JP2007146025A - 界面活性剤及びこれを含んでなる洗浄剤 - Google Patents

界面活性剤及びこれを含んでなる洗浄剤 Download PDF

Info

Publication number
JP2007146025A
JP2007146025A JP2005343436A JP2005343436A JP2007146025A JP 2007146025 A JP2007146025 A JP 2007146025A JP 2005343436 A JP2005343436 A JP 2005343436A JP 2005343436 A JP2005343436 A JP 2005343436A JP 2007146025 A JP2007146025 A JP 2007146025A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
surfactant
carbon atoms
group
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005343436A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Sakurai
健一 櫻井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Sanyo Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Chemical Industries Ltd filed Critical Sanyo Chemical Industries Ltd
Priority to JP2005343436A priority Critical patent/JP2007146025A/ja
Publication of JP2007146025A publication Critical patent/JP2007146025A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

【課題】
実質的にアルカリ金属を含まず、再付着防止性に優れる界面活性剤を提供する。
【解決手段】
式(1)で表されるカルボキシベタイン(A)と、
プロトン付加反応における生成熱変化(Q)が10〜152kcal/molであるアミン(B)とを含有してなることを特徴とする界面活性剤を用いる。(B)は1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7及び1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン−5からなる群より選ばれる少なくとも1種が好ましい。
1(OA)nOCH2CH(CO2 -)CH2+2 3 (1)
1及びR2は水素原子又は炭素数1〜22の有機基、OAは炭素数2〜4のオキシアルキレン基、nは0〜200の整数、Oは酸素原子、Cは炭素原子、Hは水素原子、Nは窒素原子を示す。
【選択図】なし

Description

本発明は、界面活性剤に関するものである。さらに詳しくは、電子材料・電子部品等の製造工程中、洗浄工程において使用される洗浄剤用として好適な界面活性剤に関する。
近年、超LSI等に代表される微細加工技術の進歩につれて、基板上に残存する微量の不純物(金属イオン、金属等の無機物、又はレジスト樹脂等の有機物から構成されるパーティクル)がデバイスの性能や歩留まりに大きく影響するため、不純物の管理が極めて重要になってきている。特に洗浄対象であるパーティクル自体が、より微粒子化することでさらに界面へ付着しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となっている。
このため従来から、このパーティクルによる汚染を防止するために、界面活性剤(非イオン界面活性剤とアルコールまたはアミノアルコールとの組合せ等:特許文献1、アニオン界面活性剤又は非イオン界面活性剤:特許文献2)を添加してパーティクル表面のゼータ電位を下げ、パーティクルの付着を低減する方法が提案されている。
特開平5−138142号公報 特開平6−41770号公報
しかし、特許文献1の界面活性剤では、再付着防止性が不十分であるという問題がある。
一方、特許文献2の界面活性剤は、再付着防止効果が不十分である上に、ナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンが含まれているため、洗浄後の残存アルカリ金属イオンが引き起こす基板表面の潜傷やヤケ、基板内部へのアルカリ金属イオンの拡散によるデバイスの信頼性低下が発生するという問題がある。
本発明の目的は、実質的にアルカリ金属を含まず、再付着防止性に優れる界面活性剤を提供することにある。
本発明の界面活性剤の特徴は、式(1)で表されるカルボキシベタイン(A)と、
プロトン付加反応における生成熱変化(Q)が10〜152kcal/molであるアミン(B)とを含有してなる点を要旨とする。
1及びR2は水素原子又は炭素数1〜22の有機基、OAは炭素数2〜4のオキシアルキレン基、nは0〜200の整数、Oは酸素原子、Cは炭素原子、Hは水素原子、Nは窒素原子を示す。
本発明の界面活性剤は、従来の課題であった洗浄工程時におけるパーティクル粒子の基板への再付着を効果的に防ぐことができる。また、実質的にアルカリ金属を含まないため、洗浄後に基板表面にアルカリ金属が残存することが無く、デバイスの信頼性や歩留まりを向上することができるという効果を有する。
1及びR2のうち、炭素数1〜22の有機基としては、アルキル、アルケニル、アリール、アリールアルキル及びアシル等が含まれる。
アルキルとしては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、イソブチル、2−エチルヘキシル、オクチル、デシル、ウンデシル、イソオクタデシル、シクロヘキシル及びエイコシル等が挙げられる。
アルケニルとしては、1−プロペニル、2−プロペニル、3−ブテニル、4−イソヘキセニル、9−デセニル、オレイル、オクタデカンジエニル、シクロヘキセニル及びエイコセニル等が挙げられる。
アリールとしては、フェニル、トルイル、キシレニル、クメニル、メシチル、フェニルフェニル(ビフェニリル)、ビニルフェニル、プロペニルフェニル、オクチルフェニル、ノナニルフェニル、ジオクチルフェニル、ナフチル、ピリジニル及びアントリル等が挙げられる。
アリールアルキルとしては、ベンジル、フェニルエチル、フェニルプロピル、フェニルヘキシル、トルイルエチル、オクチルフェニルメチル、ビニルフェニルエチル及びプロペニルフェニルメチル等が挙げられる。
アシルとしては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、アクリロイル、メタクリロイル、クロトノイル、イソブチリル、カプロイル、2−エチルヘキソイル、ラウロイル、ミリステアロイル、パルミトイル、ステアロイル、オレオイル及びイソステアロイル等が挙げられる。
これらの有機基のうち、パーティクル又は油汚れに対する洗浄性の観点等から、アルキル、アルケニル、アリールアルキル及びアシルが好ましく、さらに好ましくはアルキル、アリールアルキル及びアシル、特に好ましくはアルキルである。
炭素数2〜4のオキシアルキレン基(OA)としては、オキシエチレン、オキシプロピレン及びオキシブチレンが含まれる。これらのうち、パーティクル又は油汚れに対する洗浄性の観点等から、オキシエチレン及びオキシプロピレンが好ましく、さらに好ましくはオキシエチレンである。
(OA)nの中に、複数種類のオキシアルキレンが含まれてもよい。複数種類のオキシアルキレンが含まれる場合、結合様式はブロック状、ランダム状及びこれらの組合せのいずれでもよい。またこの場合、オキシエチレンを含むことが好ましい。
nは0〜200の整数であり、好ましくは0又は4〜180の整数、さらに好ましくは0又は5〜160の整数、特に好ましくは0又は6〜140の整数、次に好ましくは0又は7〜120の整数、最も好ましくは0又は8〜100の整数である。この範囲であると、パーティクル又は油汚れに対する洗浄性等がさらに良好となる。
式(1)で表されるカルボキシベタインは、公知の方法を組み合わせて容易に製造できる。たとえば、式(3)で表されるビニル化合物とアミンとを反応させて式(4)で表されるアミノカルボキシ化合物を得る工程(1)、及び式(4)で表されるアミノカルボキシ化合物と4級化剤とを反応させてカルボキシベタインを得る工程(2)とを含む製造方法が適用できる。
式(3)及び(4)において、R1、OA、n、O、C、H及びNは、式(1)と同様であり、好ましい範囲も同じである。
Xは、−CO2H、−CO21、−CO2M、−CONR1 2又は−CNで表される基、Mは金属原子又はアンモニウムを示す。
金属原子又はアンモニウム(M)のうち、金属原子としてはカルボン酸金属を形成し得るものでれば制限がないが、塩を形成し得る金属{アルカリ金属(リチウム、カリウム及びナトリウム等)、アルカリ土類金属(マグネシウム及びカルシウム等)及び遷移金属(銅及び亜鉛等)}等が好ましく挙げられる。また、アンモニウムとしては、アンモニウム(NH4)の他、第1〜4級アンモニウムが含まれる。第1級アンモニウムとしては、炭素数1〜4のアンモニウム等が用いられ、メチルアンモニウム、エチルアンモニウム及びイソブチルアンモニウム等が挙げられる。第2級アンモニウムとしては、炭素数2〜8のアンモニウム等が用いられ、ジメチルアンモニウム、ジエチルアンモニウム及びメチルイソブチルアンモニウム等が挙げられる。第3級アンモニウムとしては、炭素数3〜12のアンモニウム等が用いられ、トリメチルアンモニウム、トリエチルアンモニウム及びジメチルイソブチルアンモニウム等が挙げられる。第4級アンモニウムとしては、炭素数4〜16のアンモニウム等が用いられ、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム及びジメチルジイソブチルアンモニウム等が挙げられる。
式(3)で表されるビニル化合物としては、(1)カルボン酸(Xが−CO2H)、(2)カルボン酸エステル(Xが−CO21)、(3)カルボン酸塩(Xが−CO2M)、(4)アミド(Xが−CONR1 2)及び(4)カルボン酸ニトリル(Xが−CN)等が好ましく例示される。
(1)カルボン酸(Xが−CO2H)
α−ヒドロキシメチルアクリル酸、α−(ヒドロキシエチルオキシメチル)アクリル酸、α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシエチレン)オキシメチル)アクリル酸、α−(ヒドロキシプロピルオキシメチル)アクリル酸、α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシプロピレン)オキシメチル)アクリル酸、α−(ヒドロキシエチルオキシプロピルオキシメチル)アクリル酸、α−(ヒドロキシプロピルオキシエチルオキシプロピルオキシメチル)アクリル酸、α−(ヒドロキシエチルオキシエチルオキシプロピルオキシメチル)アクリル酸、α−(ヒドロキシエチルオキシプロピルオキシプロピルオキシメチル)アクリル酸、α−(ヒドロキシエチルオキシエチルオキシプロピルオキシエチルオキシメチル)アクリル酸及びα−(ヒドロキシエチル(ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン)オキシメチル)アクリル酸等。
(2)カルボン酸エステル(Xが−CO21
α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、α−(ヒドロキシエチルオキシメチル)アクリル酸メチル、α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシエチレン)オキシメチル)アクリル酸メチル、α−(ヒドロキシプロピルオキシメチル)アクリル酸メチル、α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシプロピレン)オキシメチル)アクリル酸メチル、α−(ヒドロキシプロピルオキシエチルオキシメチル)アクリル酸メチル及びα−(ヒドロキシエチル(ポリオキシエチレンオキシプロピレン)オキシメチル)アクリル酸メチル等。
(3)カルボン酸塩(Xが−CO2M)
α−ヒドロキシメチルアクリル酸ナトリウム塩、α−(ヒドロキシエチルオキシメチル)アクリル酸ナトリウム塩、α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシエチレン)オキシメチル)アクリル酸カリウム塩、α−(ヒドロキシプロピルオキシメチル)アクリル酸ナトリウム塩、α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシプロピレン)オキシメチル)アクリル酸ナトリウム塩、α−(ヒドロキシエチルオキプロピルオキシシメチル)アクリル酸ナトリウム塩、α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン)オキシメチル)アクリル酸ナトリウム塩、α−ヒドロキシメチルアクリル酸アンモニウム塩、α−(ヒドロキシエチルオキシメチル)アクリル酸アンモニウム塩、α−(ヒドロキシエチルオキシメチル)アクリル酸テトラメチルアンモニウム塩、α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシエチレン)オキシメチル)アクリル酸アンモニウム塩、α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシエチレン)オキシメチル)アクリル酸テトラメチルアンモニウム塩、α−(ヒドロキシプロピルオキシメチル)アクリル酸アンモニウム塩、α−(ヒドロキシプロピルオキシメチル)アクリル酸テトラメチルアンモニウム塩、α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシプロピレン)オキシメチル)アクリル酸アンモニウム塩、α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシプロピレン)オキシメチル)アクリル酸テトラメチルアンモニウム塩、α−(ヒドロキシプロピルオキシエチルオキシメチル)アクリル酸アンモニウム塩、α−(ヒドロキシエチルオキシプロピルオキシメチル)アクリル酸テトラメチルアンモニウム塩、α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン)オキシメチル)アクリル酸アンモニウム塩及びα−(ヒドロキシエチル(ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン)オキシメチル)アクリル酸テトラメチルアンモニウム塩等。
(4)アミド(Xが−CONR1 2
α−ヒドロキシメチルアクリル酸アミド、α−(ヒドロキシエチルオキシメチル)アクリル酸アミド、N,N−ジメチル−α−ヒドロキシメチルアクリル酸アミド、N,N−ジメチル−α−(ヒドロキシエチルオキシメチル)アクリル酸アミド、α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシエチレン)オキシメチル)アクリル酸アミド、N,N−ジメチル−α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシエチレン)オキシメチル)アクリル酸アミド、α−(ヒドロキシプロピルオキシメチル)アクリル酸アミド、N,N−ジメチル−α−(ヒドロキシプロピルオキシメチル)アクリル酸アミド、α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシプロピレン)オキシメチル)アクリル酸アミド、N,N−ジメチル−α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシプロピレン)オキシメチル)アクリル酸アミド、α−(ヒドロキシプロピルオキシエチルオキシメチル)アクリル酸アミド、N,N−ジメチル−α−(ヒドロキシエチルオキシプロピルオキシメチル)アクリル酸アミド、α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン)オキシメチル)アクリル酸アミド及びN,N−ジメチル−α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン)オキシメチル)アクリル酸アミド等。
(5)カルボン酸ニトリル(Xが−CN)
α−ヒドロキシメチルアクリル酸ニトリル、α−(ヒドロキシエチルオキシメチル)アクリル酸ニトリル、α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシエチレン)オキシメチル)アクリル酸ニトリル、α−(ヒドロキシプロピルオキシメチル)アクリル酸ニトリル、α−(ヒドロキシエチル(ポリオキシプロピレン)オキシメチル)アクリル酸ニトリル、α−(ヒドロキシプロピルオキシエチルオキシメチル)アクリル酸ニトリル及びα−(ヒドロキシエチル(ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン)オキシメチル)アクリル酸ニトリル等。
式(3)で表されるビニル化合物は、以下の公知の製造方法を組み合わせて得ることができる。
(1)α−ヒドロキシメチルアクリル酸エステル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸ニトリル又はN,N−ジアルキル−α−ヒドロキシメチルアクリルアミドの製造
アクリル酸エステル、アクリロニトリル又はN,N−ジアルキルアクリルアミドとホルムアルデヒドとを三級アミンの存在下に反応させることにより、α−ヒドロキシメチルアクリル酸エステル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸ニトリル又はN,N−ジアルキル−α−ヒドロキシメチルアクリルアミドを得る(たとえば、特開昭61−134353号、USP4654432号、特開平5−70408号)。
(2)α−ヒドロキシメチル基へオキシアルキレン基の導入
α−ヒドロキシメチルアクリル酸エステル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸ニトリル又はN,N−ジアルキル−α−ヒドロキシメチルアクリルアミドと、炭素数2〜4のアルキレンオキシド(エチレンオキシド、プロピレンオキシド及びブチレンオキシド等)とを反応させる(公知の反応触媒が使用できる)。
または、α−ヒドロキシメチルアクリル酸エステル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸ニトリル又はN,N−ジアルキル−α−ヒドロキシメチルアクリルアミドと、脂肪族アルコールアルキレンオキシド付加体とをアルカリ存在下で反応させる(ウイリアムソン合成)。
脂肪族アルコールとしては、アルカノール(メタノール、エタノール、イソプロパノール、n−ブタノール及びn−ヘキサノール等)及びアルケノール(プロペノール、ブテノール及び2,2−ジメチル−3−ブテノール等)等が挙げられる。
(3)必要により加水分解により、カルボン酸(Xが−CO2H)、カルボン酸塩(Xが−CO2M)へ誘導
α−ヒドロキシメチルアクリル酸エステル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸ニトリル又はN,N−ジアルキル−α−ヒドロキシメチルアクリルアミドにオキシアルキレン基を導入したオキシアルキレン化合物を、加水分解しカルボン酸、カルボン酸金属塩又はカルボン酸アンモニウム塩とする(たとえば、第4版実験化学講座22、有機合成IV−酸・アミノ酸・ペプチド−、平成4年11月30日、(財)日本化学会編、丸善株式会社発行)。
また、カルボン酸ニトリル(Xが−CN)から、アミド(Xが−CONR1 2)へ加水分解することもできる(たとえば、上記の実験化学講座22、151〜156頁)。
また、カルボン酸エステル(Xが−CO21)から、アミド(Xが−CONR1 2)へ変換することもできる(たとえば、上記の実験化学講座22、148〜151頁)。
また、カルボン酸ニトリル(Xが−CN)から、カルボン酸エステル(Xが−CO21)へ変換することができる(たとえば、上記の実験化学講座22、53頁)。
式(3)で表されるビニル化合物と反応させることができるアミンとしては、アンモニア(NH3)の他、第1〜2級アミンが含まれる。
第1級アミンとしては、炭素数1〜22のアミン等が用いられ、メチルアミン、エチルアミン、モノエタノールアミン、モノプロパノールアミン、イソブチルアミン、2−エチルヘキシルアミン、オクタデセニルアミン、エイコシルアミン、ベンジルアミン及びアニリン等が挙げられる。
第2級アミンとしては、炭素数2〜44のアミン等が用いられ、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジエタノールアミン、ジプロパノールアミン、メチルイソブチルアミン、メチルオクタデセニルアミン、ジエイコシルアミン、ジベンジルアミン及びN−メチルアニリン等が挙げられる。
式(3)で表されるビニル化合物とアミンとの反応{工程(1)}には、マイケル付加反応に用いられる反応触媒等を使用できる。
反応触媒としては、金属水酸化物(水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等)、金属酸化物(酸化カルシウム及び酸化亜鉛等)、金属炭酸塩(炭酸ナトリウム及び炭酸カリウム等)、金属アルコラート(ナトリウムメチラート及びカリウムエチラート等)及び三級アミン{トリエチルアミン及び1,4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン(DABCO)等}等が含まれる。
工程(1)には、反応溶媒を用いることができる。
反応溶媒としては、水、アルコール(メタノール、エタノール及びイソプロパノール等)、脂肪族炭化水素(ヘキサン、シクロヘキサン及びシクロペンタン等)、芳香族炭化水素(ベンゼン、トルエン及びキシレン等)及びこれらの混合溶媒等が含まれる。
工程(1)には、公知の重合防止剤を添加することができる。
また、工程(1)における反応温度(℃)は、20〜180が好ましく、さらに好ましくは30〜170、特に好ましくは40〜160、最も好ましくは50〜150である。
工程(1)には、式(3)で表されるビニル化合物とアミンとの反応と同時に、又はこの反応の後に、加水分解工程を含めることができる。
4級化剤としては、ハロゲン化合物、アルキル硫酸及びアルキルカーボネート等が含まれる。
ハロゲン化合物としては、炭素数1〜22のハライド等が使用でき、塩化メチル、臭化メチル、塩化エチル、ヨウ化イソプロピル、塩化2−エチルヘキシル、臭化オクタデセニル、塩化エイコシル及び塩化ベンジル等が挙げられる。
アルキル硫酸としては、炭素数2〜6のアルキル硫酸等が使用でき、ジメチル硫酸及びジエチル硫酸等が挙げられる。
アルキルカーボネートとしては、炭素数2〜6のアルキルカーボネート等が使用でき、ジメチルカーボネート及びジエチルカーボネート等が挙げられる。
式(4)で表されるアミノカルボキシ化合物と4級化剤との反応{工程(2)}には、反応溶媒を用いることができる。
反応溶媒としては、水、アルコール、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素の他、極性溶媒(ジメチルホルミアミド及びジメチルスルホキシド等)及びこれらの混合溶媒等が含まれる。
工程(2)における反応温度(℃)は、20〜180が好ましく、さらに好ましくは25〜150、特に好ましくは30〜120、最も好ましくは40〜90である。
工程(2)には、式(4)で表されるアミノカルボキシ化合物と4級化剤との反応と同時に、又はこの反応の後に、加水分解工程を含めることができる。
アミン(B)のプロトン付加反応における生成熱変化(Q)(kcal/mol、25℃)は、パーティクル又は油汚れに対する洗浄性の観点等から、10〜152が好ましく、さらに好ましくは30〜148、次に好ましくは40〜145、より好ましくは50〜143、特に好ましくは90〜140、最も好ましくは100〜138ある。
本発明において、プロトン付加反応における生成熱変化(Q)とは、式(5)及び(6)に示すように、アミン(B)のプロトン付加反応におけるアミン(B)の生成熱とアンモニウムカチオン(H+B)の生成熱との差を意味する。
Bはアミン(B)、H+はプロトン、H+Bはアンモニウムカチオン(H+B)を表す。
Qはプロトン付加反応における生成熱変化、Δfo H+B、Δfo Bは、それぞれ順に、H+B、Bについての真空中における生成熱を表す。
生成熱(Δfo)の値は、J.Chem.Soc.Perkin Trans.2,p.923(1995)に記載の半経験的分子軌道法(MOPAC PM3法)を用いて計算することができる。
この生成熱の値は、たとえば、富士通株式会社製「CAChe Worksystem6.01」を用いて真空中における生成熱(25℃)として計算できる。すなわち、この生成熱の値は、計算したい分子構造を「Work Space」上で書き、分子力場法である「MM2 geometry」で構造最適化した後、半経験的分子軌道法である「PM3 geomety」で計算することにより得られる。
なお、H+Bの生成熱を計算する際のH+を付加させる位置は、アミン(B)に含まれる窒素原子上である。また窒素原子が複数個存在する場合、各窒素原子ごとに生成熱を計算し、アミン(B)の生成熱とアンモニウムカチオン(H+B)の生成熱との差が最小になる時の値を生成熱変化(Q)とする。
アミン(B)は、上記のプロトン付加反応における生成熱変化(Q)の範囲にあれば制限なく、例えば、分子内に少なくとも1つのグアニジン骨格を有する化合物(B1)、分子内に少なくとも1つのアミジン骨格を有する化合物(B2)、分子内に少なくとも1つのN=P−N骨格を有する化合物(B3)及びプロトンスポンジ誘導体(B4)等が含まれる。
アミン(B)の分子体積(nm3)は、パーティクル又は油汚れに対する洗浄性の観点等から、0.025〜0.7が好ましく、さらに好ましくは0.050〜0.5、特に好ましくは0.12〜0.36である。
ここで分子体積とは、分子の等電子密度面でできる空間の体積を指し、分子力場法であるMM2{Allinger,N.L.,J.Am.Chem.Soc.,99,8127(1977)}及び半経験的分子軌道法であるPM3{Stewart,J.J.P.,J.Am.Chem.Soc.,10,221(1989)}を用いて計算した最適化構造から得ることができる。たとえば、前記の富士通株式会社製「CAChe Worksystem6.01」を用いて、同様に構造最適化した後、「Project Leader」上で半経験的分子軌道法である「PM3 geomety」により、計算することができる。なお、計算の結果、分子体積の値が複数個得られた場合については、最大値を用いる。
化合物(B1)〜誘導体(B4)について、以下、具体例を示す。なお、{ }内の数字は順に、プロトン付加反応における生成熱変化(Q:kcal/mol)、分子体積(nm3)を示す。
<分子内に少なくとも1つのグアニジン骨格を有する化合物(B1)>
(1)グアニジン
グアニジン(147、0.062)、メチルグアニジン(144、0.084)、テトラメチルグアニジン(145、0.147)、エチルグアニジン(142、0.104)、フェニルグアニジン(141、0.139)等
(2)単環式グアニジン
2−アミノ−イミダゾール{2−アミノ−1H−イミダゾール(146、0.080)、2−ジメチルアミノ−1H−イミダゾール(138、0.113)、2−アミノ−4,5−ジヒドロ−1H−イミダゾール(147、0.113)、2−ジメチルアミノ−4,5−ジヒドロ−1H−イミダゾール(143、0.133)等}、
2−アミノ−テトラヒドロピリミジン{2−アミノ−1,4,5,6−テトラヒドロ−ピリミジン(145、0.113)、2−ジメチルアミノ−1,4,5,6−テトラヒドロ−ピリミジン(140、0.152)等}、
2−アミノ−ジヒドロピリミジン{2−アミノ−1,6(4)−ジヒドロピリミジン(147、0.113)、2−ジメチルアミノ−1,6(4)−ジヒドロピリミジン(143、0.142)等}等
(3)多環式グアニジン
1,3,4,6,7,8−ヘキサヒドロ−2H−ピリミド[1,2−a]ピリミジン(TBD)(147、0.159)、1,3,4,6,7,8−ヘキサヒドロ−1−メチル−2H−ピリミド[1,2−a]ピリミジン(MTBD)(139、0.180)等
<分子内に少なくとも1つのアミジン骨格を有する化合物(B2)>
(4)イミダゾール
1H−イミダゾール(147、0.067)、2−メチル−1H−イミダゾール(144、0.113)、2−エチル−1H−イミダゾール(143、0.113)、4,5−ジヒドロ−1H−イミダゾール(147、0.113)、2−メチル−4,5−ジヒドロ−1H−イミダゾール(147、0.113)、2−エチル−4,5−ジヒドロ−1H−イミダゾール(145、0.119)等}
(5)テトラヒドロピリミジン
1,4,5,6−テトラヒドロピリミジン(151、0.113)、2−メチル−1,4,5,6−テトラヒドロピリミジン(148、0.119)等}
(6)ジヒドロピリミジン
1,6(4)−ジヒドロピリミジン(147、0.088)、2−メチル−1,6(4)−ジヒドロピリミジン(143、0.113)等}
(7)下記一般式(7)で表される2環式アミジン等
8及びR9は、互いに独立して水素原子、炭素数1〜22のアルキル、炭素数2〜22のアルケニル、炭素数2〜22のアルキニル、炭素数6〜22のアリール、炭素数7〜22のアリールアルキルを表し、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール及びアリールアルキル中の水素原子の一部又は全部が水酸基、アミノ基、(ジ)アルキル(炭素数1〜16)アミノ基、(ジ)ヒドロキシアルキル(炭素数2〜4)アミノ基、メルカプト基又はハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)によってさらに置換されていてもよい。また2つのR8及び2つのR9は、同一であってもよいし異なっていてもよく、互いに結合(炭素−炭素結合、エーテル結合等)して炭素数4〜16の環を形成してもよい。m及びnは互いに独立して1〜12の整数を表す。
炭素数1〜22のアルキル基又は炭素数2〜22のアルケニル基としては、炭素数1〜22の有機基(R1)で例示したアルキル又はアルケニルと同様である。
炭素数2〜22のアルキニルとしては、エチニル、1−プロピニル、2−プロピニル、1−又は2−ドデシニル、1−又は2−トリデシニル、1−又は2−テトラデシニル、1−又は2−ヘキサデシニル、1−又は2−ステアリニル及び1−又は2−ノナデシニル、1−又は2−エイコシニル等が挙げられる。
炭素数6〜22のアリール基としては、炭素数6〜20の有機基(R1)で例示したアリールと同様である。
炭素数7〜22のアリールアルキルとしては、ベンジル、2−フェニルエチル、3−フェニルプロピル、4−フェニルブチル、5−フェニルペンチル、6−フェニルヘキシル、7−フェニルヘプチル、8−フェニルオクチル、10−フェニルデシル、12−フェニルドデシル、ナフチルメチル及びナフチルエチル等が挙げられる。
2つのR8又は2つのR9が互いに結合して炭素数4〜16の環を形成する場合、2つのR8又は2つのR9は、2価の有機基を形成する。
2価の有機基としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子及び/又はハロゲン原子等を含んでもよい2価の有機基等が含まれる。
このような2価の有機基としては、炭素数1〜16のアルキレン、炭素数2〜16のアルケニレン及び炭素数6〜16のアリーレン等が含まれる。
アルキレンとしては、メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、2,2−ジメチルプロピレン、2,2−ジエチルプロピレン、オクチレン、デシレン、ドデシレン及びヘキサデシレン等が挙げられる。
アルケニレンとしては、エテニレン、プロペニレン、ブテニレン、2,2−ジメチルプロペニレン、2,2−ジエチルプロペニレン、4−オクテニレン、5−デセニレン、6−ドデセニレン及び8−ヘキサデセニレン等が挙げられる。
アリーレンとしては、1,4−フェニレン、1,2−フェニレン、1,3−フェニレン、2−メチル−1,4−フェニレン、2,5−ジメチル−1,4−フェニレン、1,4−ナフチレン及び2−デシル−1,4−フェニレン等が挙げられる。
一般式(7)で表されるアミンの具体例としては、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7(DBU:DBUはサンアプロ(株)の登録商標である。){137、0.185}、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン−5(DBN){141、0.146}、1,8−ジアザビシクロ[5.3.0]デセン−7{142、0.166}、1,4−ジアザビシクロ[3.3.0]オクテン−4{146、0.126}、1,5−ジアザビシクロ[4.4.0]デセン−5{143、0.166}、6−ジメチルアミノ−1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7{133、0.238}、6−ジブチルアミノ−1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7{137、0.355}、6−(2−ヒドロキシエチル)−1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン{139、0.229}、6−(2−ヒドロキシプロピル)−1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン{138、0.250}、7−(2−ヒドロキシエチル)−1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン{142、0.192}、7−(2−ヒドロキシプロピル)−1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン{142、0.211}、6−ジ(2−ヒドロキシエチル)アミノ−1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン{137、0.287}等が挙げられる。
<分子内に少なくとも1つのN=P−N骨格を有する化合物(B3)>
一般式(8)で表されるホスファゼン化合物等
10、R11は、互いに独立して、水素原子、炭素数1〜22のアルキル、炭素数2〜22のアルケニル、炭素数6〜22のアリール及び炭素数7〜22のアリールアルキルを表す。また、R10、R11中の水素原子は水酸基、アミノ基、メルカプト基又はハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)によってさらに置換されていてもよい。また、複数のR11は同一であってもよいし異なっていてもよく、隣接するR11は互いに結合(炭素−炭素結合、エーテル結合等)して炭素数4〜12の環を形成してもよい。kは1〜4の整数を表す。
一般式(8)中の炭素数1〜22のアルキル、炭素数2〜22のアルケニル、炭素数6〜22のアリール及び炭素数7〜22のアリールアルキルとしては、R8、R9と同様である。
隣接するR11が環を形成する場合、2つのR11は前記のR8、R9と同様に2価の有機基を形成する。
一般式(8)で示されるアミンの具体例としては、H[N=P(dma)2]N(CH32{122、0.217}、Me[N=P(dma)2]N(CH32{128、0.237}、Et[N=P(dma)2]N(CH32{125、0.260}、t−Bu[N=P(dma)2]N(CH32{107、0.298}、Ph[N=P(dma)2]N(CH32{129、0.294}、CH3CH=CH[N=P(dma)2]N(CH32{123、0.270}、4−Me−C64[N=P(dma)2]N(CH32{126、0.311}、H[N=P(pyrr)2](pyrr){121、0.293}、Me[N=P(pyrr)2](pyrr){125、0.314}、Et[N=P(pyrr)2](pyrr){123、0.339}、t−Bu[N=P(pyrr)2](pyrr){122、0.373}、Ph[N=P(pyrr)2](pyrr){123、0.370}、4−Me−C64[N=P(pyrr)2](pyrr){122、0.390}等が挙げられる。なお、Meはメチル、Etはエチル、Phはフェニル、t−Buはt−ブチル、(dma)はジメチルアミノ、(pyrr)は1−ピロリジニリルを表す。
<プロトンスポンジ誘導体(B4)>
1,8−ビス(ジメチルアミノ)ナフタレン{138、0.249}、1−ジメチルアミノ−8−メチルアミノ−キノリジン{126、0.221}、1−ジメチルアミノ−7−メチル−8−メチルアミノ−キノリジン{132、0.240}、1−ジメチルアミノ−7−メチル−8−メチルアミノ−イソキノリン{128、0.242}、7−メチル−1,8−メチルアミノ−2,7−ナフチリジン{118、0.211}、2,7−ジメチル−1,8−メチルアミノ−2,7−ナフチリジン{120、0.230}等
アミン(B)は、単独で用いてもよく、2種以上の混合物として用いてもよい。
これらのアミン(B)のうち、化合物(B1){グアニジン、メチルグアニジン、エチルグアニジン、TBD、MTBD}、化合物(B2){DBU、DBN}、化合物(B3){H[N=P(dma)2]N(CH32、Me[N=P(dma)2]N(CH32、Et[N=P(dma)2]N(CH32、t−Bu[N=P(dma)2]N(CH32、Et[N=P(dma)22N(CH32、Ph[N=P(dma)2]N(CH32、H[N=P(pyrr)2](pyrr)、Me[N=P(pyrr)2](pyrr)}及び誘導体(B4){1,8−ビス(ジメチルアミノ)ナフタレン、1−ジメチルアミノ−8−メチルアミノ−キノリジン、1−ジメチルアミノ−7−メチル−8−メチルアミノ−イソキノリン及び7−メチル−1,8−メチルアミノ−2,7−ナフチリジン}が好ましく、さらに好ましくはグアニジン、メチルグアニジン、エチルグアニジン、TBD、MTBD、DBU及びDBN、特に好ましくはTBD、MTBD、DBU及びDBN、最も好ましくはDBU及びDBNである。
アミン(B)のpKaは、パーティクル又は油汚れに対する洗浄性の観点等から、11〜40が好ましく、さらに好ましくは11.5〜30、特に好ましくは12〜25である。
なお、pKaは、公知の方法{例えば、Can.J.Chem.65,626(1987)}等により得られる。
なお、pKaは、公知の方法{例えば、Can.J.Chem.65,626(1987)}等により得られる。
アミン(B)の含有量(モル%)は、パーティクル又は油汚れに対する洗浄性の観点等から、カルボキシベタイン(A)のモル数に基づいて、10〜200が好ましく、さらに好ましくは30〜150、特に好ましくは50〜110、最も好ましくは80〜100である。
本発明の界面活性剤の製品形状は、粉末状、液状(溶液状、エマルジョン状、懸濁液状)など公知の任意の形状で使用できる。これらの形状の内、使用時のハンドリングの観点から液状が好ましく、さらに好ましくは溶液状である。
これら溶液にするための溶剤については、水溶性有機溶剤(D)及び/又は水が使用できる。
水溶性有機溶剤(D)とは、20℃における水に対する溶解度(g/100gH2O)が3以上、好ましくは10以上の有機溶剤である。
このような水溶性有機溶剤(D)としては、スルホキシド{ジメチルスルホキシド、スルホラン、ブチルスルホン、3−メチルスルホラン、2,4−ジメチルスルホランなど};スルホン{ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス(2−ヒドロキシエチル)スルホンなど};アミド{N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルプロピオンアミドなど};ラクタム{N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、N−ヒドロキシメチル−2−ピロリドンなど};ラクトン{β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトンなど};アルコール{メタノ−ル、エタノ−ル、イソプロパノ−ルなど};グリコールおよびグリコールエーテル{エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、1,3−ブチレングリコール、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテルなど};オキサゾリジノン(N−メチル−2−オキサゾリジノン、3,5−ジメチル−2−オキサゾリジノンなど);ニトリル(アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、アクリロニトリル、メタクリルニトリル、ベンゾニトリルなど);カーボネート(エチレンカーボネート、プロピオンカーボネートなど);ケトン(アセトン、ジエチルケトン、アセトフェノン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジアセトンアルコールなど);及び環状エーテル(テトラヒドロフラン、テトラヒドロピランなど)等が挙げられる。水溶性有機溶剤(D)は単独で使用しても、2種以上併用して使用してもよい。
水としては、水道水、工業用水、地下水、蒸留水、イオン交換水及び超純水などが挙げられる。これらのうち、イオン交換水、超純水が好ましい。
水溶性有機溶剤(D)を使用する場合、(D)の含有量(重量%)は、アミノカルボン酸(A)及びアミン(B)の重量に基づいて、10〜90が好ましく、さらに好ましくは20〜70、特に好ましくは30〜50である。また水を使用する場合、水の含有量(重量%)は、アミノカルボン酸(A)及びアミン(B)の重量に基づいて、10〜90が好ましく、さらに好ましくは30〜80、特に好ましくは40〜70である。
水溶性有機溶剤(D)及び水を使用する場合、これらの含有量比率には特に制限がない。
本発明の界面活性剤には、アルカリ成分(C)を含むことができる。
アルカリ成分(C)としては、(C1)一般式(2)で表される有機アルカリ、(C2)金属水酸化物、(C3)炭酸塩、(C4)リン酸塩、(C5)ケイ酸塩、(C6)アンモニア、(C7)アルカノールアミン及び(C1)〜(C7)の混合物等が含まれる。
(C1)一般式(2)で表される有機アルカリについて説明する。
3、R4、R5及びR6はそれぞれ炭素数1〜22の炭化水素基又は−(R7O)p−Hで表される基であり、R7は炭素数2〜4のアルキレン基、pは1〜6の整数を表す。
炭素数1〜22の炭化水素基としては、炭素数1〜22のアルキル、炭素数2〜22のアルケニル、炭素数6〜22のアリール及び炭素数7〜22のアリールアルキルが挙げられ、上記で例示したものと同様である。
炭素数2〜4のアルキレン基としては、エチレン、プロピレン及びブチレン等が含まれる。これらの中で洗浄性の観点から、エチレン及びプロピレンが好ましい。pは1〜3が好ましい。
一般式(2)で表される有機アルカリ(C1)の具体例としては、以下の(1)〜(5)のカチオンとハイドロキサイドアニオンとからなる塩等が例示できる。
(1)テトラアルキルアンモニウムカチオン(アルキルの炭素数1〜6)
テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラ(n−又はi−)プロピルアンモニウム、テトラ(n−、i−又はt−)ブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウム、トリメチルエチルアンモニウム及びテトラエチルアンモニウム等
(2)炭素数1〜6のアルキル基3個と炭素数7〜24の炭化水素基1個とからなるアンモニウムカチオン
トリメチルへプチルアンモニウム、トリメチルオクチルアンモニウム、トリメチルデシルアンモニウム、トリメチルドデシルアンモニウム、トリメチルステアリルアンモニウム、トリメチルベンジルアンモニウム、トリエチルへキシルアンモニウム、トリエチルオクチルアンモニウム、トリエチルステアリルアンモニウム、トリエチルベンジルアンモニウム、トリブチルへプチルアンモニウム、トリブチルオクチルアンモニウム及びトリへキシルステアリルアンモニウム等
(3)炭素数1〜6のアルキル基2個と炭素数7〜24の炭化水素基2個とからなるアンモニウムカチオン
ジメチルジオクチルアンモニウム、ジエチルジオクチルアンモニウム及びジメチルジベンジルアンモニウム等
(4)炭素数1〜6のアルキル基1個と炭素数7〜24の炭化水素基3個とからなるアンモニウムカチオン
メチルトリオクチルアンモニウム、エチルトリオクチルアンモニウム及びメチルオクチルジベンジルアンモニウム等
(5)オキシアルキレン基を有するアンモニウムカチオン
(i)オキシアルキレン基を1個有するカチオン{ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウム、ヒドロキシエチルトリエチルアンモニウム、ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウム、ヒドロキシプロピルトリエチルアンモニウム、ヒドロキシエチルジメチルエチルアンモニウム及びヒドロキシエチルジメチルオクチルアンモニウム等}
(ii)オキシアルキレン基を2個有するカチオン{ジヒドロキシエチルジメチルアンモニウム、ジヒドロキシエチルジエチルアンモニウム、ジヒドロキシプロピルジメチルアンモニウム、ジヒドロキシプロピルジエチルアンモニウム、ジヒドロキシエチルメチルエチルアンモニウム、ジヒドロキシエチルメチルオクチルアンモニウム及びビス(2−ヒドロキシエトキシエチル)オクチルアンモニウム等}
(iii)オキシアルキレン基を3個有するカチオン{トリヒドロキシエチルメチルアンモニウム、トリヒドロキシエチルエチルアンモニウム、トリヒドロキシエチルブチルアンモニウム、トリヒドロキシプロピルメチルアンモニウム、トリヒドロキシプロピルエチルアンモニウム及びトリヒドロキシエチルオクチルアンモニウム等}
金属水酸化物(C2)としては、アルカリ金属水酸化物(水酸化リチウム、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等)、アルカリ土類金属水酸化物(水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム及び水酸化バリウム等)等が挙げられる。
炭酸塩(C3)としては、アルカリ金属塩(炭酸ナトリウム及び炭酸カリウム等)、アルカリ土類金属塩(炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム及び炭酸バリウム等)等が挙げられる。
リン酸塩(C4)としては、アルカリ金属塩(ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム、トリポリリン酸ナトリウム及びトリポリリン酸カリウム等)、アルカリ土類金属塩(ピロリン酸カルシウム、ピロリン酸マグネシウム、ピロリン酸バリウム、トリポリリン酸カルシウム、トリポリリン酸マグネシウム及びトリポリリン酸バリウム等)等が挙げられる。
ケイ酸塩(C5)としては、アルカリ金属塩(ケイ酸ナトリウム及びケイ酸カリウム等)、アルカリ土類金属塩(ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム及びケイ酸バリウム等)等が挙げられる。
アルカノールアミン(C7)としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミン及びエチレンジアミンのエチレンオキシド付加物(付加モル数1〜7)等が挙げられる。
アルカリ成分(C)のうち、パーティクル又は油汚れに対する洗浄性の観点等から、一般式(6)で表される有機アルカリ(C1)及び金属酸化物(C2)が好ましく、アルカリ金属又はアルカリ土類金属が残存する恐れがないことから、さらに好ましくは(C1)、洗浄性とリンス性の観点等から、特に好ましくは(1)テトラアルキルアンモニウムカチオン、(2)炭素数1〜6のアルキル基3個と炭素数7〜24の炭化水素基1個とからなるアンモニウムカチオン、(3)炭素数1〜6のアルキル基2個と炭素数7〜24の炭化水素基2個とからなるアンモニウムカチオン及び(4)炭素数1〜6のアルキル基1個と炭素数7〜24の炭化水素基3個とからなるアンモニウムカチオン、次に好ましくは(1)及び(2)、特に好ましくは(1)、最も好ましくはテトラメチルアンモニウムカチオン又はテトラエチルアンモニウムカチオンとハイドロオキサイドアニオンとからなる塩である。
アルカリ成分(C)を使用する場合、パーティクル又は油汚れに対する洗浄性の観点等から、(C)の含有量(重量%)は、カルボキシベタイン(A)及びアミン(B)の重量に基づいて、0.1〜10が好ましく、さらに好ましくは0.3〜8、特に好ましくは0.5〜5である。
さらに本発明の界面活性剤には、特に金属(アルミ配線など)が施された電子部品を洗浄する際に金属腐食を防止する観点等から、3〜2,000価の多価アルコール(E)を添加してもよい。
多価アルコール(E)としては、(E1)脂肪族多価アルコール(グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン及びペンタエリスリトール等);(E2)(E1)の脱水縮合物(ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリン及びジペンタエリスリトール等);(E3)糖[(E31)単糖{ペントース(アラビノース、キシロース、リボース、キシルロース及びリブロース等)、ヘキソース(グルコース、マンノース、ガラクトース、フルクトース、ソルボース及びタガトース等)、ヘプトース(セドヘプツロース等)等}、(E32)二糖類{トレハロース、サッカロース、マルトース、セロビオース、ゲンチオビオース及びラクトース等}、(E33)三糖類(ラフィノース及びマルトトリオース等)等];(E4)単糖類からなる多糖類及びこの誘導体{セルロース化合物(メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース及びこれらのケン化物等)、ゼラチン、デンプン、デキストリン、キチン及びキトサン等};(E5)糖アルコール(アラビトール、アドニトール、キシリトール、ソルビトール、マンニトール及びズルシトール等);(E6)トリスフェノール(トリスフェノールPA等);(E7)ノボラック樹脂(重量平均分子量:1,000〜100,000)(フェノールノボラック、クレゾールノボラック等);(E8)ポリフェノール;(E9)その他の水酸基を有するポリマー(重量平均分子量:1,000〜1,000,000)[ポリビニルアルコール、アクリルポリオール{ポリヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートと他のビニルモノマーとの共重合物等}等];並びにこれらのアルキレンオキシド(炭素数2〜4)付加物(付加モル数1〜7モル)等が挙げられる。多価アルコール(E)は単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
多価アルコール(E)のうち、金属腐食の防止効果の観点等から、(E1)脂肪族多価アルコール、(E2)(E1)の脱水縮合物、(E3)糖及び(E5)糖アルコールが好ましく、さらに好ましくはグリセリン、サッカロース及びソルビトールである。
多価アルコール(E)を使用する場合、(E)の含有量(重量%)は、カルボキシベタイン(A)及びアミン(B)の重量に基づいて、1〜20が好ましく、さらに好ましくは2〜10、特に好ましくは3〜7である。
本発明の界面活性剤に、水、アルカリ成分(C)及び多価アルコール(E)が含有されている場合、多価アルコール(E)は、金属腐食の著しい防止効果を発揮することができる。
本発明の界面活性剤は、パーティクルや基板のゼータ電位を効果的に下げることができ、従来の界面活性剤で達成不可能であったパーティクルの再付着を防止することができる。
本発明の界面活性剤を用いると、パーティクル表面のゼータ電位は、−80mV以下にすることができ、特に−90mV以下、さらに−100mV以下、特にさらに−105mV以下にすることができる。
本発明の界面活性剤は、再付着防止機能以外にも界面活性機能(表面張力低下能、乳化力、低泡性、可溶化力、分散力、洗浄力など)を発揮することができる。例えば、湿潤剤、浸透剤、起泡剤、消泡剤、乳化剤、分散剤、可溶化剤、洗浄剤、平滑剤、帯電防止剤、潤滑剤、防錆剤、均染剤、染料固着剤、疎水化剤、殺菌剤、凝集剤などの用途に適しており、特に洗浄剤として好適である。
本発明の界面活性剤を洗浄剤として用いる場合、本発明の界面活性剤の他に、水を含んでいることが好ましい。水を含むことにより、次式のように水のイオン解離が助長されると考えられ、以下のような化学構造となることにより、パーティクル又は油汚れに対する洗浄性がさらに良好になると考えられる。この際に使用する水としては、上記と同様であるが、イオン交換水及び超純水が好ましい。
なお、式中、R1、R2、OA、n、O、C、H及びNは一般式(1)と同じであり、Bはプロトン付加反応における生成熱変化(Q)が10〜152kcal/molであるアミン(B)を意味する。
このような洗浄剤には、本発明の効果に影響を及ぼさない範囲で、公知の分散剤及び/又は他の界面活性剤(本発明の界面活性剤を含まない)を含有してもよい。
公知の分散剤としては、ポリ(メタ)アクリル酸の塩{アンモニウム塩、アルキルアミン塩(ジメチルアミン、ジエチルアミン及びトリエチルアミン等)又はアルカノールアミン塩(トリエタノールアミン塩等)};多糖類(ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩及びカチオン化デンプン等)、ポバール、縮合リン酸(メタリン酸及びピロリン酸等)、リン酸エステル{フィチン酸、ジ(ポリオキシエチレン)アルキルエーテルリン酸及びトリ(ポリオキシエチレン)アルキルエーテルリン酸等}及びこれらの混合物等が挙げられる。
公知の分散剤を使用する場合、この含有量(重量%)は、カルボキシベタイン(A)及びアミン(B)の重量に基づいて、0.0001〜10程度が好ましい。
他の界面活性剤としては、ノニオン性、アニオン性、カチオン性、両性及びこれらの混合物のいずれでもよいが、これらのうち、ノニオン性界面活性剤又はアニオン性界面活性剤が好ましい。
ノニオン性界面活性剤としては、エーテル型界面活性剤{アルキルエーテル型、アルキルアリルエーテル型及びアルキルチオエーテル型等};エステル型界面活性剤{アルキルエステル型及びソルビタンアルキルエステル型等};アミン縮合型界面活性剤{ポリオキシアルキレンアルキルアミン等};アミド縮合型界面活性剤{ポリオキシアルキレンアルキルアマイド等};及びプルロニック又はテトロニック型界面活性剤{ポリオキシエチレンとポリオキシプロピレンをランダム又はブロック付加させた界面活性剤}等が挙げられる。
アニオン界面活性剤としては、スルホン酸型界面活性剤、硫酸エステル型界面活性剤、リン酸エステル型界面活性剤、脂肪酸型界面活性剤及びポリカルボン酸型界面活性剤等が挙げられる。
カチオン界面活性剤としては、アミン型界面活性剤及び4級アンモニウム塩型界面活性剤が挙げられる。
両性界面活性剤としては、アミノ酸型界面活性剤及びベタイン型界面活性剤等が挙げられる。
他の界面活性剤を使用する場合、この含有量(重量%)は、カルボキシベタイン(A)及びアミン(B)の重量に基づいて、0.0001〜10程度が好ましい。
本発明における洗浄剤には、本発明の効果を妨げない範囲で、その他の添加剤(酸化防止剤、キレート剤、防錆剤、pH調整剤、緩衝剤、消泡剤及び還元剤等)の1種以上を含有してもよい。
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤{2,6−ジ−t−ブチルフェノール、2−t−ブチル−4−メトキシフェノール及び2,4−ジメチル−6−t−ブチルフェノール等};アミン系酸化防止剤{モノアルキルジフェニルアミン(モノオクチルジフェニルアミン及びモノノニルジフェニルアミン等);ジアルキルジフェニルアミン(4,4’−ジブチルジフェニルアミン及び4,4’−ジペンチルジフェニルアミン等);ポリアルキルジフェニルアミン(テトラブチルジフェニルアミン及びテトラヘキシルジフェニルアミン等);ナフチルアミン(α−ナフチルアミン及びフェニル−α−ナフチルアミン等)};硫黄系化合物{フェノチアジン、ペンタエリスリトール−テトラキス−(3−ラウリルチオプロピオネート)及びビス(3,5−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)スルフィド等};リン系酸化防止剤{ビス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト、フェニルジイソデシルホスフィト、ジフェニルジイソオクチルホスファイト及びトリフェニルホスファイト等}等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を組み合わせて使用してもよい。
酸化防止剤を使用する場合、この含有量(重量%)は、カルボキシベタイン(A)及びアミン(B)の重量に基づいて、0.001〜10程度が好ましい。
キレート剤としては、アミノポリカルボン酸塩{エチレンジアミンテトラ酢酸塩(EDTA)、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸塩(HEDTA)、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸塩(DHEDDA)、ニトリロ酸酢酸塩(NTA)、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸塩(HIDA)、β−アラニンジ酢酸塩、アスパラギン酸ジ酢酸塩、メチルグリシンジ酢酸塩、イミノジコハク酸塩、セリンジ酢酸塩、ヒドロキシイミノジコハク酸塩、ジヒドロキシエチルグリシン塩、アスパラギン酸塩及びグルタミン酸塩等};ヒドロキシカルボン酸塩{ヒドロキシ酢酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩及びグルコン酸塩等};シクロカルボン酸塩{ピロメリット酸塩、ベンゾポリカルボン酸塩及びシクロペンタンテトラカルボン酸塩等};エーテルカルボン酸塩{カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸モノサクシネート及び酒石酸ジサクシネート等};その他カルボン酸塩{マレイン酸塩及びシュウ酸塩等};有機カルボン酸(塩)ポリマー{(メタ)アクリル酸(共)重合体(アクリル酸−アリルアルコール共重合体、アクリル酸−マレイン酸共重合体、ヒドロキシアクリル酸重合体及び多糖類−アクリル酸共重合体等);多価カルボン酸(共)重合体(マレイン酸、イタコン酸、フマル酸、テトラメチレン−1,2−ジカルボン酸、コハク酸、アスパラギン酸、グルタミン酸等のモノマーを構成単位としてなる(共)重合体等);グリオキシル酸重合体};多糖類{デンプン、セルロース、アミロース、ペクチン及びカルボキシメチルセルロース等};ホスホン酸塩{メチルジホスホン酸塩、アミノトリスメチレンホスホン酸塩、エチリデンジホスホン酸塩、エチルアミノビスメチレンホスホン酸塩及びエチレンジアミンビスメチレンホスホン酸塩等}等が挙げられる。
なお、塩としては、アルカリ金属(リチウム、ナトリウム及びカリウム等)塩、アンモニウム塩、アミン(トリメチルアミン、トリエチルアミン及びi−プロピルアミン等)アルカノールアミン(モノエタノールアミン及びトリエタノールアミン等)塩等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を組み合わせて使用してもよい。
キレート剤を使用する場合、この含有量(重量%)は、カルボキシベタイン(A)及びアミン(B)の重量に基づいて0.0001〜10程度が好ましい。
防錆剤としては、含窒素有機防錆剤{ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、炭素数2〜10の炭化水素基を有するベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、炭素数2〜20炭化水素基を有するイミダゾール、炭素数2〜20炭化水素基を有するチアゾール及び2−メルカプトベンゾチアゾール等};アルキル又はアルケニルコハク酸{ドデセニルコハク酸ハーフエステル、オクタデセニルコハク酸無水物及びドデセニルコハク酸アミド等};多価アルコール部分エステル{ソルビタンモノオレエート、グリセリンモノオレエート及びペンタエリスリトールモノオレエート等}等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
防錆剤を使用する場合、この含有量(重量%)は、カルボキシベタイン(A)及びアミン(B)の重量に基づいて0.01〜10程度が好ましい。
pH調整剤としては、鉱酸{塩酸、硫酸及び硝酸等};アルカノールアミン{モノエタノールアミン及びトリエタノールアミン等};水溶性アミン{アンモニア、トリメチルアミン及びトリエチルアミン等}等が挙げられる(金属イオンを実質的に含まないものが好ましい)。これらの1種又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
pH調整剤を使用する場合、この含有量(重量%)は、カルボキシベタイン(A)及びアミン(B)の重量に基づいて、0.001〜10程度が好ましい。
緩衝剤としては、緩衝作用を有する酸(有機酸又は無機酸)及び/又はこれらの塩等を用いられる。
有機酸としては、酢酸、ギ酸、グルコン酸、グリコール酸、酒石酸、フマル酸、レブリン酸、吉草酸、マレイン酸及びマンデル酸等を挙げられる。
無機酸としては、リン酸及びホウ酸等が挙げられる。
塩としては、アンモニウム塩やアルカノールアミン塩(トリエタノールアミン塩等)等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
緩衝剤を使用する場合、この含有量(重量%)は、カルボキシベタイン(A)及びアミン(B)の重量に基づいて0.1〜10程度が好ましい。
消泡剤としては、シリコーン消泡剤{ジメチルシリコーン、フルオロアルキル変性シリコーン及びポリエーテル変性シリコーン等を構成成分とする消泡剤等}等が挙げられる。
消泡剤を使用する場合、この含有量(重量%)は、カルボキシベタイン(A)及びアミン(B)の重量に基づいて0.0001〜1程度が好ましい。
還元剤としては、亜硫酸塩(亜硫酸ナトリウム及び亜硫酸アンモニウム等);チオ硫酸塩(チオ硫酸ナトリウム及びチオ硫酸アンモニウム等);アルデヒド(ホルムアルデヒド及びアセトアルデヒド等);リン系還元剤(トリス‐2‐カルボキシエチルホスフィン等);及びその他の有機系還元剤(ギ酸、シュウ酸、コハク酸、乳酸、リンゴ酸、酪酸、ピルビン酸、クエン酸、1,4−ナフトキノン−2−スルホン酸、アスコルビン酸及びイソアスコルビン酸等)が挙げられる。これらは1種又は2種以上を組み合わせて使用してもよい。
還元剤を使用する場合、この含有量(重量%)は、カルボキシベタイン(A)及びアミン(B)の重量に基づいて0.1〜10程度が好ましい。
本発明の洗浄剤の表面張力(25℃)(dyn/cm)は、パーティクル又は油汚れに対する洗浄性の観点等から、10〜65が好ましく、さらに好ましくは12〜50、特に好ましくは15〜40である。
表面張力は、JIS K3362:1998の輪環法:対応国際規格ISO 304に従って測定できる。
本発明の洗浄剤中のアルカリ金属及びアルカリ土類金属(原子及びイオンを含む)の合計含有量(重量%)は、洗浄剤の重量に基づいて、0.0000001〜0.1が好ましく、さらに好ましくは0.000001〜0.01、特に好ましくは0.00001〜0.001である。本発明の洗浄剤としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属を全く含まないものが最も好ましいが、製造しやすさの観点等から、上記の範囲が好ましい。
アルカリ金属及びアルカリ土類金属の合計含有量の測定方法としては、公知の方法、例えば原子吸光法、ICP法、ICP質量分析法が利用できるが、分析精度の観点等から、ICP質量分析法が好ましい。
本発明の洗浄剤の用途には特に限定はないが、電子材料・電子部品を製造する工程中、洗浄工程における洗浄剤として適している。
電子材料・電子部品としては、半導体素子;シリコンウェハ;カラーフィルター;電子デバイス用基板{フラットパネルディスプレイ(液晶パネル、プラズマ及び有機EL等)、光・磁気ディスク、CCD等};光学レンズ;プリント配線基板;光通信用ケーブル;LED等等が挙げられる。これらのうち、液晶パネル用基板又は半導体素子の製造用として好適である。
なお、本発明の洗浄剤で洗浄される洗浄対象物(汚れ)としては、有機物{油分、指紋、樹脂及び有機パーティクル等}、無機物{ガラス粉、砥粒、セラミック粉及び金属粉等}が挙げられる。
本発明の洗浄剤を用いた電子材料・電子部品の洗浄方法としては、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群より選ばれる少なくとも1種が適用できる。特に、超音波洗浄法を適用することによって、さらに優れた洗浄効果が発揮できる。
本発明の洗浄剤は、必要によりさらに水で希釈して使用してもよい。その際に使用する水としては、上記と同様であるが、イオン交換水及び超純水が好ましい。
特に、本発明の洗浄剤を電子材料・電子部品の洗浄工程に使用する場合、カルボキシベタイン(A)及びアミン(B)の合計濃度が1〜500ppmとなるように水で希釈することが好ましい。
本発明の洗浄剤を原液または水で希釈して使用する際のpHは、使用する添加剤の種類や量等によっても異なってくるが、1〜12が好ましく、さらに好ましくは2〜11、特に好ましくは4〜8である。なお、本発明の界面活性剤は、中性領域でも優れたゼータ電位低下能を有するため、中性下で洗浄する用途(電子部品等の金属腐食が懸念される用途等)においても、特に優れた効果を発揮する。
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、特に限定がない限り%は重量%、部は重量部を示す。また、生成熱変化(Q)は、富士通株式会社製CAChe Worksystem6.01を用いて計算した。すなわち、分子力場法である「MM2 geometry」で構造最適化した後、半経験的分子軌道法であるPM3 geometyにより、Δfo H+B、Δfo B、Δfo HX、Δfo X-を計算し、上述した計算式に従って(Q)を求めた。
<実施例1>
アクリル酸メチルエステル86部(1モル部)、37%ホルムアルデヒド水溶液(メタノール含有量7%)122部(1.5モル部)、1,4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン(DABCO)7部(63ミリモル部)、メトキシハイドロキノン0.03部及びアセトニトリル100部を均一混合した後、80〜82℃で1時間反応させた。この反応液を40℃に冷却し、濃塩酸でpH5.0に調整した後、トルエン200部で抽出した。ついで、抽出物からトルエンを留去して、α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチルエステル(MHMA)の粗生成体を得た。
MHMAの粗生成体30部を水150部に溶解した後、石油エーテル60部を用いて不純物を3回抽出除去した。ついで、MHMA水溶液に食塩を飽和になるまで溶解させた後、トルエン抽出し、MHMAを精製した(純度98.5%)。
この精製MHMA116部(1モル部)をTHF200部と混合し、5℃に調整した後、5℃で三臭化リン135部(0.5モル部)を滴下して反応させ、減圧蒸留により精製することにより、α−臭化メチルアクリル酸メチルエステル(MBMA)を得た。
ヘキサデカノール242部(1モル部)、THF400部及び水酸化カリウム112部(2モル部)を混合し、100℃に調整した。この混合物に、上記で得たMBMA179部(1モル部)を滴下して100℃で反応させた後、塩酸で中和し、析出した塩化カリウム及び臭化カリウムを濾別し、THF層を水洗いし、さらにTHFを留去することにより、α−(ヘキサデシルオキシメチル)アクリル酸メチル(MHDMA)を得た。
次いで、このMHDMA323部(1モル部)、10%ジメチルアミン水溶液450部(1モル部)及び48%水酸化ナトリウム水溶液366.8部を70℃10時間反応させて、3−ジメチルアミノ−2−ヘキサデシルオキシメチルプロピオン酸ナトリウム(SAHMP)水溶液を得た。ついで、20℃で塩化メチル101部(2モル部)を滴下し、徐々に昇温し60℃で2時間反応させた後、イオン交換クロマトグラフィ(イオン交換樹脂:バイオラッド社製AG501X8)により精製し、溶媒留去して、カルボキシベタイン(a1){3−トリメチルアンモニオ−2−ヘキサデシルオキシメチルプロピオネート}を得た。
次いで、このカルボキシベタイン(a1)385部(1モル部)、水500部及びアミン(b1){DBU}152部(1モル部)を均一混合して、本発明の界面活性剤(1)を得た。
なお、水は、超純水(オルガノ株式会社製「PURIC−MX2」で得られる比抵抗値が18MΩ以上の水)を用いた(以下、同様である)。また、質量分析(FABイオン化法)及び1H−NMRにより、各化学構造を確認した(以下、同様である)。
<実施例2>
イソオクタデシルアルコールのエチレンオキシド8モル付加体622部(1モル部)、THF500部及び水酸化カリウム112部(2モル部)を混合し、100℃に調整した。この混合物に、実施例1と同様にして得たMBMA179部(1モル部)を滴下して100℃で反応させた後、塩酸で中和し、析出した塩化カリウム及び臭化カリウムを濾別し、THF層を水洗いし、さらにTHFを留去することにより、α−イソオクタデシルオキシエチル(ポリオキシエチレン)オキシメチルアクリル酸メチル(MiDPEMA)を得た。
次いで、このMiDPEMA720部(1モル部)、10%ジメチルアミン水溶液450部(1モル部)及び48%水酸化ナトリウム水溶液366.8部を70℃10時間反応させて、3−ジメチルアミノ−2−イソオクタデシルオキシエチル(ポリオキシエチレン)オキシメチルプロピオン酸ナトリウム(SAiDMP)水溶液を得た。ついで、20℃で塩化メチル101部(2モル部)を滴下し、徐々に昇温し60℃で2時間反応させた後、イオン交換クロマトグラフィ(イオン交換樹脂:バイオラッド社製AG501X8)により精製し、溶媒留去して、カルボキシベタイン(a2){3−トリメチルアンモニオ−2−イソオクタデシルオキシエチル(ポリオキシエチレン)オキシメチルプロピオネート}を得た。
次いで、このカルボキシベタイン(a2)765部(1モル部)、水500部及びアミン(b1){DBU}152部(1モル部)を均一混合して、本発明の界面活性剤(2)を得た。
<実施例3>
10%ジメチルアミン水溶液450部(1モル部)を10%ジエチルアミン水溶液730部(1モル部)に変更したこと、アミン(b1){DBU}152部(1モル部)をアミン(b2){DBN}124部(1モル部)に変更したこと以外、実施例1と同様にして、カルボキシベタイン(a3){3−トリエチルアンモニオ−2−ヘキサデシルオキシメチルプロピオネート}を得た後、本発明の界面活性剤(3)を得た。
<実施例4>
実施例2で得たカルボキシベタイン(a2)765部(1モル部)、水500部及びアミン(b2){DBN}100部(0.8モル部)を均一混合して、本発明の界面活性剤(4)を得た。
<実施例5>
実施例1で得た界面活性剤(1)1037部に、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド塩27部及びサッカロース16.2部を添加混合して、本発明の界面活性剤(5)を得た。
<実施例6>
実施例2で得た界面活性剤(2)1417部に、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド塩2.7部及びソルビトール64部を添加混合して、本発明の界面活性剤(6)を得た。
<実施例7>
実施例1で得た界面活性剤(1)1037部に、グリセリン37部を添加混合して、本発明の界面活性剤(7)を得た。
<比較例1>
50%オレイン酸アンモニウム水溶液を比較用の界面活性剤(8)とした。
<比較例2>
実施例1で得たカルボキシベタイン(a1)1037部に、ジエタノールアミン105部(1モル部)を加え、30分間撹拌して、比較用の界面活性剤(9)を得た。
<比較例3>
50%N−ドデシル−N,N−ジメチルアンモニオアセテート水溶液を比較用の界面活性剤(10)とした。
界面活性剤(1)〜(10)について、以下のようにして、微粒子付着数を評価し、結果を表1に示した。また、超純水のみ(ブランク)についても同様に評価し、併せて表1に示した。
<微粒子付着数>
4インチシリコンウェハを0.5%HF水溶液1リットルが入った1リットル容のビーカーに20℃、15分間浸漬して自然酸化膜を除去し、超純水1リットルが入った1リットルのビーカーに20℃、2分間浸漬しリンスした。
次に、界面活性剤(1)〜(10)について、濃度が50ppmとなるように超純水で希釈して評価試料を調製した。そして、1リットルのビーカー中でポリスチレンラテックス{体積平均粒径2.0μm、Duke Scientific Corporation社製、Catalog No.4202、0.5重量%、CV 1.1%}1mLに評価試料999mLを配合して混合液(1,000mL)を得た。
これらの混合液に、上記の洗浄(酸化膜除去及びリンス)したシリコンウェハを20℃で20分間浸漬した。その後、超純水1リットルが入った1リットルのビーカーに1分間浸漬、取り出し、自然乾燥した後、レーザー表面検査装置(トプコン株式会社製、WM−2500)を使ってシリコンウェハ表面に付着したパーティクル数を測定した。
以上のように、本発明の界面活性剤(実施例1〜7)は、比較用の界面活性剤に比べて、シリコンウエハ1枚当たりの微粒子付着数を著しく減少させることができた。
このことから、a)本発明の界面活性剤がシリコンウェハへのパーティクルの再付着防止に著しく高い効果をもつことがわかった。また、b)本発明の界面活性剤がパーティクルのゼータ電位を著しく効果的に低下させたものと考えられる。
本発明の界面活性剤は、被洗浄物から剥がれた汚れの再付着防止効果に優れているため、半導体素子、シリコンウェハ、カラーフィルター、電子デバイス用基板(液晶パネル、プラズマ、有機ELなどのフラットパネルディスプレイ、光・磁気ディスク、CCD)、光学レンズ、プリント配線基板、光通信用ケーブル、LEDなどの電子部品を製造する工程の洗浄剤として有効に使用することができる。

Claims (11)

  1. 式(1)で表されるカルボキシベタイン(A)と、
    プロトン付加反応における生成熱変化(Q)が10〜152kcal/molであるアミン(B)とを含有してなることを特徴とする界面活性剤。
    1及びR2は水素原子又は炭素数1〜22の有機基、OAは炭素数2〜4のオキシアルキレン基、nは0〜200の整数、Oは酸素原子、Cは炭素原子、Hは水素原子、Nは窒素原子を示す。
  2. アミン(B)の分子体積(nm3)が0.025〜0.7である請求項1に記載の界面活性剤。
  3. アミン(B)が、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7及び1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン−5からなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項1又は2に記載の界面活性剤。
  4. さらに、アルカリ成分(C)を含んでなる請求項1〜3のいずれかに記載の界面活性剤。
  5. アルカリ成分(C)が一般式(2)で表される有機アルカリ(C1)である請求項4に記載の界面活性剤。
    3、R4、R5及びR6はそれぞれ炭素数1〜24の炭化水素基又は−(R7O)p−Hで表される基であり、R7は炭素数2〜4のアルキレン基、pは1〜6の整数を表す。
  6. さらに、水溶性有機溶剤(D)及び水からなる群より選ばれる少なくとも1種を含有してなる請求項1〜5のいずれかに記載の界面活性剤。
  7. さらに、3〜2,000価の多価アルコール(E)を含有してなる請求項1〜6のいずれかに記載の界面活性剤。
  8. 請求項1〜7のいずれかに記載の界面活性剤を含んでなる洗浄剤。
  9. 電子材料・電子部品の製造工程中、洗浄工程における洗浄剤として使用される請求項8に記載の洗浄剤。
  10. 請求項8又は9に記載の洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群より選ばれる少なくとも1種によって洗浄する工程を含む電子材料・電子部品の製造方法。
  11. 電子材料・電子部品が液晶パネル用基板又は半導体素子である請求項10に記載の製造方法。
JP2005343436A 2005-10-31 2005-11-29 界面活性剤及びこれを含んでなる洗浄剤 Pending JP2007146025A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005343436A JP2007146025A (ja) 2005-10-31 2005-11-29 界面活性剤及びこれを含んでなる洗浄剤

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005315694 2005-10-31
JP2005343436A JP2007146025A (ja) 2005-10-31 2005-11-29 界面活性剤及びこれを含んでなる洗浄剤

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007146025A true JP2007146025A (ja) 2007-06-14

Family

ID=38207814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005343436A Pending JP2007146025A (ja) 2005-10-31 2005-11-29 界面活性剤及びこれを含んでなる洗浄剤

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007146025A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011507132A (ja) * 2007-12-07 2011-03-03 フォンタナ・テクノロジー 粒子除去洗浄方法および組成物
KR101261599B1 (ko) * 2012-10-23 2013-05-06 (주)아이리스 친환경 장비 세척제 및 이의 제조방법
WO2023017794A1 (ja) * 2021-08-10 2023-02-16 株式会社日本触媒 ポリアルキレンオキシド含有化合物
CN115847629A (zh) * 2022-11-30 2023-03-28 江苏富乐徳石英科技有限公司 一种高效节能环保的石英环制备工艺

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011507132A (ja) * 2007-12-07 2011-03-03 フォンタナ・テクノロジー 粒子除去洗浄方法および組成物
KR101261599B1 (ko) * 2012-10-23 2013-05-06 (주)아이리스 친환경 장비 세척제 및 이의 제조방법
WO2023017794A1 (ja) * 2021-08-10 2023-02-16 株式会社日本触媒 ポリアルキレンオキシド含有化合物
CN115847629A (zh) * 2022-11-30 2023-03-28 江苏富乐徳石英科技有限公司 一种高效节能环保的石英环制备工艺
CN115847629B (zh) * 2022-11-30 2023-09-29 江苏富乐徳石英科技有限公司 一种高效节能环保的石英环制备工艺

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4792396B2 (ja) 界面活性剤
JP2007262262A (ja) ジェミニ型界面活性剤
JP5000991B2 (ja) エレクトロニクス材料用洗浄剤
JP5553985B2 (ja) 電子材料用洗浄剤
KR101537831B1 (ko) 신규한 니트릴 및 아미드옥심 화합물 및 제조 방법
US8900371B2 (en) Cleaning agent for substrate and cleaning method
CN102245750B (zh) 电子材料用清洗剂
JP2007335856A (ja) エレクトロニクス材料用洗浄剤
US8927476B2 (en) Aqueous alkaline cleaning compositions and methods of their use
US9076920B2 (en) Aqueous alkaline etching and cleaning composition and method for treating the surface of silicon substrates
JP2010163608A (ja) 電子材料用洗浄剤
US20060008925A1 (en) Electronic parts cleaning solution
TW200927914A (en) Cleaning agent for electronic materials and method for cleaning
JP2008182221A (ja) 半導体基板用洗浄剤
JP2009087523A (ja) 磁気ディスク用ガラス基板洗浄剤
JP2021192429A (ja) セリア粒子を表面から除去するための組成物及び方法
KR101751553B1 (ko) 수성 알칼리 세정 조성물 및 그 사용 방법
JP5575420B2 (ja) 磁気ディスク基板用洗浄剤
JP2007146025A (ja) 界面活性剤及びこれを含んでなる洗浄剤
JP2005060660A (ja) 半導体基板用洗浄液
JP4903242B2 (ja) 多金属デバイス処理のためのグルコン酸含有フォトレジスト洗浄組成物
JP2007146024A (ja) 界面活性剤及びこれを含んでなる洗浄剤
CN102314101A (zh) 用于除去聚酰亚胺的清洗剂组合物
US20220228062A1 (en) Etching Composition And Method For Selectively Removing Silicon Nitride During Manufacture Of A Semiconductor Device
WO2023239837A1 (en) Cleaning composition with molybdenum etching inhibitor

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100430