CN103619982B - 研磨液用中和盐、电子材料用研磨液、研磨方法和电子材料的制造方法 - Google Patents

研磨液用中和盐、电子材料用研磨液、研磨方法和电子材料的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及在使用研磨垫来研磨电子材料中间体的工序中使用的特定中和盐(AB)、含有该中和盐(AB)的电子材料用研磨液、使用该电子材料用研磨液来研磨电子材料中间体的研磨方法、以及包括利用该研磨方法来研磨电子材料中间体的工序的电子材料的制造方法。此处，中和盐(AB)为酸性化合物(A)与含氮碱性化合物(B)的盐，所述酸性化合物(A)在分子内具有至少1个酸基(X)，所述含氮碱性化合物(B)在质子加成反应中的生成热变化(Q2)为10kcal/mol～152kcal/mol，上述酸基(X)在酸解离反应中的生成热变化(Q1)为3kcal/mol～200kcal/mol。与以往的研磨液相比，本发明具有下述效果：刮痕等基板缺陷少，并且在清洗工序中容易除去研磨屑，进而在研磨工序中的研磨速度的持续性优异。

Description

研磨液用中和盐、电子材料用研磨液、研磨方法和电子材料的制造方法
技术领域
本发明涉及在研磨工序中使用的中和盐、含有该中和盐的电子材料用研磨液、使用该电子材料用研磨液来研磨电子材料中间体的研磨方法、以及包括利用该研磨方法来研磨电子材料中间体的工序的电子材料的制造方法。
进一步详细地说，本发明涉及中和盐，该中和盐用于电子材料制造工序中的研磨工序，与以往相比，研磨速度的持续性良好且电子材料的表面品质提高，本发明还涉及含有该中和盐的电子材料用研磨液、使用该电子材料用研磨液来研磨电子材料中间体的研磨方法、以及包括利用该研磨方法来研磨电子材料中间体的工序的电子材料的制造方法。
背景技术
电子材料特别是磁盘每年都不断地向小型化、高容量化发展，磁头与磁盘基板间的距离变得越来越小。因此，要求一种基板，其在磁盘基板的制造中在研磨工序后立即进行的清洗工序中尽可能不会产生研磨中使用的研磨颗粒及所产生的研磨屑等颗粒的残留。并且，近年来，一直要求减少刮痕、凹坑、表面波纹度、塌边(ダレ)等表面缺陷。并且，为了应对近年来旺盛的需求，不仅是上述的基板品质，而且还要求生产更加效率化，具体来说强烈要求研磨速度的持续性。
磁盘制造工序包括：磨光(ラッピング)工序、即将基板用板进行倒角加工的工序；基片(サブストレート)制造工序、即制作出平坦化的基板的工序；以及介质工序、即将磁性层形成于该基板上的工序。
这些之中，在磨光工序中，为了粗略地对基板进行倒角，使用利用树脂将金刚石等磨石固定而成的研磨垫和研磨液，对基板的主表面和端面进行研磨，在随后的清洗工序中除去基板的主表面和端面的研磨屑，然后经过干燥工序，将加工后的基板传输至基片制造工序。
并且，在基片制造工序中，为了基板的平坦化，利用研磨垫和含有胶态二氧化硅、氧化铈等研磨颗粒的研磨液进行研磨，在随后的清洗工序中除去基板表面的研磨颗粒及所产生的研磨屑等颗粒，然后经过干燥工序，加工后的基板被包装在规定的容器中，传输至介质工序。
研磨液中的研磨颗粒及所产生的研磨屑非常细，因此容易凝集，这些凝集物在研磨基板的工序中有时对基板的表面品质产生影响。例如，在这些凝集物和基板之间产生阻力，有时会在基板上产生刮痕。基板上产生的刮痕会导致例如后面的介质工序中的磁性膜与基板的密合不良，会成为阻碍磁盘高容量化的一个因素。
因此，为了减少上述的刮痕产生及抑制研磨速度的下降，以往提出了含有苯并三唑等唑类或马来酸等的研磨液(例如专利文献1、2)。
并且，为了研磨速度的持续性提高，提出了含有芳香族磺酸盐的研磨液(例如专利文献3)。
而且，为了减少颗粒在基板表面上的附着，以往提出了含有羟基乙基纤维素的研磨液(例如专利文献4)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-92064号公报
专利文献2：日本特开2005-138197号公报
专利文献3：日本特开平08-109389号公报
专利文献4：日本特开平11-116942号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是，利用专利文献1～4所代表的以往的研磨液，对研磨中的刮痕产生和颗粒的附着等的抑制效果并不充分，不能应对用于实现高容量化所容许的基板品质。并且，专利文献2的研磨液虽然在研磨速度的持续性上具有若干效果，但并不充分，并且研磨后的基板品质也不能得到满足。
因此，本发明的目的是提供一种在电子材料制造工序中的研磨工序中与以往的研磨液相比刮痕等基板缺陷少、且在随后的清洗工序中能容易除去由研磨所产生的研磨屑、进而研磨工序中的研磨速度能够得到持续的材料；包含该材料的电子材料用研磨液；使用该电子材料用研磨液来研磨电子材料中间体的研磨方法；以及包括利用该研磨方法来研磨电子材料中间体的工序的电子材料的制造方法。
解决课题的手段
本发明人为了实现上述目的进行了研究，结果完成了本发明。
即，本发明涉及在使用研磨垫来研磨电子材料中间体的工序中所使用的特定中和盐(AB)、含有该中和盐(AB)的电子材料用研磨液、使用该电子材料用研磨液来研磨电子材料中间体的研磨方法、以及包括利用该研磨方法来研磨电子材料中间体的工序的电子材料的制造方法。
此处，中和盐(AB)为酸性化合物(A)与含氮碱性化合物(B)的盐，所述酸性化合物(A)在分子内具有至少1个酸基(X)，所述含氮碱性化合物(B)在质子加成反应(プロトン付加反応)中的生成热变化(Q2)为10kcal/mol～152kcal/mol，上述酸基(X)在酸解离反应中的生成热变化(Q1)为3kcal/mol～200kcal/mol。
发明效果
研磨工序中所使用的本发明的中和盐具有显著降低在研磨工序中产生于被研磨物表面的表面缺陷的效果。并且，还具有如下效果：减少研磨中的颗粒的附着、在随后的清洗工序中容易将上述颗粒从基板上除去。而且，与以往的研磨液相比，含有该中和盐的电子材料用研磨液除了具有上述效果外，在研磨速度的持续性方面也优异。因此，能够稳定制造刮痕或凹坑等表面缺陷和/或颗粒的残留少的电子材料。
具体实施方式
本发明的中和盐为在使用研磨垫来研磨电子材料中间体的工序中所使用的特定中和盐(AB)。此处，中和盐(AB)为酸性化合物(A)与含氮碱性化合物(B)的盐，所述酸性化合物(A)在分子内具有至少1个酸基(X)，所述含氮碱性化合物(B)在质子加成反应中的生成热变化(Q2)为10kcal/mol～152kcal/mol，上述酸基(X)在酸解离反应中的生成热变化(Q1)为3kcal/mol～200kcal/mol。
本发明中的电子材料只要是通过在制造工序中包括使用研磨垫进行研磨的工序的工序进行制造的电子材料，就没有特别限定。
可以举出例如(1)硬盘用玻璃基板或表面镀覆有镍-磷(Ni-P)的硬盘用铝基板等磁盘用基板；(2)半导体元件或硅晶片等半导体基板；(3)SiC基板、GaAs基板、GaN基板、AlGaAs基板等化合物半导体基板；(4)LED用等的蓝宝石基板；等等。
这些之中，从提高生产效率的角度出发，优选为磁盘用基板，具体来说为硬盘用玻璃基板或表面镀覆有镍-磷(Ni-P)的硬盘用铝基板。
电子材料中间体是指，成为电子材料之前的状态的被研磨物，例如为硬盘用玻璃基板的情况下，其是指磨光前的玻璃基板、用氧化铈等粗研磨前的玻璃基板、用胶态二氧化硅等精细研磨前的玻璃基板等，这意味着研磨加工前的电子材料全部为电子材料中间体。
本发明的研磨工序是指，使用磨石或研磨颗粒将材料加工成平坦的工序，例如包括使用固定有磨石的研磨垫进行粗略倒角的磨光工序、使用研磨颗粒精细地进行平坦化的研磨工序。
本发明的研磨垫是聚氨酯树脂制或聚酯树脂制的垫，包括表面固定有金刚石等磨石的垫。并且，可以为发泡型，也可以为绒面(スエード)型，可以使用各种硬度的研磨垫。对于这些研磨垫没有特别限定，可以使用市售的研磨垫。
研磨垫在上述的进行粗略倒角加工的磨光工序、使用研磨颗粒精细地进行平坦化的研磨工序中贴附于研磨装置的固定盘上进行使用。
本发明中的中和盐(AB)的特征在于，其由酸性化合物(A1)与化合物(B)的中和盐(AB1)和/或作为酸性化合物的聚合物(A2)与化合物(B)的中和盐(AB2)构成。
中和盐(AB1)为酸性化合物(A1)与化合物(B)的中和盐，所述酸性化合物(A1)分别具有至少一个酸基(X1)和碳原子数为1～36的疏水基(Y)，所述酸基(X1)在酸解离反应中的生成热变化(Q1)为3kcal/mol～200kcal/mol，所述化合物(B)在质子加成反应中的生成热变化(Q2)10kcal/mol～152kcal/mol，其中，(X1)为选自由磺酸基、硫酸基、羧基、羧甲氧基、羧乙氧基、(二)羧甲氨基和(二)羧乙氨基组成的组中的至少一种；中和盐(AB2)为聚合物(A2)与化合物(B)的中和盐，所述聚合物(A2)为在分子内具有至少1个酸基(X2)的酸性化合物，所述化合物(B)在质子加成反应中的生成热变化(Q2)为10kcal/mol～152kcal/mol。
酸性化合物(A1)分别具有至少一个酸基(X1)和碳原子数为1～36的疏水基(Y)，所述酸基(X1)在酸解离反应中的生成热变化(Q1)为3kcal/mol～200kcal/mol，聚合物(A2)在分子内具有至少1个酸基(X2)。酸基(X2)在酸解离反应中的生成热变化(Q1)也为3kcal/mol～200kcal/mol。
酸基(X1)、(X2)在酸解离反应中的生成热变化(Q1)是指，在下式(1)所示的酸(HX)的酸解离反应中HX的生成热与X-的生成热之差。
HX→H++X-    (1)
需要说明的是，酸基(X1)在酸解离反应中的生成热变化是将疏水基(Y)假定为氢原子的值。
并且，酸基(X2)在酸解离反应中的生成热变化是将酸基(X2)所结合的聚合物链假定为氢原子的值。
例如，磺酸基(-SO3H)的情况下，是以H-SO3H的形式计算得到的值；硫酸基(-OSO3H)的情况下，是以H-OSO3H的形式计算得到的值；羧基(-COOH)的情况下，是以H-COOH的形式计算得到的值；羧甲氧基(-OCH2COOH)的情况下，是以H-OCH2COOH的形式计算得到的值；羧乙氧基(-OCH2CH2COOH)的情况下，是以H-OCH2CH2COOH的形式计算得到的值；(二)羧甲氨基(-NRCH2COOH或-N(CH2COOH)2)的情况下，是以H-NHCH2COOH的形式计算得到的值；(二)羧乙氨基(-NRCH2CH2COOH或-N(CH2CH2COOH)2)的情况下，是以H-NHCH2CH2COOH的形式计算得到的值。需要说明的是，R表示氢原子或碳原子数为1～24的烷基(甲基、乙基、丙基、丁基、辛基、壬基、癸基、十二烷基等)。
即，生成热变化(Q1)以下式(2)表示。
Q1=ΔfHo HX-ΔfHo X-    (2)
[式中，ΔfHo HX、ΔfHo X-分别依次表示HX、X-在真空中的生成热。]
此处，生成热(ΔfHo)的值可以采用J.Chem.Soc.Perkin Trans.2,p.923(1995)中记载的半经验的分子轨道法(MOPAC PM3法)算出。
该生成热的值例如可以使用富士通株式会社制造的“CAChe Worksystem6.01”以真空中的生成热(25℃)的形式算出。即，该生成热的值通过如下得到：将要计算的分子结构画在“Work Space”上，利用作为分子力场法的“MM2geometry”来进行结构最佳化，然后利用作为半经验的分子轨道法的“PM3geometry”算出，从而得到生成热。
并且，酸基(X1)或(X2)在酸解离反应中的生成热变化(Q1)(kcal/mol、25℃)为3～200，从降低ζ电位的观点等出发，优选为10～150、更优选为15～100、进一步优选为20～80、特别优选为20～65。
作为酸基(X2)，可以举出磺酸基(-SO3H)(Q1=32kcal/mol)、硫酸基(-OSO3H)(Q1=46kcal/mol)、羧基(-COOH)(Q1=21kcal/mol)、羧甲氧基(-OCH2COOH)(Q1=19kcal/mol)、羧乙氧基(-OCH2CH2COOH)(Q1=20kcal/mol)、(二)羧甲氨基(-NRCH2COOH或-N(CH2COOH)2)(Q1=26kcal/mol)、(二)羧乙氨基(-NRCH2CH2COOH或-N(CH2CH2COOH)2)(Q1=20kcal/mol)等。
这些酸基之中，从对颗粒的再附着防止性和工业上易于生产的观点等出发，优选磺酸基、硫酸基或羧基，从防止中和盐(AB2)的水解的观点等出发，进一步优选为磺酸基或羧基。
作为酸基(X1)，可以举出上述示例出的酸基(X2)中的磺酸基、硫酸基、羧基、羧甲氧基、羧乙氧基、(二)羧甲氨基、(二)羧乙氨基等。
这些酸基之中，从对颗粒的再附着防止性和工业上易于生产的观点等出发，优选磺酸基、硫酸基、羧甲氧基或羧乙氧基，从防止中和盐(AB1)的水解的观点等出发，进一步优选磺酸基、羧甲氧基或羧乙氧基，特别优选为磺酸基。
作为酸性化合物(A1)中的疏水基(Y)，包括脂肪族烃基、含芳香环烃基等。
作为脂肪族烃基，包括碳原子数为1～36的烷基、碳原子数为2～36的烯基、碳原子数为3～36的环烷基等(直链状或支链状均可)。
作为烷基，可以举出甲基、乙基、正丙基或异丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基等。
作为烯基，可以举出正丙烯基或异丙烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十一碳烯基、十二碳烯基等。
作为碳原子数为3～36的环烷基，可以举出环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。
作为含芳香环烃基，包含碳原子数为7～36的芳香族烃等，可以举出甲基苯基、乙基苯基、正丙基苯基或异丙基苯基、丁基苯基、戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十一烷基苯基、十二烷基苯基、辛基萘基、壬基萘基、十二烷基萘基等。
疏水基(Y)之中，优选脂肪族烃基或含芳香环烃基，进一步优选辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、辛基苯基、壬基苯基、十二烷基苯基、辛基萘基、壬基萘基、十二烷基萘基，特别优选为辛基、壬基、十二烷基、辛基苯基、十二烷基苯基、辛基萘基。
疏水基(Y)的碳原子数为1～36，进一步优选为4～24，特别优选为8～24。这些疏水基的氢原子的一部分或全部可以被其它原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等)或官能团(羟基、氨基、巯基、全氟烷基、羧基、或者含有醚键、酰胺键或酯键的有机基团等)取代，并且，该官能团可以含有1个以上的氧化烯基。
作为酸性化合物(A1)，包括以下的化合物等。
具有磺酸基的化合物(A1-1)
可以举出烷基磺酸(辛基磺酸、癸基磺酸、十二烷基磺酸、十四烷基磺酸、十六烷基磺酸、十八烷基磺酸等)、苯磺酸、烷基苯磺酸(甲苯磺酸、二甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸、二十烷基苯磺酸等)、萘磺酸、磺基琥珀酸、烷基萘磺酸(甲基萘磺酸、十二烷基萘磺酸、二十烷基萘磺酸等)、聚氧化烯烷基醚磺酸(聚氧乙烯辛基醚磺酸、聚氧乙烯月桂基醚磺酸等)、α-烯烃磺酸、烷酰基氨基乙基磺酸等。
具有硫酸基的化合物(A1-2)
可以举出烷基硫酸酯(辛基硫酸酯、癸基硫酸酯、十二烷基硫酸酯、十四烷基硫酸酯、十六烷基硫酸酯、十八烷基硫酸酯等)、聚氧化烯烷基醚硫酸酯(聚氧乙烯辛基醚硫酸酯、聚氧乙烯月桂基醚硫酸酯等)、聚氧化烯烷基芳基醚硫酸酯(聚氧乙烯辛基苯基醚硫酸酯、聚氧乙烯壬基苯基醚硫酸酯等)、酰基酰胺烷基硫酸酯等。
这些之中，优选烷基磺酸、烷基苯磺酸、烷基萘磺酸、磺基琥珀酸、聚氧化烯烷基醚磺酸、聚氧化烯烷基芳基醚磺酸、α-烯烃磺酸、烷酰基氨基乙基磺酸、烷基硫酸酯、聚氧化烯烷基醚硫酸酯、聚氧化烯烷基芳基醚硫酸酯、酰基酰胺烷基硫酸酯，进一步优选烷基磺酸、烷基苯磺酸、烷基萘磺酸、磺基琥珀酸、聚氧化烯烷基醚磺酸、聚氧化烯烷基芳基醚磺酸、α-烯烃磺酸、烷酰基氨基乙基磺酸。
酸性化合物(A1)的HLB值优选为5～30、进一步优选为7～17、更优选为9～16、特别优选为10～15、最优选为10.5～14.5。
需要说明的是，本发明中，HLB值是通过小田法利用下式(3)计算出的值(藤本武彦著，表面活性剂入门(界面活性剤入門)(三洋化成工业株式会社)、p212(2007))。
HLB=10×(无机性/有机性)    (3)
需要说明的是，式中的有机性、无机性是指对构成分子的每个原子和官能团所规定的数值的合计值，可以使用上述文献中所记载的值。
酸性化合物(A1)的pKa优选为8.0以下，从降低ζ电位的观点等出发，进一步优选为7.0以下、特别优选为5.5以下、最优选为3.0以下。并且，该pKa优选为0.5以上。在此，pKa表示第一级的酸解离常数。需要说明的是，pKa可通过公知的方法｛例如，J.Am.Chem.Soc.,1673(1967)｝等得到。
作为具有至少1个酸基(X2)的聚合物(A2)，从对颗粒的再附着防止性的观点等出发，优选具有磺酸基的聚合物(A2-1)、具有硫酸基的聚合物(A2-2)或具有羧基的聚合物(A2-3)，进一步优选具有磺酸基的聚合物(A2-1)或具有羧基的聚合物(A2-3)。
作为具有磺酸基的聚合物(A2-1)，可以举出使用具有磺酸基的不饱和单体(aX-1)通过自由基聚合所得到的聚合物(A2-1-1)、使用分子内具有磺酸基的芳香族化合物(aY-1)通过与甲醛的缩聚反应所得到的聚合物(A2-1-2)等。
作为具有硫酸基的聚合物(A2-2)，可以举出使用具有硫酸基的不饱和单体(aX-2)通过自由基聚合所得到的聚合物(A2-2-1)等。
作为具有羧基的聚合物(A2-3)，可以举出使用具有羧基的不饱和单体(aX-3)通过自由基聚合所得到的聚合物(A2-3-1)等。
在聚合物(A2)中，从颗粒再附着防止性的观点等出发，优选具有羧基的聚合物(A2-3)、具有磺酸基的聚合物(A2-1)，进一步优选(A2-3-1)、(A2-1-1)或(A2-1-2)。
用于本发明的聚合物(A2)可以单独使用，也可以以2种以上的混合物的形式使用。
作为具有磺酸基的不饱和单体(aX-1)，可以举出碳原子数为2～20的脂肪族不饱和磺酸(乙烯基磺酸、(甲基)烯丙基磺酸等)、碳原子数为6～24的芳香族不饱和磺酸(苯乙烯磺酸、对壬基苯乙烯磺酸等)、含磺酸基的(甲基)丙烯酸酯｛2-(甲基)丙烯酰氧基乙烷磺酸、2-(甲基)丙烯酰氧基丙烷磺酸、3-(甲基)丙烯酰氧基丙烷磺酸、2-(甲基)丙烯酰氧基丁烷磺酸、4-(甲基)丙烯酰氧基丁烷磺酸、2-(甲基)丙烯酰氧基-2,2-二甲基乙烷磺酸、对(甲基)丙烯酰氧基甲基苯磺酸等｝、含磺酸基的(甲基)丙烯酰胺｛2-(甲基)丙烯酰氨基乙烷磺酸、2-(甲基)丙烯酰氨基-2,2-二甲基乙烷磺酸等｝等。
这些之中，从聚合性和在水中的耐水解性的观点等出发，优选碳原子数为2～20的脂肪族不饱和磺酸、碳原子数为6～24的芳香族不饱和磺酸或含磺酸基的(甲基)丙烯酰胺，进一步优选乙烯基磺酸、苯乙烯磺酸或2-(甲基)丙烯酰氨基-2,2-二甲基乙烷磺酸。
作为具有硫酸基的不饱和单体(aX-2)，可以举出含羟基单体的硫酸酯等。
这些之中，从聚合性的观点等出发，优选含羟基的(甲基)丙烯酸酯的硫酸酯、进一步优选为(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯或(甲基)丙烯酸-2-羟丙酯的硫酸酯。
作为具有羧基的不饱和单体(aX-3)，可以举出不饱和单羧酸｛(甲基)丙烯酸、乙烯基苯甲酸、烯丙基乙酸、(异)丁烯酸、肉桂酸和丙烯酸2-羧乙酯等｝、不饱和二羧酸或不饱和二羧酸的酸酐｛马来酸(酐)、富马酸、衣康酸(酐)、柠康酸(酐)、中康酸等｝。
这些之中，从聚合性和在水中的耐水解性的观点等出发，优选不饱和单羧酸、不饱和二羧酸或不饱和二羧酸的酸酐，进一步优选(甲基)丙烯酸、马来酸(酐)、富马酸或衣康酸(酐)。
可以在使用不饱和单体通过自由基聚合所得到的聚合物(A2-1-1)～(A2-3-1)上共聚有具有磺酸基的不饱和单体(aX-1)、具有硫酸基的不饱和单体(aX-2)、具有羧基的不饱和单体(aX-3)以外的自由基聚合性不饱和单体。
单体(aX-1)～(aX-3)可以分别单独使用，也可以以2种以上的混合物的形式使用。共聚物的情况下，可以为无规共聚物、嵌段共聚物中的任一结构。
作为聚合物(A2-1-1)的具体例，可以举出聚苯乙烯磺酸、苯乙烯/苯乙烯磺酸共聚物、聚｛2-(甲基)丙烯酰氨基-2,2-二甲基乙烷磺酸｝、2-(甲基)丙烯酰氨基-2,2-二甲基乙烷磺酸/苯乙烯共聚物、2-(甲基)丙烯酰氨基-2,2-二甲基乙烷磺酸/丙烯酰胺共聚物、或者2-(甲基)丙烯酰氨基-2,2-二甲基乙烷磺酸/苯乙烯/丙烯酰胺共聚物等。
作为聚合物(A2-2-1)的具体例，可以举出聚｛(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯硫酸酯｝、丙烯酸-2-羟乙酯/丙烯酸-2-羟乙酯硫酸酯共聚物、甲基丙烯酸-2-羟乙酯/甲基丙烯酸-2-羟乙酯硫酸酯共聚物等。
作为聚合物(A2-3-1)的具体例，可以举出聚(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸/乙酸乙烯酯共聚物、甲基丙烯酸-2-羟乙酯/(甲基)丙烯酸共聚物等。
作为使用不饱和单体通过自由基聚合所得到的聚合物(A2-1-1)～(A2-3-1)的合成方法，可以利用公知的自由基聚合法。例如使用相对于单体为0.1重量%～30重量%的自由基引发剂(过硫酸盐、偶氮二脒基丙烷盐、偶氮二异丁腈等)，将由单体(aX-1)～(aX-3)和根据需要使用的其它自由基聚合性不饱和单体构成的单体在水或醇系溶剂等溶剂中于30℃～150℃的温度进行聚合。根据需要可以使用硫醇等链转移剂。
作为在合成聚合物(A2-1-2)时使用的具有磺酸基的芳香族化合物(aY-1)，可以举出芳基磺酸(苯磺酸等)、烷基(碳原子数为1～24)芳基磺酸(甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸、单丁基联苯磺酸等)、多环芳香族磺酸(萘磺酸、蒽磺酸、羟基萘磺酸、羟基蒽磺酸等)、烷基(碳原子数为1～24)取代多环芳香族磺酸｛烷基(碳原子数为1～24)萘磺酸(甲基萘磺酸、二甲基萘磺酸、异丙基萘磺酸、丁基萘磺酸、辛基萘磺酸、月桂基萘磺酸、二十烷基萘磺酸等)、甲基蒽磺酸、月桂基蒽磺酸、二十烷基蒽磺酸等｝、苯酚磺酸(苯酚磺酸、单丁基苯基苯酚单磺酸、二丁基苯基苯酚二磺酸等)、烷基(碳原子数为1～24)苯酚磺酸(甲酚磺酸、壬基苯酚磺酸、二十烷基苯酚磺酸等)、芳香族氨基磺酸(苯胺磺酸等)、木质素磺酸(木质素磺酸盐、改性木质素磺酸等)、具有三嗪环的含磺酸基化合物(三聚氰胺磺酸等)等。
这些之中，从再附着防止性的观点等方面出发，优选烷基(碳原子数为1～24)芳基磺酸、多环芳香族磺酸、烷基(碳原子数为1～24)取代多环芳香族磺酸，进一步优选十二烷基苯磺酸、萘磺酸、二甲基萘磺酸。
在聚合物(A2-1-2)中，除具有磺酸基的芳香族化合物(aY-1)以外，还可以根据需要将其它芳香族化合物(aO)、脲等作为构成成分。
作为其它芳香族化合物(aO)，可以举出苯、烷基苯(烷基的碳原子数为1～20)、萘、烷基萘(烷基的碳原子数为1～20)、苯酚、甲酚、羟基萘、苯胺等。
作为聚合物(A2-1-2)的具体例，可以举出萘磺酸甲醛缩合物、甲基萘磺酸甲醛缩合物、二甲基萘磺酸甲醛缩合物、辛基萘磺酸甲醛缩合物、萘磺酸-甲基萘-甲醛缩合物、萘磺酸-辛基萘-甲醛缩合物、羟基萘磺酸甲醛缩合物、羟基萘磺酸-甲酚磺酸-甲醛缩合物、蒽磺酸甲醛缩合物、三聚氰胺磺酸甲醛缩合物、苯胺磺酸-苯酚-甲醛缩合物等。
作为聚合物(A2-1-2)的合成方法，可以利用公知的方法。例如可以举出下述方法：将上述具有磺酸基的芳香族化合物(aY-1)以及根据需要使用的其它化合物(aO)、脲、作为催化剂使用的酸(硫酸等)或碱(氢氧化钠等)投入到反应容器中，在70℃～90℃的搅拌下用1～4小时滴加规定量的甲醛水溶液(例如37重量%水溶液)，滴加后，在回流下搅拌3～30小时，然后进行冷却。
另外，作为化合物(aY-1)，使用预先用化合物(B)中和一部分或全部的磺酸基而成的物质，在合成聚合物(A2-1-2)的同时可以直接得到中和盐(AB2)。
使用其它化合物(aO)的情况下，优选(aY-1)与(aO)的摩尔比｛(aY-1)/(aO)｝为1～99/99～1、进一步优选为10～90/90～10、特别优选为30～85/70～15、最优选为50～80/50～20。
使用脲的情况下，(aY-1)与脲的摩尔比｛(aY-1)/脲｝优选为1～99/99～1、进一步优选为10～90/90～10、特别优选为30～85/70～15、最优选为50～80/50～20。
另外，(aY-1)或(aO)可以以2种以上的混合物的形式使用。
聚合物(A2)的pKa优选为8.0以下，从降低ζ电位的观点等出发，进一步优选为7.0以下、特别优选为5.5以下、最优选为3.0以下。pKa可通过上述的方法求出。
从减少刮痕等提高表面品质和低泡性的观点等出发，聚合物(A2)的重均分子量(以下简称为Mw)优选为300～200,000、进一步优选为1,000～100,000。
上述重均分子量为通过凝胶渗透色谱法(以下简称为GPC)以聚环氧乙烷为标准物质在40℃测定的值。例如，可以在下述条件下测定，装置主体：东曹株式会社制造的HLC-8120、柱：东曹株式会社制造的TSKgel G5000PWXL、G3000PW XL、检测器：装置主体内置的差示折射计检测器、洗脱液：0.2M无水硫酸钠、10%乙腈缓冲液、洗脱液流量：0.8ml/分钟、柱温度：40℃、试样：1.0重量%的洗脱液溶液、注入量：100μl、标准物质：东曹株式会社制造的TSK SE-30、SE-15、SE-8、SE-5。
接着，对构成中和盐(AB1)和(AB2)的化合物(B)进行说明。
本发明中，作为化合物(B)，使用在质子加成反应中的生成热变化(Q2)为10kcal/mol～152kcal/mol的物质。
本发明中，质子加成反应中的生成热变化(Q2)是指在下式(4)所示的化合物(B)的质子加成反应中B的生成热与H+B的生成热之差。
B+H+→H+B    (4)
即，Q2以下式(5)表示。
Q2=ΔfHo H+B-ΔfHo B    (5)
[式中，ΔfHo H+B、ΔfHo B分别依次表示H+B、B在真空中的生成热。]
如上所述，生成热(ΔfHo)的值可以采用半经验的分子轨道法(MOPAC PM3法)算出。
需要说明的是，计算H+B的生成热时的加成H+的位置是在化合物(B)所含有的氮原子上。并且，氮原子存在2个以上时，针对各氮原子计算生成热，将B的生成热与H+B的生成热之差为最小时的值设为生成热变化(Q2)。
化合物(B)在质子加成反应中的生成热变化(Q2)(kcal/mol、25℃)为10～152，从降低ζ电位的观点等出发，优选为30～148、进一步优选为40～145、特别优选为50～143、最优选为100～141。
只要化合物(B)在上述的质子加成反应中的生成热变化(Q2)为10kcal/mol～152kcal/mol的范围就没有限制，例如，包括分子内具有至少1个胍骨架的化合物(B-1)、分子内具有至少1个脒骨架的化合物(B-2)等。
化合物(B)的分子体积(nm3)优选为0.025～0.7，从降低ζ电位的观点等出发，进一步优选为0.050～0.5、特别优选为0.12～0.36。
在此，分子体积是指在分子的等电子密度面中形成的空间的体积，其可以由使用作为分子力场法的MM2(Allinger,N.L.,J.Am.Chem.Soc.,99,8127(1977))和作为半经验的分子轨道法的PM3(Stewart,J.J.P.,J.Am.Chem.Soc.,10,221(1989))计算出的最佳化结构而得到。例如，可以使用上述的富士通株式会社制造的“CAChe Worksystem6.01”同样地进行结构最佳化后，通过“Project Leader”以及作为半经验的分子轨道法的“PM3geometry”进行计算。需要说明的是，计算的结果得到多个分子体积的值的情况下，使用最大值。
作为化合物(B-1)的具体例，可以举出胍｛胍(Q2=147kcal/mol、分子体积=0.062nm3)、甲基胍(Q2=144kcal/mol、分子体积=0.084nm3)、四甲基胍(Q2=145kcal/mol、分子体积=0.147nm3)、乙基胍(Q2=142kcal/mol、分子体积=0.104nm3)、苯基胍(Q2=141kcal/mol、分子体积=0.139nm3)等｝、单环式胍[2-氨基-咪唑｛2-氨基-1H-咪唑(Q2=146kcal/mol、分子体积=0.080nm3)、2-二甲氨基-1H-咪唑(Q2=138kcal/mol、分子体积=0.113nm3)等｝]、多环式胍｛1,3,4,6,7,8-六氢-2H-嘧啶并[1,2-a]嘧啶(以下简称为TBD)(Q2=147kcal/mol、分子体积=0.159nm3)、1,3,4,6,7,8-六氢-1-甲基-2H-嘧啶并[1,2-a]嘧啶(以下简称MTBD)(Q2=139kcal/mol、分子体积=0.180nm3)等｝等。
作为化合物(B-2)的具体例，可以举出咪唑｛1H-咪唑(Q2=147kcal/mol、分子体积=0.067nm3)、2-甲基-1H-咪唑(Q2=144kcal/mol、分子体积=0.113nm3)、2-乙基-1H-咪唑(Q2=143kcal/mol、分子体积=0.113nm3)、4,5-二氢-1H-咪唑(Q2=147kcal/mol、分子体积=0.113nm3)、2-甲基-4,5-二氢-1H-咪唑(Q2=147kcal/mol、分子体积=0.113nm3)、2-乙基-4,5-二氢-1H-咪唑(Q2=145kcal/mol、分子体积=0.119nm3)等｝、以下述通式(6)表示的二环式脒等。
【化1】
[式中，R7和R8表示相互独立的氢原子、碳原子数为1～24的烷基、碳原子数为2～24的烯基、碳原子数为2～30的炔基、碳原子数为6～30的芳基、或碳原子数为7～30的芳烷基，烷基、烯基、炔基、芳基或芳烷基中的氢原子的一部分或全部也可以进一步被羟基、氨基、(二)烷基(碳原子数为1～24)氨基、(二)羟基烷基(碳原子数为2～4)氨基、巯基或卤原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子)所取代。并且，2个R7和2个R8可以相同也可以不同，也可以相互键合(碳-碳键、醚键等)形成碳原子数为4～12的环。m和n相互独立地表示1～12的整数。]
作为碳原子数为1～24的烷基或碳原子数为2～24的烯基，可以举出以疏水基(Y)示例出的烷基或烯基之中的碳原子数为1～24的烷基或烯基。
作为碳原子数为2～30的炔基，可以为直链状和支链状中的任一种，可以举出乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、1-十二炔基或2-十二炔基、1-十三炔基或2-十三炔基、1-十四炔基或2-十四炔基、1-十六炔基或2-十六炔基、1-十八炔基或2-十八炔基、1-十九炔基或2-十九炔基、1-二十炔基或2-二十炔基、1-二十四炔基或2-二十四炔基等。
作为碳原子数为6～30的芳基，可以举出苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基或甲基萘基等。
作为碳原子数为7～30的芳烷基，可以举出苄基、2-苯基乙基、3-苯基丙基、4-苯基丁基、5-苯基戊基、6-苯基己基、7-苯基庚基、8-苯基辛基、10-苯基癸基、12-苯基十二烷基、萘基甲基、萘基乙基等。
2个R7或2个R8相互键合形成碳原子数为4～12的环的情况下，2个R7或2个R8形成2价的有机基团(碳原子数为4～12的亚烷基等)。
作为碳原子数为4～12的亚烷基，可以举出亚丁基、亚戊基、亚己基、亚庚基、亚辛基、亚癸基、亚十二烷基等，这些亚烷基也可以经醚键等键合起来。
作为通式(6)表示的化合物的具体例，可以举出1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳烯-7(以下简称为DBU。需要说明的是，DBU是San-Apro公司的注册商标。)(Q2=137kcal/mol、分子体积=0.185nm3)、1,5-二氮杂双环[4.3.0]壬烯-5(以下简称为DBN)(Q2=141kcal/mol、分子体积=0.146nm3)、1,8-二氮杂双环[5.3.0]癸烯-7(Q2=142kcal/mol、分子体积=0.166nm3)、1,4-二氮杂双环[3.3.0]辛烯-4(Q2=146kcal/mol、分子体积=0.126nm3)等。
作为化合物(B)，从ζ电位的观点等出发，优选(B-1)中的胍、甲基胍、乙基胍，(B-2)中的DBU、DBN，进一步优选DBU或DBN。
化合物(B)可以单独使用，也可以以2种以上的混合物的形式使用。
并且，化合物(B)的pKa优选为11～40，从降低ζ电位的观点等出发，进一步优选为11.5～30、特别优选为12～25。
需要说明的是，化合物(B)的pKa可通过公知的方法｛例如，Can.J.Chem.65,626(1987)｝等得到。
本发明中，酸性化合物(A1)与化合物(B)的中和盐(AB1)、聚合物(A2)与化合物(B)的中和盐(AB2)只要酸基(X1)或(X2)的一部分或全部被(B)中和即可。
作为中和盐(AB1)的具体例，包括以下的化合物等。
可以举出烷基苯磺酸盐(甲苯磺酸胍盐、甲苯磺酸DBU盐、甲苯磺酸DBN盐、二甲苯磺酸胍盐、二甲苯磺酸DBU盐、二甲苯磺酸DBN盐、十二烷基苯磺酸胍盐、十二烷基苯磺酸DBU盐、十二烷基苯磺酸DBN盐等)、萘磺酸盐(萘磺酸胍盐、萘磺酸DBU盐、萘磺酸DBN盐等)、烷基萘磺酸盐(甲基萘磺酸胍盐、甲基萘磺酸DBU盐、甲基萘磺酸DBN盐、十二烷基萘磺酸胍盐、十二烷基萘磺酸DBU盐、十二烷基萘磺酸DBN盐等)等。
作为中和盐(AB2)的具体例，包括以下的化合物等。
可以举出聚丙烯酸盐(聚丙烯酸DBU盐、聚丙烯酸DBN盐等)、聚苯乙烯磺酸盐(聚苯乙烯磺酸胍盐、聚苯乙烯磺酸DBU盐、聚苯乙烯磺酸DBN盐等)、萘磺酸甲醛缩合物的盐(萘磺酸甲醛缩合物胍盐、萘磺酸甲醛缩合物DBU盐、萘磺酸甲醛缩合物DBN盐等)、烷基萘磺酸甲醛缩合物的盐(甲基萘磺酸甲醛缩合物胍盐、甲基萘磺酸甲醛缩合物DBU盐、甲基萘磺酸甲醛缩合物DBN盐、甲基萘磺酸甲醛缩合物TBD盐、甲基萘磺酸甲醛缩合物MTBD盐、辛基萘磺酸甲醛缩合物胍盐、辛基萘磺酸甲醛缩合物DBU盐、辛基萘磺酸甲醛缩合物DBN盐等)、萘磺酸-烷基萘-甲醛缩合物的盐(萘磺酸-辛基萘-甲醛缩合物胍盐、萘磺酸-辛基萘-甲醛缩合物DBU盐、萘磺酸-辛基萘-甲醛缩合物DBN盐等)等。(AB1)和(AB2)可以是单独一种，或是2种以上的混合物。
对于中和盐(AB1)，从降低ζ电位的观点等出发，(Q1)与(Q2)之比｛Q2/(Q1×p)｝优选满足式(7)、进一步优选满足式(8)、特别优选满足式(9)、最优选满足式(10)。
0.01≦｛Q2/(Q1×p)｝≦3.0    (7)
0.1≦｛Q2/(Q1×p)｝≦2.5    (8)
0.2≦｛Q2/(Q1×p)｝≦2.3    (9)
0.5≦｛Q2/(Q1×p)｝≦2.2    (10)
[式中，p表示用于中和碱性化合物(B)所需的酸基(X)的个数。]
从减少刮痕等提高表面品质和低泡性的观点等出发，中和盐(AB2)的重均分子量(Mw)优选为1,000～1,000,000、进一步优选为1,000～200,000、特别优选为3,000～100,000。需要说明的是，中和盐(AB2)的Mw与聚合物(A2)同样地为通过GPC得到的值。
本发明的电子材料用研磨液只要含有中和盐(AB1)和(AB2)中的至少1种即可，从减少刮痕等提高表面品质的观点等出发，优选含有中和盐(AB2)。
中和盐(AB1)或(AB2)可以通过酸性化合物(A1)或聚合物(A2)与含氮碱性化合物(B)的中和反应而得到。例如，在能够调温、搅拌的反应容器中投入(A1)和/或(A2)的水溶液，搅拌下在室温(约25℃)投入(B)(根据需要为水溶液)进行均匀混合，从而得到中和盐。另外，例如，通过在预先装有水的反应容器中在搅拌下同时或分别投入(A1)和/或(A2)、以及(B)进行均一混合，也可以得到中和盐。中和反应时的浓度可根据目的进行适宜选择。
本发明的电子材料用研磨液由于酸基(X1)和(X2)的解离度大，因此可以有效降低颗粒和基板的ζ电位，可防止颗粒的再附着。
电子材料用研磨液中的中和盐(AB)的浓度基于研磨液的重量为0.001重量%～10重量%、优选为0.01重量%～5重量%。
对于作为本发明的电子材料用研磨液的必要成分的水，从洁净度的方面出发，优选电阻率为18MΩ·cm以上的纯水，可以举出超纯水、离子交换水、反渗透水(RO水)、蒸馏水等。
本发明的另一实施方式是在使用研磨垫来研磨电子材料中间体的工序中使用的研磨液，是以中和盐(AB)和水为必要成分的电子材料用研磨液。
本发明的电子材料用研磨液中，除了上述的中和盐(AB)、水以外，还可以含有研磨颗粒(C)。通过含有研磨颗粒(C)，可以制造平坦性优异的电子材料。
作为本发明中的研磨颗粒(C)，可以使用电子材料研磨用的市售的研磨颗粒，没有特别限定。作为研磨颗粒(C)的材质，可以举出胶态二氧化硅、氧化铈、氧化铝、氧化锆、金刚石、氧化锰、二氧化钛、碳化硅、氮化硼等，从减少刮痕的效果的方面出发，优选为胶态二氧化硅、氧化铈、氧化铝或金刚石。
研磨颗粒(C)的平均粒径根据使用的研磨颗粒的不同而不同，从电子材料用基板的生产率的角度出发，胶态二氧化硅的情况下，通常优选为5nm～100nm；氧化铈的情况下，优选为0.1μm～3.0μm。
电子材料用研磨液中的研磨颗粒(C)基于研磨液中的重量为0～20重量%、优选为0.5重量%～20重量%。
本发明的电子材料用研磨液中，除了上述的中和盐(AB)、水以外，还可以含有中和盐(AB)以外的表面活性剂(D)。通过含有表面活性剂(D)，本发明的电子材料用研磨液可以用于磨光工序。
作为本发明中的表面活性剂(D)，可以举出非离子型表面活性剂(D1)、除了中和盐(AB)以外的阴离子型表面活性剂(D2)。
作为非离子型表面活性剂(D1)，可以举出碳原子数为8～18的高级醇环氧烷(碳原子数为2～4)加成物(D11)、聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物(D12)、碳原子数为8～36的脂肪族胺的环氧烷加成物(D13)、或多元醇型非离子表面活性剂(D14)等。
作为碳原子数为8～18的高级醇环氧烷(碳原子数为2～4)加成物(D11)，可以举出辛基醇的环氧乙烷加成物、月桂基醇的环氧乙烷加成物、硬脂醇的环氧乙烷加成物等。
作为聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物(D12)，其可以为嵌段型，也可以为无规型。
作为碳原子数为8～36的脂肪族胺的环氧烷加成物(D13)，可以举出碳原子数为8～24的脂肪族伯胺的环氧烷加成物(D131)、或碳原子数为8～36的脂肪族仲胺的环氧烷加成物(D132)等。
碳原子数为8～24的脂肪族伯胺的环氧烷加成物(D131)中的原料脂肪族伯胺为可以具有饱和或不饱和键的碳原子数为8～24的脂肪族伯胺，其可以为直链、支链或环状。
作为脂肪族伯胺的具体例，可以举出月桂胺、辛胺、癸胺、十一烷基胺、十三烷基胺、十四烷基胺、十五烷基胺、十六烷基胺、十七烷基胺、十八烷基胺、十九烷基胺、二十烷基胺、二十一烷基胺、二十二烷基胺、二十三烷基胺、二十四烷基胺、十八碳烯基胺或十八碳二烯胺、以及作为它们的混合物的牛脂胺、固化牛脂胺、椰子油胺、棕榈油胺或大豆油胺等来源于动植物油的脂肪族伯胺。脂肪族伯胺可以使用1种或2种以上的混合物。
碳原子数为8～36的脂肪族仲胺的环氧烷加成物(D132)中的原料脂肪族仲胺为可具有饱和或不饱和键的碳原子数为8～36的脂肪族仲胺，其可以为直链、支链或环状。
作为脂肪族仲胺的具体例，可以举出二辛胺、二丁胺、二己胺、二癸胺、二(十一烷基)胺、二(十二烷基)胺、二(十三烷基)胺、二(十四烷基)胺、二(十五烷基)胺、二(十六烷基)胺、二(十七烷基)胺或二(十八烷基)胺。
脂肪族仲胺可以使用1种或2种以上的混合物。
作为本发明的脂肪族胺的环氧烷加成物(D13)中的原料环氧烷，可以举出碳原子数为2～12的环氧烷，例如环氧乙烷、1,2-环氧丙烷、1,2-环氧丁烷、四氢呋喃以及3-甲基四氢呋喃等。这些之中，从易于获得的角度出发，优选环氧乙烷、1,2-环氧丙烷。这些环氧烷可以仅使用1种，也可以合用两种以上。合用2种以上时，可以为无规，也可以为嵌段。
(D131)或(D132)中的环氧烷的平均加成摩尔数相对于1摩尔胺优选为3摩尔～100摩尔、进一步优选为3摩尔～70摩尔、特别优选为3摩尔～40摩尔。
作为(D131)和(D132)的制造方法，可以利用公知的方法等。
具体地说，可以利用下述方法：在可搅拌的耐压容器中投入上述脂肪族伯胺或脂肪族仲胺，用惰性气体(氮、氩等)充分置换后，在减压下进行脱水，在反应温度约80℃～160℃投入上述环氧烷进行反应。另外，反应时可以根据需要使用公知的催化剂。催化剂可以在反应最初加入，也可以在反应中途加入。
作为催化剂，可以举出不含金属原子的催化剂(四甲基氢氧化铵等季铵氢氧化物、以及四甲基乙二胺或1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳烯-7等叔胺等)和含金属原子的催化剂(氢氧化钠和氢氧化钾等碱金属氢氧化物、碱土金属氢氧化物以及碱土金属氧化物等)。
脂肪族胺的环氧烷加成物(D13)在实际使用时的浓度基于研磨液中的重量为0.001重量%～10重量%。
作为多元醇型非离子表面活性剂(D14)，可以举出甘油环氧乙烷加成物、山梨糖醇酐环氧乙烷加成物等。
作为阴离子型表面活性剂(D2)，可以举出脂肪酸系表面活性剂[碳原子数为8～18的脂肪酸(盐)或碳原子数为8～18的脂肪族醇的醚羧酸(盐)等]；磷酸酯系表面活性剂[碳原子数为8～24的高级醇的磷酸单酯或二酯(盐)、或者碳原子数为8～24的高级醇的环氧烷加成物的磷酸单酯或二酯(盐)等]。
阴离子型表面活性剂(D2)之中，从润滑性的方面出发，优选脂肪酸胺盐，作为脂肪酸胺盐，可以举出用胺来完全或部分中和碳原子数为8～22的脂肪酸(例如油酸等)而成的物质。
作为胺，可以举出单乙醇胺等伯胺；二乙醇胺等仲胺；三乙醇胺等叔胺。
电子材料用研磨液中的表面活性剂(D)的浓度通常为0重量%～90重量%、优选为0.001重量%～80重量%、进一步优选为0.01重量%～20重量%，且中和盐(AB)的重量相对于表面活性剂(D)的重量之比为0.001～1。
本发明的电子材料用研磨液中可以根据需要含有有机还原剂(E)。通过混合有机还原剂(E)，在研磨后可以提高对颗粒的附着防止性。
作为有机还原剂(E)，可以举出酚类(E1)、还原酮类(E2)。
作为有机还原剂(E)，可以使用市售的有机还原剂，从研磨速度的角度出发，优选酚类(E1)、还原酮类(E2)
作为酚类(E1)，可以举出下述通式(11)表示的化合物。
【化2】
[式中，X1～X5各自独立地表示氢原子、羟基、羧基、氨基或烷基。]
作为通式(11)表示的酚类(E1)的具体例，可以举出X1～X5全部为氢的苯酚；邻苯二酚、间苯二酚、对苯二酚和连苯三酚等多元酚系化合物(E11)；2-羟基苯甲酸、4-羟基苯甲酸、2,6-二羧基苯酚和2,4,6-三羧基苯酚等含羧基的酚系化合物(E12)；没食子酸等含羧基的多元酚化合物(E13)；4-氨基苯酚等含氨基的酚系化合物(E14)；甲酚等含烷基的酚系化合物(E15)；或它们的盐等。
这些之中，从研磨速度和颗粒附着防止性的角度出发，优选多元酚系化合物(E11)、含羧基的多元酚化合物(E13)，进一步优选含羧基的多元酚化合物(E13)，具体地说，为没食子酸或其盐。
作为还原酮类(E2)，只要是在分子内具有下述通式(12)表示的酮基烯二醇基的化合物即可。
【化3】
作为还原酮类(E2)的具体例，可以举出抗坏血酸(L-体、DL-体、D-体)、异抗坏血酸(isoascorbic acid)、阿拉伯糖型抗坏血酸(erythorbic acid)、或者它们的酯(L-抗坏血酸硫酸酯、L-抗坏血酸磷酸酯、L-抗坏血酸2-葡萄糖苷、L-抗坏血酸棕榈酸酯、L-抗坏血酸四异棕榈酸酯、抗坏血酸异棕榈酸酯、阿拉伯糖型抗坏血酸(erythorbic acid)磷酸酯、阿拉伯糖型抗坏血酸(erythorbic acid)棕榈酸酯、阿拉伯糖型抗坏血酸(erythorbicacid)四异棕榈酸酯等)；或它们的盐等。
这些之中，从研磨速度和颗粒附着防止性的角度出发，优选L-抗坏血酸、异抗坏血酸、L-抗坏血酸的酯或者异抗坏血酸的酯、或者它们的盐，进一步优选L-抗坏血酸或其盐。
作为上述(E1)和(E2)的盐，可以举出例如碱金属盐(钠盐、钾盐等)、碱土金属盐(钙盐、镁盐等)、铵盐、胺盐或季铵盐。
从颗粒附着防止性的方面出发，使用时有机还原剂(E)在研磨液中的浓度优选为0.01重量%～1重量%。
本发明的研磨液中除含有上述物质以外，还可以含有无机酸(硝酸、硫酸、磷酸等)、螯合剂(膦酸系螯合剂[羟基亚乙基二膦酸(HEDP)或其盐、甲基二膦酸或其盐、氨基三(亚甲基膦酸)或其盐等]；羧酸系螯合剂[二亚乙基三胺五乙酸(DTPA)或其盐、乙二胺四乙酸(EDTA)或其盐、羟基乙基亚氨基二乙酸(HIDA)或其盐、柠檬酸或其盐、葡萄糖酸或其盐等])、稳定化剂(例如对甲苯磺酸盐等)、防锈剂(苯并三唑、巯基苯并三唑、环己胺环氧乙烷加成物等)等添加剂。这些添加剂可以使用以往一直用作研磨液的物质，没有特别限定。
本发明的研磨方法为在电子材料的制造工序中，使用本发明的电子材料用研磨液来研磨电子材料中间体的研磨方法。
本发明的另一实施方式为在研磨工序中包含使用上述的研磨液来研磨电子材料中间体的工序的电子材料的制造方法。
作为使用了本发明的研磨液的电子材料的制造工序(一部分)的一个示例，以硬盘玻璃基板的磨光工序为例进行以下说明。
(1)将玻璃基板安装在研磨装置的载具(キャリア)上，用贴有固定有金刚石磨石的研磨垫的固定盘夹持玻璃基板。
(2)将本发明的研磨液供给至固定盘的同时，施加负荷，使固定盘和载具旋转。
(3)确认到研磨出一定膜厚后，停止旋转。
(4)将玻璃基板从载具上取出，进行流水冲洗。
(5)流水冲洗后，干燥基板。
另外，作为另一个例子，以硬盘玻璃基板的基片工序为例，进行以下说明。
(1)将上述的磨光后的玻璃基板安装在研磨装置的载具上，用贴有聚氨酯制研磨垫的固定盘夹持玻璃基板。
(2)供给含有氧化铈的本发明的研磨液的同时，施加负荷，使固定盘和载具旋转。
(3)在确认研磨出一定膜厚后，停止旋转。
(4)将玻璃基板进行流水冲洗，从载具上取出，用清洗剂浸渍清洗或者擦洗。
(5)将流水冲洗后的玻璃基板安装在研磨装置的载具上，使用含有胶态二氧化硅的本发明的研磨液与上述同样地研磨。
(6)将研磨后的基板进行流水冲洗、清洗、再次流水冲洗。
(7)进行干燥、包装。
作为研磨装置，可以使用市售的研磨装置，没有特别限定。
转速、研磨时间、揺动数、负荷等研磨条件可以使用利用以往的研磨液进行研磨时的条件。
实施例
以下通过实施例和比较例进一步说明本发明，但是本发明并不限于这些。以下只要没有特别规定，“%”表示“重量%”、“份”表示“重量份”。
制造例1(聚丙烯酸DBU盐的制造)
在可调温和搅拌的反应容器中投入异丙醇300份和超纯水100份，用氮气对反应容器内进行置换之后，升温至75℃。在以30rpm进行搅拌下，用3.5小时分别同时滴加丙烯酸的75%水溶液407份和二甲基2,2’-偶氮二异丁酸酯的15%异丙醇溶液95份。
滴加结束后，在75℃搅拌5小时后，间歇投入超纯水以使体系内不发生固化，将水和异丙醇的混合物蒸馏除去至不能检测出异丙醇为止。用450份DBU将所得到的聚丙烯酸水溶液中和至pH为7.0，用超纯水调整浓度，由此得到聚丙烯酸DBU盐(AB-1)的40%水溶液。
需要说明的是，聚丙烯酸DBU盐的Mw为10,000。
制造例2(萘磺酸甲醛缩合物DBU盐的制造)
在带搅拌的反应容器中投入萘磺酸21份、超纯水10份，在搅拌下将体系内的温度保持在80℃的同时，用3小时滴加37%甲醛8份。滴加结束后，升温至105℃，反应25小时后，冷却至室温(约25℃)，在水浴中调整为25℃同时慢慢地加入DBU，pH调整为6.5(使用DBU约15份)。加入超纯水将固体成分调整为40%，由此得到作为阴离子型表面活性剂的萘磺酸甲醛缩合物的DBU盐(AB-2)的40%水溶液。需要说明的是，(AB-2)的DBU盐的Mw为5,000。
制造例3(聚苯乙烯磺酸胍盐的制造)
在可调温、回流的带搅拌的反应容器中投入二氯乙烷100份，在搅拌下进行氮气置换后升温至90℃，使二氯乙烷回流。将苯乙烯120份和预先在二氯乙烷20份中溶解2,2’-偶氮二异丁腈1.7份而成的引发剂溶液各自分别用6小时滴加在反应容器内，滴加结束后进一步聚合1小时。聚合后，在氮气密封下冷却至20℃，然后将温度控制在20℃的同时用10小时滴加无水硫酸105份，滴加结束后进一步进行3小时磺化反应。反应后，蒸馏除去溶剂进行固化后，投入超纯水345份进行溶解，得到聚苯乙烯磺酸水溶液。用胍将所得到的聚苯乙烯磺酸水溶液中和至pH为7，用超纯水调整浓度，由此得到作为阴离子型表面活性剂的聚苯乙烯磺酸胍盐(AB-3)的40%水溶液。需要说明的是，(AB-3)的Mw为40,000、磺化率为97%。
制造例4(聚苯乙烯磺酸胍盐的制造)
在可调温、回流的带搅拌的反应容器中投入二氯乙烷80份，在搅拌下进行氮气置换后升温至90℃，使二氯乙烷回流。将苯乙烯200份和预先在二氯乙烷20份中溶解2,2’-偶氮二异丁腈1.0份而成的引发剂溶液各自分别用6小时滴加至反应容器内，滴加结束后，进一步聚合1小时。聚合后，在氮气密封下冷却至20℃，然后控制温度为20℃的同时用10小时滴加无水硫酸105份，滴加结束后进一步进行3小时磺化反应。反应后，蒸馏除去溶剂进行固化后，投入超纯水345份进行溶解，得到聚苯乙烯磺酸水溶液。用胍将所得到的聚苯乙烯磺酸水溶液中和至pH为7，用超纯水调整浓度，由此得到作为阴离子型表面活性剂的聚苯乙烯磺酸胍盐(AB-4)的40%水溶液。需要说明的是，(AB-4)的Mw为224,000、磺化率为97%。
制造例5(十二烷基苯磺酸DBU盐的制造)
在可调温的带搅拌的反应容器中投入十二烷基苯磺酸(东京化成株式会社制造，HLB：7.4)的10%水溶液100份，调温至25℃，在搅拌下缓慢加入DBU4.7份，直接搅拌10分钟，由此得到十二烷基苯磺酸DBU盐(AB-5)的14%水溶液(25℃的pH=6.5)。
制造例6(脂肪族胺环氧乙烷加成物的制造)
在带搅拌装置和温度控制装置的不锈钢制高压釜中投入月桂胺185份(1.0摩尔份)、25%TMAH水溶液3.6份(0.01摩尔份)，在100℃、4kPa以下的减压下脱水30分钟。在将反应温度控制在100℃的同时，用3小时滴加环氧乙烷308份(7.0摩尔份)，然后在100℃熟化3小时。进一步在2.6kPa以下的减压下于150℃搅拌2小时，将残存的TMAH分解除去，由此得到作为非离子型表面活性剂的月桂胺环氧乙烷7摩尔加成物(D-2)490份。
比较制造例1(聚丙烯酸Na盐的制造)
在可调温和搅拌的反应容器中投入异丙醇300份和超纯水100份，用氮气对反应容器内进行置换之后，升温至75℃。在以30rpm进行搅拌下，用3.5小时分别同时滴加丙烯酸的75%水溶液407份和二甲基2,2’-偶氮二异丁酸酯的15%异丙醇溶液95份。
滴加结束后，在75℃搅拌5小时后，间歇投入超纯水以使体系内不发生固化，将水和异丙醇的混合物蒸馏除去至不能检测出异丙醇为止。用70份氢氧化钠将所得到的聚丙烯酸水溶液中和至pH为7.0，用超纯水调整浓度，由此得到聚丙烯酸Na盐(AB’-1)的40%水溶液。
需要说明的是，聚丙烯酸Na盐的Mw为10,000。
实施例1～49以及比较例1～19
按照表1～6所述的组成且合计为100份的方式，将各成分进行混配，在25℃利用磁力搅拌器进行40rpm、20分钟搅拌，由此得到本发明的研磨液和用于比较的研磨液。
需要说明的是，表中的研磨颗粒使用以下物质。
胶态二氧化硅浆料：株式会社Fujimi Incorporated制造的“COMPOL80”(平均粒径80nm、有效成分浓度40重量%)
氧化铈：昭和电工株式会社制造的“HS-8005”(平均粒径0.5μm)
氧化铝：株式会社Fujimi Incorporated制造的“WA＃20000”(平均粒径0.4μm)
金刚石：株式会社Nano Factor制造的“1/10PCS-WB2”(平均粒径100nm)
聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物：三洋化成工业株式会社制造的NEWPOL GEP2800
磷酸二油烯基酯Na盐：三洋化成工业株式会社制造的NAS-546
芳香族磺酸盐：使用了羟基萘基磺酸Na盐的试剂。
作为研磨液的性能评价，刮痕减少性能、颗粒附着减少性能和研磨速度持续性能的评价试验通过下述方法进行。
需要说明的是，为了防止来源于大气的污染，本评价在等级1,000(FED-STD-209D、美国联邦标准、1988年)的洁净室内实施。
[评价1用混配了胶态二氧化硅的研磨液来研磨玻璃基板的情况]
<刮痕减少性能的评价>
进一步用离子交换水将实施例1～8的研磨液、比较例1～3的研磨液稀释10倍，得到试验液。
(1)将2.5英寸磁盘用玻璃基板和聚氨酯制造的研磨垫(Fujibo株式会社制造，“H9900S”)安装在研磨装置(株式会社Nano Factor制造，“FACT-200”)中。
(2)将转速设定为30rpm、将揺动次数设定为60次/分钟、将推压力设定为50g重/cm2，一边将上述的试验液以1mL/秒的速度浇注在基板上，一边研磨5分钟。
(3)将上述研磨后的玻璃基板从研磨装置中取出，用流水洗刷冲洗1分钟后，从研磨装置中取下基板，用氮气流进行干燥，制成评价用基板。
(4)使用通过将光照到评价用基板上的刮痕，使产生的微弱的散射光聚焦、增幅，从而可增强并检査出表面的微细刮痕的表面检査装置(Vision Sci-Tech社制造，“MicroMax VMX-6100SK”)，在评价用基板表面上选择任意5处(10mm×10mm见方)，数出该范围内的刮痕数，算出5处的平均值。
需要说明的是，比较例1(空白)的基板上刮痕的平均数为50个。
将各基板上的刮痕数与比较例1(空白)的基板上的刮痕数进行比较，基于下述的判断标准来评价、判定基板表面的刮痕产生的抑制效果。
结果列于表1。
5：小于空白(50个)的20%
4：20%～小于40%
3：40%～小于60%
2：60%～小于80%
1：80%以上
<颗粒附着减少性能的评价>
(1)制作与刮痕减少性能的评价同样的评价用基板。
(2)使用通过将光照到评价用基板上的残留颗粒，使产生的微弱的散射光聚焦、增幅，从而可增强并检查出表面的微细残渣的上述表面检査装置，在评价用基板表面上选择任意5处(10mm×10mm见方)，用图像分析软件(三谷商事株式会社制造，WinRoof)统计出该范围内的颗粒数，算出5处的平均值。
需要说明的是，比较例1(空白)的基板上颗粒数为1950个。
将各基板上的颗粒数与比较例1的基板上颗粒数进行比较，基于下述的判断标准来评价、判定研磨工序中的颗粒附着的减少效果。
结果列于表1。
5：小于空白(1950个)的20%
4：20%～小于40%
3：40%～小于60%
2：60%～小于80%
1：80%以上
<研磨速度持续性能的评价>
(1)将重量测定后的2.5英寸磁盘用玻璃基板和聚氨酯树脂制造的研磨垫(Fujibo株式会社制造，“H9900S”)安装在研磨装置(株式会社Nano Factor制造，“FACT-200”)中。
(2)将转速设定为30rpm、将揺动次数设定为60次/分钟、将推压力设定为50g重/cm2，一边将上述的试验液以1mL/秒的速度浇注在基板上，一边研磨30分钟。
(3)将上述研磨后的玻璃基板从研磨装置中取出，用流水洗刷冲洗1分钟后，用氮气流进行干燥，进行重量测定。
反复进行10次的(1)～(3)，通过将第1次和第10次的重量变化量进行比较，基于下述的判断标准来判定研磨速度持续性能的评价。(第1次的重量变化量/第10次的重量变化量×100)
结果列于表1。
5：80%以上
4：60%～小于80%
3：40%～小于60%
2：20%～小于40%
1：小于20%
[表1]
[评价2用混配了胶态二氧化硅的研磨液来研磨铝基板的情况]
<刮痕减少性能的评价>
进一步用离子交换水将实施例9～16的研磨液、比较例4～6的研磨液稀释10倍，得到试验液。
(1)将3.5英寸磁盘用铝基板和聚氨酯树脂制造的研磨垫(Fujibo株式会社制造，“H9900S”)安装在研磨装置(株式会社Nano Factor制造，“FACT-200”)中。
(2)将转速设定为30rpm、将揺动次数设定为60次/分钟、将推压力设定为50g重/cm2，一边将上述的试验液以1mL/秒的速度浇注在基板上，一边研磨5分钟。
(3)将上述研磨后的铝基板从研磨装置中取出，用流水洗刷冲洗1分钟后，从研磨装置中取下基板，用氮气流进行干燥，制成评价用基板。
(4)使用通过将光照到评价用基板上的刮痕，使产生的微弱的散射光聚焦、增幅，从而可增强并检查出表面的微细刮痕的表面检査装置(Vision Sci-Tech社制造，“MicroMax VMX-6100SK“)，在评价用基板表面上选择任意5处(10mm×10mm见方)，数出该范围内的刮痕数，算出5处的平均值。
需要说明的是，比较例4的基板上刮痕的平均数为100个。
将各基板上的刮痕数与比较例4的基板上刮痕数进行比较，基于下述的判断标准来评价、判定基板表面的刮痕产生的抑制效果。
结果列于表2。
5：小于空白(100个)的20%
4：20%～小于40%
3：40%～小于60%
2：60%～小于80%
1：80%以上
<颗粒附着减少性能的评价>
(1)制作与刮痕减少性能的评价同样的评价用基板。
(2)使用通过将光照到评价用基板上的残留颗粒，使产生的微弱的散射光聚焦、增幅，从而可增强并检查出表面的微细残渣的上述表面检査装置，在评价用基板表面上选择任意5处(10mm×10mm见方)，用图像分析软件(三谷商事株式会社制造，WinRoof)统计出该范围内的颗粒数，算出5处的平均值。
需要说明的是，比较例4的基板上颗粒数为1200个。
将各基板上的颗粒数与比较例4的基板上颗粒数进行比较，基于下述的判断标准来评价、判定研磨工序中的颗粒附着的减少效果。
结果列于表2。
5：小于空白(1200个)的20%
4：20%～小于40%
3：40%～小于60%
2：60%～小于80%
1：80%以上
<研磨速度持续性能的评价>
(1)将重量测定后的3.5英寸磁盘用铝基板和聚氨酯制造的研磨垫(Fujibo株式会社制造，“H9900S“)安装在研磨装置(株式会社Nano Factor制造，“FACT-200”)中。
(2)将转速设定为30rpm、将揺动次数设定为60次/分钟、将推压力设定为50g重/cm2，一边将上述的试验液以1mL/秒的速度浇注在基板上，一边研磨30分钟。
(3)将上述研磨后的铝基板从研磨装置中取出，用流水洗刷冲洗1分钟后，用氮气流进行干燥，进行重量测定。
反复进行10次的(1)～(3)，通过将第1次和第10次的重量变化量进行比较，基于下述的判断标准来判定研磨速度持续性能的评价。(第1次的重量变化量/第10次的重量变化量×100)
结果列于表2。
5：80%以上
4：60%～小于80%
3：40%～小于60%
2：20%～小于40%
1：小于20%
[表2]
[评价3用混配了氧化铈的研磨液来研磨玻璃基板的情况]
进一步用离子交换水将实施例17～24的研磨液、比较例7～9的研磨液稀释10倍，得到试验液。
与评价1同样地评价刮痕减少性能、颗粒附着减少性能以及研磨速度持续性能。
需要说明的是，比较例7(空白)的基板上刮痕的平均数为70个，比较例7(空白)的基板上颗粒数为1000个。结果列于表3。
[表3]
[评价4用混配了氧化铝的研磨液来研磨铝基板的情况]
进一步用离子交换水将实施例25～32的研磨液、比较例10～12的研磨液稀释10倍，得到试验液。
与评价2同样地评价刮痕减少性能、颗粒附着减少性能以及研磨速度持续性能。
需要说明的是，比较例10(空白)的基板上刮痕平均数为150个，比较例10(空白)的基板上颗粒数为1000个。结果列于表4。
[表4]
[评价5用混配了金刚石的研磨液来研磨铝基板的情况]
进一步用离子交换水将实施例33～40的研磨液、比较例13～15的研磨液稀释10倍，得到试验液。
与评价2同样地评价刮痕减少性能、颗粒附着减少性能以及研磨速度持续性能。
需要说明的是，比较例13(空白)的基板上刮痕平均数为70个，比较例13(空白)的基板上颗粒数为500个。结果列于表5。
[表5]
[评价6使用固定有磨石的研磨垫并利用混配非离子型表面活性剂的研磨液来对玻璃进行研磨(玻璃磨光)的情况]
<颗粒附着减少性能的评价>
进一步用离子交换水将实施例41～49的研磨液、比较例16～19的研磨液稀释10倍，得到试验液。
(1)将2.5英寸磁盘用玻璃基板和固定有金刚石磨石的研磨垫(住友3M株式会社制造，“Toraizakuto677XA”)安装在研磨装置(株式会社Nano Factor制造，“FACT-200”)中。
(2)将转速设定为100rpm、将揺动次数设定为60次/分钟、将推压力设定为100g重/cm2，一边将上述的试验液以1mL/秒的速度浇注在基板上，一边研磨5分钟。
(3)将上述研磨后的玻璃基板从研磨装置中取出，用流水洗刷冲洗1分钟后，从研磨装置中取下基板，用氮气流进行干燥，制成评价用基板。
(4)使用通过将光照到评价用基板上的残留颗粒，使产生的微弱的散射光聚焦、增幅，从而可增强并检查出表面的微细残渣的上述表面检査装置，在评价用基板表面上选择任意5处(10mm×10mm见方)，用图像分析软件(三谷商事株式会社制造，WinRoof)统计出该范围内的颗粒数，算出5处的平均值。
需要说明的是，比较例16的基板上颗粒数为4500个。
将各基板上的颗粒数与比较例16的基板上颗粒数进行比较，基于下述的判断标准来评价、判定研磨工序中的颗粒附着的减少效果。
结果列于表6。
5：小于空白(4500个)的20%
4：20%～小于40%
3：40%～小于60%
2：60%～小于80%
1：80%以上
<研磨速度持续性能的评价>
(1)将重量测定后的2.5英寸磁盘用玻璃基板和固定有金刚石磨石的研磨垫(住友3M株式会社制造，“Toraizakuto677XA”)安装在研磨装置(株式会社Nano Factor制造，“FACT-200”)中。
(2)将转速设定为100rpm、将揺动次数设定为60次/分钟、将推压力设定为100g重/cm2，一边将上述的试验液以1mL/秒的速度浇注在基板上，一边研磨30分钟。
(3)将上述研磨后的玻璃基板从研磨装置中取出，用流水洗刷冲洗1分钟后，用氮气流进行干燥，进行重量测定。
反复进行2次的(1)～(3)，通过将第1次和第2次的重量变化量进行比较，基于下述的判断标准来判定研磨速度持续性能的评价。(第1次的重量变化量/第2次的重量变化量×100)
结果列于表6。
5：80%以上
4：60%～小于80%
3：40%～小于60%
2：20%～小于40%
1：小于20%
[表6]
与比较例1～19相比，可知实施例1～49的本发明的研磨液可大幅度减少颗粒附着量、且研磨速度可得到持续。另外，与比较例1～15相比，实施例1～40的本发明的研磨液可大幅度减少刮痕数。
另一方面，比较例3、6、9、12、15、18的研磨液与空白相比较时，虽然多少都可确认到一定的抑制颗粒附着的效果，但没有达到高容量化所能容许的颗粒的附着量。而且，比较例3、6、9、12、15的研磨液与空白相比较时，虽然多少都可确认到一定的抑制刮痕产生的效果，但没有达到高容量化所能容许的刮痕数。
另外，使用苯并三唑的比较例2、5、8、11、14的研磨液与比较例1、4、7、10、13相比，玻璃基板研磨后的刮痕数几乎没有改变，刮痕产生和颗粒附着的抑制效果小。
工业实用性
本发明的电子材料用研磨液在抑制研磨工序中的刮痕产生的效果方面优异、并且在研磨中的颗粒附着减少效果方面也优异，因此，作为在制造工序中包含研磨工序的电子材料用研磨液是有用的，例如作为磁盘用玻璃基板、磁盘用镀覆有Ni-P镀覆的铝基板、半导体用硅基板、LED用蓝宝石基板制造用的研磨液是有用的。
另外，包含使用本发明的研磨液进行研磨的工序的电子材料的制造方法是一种在研磨中的刮痕产生非常少、且研磨中的颗粒附着少的制造方法，因此，可用作磁盘用玻璃基板、磁盘用镀覆有Ni-P的铝基板、半导体用硅基板、LED用蓝宝石基板等的制造方法。

Claims (14)

1.一种电子材料用研磨液，其为在使用研磨垫来研磨电子材料中间体的工序中使用的研磨液，该研磨液含有中和盐(AB)和水作为必要成分，
其中，所述中和盐(AB)为聚丙烯酸DBU盐。
2.如权利要求1所述的电子材料用研磨液，其中，所述中和盐(AB)的重均分子量为1,000～200,000。
3.如权利要求1或2所述的电子材料用研磨液，其中，该研磨液还含有研磨颗粒(C)。
4.如权利要求3所述的电子材料用研磨液，其中，该研磨颗粒(C)为选自由胶态二氧化硅、氧化铈、氧化铝和金刚石组成的组中的1种以上。
5.如权利要求3所述的电子材料用研磨液，其中，电子材料用研磨液中的中和盐(AB)的浓度为0.01重量％～4重量％、研磨颗粒(C)的浓度为1重量％～40重量％，中和盐(AB)相对于研磨颗粒(C)的比例为0.001～0.1。
6.如权利要求1或2所述的电子材料用研磨液，其中，该研磨液还含有选自由碳原子数为8～18的高级醇环氧烷加成物(D11)、聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物(D12)、碳原子数为8～36的脂肪族胺的环氧烷加成物(D13)和多元醇型非离子表面活性剂(D14)组成的组中的1种以上的表面活性剂(D)。
7.如权利要求6所述的电子材料用研磨液，其中，所述高级醇环氧烷加成物(D11)中的环氧烷的碳原子数为2～4。
8.如权利要求6所述的电子材料用研磨液，其中，表面活性剂(D)是碳原子数为8～36的脂肪族胺的环氧烷加成物(D13)。
9.如权利要求6所述的电子材料用研磨液，其中，电子材料用研磨液中的中和盐(AB)的浓度为0.01重量％～5重量％、表面活性剂(D)的浓度为0.01重量％～60重量％，中和盐(AB)相对于表面活性剂(D)的比例为0.001～1。
10.如权利要求1或2所述的电子材料用研磨液，其中，该研磨液还含有有机还原剂(E)。
11.如权利要求10所述的电子材料用研磨液，其中，该有机还原剂(E)为酚类(E1)和/或还原酮类(E2)。
12.如权利要求1或2所述的电子材料用研磨液，其中，该电子材料用研磨液用于制造硬盘用玻璃基板或用于制造表面镀覆有镍-磷的硬盘用铝基板。
13.一种研磨方法，其为在电子材料的制造工序中使用权利要求1或2所述的电子材料用研磨液来研磨电子材料中间体的研磨方法。
14.一种电子材料的制造方法，该制造方法为在制造工序中包含研磨工序的电子材料的制造方法，其中，该制造方法包括利用权利要求13所述的研磨方法来研磨电子材料中间体的工序。
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