拡散によるデバイスの信頼性低下を招くこと、使用時に泡立ちが激しく使用できないなどといった深刻な問題があった。
特開平５−１３８１４２号公報 特開平６−４１７７０号公報

従って、本発明の目的とするところは、実質的にアルカリ金属を使用せず、洗浄時において微細化したパーティクルの再付着防止性に優れ、極めて効率的な高度洗浄を可能にする界面活性剤を提供することにある。

本発明者らは上記の界面活性剤を得るべく鋭意検討した結果、酸基を有する酸性化合物及び／又は酸基を有するポリマーと、これと塩を形成する特定の対イオンからなる界面活性剤を用いることにより上記問題点を解決できることを見い出し、本発明に到達した。

すなわち本発明は、中和塩（ＡＢ１）及び／又は中和塩（ＡＢ２）からなることを特徴とする界面活性剤；この界面活性剤を含む洗浄剤；電子材料・電子部品の製造工程中、洗浄工程における洗浄剤として使用される洗浄剤；この洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄および枚葉式洗浄からなる群より選ばれる少なくとも１種によって洗浄する工程を含む電子部品の製造方法である。
中和塩（ＡＢ１）：酸解離反応における生成熱変化（Ｑ１）が３〜２００ｋｃａｌ／ｍｏｌである酸の酸基（Ｘ１）と炭素数が１〜３６の疎水基（Ｙ）とをそれぞれ少なくとも１つ有する酸性化合物（Ａ１）と、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌである窒素含有塩基性化合物（Ｂ）との中和塩であって、（Ｘ１）がスルホン酸基、硫酸基、リン酸基、ホスホン酸基、カルボキシメチルオキシ基、カルボキシエチルオキシ基、（ジ）カルボキシメチルアミノ基、（ジ）カルボキシエチルアミノ基、式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群より選ばれる少なくとも１種である中和塩
−Ｃ（Ｈ）_ａ（Ｗ）_ｂ−ＣＯＯＨ （１）
−Ａｒ（Ｗ）_ｃ−ＣＯＯＨ （２）
Ｗはニトロ基、シアノ基、トリハロメチル基、ホルミル基、アセチル基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アンモニオ基又はハロゲン原子、Ａｒは炭素数５〜１４のアリール基、ａは０又は１、ｂは１又は２、ｃは１〜８の整数を表し、アルキルオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基におけるアルキルの炭素数は１〜３である。
中和塩（ＡＢ２）：分子内に少なくとも１つの酸基（Ｘ２）を有するポリマー（Ａ２）と、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌである窒素含有塩基性化合物（Ｂ）との中和塩

以下に本発明を詳細に説明する。
まず、中和塩（ＡＢ１）及び（ＡＢ２）を構成する、酸性化合物（Ａ１）、ポリマー（Ａ２）について説明する。
酸性化合物（Ａ１）は、酸解離反応における生成熱変化（Ｑ１）が３〜２００ｋｃａｌ／ｍｏｌである酸の酸基（Ｘ１）と炭素数が１〜３６の疎水基（Ｙ）とをそれぞれ少なくとも１つ有するものであり、ポリマー（Ａ２）は、分子内に少なくとも１つの酸基（Ｘ２）を有するものである。酸基（Ｘ２）も、酸解離反応における生成熱変化（Ｑ１）が３〜２００ｋｃａｌ／ｍｏｌであるものが好ましい。
酸基（Ｘ１）、（Ｘ２）の酸解離反応における生成熱変化（Ｑ１）とは、下記式（６）に示す酸（ＨＸ）の酸解離反応におけるＨＸの生成熱とＸ⁻との生成熱との差を意味する。
ＨＸ→Ｈ^＋＋Ｘ⁻ （６）
なお、酸基（Ｘ１）の酸解離反応における生成熱変化は、疎水基（Ｙ）を水素原子と仮定した値である。
また、酸基（Ｘ２）の酸解離反応における生成熱変化は、酸基（Ｘ２）が結合しているポリマー鎖を水素原子と仮定した値である。
例えば、スルホン酸基（−ＳＯ_３Ｈ）の場合、Ｈ−ＳＯ_３Ｈとして計算した値；硫酸基（−ＯＳＯ_３Ｈ）の場合、Ｈ−ＯＳＯ_３Ｈとして計算した値；リン酸基（−ＯＰＯ_３Ｈ_２又は−ＯＰ（Ｏ）（ＯＨ）Ｏ−）の場合、Ｈ−ＯＰＯ_３Ｈ_２として計算した値；ホスホン酸基（−ＰＯ_３Ｈ_２）の場合、Ｈ−ＰＯ_３Ｈ_２として計算した値；カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）の場合、Ｈ−ＣＯＯＨとして計算した値；カルボキシメチルオキシ基（−ＯＣＨ_２ＣＯＯＨ）の場合、Ｈ−ＯＣＨ_２ＣＯＯＨとして計算した値；カルボキシエチルオキシ基（−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＨ）の場合、Ｈ−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＨとして計算した値；（ジ）カルボキシメチルアミノ基（−ＮＲＣＨ_２ＣＯＯＨ又は−Ｎ（ＣＨ_２ＣＯＯＨ）_２）の場合、Ｈ−ＮＨＣＨ_２ＣＯＯＨとして計算した値；（ジ）カルボキシエチルアミノ基（−ＮＲＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＨ又は−Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＨ）_２）の場合、Ｈ−ＮＨＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＨとして計算した値；式（１）で表される基の場合、式（３）で表される化合物として計算した値；式（２）で表される基の場合、式（４）で表される化合物として計算した値である。なお、Ｒは水素原子または炭素数１〜２４のアルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシルなど）を表す。

Ｈ−Ｃ（Ｈ）_ａ（Ｗ）_ｂ−ＣＯＯＨ （３）
Ｈ−Ａｒ（Ｗ）_ｃ−ＣＯＯＨ （４）
Ｗはニトロ基、シアノ基、トリハロメチル基、ホルミル基、アセチル基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アンモニオ基又はハロゲン原子、Ａｒは炭素数５〜１４のアリール基、ａは０又は１、ｂは１又は２、ｃは１〜８の整数を表し、アルキルオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基におけるアルキルの炭素数は１〜３である。アルキルオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基におけるアルキルとしては、メチル、エチル、プロピルが挙げられる。

すなわち、生成熱変化（Ｑ１）は下記式（８）で表される。
Ｑ１＝Δ_ｆＨ^ｏ _ＨＸ−Δ_ｆＨ^ｏ _Ｘ− （８）
［式中、Δ_ｆＨ^ｏ _ＨＸ、Δ_ｆＨ^ｏ _Ｘ−は、それぞれ順に、ＨＸ、Ｘ⁻についての真空中における生成熱を表す。］

ここで、生成熱（Δ_ｆＨ^ｏ）の値は、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ．２，ｐ．９２３（１９９５）に記載の半経験的分子軌道法（ＭＯＰＡＣ ＰＭ３法）を用いて計算することができる。
この生成熱の値は、たとえば、富士通株式会社製「ＣＡＣｈｅ Ｗｏｒｋｓｙｓｔｅｍ６．０１」を用いて真空中における生成熱（２５℃）として計算できる。すなわち、この生成熱の値は、計算したい分子構造を「Ｗｏｒｋ Ｓｐａｃｅ」上で書き、分子力場法である「ＭＭ２ ｇｅｏｍｅｔｒｙ」で構造最適化した後、半経験的分子軌道法である「ＰＭ３ ｇｅｏｍｅｔｒｙ」で計算することにより得られる。

また、酸基（Ｘ１）または（Ｘ２）の酸解離反応における生成熱変化（Ｑ１）（ｋｃａｌ／ｍｏｌ、２５℃）は、３〜２００が好ましく、ゼータ電位を下げるという観点等から、さらに好ましくは１０〜１５０、次に好ましくは１５〜１００、次に好ましくは２０〜８０、特に好ましくは２２〜７５、最も好ましくは２５〜７０である。

酸基（Ｘ２）としては、スルホン酸基（−ＳＯ_３Ｈ）（Ｑ１＝３２ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、硫酸基（−ＯＳＯ_３Ｈ）（Ｑ１＝４６ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、リン酸基（−ＯＰＯ_３Ｈ_２または−ＯＰ（Ｏ）（ＯＨ）Ｏ−）（Ｑ１＝１９ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、ホスホン酸基（−ＰＯ_３Ｈ_２）（Ｑ１＝４．５ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）（Ｑ１＝２１ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、などが挙げられる。
なお、カルボキシル基としては、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）の他に、カルボキシメチルオキシ基（−ＯＣＨ_２ＣＯＯＨ）（Ｑ１＝１９ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、カルボキシエチルオキシ基（−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＨ）（Ｑ１＝２０ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、（ジ）カルボキシメチルアミノ基（−ＮＲＣＨ_２ＣＯＯＨ又は−Ｎ（ＣＨ_２ＣＯＯＨ）_２）（Ｑ１＝２６ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、（ジ）カルボキシエチルアミノ基（−ＮＲＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＨ又は−Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＨ）_２）（Ｑ１＝２０ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、式（１）で表される基｛例えば１−フルオロ−カルボキシメチル基（Ｑ１＝２６ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、１−クロロ−カルボキシメチル基（Ｑ１＝２６ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、１，１’−ジクロロカルボキシメチル基（Ｑ１＝３２ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、１−シアノ−カルボキシメチル基（Ｑ１＝３２ｋｃａｌ／ｍｏｌ）等｝、式（２）で表される基｛例えば３−フルオロ−４−カルボキシフェニル基（Ｑ１＝２５ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、３−シアノ−４−カルボキシフェニル基（Ｑ１＝３０ｋｃａｌ／ｍｏｌ）等｝などが含まれる。
これらの酸基のうち、パーティクルの再付着防止性および工業的に生産しやすい観点等から、スルホン酸基、硫酸基、リン酸基、ホスホン酸基及びカルボキシル基が好ましく、後述するアルカリ成分（Ｃ）を含有する場合、中和塩（ＡＢ２）の加水分解の防止の観点等から、さらに好ましくはスルホン酸基及びカルボキシル基、特に好ましくはスルホン酸基である。

酸基（Ｘ１）としては、上記で例示した酸基（Ｘ２）の内、スルホン酸基、硫酸基、リン酸基、ホスホン酸基、カルボキシメチルオキシ基、カルボキシエチルオキシ基、（ジ）カルボキシメチルアミノ基、（ジ）カルボキシエチルアミノ基、式（１）で表される基、式（２）で表される基などが挙げられる。
これらの酸基のうち、パーティクルの再付着防止性および工業的に生産しやすい観点等から、スルホン酸基、硫酸基、リン酸基、カルボキシメチルオキシ基及びカルボキシエチルオキシ基が好ましく、後述するアルカリ成分（Ｃ）を含有する場合、中和塩（ＡＢ１）の加水分解の防止の観点等から、さらに好ましくはスルホン酸基、カルボキシメチルオキシ基及びカルボキシエチルオキシ基、特に好ましくはスルホン酸基である。

酸性化合物（Ａ１）中の疎水基（Ｙ）としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香環含有炭化水素基等が含まれる。
脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜３６のアルキル基、炭素数２〜３６のアルケニル基等が含まれる（直鎖状又は分岐状のいずれでもよい）。
アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−又はｉ−プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エイコシル、ヘンエイコシル、ドコシル、トリコシル、テトラコシル、ペンタコシル、ヘキサコシル、ヘプタコシル、オクタコシル、ノナコシル、トリアコンチル、ヘントリアコンチル、ドトリアコンチル、トリトリアコンチル、テトラトリアコンチル、ペンタトリアコンチル、ヘキサトリアコンチルなどが挙げられる。
アルケニル基としては、ｎ−又はｉ−プロペニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、テトラデセニル、ペンタデセニル、ヘキサデセニル、ヘプタデセニル、オクタデセニル、ノナデセニル、２−エチルデセニル、エイコセニル、ヘンエイコセニル、ドコセニル、トリコセニル、テトラコセニル、ペンタコセニル、ヘキサコセニル、ヘプタコセニル、オクタコセニル、ノナコセニルなどが挙げられる。

脂環式炭化水素基としては、炭素数３〜３６のシクロアルキル基等が含まれ、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、シクロドデシル、シクロヘキサデシル、シクロエイコシル、シクロヘキサコシル、シクロノナコシル、シクロテトラトリアコンチル、シクロペンタトリアコンチル、シクロヘキサトリアコンチル等が挙げられる。

芳香環含有炭化水素基としては、炭素数７〜３６の芳香族炭化水素等が含まれ、メチルフェニル、エチルフェニル、ｎ−又はｉ−プロピルフェニル、ブチルフェニル、ペンチルフェニル、ヘキシルフェニル、ヘプチルフェニル、オクチルフェニル、ノニルフェニル、デシルフェニル、ウンデシルフェニル、ドデシルフェニル、エイコシルフェニル、ジメチルフェニル、メチルナフチル、エチルナフチル、ｎ−又はｉ−プロピルナフチル、ブチルナフチル、ペンチルナフチル、ヘキシルナフチル、ヘプチルナフチル、オクチルナフチル、ノニルナフチル、デシルナフチル、ウンデシルナフチル、ドデシルナフチル、エイコシルナフチルなどが挙げられる。

疎水基（Ｙ）のうち、脂肪族炭化水素基および芳香環含有炭化水素基が好ましく、さらに好ましくは、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、オクチルフェニル、ノニルフェニル、ドデシルフェニル、オクチルナフチル、ノニルナフチル、ドデシルナフチル、特に好ましくはオクチル、ノニル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、オクチルフェニル、ドデシルフェニル、オクチルナフチルである。

疎水基（Ｙ）の炭素数は、１〜３６であり、さらに好ましくは４〜２４、特に好ましくは８〜２４である。これらの疎水基は、水素原子の一部又は全部が他の原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子など）または官能基（水酸基、アミノ基、メルカプト基、パーフルオロアルキル基、カルボキシル基や、エーテル結合、アミド結合、又はエステル結合を含む有機基など）で置換されていてもよく、またこの官能基には１個以上のオキシアルキレン基を含んでもよい。

酸性化合物（Ａ１）としては、以下の化合物等が含まれる。
スルホン酸基を有する化合物（Ａ１−１）
アルキルスルホン酸（オクチルスルホン酸、デシルスルホン酸、ドデシルスルホン酸、ミリスチルスルホン酸、セチルスルホン酸、ステアリルスルホン酸など）、ベンゼンスルホン酸、
アルキルベンゼンスルホン酸（トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、エイコシルベンゼンスルホン酸など）、
ナフタレンスルホン酸、
アルキルナフタレンスルホン酸（メチルナフタレンスルホン酸、ドデシルナフタレンスルホン酸、エイコシルナフタレンスルホン酸など）、
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸（ポリオキシエチレンオクチルエーテルスルホン酸、ポリオキシエチレンラウリルエーテルスルホン酸など）
ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテルスルホン酸（ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテルスルホン酸、ポリオキシエチレンラウリルフェニルエーテルスルホン酸など）、
スルホコハク酸（（ジ）オクチルスルホコハク酸、（ジ）ラウリルスルホコハク酸、（ジ）オクチルポリオキシエチレンスルホコハク酸、（ジ）ラウリルポリオキシエチレンスルホコハク酸、（ジ）アミルスルホコハク酸、（ジ）２−エチルヘキシルスルホコハク酸など）、
α−オレフィンスルホン酸（１−オクテンのスルホン化物、１−ノネンのスルホン化物、１−デセンのスルホン化物、１−ドデセンのスルホン化物、１−テトラデセンのスルホン化物、１−ペンタデセンのスルホン化物、１−ヘキサデセンのスルホン化物、１−オクタデセンのスルホン化物など）、
アルキルジフェニルエーテルスルホン酸（メチルジフェニルエーテル（ジ）スルホン酸、ドデシルジフェニルエーテル（ジ）スルホン酸など）、
アルキロイルアミノエチルスルホン酸（オクチロイル−Ｎ−メチルアミノエチルスルホン酸、ラウリロイル−Ｎ−メチルアミノエチルスルホン酸）、
脂肪酸エチルエステルスルホン酸（オクチル酸エチルエステルスルホン酸、ラウリン酸エチルエステルスルホン酸など）等。

硫酸基を有する化合物（Ａ１−２）
アルキル硫酸エステル（オクチル硫酸エステル、デシル硫酸エステル、ドデシル硫酸エステル、ミリスチル硫酸エステル、セチル硫酸エステル、ステアリル硫酸エステルなど）、
ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル（ポリオキシエチレンオクチルエーテル硫酸エステル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸エステルなど）、
ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテル硫酸エステル（ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル硫酸エステル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫酸エステルなど）、
アシルアミドアルキル硫酸エステル（オクチロイルアミドエチル硫酸エステル、ラウリロイルアミドエチル硫酸エステルなど）、
アシルアミドポリオキシアルキレン硫酸エステル（オクチロイルアミドポリオキシエチレン硫酸エステル、ラウリロイルアミドポリオキシエチレン硫酸エステルなど）等。

リン酸基を有する化合物（Ａ１−３）
（ジ）アルキルリン酸エステル（（ジ）オクチルリン酸エステル、（ジ）デシルリン酸エステル、（ジ）ドデシルリン酸エステル、（ジ）ミリスチルリン酸エステル、（ジ）セチルリン酸エステル、（ジ）ステアリルリン酸エステルなど）、
（ジ）ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル（（ジ）ポリオキシエチレンオクチルエーテルリン酸エステル、（ジ）ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸エステルなど）、
ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテルリン酸エステル（ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテルリン酸エステル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルリン酸エステルなど）等。

ホスホン酸基を有する化合物（Ａ１−４）
アルキルホスホン酸（オクチルホスホン酸、デシルホスホン酸、ドデシルホスホン酸、ミリスチルホスホン酸、セチルホスホン酸、ステアリルホスホン酸など）、
アルキルベンゼンホスホン酸（トルエンホスホン酸、キシレンホスホン酸、ドデシルベンゼンホスホン酸、エイコシルベンゼンホスホン酸など）、
アルキルナフタレンホスホン酸（メチルナフタレンホスホン酸、ドデシルナフタレンホスホン酸、エイコシルナフタレンホスホン酸など）、
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルホスホン酸（ポリオキシエチレンオクチルエーテルホスホン酸、ポリオキシエチレンラウリルエーテルホスホン酸など）、
ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテルホスホン酸（ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテルホスホン酸、ポリオキシエチレンラウリルフェニルエーテルホスホン酸など）、
アルキルジフェニルエーテルホスホン酸（メチルジフェニルエーテル（ジ）ホスホン酸、ドデシルジフェニルエーテル（ジ）ホスホン酸など）等。

カルボキシメチルオキシ基を有する化合物（Ａ１−５）
高級アルコールのカルボキシメチル化物（オクチルカルボキシメチルエーテル、ラウリルカルボキシメチルエーテルなど）、
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルのカルボキシメチル化物（ポリオキシエチレンオクチルエーテルのカルボキシメチル化物、ポリオキシエチレンノニルエーテルのカルボキシメチル化物、ポリオキシエチレンデシルエーテルのカルボキシメチル化物、ポリオキシエチレンドデシルエーテルのカルボキシメチル化物、ポリオキシエチレンミリスチルエーテルのカルボキシメチル化物、ポリオキシエチレンステアリルエーテルのカルボキシメチル化物、ポリオキシエチレンオレイルエーテルのカルボキシメチル化物など）等。

カルボキシエチルオキシ基を有する化合物（Ａ１−６）
高級アルコールのカルボキシエチル化物（オクチルカルボキシエチルエーテル、ラウリルカルボキシエチルエーテルなど）、
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルのカルボキシエチル化物（ポリオキシエチレンオクチルエーテルのカルボキシエチル化物、ポリオキシエチレンノニルエーテルのカルボキシエチル化物、ポリオキシエチレンデシルエーテルのカルボキシエチル化物、ポリオキシエチレンドデシルエーテルのカルボキシエチル化物、ポリオキシエチレンミリスチルエーテルのカルボキシエチル化物、ポリオキシエチレンステアリルエーテルのカルボキシエチル化物、ポリオキシエチレンオレイルエーテルのカルボキシエチル化物など）等。

（ジ）カルボキシメチルアミノ基を有する化合物（Ａ１−７）
アルキルアミノ（ジ）酢酸（オクチルアミノ（ジ）酢酸、ラウリルアミノ（ジ）酢酸など）、アルキロイルアミノ（ジ）酢酸（ラウロイル−Ｎ−メチルアミノ酢酸など）等。

（ジ）カルボキシエチルアミノ基を有する化合物（Ａ１−８）
アルキルアミノ（ジ）プロピオン酸（オクチルアミノ（ジ）プロピオン酸、ラウリルアミノ（ジ）プロピオン酸など）、アルキロイルアミノ（ジ）プロピオン酸（ラウロイル−Ｎ−メチルアミノ（ジ）プロピオン酸など）等。

式（１）で表される基を有する化合物（Ａ１−９）
２−フルオロオクタン酸、２−クロロオクタン酸、２，２−ジクロロオクタン酸、２−フルオロラウリン酸、２−クロロラウリン酸、２，２−ジクロロラウリン酸、２−シアノオクタン酸、２−シアノラウリン酸など

式（２）で表される基を有する化合物（Ａ１−１０）
４−オクチル−２−フルオロ安息香酸、４−ドデシル−２−フルオロ安息香酸、４−オクチル−２−シアノ安息香酸、４−ドデシル−２−シアノ安息香酸、２−オクチル−４−フルオロ安息香酸など

これらのうち、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、スルホコハク酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸、ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテルスルホン酸、α−オレフィンスルホン酸、アルキロイルアミノエチルスルホン酸、アルキル硫酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテル硫酸エステル、アシルアミドアルキル硫酸エステル、（ジ）アルキルリン酸エステル、（ジ）ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテルリン酸エステル、アルキルホスホン酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルのカルボキシメチル化物が好ましく、さらに好ましくはアルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、スルホコハク酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸、ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテルスルホン酸、α−オレフィンスルホン酸、アルキロイルアミノエチルスルホン酸、アルキル硫酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテル硫酸エステル、アシルアミドアルキル硫酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルのカルボキシメチル化物、特に好ましくはアルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、スルホコハク酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸、ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテルスルホン酸、α−オレフィンスルホン酸、アルキロイルアミノエチルスルホン酸である。
酸性化合物（Ａ１）は、単独で用いてもよく、２種以上の混合物として用いてもよい。

酸性化合物（Ａ１）のＨＬＢ値は、５〜３０が好ましく、さらに好ましくは７〜１７、より好ましくは９〜１６、特に好ましくは１０〜１５、最も好ましくは１０．５〜１４．５である。
なお、本発明において、ＨＬＢ値は、小田法により、式（１８）を用いて算出される値である（藤本武彦著、新・界面活性剤入門（三洋化成工業株式会社）、ｐ１９７）。

ＨＬＢ＝１０×（無機性／有機性） （１８）
なお、式中の有機性、無機性とは、分子を構成する原子及び官能基ごとに定められた数値の合計値であり、上記文献中に記載された値を用いることができる。

酸性化合物（Ａ１）のｐＫａは、８．０以下が好ましく、ゼータ電位を下げるという観点等から、さらに好ましくは７．０以下、特に好ましくは５．５以下、最も好ましくは３．０以下である。また、好ましくは０．５以上である。ここでｐＫａとは一段階目の酸解離定数を意味する。なお、ｐＫａは、公知の方法｛例えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１６７３（１９６７）｝等により得られる。

酸基（Ｘ２）を少なくとも１つ有するポリマー（Ａ２）としては、パーティクルの再付着防止性の観点等から、スルホン酸基を有するポリマー（Ａ２−１）、硫酸基を有するポリマー（Ａ２−２）、リン酸基を有するポリマー（Ａ２−３）、ホスホン酸基を有するポリマー（Ａ２−４）及びカルボキシル基を有するポリマー（Ａ２−５）が好ましく、さらに好ましくはスルホン酸基を有するポリマー（Ａ２−１）及びカルボキシル基を有するポリマー（Ａ２−５）、特に好ましくはスルホン酸基を有するポリマー（Ａ２−１）である。

スルホン酸基を有するポリマー（Ａ２−１）としては、スルホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−１）を用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ａ２−１−１）、ポリマー反応によりスルホン酸基を導入して得られるポリマー（Ａ２−１−２）、分子内にスルホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−１）を用いてホルムアルデヒドとの重縮合反応によって得られるポリマー（Ａ２−１−３）などが挙げられる。

硫酸基を有するポリマー（Ａ２−２）としては、硫酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−２）を用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ａ２−２−１）、ポリマー反応により硫酸基を導入して得られるポリマー（Ａ２−２−２）などが挙げられる。

リン酸基を有するポリマー（Ａ２−３）としては、リン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−３）を用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ａ２−３−１）、ポリマー反応によりリン酸基を導入して得られるポリマー（Ａ２−３−２）などが挙げられる。

ホスホン酸基を有するポリマー（Ａ２−４）としては、ホスホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−４）を用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ａ２−４−１）、ポリマー反応によりホスホン酸基を導入して得られるポリマー（Ａ２−４−２）、分子内にホスホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−４）を用いてホルムアルデヒドとの重縮合反応によって得られるポリマー（Ａ２−４−３）などが挙げられる。

カルボキシル基を有するポリマー（Ａ２−５）としては、カルボキシル基を有する不飽和モノマー（ａＸ−５）を用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ａ２−５−１）、ポリマー反応によりカルボキシル基を導入して得られるポリマー（Ａ２−５−２）、分子内にカルボキシル基を有する芳香族化合物（ａＹ−５）とホルムアルデヒドとの重縮合反応によって得られるポリマー（Ａ２−５−３）などが挙げられる。

ポリマー（Ａ２）の内で、パーティクル再付着防止性の観点等から、スルホン酸基を有するポリマー（Ａ２−１）が好ましく、さらに好ましくは（Ａ２−１−１）、（Ａ２−１−２）及び、（Ａ２−１−３）、特に好ましくは（Ａ２−１−２）及び、（Ａ２−１−３）である。
本発明に用いるポリマー（Ａ２）は、単独で用いても良いが、２種以上の混合物として用いることもできる。

スルホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−１）としては、炭素数２〜２０の脂肪族不飽和スルホン酸（ビニルスルホン酸、（メタ）アリルスルホン酸など）、炭素数６〜２４の芳香族不飽和スルホン酸（スチレンスルホン酸、ｐ−ノニルスチレンスルホン酸など）、スルホン酸基含有（メタ）アクリレート｛２−（メタ）アクリロイルオキシエタンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルオキシプロパンスルホン酸、３−（メタ）アクリロイルオキシプロパンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルオキシブタンスルホン酸、４−（メタ）アクリロイルオキシブタンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルオキシ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸、ｐ−（メタ）アクリロイルオキシメチルベンゼンスルホン酸など｝、スルホン酸基含有（メタ）アクリルアミド｛２−（メタ）アクリロイルアミノエタンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルアミノプロパンスルホン酸、３−（メタ）アクリロイルアミノプロパンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルアミノブタンスルホン酸、４−（メタ）アクリロイルアミノブタンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸、ｐ−（メタ）アクリロイルアミノメチルベンゼンスルホン酸など｝、アルキル（炭素数１〜２０）（メタ）アリルスルホコハク酸エステル｛メチル（メタ）アリルスルホコハク酸エステル、ラウリル（メタ）アリルスルホコハク酸エステル、エイコシル（メタ）アリルスルホコハク酸エステルなど｝などが挙げられる。
これらの内、重合性および水中における耐加水分解性の観点等から、炭素数２〜２０の脂肪族不飽和スルホン酸及びスルホン酸基含有（メタ）アクリルアミドが好ましく、さらに好ましくはビニルスルホン酸、スチレンスルホン酸及び２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸である。

硫酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−２）としては、後述の水酸基含有モノマー（ａＺ２）の硫酸エステルなどが挙げられる。
これらの内、重合性の観点等から、水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル（ａＺ２−１）の硫酸エステルが好ましく、さらに好ましくは２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートまたは２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートの硫酸エステルである。

リン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−３）としては、後述の水酸基含有モノマー（ａＺ２）のリン酸エステルなどが挙げられる。
これらの内、重合性の観点等から、水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル（ａＺ２−１）のリン酸エステルが好ましく、さらに好ましくは２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートまたは２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートのリン酸エステルである。

ホスホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−４）としては、（メタ）アクリロイルオキシアルキル（炭素数１〜２０）ホスフェート｛（メタ）アクリロイルオキシメチルホスフェート、（メタ）アクリロイルオキシエチルホスフェート、（メタ）アクリロイルオキシラウリルホスフェート、（メタ）アクリロイルオキシエイコシルホスフェートなど｝などが挙げられる。
これらの内、重合性の観点等から、（メタ）アクリロイルオキシエチルホスフェートが好ましい。

カルボキシル基を有する不飽和モノマー（ａＸ−５）としては、不飽和モノカルボン酸｛（メタ）アクリル酸、ビニル安息香酸、アリル酢酸、（イソ）クロトン酸、シンナミック酸およびアクリル酸２−カルボキシエチルなど｝、不飽和ジカルボン酸およびそれらの無水物｛（無水）マレイン酸、フマル酸、（無水）イタコン酸、（無水）シトラコン酸、メサコン酸など｝、不飽和ジカルボン酸のモノアルキル（アルキルの炭素数１〜２０）エステル｛モノメチルマレート、モノエチルマレート、モノラウリルマレート、モノエイコシルマレート、モノメチルフマレート、モノエチルフマレート、モノラウリルフマレート、モノエイコシルフマレート、モノメチルイタコネート、モノエチルイタコネート、モノラウリルイタコネートおよびモノエイコシルイタコネートなど｝などが挙げられる。
これらの内、重合性および水中における耐加水分解性の観点等から、不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸およびそれらの無水物が好ましく、さらに好ましくは（メタ）アクリル酸、（無水）マレイン酸、フマル酸及び（無水）イタコン酸である。

不飽和モノマーを用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ａ２−１−１）〜（Ａ２−５−１）には、スルホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−１）、硫酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−２）、リン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−３）、ホスホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−４）、カルボキシル基を有する不飽和モノマー（ａＸ−５）以外に、その他のラジカル重合性不飽和モノマー（ａＺ）を共重合させることができる。

その他のラジカル重合性不飽和モノマー（ａＺ）としては、以下のもの等が挙げられる。
（ａＺ１）；炭素数１〜３６の直鎖または分岐アルキル（メタ）アクリレート
［メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、２−メチルウンデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、オクタデシル（メタ）アクリレート、ｎ−エイコシルメタクリレート、テトラコシル（メタ）アクリレート、２−メチル−ノナデシルメタクリレート、２−ノニル−テトラコシルメタクリレートなど］。

（ａＺ２）；水酸基含有モノマー
（ａＺ２−１）；水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル
（ａＺ２−１−１）；一般式（１３）で示される（メタ）アクリレート；
ＣＨ_２＝Ｃ（Ｒ^６）−ＣＯＯ−（ＡＯ）_ｘ−Ｈ （１３）

式中、Ｒ^６は水素原子またはメチル基、ＡＯは炭素数２〜４のオキシアルキレン基であり、ｘは１〜２０（好ましくは１）の整数である。
（ａＺ２−１−１）としては、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエトキシエチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシアルキル（炭素数２〜４）（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
（ａＺ２−１−２）３〜８個の水酸基を含有する多価アルコールの（メタ）アクリレート；後述の多価アルコール（Ｅ）の（メタ）アクリレート［例えば、グリセリンモノ−又はジ−（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンモノ−又はジ−（メタ）アクリレート、蔗糖（メタ）アクリレートなど］、

（ａＺ２−２）炭素数２〜１２のアルケノール［ビニルアルコール（酢酸ビニル単位の加水分解により形成される）、炭素数３〜１２のアルケノール｛（メタ）アリルアルコール、（イソ）プロペニルアルコール、クロチルアルコール、１−ブテン−３−オール、１−ブテン−４−オール、１−オクテノール、１−ウンデセノールおよび１−ドデセノールなど｝など］、

（ａＺ２−３）炭素数４〜１２のアルケンジオール［２−ブテン−１，４−ジオールなど］、

（ａＺ２−４）炭素数３〜１２のアルケニル基を有する水酸基含有アルケニルエーテル［ヒドロキシアルキル（炭素数１〜６）アルケニル（炭素数３〜１２）エーテル｛例えば２−ヒドロキシエチルプロペニルエーテルなど｝、多価アルコール（Ｅ）のアルケニル（炭素数３〜１２）エーテル｛例えば、トリメチロールプロパンモノ−およびジ−（メタ）アリルエーテル、蔗糖（メタ）アリルエーテルなど｝など］、

（ａＺ２−５）水酸基含有芳香族モノマー［ｏ−、ｍ−またはｐ−ヒドロキシスチレンなど］、

（ａＺ２−６）モノマー（ａＺ２−１）〜（ａＺ２−５）の（ポリ）オキシアルキレンエーテル［例えば、（ａＺ２−１）〜（ａＺ２−５）の水酸基のうちの少なくとも１個が−Ｏ−（ＡＯ）_ｙ−ＡＯ−Ｈで置換されたモノマー｛但し、ＡＯは一般式（１３）と同じ。ｙは０または１〜２０の整数。｝など］。

（ａＺ３）；アミド基含有モノマー
（ａＺ３−１）；下記一般式（１４）で示される（メタ）アクリルアミド
ＣＨ_２＝Ｃ（Ｒ^６）−ＣＯ−Ｎ（Ｒ’）−Ｒ” （１４）

式中、Ｒ^６は一般式（１３）と同じ、Ｒ’およびＲ”はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜４のアルキル基および炭素数１〜４のヒドロキシアルキル基から選ばれる基である。
（ａＺ３−１）としては、非置換又はアルキル置換のアクリルアミド［アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−モノ−アルキル（炭素数１〜４）およびＮ，Ｎ−ジ−アルキル（炭素数１〜４）−（メタ）アクリルアミド｛（ジ）メチル、（ジ）エチル、（ジ）ｉ−プロピル、（ジ）ｎ−ブチル又は（ジ）ｉ−ブチルでアミノ基の水素原子が置換された（メタ）アクリルアミドなど｝など］、ヒドロキシアルキル置換アクリルアミド［Ｎ−モノ−ヒドロキシアルキル（炭素数１〜４）又はＮ，Ｎ−ジ−ヒドロキシアルキル（炭素数１〜４）でアミノ基の水素原子が置換された（メタ）アクリルアミド｛Ｎ−ヒドロキシメチル、Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシメチル、Ｎ，Ｎ−ジ−２−ヒドロキシエチル、Ｎ，Ｎ−ジ−４−ヒドロキシブチルでアミノ基の水素原子が置換された（メタ）アクリルアミドなど｝など］などが挙げられる。

（ａＺ３−２）；Ｎ−ビニルカルボン酸アミド［Ｎ−ビニルカルボン酸アミド｛Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ−ビニルｎ−又はｉ−プロピオンアミド並びにＮ−ビニルヒドロキシアセトアミドなど｝、Ｎ−ビニルラクタム｛Ｎ−ビニルピロリドンなど｝など］。

（ａＺ４）；（ａＺ３）以外の窒素原子含有不飽和モノマー
（ａＺ４−１）；少なくとも１個の１級、２級又は３級のアミノ基を含むアミノ基含有モノマー、
（ａＺ４−１−１）アミノ基含有脂肪族モノマー、
（ａＺ４−１−１−１）一般式Ｄ−ＮＨＤ^１で示されるモノ−およびジ−アルケニルアミン（但し、式中Ｄ^１は水素原子またはＤを表し、Ｄは炭素数２〜１０、好ましくは炭素数３〜６のアルケニル基を表す）［例えば（ジ）（メタ）アリルアミン、（イソ）クロチルアミンなど］、
（ａＺ４−１−１−２）アミノ基含有アクリルモノマー〔アミノ基含有（メタ）アクリレート［モノ−アルキル（炭素数１〜４）アミノアルキル（炭素数２〜６）（メタ）アクリレート｛アミノエチル、アミノプロピル、メチルアミノエチル、エチルアミノエチル、ブチルアミノエチル又はメチルアミノプロピルの（メタ）アクリレートなど｝、ジ−アルキル（炭素数１〜４）アミノアルキル（炭素数２〜６）（メタ）アクリレート｛ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジブチルアミノエチル（メタ）アクリレートなど｝など］、およびこれらの（メタ）アクリレートに対応するアミノ基含有（メタ）アクリルアミドなど〕、
（ａＺ４−１−２）アミノ基含有複素環式モノマー〔アミノ基含有複素環式アクリルモノマー［モルホリノ−アルキル（炭素数２〜４）（メタ）アクリレート｛モルホリノエチル（メタ）アクリレートなど｝など］、ビニル置換複素環式アミン［ビニルピリジン｛４−又は２−ビニルピリジンなど｝など］、Ｎ−ビニルピロール、Ｎ−ビニルピロリジンなど〕、
（ａＺ４−１−３）アミノ基含有芳香族モノマー［アミノスチレン｛アミノスチレン、（ジ）メチルアミノスチレンなど｝など］、
（ａＺ４−１−４）（ａＺ４−１−１）〜（ａＺ４−１−３）の塩［塩酸塩、硫酸塩、リン酸塩、硝酸塩又は炭素数１〜８のカルボン酸塩］、

（ａＺ４−２）第４級アンモニウム塩基含有モノマー［（ａＺ４−１−１）〜（ａＺ４−１−３）の４級化によって得られる第４級アンモニウム塩など］
４級化剤としては、アルキル（炭素数１〜８）ハロゲン化物（メチルクロライドなど）、ベンジルハライド（塩化ベンジルなど）、ジアルキル（炭素数１〜２）サルフェート（ジメチルサルフェート、ジエチルサルフェートなど）、ジアルキル（炭素数１〜２）カーボネート（ジメチルカーボネートなど）などが使用できる。
また、（ａＺ４−２）には、１種または２種以上のアルキレン（炭素数２〜４）オキサイド（エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド等）で（ａＺ４−１−４）を４級化することにより得られる第４級アンモニウム塩も含まれる。

（ａＺ４−３）ニトリル（シアノ基）またはニトロ基を含有するモノマー［（メタ）アクリロニトリル、ニトロスチレンなど］。

（ａＺ５）；炭素数２〜３６の不飽和炭化水素、
（ａＺ５−１）；炭素数２〜３６の不飽和脂肪族炭化水素［炭素数２〜３６のアルケン｛エチレン、プロピレン、イソブテン、ブテン、ペンテン、ヘプテン、ジイソブチレン、オクテン、ドデセン、オクタデセンなど｝、炭素数４〜１２のアルカジエン｛ブタジエン、イソプレン、１，４−ペンタジエン、１，６−ヘプタジエン、１，７−オクタジエンなど｝など］、

（ａＺ５−２）；炭素数５〜２４の不飽和脂環式炭化水素［シクロアルケン（シクロヘキセンなど）、ジシクロアルカジエン（シクロペンタジエン、ジシクロペンタジエンなど）、環式テルペン（ピネン、リモネンなど）、ビニル（ジ）シクロアルケン（ビニルシクロヘキセンなど）、エチリデン（ジ）シクロアルケン（エチリデンビシクロヘプテン、エチリデンノルボルネンなど）、芳香環含有シクロアルケン（インデンなど）など］、

（ａＺ５−３）；不飽和芳香族炭化水素［スチレンおよびその誘導体｛炭素数１〜２０の炭化水素（アルキル、アリル等）で置換されたスチレン（α−メチルスチレン、ビニルトルエン、２，４−ジメチルスチレン、４−エチルスチレン、４−イソプロピルスチレン、４−ブチルスチレン、４−フェニルスチレン、４−シクロヘキシルスチレン、４−ベンジルスチレン、４−クロチルベンゼンなど）など｝、多環芳香族モノビニルモノマー（４−ビニルビフェニル、３−ビニルビフェニル、２−ビニルビフェニル、１−または２−ビニルナフタレン、１−または２−ビニルアントラセンなど）など］。

（ａＺ６）；エポキシ基含有不飽和モノマー［エポキシ基含有アクリルモノマー｛グリシジル（メタ）アクリレートなど｝およびエポキシ基含有アルケニル（炭素数２〜１０、好ましくは炭素数３〜６）エーテル｛グリシジル（メタ）アリルエーテルなど｝など］。

（ａＺ７）；ハロゲン原子含有不飽和モノマー［ビニルまたはビニリデンハロゲン化物（塩化ビニル、臭化ビニル、塩化ビニリデンなど）、アルケニル（炭素数３〜６）ハロゲン化物｛塩化（メタ）アリルなど｝、ハロゲン置換スチレン｛（ジ）クロロスチレンなど｝など］。

（ａＺ８）；アルキルアルケニルエーテル［アルキル（炭素数１〜１０）アルケニル（炭素数２〜１０）エーテル｛アルキルビニルエーテル（メチルビニルエーテル、ｎ−プロピルビニルエーテル、エチルビニルエーテルなど）並びにアルキル（メタ）アリルエーテル（メチルアリルエーテル、エチルアリルエーテルなど）、アルキル（イソ）プロペニルエーテルなど（メチルプロペニルエーテル、エチルイソプロペニルエーテルなど）｝など］。

（ａＺ９）；アルケニルカルボキシレート［酸酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、ヘキサン酸ビニル、ヘプタン酸ビニル、２−エチルヘキサン酸ビニル、ｎ−オクタン酸ビニルなど］。

（ａＺ１０）；不飽和ジカルボン酸ジアルキルエステル［不飽和ジカルボン酸（マレイン酸、フマル酸、イタコン酸およびシトラコン酸など）のジアルキルエステル、ジシクロアルキルエステル又はジアラルキルエステル｛炭素数１〜４０、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基；ジメチル、ジエチル又はジオクチルのマレート、フマレート又はイタコネートなど｝など］。

モノマー（ａＸ−１）〜（ａＸ−５）、または必要により用いるモノマー（ａＺ）は、それぞれ、単独で用いてもよいし、２種以上の混合物として用いてもよい。共重合体の場合は、ランダム共重合体、ブロック共重合体のいずれの構造であってもよい。
モノマー（ａＺ）を用いる場合、（ａＸ−１）、（ａＸ−２）、（ａＸ−３）、（ａＸ−４）又は（ａＸ−５）と（ａＺ）とのモル比｛（ａＸ−１）、（ａＸ−２）、（ａＸ−３）、（ａＸ−４）又は（ａＸ−５）／（ａＺ）｝は、１〜９９／９９〜１が好ましく、さらに好ましくは１０〜９０／９０〜１０、特に好ましくは２０〜８５／８０〜１５、最も好ましくは３０〜８０／７０〜２０である。

ポリマー（Ａ２−１−１）の具体例としては、ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ｛２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸｝、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体などが挙げられる。

ポリマー（Ａ２−２−１）の具体例としては、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート硫酸エステル共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート硫酸エステル共重合体などが挙げられる。

ポリマー（Ａ２−３−１）の具体例としては、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレートリン酸エステル共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレートリン酸エステル共重合体などが挙げられる。

ポリマー（Ａ２−４−１）の具体例としては、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシエチルホスフェート｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／アクリロイルオキシエチルホスフェート共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート／メタクリロイルオキシエチルホスフェート共重合体などが挙げられる。

ポリマー（Ａ２−５−１）の具体例としては、ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体などが挙げられる。

不飽和モノマーを用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ａ２−１―１）〜（Ａ２−５−１）の合成方法としては、公知のラジカル重合法が利用できる。例えば、モノマー（ａＸ−１）〜（ａＸ−５）と必要によりその他のラジカル重合性不飽和モノマー（ａＺ）からなるモノマーと、ラジカル開始剤（過硫酸塩、アゾビスアミジノプロパン塩、アゾビスイソブチルニトリルなど）を、モノマーに対して０．１〜３０重量％用い、水またはアルコール系溶剤などの溶媒中で３０〜１５０℃の温度にて重合する。必要であれば、メルカプタンなどの連鎖移動剤を用いてもよい。

ポリマー反応によりスルホン酸基を導入して得られるポリマー（Ａ２−１−２）としては、不飽和結合を有するポリマー（Ａ２−１−２−１）のスルホン化物等が含まれる。
不飽和結合を有するポリマー（Ａ２−１−２−１）としては、ブタジエン、イソプレン、水酸基含有芳香族モノマー（ａＺ２−５）、アミノ基含有芳香族モノマー（ａＺ４−１−３）または不飽和芳香族炭化水素（ａＺ５−３）を用いて、ラジカル重合法により得られるポリマー等が含まれる。この時、これらのブタジエン、イソプレン、モノマー（ａＺ２−５）、（ａＺ４−１−３）及び（ａＺ５−３）は単独で用いても、２種以上の混合物として用いてもよい。また、これらのモノマーに加えて、その他のラジカル重合性不飽和モノマー（ａＺ）のうち、ブタジエン、イソプレン、（ａＺ２−５）、（ａＺ４−１−３）及び（ａＺ５−３）以外のモノマーを共重合させてもよい。共重合体の場合、ランダム共重合体、ブロック共重合体のいずれであってもよい。
ポリマー（Ａ２−１−２）の具体例としては、ポリスチレンのスルホン化物、イソプレン／スチレン共重合体のスルホン化物などが挙げられる。

ポリマー（Ａ２−１−２）の構成モノマー単位当たりのスルホン化率（モル％）は、水への溶解性の観点等から、５０〜１００が好ましく、さらに好ましくは８０〜９９である。なお、スルホン化率は、ポリマー（Ａ２−１−２）中の構成モノマー単位当たり、いくつのスルホン酸基が導入されたかを表す指標であり、例えば、ポリスチレンのスルホン化物の場合、スルホン化率が１００％とは、ポリスチレン中の全ての芳香族環に対して１つのスルホン酸基が導入されたことを意味する。スルホン化率は、公知の方法によって求めることができ、例えば元素分析により炭素原子と硫黄原子との比率を測定する方法や、結合硫酸量（ＪＩＳ Ｋ３３６２：１９９８のアニオン界面活性剤の定量：対応ＩＳＯ ２２７１）を測定する方法により求められる。

ポリマー反応により硫酸基を導入して得られるポリマー（Ａ２−２−２）としては、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）の硫酸エステル化物等が含まれる。
水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）としては、水酸基含有モノマー（ａＺ２）を用いてラジカル重合法により得られるポリマー、後述する（Ｅ２）脂肪族多価アルコールの脱水縮合物、（Ｅ４）多糖類およびその誘導体、（Ｅ７）ノボラック樹脂及び（Ｅ８）ポリフェノールから選ばれる高分子多価アルコール等が含まれる。

水酸基含有モノマー（ａＺ２）は単独で用いても、２種以上の混合物として用いてもよい。また、（ａＺ２）に加えて、その他のラジカル重合性不飽和モノマー（ａＺ）のうち、（ａＺ２）以外のモノマーを共重合させてもよい。共重合体の場合、ランダム共重合体、ブロック共重合体のいずれの構造であってもよい。

ポリマー（Ａ２−２−２）の具体例としては、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝の硫酸エステル化物、セルロース、メチルセルロースまたはエチルセルロースの硫酸エステル化物などが挙げられる。

硫酸エステル化率（モル％）は、水への溶解性の観点等から、５０〜１００が好ましく、さらに好ましくは８０〜９９である。
なお、硫酸エステル化率（モル％）は、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）の水酸基の量（モル数）と、得られるポリマー（Ａ２−２−２）の硫酸基の量（モル数）との比で表すことができる。
水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）の水酸基の量は、ＪＩＳ Ｋ００７０−１９９２の水酸基価測定法記載の方法により求めることができ、また、硫酸基の量は、スルホン化率の場合と同様に求められる。

ポリマー反応によりリン酸基を導入して得られるポリマー（Ａ２−３−２）としては、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）のリン酸エステル化物等が含まれる。
ポリマー（Ａ２−３−２）の具体例としては、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のリン酸エステル化物、セルロース、メチルセルロースまたはエチルセルロースのリン酸エステル化物などが挙げられる。

ポリマー（Ａ２−３−２）中のリン酸エステル化率（モル％）は、水への溶解性の観点等から、３０〜１００が好ましく、さらに好ましくは５０〜９０である。
なお、リンエステル化率（モル％）は、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）の水酸基の量（モル数）と、得られるポリマー（Ａ２−３−２）のリン酸基の量（モル数）との比で表すことができる。
得られるポリマー（Ａ２−３−２）のリン酸基の量は、元素分析による炭素原子とリン原子との比率により算出できる。なお、得られるリン酸エステルは、モノエステルまたはジエステルのいずれでもよい。モノエステル及びジエステルが含まれる場合、モノエステル（ｍ）とジエステル（ｄ）とのモル比（ｄ／ｍ）は、５〜５０／５０〜９５が好ましく、さらに好ましくは１０〜３０／７０〜９０である。このモル比は、^３１Ｐ−ＮＭＲの積分比を用いて決定できる。

ポリマー反応によりホスホン酸基を導入して得られるポリマー（Ａ２−４−２）としては、不飽和結合を有するポリマー（Ａ２−１−２−１）のホスホン化物等が含まれる。
ポリマー（Ａ２−４−２）具体例としては、ポリスチレンのホスホン化物などが挙げられる。

ポリマー（Ａ２−４−２）中のホスホン化率（モル％）は、水への溶解性の観点等から、５０〜１００が好ましく、さらに好ましくは８０〜９９である。
なお、ホスホン化率は、ポリマー（Ａ２−４−２）中の構成モノマー単位当たり、いくつのホスホン酸基が導入されたかを表す指標であり、例えば、ポリスチレンのホスホン化物の場合、ホスホン化率が１００％とは、ポリスチレン中の全ての芳香族環に対して１つのホスホン酸基が導入されたことを意味する。ホスホン化率は、公知の方法によって求めることができ、元素分析により炭素原子とリン原子との比率を測定する方法等が適用できる。

ポリマー反応によりカルボキシル基を導入して得られるポリマー（Ａ２−５−２）としては、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）のカルボキシメチル化物等が含まれる。

ポリマー（Ａ２−５−２）の具体例としては、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロースなどが挙げられる。

ポリマー（Ａ２−５−２）中の全水酸基含量に対するカルボキシメチル化率（モル％）は、水への溶解性の観点等から、１０〜１００が好ましく、さらに好ましくは２０〜７０である。
なお、カルボキシメチル化率（モル％）は、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）の水酸基の量（モル数）と、得られるポリマー（Ａ２−５−２）のカルボキシル基の量（モル数）との比で表すことができる。
カルボキシル基の量は、ＪＩＳ Ｋ００７０−１９９２酸価の測定法に準拠して求められる。

ポリマー（Ａ２−１−２）の合成方法としては、水酸基含有芳香族モノマー（ａＺ２−５）、アミノ基含有芳香族モノマー（ａＺ４−１−３）または不飽和芳香族炭化水素（ａＺ５−３）、及び必要によりその他のラジカル重合性不飽和モノマー（ａＺ）を用いて、ポリマー（Ａ２−１―１）〜（Ａ２−５−１）と同様なラジカル重合法により不飽和結合を有するポリマー（Ａ２−１−２−１）を得た後、公知のスルホン化反応により得る方法等が適用できる。
スルホン化反応法としては、例えば、反応溶剤（例えば、１，２―ジクロロエタン、メチレンジクロリド、塩化エチル、四塩化炭素、１，１―ジクロルエタン、１，１，２，３−テトラクロルエタン、クロロホルム、エチレンジブロミドなどのスルホン化に不活性な溶剤）、スルホン化剤（例えば、無水硫酸、クロルスルホン酸など）を仕込んだ後、０〜５０℃で反応させ、必要により溶剤をろ過、留去させることによりスルホン化物を得ることができる。この時のスルホン化剤の使用量（モル比）は、水酸基含有芳香族モノマー（ａＺ２−５）、アミノ基含有芳香族モノマー（ａＺ４−１−３）及び不飽和芳香族炭化水素（ａＺ５−３）のモル数に基づいて、０．５〜３が好ましく、さらに好ましくは１〜２．５である。溶剤の使用量（重量％）は、該ポリマーの分子量にもよるが、原料ポリマーに対して通常１〜３０、好ましくは、２〜２０である。
反応後のポリマー溶液に、窒素含有塩基性化合物（Ｂ）または（Ｂ）の水溶液若しくは後述の水溶性溶剤（Ｄ）溶液を加え、中和した後に、必要により水又は溶剤（Ｄ）を濾過、留去などによって分離して中和塩（ＡＢ２）を得ることにより、直接本発明の界面活性剤を得てもよい（以下、ポリマー（Ａ２−２−２）、ポリマー（Ａ２−３−２）、ポリマー（Ａ２−４−２）、ポリマー（Ａ２−５−２）を用いる場合も同様である）。

ポリマー（Ａ２−２−２）の合成方法としては、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）を公知の硫酸エステル化反応により硫酸エステル化させる方法等が適用できる。
硫酸エステル化反応としては、例えば、反応溶剤（例えば、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素、トルエン等の芳香族炭化水素、前記スルホン化反応で例示した反応溶剤等）及び硫酸エステル化剤（Ｖ１）〜（Ｖ４）を用いた公知の方法が利用できる。例えば（Ｖ１）クロロスルホン酸を用いる方法、（Ｖ２）サルファンを用いる方法、（Ｖ３）スルファミン酸を用いる方法、（Ｖ４）硫酸を用いる方法等が挙げられる。なお、（Ｖ２）のサルファンについては、通常、乾燥窒素等で１〜３０容量％程度に希釈して用いる。反応温度は、（Ｖ１）、（Ｖ２）の場合、通常０〜７０℃、好ましくは１０〜５０℃である。（Ｖ３）、（Ｖ４）の場合、通常５０〜１５０℃、好ましくは６０〜１３０℃である。これらの硫酸エステル化剤の使用量（モル比）は、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）中の水酸基のモル数に基づいて、１〜３が好ましく、さらに好ましくは１．５〜２．５である。

ポリマー（Ａ２−３−２）の合成方法としては、ポリマー（Ａ２−２−２）と同様に、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）を公知のリン酸エステル化反応によりリン酸エステル化させる方法等が適用できる。
リン酸エステル化反応としては、リン酸エステル化剤（オキシハロゲン化リン、五酸化二リンなど）を用いた公知の方法が利用できる。このリン酸エステル化反応は、窒素雰囲気下、無溶媒でも行えるが、アセトニトリル、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、四塩化炭素、クロロホルムなどの溶媒を用いてもよい。反応温度は、用いるリン酸エステル化剤によって異なるが、通常−３０〜１５０℃であり、好ましくは２０〜５０℃である。リン酸エステル化剤の使用量（モル比）は、ポリマー（Ａ２−２−２−１）中の水酸基のモル数に基づいて、リン酸モノエステルを主成分として得る場合、０．８〜１．５が好ましく、さらに好ましくは０．９５〜１．１であり、リン酸ジエステルを主成分として得る場合、１．７〜２．５が好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．２である。

ポリマー（Ａ２−４−２）の合成方法としては、ポリマー（Ａ２−１−２）と同様に、不飽和結合を有するポリマー（Ａ２−１−２−１）を公知のホスホン化反応によりホスホン化する方法等が適用できる。
ホスホン化反応法としては、公知の方法が利用できる。例えば、（Ｐ１）無水塩化アルミニウム存在下、クロロメチルエーテル等と反応させ、芳香環にハロメチル基を導入後、これに三塩化リンと無水塩化アルミニウムを加え、更に加水分解反応によりホスホン酸基を導入する方法、（Ｐ２）三塩化リンと無水塩化アルミニウムを加えて反応させ、芳香環にホスフィン酸基を導入後、硝酸によりホスフィン酸基を酸化してホスホン酸基とする方法が挙げられる。反応温度は、通常１０℃〜１５０℃であり、好ましくは４０〜１００℃である。ホスホン化剤の使用量（モル比）は、水酸基含有芳香族モノマー（ａＺ２−５）、アミノ基含有芳香族モノマー（ａＺ４−１−２）及び不飽和芳香族炭化水素（ａＺ５−３）のモル数に基づいて、０．５〜３が好ましく、さらに好ましくは１〜２．５である。

ポリマー（Ａ２−５−２）の合成方法としては、ポリマー（Ａ２−２−２）と同様に、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）を公知のカルボキシメチル化反応によりカルボキシメチル化する方法等が適用できる。
カルボキシメチル化反応法としては、例えば、窒素雰囲気下でモノクロル酢酸ナトリウム等のモノハロゲン化低級カルボン酸塩と苛性アルカリ（水酸化カリウムなど）および必要により溶媒（トルエンなど）の存在下、脱塩反応する方法等が挙げられる。反応温度は通常３０〜１００℃、好ましくは４０〜７０℃である。

ポリマー（Ａ２−１−３）を合成する際に用いるスルホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−１）としては、アリールスルホン酸（ベンゼンスルホン酸など）、アルキル（炭素数１〜２４）アリールスルホン酸（トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、モノブチルビフェニルスルホン酸など）、多環芳香族スルホン酸（ナフタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸、ヒドロキシナフタレンスルホン酸、ヒドロキシアントラセンスルホン酸など）、アルキル（炭素数１〜２４）置換多環芳香族スルホン酸｛アルキル（炭素数１〜２４）ナフタレンスルホン酸（メチルナフタレンスルホン酸、ジメチルナフタレンスルホン酸、イソプロピルナフタレンスルホン酸、ブチルナフタレンスルホン酸、オクチルナフタレンスルホン酸、ラウリルナフタレンスルホン酸、エイコシルナフタレンスルホン酸など）、メチルアントラセンスルホン酸、ラウリルアントラセンスルホン酸、エイコシルアントラセンスルホン酸など｝、フェノールスルホン酸（フェノールスルホン酸、モノブチルフェニルフェノールモノスルホン酸、ジブチルフェニルフェノールジスルホン酸など）、アルキル（炭素数１〜２４）フェノールスルホン酸（クレゾールスルホン酸、ノニルフェノールスルホン酸、エイコシルフェノールスルホン酸など）、芳香族アミノスルホン酸（アニリンスルホン酸など）、リグニンスルホン酸（リグニンスルホン酸塩、変性リグニンスルホン酸）、トリアジン環を有するスルホン酸基含有化合物（メラミンスルホン酸など）などが挙げられる。
これらの内で再付着防止性の観点等から、アルキル（炭素数１〜２４）アリールスルホン酸、多環芳香族スルホン酸、アルキル（炭素数１〜２４）置換多環芳香族スルホン酸が好ましく、さらに好ましくはドデシルベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ジメチルナフタレンスルホン酸である。

ポリマー（Ａ２−４−３）を合成する際に用いるホスホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−４）としては、アリールホスホン酸（ベンゼンホスホン酸など）、アルキル（炭素数１〜２４）アリールホスホン酸（トルエンホスホン酸、ドデシルベンゼンホスホン酸、モノブチルビフェニルホスホン酸など）、多環芳香族ホスホン酸（ナフタレンホスホン酸、アントラセンホスホン酸、ヒドロキシナフタレンホスホン酸、ヒドロキシアントラセンホスホン酸など）、アルキル（炭素数１〜２４）置換多環芳香族ホスホン酸｛アルキル（炭素数１〜２４）ナフタレンホスホン酸（メチルナフタレンホスホン酸、ジメチルナフタレンホスホン酸、イソプロピルナフタレンホスホン酸、ブチルナフタレンホスホン酸、ラウリルナフタレンホスホン酸、エイコシルナフタレンホスホン酸など）、メチルアントラセンホスホン酸、ラウリルアントラセンホスホン酸、エイコシルアントラセンホスホン酸など｝、フェノールホスホン酸（フェノールホスホン酸、モノブチルフェニルフェノールモノホスホン酸、ジブチルフェニルフェノールジホスホン酸など）、アルキル（炭素数１〜２４）フェノールホスホン酸（クレゾールホスホン酸、ノニルフェノールホスホン酸、エイコシルフェノールホスホン酸など）、芳香族アミノホスホン酸（アニリンホスホン酸など）などが挙げられる。
これらの内で再付着防止性の観点等から、アルキル（炭素数１〜２４）アリールホスホン酸、多環芳香族ホスホン酸、アルキル（炭素数１〜２４）置換多環芳香族ホスホン酸が好ましく、さらに好ましくはドデシルベンゼンホスホン酸、ナフタレンホスホン酸、ジメチルナフタレンホスホン酸である。

ポリマー（Ａ２−５−３）を合成する際に用いるカルボキシル基を有する芳香族化合物（ａＹ−５）としては、アリールカルボン酸（安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、イソフタル酸など）、多環芳香族カルボン酸（ナフタリンカルボン酸、ナフタリンジカルボン酸、４，５−フェナントレンジカルボン酸、アントラセンカルボン酸、オキシナフトエ酸など）などが挙げられる。
これらの内で重縮合性の観点から、安息香酸及びヒドロキシ安息香酸が好ましい。

ポリマー（Ａ２−１−３）、（Ａ２−４−３）、（Ａ２−５−３）には、スルホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−１）、ホスホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−４）、カルボキシル基を有する芳香族化合物（ａＹ−５）以外に、必要によりその他の芳香族化合物（ａＯ）や尿素等を構成成分とすることができる。
その他の芳香族化合物（ａＯ）としては、ベンゼン、アルキルベンゼン（アルキル基の炭素数１〜２０）、ナフタレン、アルキルナフタレン（アルキル基の炭素数１〜２０）、フェノール、クレゾール、ヒドロキシナフタレン、アニリンなどが挙げられる。

ポリマー（Ａ２−１−３）の具体例としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、オクチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ナフタレンスルホン酸−メチルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物、ナフタレンスルホン酸−オクチルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物、ヒドロキシナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ヒドロキシナフタレンスルホン酸−クレゾールスルホン酸−ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物などが挙げられる。

ポリマー（Ａ２−４−３）の具体例としては、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アニリンホスホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物などが挙げられる。

ポリマー（Ａ２−５−３）の具体例としては、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物、安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物などが挙げられる。

ポリマー（Ａ２−１−３）、（Ａ２−４−３）及び（Ａ２−５−３）の合成方法としては、公知の方法が利用できる。例えば、上記スルホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−１）、ホスホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−４）またはカルボキシル基を有する芳香族化合物（ａＹ−５）と、必要によりその他の化合物（ａＯ）や尿素、触媒として用いる酸（硫酸など）またはアルカリ（水酸化ナトリウムなど）を反応容器に仕込み、７０〜９０℃の攪拌下で所定量のホルマリン水溶液（例えば３７重量％水溶液）を１〜４時間かけて滴下し、滴下後、還流下で３〜３０時間攪拌して冷却する方法が挙げられる。
また化合物（ａＹ−１）、（ａＹ−４）または（ａＹ−５）は、予め一部または全部のスルホン酸基、ホスホン酸基またはカルボキシル基を窒素含有塩基性化合物（Ｂ）で中和したものを用いて、ポリマー（Ａ２−１−３）、（Ａ２−４−３）又は（Ａ２−５−３）を合成すると同時に直接中和塩（ＡＢ２）を得てもよい。
その他の化合物（ａＯ）を用いる場合、（ａＹ−１）、（ａＹ−４）又は（ａＹ−５）と（ａＯ）とのモル比｛（ａＹ−１）、（ａＹ−４）又は（ａＹ−５）／（ａＯ）｝は、１〜９９／９９〜１が好ましく、さらに好ましくは１０〜９０／９０〜１０、特に好ましくは３０〜８５／７０〜１５、最も好ましくは５０〜８０／５０〜２０である。

尿素を用いる場合、（ａＹ−１）、（ａＹ−４）又は（ａＹ−５）と尿素とのモル比｛（ａＹ−１）、（ａＹ−４）又は（ａＹ−５）／尿素｝は、１〜９９／９９〜１が好ましく、さらに好ましくは１０〜９０／９０〜１０、特に好ましくは３０〜８５／７０〜１５、最も好ましくは５０〜８０／５０〜２０である。

また、（ａＹ−１）、（ａＹ−４）、（ａＹ−５）または（ａＯ）は２種以上の混合物として用いてもよい。
ポリマー（Ａ２）のｐＫａは、８．０以下が好ましく、ゼータ電位を下げるという観点等から、さらに好ましくは７．０以下、特に好ましくは５．５以下、最も好ましくは３．０以下である。ｐＫａは、前記の方法により求めることができる。

ポリマー（Ａ２）の重量平均分子量（以下、Ｍｗと略記。）は、再付着防止性および低泡性の観点等から、３００〜８００，０００が好ましく、さらに好ましくは６００〜４００，０００、特に好ましくは１，０００〜８０，０００、最も好ましくは２，０００〜４０，０００である。
上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略記。）によって、ポリエチレンオキシドを標準物質として４０℃で測定される値である。たとえば、装置本体：東ソー（株）製ＨＬＣ−８１２０、カラム：東ソー（株）製ＴＳＫｇｅｌ Ｇ５０００ ＰＷＸＬ、Ｇ３０００ ＰＷ ＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．２Ｍ無水硫酸ナトリウム、１０％アセトニトリル緩衝液、溶離液流量：０．８ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：１．０重量％の溶離液溶液、注入量：１００μｌ、標準物質：東ソー（株）製ＴＳＫ ＳＥ−３０、ＳＥ−１５、ＳＥ−８、ＳＥ−５。

次に、中和塩（ＡＢ１）及び（ＡＢ２）の窒素含有塩基性化合物（Ｂ）について説明する。
本発明では、窒素含有塩基性化合物（Ｂ）として、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌであるものを用いる。
本発明において、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）とは、下記式（５）に示す窒素含有塩基性化合物（Ｂ）のプロトン付加反応におけるＢの生成熱とＨ^＋Ｂの生成熱との差を意味する。
Ｂ＋Ｈ^＋→Ｈ^＋Ｂ （５）

すなわち、Ｑ２は下記式（７）で表される。
Ｑ２＝Δ_ｆＨ^ｏ _Ｈ＋Ｂ−Δ_ｆＨ^ｏ _Ｂ （７）
［式中、Δ_ｆＨ^ｏ _Ｈ＋Ｂ、Δ_ｆＨ^ｏ _Ｂは、それぞれ順に、Ｈ^＋Ｂ、Ｂについての真空中における生成熱を表す。］

生成熱（Δ_ｆＨ^ｏ）の値は、上述したように、半経験的分子軌道法（ＭＯＰＡＣ ＰＭ３法）を用いて計算することができる。
なお、Ｈ^＋Ｂの生成熱を計算する際のＨ^＋を付加させる位置は、化合物（Ｂ）に含まれる窒素原子上である。また窒素原子が複数個存在する場合、各窒素原子ごとに生成熱を計算し、Ｂの生成熱とＨ^＋Ｂの生成熱の差が最小になる時の値を生成熱変化（Ｑ２）とする。

化合物（Ｂ）のプロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）（ｋｃａｌ／ｍｏｌ、２５℃）は、１０〜１５２であり、ゼータ電位を下げるという観点等から、好ましくは３０〜１４８、より好ましくは４０〜１４５、更に好ましくは５０〜１４３、特に好ましくは９０〜１４０、最も好ましくは１００〜１３８ある。

窒素含有塩基性化合物（Ｂ）は、上記のプロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌの範囲にあれば制限なく、例えば、分子内に少なくとも１つのグアニジン骨格を有する化合物（Ｂ−１）、分子内に少なくとも１つのアミジン骨格を有する化合物（Ｂ−２）、分子内に少なくとも１つのＮ＝Ｐ−Ｎ骨格を有する化合物（Ｂ−３）、プロトンスポンジ誘導体（Ｂ−４）などが含まれる。

化合物（Ｂ）の分子体積（ｎｍ^３）は、０．０２５〜０．７が好ましく、ゼータ電位を下げるという観点等から、さらに好ましくは０．０５０〜０．５、特に好ましくは０．１２〜０．３６である。
ここで分子体積とは、分子の等電子密度面でできる空間の体積を指し、分子力場法であるＭＭ２（Ａｌｌｉｎｇｅｒ，Ｎ．Ｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，９９，８１２７（１９７７））及び半経験的分子軌道法であるＰＭ３（Ｓｔｅｗａｒｔ，Ｊ．Ｊ．Ｐ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１０，２２１（１９８９））を用いて計算した最適化構造から得ることができる。たとえば、前記の富士通株式会社製「ＣＡＣｈｅ Ｗｏｒｋｓｙｓｔｅｍ６．０１」を用いて、同様に構造最適化した後、「Ｐｒｏｊｅｃｔ Ｌｅａｄｅｒ」上で半経験的分子軌道法である「ＰＭ３ ｇｅｏｍｅｔｒｙ」により、計算することができる。なお、計算の結果、分子体積の値が複数個得られた場合については、最大値を用いる。

化合物（Ｂ−１）の具体例としては、グアニジン｛グアニジン（Ｑ２＝１４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．０６２ｎｍ^３）、メチルグアニジン（Ｑ２＝１４４ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．０８４ｎｍ^３）、テトラメチルグアニジン（Ｑ２＝１４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１４７ｎｍ^３）、エチルグアニジン（Ｑ２＝１４２ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１０４ｎｍ^３）、フェニルグアニジン（Ｑ２＝１４１ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１３９ｎｍ^３）など｝、単環式グアニジン［２−アミノ−イミダゾール｛２−アミノ−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４６ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．０８０ｎｍ^３）、２−ジメチルアミノ−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１３８ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ^３）、２−アミノ−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ^３）、２−ジメチルアミノ−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１３３ｎｍ^３）など｝、２−アミノ−テトラヒドロピリミジン｛２−アミノ−１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン（Ｑ２＝１４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ^３）、２−ジメチルアミノ−１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン（Ｑ２＝１４０ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１５２ｎｍ^３）など｝、２−アミノ−ジヒドロピリミジン｛２−アミノ−１，６（４）−ジヒドロピリミジン（Ｑ２＝１４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ^３）、２−ジメチルアミノ−１，６（４）−ジヒドロピリミジン（Ｑ２＝１４３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１４２ｎｍ^３）など｝、多環式グアニジン｛１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１，２−ａ］ピリミジン（以下ＴＢＤと略記）（Ｑ２＝１４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１５９ｎｍ^３）や１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−１−メチル−２Ｈ−ピリミド［１，２−ａ］ピリミジン（以下ＭＴＢＤと略記）（Ｑ２＝１３９ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１８０ｎｍ^３）など｝などが挙げられる。

化合物（Ｂ−２）の具体例としては、イミダゾール｛１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．０６７ｎｍ^３）、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４４ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ^３）、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ^３）、４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ^３）、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ^３）、２−エチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１９ｎｍ^３）など｝、テトラヒドロピリミジン｛１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン（Ｑ２＝１５１ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ^３）、２−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン（Ｑ２＝１４８ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１９ｎｍ^３）など｝、ジヒドロピリミジン｛１，６（４）−ジヒドロピリミジン（Ｑ２＝１４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．０８８ｎｍ^３）、２−メチル−１，６（４）−ジヒドロピリミジン（Ｑ２＝１４３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ^３）など｝、下記一般式（１５）で表される２環式アミジンなどが挙げられる。

｛式中、Ｒ^７及びＲ^８は、互いに独立して水素原子、炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数２〜２４のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数７〜３０のアリールアルキル基を表し、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基及びアリールアルキル基中の水素原子の一部又は全部が水酸基、アミノ基、（ジ）アルキル（炭素数１〜２４）アミノ基、（ジ）ヒドロキシアルキル（炭素数２〜４）アミノ基、メルカプト基またはハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）によってさらに置換されていてもよい。また２つのＲ^７及び２つのＲ^８は、同一であってもよいし異なっていてもよく、互いに結合（炭素−炭素結合、エーテル結合等）して炭素数４〜１２の環を形成してもよい。ｍおよびｎは互いに独立して１〜１２の整数を表す。｝

炭素数１〜２４のアルキル基又は炭素数２〜２４のアルケニル基としては、疎水基（Ｙ）で例示したアルキル基又はアルケニル基の内、炭素数１〜２４のものが挙げられる。
炭素数２〜３０のアルキニル基としては、直鎖状及び分岐状のいずれでもよく、エチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−又は２−ドデシニル、１−又は２−トリデシニル、１−又は２−テトラデシニル、１−又は２−ヘキサデシニル、１−又は２−ステアリニル、１−又は２−ノナデシニル、１−又は２−エイコシニル、１−又は２−テトラコシニルが挙げられる。

炭素数６〜３０のアリール基としては、フェニル、トリル、キシリル、ナフチル及びメチルナフチルなどが挙げられる。
炭素数７〜３０のアリールアルキル基としては、ベンジル、２−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチル、６−フェニルヘキシル、７−フェニルヘプチル、８−フェニルオクチル、１０−フェニルデシル、１２−フェニルドデシル、ナフチルメチル、ナフチルエチルなどが挙げられる。

２つのＲ^７又は２つのＲ^８が互いに結合して炭素数４〜１２の環を形成する場合、２つのＲ^７又は２つのＲ^８は、２価の有機基（炭素数４〜１２のアルキレン基等）を形成する。
炭素数４〜１２のアルキレン基としては、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチレン、デシレン、ドデシレンなどが挙げられ、これらのアルキレン基はエーテル結合等で結合されていてもよい。

一般式（１５）で表される化合物の具体例としては、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７（以下ＤＢＵと略記。なお、ＤＢＵはサンアプロ社の登録商標である。）（Ｑ２＝１３７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１８５ｎｍ^３）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５（以下ＤＢＮと略記）（Ｑ２＝１４１ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１４６ｎｍ^３）、１，８−ジアザビシクロ［５．３．０］デセン−７（Ｑ２＝１４２ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１６６ｎｍ^３）、１，４−ジアザビシクロ［３．３．０］オクテン−４（Ｑ２＝１４６ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１２６ｎｍ^３）、１，５−ジアザビシクロ［４．４．０］デセン−５（Ｑ２＝１４３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１６６ｎｍ^３）、６−ジメチルアミノ−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７（Ｑ２＝１３３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２３８ｎｍ^３）、６−ジブチルアミノ−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７（Ｑ２＝１３７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．３５５ｎｍ^３）、６−（２−ヒドロキシエチル）−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（Ｑ２＝１３９ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２２９ｎｍ^３）、６−（２−ヒドロキシプロピル）−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（Ｑ２＝１３８ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２５０ｎｍ^３）、７−（２−ヒドロキシエチル）−１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（Ｑ２＝１４２ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１９２ｎｍ^３）、７−（２−ヒドロキシプロピル）−１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（Ｑ２＝１４２ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２１１ｎｍ^３）、６−ジ（２−ヒドロキシエチル）アミノ−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（Ｑ２＝１３７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２８７ｎｍ^３）などが挙げられる。

化合物（Ｂ−３）としては、下記一般式（１６）で表されるホスファゼン化合物等が挙げられる。

［式中Ｒ^９、Ｒ^１０は、互いに独立して、水素原子、炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数２〜２４のアルケニル基、炭素数６〜２４のアリール基および炭素数７〜２４のアリールアルキル基を表す。また、Ｒ^９、Ｒ^１０中の水素原子は水酸基、アミノ基、メルカプト基またはハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）によってさらに置換されていてもよい。また、複数のＲ^１０は同一であってもよいし異なっていてもよく、隣接するＲ^１０は互いに結合（炭素−炭素結合、エーテル結合等）して炭素数４〜１２の環を形成してもよい。ｋは１〜４の整数を表す。］

一般式（１６）中の炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数２〜２４のアルケニル基、炭素数６〜２４のアリール基および炭素数７〜２４のアリールアルキル基としては、前記のＲ^７、Ｒ^８と同様のものが挙げられる。
隣接するＲ^１０が環を形成する場合、２つのＲ^１０は前記のＲ^７、Ｒ^８と同様に２価の有機基を形成する。

一般式（１６）で示される化合物の具体例としては、Ｈ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）_２］Ｎ（ＣＨ_３）_２（Ｑ２＝１２２ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２１７ｎｍ^３）、Ｍｅ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）_２］Ｎ（ＣＨ_３）_２（Ｑ２＝１２８ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２３７ｎｍ^３）、Ｅｔ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）_２］Ｎ（ＣＨ_３）_２（Ｑ２＝１２５ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２６０ｎｍ^３）、ｔ−Ｂｕ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）_２］Ｎ（ＣＨ_３）_２（Ｑ２＝１０７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２９８ｎｍ^３）、Ｐｈ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）_２］Ｎ（ＣＨ_３）_２（Ｑ２＝１２９ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２９４ｎｍ^３）、ＣＨ_３ＣＨ＝ＣＨ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）_２］Ｎ（ＣＨ_３）_２（Ｑ２＝１２３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２７０ｎｍ^３）、４−Ｍｅ−Ｃ_６Ｈ_４［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）_２］Ｎ（ＣＨ_３）_２（Ｑ２＝１２６ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．３１１ｎｍ^３）、Ｈ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）_２］（ｐｙｒｒ）（Ｑ２＝１２１ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２９３ｎｍ^３）、Ｍｅ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）_２］（ｐｙｒｒ）（Ｑ２＝１２５ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．３１４ｎｍ^３）、Ｅｔ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）_２］（ｐｙｒｒ）（Ｑ２＝１２３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．３３９ｎｍ^３）、ｔ−Ｂｕ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）_２］（ｐｙｒｒ）（Ｑ２＝１２２ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．３７３ｎｍ^３）、Ｐｈ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）_２］（ｐｙｒｒ）（Ｑ２＝１２３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．３７０ｎｍ^３）、４−Ｍｅ−Ｃ_６Ｈ_４［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）_２］（ｐｙｒｒ）（Ｑ２＝１２２ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．３９０ｎｍ^３）などが挙げられる。なお、Ｍｅはメチル、Ｅｔはエチル、Ｐｈはフェニル、ｔ−Ｂｕはｔ−ブチル、（ｄｍａ）はジメチルアミノ、（ｐｙｒｒ）は１−ピロリジニリルを表す。

プロトンスポンジ誘導体（Ｂ−４）としては、１，８−ビス（ジメチルアミノ）ナフタレン（Ｑ２＝１３８ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２４９ｎｍ^３）、１−ジメチルアミノ−８−メチルアミノ−キノリジン（Ｑ２＝１２６ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２２１ｎｍ^３）、１−ジメチルアミノ−７−メチル−８−メチルアミノ−キノリジン（Ｑ２＝１３２ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２４０ｎｍ^３）、１−ジメチルアミノ−７−メチル−８−メチルアミノ−イソキノリン（Ｑ２＝１２８ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２４２ｎｍ^３）、７−メチル−１，８−メチルアミノ−２，７−ナフチリジン（Ｑ２＝１１８ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２１１ｎｍ^３）、２，７−ジメチル−１，８−メチルアミノ−２，７−ナフチリジン（Ｑ２＝１２０ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．２３０ｎｍ^３）などが挙げられる。

化合物（Ｂ）としては、ゼータ電位の観点等から、（Ｂ−１）の内、グアニジン、メチルグアニジン、エチルグアニジン、ＴＢＤ、ＭＴＢＤ、（Ｂ−２）の内、ＤＢＵ、ＤＢＮ、（Ｂ−３）の内、Ｈ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）_２］Ｎ（ＣＨ_３）_２、Ｍｅ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）_２］Ｎ（ＣＨ_３）_２、Ｅｔ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）_２］Ｎ（ＣＨ_３）_２、ｔ−Ｂｕ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）_２］Ｎ（ＣＨ_３）_２、Ｅｔ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）_２］_２Ｎ（ＣＨ_３）_２、Ｐｈ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）_２］Ｎ（ＣＨ_３）_２、Ｈ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）_２］（ｐｙｒｒ）、Ｍｅ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）_２］（ｐｙｒｒ）、（Ｂ−４）の内、１，８−ビス（ジメチルアミノ）ナフタレン、１−ジメチルアミノ−８−メチルアミノ−キノリジン、１−ジメチルアミノ−７−メチル−８−メチルアミノ−イソキノリン、７−メチル−１，８−メチルアミノ−２，７−ナフチリジンが好ましく、さらに好ましくはグアニジン、メチルグアニジン、エチルグアニジン、ＴＢＤ、ＭＴＢＤ、ＤＢＵならびにＤＢＮ、特に好ましくはＴＢＤ、ＭＴＢＤ、ＤＢＵならびにＤＢＮである。
化合物（Ｂ）は、単独で用いてもよく、２種以上の混合物として用いてもよい。

また化合物（Ｂ）のｐＫａは、１１〜４０が好ましく、ゼータ電位を下げるという観点等から、さらに好ましくは１１．５〜３０、特に好ましくは１２〜２５である。
なお、化合物（Ｂ）のｐＫａは、公知の方法｛例えば、Ｃａｎ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．６５，６２６（１９８７）｝等により得られる。

本発明において、酸性化合物（Ａ１）と化合物（Ｂ）との中和塩（ＡＢ１）、ポリマー（Ａ２）と化合物（Ｂ）との中和塩（ＡＢ２）は、酸基（Ｘ１）又は（Ｘ２）の一部若しくは全部が（Ｂ）で中和されていればよい。

中和塩（ＡＢ１）の具体例としては、以下の化合物等が含まれる。
アルキルベンゼンスルホン酸塩（トルエンスルホン酸グアニジン塩、トルエンスルホン酸ＤＢＵ塩、トルエンスルホン酸ＤＢＮ塩、キシレンスルホン酸グアニジン塩、キシレンスルホン酸ＤＢＵ塩、キシレンスルホン酸ＤＢＮ塩、ドデシルベンゼンスルホン酸グアニジン塩、ドデシルベンゼンスルホン酸ＤＢＵ塩、ドデシルベンゼンスルホン酸ＤＢＮ塩、ドデシルベンゼンスルホン酸Ｅｔ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）_２］_２Ｎ（ＣＨ_３）_２塩など）、ナフタレンスルホン酸塩（ナフタレンスルホン酸グアニジン塩、ナフタレンスルホン酸ＤＢＵ塩、ナフタレンスルホン酸ＤＢＮ塩など）、
アルキルナフタレンスルホン酸塩（メチルナフタレンスルホン酸グアニジン塩、メチルナフタレンスルホン酸ＤＢＵ塩、メチルナフタレンスルホン酸ＤＢＮ塩、ドデシルナフタレンスルホン酸グアニジン塩、ドデシルナフタレンスルホン酸ＤＢＵ塩、ドデシルナフタレンスルホン酸ＤＢＮ塩など）、
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸塩（ポリオキシエチレンラウリルエーテルスルホン酸グアニジン塩、ポリオキシエチレンラウリルエーテルスルホン酸ＤＢＵ塩、ポリオキシエチレンラウリルエーテルスルホン酸ＤＢＮ塩など）、
ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテルスルホン酸塩（ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテルスルホン酸グアニジン塩、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテルスルホン酸ＤＢＵ塩、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテルスルホン酸ＤＢＮ塩など）、
スルホコハク酸塩（（ジ）２−エチルヘキシルスルホコハク酸グアニジン塩、（ジ）２−エチルヘキシルスルホコハク酸ＤＢＵ塩、（ジ）２−エチルヘキシルスルホコハク酸ＤＢＮ塩など）、
アルキロイルアミノエチルスルホン酸（ラウリロイル−Ｎ−メチルアミノエチルスルホン酸グアニジン塩、ラウリロイル−Ｎ−メチルアミノエチルスルホン酸ＤＢＵ塩、ラウリロイル−Ｎ−メチルアミノエチルスルホン酸ＤＢＮ塩など）など。
中和塩（ＡＢ２）の具体例としては、以下の化合物等が含まれる。
ポリスチレンスルホン酸塩（ポリスチレンスルホン酸グアニジン塩、ポリスチレンスルホン酸ＤＢＵ塩、ポリスチレンスルホン酸ＤＢＮ塩など）、
ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物の塩（ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物グアニジン塩、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＵ塩、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＮ塩、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＴＢＤ塩、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＭＴＢＤ塩など）、
アルキルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物の塩（メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物グアニジン塩、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＵ塩、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＮ塩、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＴＢＤ塩、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＭＴＢＤ塩、オクチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物グアニジン塩、オクチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＵ塩、オクチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＮ塩、オクチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＴＢＤ塩、オクチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＭＴＢＤ塩など）、
ナフタレンスルホン酸−アルキルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物の塩（ナフタレンスルホン酸−オクチルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物グアニジン塩、ナフタレンスルホン酸−オクチルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＵ塩、ナフタレンスルホン酸−オクチルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＮ塩、ナフタレンスルホン酸−オクチルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物ＴＢＤ塩、ナフタレンスルホン酸−オクチルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物ＭＴＢＤ塩など）、
ヒドロキシナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物の塩（ヒドロキシナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物グアニジン塩、ヒドロキシナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＵ塩、ヒドロキシナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＮ塩、ヒドロキシナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＴＢＤ塩、ヒドロキシナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＭＴＢＤ塩など）、
ヒドロキシナフタレンスルホン酸−クレゾールスルホン酸−ホルムアルデヒド縮合物の塩（ヒドロキシナフタレンスルホン酸−クレゾールスルホン酸−ホルムアルデヒド縮合物グアニジン塩、ヒドロキシナフタレンスルホン酸−クレゾールスルホン酸−ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＵ塩、ヒドロキシナフタレンスルホン酸−クレゾールスルホン酸−ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＮ塩、ヒドロキシナフタレンスルホン酸−クレゾールスルホン酸−ホルムアルデヒド縮合物ＴＢＤ塩、ヒドロキシナフタレンスルホン酸−クレゾールスルホン酸−ホルムアルデヒド縮合物ＭＴＢＤ塩など）、
メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物の塩（メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物グアニジン塩、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＵ塩、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＮ塩、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＴＢＤ塩、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＭＴＢＤ塩など）など。
（ＡＢ１）、（ＡＢ２）は、単独または２種以上の混合物であってもよい。

中和塩（ＡＢ１）は、ゼータ電位を低下させる観点等から、（Ｑ１）と（Ｑ２）との比｛Ｑ２／（Ｑ１×ｎ）｝が式（９）を満たすことが好ましく、さらに好ましくは式（１０）、特に好ましくは式（１１）、最も好ましくは式（１２）を満たすことが好ましい。
０．０１≦｛Ｑ２／（Ｑ１×ｎ）｝≦３．０ （９）
０．１≦｛Ｑ２／（Ｑ１×ｎ）｝≦２．５ （１０）
０．２≦｛Ｑ２／（Ｑ１×ｎ）｝≦２．３ （１１）
０．５≦｛Ｑ２／（Ｑ１×ｎ）｝≦２．２ （１２）

中和塩（ＡＢ２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、再付着防止性および低泡性の観点等から、１，０００〜１，０００，０００が好ましく、さらに好ましくは２，０００〜５００，０００、特に好ましくは５，０００〜１００，０００、最も好ましくは５，０００〜２０，０００である。なお、中和塩（ＡＢ２）のＭｗは、ポリマー（Ａ２）と同様にＧＰＣにより得られる値である。

本発明の界面活性剤は、中和塩（ＡＢ１）及び（ＡＢ２）の少なくとも１つ含有すればよいが、泡立ちの観点等から、中和塩（ＡＢ２）を含むものが好ましい。

中和塩（ＡＢ１）または（ＡＢ２）は、酸性化合物（Ａ１）又はポリマー（Ａ２）と窒素含有塩基性化合物（Ｂ）との中和反応により得ることができる。例えば、温調、撹拌が可能な反応容器に（Ａ１）及び／又は（Ａ２）の水溶液を仕込み、撹拌しながら室温（約２５℃）で（Ｂ）（必要により水溶液）を投入して均一混合するか、または予め水を仕込んだ反応容器に、撹拌しながら（Ａ１）及び／又は（Ａ２）並びに（Ｂ）を同時または別々に投入して均一混合することにより得ることができる。中和反応時の濃度は、目的により適宜選択することができる。

本発明の界面活性剤は、酸基（Ｘ１）及び（Ｘ２）の解離度が大きいため、パーティクルおよび基板のゼータ電位を効果的に下げることができ、従来の洗浄剤で達成不可能であったパーティクルの再付着を防止することができる。

また本発明の界面活性剤を用いて洗浄する際、除去対象物であるパーティクル表面のゼータ電位は、洗浄時の条件（温度、ｐＨなど）によっても異なるため適宜調整する必要があるが、パーティクルの再付着防止の観点から、−８０ｍＶ以下であることが好ましく、さらに好ましくは−９０ｍＶ以下、特に好ましくは−１００ｍＶ以下、最も好ましくは−１０５ｍＶ以下である。この範囲であると、パーティクルの再付着がさらに起こりにくくなり、さらに十分な性能が得られる。

本発明の界面活性剤の製品形状は、粉末状、液状（溶液状、エマルジョン状、懸濁液状）など公知の任意の形状で使用できる。これらの形状の内、使用時のハンドリングの観点から液状が好ましく、さらに好ましくは溶液状である。
これら溶液にするための溶剤については、水溶性有機溶剤（Ｄ）および／または水が使用できる。

上記水溶性有機溶剤（Ｄ）とは、２０℃における水に対する溶解度（ｇ／１００ｇＨ_２Ｏ）が３以上、好ましくは１０以上の有機溶剤である。例えば、スルホキシド｛ジメチルスルホキシド、スルホラン、３−メチルスルホラン、２，４−ジメチルスルホランなど｝；スルホン｛ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ブチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホンなど｝；アミド｛Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドなど｝；ラクタム｛Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドンなど｝；ラクトン｛β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトンなど｝；アルコール｛メタノ−ル、エタノ−ル、イソプロパノ−ルなど｝；グリコールおよびグリコールエーテル｛エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ブチレングリコール、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテルなど｝；オキサゾリジノン（Ｎ−メチル−２−オキサゾリジノン、３，５−ジメチル−２−オキサゾリジノンなど）；ニトリル（アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、アクリロニトリル、メタクリルニトリル、ベンゾニトリルなど）；カーボネート（エチレンカーボネート、プロピオンカーボネートなど）；ケトン（アセトン、ジエチルケトン、アセトフェノン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジアセトンアルコールなど）；環状エーテル（テトラヒドロフラン、テトラヒドロピランなど）などが挙げられる。また（Ｄ）は単独で使用しても、２種以上併用して使用してもよい。

水としては、水道水、工業用水、地下水、蒸留水、イオン交換水及び超純水などが挙げられる。これらのうち、イオン交換水、超純水が好ましい。

これら水溶性有機溶剤（Ｄ）を使用する場合、（Ｄ）の配合量（重量％）は、本発明の界面活性剤の重量に基づいて、１０〜９０が好ましく、さらに好ましくは２０〜７０、特に好ましくは３０〜５０である。また水を使用する場合、水の配合量（重量％）は、本発明の界面活性剤の重量に基づいて、１０〜９０が好ましく、さらに好ましくは３０〜８０、特に好ましくは４０〜７０である。
溶液状で使用する場合、本発明の界面活性剤中における塩（ＡＢ１）及び（ＡＢ２）の濃度は、１０〜５０重量％程度が好ましい。

本発明の界面活性剤は、再付着防止機能以外にも界面活性機能（表面張力低下能、乳化力、低泡性、可溶化力、分散力、洗浄力など）を発揮することができる。例えば、湿潤剤、浸透剤、起泡剤、消泡剤、乳化剤、分散剤、可溶化剤、洗浄剤、平滑剤、帯電防止剤、潤滑剤、防錆剤、均染剤、染料固着剤、疎水化剤、殺菌剤、凝集剤などの用途に適しており、特に洗浄剤として好適である。

本発明の洗浄剤は、パーティクルまたは油汚れに対する洗浄性の観点等から、本発明の界面活性剤に加えて、アルカリ成分（Ｃ）を含むことが好ましい。
アルカリ成分（Ｃ）としては、（Ｃ１）一般式（１７）で表される有機アルカリ、（Ｃ２）金属水酸化物、（Ｃ３）炭酸塩、（Ｃ４）リン酸塩、（Ｃ５）ケイ酸塩、（Ｃ６）アンモニア、（Ｃ７）アルカノールアミンおよび（Ｃ１）〜（Ｃ７）の混合物が含まれる。

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ炭素数１〜２４の炭化水素基または−（Ｒ^５Ｏ）_ｐ−Ｈで表される基であり、Ｒ^５は炭素数２〜４のアルキレン基、ｐは１〜６の整数を表す。］
炭素数１〜２４の炭化水素基としては、炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数２〜２４のアルケニル基、炭素数６〜２４のアリール基および炭素数７〜２４のアリールアルキル基が挙げられ、上記式（１５）で例示したものと同様である。
炭素数２〜４のアルキレン基としては、エチレン、プロピレン及びブチレンなどが含まれる。これらの中で洗浄性の観点から、エチレン及びプロピレンが好ましい。ｐは１〜３が好ましい。

一般式（１７）で示される有機アルカリ（Ｃ１）の具体例としては、以下の（１）〜（５）のカチオンとハイドロキサイドアニオンとからなる塩等が例示できる。
（１）テトラアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜６）
テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラ（ｎ−またはｉ−）プロピルアンモニウム、テトラ（ｎ−、ｉ−またはｔ−）ブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウム、トリメチルエチルアンモニウムなど

（２）炭素数１〜６のアルキル基３個と炭素数７〜２４の炭化水素基１個とからなるアンモニウムカチオン
トリメチルへプチルアンモニウム、トリメチルオクチルアンモニウム、トリメチルデシルアンモニウム、トリメチルドデシルアンモニウム、トリメチルステアリルアンモニウム、トリメチルベンジルアンモニウム、トリエチルオクチルアンモニウム、トリエチルステアリルアンモニウム、トリエチルベンジルアンモニウム、トリブチルへプチルアンモニウム、トリブチルオクチルアンモニウムおよびトリへキシルステアリルアンモニウムなど

（３）炭素数１〜６のアルキル基２個と炭素数７〜２４の炭化水素基２個とからなるアンモニウムカチオン
ジメチルジオクチルアンモニウム、ジエチルジオクチルアンモニウムおよびジメチルジベンジルアンモニウムなど

（４）炭素数１〜６のアルキル基１個と炭素数７〜２４の炭化水素基３個とからなるアンモニウムカチオン
メチルトリオクチルアンモニウム、エチルトリオクチルアンモニウムおよびメチルオクチルジベンジルアンモニウムなど

（５）オキシアルキレン基を有するアンモニウムカチオン
（ｉ）オキシアルキレン基を１個有するカチオン［ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウム、ヒドロキシエチルトリエチルアンモニウム、ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウム、ヒドロキシプロピルトリエチルアンモニウム、ヒドロキシエチルジメチルエチルアンモニウムおよびヒドロキシエチルジメチルオクチルアンモニウムなど］；
（ｉｉ）オキシアルキレン基を２個有するカチオン［ジヒドロキシエチルジメチルアンモニウム、ジヒドロキシエチルジエチルアンモニウム、ジヒドロキシプロピルジメチルアンモニウム、ジヒドロキシプロピルジエチルアンモニウム、ジヒドロキシエチルメチルエチルアンモニウム、ジヒドロキシエチルメチルオクチルアンモニウムおよびビス（２−ヒドロキシエトキシエチル）オクチルアンモニウムなど］；
（ｉｉｉ）オキシアルキレン基を３個有するカチオン［トリヒドロキシエチルメチルアンモニウム、トリヒドロキシエチルエチルアンモニウム、トリヒドロキシエチルブチルアンモニウム、トリヒドロキシプロピルメチルアンモニウム、トリヒドロキシプロピルエチルアンモニウムおよびトリヒドロキシエチルオクチルアンモニウムなど］。

金属水酸化物（Ｃ２）としては、アルカリ金属水酸化物（水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなど）、アルカリ土類金属水酸化物（水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、水酸化バリウムなど）などが挙げられる。

炭酸塩（Ｃ３）としては、アルカリ金属塩（炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなど）、アルカリ土類金属塩（炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムなど）などが挙げられる。

リン酸塩（Ｃ４）としては、アルカリ金属塩（ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム、トリポリリン酸ナトリウム、トリポリリン酸カリウムなど）、アルカリ土類金属塩（ピロリン酸カルシウム、ピロリン酸マグネシウム、ピロリン酸バリウム、トリポリリン酸カルシウム、トリポリリン酸マグネシウム、トリポリリン酸バリウムなど）などが挙げられる。

ケイ酸塩（Ｃ５）としては、アルカリ金属塩（ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウムなど）、アルカリ土類金属塩（ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸バリウムなど）などが挙げられる。

アルカノールアミン（Ｃ７）としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、エチレンジアミンのＥＯ付加物（付加モル数１〜７）などが挙げられる。

アルカリ成分（Ｃ）のうち、洗浄性の観点から、一般式（１７）で示される有機アルカリ（Ｃ１）および金属酸化物（Ｃ２）が好ましく、洗浄後にアルカリ金属又はアルカリ土類金属が残存する恐れがないことから、さらに好ましくは（Ｃ１）、洗浄性とリンス性の観点等から、好ましくは（１）テトラアルキルアンモニウムカチオン、（２）炭素数１〜６のアルキル基３個と炭素数７〜２４の炭化水素基１個とからなるアンモニウムカチオン、（３）炭素数１〜６のアルキル基２個と炭素数７〜２４の炭化水素基２個とからなるアンモニウムカチオン及び（４）炭素数１〜６のアルキル基１個と炭素数７〜２４の炭化水素基３個とからなるアンモニウムカチオン、より好ましくは（１）および（２）、特に好ましくは（１）、最も好ましいのはテトラメチルアンモニウムカチオン又はテトラエチルアンモニウムカチオンのハイドロオキサイドアニオン塩およびこれらの併用である。

アルカリ成分（Ｃ）を使用する場合、洗浄性の観点等から、（Ｃ）の含有量（重量％）は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、０．１〜１０が好ましく、さらに好ましくは０．３〜８、特に好ましくは０．５〜５である。
また本発明の洗浄剤の製品形状は、本発明の界面活性剤の製品形状と同様に、任意の形状が適用できる。これらの形状の内、使用時のハンドリングの観点等から液状が好ましく、特に好ましくは溶液状である。
また、溶液状にする場合、本発明の洗浄剤は必要により上述の水溶性有機溶剤（Ｄ）および／または水を含有してもよい。

水溶性有機溶剤（Ｄ）の内で、洗浄性の観点等から、グリコールおよびグリコールエーテルが好ましく、さらに好ましくはエチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール及びプロピレングリコールである。
これら水溶性有機溶剤（Ｄ）を使用する場合、（Ｄ）の配合量（重量％）は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、１０〜９０が好ましく、さらに好ましくは３０〜８０、特に好ましくは４０〜７０である。

水を使用する場合、水の配合量は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、１０〜９０が好ましく、さらに好ましくは２０〜８５、特に好ましくは３０〜８０である。
なお、本発明の洗浄剤に水が含有する場合、中和塩（ＡＢ１）又は（ＡＢ２）の大部分が水中で酸性化合物（Ａ１）と化合物（Ｂ）、又はポリマー（Ａ２）と化合物（Ｂ）とに解離し、イオンとして存在する。

洗浄剤中における塩（ＡＢ１）及び／又は（ＡＢ２）の濃度は、その目的に応じて適宜調製できるが、０．０１〜２０重量％程度が好ましい。

水溶性有機溶剤（Ｄ）および水を使用する場合、洗浄剤中に含まれる（Ｄ）と水の重量比｛（Ｄ）／水｝は、パーティクルや油汚れに対する洗浄性の観点等から、２０／８０〜９０／１０が好ましく、さらに好ましくは３０／７０〜８０／２０、特に好ましくは４０／６０〜７０／３０である。

さらに本発明の洗浄剤には、特に金属（アルミ配線など）が施された電子部品を洗浄する際に金属腐食を防止する観点等から、３〜２，０００価の多価アルコール（Ｅ）を添加してもよい。
多価アルコール（Ｅ）としては、（Ｅ１）脂肪族多価アルコール（グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールなど）、（Ｅ２）（Ｅ１）の脱水縮合物（ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリン、ペンタグリセリンなど）；（Ｅ３）糖［（Ｅ３−１）単糖｛ペントース（アラビノース、キシロース、リボース、キシルロース、リブロースなど）、ヘキソース（グルコース、マンノース、ガラクトース、フルクトース、ソルボース、タガトースなど）、ヘプトース（セドヘプツロースなど）など｝、（Ｅ３−２）二糖類｛トレハロース、サッカロース、マルトース、セロビオース、ゲンチオビオース、ラクトースなど｝、（Ｅ３−３）三糖類（ラフィノース、マルトトリオースなど）など］；（Ｅ４）上記単糖類からなる多糖類およびその誘導体｛例えば、セルロース化合物（メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロースおよびそれらのケン化物など）、ゼラチン、デンプン、デキストリン、キチン、キトサンなど｝；（Ｅ５）糖アルコール（アラビトール、アドニトール、キシリトール、ソルビトール、マンニトール、ズルシトールなど）；（Ｅ６）トリスフェノール（トリスフェノールＰＡなど）；（Ｅ７）ノボラック樹脂（Ｍｗ：１，０００〜１００，０００）（フェノールノボラック、クレゾールノボラックなど）；（Ｅ８）ポリフェノール；（Ｅ９）その他の水酸基を有するポリマー（Ｍｗ：１，０００〜１，０００，０００）［ポリビニルアルコール、アクリルポリオール｛ポリヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートと他のビニルモノマーの共重合物など｝など］、並びにこれらのアルキレンオキシド（炭素数２〜４）付加物（付加モル数１〜７モル）などが挙げられる。また多価アルコール（Ｅ）は単独で使用しても、２種以上併用して使用してもよい。

これらの多価アルコール（Ｅ）の内、金属腐食を防止する効果の高い点から、（Ｅ１）、（Ｅ２）、（Ｅ３）及び（Ｅ５）が好ましく、さらに好ましくはグリセリン、サッカロース及びソルビトールである。

多価アルコール（Ｅ）を使用する場合、（Ｅ）の配合量（重量％）は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、１〜２０が好ましく、さらに好ましくは２〜１０、特に好ましくは３〜７である。

また多価アルコール（Ｅ）は、アルカリ成分（Ｃ）および水を含有した本発明の洗浄剤に添加した場合に、特に優れた金属腐食防止効果を発揮することができる。この場合、（Ｃ）と水の合計重量に対する（Ｃ）の配合量（重量％）は、洗浄性の観点等から、０．１〜５０が好ましく、さらに好ましくは０．５〜４０、特に好ましくは１〜３５である。また、（Ｃ）と（Ｅ）の合計重量に対する（Ｅ）の配合量（重量％）は、金属腐食を防止する観点等から、１０〜９０が好ましく、さらに好ましくは２０〜８０、特に好ましくは３０〜７５である。

本発明の洗浄剤には、本発明の界面活性剤を少なくとも１種を含み、本発明の効果に影響を及ぼさない範囲で公知の分散剤、及び／又は本発明の界面活性剤以外の界面活性剤を併用してもよい。

公知の分散剤の具体例としては、上記例示したポリマー（Ａ２）のアンモニウム塩、アルキルアミン塩（ジメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミンなど）およびアルカノールアミン塩（トリエタノールアミン塩など）；多糖類（ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩、カチオン化デンプンなど）、ポバール、縮合リン酸（メタリン酸、ピロリン酸など）やリン酸エステル｛フィチン酸、ジ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸、トリ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸など｝及びこれらの混合物などが挙げられる。
これらの分散剤を使用する場合、これらの分散剤の配合量（重量％）は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、０．０００１〜１０が好ましい。

本発明の界面活性剤以外の界面活性剤としては、ノニオン性、アニオン性、カチオン性、両性及びこれらの混合物のいずれを用いてもよいが、好ましくはノニオン性、アニオン性界面活性剤である。
ノニオン性界面活性剤としてはアルキルエーテル型、アルキルアリルエーテル型、アルキルチオエーテル型などのエーテル型；アルキルエステル型、ソルビタンアルキルエステル型などのエステル型；ポリオキシアルキレンアルキルアミンなどのアミンとの縮合型；ポリオキシアルキレンアルキルアマイドなどのアミドとの縮合型；ポリオキシエチレンとポリオキシプロピレンをランダムまたはブロック縮合させたプルロニックまたはテトロニック型；ポリエチレンイミン系などの界面活性剤が挙げられる。
アニオン界面活性剤としては、スルホン酸系界面活性剤、硫酸エステル系界面活性剤、リン酸エステル系界面活性剤、脂肪酸系界面活性剤、ポリカルボン酸型の界面活性剤などが挙げられる。
カチオン界面活性剤としてはアミン系界面活性剤、４級アンモニウム塩型の界面活性剤が挙げられる。
両性界面活性剤としては、アミノ酸型；ベタイン型などの界面活性剤が挙げられる。
これら界面活性剤を使用する場合、これらの界面活性剤の配合量（重量％）は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、０．０００１〜１０が好ましい。

本発明における洗浄剤には、本発明の効果を妨げない範囲でその他の添加剤（酸化防止剤、キレート剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、消泡剤、還元剤など）の１種以上を配合してもよい。

酸化防止剤の具体例としては、フェノール系酸化防止剤｛２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノール、２，４−ジメチル−６−ｔ−ブチルフェノールなど｝；アミン系酸化防止剤｛モノオクチルジフェニルアミン、モノノニルジフェニルアミンなどのモノアルキルジフェニルアミン；４，４’−ジブチルジフェニルアミン、４，４’−ジペンチルジフェニルアミンなどのジアルキルジフェニルアミン；テトラブチルジフェニルアミン、テトラヘキシルジフェニルアミンなどのポリアルキルジフェニルアミン；α−ナフチルアミン、フェニル−α−ナフチルアミンなどのナフチルアミンなど｝；硫黄系化合物｛フェノチアジン、ペンタエリスリトール−テトラキス−（３−ラウリルチオプロピオネート）、ビス（３，５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）スルフィドなど｝；リン系酸化防止剤｛ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、フェニルジイソデシルホスフィト、ジフェニルジイソオクチルホスファイト、トリフェニルホスファイトなど｝；などが挙げられる。
これらは１種または２種以上を組み合わせて使用してもよい。これら酸化防止剤を使用する場合、これらの配合量（重量％）は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、０．００１〜１０が好ましい。

キレート剤の具体例としては、アミノポリカルボン酸塩｛エチレンジアミンテトラ酢酸塩（ＥＤＴＡ）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸塩（ＨＥＤＴＡ）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸塩（ＤＨＥＤＤＡ）、ニトリロ酸酢酸塩（ＮＴＡ）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸塩（ＨＩＤＡ）、β−アラニンジ酢酸塩、アスパラギン酸ジ酢酸塩、メチルグリシンジ酢酸塩、イミノジコハク酸塩、セリンジ酢酸塩、ヒドロキシイミノジコハク酸塩、ジヒドロキシエチルグリシン塩、アスパラギン酸塩、グルタミン酸塩など｝；ヒドロキシカルボン酸塩（ヒドロキシ酢酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩、グルコン酸塩など）；シクロカルボン酸塩（ピロメリット酸塩、ベンゾポリカルボン酸塩、シクロペンタンテトラカルボン酸塩など）；エーテルカルボン酸塩（カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸モノサクシネート、酒石酸ジサクシネートなど）；その他カルボン酸塩（マレイン酸誘導体、シュウ酸塩など）；有機カルボン酸（塩）ポリマー｛アクリル酸重合体および共重合体（アクリル酸−アリルアルコール共重合体、アクリル酸−マレイン酸共重合体、ヒドロキシアクリル酸重合体、多糖類（前述）−アクリル酸共重合体など）；多価カルボン酸重合体および共重合体（マレイン酸、イタコン酸、フマル酸、テトラメチレン−１，２−ジカルボン酸、コハク酸、アスパラギン酸、グルタミン酸などのモノマーの重合体および共重合体）、グリオキシル酸重合体、多糖類（デンプン、セルロース、アミロース、ペクチン、カルボキシメチルセルロースなど）；ホスホン酸塩｛メチルジホスホン酸塩、アミノトリスメチレンホスホン酸塩、エチリデンジホスホン酸塩、エチルアミノビスメチレンホスホン酸塩、エチレンジアミンビスメチレンホスホン酸塩など｝；などが挙げられる。
なお、これらの塩としては、アルカリ金属（リチウム、ナトリウム、カリウムなど）塩、アンモニウム塩、アルカノールアミン（モノエタノールアミン、トリエタノールアミンなど）塩などが挙げられる。
これらは１種または２種以上を組み合わせて使用してもよい。これらキレート剤を使用する場合、これらの配合量（重量％）は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて０．０００１〜１０が好ましい。

防錆剤の具体例としては、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、炭素数２〜１０の炭化水素基を有するベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾールなどの含窒素有機防錆剤；ドデセニルコハク酸ハーフエステル、オクタデセニルコハク酸無水物、ドデセニルコハク酸アミドなどのアルキルまたはアルケニルコハク酸；ソルビタンモノオレエート、グリセリンモノオレエート、ペンタエリスリトールモノオレエートなどの多価アルコール部分エステル等を挙げられる。これらは１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
これら防錆剤を使用する場合、これらの配合量（重量％）は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて０．０１〜１０が好ましい。

ｐＨ調整剤の具体例としては、塩酸、硫酸、硝酸などの鉱酸ならびにモノエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルカノールアミン、アンモニアなどの水溶性アミンが挙げられ、金属イオンなどの不純物を実質的に含まないものが好ましい。これらの１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらｐＨ調整剤を使用する場合、これらの配合量（重量％）は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、０．００１〜１０が好ましい。

緩衝剤の具体例としては、緩衝作用を有する有機酸または無機酸および／またはそれらの塩を用いることができる。有機酸としては、酢酸、ギ酸、グルコン酸、グリコール酸、酒石酸、フマル酸、レブリン酸、吉草酸、マレイン酸、マンデル酸などを挙げることができ、無機酸としては、例えばリン酸、ホウ酸などを挙げることができる。また、これらの酸の塩としては、アンモニウム塩やトリエタノールアミン塩などのアルカノールアミン塩などが挙げられる。これらは１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
これら緩衝剤を使用する場合、これらの配合量（重量％）は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて０．１〜１０が好ましい。

消泡剤の具体例としては、シリコーン消泡剤｛ジメチルシリコーン、フルオロシリコーン、ポリエーテルシリコーンなどを構成成分とする消泡剤など｝などが挙げられる。
これら消泡剤を使用する場合、これらの配合量（重量％）は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて０．０００１〜１が好ましい。

還元剤としては、亜硫酸塩（例えば、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸アンモニウムなど）、チオ硫酸塩（例えば、チオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸アンモニウムなど）、アルデヒド（例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒドなど）、リン系還元剤（例えば、トリス‐２‐カルボキシエチルホスフィンなど）、その他の有機系還元剤（例えば、ギ酸、シュウ酸、コハク酸、乳酸、リンゴ酸、酪酸、ピルビン酸、クエン酸、１，４−ナフトキノン−２−スルホン酸、アスコルビン酸、イソアスコルビン酸など）およびそれらの誘導体などがあげられる。
これらは１種または２種以上を組み合わせて使用してもよい。これら還元剤を使用する場合、これらの配合量（重量％）は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて０．１〜１０が好ましい。

本発明の洗浄剤の表面張力（２５℃）（ｄｙｎ／ｃｍ）は、１０〜６５が好ましく、さらに好ましくは１２〜５０、特に好ましくは１５〜４０である。
表面張力は、ＪＩＳ Ｋ３３６２：１９９８の輪環法：対応ＩＳＯ ３０４に従って測定できる。

本発明の洗浄剤中のアルカリ金属（リチウム、ナトリウム、カリウム）またはアルカリ土類金属（マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム）の合計含有量（重量％）は、洗浄剤の重量に基づいて、０．００００００１〜０．１が好ましく、さらに好ましくは０．０００００１〜０．０１、特に好ましくは０．００００１〜０．００１である。本発明の洗浄剤としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属を全く含まないものが最も好ましいが、製造しやすいという点等から、上記の範囲が好ましい。
アルカリ金属およびアルカリ土類金属の測定方法としては、公知の方法、例えば原子吸光法、ＩＣＰ法、ＩＣＰ質量分析法が利用できるが、分析精度の観点から、好ましくはＩＣＰ質量分析法である。

また、本発明の洗浄剤の用途は特に限定はないが、特に各種の電子材料・電子部品などの洗浄、例えば半導体素子、シリコンウェハ、カラーフィルター、電子デバイス用基板（液晶パネル、プラズマ、有機ＥＬなどのフラットパネルディスプレイ、光・磁気ディスク、ＣＣＤ）、光学レンズ、プリント配線基板、光通信用ケーブル、ＬＥＤなどの電子材料・電子部品を製造する工程中、洗浄工程において洗浄剤として特に好適に使用することができる。なかでも、液晶パネル用基板または半導体素子の製造に使用することが好ましい。
また、本発明の洗浄剤の洗浄対象物（汚れ）は、油分、指紋、樹脂、有機パーティクルなどの有機物、無機パーティクル（ガラス粉、砥粒、セラミック粉、金属粉など）などの無機物が挙げられる。

本発明の洗浄剤を用いた電子材料・電子部品の洗浄方法としては、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄、枚葉式洗浄およびこれらの組み合わせによる洗浄方法が適用できる。特に、超音波洗浄法と組み合わせることによって、さらに洗浄効果を発揮することができる。

本発明の洗浄剤は、必要によりさらに水で希釈して使用してもよい。その際に使用する水としては、上記例示した水と同様のものが利用できるが、好ましくはイオン交換水、超純水である。
特に本発明の洗浄剤を電子材料・電子部品などの洗浄工程に使用する場合、本発明の界面活性剤の濃度が１〜５００ｐｐｍになるようにイオン交換水または超純水で希釈して使用することが好ましい。
なお、本発明の洗浄剤を水で希釈して使用する場合、中和塩（ＡＢ１）又は（ＡＢ２）の大部分が水中でそれぞれ酸性化合物（Ａ１）と化合物（Ｂ）、又はポリマー（Ａ２）と化合物（Ｂ）とに解離し、イオンとして存在する。

本発明の洗浄剤を原液または水で希釈して使用する際のｐＨは、酸性化合物（Ａ１）及び／又はポリマー（Ａ２）を化合物（Ｂ）で中和する際の中和率や、使用する添加剤の種類や量によっても異なるが、１〜１２が好ましく、さらに好ましくは２〜１１、特に好ましくは４〜８である。本発明の界面活性剤は、中性領域でも優れたゼータ電位低下能を有するため、特に電子部品など金属腐食が懸念され中性下で洗浄する用途においても、特に優れた効果を発揮することができる。

本発明の界面活性剤は、パーティクル表面のゼータ電位を効果的に下げることができるため、従来の課題であった洗浄工程時におけるパーティクル粒子の基板への再付着を効果的に防ぐことができる。また、実質的にアルカリ金属を含まないため、洗浄後に基板表面にアルカリ金属が残存することが無く、デバイスの信頼性や歩留まりを向上することができるという効果を有する。

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において％は重量％、部は重量部を示す。なお、生成熱変化（Ｑ１）および（Ｑ２）は、富士通株式会社製ＣＡＣｈｅ Ｗｏｒｋｓｙｓｔｅｍ６．０１を用いて計算した。すなわち、分子力場法である「ＭＭ２ ｇｅｏｍｅｔｒｙ」で構造最適化した後、半経験的分子軌道法であるＰＭ３ ｇｅｏｍｅｔｒｙにより、Δ_ｆＨ^ｏ _Ｈ＋Ｂ、Δ_ｆＨ^ｏ _Ｂ、Δ_ｆＨ^ｏ _ＨＸ、Δ_ｆＨ^ｏ _Ｘ−を計算し、上述した計算式に従って（Ｑ１）および（Ｑ２）を求めた。

［実施例１〜２］
垂直に立てた直径３ｃｍ、長さ５０ｃｍのクロマトグラフ管に、陽イオン交換樹脂「アンバーライトＩＲ−１２０Ｂ」（オルガノ株式会社製）を充填したカラムに、２５℃で、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物ナトリウム塩「デモールＮＬ」（花王株式会社製）を固形分含量が１０％となるように調整した水溶液１５０部をカラムの上から少量ずつゆっくり添加した。イオン交換樹脂を通過させた流出液を、再度カラムの上から通した。この操作を、ＩＣＰ（島津製作所株式会社製ＩＣＰＳ−８０００）を用いた流出液のナトリウム含量が１ｐｐｍ未満になるまで、繰り返し行い、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の９％水溶液１００部を得た。
次に温調可能で攪拌装置付属の反応容器に、得られたナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の９％水溶液１００部を仕込み、２５℃に温調、撹拌しながらＤＢＵ（サンアプロ株式会社製；同社の登録商標）６．２部をゆっくり加え、そのまま１０分間攪拌してナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物ＤＢＵ塩（Ｓ１）の１４％水溶液からなる本発明の界面活性剤１０６部を得た（２５℃におけるｐＨ＝６．５）。なお、（Ｓ１）の重量平均分子量は、５０００であった。

［実施例３］
実施例１と同様にしてナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の９％水溶液を得て、温調可能で攪拌装置付属の反応容器に、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の９％水溶液１００部を仕込んだ後、炭酸グアニジン（和光純薬株式会社製）３．７部を加え５０℃で１０分間過熱攪拌してナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物グアニジン塩（Ｓ２）の１１％水溶液からなる本発明の界面活性剤１０３部を得た（２５℃におけるｐＨ＝６．４）。なお、（Ｓ２）の重量平均分子量は、５０００であった。

［実施例４］
ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物ナトリウム塩の代わりにポリスチレンスルホン酸ナトリウム塩「ポリティーＰＳ−１９００」（ライオン株式会社製）を用い、実施例１と同様にしてポリスチレンスルホン酸の９％水溶液１００部を得た。温調可能で攪拌装置付属の反応容器に、ポリスチレンスルホン酸の９％水溶液１００部を仕込んだ後、ＤＢＵ７．４部を加え１０分間２５℃で攪拌してポリスチレンスルホン酸ＤＢＵ塩（Ｓ３）の１５％水溶液からなる本発明の界面活性剤１０７部を得た（２５℃におけるｐＨ＝６．５）。なお、（Ｓ３）の重量平均分子量は、１４０００であった。

［実施例５］
攪拌付き反応容器にナフタレンスルホン酸２１部、超純水を１０部仕込み、３７％ホルムアルデヒド８部を８０℃で３時間かけて滴下した。滴下終了後、１０５℃に昇温して２５時間反応した後、室温（約２５℃）まで冷却して水浴中、２５℃に調整しながらＤＢＵを徐々に加え、ｐＨ６．５に調製した（ＤＢＵ約１５部使用）。超純水を加えて固形分を４０％に調整し、塩（Ｓ４）の水溶液からなる本発明の界面活性剤１００部を得た。なお、（Ｓ４）の重量平均分子量は、５，０００であった。

［実施例６］
温調、還流が可能な攪拌付き反応容器に１，２−ジクロロエタン１００部を仕込み、攪拌下、窒素置換した後に９０℃まで昇温し、エチレンジクロライドを還流させた。スチレン１２０部と予め２，２’−アゾビスイソブチロニトリル１．７部をエチレンジクロライド２０部に溶かした開始剤溶液を、それぞれ別々に６時間かけて反応容器内に滴下し、滴下終了後さらに１時間重合を行った。重合後、窒素シール下で２０℃に冷却した後、温度を２０℃にコントロールしながら無水硫酸１０５部を１０時間かけて滴下し、滴下終了後さらに３時間スルホン化反応させた。スルホン化後、超純水を５００部を加え、攪拌下、水浴中で２０℃に調整しながらＤＢＵ１６７部を徐々に加えた。濾過後、エバポレーターを用いて４０℃、１．３３ｋＰａで溶剤を完全に留去し、さらに超純水を加えて固形分を４０％に調整することで塩（Ｓ５）の水溶液からなる本発明の界面活性剤９００部を得た。なお、（Ｓ５）の重量平均分子量４０，０００、スルホン化率９７％、本界面活性剤のｐＨは６．５であった。

［実施例７］
ＤＢＵの代わりに、ＤＢＮ（サンアプロ株式会社製）を用いる以外は、実施例５と同様にして、固形分を４０％に調整した塩（Ｓ６）の水溶液からなる本発明の界面活性剤１００部を得た。なお、（Ｓ６）の重量平均分子量は、５０００であった。

［実施例８］
ＤＢＵの代わりに、ＴＢＤ（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を用いる以外は、実施例５と同様にして、固形分を４０％に調整した塩（Ｓ７）の水溶液からなる本発明の界面活性剤１００部を得た。なお、（Ｓ７）の重量平均分子量は、５０００であった。

［実施例９］
ＤＢＵの代わりに、ＭＴＢＤ（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を用いる以外は、実施例５と同様にして、固形分を４０％に調整した塩（Ｓ８）の水溶液からなる本発明の界面活性剤１００部を得た。なお、（Ｓ８）の重量平均分子量は、５０００であった。

［実施例１０］
ＤＢＵの代わりに、ＤＢＮを用いる以外は、実施例６と同様にして、固形分を４０％に調整した塩（Ｓ９）の水溶液からなる本発明の界面活性剤１００部を得た。なお、（Ｓ９）の重量平均分子量は、４００００であった。

［実施例１１］
ＤＢＵの代わりに、炭酸グアニジンを用いる以外は、実施例６と同様にして、固形分を４０％に調整した塩（Ｓ１０）の水溶液からなる本発明の界面活性剤１００部を得た。なお、（Ｓ１０）の重量平均分子量は、４００００であった。

［実施例１２〜１３］
温調可能で攪拌装置付属の反応容器に、ドデシルベンゼンスルホン酸（東京化成株式会社製、ＨＬＢ：７．４）の１０％水溶液１００部を仕込み、２５℃に温調、撹拌しながらＤＢＵ４．７部をゆっくり加え、そのまま１０分間攪拌してドデシルベンゼンスルホン酸ＤＢＵ塩（Ｓ１１）の１４％水溶液からなる本発明の界面活性剤１０５部を得た（２５℃におけるｐＨ＝６．５）。

［実施例１４］
攪拌装置付属の反応容器に、ドデシルベンゼンスルホン酸の１．６％水溶液１００部を仕込み、５０℃に５分間加熱攪拌しながら溶解させた。次に炭酸グアニジン０．４４部を５０℃で加熱攪拌しながら少量ずつゆっくり添加した。二酸化炭素の発生が無くなるまで約１５分加熱攪拌を続け、ドデシルベンゼンスルホン酸グアニジン塩（Ｓ１２）の１．９％水溶液からなる本発明の界面活性剤１００部を得た（２５℃におけるｐＨ＝６．５）。

［実施例１５］
ＤＢＵのかわりにＥｔ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）_２］_２Ｎ（ＣＨ_３）_２（Ｆｌｕｋａ社製）の１０％水溶液１１２部を用いる以外は実施例１２と同様にしてドデシルベンゼンスルホン酸ホスファゼン塩（Ｓ１３）の１０％水溶液からなる本発明の界面活性剤２１２部を得た（２５℃におけるｐＨ＝６．８）。

［比較例１〜２］
実施例１と同様にしてナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の９％水溶液を得て、温調可能で攪拌装置付属の反応容器に、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の９％水溶液１００部を仕込んだ後、アンモニア水（１０％）（和光純薬株式会社製）６．９部を加え５０℃で１０分間過熱攪拌してナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物アンモニウム塩（Ｔ１）の９％水溶液からなる比較用の界面活性剤１０２部を得た（２５℃におけるｐＨ＝５．２）。

［比較例３］
実施例４と同様にしてポリスチレンスルホン酸の９％水溶液１００部を得た後、温調可能で攪拌装置付属の反応容器に、ポリスチレンスルホン酸の９％水溶液１００部を仕込み、アンモニア水（１０％）（和光純薬株式会社製）８．２部を加え１０分間２５℃で攪拌してポリスチレンスルホン酸アンモニウム塩（Ｔ２）の９％水溶液からなる比較用の界面活性剤１０８部を得た（２５℃におけるｐＨ＝４．１）。

［比較例４］
ドデシルベンゼンスルホン酸の１０％水溶液１００部の代わりにオレイン酸（東京化成株式会社製）の８．７％水溶液１００部を用いる以外は実施例１２と同様にして、オレイン酸ＤＢＵ塩（Ｔ３）の１３％水溶液からなる比較用の界面活性剤１０５部を得た（２５℃におけるｐＨ＝１０．４）。

［比較例５］
ドデシルベンゼンスルホン酸の１０％水溶液１００部の代わりにミリスチン酸（東京化成株式会社製）の７．０％水溶液１００部を用いる以外は実施例１２と同様にして、ミリスチン酸ＤＢＵ塩（Ｔ４）の１１％水溶液からなる比較用の界面活性剤１０５部を得た（２５℃におけるｐＨ＝１０．２）。

［比較例６］
ドデシルベンゼンスルホン酸の１０％水溶液１００部の代わりにミリスチン酸の７．０％水溶液１００部を用い、ＤＢＵ４．７部の代わりにＤＢＮ３．８を用いる以外は実施例１２と同様にして、ミリスチン酸ＤＢＮ塩（Ｔ５）の１０％水溶液からなる比較用の界面活性剤１０４部を得た（２５℃におけるｐＨ＝１０．０）。

［比較例７］
ＤＢＵ４．７部の代わりに１０％アンモニア水５．２部を用いる以外は実施例１２と同様にして、ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウム（Ｔ６）の１０％水溶液からなる比較用の界面活性剤１０５部を得た（２５℃におけるｐＨ＝４．２）。

実施例で得た界面活性剤及び比較例で得た界面活性剤を用いて、それぞれに含まれる塩（Ｓ１）〜（Ｓ１３）及び（Ｔ１）〜（Ｔ６）の濃度を表１に示した濃度になるように超純水（オルガノ株式会社製「ＰＵＲＩＣ−ＭＸ２」で得られる比抵抗値が１８ＭΩ以上の水）で希釈して、本発明の洗浄液を調製し、以下の評価をし、表１に示した。また、超純水のみについても同様の試験を行った（比較例８）。

＜ゼータ電位＞
電気泳動光散乱光度計（大塚電子株式会社製、ＥＬＳ−８００）によりパーティクルのゼータ電位の測定を行った。電気泳動法で表面電荷をもつパーティクルが移動する速度を測定し、移動速度からｓｍｏｌｕｃｈｏｗｓｋｉの方法によってゼータ電位を算出した。
超純水が９９９ｍＬ入った１リットル容のポリエチレン製容器に体積平均粒径２．０μｍのポスチレンラテックス（Ｄｕｋｅ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製、Ｃａｔａｌｏｇ Ｎｏ．４２０２、０．５重量％、ＣＶ １．１％）を１ｍＬ添加・攪拌し、ポリスチレンラテックスを１，０００倍に希釈した分散液を得た。１００ｍＬのビーカー中で、このポリスチレンラテックスの希釈分散液４０ｍＬと表１に示した洗浄剤１０ｍＬとを均一混合して、混合液（５０ｍＬ）を得た。
また、洗浄剤を超純水に変更した以外、上記と同様にして混合液（５０ｍＬ）を得た（比較例８）。
これらの混合液を用いて２５℃におけるゼータ電位を計測した。

＜微粒子付着数＞
４インチシリコンウェハを０．５％ＨＦ水溶液１リットルが入った１リットル容のビーカーに２５℃、１０分間浸漬して自然酸化膜を除去し、超純水１リットルが入った１リットルのビーカーに２５℃、１分間浸漬しリンスした。
次に１リットルのビーカー中で前記のポリスチレンラテックス１ｍＬに表１に示した洗浄剤９９９ｍＬを配合して混合液（１，０００ｍＬ）を得た。
また、洗浄剤を超純水に変更した以外、上記と同様にして混合液（１，０００ｍＬ）を得た（比較例８）。
これらの混合液に、上記洗浄したシリコンウェハを２５℃で１０分間浸漬した。その後、超純水１リットルが入った１リットルのビーカーに１分間浸漬、取り出し、自然乾燥した後、レーザー表面検査装置（トプコン株式会社製、ＷＭ−２５００）を使ってシリコンウェハ表面に付着したパーティクル数を測定した。

＜泡立ち＞
表１に示す洗浄剤を、２５℃でＲｏｓｓ＆Ｍｉｌｅｓ法（日本工業規格ＪＩＳ Ｋ３３６２：１９９８、８．５ 気泡力と泡の安定度；対応ＩＳＯ ６９６）により起泡直後、および５分後の泡の高さ（ｍｍ）を測定した。
また洗浄剤を超純水に変更した以外、上記と同様にして測定した（比較例８）。

＜表面張力＞
表１に示す洗浄剤を、２５℃で輪環法（日本工業規格ＪＩＳ Ｋ３３６２：１９９８、８．４．２輪環法；対応ＩＳＯ ３０４）により表面張力（ｄｙｎｅ／ｃｍ）を測定した。
また洗浄剤を超純水に変更した以外、上記と同様にして測定した（比較例８）。

［実施例１６〜２０］、［比較例９〜１４］
表２に記載の各成分（記載の配合量：重量％）を、１Ｌのビーカー中で室温（約２０℃）で均一撹拌・混合して実施例１６〜２０および比較例９〜１４の洗浄剤を作製した。
表２中の略号は下記の通りである。
Ｃ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
Ｄ−１：ジエチレングリコールモノメチルエーテル
Ｄ−２：プロピレングリコール
Ｅ−１：グリセリン
Ｅ−２：ソルビトール

実施例１６〜２０および比較例９〜１４で得られた洗浄剤の１０倍量の超純水で予め希釈してゼータ電位、微粒子付着数、泡立ちを評価した。また、表面張力については、希釈前の洗浄剤を用いて評価を行った。評価結果を表２に示す。
なお、洗浄後の基板表面の油汚れの除去性を示す水の接触角を次の方法で測定した。

＜接触角測定＞
洗浄剤１００ｍｌをガラス製ビーカー（２００ｍｌ）にとり、これを５０℃の恒温槽に１０分間漬けて温調した後、この洗浄剤中に洗浄前の液晶パネル用無アルカリガラス基板（コーニング社製「Ｃｏｒｎｉｎｇ１７３７」、大きさ３ｃｍ×３ｃｍ、厚さ０．７ｍｍ）を基板全面を完全に浸かるまで浸漬し、１０分間静置した。１０分後、ガラス基板を取り出し、軽く振って表面に付着した洗浄液を液切りした後、超純水５００ｍｌ（１，０００ｍｌビーカー）中で、室温（約２０℃）下で１０秒間振り洗いを行ってリンスした。リンス後、取り出した基板を窒素ブローにより基板表面に付着した水分を除去し乾燥した（室温、約３０秒間）。乾燥した基板を全自動接触角計（協和界面科学（株）社製、ＰＤ−Ｗ）を用いて、１秒後の水に対する接触角を測定した。
また、洗浄剤を超純水に変更した以外、上記と同様にして測定した（比較例８）。
なお、洗浄前のガラス基板表面の接触角は、７５°であった。

表１および表２の結果から、本発明の界面活性剤を用いた洗浄剤はパーティクルのゼータ電位を効果的に低下させることができ、その結果、ウエハ当たりの付着粒子数を減少させることができた。このことから、洗浄時におけるシリコンウェハへのパーティクルの再付着防止に効果があることがわかった。また表１中の実施例１〜１１の結果から、特に中和塩（ＡＢ２）からなる本発明の界面活性剤は低泡性に非常に優れ、洗浄時に問題となる起泡によるトラブルがないといった効果も奏することがわかった。さらに表２の結果から、本発明の洗浄剤は、短時間でガラス基板表面の水の接触角が下がったことから、基板表面についた油性の汚れを速やかに除去する効果があることがわかった。

本発明の洗浄剤は、被洗浄物から剥がれた汚れの再付着防止効果に優れているため、半導体素子、シリコンウェハ、カラーフィルター、電子デバイス用基板（液晶パネル、プラズマ、有機ＥＬなどのフラットパネルディスプレイ、光・磁気ディスク、ＣＣＤ）、光学レンズ、プリント配線基板、光通信用ケーブル、ＬＥＤなどの電子部品を製造する工程の洗浄剤として有効に使用することができる。

Claims (29)

1. 中和塩（ＡＢ２）からなることを特徴とする界面活性剤。
   中和塩（ＡＢ２）：分子内に少なくとも１つの酸基（Ｘ２）を有するポリマー（Ａ２）と、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌである窒素含有塩基性化合物（Ｂ）との中和塩であって、
   前記酸基（Ｘ２）の酸解離反応における生成熱変化（Ｑ１）が３〜２００ｋｃａｌ／ｍｏｌであり、
   前記中和塩（ＡＢ２）の重量平均分子量が１，０００〜１，０００，０００であることを特徴とする中和塩。
2. 前記ポリマー（Ａ２）は、スルホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−１）を用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ａ２−１−１）、ポリマー反応によりスルホン酸基を導入して得られるポリマー（Ａ２−１−２）、又は、分子内にスルホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−１）を用いてホルムアルデヒドとの重縮合反応によって得られるポリマー（Ａ２−１−３）のいずれかである請求項１に記載の界面活性剤。
3. 化合物（Ｂ）が、分子内に少なくとも１つのグアニジン骨格を有する化合物（Ｂ−１）、分子内に少なくとも１つのアミジン骨格を有する化合物（Ｂ−２）、および分子内に少なくとも１つのＮ＝Ｐ−Ｎ骨格有する化合物（Ｂ−３）からなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１又は２に記載の界面活性剤。
4. 化合物（Ｂ）が、プロトンスポンジ誘導体（Ｂ−４）である請求項１〜３のいずれか１項記載の界面活性剤。
5. 化合物（Ｂ−１）がグアニジン、１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１，２−ａ］ピリミジン及び１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−１−メチル−２Ｈ−ピリミド［１，２−ａ］ピリミジンからなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項３記載の界面活性剤。
6. 化合物（Ｂ−２）が１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７および／または１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５である請求項３記載の界面活性剤。
7. 化合物（Ｂ−３）がホスファゼン化合物である請求項３記載の界面活性剤。
8. 化合物（Ｂ）の分子体積（ｎｍ ^３ ）が０．０２５〜０．７である請求項１〜７のいずれか１項記載の界面活性剤。
9. 酸基（Ｘ２）が、スルホン酸基、硫酸基、リン酸基、ホスホン酸基、およびカルボキシル基からなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１〜８のいずれか１項記載の界面活性剤。
10. 中和塩（ＡＢ１）からなることを特徴とする界面活性剤。
    中和塩（ＡＢ１）：酸解離反応における生成熱変化（Ｑ１）が３〜２００ｋｃａｌ／ｍｏｌである酸の酸基（Ｘ１）と炭素数が８〜２４の疎水基（Ｙ）とをそれぞれ少なくとも１つ有する酸性化合物（Ａ１）と、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌである窒素含有塩基性化合物（Ｂ）との中和塩であって、
    （Ｘ１）がスルホン酸基、硫酸基、リン酸基、ホスホン酸基、カルボキシメチルオキシ基、カルボキシエチルオキシ基、（ジ）カルボキシメチルアミノ基、（ジ）カルボキシエチルアミノ基、式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
    化合物（Ｂ）が、分子内に少なくとも１つのＮ＝Ｐ−Ｎ骨格有する化合物（Ｂ−３）及びプロトンスポンジ誘導体（Ｂ−４）からなる群より選ばれる少なくとも１種である中和塩
    −Ｃ（Ｈ） _ａ （Ｗ） _ｂ −ＣＯＯＨ （１）
    −Ａｒ（Ｗ） _ｃ −ＣＯＯＨ （２）
    Ｗはニトロ基、シアノ基、トリハロメチル基、ホルミル基、アセチル基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アンモニオ基又はハロゲン原子、Ａｒは炭素数５〜１４のアリール基、ａは０又は１、ｂは１又は２、ｃは１〜８の整数を表し、アルキルオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基におけるアルキルの炭素数は１〜３である。
11. 中和塩（ＡＢ１）が式（９）を満たしてなる請求項１０に記載の界面活性剤。
    ０．０１≦｛Ｑ２／（Ｑ１×ｎ）｝≦３．０ （９）
    ｛ｎは（Ｂ）の窒素原子の個数｝
12. 酸性化合物（Ａ１）のＨＬＢ値が５〜３０である請求項１０又は１１に記載の界面活性剤。
13. 化合物（Ｂ−３）がホスファゼン化合物である請求項１０〜１２のいずれか１項記載の界面活性剤。
14. 化合物（Ｂ）の分子体積（ｎｍ ^３ ）が０．０２５〜０．７である請求項１０〜１３のいずれか１項記載の界面活性剤。
15. 中和塩（ＡＢ１）からなることを特徴とする界面活性剤。
    中和塩（ＡＢ１）：酸解離反応における生成熱変化（Ｑ１）が３〜２００ｋｃａｌ／ｍｏｌである酸の酸基（Ｘ１）と炭素数が８〜２４の疎水基（Ｙ）とをそれぞれ少なくとも１つ有する酸性化合物（Ａ１）と、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌである窒素含有塩基性化合物（Ｂ）との中和塩であって、
    （Ｘ１）がスルホン酸基、硫酸基、リン酸基、ホスホン酸基、カルボキシメチルオキシ基、カルボキシエチルオキシ基、（ジ）カルボキシメチルアミノ基、（ジ）カルボキシエチルアミノ基、式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
    化合物Ｂが、分子内に少なくとも１つのアミジン骨格を有する化合物（Ｂ−２）である中和塩
    −Ｃ（Ｈ） _ａ （Ｗ） _ｂ −ＣＯＯＨ （１）
    −Ａｒ（Ｗ） _ｃ −ＣＯＯＨ （２）
    Ｗはニトロ基、シアノ基、トリハロメチル基、ホルミル基、アセチル基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アンモニオ基又はハロゲン原子、Ａｒは炭素数５〜１４のアリール基、ａは０又は１、ｂは１又は２、ｃは１〜８の整数を表し、アルキルオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基におけるアルキルの炭素数は１〜３である。
16. 中和塩（ＡＢ１）が式（９）を満たしてなる請求項１５に記載の界面活性剤。
    ０．０１≦｛Ｑ２／（Ｑ１×ｎ）｝≦３．０ （９）
    ｛ｎは（Ｂ）の窒素原子の個数｝
17. 酸性化合物（Ａ１）のＨＬＢ値が５〜３０である請求項１５又は１６に記載の界面活性剤。
18. 化合物（Ｂ−２）が１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７および／または１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５である請求項１５〜１７のいずれか１項記載の界面活性剤。
19. 化合物（Ｂ）の分子体積（ｎｍ ^３ ）が０．０２５〜０．７である請求項１５〜１８のいずれか１項記載の界面活性剤。
20. 中和塩（ＡＢ１）からなることを特徴とする電子材料・電子部品洗浄用界面活性剤。
    中和塩（ＡＢ１）：酸解離反応における生成熱変化（Ｑ１）が３〜２００ｋｃａｌ／ｍｏｌである酸の酸基（Ｘ１）と炭素数が８〜２４の疎水基（Ｙ）とをそれぞれ少なくとも１つ有する酸性化合物（Ａ１）と、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌである窒素含有塩基性化合物（Ｂ）との中和塩であって、
    （Ｘ１）がスルホン酸基、硫酸基、リン酸基、ホスホン酸基、カルボキシメチルオキシ基、カルボキシエチルオキシ基、（ジ）カルボキシメチルアミノ基、（ジ）カルボキシエチルアミノ基、式（１）で表される基及び式（２）で表される基からなる群より選ばれる少なくとも１種である中和塩
    −Ｃ（Ｈ） _ａ （Ｗ） _ｂ −ＣＯＯＨ （１）
    −Ａｒ（Ｗ） _ｃ −ＣＯＯＨ （２）
    Ｗはニトロ基、シアノ基、トリハロメチル基、ホルミル基、アセチル基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アンモニオ基又はハロゲン原子、Ａｒは炭素数５〜１４のアリール基、ａは０又は１、ｂは１又は２、ｃは１〜８の整数を表し、アルキルオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基におけるアルキルの炭素数は１〜３である。
21. 請求項１〜１９のいずれか１項記載の界面活性剤を含む洗浄剤。
22. さらに、アルカリ成分（Ｃ）を含んでなる請求項２１に記載の洗浄剤。
23. アルカリ成分（Ｃ）が一般式（１７）で示される有機アルカリ（Ｃ１）である請求項２２記載の洗浄剤。
    

    

    〔式中、Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ およびＲ ^４ は、それぞれ炭素数１〜２４の炭化水素基または−（Ｒ ^５ Ｏ） _ｐ −Ｈで表される基であり、Ｒ ^５ は炭素数２〜４のアルキレン基、ｐは１〜６の整数を表す。〕
24. さらに、水溶性有機溶剤（Ｄ）および水からなる群より選ばれる少なくとも１種を含有してなる請求項２１〜２３のいずれか１項記載の洗浄剤。
25. さらに、３〜２，０００価の多価アルコール（Ｅ）を含有してなる請求項２１〜２４のいずれか１項記載の洗浄剤。
26. さらに、ノニオン性界面活性剤及び／又は本発明以外のアニオン性界面活性剤を含有してなる請求項２１〜２５のいずれか１項記載の洗浄剤。
27. 電子材料・電子部品の製造工程中、洗浄工程における洗浄剤として使用される請求項２１〜２６のいずれか１項記載の洗浄剤。
28. 請求項２１〜２７のいずれか１項記載の洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄および枚葉式洗浄からなる群より選ばれる少なくとも１種によって洗浄する工程を含む電子材料・電子部品の製造方法。
29. 電子材料・電子部品が液晶パネル用基板または半導体素子である請求項２８に記載の製造方法。